JP2005227124A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit Download PDF

Info

Publication number
JP2005227124A
JP2005227124A JP2004036010A JP2004036010A JP2005227124A JP 2005227124 A JP2005227124 A JP 2005227124A JP 2004036010 A JP2004036010 A JP 2004036010A JP 2004036010 A JP2004036010 A JP 2004036010A JP 2005227124 A JP2005227124 A JP 2005227124A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
supply voltage
terminal
level
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004036010A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadayoshi Tsuji
忠良 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Renesas Northern Japan Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp, Renesas Northern Japan Semiconductor Inc filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP2004036010A priority Critical patent/JP2005227124A/en
Publication of JP2005227124A publication Critical patent/JP2005227124A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate an operation margin test for an internal power source voltage. <P>SOLUTION: A P-test enable terminal 515 is provided, the terminal is brought into a low level to bring a VCL-MIN test mode, and the internal power source voltage VCL of a desired level is supplied to internal logic circuits 501-504 from an LSI tester via a VCL power source terminal 512, in the test mode. Since a level of a power source voltage VCC is not required to be lowered in the test mode, an operation of an input-output circuit supplied with the power source voltage VCC is carried out without getting unstable. A VCL-MIN test is thereby executed easily. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体集積回路、さらにはそれにおける動作マージン試験技術に関し、例えばマイクロコンピュータに適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and further to an operation margin test technique therefor, for example, a technique effective when applied to a microcomputer.

半導体集積回路、例えば半導体記憶装置においては、メモリセルの許容範囲内の電源変動に対する動作マージンを確認するための電源マージン試験や、その電源変動下における情報保持特性を確認するためのデータリテンション試験等が必要とされる。これらの試験は、専ら試験工程において外部に接続されるテスタによって行われる(例えば特許文献1参照)。   In a semiconductor integrated circuit, for example, a semiconductor memory device, a power margin test for confirming an operation margin for a power supply variation within an allowable range of a memory cell, a data retention test for confirming information retention characteristics under the power supply variation, etc. Is needed. These tests are performed exclusively by a tester connected to the outside in the test process (see, for example, Patent Document 1).

また、エージング時に降圧回路を動作させながら、外部からテスト電圧を印加させる技術が知られている(例えば特許文献2参照)。   In addition, a technique for applying a test voltage from the outside while operating a step-down circuit during aging is known (see, for example, Patent Document 2).

さらに、半導体集積回路の加速試験時に、降圧回路を動作させながら、基準電圧よりも高い電圧(外部入力の降圧電圧等)を内部回路に供給するようにした半導体集積回路が知られている(例えば特許文献3参照)。   Furthermore, a semiconductor integrated circuit is known in which a voltage higher than a reference voltage (such as an external input step-down voltage) is supplied to an internal circuit while operating the step-down circuit during an acceleration test of the semiconductor integrated circuit (for example, (See Patent Document 3).

特開2000−200874号公報(図1)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-200904 (FIG. 1)

特開2003−7835号公報(図1)Japanese Patent Laid-Open No. 2003-7835 (FIG. 1)

特開平07−301665号公報(図7)Japanese Patent Laid-Open No. 07-301665 (FIG. 7)

半導体集積回路は、通常、外部から供給された電源電圧VCCによって動作する入出力回路と、上記電源電圧VCCよりも低い内部電源電圧VCLによって動作する内部論理回路とを含む。上記内部電源電圧VCLは、上記電源電圧VCCを降圧回路で降圧することで形成される。   The semiconductor integrated circuit usually includes an input / output circuit that operates with a power supply voltage VCC supplied from the outside, and an internal logic circuit that operates with an internal power supply voltage VCL lower than the power supply voltage VCC. The internal power supply voltage VCL is formed by stepping down the power supply voltage VCC with a step-down circuit.

