JP2005231216A - 基板のダイシング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 切削水の注入によるダイシングテープの接着剤の巻き上げを抑制することができる基板のダイシング方法及びダイシングブレードを提供する。
【解決手段】 反射防止膜付き石英ガラス基板２表面にテープカットレスフルカットダイシング時のダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤表面の間隔が１００μ以上であり、開口角度が７５°のＶ溝部５を形成し、往路でダイシングブレードによりテープカットレスフルカットダイシングを行い、復路で基板のを洗浄しながら、ダイシングブレードが反射防止膜付き石英基板の上方で、フルカットダイシング切溝位置とは異なる位置を通る様に、反射防止膜付き石英基板を例えば３００ｍｍ／秒で次の往路切断工程開始位置に戻す。
【選択図】 図３

Description

本発明は基板のダイシング方法に関する。詳しくは、基板の付着ゴミを低減することによって、歩留を向上しようとした基板のダイシング方法に係るものである。

現在、プロジェクタ用やＥＶＦ用の高温多結晶シリコンＴＦＴＬＣＤは、以下に示す様ないわゆる面単組み立てプロセスによって液晶の組み立てが行われている（例えば、特許文献１参照。）。

即ち、石英ガラスから成るＴＦＴ基板は、表面にレジストコートして紫外線照射硬化型テープ（以下、ＵＶテープと言う）を貼り、ＣＭＰにより裏面研磨を行ってＴＦＴ形成時の膜を除去し、スクライブラインに沿って裏面にＶカット溝を形成した後に、表面のＵＶテープを剥離し、レジストを剥離して洗浄を行う。その後、表面にロールコーティングやスピンコーティング等でポリイミド配向膜の形成及びバフラビングの配向処理を行い、裏面にＵＶテープを貼り、ＵＶテープを切らないフルカットダイシング（以後、テープカットレスフルカットダイシングと称する）で分割してＩＰＡ等の有機溶剤洗浄を行う。

また、石英ガラスやネオセラムガラスから成る対向基板は、表面にレジストコートしてＵＶテープを貼り、スクライブラインに沿って裏面にＶカット溝を形成した後に、表面のＵＶテープを剥離し、レジストを剥離して洗浄を行う。その後、ＩＴＯ（インジウム−錫系透明導電膜）表面にロールコーティングやスピンコーティング等でポリイミド配向膜の形成及びバフラビングの配向処理を行い、裏面にＵＶテープを貼り、テープカットレスフルカットダイシングで分割してＩＰＡ等の有機溶剤で洗浄を行う。

なお、裏面にＶカット溝またはＵカット溝を形成し、テープカットレスフルカットダイシングを行うことで、ＴＦＴ基板または対向基板に貼り合わせたＵＶテープ接着剤汚れ、接着剤付着のガラス屑及びＵＶテープ屑不良を低減している（例えば、特許文献２参照。）。
また、テープカットレスフルカットダイシング時に、少なくとも裏面Ｖカット溝内あるいはＵカット溝内のＵＶテープ接着剤を固めてフルカットダイシングブレードへの高圧切削水及び冷却水で剥がれて巻き上げられないように、所定のＵＶ照射光量以下のＵＶを照射してＵＶ照射硬化型接着剤を若干硬化させることで、ＵＶテープ接着剤汚れ、接着剤付着のガラス屑を低減している（例えば、特許文献３参照。）。

その後、ＴＦＴ基板チップにシール剤及びコモン剤を塗布して対向基板チップを重ね合わせて空セルを形成し、液晶注入封止及び熱処理の液晶配向処理を行うことによって、高温多結晶シリコンＴＦＴＬＣＤを得ている。

ところで、上記したＴＦＴ基板または対向基板のダイシングに関連し、ダイシングテープを１０〜３０μｍ切り込むシリコン基板のフルカットダイシング方法として、（１）フルカットダイシングブレード回転方向と同じ方向にシリコン基板を送るダウンカットモード（２）フルカットダイシングブレード回転方向と逆方向にシリコン基板を送るアッパーカットモード（３）往路でシリコン基板をダウンカットした後に、戻り動作時に、シリコン基板高さが同一面である同一ダイシング切溝上を通して切削水や冷却水で洗浄しながら戻ることで、ダイシング切溝付近のコンタミを除去洗浄するモード（ＢＳ−１モードと呼ぶ）が提案されている。

