JP2005235620A - Plane display device and its manufacturing method - Google Patents

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Sachiko Hirahara
祥子 平原
Satoshi Ishikawa
諭 石川
Masaru Nikaido
勝 二階堂
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plane display device and its manufacturing method with improved reliability and display quality by preventing deterioration or destruction of a circuit relevant to discharge. <P>SOLUTION: A spacer structure 22 is provided between a first substrate 10 on which a fluorescent surface is formed and a second substrate 12 provided with a plurality of electron emission sources 18. The spacer structure faces the first and the second substrates and has a grid 24 with a plurality of electron beam through holes 26 facing the electron emission sources respectively and a plurality of spacers erected on the surface of the grid. The grid have a plurality of metal wires 44 and a plurality of glass wires 42 intersecting the metal wires and extended and is formed in a mesh. At least one of end parts of the metal wires is electrically connected each other. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサとを備えた平面表示装置、およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a flat panel display device including substrates disposed opposite to each other and spacers disposed between the substrates, and a method for manufacturing the same.

近年、陰極線管(以下、CRTと称する)に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス(以下、FEDと称する)の一種として、表面伝導型電子放出装置(以下、SEDと称する)の開発が進められている。   2. Description of the Related Art In recent years, various flat-type image display devices have attracted attention as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter referred to as CRTs). For example, a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED) is being developed as a kind of field emission device (hereinafter referred to as FED) that functions as a flat display device.

このSEDは、所定の間隔をおいて対向配置された第1基板および第2基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第1基板の内面には3色の蛍光体層が形成され、第2基板の内面には、蛍光体を励起する電子放出源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。第1基板および第2基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、複数のスペーサが配置されている。第1基板と第2基板との間にはグリッドが設けられ、複数のスペーサはこのグリッド上に立設されている。グリッドには、それぞれ電子放出素子から放出された電子ビームが通過する複数の電子ビーム通過孔が形成されている(特許文献1)。   The SED includes a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other at a predetermined interval, and these substrates form a vacuum envelope by joining peripheral portions to each other through rectangular side walls. ing. A phosphor layer of three colors is formed on the inner surface of the first substrate, and on the inner surface of the second substrate, a large number of electron-emitting devices corresponding to each pixel are arranged as an electron emission source for exciting the phosphor. . In order to support an atmospheric pressure load acting between the first substrate and the second substrate and maintain a gap between the substrates, a plurality of spacers are disposed between the two substrates. A grid is provided between the first substrate and the second substrate, and a plurality of spacers are erected on the grid. A plurality of electron beam passage holes through which the electron beams emitted from the electron-emitting devices pass are formed in the grid (Patent Document 1).

上記SEDにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層と第2基板との間、およびグリッドと第2基板との間にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させる。これより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数kV以上望ましくは5kV以上に設定することが必要となる。
特開2002−082850号公報
In the SED, when displaying an image, an anode voltage is applied between the phosphor layer and the second substrate, and between the grid and the second substrate, and the electron beam emitted from the electron-emitting device is applied by the anode voltage. Accelerate and collide with the phosphor layer. As a result, the phosphor emits light and displays an image. In order to obtain practical display characteristics, it is necessary to use a phosphor similar to a normal cathode ray tube and set the anode voltage to several kV or more, preferably 5 kV or more.
JP 2002-082850 A

上記構成のSEDにおいて、第1基板と第2基板との間の隙間は、解像度やグリッドの特性、製造性などの観点から、1〜2mm程度と比較的小さく設定される。グリッドと第2基板との隙間はより小さく設定される。この場合、第1基板と第2基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電(絶縁破壊)が問題となる。   In the SED having the above configuration, the gap between the first substrate and the second substrate is set to be relatively small, such as about 1 to 2 mm, from the viewpoint of resolution, grid characteristics, manufacturability, and the like. The gap between the grid and the second substrate is set smaller. In this case, it is inevitable that a strong electric field is formed in a small gap between the first substrate and the second substrate, and discharge (dielectric breakdown) between the two substrates becomes a problem.

第1および第2基板間に設けられたグリッドは、通常、50Ni−Fe合金等の金属板に電子ビーム通過孔を形成することにより構成されている。このような金属板を用いた場合、グリッドに流れる放電電流値を制御することが困難となる。例えば、グリッドの表面を20μm厚の絶縁層で被覆した場合でも、放電により絶縁破壊が生じ、グリッドに大きな電流が流れる。グリッドは、電圧を印加するための給電点を備えている。そのため、グリッドに大きな電流が流れると、給電点を通して給電用回路に大電流が流れ、給電用回路を損傷する虞がある。   The grid provided between the first and second substrates is usually formed by forming an electron beam passage hole in a metal plate such as a 50Ni—Fe alloy. When such a metal plate is used, it becomes difficult to control the discharge current value flowing through the grid. For example, even when the surface of the grid is covered with an insulating layer having a thickness of 20 μm, dielectric breakdown occurs due to discharge, and a large current flows through the grid. The grid includes a feeding point for applying a voltage. For this reason, when a large current flows through the grid, a large current flows through the power feeding circuit through the power feeding point, which may damage the power feeding circuit.