特許第３２５０４１１号明細書 特開平９−１４１６４６号公報 特開平８−２７４０４８号公報

ところで、上記した裏面のＶカット溝はＶカットダイシングブレードで形成しているが、例えば、カーフ幅（切削幅）が０．４８〜０．５ｍｍ、面取り値が０．１〜０．２ｍｍに規制される等の理由によりＶカット溝の深さが規制されて、Ｖカット溝内を高速回転するフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面の間隔が小さくなり、高速回転するフルカットダイシングブレードで発生する高圧切削水流でＵＶテープ接着剤が削られ、この接着剤が付着したガラス屑や接着剤汚れ不良の原因となって歩留を低下させている。
なお、この時に、ＵカットダイシングブレードでＵカット溝を形成して高速回転するフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面の間隔を広げると、接着剤剥がれによる異物付着不良が低減し、シミ不良低減による歩留向上が実現できるものの、ガラス端面切削加工の面取りがないためにガラス端面欠けによるガラスゴミ不良、外形不良が多発してしまう。
この様な理由から、面取りのないＴＦＴ基板と対向基板を真空吸着治具で自動的にチャッキングするインライン自動液晶組立装置の採用が難しく、液晶組み立て工程はマニュアル機対応を余儀なくされ、生産性の向上が困難となっている。

また、上記のカットモードはダイシングテープを１０〜３０μｍ切り込むシリコン基板のフルカットダイシングには適していたとしても、石英ガラスや透明結晶化ガラスのフルカットダイシングには必ずしも適しているとは言い難い。
即ち、シリコンフルカットダイシング時の電鋳フルカットブレード厚は２５〜３０μｍで切断後のカーフ幅は４０〜４５μｍであるので、切削水がダイシング切溝内に注入されたとしても切削屑やＵＶテープ接着剤の巻き上げが少ないが、石英ガラスや透明結晶化ガラスのフルカットダイシングの場合には、レジンフルカットブレード厚は１８０μｍ程度で切断後のカーフ幅は約２００μｍであり、１３０００〜２４０００（ｒｐｍ）の高速回転しているフルカットダイシングブレードによる強い衝撃力の切削水がこの広いカーフ幅内に注入されてＵＶテープ接着剤を剥がして巻き上げ、接着剤汚れ、接着剤付着のガラスゴミがワーク表面に付着して不良多発を引き起こす可能性がある。特に、石英ガラスや透明結晶化ガラスのフルカットダイシングには強い接着力の柔らかいＵＶ照射硬化型接着剤のテープが使用されているので、切削水の注入による接着剤の巻き上げに起因する不良が多い。

本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、切削水及び冷却水の注入によるダイシングテープ接着剤の剥がれを抑制することができる基板のダイシング方法を提供することを目的とするものである。

上記の目的と達成するために、本発明に係る基板のダイシング方法は、基板の一方の面に面取りした溝部を形成し、前記基板の一方の面にダイシングテープを貼り合わせ、他方の面からダイシングを行う基板のダイシング方法において、前記基板のダイシング時のダイシングブレードの先端部と前記ダイシングテープ接着剤表面の間隔が、５０μｍ以上好ましくは１００μｍ以上、前記基板の厚みの１／４以下としている。

ここで、基板のダイシング時のダイシングブレードの先端部とダイシングテープ接着剤表面の間隔が５０μｍ未満の場合には、高速回転するダイシングブレードで発生する高圧切削水流でダイシングテープ接着剤が削られ、削られた接着剤が付着した切削屑や接着剤汚れ不良が生じ易くなる。従って、基板のダイシング時のダイシングブレードの先端部とダイシングテープの接着剤表面の間隔を５０μｍ以上好ましくは１００μｍ以上が適している。

また、基板のダイシング時のダイシングブレードの先端部とダイシングテープ接着剤表面の間隔が基板の厚みの１／４よりも大きくなると、即ち、基板の一方の面に形成したＶカット溝部またはＶカット及びＵカット溝部の切り込み深さが基板の厚みの１／４よりも大きくなると、基板の強度が著しく低下し、ダイシングテープの貼り合わせ時等に基板に割れが生じ易い。従って、基板のダイシング時のダイシングブレードの先端部とダイシングテープ接着剤表面の間隔が基板の厚みの１／４以下としている。