このような不良発生につながる放電は製品としては許容されない。したがって、SEDを実用化するためには、長期間に渡り、放電によるダメージが発生しないように構成しなければならない。   Such a discharge that leads to the occurrence of a defect is not allowed as a product. Therefore, in order to put SED into practical use, it must be configured so that damage due to discharge does not occur for a long period of time.

本発明は、このような課題を解決するためのものであり、その目的は、グリッドに流れる放電電流を低減して、回路の劣化、破壊を防止し、信頼性および表示品位の向上した平面表示装置およびその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made to solve such problems, and its purpose is to reduce the discharge current flowing in the grid to prevent deterioration and destruction of the circuit, and to improve the reliability and display quality. It is to provide an apparatus and a method for manufacturing the same.

前記目的を達成するため、この発明の態様に係る平面表示装置は、蛍光面およびメタルバック層が形成された第1基板と、前記第1基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、前記第1および第2基板の間に設けられ前記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
前記スペーサ構体は、前記第1および第2基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有したグリッドと、前記グリッドの表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、前記グリッドは、複数の金属線、およびこれら金属線と直交して延びた複数のガラス線を有したメッシュ状に形成され、前記金属線の端部の少なくとも一方は、互いに電気的に接続されている。
In order to achieve the above object, a flat display device according to an aspect of the present invention includes a first substrate on which a phosphor screen and a metal back layer are formed, and is disposed to face the first substrate with a gap therebetween, and A second substrate provided with a plurality of electron emission sources for exciting the surface, and a spacer structure provided between the first and second substrates for supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates. Prepared,
The spacer structure is opposed to the first and second substrates and includes a grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and a plurality of standing structures on the surface of the grid. The grid is formed in a mesh shape having a plurality of metal wires and a plurality of glass wires extending perpendicular to the metal wires, and at least one of the end portions of the metal wires is Are electrically connected to each other.

この発明の他の態様に係る平面表示装置の製造法は、金属板をエッチングすることにより、互いに所定の隙間を持って平行に並んだ複数本の金属線を形成し、前記金属線をガラスにより被覆し、複数のガラス線を画素ピッチに配列し、前記金属線および枠体を前記配列されたガラス線上に重ねた後、焼成して前記ガラス線の端部と枠体とを締結してグリッドを形成し、前記グリッドのガラス線上にスペーサを形成することを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flat display device, wherein a metal plate is etched to form a plurality of metal wires arranged in parallel with a predetermined gap therebetween, and the metal wires are made of glass. Covering, arranging a plurality of glass wires at a pixel pitch, superimposing the metal wires and frames on the arranged glass wires, firing and fastening the ends of the glass wires and the frames to grid And a spacer is formed on the glass wire of the grid.

この発明によれば、グリッドに流れる放電電流を抑制して、回路の劣化、破壊を防止し、信頼性および表示品位の向上した平面表示装置およびその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a flat panel display device with improved reliability and display quality, and a method for manufacturing the same, by suppressing the discharge current flowing through the grid to prevent circuit deterioration and breakdown.

以下図面を参照しながら、この発明を、平面表示装置としてのSEDに適用した実施の形態について詳細に説明する。
図1ないし図3に示すように、SEDは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第1基板10および第2基板12を備え、これらの基板は約1.0〜2.0mmの隙間をおいて対応配置されている。第1基板10および第2基板12は、ガラスからなる矩形枠状の側壁14を介して周縁部同士が接合され、内部が10−4Pa程度の高真空に維持された扁平な真空外囲器15を構成している。
Hereinafter, embodiments in which the present invention is applied to an SED as a flat display device will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 to 3, the SED includes a first substrate 10 and a second substrate 12 each made of a rectangular glass plate, and these substrates have a gap of about 1.0 to 2.0 mm. Corresponding arrangement. The first substrate 10 and the second substrate 12 are flat vacuum envelopes whose peripheral portions are joined to each other via a rectangular frame-shaped side wall 14 made of glass, and the inside is maintained at a high vacuum of about 10 −4 Pa. 15 is constituted.

第1基板10の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン16が形成されている。この蛍光体スクリーン16は、赤、青、緑に発光する蛍光体層R、G、B、および遮光層11を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン16上には、アルミニウム等からなるメタルバック17およびゲッタ膜19が順に形成されている。   A phosphor screen 16 that functions as a phosphor screen is formed on the inner surface of the first substrate 10. The phosphor screen 16 is configured by arranging phosphor layers R, G, and B that emit light in red, blue, and green, and a light shielding layer 11, and these phosphor layers are formed in stripes, dots, or rectangles. ing. On the phosphor screen 16, a metal back 17 and a getter film 19 made of aluminum or the like are sequentially formed.

第2基板12の内面には、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子18が設けられている。これらの電子放出素子18は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。第1基板10の長手方向を第1方向X、これと直交する幅方向を第2方向Yとした場合、電子放出素子18は第1方向Xに第1画素ピッチで配列され、第2方向に第2画素ピッチで配列されている。本実施形態において、第2画素ピッチは第1画素ピッチよりも大きく設定されている。   On the inner surface of the second substrate 12, a number of surface-conduction electron-emitting elements 18 that emit electron beams are provided as electron emission sources for exciting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. Yes. These electron-emitting devices 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. When the longitudinal direction of the first substrate 10 is the first direction X and the width direction orthogonal thereto is the second direction Y, the electron-emitting devices 18 are arranged at the first pixel pitch in the first direction X and in the second direction. They are arranged at the second pixel pitch. In the present embodiment, the second pixel pitch is set larger than the first pixel pitch.

各電子放出素子18は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第2基板12の内面上には、電子放出素子18に電位を供給する多数本の配線21がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器15の外部に引出されている。第1基板10の長手方向を第1方向X、これと直交する幅方向を第2方向Yとした場合、配線21は、それぞれ第1方向Xに沿って互いに平行に延びた複数本の走査配線と、それぞれ第2方向Yに沿って互いに平行に延びた信号配線とを含んでいる。   Each electron-emitting device 18 includes an electron emitting portion (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron emitting portion. On the inner surface of the second substrate 12, a large number of wirings 21 for supplying a potential to the electron-emitting devices 18 are provided in a matrix shape, and end portions thereof are drawn out of the vacuum envelope 15. When the longitudinal direction of the first substrate 10 is the first direction X and the width direction orthogonal thereto is the second direction Y, the wiring 21 is a plurality of scanning wirings extending in parallel with each other along the first direction X. And signal wirings extending in parallel with each other along the second direction Y.

接合部材として機能する側壁14は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材20により、第1基板10の周縁部および第2基板12の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。   The side wall 14 functioning as a bonding member is sealed to the peripheral edge of the first substrate 10 and the peripheral edge of the second substrate 12 by, for example, a sealing material 20 such as low-melting glass or low-melting metal. Are joined.

図2ないし図5に示すように、SEDは、第1基板10および第2基板12の間に配設されたスペーサ構体22を備えている。本実施形態において、スペーサ構体22は、第1および第2基板10、12間に配設された矩形状のグリッド24と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、で構成されている。   As shown in FIGS. 2 to 5, the SED includes a spacer structure 22 disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. In the present embodiment, the spacer structure 22 includes a rectangular grid 24 disposed between the first and second substrates 10 and 12, a large number of columnar spacers integrally provided on both sides of the grid, It consists of

詳細に述べると、グリッド24は、第1方向Xを長手方向、第2方向Yを幅方向とした矩形状に形成されている。グリッド24は、ガラスで形成された矩形状の枠体40、複数本のガラス線42、およびガラス線と直交して延びた複数本の金属線44を備え、メッシュ状に形成されている。ガラス線42は径が0.1ないし0.4mmの角柱状あるいは円柱状に形成され、それぞれ枠体40の短辺間を第1方向Xに沿って延びている。ガラス線42は、第2方向Yに沿って第2画素ピッチで配列されている。各ガラス線42の両端はそれぞれ枠体40と一体的に連結されている。   More specifically, the grid 24 is formed in a rectangular shape in which the first direction X is the longitudinal direction and the second direction Y is the width direction. The grid 24 includes a rectangular frame 40 made of glass, a plurality of glass wires 42, and a plurality of metal wires 44 extending perpendicular to the glass wires, and is formed in a mesh shape. The glass wire 42 is formed in a prismatic or cylindrical shape having a diameter of 0.1 to 0.4 mm, and extends between the short sides of the frame body 40 along the first direction X. The glass lines 42 are arranged at a second pixel pitch along the second direction Y. Both ends of each glass wire 42 are integrally connected to the frame 40.