ここで、基板をダイシングブレードの切削水及び冷却水で洗浄することによって、フルカットダイシングにより基板に付着した切削屑やテープ接着剤等の異物を除去することができる。
また、ダイシングブレードが基板の上方で、且つダイシング切溝を通らない様に、基板を所定の速度で次の工程開始位置に戻すことによって、切削水及び冷却水がダイシング切溝内に注入されてダイシングテープ接着剤を剥がすことを抑制することができる。
更に、所定の速度、即ち、ダイシング時に形成されたダイシング切溝のカーフ量や切り込み深さ等に応じた最適な速度で戻り動作を行うことによって、基板への異物付着を低減することができる。

ここで、溝部は開口角度が９０°以下のＶカット溝部である方が基板への異物付着を一層低減することができる。なお、溝部の開口角度が９０°を超える場合には、カーフ幅が広がってしまい切削水が注入されやすくなり、しかもダイシングテープ接着剤の露出面積が増大するので、高圧切削水流の衝撃によるダイシングテープ接着剤剥がれが生じやすくなってしまう。
また、溝部はＶカット溝部の底部にＵカット溝部が形成された方がカーフ幅の広がりを抑えつつ、基板のテープカットレスフルカットダイシング時のダイシングブレードの先端部とダイシングテープ接着剤表面を好ましい間隔に確保できるために基板への異物付着をより一層低減することができる。

また、ダイシングテープとしてＵＶテープを用い、ＵＶテープの基板の有効領域に対応する領域に所定量の紫外線を照射して硬化し、ＵＶテープの基板の周辺領域に対応する領域に有効領域に対応する領域に照射する量よりも少ない量の紫外線を照射して硬化した後にテープカットレスフルカットダイシングを行う方が好ましい。これにより、ダイシング切溝内のＵＶテープ接着剤が切削水で剥がれて巻き上げられることを抑制することができると共に、基板周辺領域の基板破片がダイシング中に飛散することをも抑制することができる。
即ち、ＵＶテープの基板の有効領域に対応する領域の接着剤を若干硬化することによって、テープカットレスフルカットダイシング時のダイシング切溝内のＵＶテープ接着剤が高圧切削水で剥がれて巻き上げられることを抑制し、更に、ＵＶテープの基板の周辺領域に対応する領域の接着力をＵＶテープの基板の有効領域に対応する領域よりも高くすることで、基板破片がテープカットレスフルカットダイシング中に剥がれて飛散することを抑制することができる。

なお、基板の有効領域とはテープカットレスフルカットダイシングを行うことによって所定寸法の基板チップを得ることができる領域であり、基板の周辺領域とは有効領域の周辺領域であり所定寸法の基板チップを得ることができない領域を言う。

上記した本発明の基板のダイシング方法では、Ｖカット溝部内またはＶカット溝部及びＵカット溝部内におけるテープカットレスフルカットダイシング時のダイシングブレードの先端部とダイシングテープ接着剤表面の間隔が５０μｍ以上好ましくは１００μｍ以上で、基板の厚みの１／４以下とすることで、ダイシングテープ接着剤付着ゴミの低減ができ、歩留の向上、コストダウンが実現する。

また、テープカットレスフルカットダイシング或いはダイシングテープを切り込むフルカットダイシングにおいて、ダイシングブレードにより基板のダウンカットまたはアッパーカットのフルカットダイシングを行う往路動作と、基板をダイシングブレードの高圧切削水及び冷却水で洗浄しながら、ダイシングブレードが基板の上方で、且つ往路のダイシング切溝位置とは異なる位置を通る様に、基板を所定の速度で次の往路工程開始位置に戻す復路動作を行うことで、ダイシングテープ接着剤付着ゴミの低減ができ、歩留の向上、コストダウンが実現する。

また、溝及び面取り加工一体型のダイシングブレードを用いてＶカット溝部及びＵカット溝部を形成することにより、所定の開口角度でカーフ幅の溝部つまり面取り部が形成され、且つダイシングテープ接着剤面とダイシングブレード先端部の間隔を任意に設定できるので、テープカットレスフルカットダイシング時の高速回転のダイシングブレードによる高圧切削水流でのダイシングテープ接着剤剥離による接着剤汚れの低減と、面取り加工が同時にでき、歩留、品質及び生産性が向上する。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した基板のダイシング方法の一例である６インチ□、厚さが０．７ｍｍの反射防止膜付き石英ガラス基板を０．７型チップサイズにテープカットレスフルカットダイシングする方法を説明するための模式図である。