金属線44は線幅が20ないし30μmの角柱状あるいは円柱状に形成され、その表面は絶縁材としてのガラスにより被覆されている。複数本の金属線44はそれぞれ枠体40の長辺間を第2方向Yに沿って延び、第1方向Xに沿って第1画素ピッチで配列されている。これらの金属線44はガラス線42に重ねて配置され、ガラス線および枠体40に固定されている。金属線44の一端は、枠体40の短辺間を第1方向Xに沿って延びた導通線46aに接続され、この導通線46aを介して互いに電気的に導通している。同様に、金属線44の他端は、枠体40の短辺間を第1方向Xに沿って延びた導通線46bに接続され、この導通線46bを介して互いに電気的に導通している。導通線46a、46bは、それぞれガラスで被覆された金属線により構成されている。   The metal wire 44 is formed in a prismatic or cylindrical shape with a line width of 20 to 30 μm, and its surface is covered with glass as an insulating material. The plurality of metal lines 44 each extend between the long sides of the frame body 40 along the second direction Y, and are arranged at the first pixel pitch along the first direction X. These metal wires 44 are arranged so as to overlap the glass wires 42 and are fixed to the glass wires and the frame body 40. One end of the metal wire 44 is connected to a conductive line 46a extending between the short sides of the frame body 40 along the first direction X, and is electrically connected to each other via the conductive line 46a. Similarly, the other end of the metal wire 44 is connected to a conductive line 46b extending between the short sides of the frame body 40 along the first direction X, and is electrically connected to each other via the conductive line 46b. . The conductive lines 46a and 46b are each composed of a metal wire covered with glass.

このように互いに直交して延びた複数本のガラス線42および金属線44によりメッシュが形成され、ガラス線および金属線44によって囲まれた領域により多数の電子ビーム通過孔26が規定されている。電子ビーム通過孔26は、第1方向および第2方向について、それぞれ電子放出素子18と同一のピッチで配列されている。   Thus, a mesh is formed by the plurality of glass wires 42 and metal wires 44 extending orthogonally to each other, and a large number of electron beam passage holes 26 are defined by regions surrounded by the glass wires and metal wires 44. The electron beam passage holes 26 are arranged at the same pitch as the electron-emitting devices 18 in the first direction and the second direction, respectively.

グリッド24は、第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。図2、図3、および図5に示すように、グリッド24の第1表面24aにおいて、ガラス線42上には複数の第1スペーサ30aが一体的に立設され、それぞれ第2方向Yに並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。グリッド24の第2表面24bにおいて、ガラス線42上には複数の第2スペーサ30bが一体的に立設され、それぞれ第2方向Yに並んだ電子ビーム通過孔26間に位置している。各第1および第2スペーサ30a、30bは互いに整列して位置し、グリッド24を両面から挟み込んだ状態でグリッド24と一体に形成されている。   The grid 24 has a first surface 24 a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24 b facing the inner surface of the second substrate 12, and is arranged in parallel with these substrates. As shown in FIGS. 2, 3, and 5, on the first surface 24 a of the grid 24, a plurality of first spacers 30 a are integrally provided on the glass wire 42, and are aligned in the second direction Y, respectively. It is located between the electron beam passage holes 26. On the second surface 24 b of the grid 24, a plurality of second spacers 30 b are integrally provided on the glass wire 42, and are positioned between the electron beam passage holes 26 aligned in the second direction Y, respectively. The first and second spacers 30a and 30b are aligned with each other, and are formed integrally with the grid 24 with the grid 24 sandwiched from both sides.

第1および第2スペーサ30a、30bの各々は、グリッド24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第1スペーサ30aはほぼ楕円状の横断面形状を有し、グリッド24側に位置した基端の径が約0.3mm×2mm、延出端の径が約0.2mm×2mm、高さが約0.6mmに形成されている。各第2スペーサ30bはほぼ楕円状の横断面形状を有し、グリッド24側に位置した基端の径が約0.3mm×2mm、延出端の径が約0.2mm×2mm、高さが約0.8mmに形成されている。   Each of the first and second spacers 30a and 30b is formed in a tapered shape with a diameter decreasing from the grid 24 side toward the extending end. For example, each first spacer 30a has a substantially elliptical cross-sectional shape, the diameter of the proximal end located on the grid 24 side is about 0.3 mm × 2 mm, the diameter of the extended end is about 0.2 mm × 2 mm, The height is about 0.6 mm. Each of the second spacers 30b has a substantially elliptical cross-sectional shape, the diameter of the proximal end located on the grid 24 side is about 0.3 mm × 2 mm, the diameter of the extended end is about 0.2 mm × 2 mm, and the height. Is formed in about 0.8 mm.

上記のように構成されたスペーサ構体22は第1基板10および第2基板12間に配設されている。グリッド24の各角部は、第1基板12の角部に立設された支持柱48に固定されている。グリッド24に形成された多数の電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向し、対応する電子放出素子18から放出された電子ビームを透過する。   The spacer structure 22 configured as described above is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. Each corner of the grid 24 is fixed to a support column 48 erected on the corner of the first substrate 12. A large number of electron beam passage apertures 26 formed in the grid 24 face the electron-emitting devices 18 and transmit the electron beams emitted from the corresponding electron-emitting devices 18.

第1スペーサ30aの先端は、ゲッタ膜19、メタルバック17、および蛍光体スクリーン16の遮光層11を介して第1基板10の内面に当接している。第2スペーサ30bの先端は第2基板12の内面に当接している。ここでは、各第2スペーサ30bの先端は、第2基板12の内面上に設けられた配線21上に位置している。これにより、第1および第2スペーサ30a、30bは、第1基板10および第2基板12に作用する大気圧荷重を支持し、これら基板間の間隔を所定値に維持している。   The tip of the first spacer 30 a is in contact with the inner surface of the first substrate 10 through the getter film 19, the metal back 17, and the light shielding layer 11 of the phosphor screen 16. The tip of the second spacer 30 b is in contact with the inner surface of the second substrate 12. Here, the tip of each second spacer 30 b is located on the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. Thus, the first and second spacers 30a and 30b support the atmospheric pressure load acting on the first substrate 10 and the second substrate 12, and maintain the interval between these substrates at a predetermined value.

次に、以上のように構成されたSEDの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体22の製造方法について説明する。
まず、板厚0.1mmの50重量%Ni−Fe合金の金属板を用意し、この金属板をエッチングすることにより、それぞれ線幅20〜30μmの複数の金属線44を形成する。その後、各金属線44の表面を10μm厚のガラスで被覆する。また、それぞれ径が0.1〜0.4mmの円柱状あるいは角柱状のガラス線42を複数本用意し、所定のピッチで互いに平行に配列する。続いて、矩形状の枠体40および金属線44を、配列されたガラス線42上に重ねて位置決め載置し、全体を所定の温度で焼成する。これにより、ガラス線42、枠体40、金属線44を一体化し、グリッド24を形成する。
Next, the manufacturing method of SED comprised as mentioned above is demonstrated. First, a method for manufacturing the spacer structure 22 will be described.
First, a metal plate made of 50 wt% Ni—Fe alloy having a plate thickness of 0.1 mm is prepared, and the metal plate is etched to form a plurality of metal wires 44 each having a line width of 20 to 30 μm. Thereafter, the surface of each metal wire 44 is covered with 10 μm thick glass. A plurality of cylindrical or prismatic glass wires 42 each having a diameter of 0.1 to 0.4 mm are prepared and arranged in parallel with each other at a predetermined pitch. Subsequently, the rectangular frame 40 and the metal wire 44 are positioned and placed on the arranged glass wires 42, and the whole is fired at a predetermined temperature. Thereby, the glass wire 42, the frame body 40, and the metal wire 44 are integrated, and the grid 24 is formed.

次いで、複数の第1および第2スペーサ30a、30bをガラス線42上にそれぞれ形成する。この場合、グリッド24とほぼ同一の寸法を有した矩形板状の上型および下型を用意する。上型および下型は、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート等により平坦な板状に形成する。上型は、グリッドに当接される平坦な当接面と、第1スペーサ30aを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔と、を有している。スペーサ形成孔はそれぞれ上型の当接面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。同様に、下型は、平坦な当接面と、第2スペーサ30bを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔と、を有している。スペーサ形成孔はそれぞれ下型の当接面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。   Next, a plurality of first and second spacers 30a and 30b are formed on the glass wire 42, respectively. In this case, a rectangular plate-like upper mold and lower mold having substantially the same dimensions as the grid 24 are prepared. The upper mold and the lower mold are formed in a flat plate shape using a transparent material that transmits ultraviolet rays, for example, transparent silicon, transparent polyethylene terephthalate, or the like. The upper mold has a flat abutting surface that abuts against the grid and a large number of bottomed spacer forming holes for molding the first spacer 30a. The spacer forming holes are opened in the contact surface of the upper mold, and are arranged at a predetermined interval. Similarly, the lower mold has a flat contact surface and a large number of bottomed spacer forming holes for forming the second spacer 30b. Each of the spacer forming holes is opened on the contact surface of the lower mold, and is arranged at a predetermined interval.

続いて、上型のスペーサ形成孔および下型のスペーサ形成孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ(有機成分)およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。   Subsequently, the upper mold spacer forming hole and the lower mold spacer forming hole are filled with a spacer forming material. As the spacer forming material, a glass paste containing at least an ultraviolet curable binder (organic component) and a glass filler is used. The specific gravity and viscosity of the glass paste are appropriately selected.

スペーサ形成材料の充填されたスペーサ形成孔がそれぞれガラス線42と対向するように、上型を位置決めし当接面をグリッド24の第1表面24aに密着させる。同様に、下型を、各スペーサ形成孔がガラス線42と対向するように位置決めし、当接面をグリッド24の第2表面24bに密着させる。なお、グリッド24のスペーサ立設位置には、ディスペンサあるいは印刷により、予め接着剤を塗布しておいてもよい。これにより、グリッド24、上型および下型からなる組立体を構成する。組立体において、上型のスペーサ形成孔と下型のスペーサ形成孔とは、グリッド24を挟んで対向して配列されている。   The upper mold is positioned and the contact surface is brought into close contact with the first surface 24 a of the grid 24 so that the spacer forming holes filled with the spacer forming material respectively face the glass wires 42. Similarly, the lower mold is positioned so that each spacer forming hole faces the glass wire 42, and the contact surface is brought into close contact with the second surface 24 b of the grid 24. Note that an adhesive may be applied in advance to the spacer standing position of the grid 24 by dispenser or printing. Thus, an assembly including the grid 24, the upper mold, and the lower mold is configured. In the assembly, the upper spacer formation hole and the lower spacer formation hole are arranged to face each other with the grid 24 interposed therebetween.