本発明を適用した反射防止膜が形成された石英ガラス基板のテープカットレスフルカットダイシング方法では、先ず、図１（ａ）で示す様に、その表面に反射防止膜１が形成された反射防止膜付き石英ガラス基板２の反射防止膜側をダイシングテープとして機能するＵＶテープ３により固定し、反射防止膜付き石英ガラス基板の反射防止膜とは反対側表面にＶカットブレード４によってＶ溝部５を形成する。
この時に、反射防止膜形成面にＶカットブレード４によってＶ溝部５を形成してもよいことは言うまでもない。
なお、Ｖ溝部は、フルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とダイシングテープとして機能するＵＶテープとの間隔が約１００μｍであり、図１中符号ａで示す開口角度が７５°となる様に形成されている。

ここで、フルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープとの間隔が約１００μｍとなる様にＶ溝部を形成した理由について説明する。

表１は６インチ□、厚さが０．７ｍｍの反射防止膜付き石英ガラス基板に開口角度が９０°のＶ溝部を形成し、０．７型チップサイズにテープカットレスフルカットダイシングする場合の、フルカットダイシング時のダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔と歩留の関係を示している。

表１から、Ｖ溝部の開口角度が一定（ここでは開口角度が９０°のＶ溝部を形成）の場合においては、フルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が１００μｍ前後の場合に歩留が良いことが分かる。これは、フルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が５０μｍ前後では高圧切削水流の衝撃によりＵＶテープの接着剤剥がれの汚れ不良が発生しやすく、一方、フルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が１８０μｍ前後になるとカーフ幅が広がって高圧切削水が注入されやすくなって高圧切削水流の衝撃によりＵＶテープ接着剤剥がれの汚れ不良が発生しやすくなるために、ダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が１００μｍ前後の場合の歩留が良いと考えられる。
従って、本実施例では、フルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が約１００μｍとなる様にＶ溝部を形成した。

また、開口角度が７５°となる様にＶ溝部を形成した理由について説明する。

表２は６インチ□、厚さが０．７ｍｍの反射防止膜付き石英ガラス基板に０．２ｍｍの面取り幅を形成する様にＶ溝部を形成し、０．７型チップサイズにテープカットレスフルカットダイシングする場合の、フルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔と歩留の関係を示している。

表２から、面取り幅が一定（ここでは面取り幅が０．２ｍｍのＶ溝部を形成）の場合、即ちカーフ幅が一定（ここではカーフ幅が４８０μｍのＶ溝部を形成）の場合においては、開口角度が７５°のＶ溝部の歩留が良いことが分かる。これは、開口角度が９０°のＶ溝部の場合は、フルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との距離が５０μｍ前後しかなく、高速回転のフルカットダイシングブレードの高圧切削水によるＵＶテープ接着剤剥がれでの汚れ不良が発生しやすく、開口角度が６０°のＶ溝部の場合は、フルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との距離が２３０μｍ前後となり高速回転のフルカットダイシングブレードの高圧切削水によるＵＶテープ接着剤剥がれでの汚れ不良は低減するものの、Ｖ溝部の先端が鋭角になるのでチップ欠けが発生しやすく、またブレード磨耗が大きくなりやすいために開口角度が７５°のＶ溝部の歩留が良いと考えられる。
従って、本実施例では、開口角度が７５°となる様にＶ溝部を形成した。

なお、本実施例ではＶカットブレードを用いて、テープカットレスフルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が１００μｍ前後であり、開口角度が７５°であるＶ溝部を形成しているが、図６で示す様な、Ｖ溝部を形成するためのＶ溝形成ブレード部７と、Ｖ溝形成ブレード部の先端部に形成され、Ｖ溝形成ブレード部で形成するＶ溝部の底部にＵ溝部を形成するためのＵ溝形成ブレード部８を備える一体型ブレードを用いることによって、所定の開口角度及びカーフ幅のＶ溝部つまり面取り部を形成し、且つテープカットレスフルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔を例えば３００μｍ等、任意に設定することができる。ここで、図６に示す様なブレードでＶ溝部を形成し、後追いで連続してフルカットダイシングブレードでテープカットレスフルカットダイシングを行う、所謂デュアルダイサーでダイシングを行っても良い。

なお、Ｖ溝形成ブレード部の開口角度が９０°である図６で示す様なブレードを用いてＶ溝を形成した場合の、テープカットレスフルカットダイシング時のダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔と歩留の関係を表３に示す。

表３から、上記した表１と同様に、テープカットレスフルカットダイシング時のフルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔が１００μｍ前後の場合の歩留が良いことが分かる。これはＶカットカーフ幅が広い場合はＵＶテープ接着剤の露出面積が増大し、テープカットレスフルカットダイシング時にダイシング溝内に注入される高圧切削水流でのテープ接着剤の剥がれが増大する為でもあると思われる。
従って、フルカットダイシングブレードの先端部とＵＶテープ接着剤面との間隔は大きく、且つＶカット時のカーフ幅は小さい方が好ましいと言える。
この為に、図６のＶ溝部及びＵ溝部を同時に形成する一体型のダイシングブレードが好ましい。
この時に、Ｖ溝形成ブレード部の開口角度と、Ｕ溝形成ブレード部の開口角度は６０〜９０°が好ましく、この形状をダブルＶカットダイシングブレードと呼んでいる。
尚、Ｖカットダイシングブレード、ダブルＶカットダイシングブレードともにレジンタイプブレードが好ましいが、メタルタイプブレードでもよい。

次に、図１（ｂ）で示す様に、反射防止膜付き石英ガラス基板の反射防止膜側に貼り合わせたＵＶテープを剥離し、反射防止膜付き石英ガラス基板の反射防止膜とは反対側をダイシングテープとしてのＵＶテープ３で貼り合せて支持リング（１）６（図1には図示せず）で支持する。

続いて、図２で示す様に、反射防止膜付き石英ガラス基板の周辺領域を被覆する様に、支持リング（２）７にＵＶ減光テープ（１）９を貼り合わせて接着し、更にＵＶ減光テープ（１）の上層に反射防止膜付き石英ガラス基板の全領域を被覆する様にＵＶ減光テープ（２）１０を貼り合わせて接着して形成した仮ＵＶ照射冶具により、所定光量のＵＶ照射を行う。
ここで、図２（Ａ）は反射防止膜付き石英ガラス基板に支持リング（２）７を介してＵＶ減光テープ（１）及びＵＶ減光テープ（２）を重ね合わせた状態を示す模式的な断面図、図２（Ｂ）は反射防止膜付き石英ガラス基板に支持リング（２）７を介してＵＶ減光テープ（１）及びＵＶ減光テープ（２）を重ね合わせた状態におけるＵＶ減光テープ（１）の貼り合わせ接着位置を説明するための模式的な平面図（図２（Ｂ）中（ａ）は四角形状の石英ガラス基板の場合、図２（Ｂ）中（ｂ）及び（ｃ）は丸形状の石英ガラス基板の場合）を示している。なお、図２（Ｂ）ではＵＶテープ３の図示を省略している。

ここで、反射防止膜付き石英ガラス基板の周辺領域にＵＶ減光テープ（１）を貼り合わせるのは、周辺領域へのＵＶ照射光量を弱めて、ＵＶテープの反射防止膜付き付き石英ガラス基板の有効領域に対応する領域よりもＵＶテープの反射防止膜付き石英ガラス基板の周辺領域に対応する領域の接着力を高めることによって、テープカットレスフルカットダイシング中に反射防止膜付き石英ガラス基板の周辺領域のチップ破片が剥がれて飛散しないようにするためである。
また、反射防止膜付き石英ガラス基板の有効領域を接着するＵＶテープにも完全硬化以下の所定量のＵＶ照射を行うのは、ＵＶテープ接着剤を若干硬化させることで、高速回転のフルカットダイシングブレードの高圧切削水流が剥離して巻き上げるＵＶテープ接着剤を低減するためである。なお、必ずしもＵＶ減光テープ（２）はＵＶ減光テープ（１）と貼り合わせず、単に重ね合わせても良い。