次いで、上型および下型の外側に配置された紫外線ランプから上型および下型に向けて紫外線(UV)を照射する。紫外線ランプから照射された紫外線は、上型および下型を透過し、充填されたスペーサ形成材料に照射される。これにより、組立体の密着を維持した状態で、スペーサ形成材料を紫外線硬化させる。   Next, ultraviolet rays (UV) are irradiated from an ultraviolet lamp disposed outside the upper mold and the lower mold toward the upper mold and the lower mold. The ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet lamp pass through the upper mold and the lower mold, and are irradiated to the filled spacer forming material. As a result, the spacer forming material is UV-cured while maintaining the tight adhesion of the assembly.

続いて、硬化したスペーサ形成材料をグリッド24上に残すように、上型および下型をグリッド24から離型する。その後、スペーサ形成材料が設けられたグリッド24を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約500〜550℃で30分〜1時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド24上に第1および第2スペーサ30a、30bが作り込まれたスペーサ構体22が得られる。   Subsequently, the upper mold and the lower mold are released from the grid 24 so that the cured spacer forming material remains on the grid 24. Thereafter, the grid 24 provided with the spacer forming material is heat-treated in a heating furnace, the binder is removed from the spacer forming material, and then the spacer forming material is subjected to main baking at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. Thereby, the spacer structure 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the grid 24 is obtained.

一方、SEDの製造においては、予め、蛍光体スクリーン16およびメタルバック17の設けられた第1基板10と、電子放出素子18および配線21が設けられているとともに側壁14が接合された第2基板12と、を用意しておく。続いて、前記のようにして得られたスペーサ構体22を第2基板12上に位置決め配置する。この状態で、第1基板10、第2基板12、およびスペーサ構体22を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁14を介して第1基板を第2基板に接合する。これにより、スペーサ構体22を備えたSEDが製造される。   On the other hand, in the manufacture of the SED, the first substrate 10 provided with the phosphor screen 16 and the metal back 17 in advance, the second substrate on which the electron-emitting device 18 and the wiring 21 are provided and the side wall 14 is joined. 12 are prepared. Subsequently, the spacer structure 22 obtained as described above is positioned on the second substrate 12. In this state, the first substrate 10, the second substrate 12, and the spacer structure 22 are arranged in the vacuum chamber, the inside of the vacuum chamber is evacuated, and then the first substrate is bonded to the second substrate via the side wall 14. . Thereby, SED provided with the spacer structure 22 is manufactured.

以上のように構成されたSEDによれば、グリッド24は、ガラス線42および金属線44によりメッシュ状に形成されている。そのため、金属板のみにより形成されたグリッドに比較して、グリッドにおける金属箇所の断面積が減少し、これに伴い、グリッドの電気抵抗値が増加する。従って、放電が発生した場合でも、グリッド24およびグリッドの給電点に流れる放電電流を、金属板のみにより形成されたグリッドに比較して約100分の1に小さくすることができる。これにより、放電発生時、給電用回路の劣化、損傷を防止し、信頼性および表示品位の向上したSEDおよびその製造方法が得られる。   According to the SED configured as described above, the grid 24 is formed in a mesh shape by the glass wire 42 and the metal wire 44. Therefore, compared with the grid formed only by the metal plate, the cross-sectional area of the metal part in a grid reduces, and the electrical resistance value of a grid increases in connection with this. Therefore, even when a discharge occurs, the discharge current flowing through the grid 24 and the feeding point of the grid can be reduced to about 1/100 compared with a grid formed by only a metal plate. As a result, when a discharge occurs, the power supply circuit is prevented from being deteriorated and damaged, and an SED having improved reliability and display quality and a method for manufacturing the same are obtained.

前述した実施形態において、スペーサ構体22は、第1および第2スペーサおよびグリッドを一体的に備えた構成としたが、第2スペーサ30bは第2基板12上に形成する構成としてもよい。また、スペーサ構体は、グリッド24および第2スペーサのみを備え、グリッドが第1基板10に接触した構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the spacer structure 22 is configured to integrally include the first and second spacers and the grid, but the second spacer 30b may be formed on the second substrate 12. The spacer structure may include only the grid 24 and the second spacer, and the grid may be in contact with the first substrate 10.