ここで、反射防止膜付き石英ガラス基板の周辺領域へのＵＶ照射光量は、ＵＶテープの重ね合わせ枚数によって制御することができる。
例えば、反射防止膜付き石英ガラス基板の有効領域への完全硬化のＵＶ照射光量が１００ｍｊ／ｃｍ^２とすると、チップサイズ（０．７型、０．９型、１．３５型など）や材質（石英ガラス、透明結晶化ガラスなど）にも依るが、反射防止膜付き石英ガラス基板の周辺領域へのＵＶ照射光量が２０〜３０ｍｊ／ｃｍ^２となる様にＵＶ減光テープを複数枚重ね合わせるのが好ましい。
ところでこの時に、支持リング（２）７とＵＶ減光テープ（１）を一体化した支持リングを用いて、一体化した支持リングとＵＶ減光テープ（２）を貼り合せて接着してもよい。なお、この一体化した支持リングはステンレス、樹脂などの支持能力が高く、かつハンドリングし易い形状及び材質が好ましい。この時は石英ガラス基板の周辺領域は完全にＵＶ遮光となり、周辺領域チップの保持力は高くフルカットダイシングで剥がれ飛散しない。

次に、フルカットダイシングブレード、切削ノズル及び冷却ノズル等を一体化した切削機構部は固定し、反射防止膜付き石英ガラス基板を保持したＵＶテープ３を真空吸着保持したチャックテーブル（図示せず）を図３で示す様に移動して、往路（図３中符号ｘで示す方向にチャックテーブルが移動する場合）でテープカットレスフルカットダイシング（ダウンカットモード）で反射防止膜付き石英ガラス基板を切断した後に、チップの真中付近のワーク高さよりも少し高めを通し、チップ表面全体をダイシングブレードの高圧切削水及び冷却水で洗浄しながら任意の戻り速度、例えば３００ｍｍ／秒の戻り速度で次のカットラインスタートに戻すＢＳ−２モードの優位性について説明する。

表４は６インチ□、厚さが０．７ｍｍの反射防止膜付き石英ガラス基板に開口角度が９０°、カーフ幅が４８０μｍ、切り込み量が２４０μｍのＶ溝部を形成し、０．７型チップサイズにテープカットレスフルカットダイシングする場合のダイシングモードと歩留の関係を示している。なお、表４中のＢＳ−１モードは往路ではＢＳ−２モードと同様にして反射防止膜付き石英ガラス基板を切断した後に、復路では往路で切断したダイシング切溝上のワーク高さよりも少し高めを任意の戻り速度で通し、往路で切断したダイシング切溝上をフルカットダイシングブレードの高圧切削水及び冷却水で洗浄しながら次のカットラインスタートに戻すダイシングモードと定義している。

表４からアップカットモードは極端に歩留が低いことが分かる。これは、アップカットモードはダイシングブレードの回転方向に対して反対方向にワークが動くので、ブレード磨耗が大きくて切れ味バラツキが大きくなり、ガラスチッピングの増加により接着剤付着コンタミが多発していると考えられる。
尚、ダウンカット及びアップカットモードの戻り速度はダイサー装置標準の４００ｍ／秒である。

また、ＢＳ−１モードは復路で往路で切断したダイシング切溝上を切削水及び冷却水で洗浄しているためにダウンカットモードよりも歩留が向上しているものの、復路の戻り動作時に往路のダイシング切溝と同一ラインを通しており、フルカットダイシング切溝幅が約０．２ｍｍあることから戻り動作時に、大量の高圧切削水及び冷却水がテープカットレスフルカットダイシングのダイシング切溝内に注入されてＵＶテープ接着剤を剥がし、切削ガラス屑と一緒に巻き上げるために歩留が８０．１％となっている。
これに対してＢＳ−２モードは、戻り動作時に往路で切断したダイシング切溝と同一ラインではなく、チップの真中付近のワークの高さよりも少し高めを通してチップ表面全体を洗浄しているために、汚れ、付着ゴミ低減が実現し、歩留も８８．４％と良くなっている。
尚、この時のＢＳ―１及びＢＳ−２モードの戻り速度は３００ｍｍ／秒に設定している。

なお、任意の速度での戻り動作時に往路のテープカットレスフルカットダイシングのダイシング切溝と同一ラインを通過しなければ良いので、例えば図４で示す様に、戻り動作時にワーク高さよりも高い面で、且つワーク面上を任意の戻り速度で斜めに横断して切断したチップの真中に戻った後に次のカットスタートラインに戻っても良い。
更に、図５で示す様に、戻り動作時にワーク高さよりも高い面で、且つワーク面上を任意の戻り速度で斜めに横断して次のカットスタートラインに戻っても良い。