図6に示すように、この発明の第2の実施形態に係るSEDによれば、スペーサ構体22は、グリッド24と、グリッドの一方の表面のみに一体的に立設された多数の柱状のスペーサ30と、を有している。グリッド24は第1基板10の内面と対向した第1表面24aおよび第2基板12の内面と対向した第2表面24bを有し、これらの基板と平行に配置されている。グリッド24は前述した第1の実施形態と同様に、枠体、複数のガラス線42、複数の金属線44を有し、メッシュ状に形成されている。また、グリッド24は多数の電子ビーム通過孔26を有し、これらの電子ビーム通過孔26は、それぞれ電子放出素子18と対向して配列されている。   As shown in FIG. 6, according to the SED according to the second embodiment of the present invention, the spacer structure 22 includes a grid 24 and a number of columnar spacers that are integrally provided on only one surface of the grid. 30. The grid 24 has a first surface 24 a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24 b facing the inner surface of the second substrate 12, and is arranged in parallel with these substrates. As in the first embodiment described above, the grid 24 includes a frame, a plurality of glass wires 42, and a plurality of metal wires 44, and is formed in a mesh shape. The grid 24 has a large number of electron beam passage holes 26, and these electron beam passage holes 26 are arranged to face the electron-emitting devices 18.

グリッド24は、その第1表面24aが、ゲッタ膜19、メタルバック17、蛍光体スクリーン16を介して、第1基板10の内面に面接触した状態で設けられている。グリッド24に設けられた電子ビーム通過孔26は、蛍光体スクリーン16の蛍光体層R、G、Bと対向している。これにより、各電子放出素子18は、電子ビーム通過孔26を通して、対応する蛍光体層と対向している。   The grid 24 is provided with the first surface 24 a in surface contact with the inner surface of the first substrate 10 via the getter film 19, the metal back 17, and the phosphor screen 16. Electron beam passage holes 26 provided in the grid 24 are opposed to the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. Thereby, each electron-emitting device 18 is opposed to the corresponding phosphor layer through the electron beam passage hole 26.

グリッド24の第2表面24bにおいて、ガラス線42上には複数のスペーサ30が一体的に立設され、それぞれ電子ビーム通過孔26間に位置している。各スペーサ30の延出端は、第2基板12の内面、ここでは、第2基板12の内面上に設けられた配線21上に当接している。スペーサ30の各々は、グリッド24側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、スペーサ30は高さ約1.4mmに形成されている。グリッド表面と平行な方向に沿ったスペーサ30の断面は、ほぼ楕円形に形成されている。   On the second surface 24 b of the grid 24, a plurality of spacers 30 are erected integrally on the glass wire 42, and are respectively positioned between the electron beam passage holes 26. The extended end of each spacer 30 is in contact with the inner surface of the second substrate 12, here, the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. Each of the spacers 30 is formed in a tapered shape with a diameter decreasing from the grid 24 side toward the extending end. For example, the spacer 30 is formed with a height of about 1.4 mm. The cross section of the spacer 30 along the direction parallel to the grid surface is substantially elliptical.

上記のように構成されたスペーサ構体22は、グリッド24が第1基板10に面接触し、スペーサ30の延出端が第2基板12の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。   In the spacer structure 22 configured as described above, the grid 24 is in surface contact with the first substrate 10, and the extended end of the spacer 30 is in contact with the inner surface of the second substrate 12. The atmospheric pressure load is supported, and the distance between the substrates is maintained at a predetermined value.

第2の実施形態において、他の構成は前述した第1の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。第2の実施形態に係るSEDおよびそのスペーサ構体は前述した実施形態に係る製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。そして、第2の実施形態においても、前述した第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。   In the second embodiment, other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same reference numerals are given to the same portions, and detailed description thereof is omitted. The SED and its spacer structure according to the second embodiment can be manufactured by a manufacturing method similar to the manufacturing method according to the above-described embodiment. In the second embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment described above can be obtained.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。また、この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた平面表示装置にも適用可能である。   The diameter and height of the spacer, the dimensions and materials of the other components are not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately selected as necessary. The present invention is not limited to the one using a surface conduction electron-emitting device as an electron source, but can be applied to a flat panel display using other electron sources such as a field emission type and a carbon nanotube.

この発明の第1の実施形態に係るSEDを示す斜視図。The perspective view which shows SED which concerns on 1st Embodiment of this invention. 一部を破断して示す前記SEDの斜視図。The perspective view of said SED which cuts and shows a part. 図1の線A−Aに沿った前記SEDの断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the SED along line AA in FIG. 1. 前記SEDのスペーサ構体におけるグリッドを示す斜視図。The perspective view which shows the grid in the spacer structure of said SED. 前記スペーサ構体の一部を拡大して示す斜視図。The perspective view which expands and shows a part of said spacer structure. この発明の第2の実施形態に係るSEDを示す断面図。Sectional drawing which shows SED which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10…第1基板、 12…第2基板、 14…側壁、 15…真空外囲器、
16…蛍光体スクリーン、 18…電子放出素子、 22…スペーサ構体、
24…グリッド、 26…電子ビーム通過孔、 30…スペーサ、
30a…第1スペーサ、 30b…第2スペーサ、 40…枠体、
42…ガラス線、 44…金属線、 46a、46b…導通線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st board | substrate, 12 ... 2nd board | substrate, 14 ... Side wall, 15 ... Vacuum envelope,
16 ... phosphor screen, 18 ... electron-emitting device, 22 ... spacer structure,
24 ... Grid, 26 ... Electron beam passage hole, 30 ... Spacer,
30a ... 1st spacer, 30b ... 2nd spacer, 40 ... Frame body,
42 ... Glass wire, 44 ... Metal wire, 46a, 46b ... Conductive wire