また、戻り速度を３００ｍｍ／秒とした理由について説明する。

表５は６インチ□、厚さが０．７ｍｍの反射防止膜付き石英ガラス基板に開口角度が９０°、カーフ幅が４８０μｍ、切り込み量が２４０μｍのＶカット溝部を形成し、ＢＳ−２モードで０．７型チップサイズにテープカットレスフルカットダイシングする場合の、戻り速度と歩留の関係を示している。

表５から戻り速度が２００〜３００ｍｍ／秒の歩留が良い。
従って、本実施例では、戻り速度を比較的良い３００ｍｍ／秒としている。

なお、表６に６インチ□、厚さが０．７ｍｍの反射防止膜付き石英ガラス基板にカーフ幅４８０μｍのＶカット溝部を形成し、ＢＳ−２モードを採用して戻り速度が３００ｍｍ／秒で０．７型チップサイズにテープカットレスフルカットダイシングする場合の、Ｖカット溝部の開口角度と歩留の関係を示している。

表６から、最も歩留が良いと考えられるＢＳ−２モードを採用し、戻り速度が３００ｍｍ／秒の場合には、開口角度が７５°と９０°のＶ溝部の場合に歩留が良く、開口角度が６０°のＶ溝部の場合にはＵＶテープ接着剤汚れ不良や切削ガラスゴミ不良が多くなりやすいことが判明している。

なお、上記の実施例では、液晶パネルの防塵ガラスとして使用される反射防止膜付き石英ガラス基板のダイシング方法を例に挙げて説明を行ったが、本発明は液晶パネルの石英ガラスや透明結晶化ガラスからなる対向基板（ブラックマスク対向基板、マイクロレンズアレイ対向基板などを含む）や石英ガラスからなるＴＦＴ基板のダイシングにも適用できるのは勿論である。

液晶パネルの対向基板のダイシングの場合には、透明電極を形成した対向基板の表面にレジストコートして裏面にＶカット溝またはＵカット溝を形成した後に、レジスト剥離洗浄を行い、基板の１パネル毎に印刷版によるロールコーティングや基板全面のスピンコーティング等の塗布と焼成によりポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を形成する。その後、バフラビング等による液晶配向処理を行い、Ｖカット溝またはＵカット溝形成面にＵＶダイシングテープを貼り合わせ、上記のＢＳ−２モードを採用し、戻り速度を３００ｍｍ／秒としてテープカットレスフルカットダイシングで分割してＩＰＡ等の有機溶剤洗浄を行う。なお、液晶パネルの対向基板の表面はシール幅の減少を抑えるためにＣ面取りは行わない方が良い。

また、液晶パネルのＴＦＴ基板のダイシングの場合には、駆動回路及び表示部を形成した石英ガラスからなるＴＦＴ基板の表面にレジストコートしてＵＶテープを貼り、ＣＭＰ等により裏面研磨をした後にスクライブライン裏面に、Ｖカット溝またはＵカット溝を形成してＵＶテープ剥離及びレジスト剥離洗浄を行い、基板の１パネル毎に印刷版によるロールコーティングや基板全面のスピンコーティング等の塗布と焼成によりポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜を形成する。その後、バフラビングにより液晶配向処理を行い、Ｖカット溝またはＵカット溝形成面にＵＶダイシングテープを貼り合わせ、上記のＢＳ−２モードを採用し、戻り速度３００ｍｍ／秒としてテープカットレスフルカットダイシングで分割してＩＰＡ等の有機溶剤洗浄を行う。なお、液晶パネルのＴＦＴ基板の表面はシール幅の減少を抑えるためにＣ面取りは行わない方が良い。

上記のように、本発明を適用した反射防止膜付き石英ガラスからなる防塵ガラス基板、石英ガラスからなるＴＦＴ基板、石英ガラスまたは透明結晶化ガラスからなる対向基板のダイシング方法では、裏面Ｖカット加工後にテープカットレスフルカットダイシングにおいて、制限されたカーフ幅内でＶカット溝部の開口角度を９０°以下、好ましくは７５°とすることによって、テープカットレスフルカットダイシング時のフルカットダイシングブレード先端部とＵＶテープ接着剤面間の距離を５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上とし、その基板の厚さの１／４以下とすることで、ＵＶダイシングテープ接着剤付着ゴミの低減ができ、歩留の向上、コストダウンが実現する。