Claims (9)

蛍光面およびメタルバック層が形成された第1基板と、
前記第1基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第2基板と、
前記第1および第2基板の間に設けられ前記第1および第2基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
前記スペーサ構体は、前記第1および第2基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有したグリッドと、前記グリッドの表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、
前記グリッドは、複数の金属線、およびこれら金属線と交差して延びた複数のガラス線を有してメッシュ状に形成され、前記金属線の端部の少なくとも一方は、互いに電気的に接続されている平面表示装置。
A first substrate on which a phosphor screen and a metal back layer are formed;
A second substrate disposed opposite to the first substrate and provided with a plurality of electron emission sources for exciting the phosphor screen;
A spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
The spacer structure is opposed to the first and second substrates and includes a grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and a plurality of standing structures on the surface of the grid. A spacer, and
The grid includes a plurality of metal wires and a plurality of glass wires extending across the metal wires and is formed in a mesh shape, and at least one of the end portions of the metal wires is electrically connected to each other. Flat display device.
前記グリッドは矩形状に形成され、その長手方向に延びた第1方向および幅方向に延びた第2方向を有し、前記複数の金属線はそれぞれY方向と平行に延びている請求項1記載の平面表示装置。   The grid is formed in a rectangular shape and has a first direction extending in the longitudinal direction and a second direction extending in the width direction, and the plurality of metal lines each extend in parallel with the Y direction. Flat display device. 前記各金属線はガラスで被覆されている請求項1又は2に記載の平面表示装置。   The flat display device according to claim 1, wherein each metal wire is coated with glass. 前記グリッドは矩形状の枠体を備え、前記ガラス線の両端部は前記枠体と一体に形成されている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の平面表示装置。   The flat display device according to any one of claims 1 to 3, wherein the grid includes a rectangular frame, and both ends of the glass wire are formed integrally with the frame. 前記スペーサは、前記グリッドのガラス線上に立設されている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の平面表示装置。   The flat display device according to claim 1, wherein the spacer is erected on a glass wire of the grid. 前記グリッドは、前記第1基板に対向した第1表面と、前記第2基板に対向した第2表面と、を有し、前記スペーサは、前記第1表面上に立設された複数の第1スペーサと、前記第2表面上に立設された複数の第2スペーサと、を含んでいる請求項1ないし5のいずれか1項に記載の平面表示装置。   The grid has a first surface facing the first substrate and a second surface facing the second substrate, and the spacer is a plurality of first surfaces erected on the first surface. The flat display device according to claim 1, comprising a spacer and a plurality of second spacers erected on the second surface. 前記グリッドは、前記第1基板に当接した第1表面と、前記第2基板と隙間を置いて対向した第2表面と、を有し、前記スペーサは、前記第2表面上に立設されているとともに前記第2基板に当接した先端部を有している請求項1ないし5のいずれか1項に記載の平面表示装置。   The grid has a first surface in contact with the first substrate, and a second surface facing the second substrate with a gap, and the spacer is erected on the second surface. The flat display device according to claim 1, wherein the flat display device has a tip portion in contact with the second substrate. 前記スペーサは、柱状のスペーサである請求項1ないし8のいずれか1項に記載の平面表示装置。   The flat display device according to claim 1, wherein the spacer is a columnar spacer. 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の平面表示装置の製造方法において、
金属板をエッチングすることにより、互いに所定の隙間を持って平行に並んだ複数本の金属線を形成し、
前記金属線をガラスにより被覆し、
複数のガラス線を画素ピッチに配列し、
前記金属線および枠体を前記配列されたガラス線上に重ねた後、焼成して前記ガラス線の端部と枠体とを締結してグリッドを形成し、
前記グリッドのガラス線上にスペーサを形成する平面表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the flat display device according to any one of claims 1 to 8,
By etching the metal plate, a plurality of metal wires arranged in parallel with a predetermined gap from each other are formed,
Coating the metal wire with glass;
Arrange multiple glass wires at pixel pitch,
After superimposing the metal wire and the frame on the arranged glass wire, firing and fastening the end of the glass wire and the frame to form a grid,
A method of manufacturing a flat display device, wherein a spacer is formed on a glass wire of the grid.
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