また、Ｖカット溝部内のテープカットレスフルカットダイシングによるダウンカット或いはアッパーカットした後に、戻り動作時の速度を最適化して、反射防止膜付き石英ガラス基板等のワーク高さよりも少し高めの往路で切断したダイシング切溝以外の面を通して、ワーク表面に付着したコンタミをフルカットダイシングブレードへの高圧切削水及び冷却水で洗浄することにより、即ち、往路で基板をフルカットし、復路で基板の高さよりも少し高めの往路切断のダイシング切溝以外の面を通して洗浄しながら戻る往復カットモードを採用することにより、ＵＶテープ接着剤付着ゴミの低減ができ、歩留の向上、コストダウンが実現する。

更に、反射防止膜付き石英ガラス基板等のワークの周辺領域へのＵＶ照射光量を少なくして、有効領域のチップよりもチップ破片のＵＶテープ接着力を高めることによりテープカットレスフルカットダイシング中のチップ破片の飛散防止を行うことによって、ガラスゴミ低減による歩留向上が実現する。

尚、上記実施例では高い接着力のＵＶダイシングテープを採用したが、テープカットレスフルカットダイシングではワークに作用する衝撃力が低減するので、比較的低い接着力の汎用の非ＵＶダイシングテープを用いてもよい。

本発明を適用した基板のダイシング方法の一例を説明するための模式的な段断面図である。 ＵＶ減光テープ（１）及びＵＶ減光テープ（２）の貼り合わせを説明するための模式図である。 本発明を適用した基板のダイシング方法のダイシングモードを説明するための模式図である。（チップの真中から真中へ戻る場合） 本発明を適用した基板のダイシング方法のダイシングモードの変形例を説明するための模式図である。（チップの往路端から真中へ戻る場合） 本発明を適用した基板のダイシング方法のダイシングモードの変形例を説明するための模式図である。（チップの往路端から次の往路開始位置へ戻る場合） 本発明を適用したダブルＶカットダイシングブレードを説明するための模式的な断面図である。

符号の説明

１ 反射防止膜
２ 反射防止膜付き石英ガラス基板
３ ＵＶテープ
４ Ｖカットブレード
５ Ｖ溝部
６ 支持リング（１）
７ 支持リング（２）
９ ＵＶ減光テープ（１）
１０ ＵＶ減光テープ（２）
１１ Ｖ溝形成ブレード部
１２ Ｕ溝形成ブレード部

Claims (6)

1. 基板の一方の面に面取りした溝部を形成し、前記基板の一方の面にダイシングテープを貼り合わせ、他方の面からダイシングを行う基板のダイシング方法において、
   前記基板のダイシング時のダイシングブレードの先端部と前記ダイシングテープ接着剤表面の間隔が、５０μｍ以上、前記基板の厚みの１／４以下である
   ことを特徴とする基板のダイシング方法。
2. 前記ダイシングブレードにより前記基板のダイシングを行う工程と、
   前記基板を前記ダイシングブレードの切削水及び冷却水で洗浄しながら、前記ダイシングブレードが前記基板の上方で、且つダイシング切溝を通らない様に、前記基板を所定の速度で次の工程開始位置に戻す工程を備える
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板のダイシング方法。
3. 前記溝部は開口角度が９０°以下のＶカット溝部である
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板のダイシング方法。
4. 前記Ｖカット溝部の底部に更にＵカット溝部が形成された
   ことを特徴とする請求項３に記載の基板のダイシング方法。
5. 前記Ｕカット溝部は、
   基板の一方の面にＵカット溝部を形成するためのＵカット溝部形成ブレード部と、該Ｕカット溝部形成ブレード部よりも広幅で開口角度が９０°以下であり、前記Ｕカット溝部形成ブレード部により形成されたＵカット溝部の基板表面部の面取りを行うためのＶカット溝部形成ブレード部を備え、前記Ｕカット溝部形成ブレード部は前記溝部形成ブレード部の先端部に設けられたダイシングブレードによって形成された
   ことを特徴とする請求項４に記載の基板のダイシング方法。
6. 前記ダイシングテープは紫外線照射硬化型テープを用い、
   前記紫外線照射硬化型テープの前記基板の有効領域に対応する領域に所定量の紫外線を照射して硬化し、
   前記紫外線照射硬化型テープの前記基板の周辺領域に対応する領域に前記所定量よりも少ない量の紫外線を照射して硬化した後にダイシングを行う
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板のダイシング方法。

Images