電源電圧VCCのレベルを低下させてファンクション試験を行うことにより電源電圧変動に対する動作マージンを把握できる。しかしながら、電源電圧VCCの値を下げても、それに応じて降圧回路の出力電圧が低下されないため、内部電源電圧VCLの低下に対する動作マージンについて試験することができない。内部電源電圧VCLが目的のレベルになるまで電源電圧VCCを低下させた場合には、電源電圧VCCが供給される入出力回路の動作が不安定となり、ファンクション試験に支障を来すため、内部電源電圧VCLの低下に対する動作マージンについて試験することができない。このため、外部から供給された電源電圧VCCによって動作する入出力回路と、上記電源電圧VCCよりも低い内部電源電圧VCLによって動作する内部論理回路とを含む半導体集積回路においては、内部電源電圧VCLに対する動作マージン試験が困難とされている。   By performing a function test while reducing the level of the power supply voltage VCC, it is possible to grasp the operation margin for fluctuations in the power supply voltage. However, even if the value of power supply voltage VCC is lowered, the output voltage of the step-down circuit is not lowered accordingly, so that it is not possible to test the operation margin against the drop in internal power supply voltage VCL. If the power supply voltage VCC is decreased until the internal power supply voltage VCL reaches the target level, the operation of the input / output circuit to which the power supply voltage VCC is supplied becomes unstable, which hinders the function test. It is not possible to test the operating margin for the drop in voltage VCL. Therefore, in a semiconductor integrated circuit including an input / output circuit that operates with a power supply voltage VCC supplied from the outside and an internal logic circuit that operates with an internal power supply voltage VCL lower than the power supply voltage VCC, The operation margin test is considered difficult.

本発明の目的は、内部電源電圧に対する動作マージン試験を容易に行い得る半導体集積回路を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of easily performing an operation margin test on an internal power supply voltage.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。   The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.

すなわち、内部電源電圧が供給されることで動作する内部論理回路と、上記内部電源電圧を上記内部論理回路に供給可能な内部電源ラインと、外部から電源電圧を取り込むための第1電源端子と、上記第1電源端子を介して外部から供給された電源電圧を降圧して上記内部電源電圧を形成可能な降圧回路とを含んで半導体集積回路が構成されるとき、上記内部電源ラインに導通される第2電源端子と、上記第2電源端子を介して外部から供給される試験用電源電圧の最低レベル以下の電圧が上記降圧回路で形成されるモードを選択的に設定可能なイネーブル端子とを設ける。   An internal logic circuit that operates by being supplied with an internal power supply voltage; an internal power supply line capable of supplying the internal power supply voltage to the internal logic circuit; and a first power supply terminal for taking in the power supply voltage from the outside; When a semiconductor integrated circuit is configured including a step-down circuit capable of stepping down a power supply voltage supplied from outside via the first power supply terminal to form the internal power supply voltage, the semiconductor integrated circuit is conducted to the internal power supply line. A second power supply terminal and an enable terminal capable of selectively setting a mode in which a voltage equal to or lower than the lowest level of the test power supply voltage supplied from the outside through the second power supply terminal is formed by the step-down circuit are provided. .

上記の手段によれば、イネーブル端子によって、上記第2電源端子を介して外部から供給される試験用電源電圧の最低レベル以下の電圧が上記降圧回路で形成されるモードを選択的に設定することができ、このモードにおいて、例えばLSIテスタなどにより、上記第2電源端子を介して所望レベルの内部電源電圧を内部論理回路に供給することができる。しかも、このコードにおいては電源電圧のレベルを低下させる必要がないため、電源電圧が供給される入出力回路の動作が不安定にならずに済む。このことが、内部電源電圧に対する動作マージン試験の容易化を達成する。   According to the above means, the mode in which the voltage lower than the lowest level of the test power supply voltage supplied from the outside via the second power supply terminal is formed by the step-down circuit is selectively set by the enable terminal. In this mode, an internal power supply voltage of a desired level can be supplied to the internal logic circuit via the second power supply terminal by an LSI tester, for example. Moreover, since it is not necessary to lower the level of the power supply voltage in this code, the operation of the input / output circuit to which the power supply voltage is supplied does not become unstable. This achieves an easy operation margin test for the internal power supply voltage.

また、上記内部電源ラインに導通される第2電源端子と、上記降圧回路によって形成される内部電源電圧のレベルを決定するための制御情報を保持可能なレジスタと、上記第2電源端子を介して外部から供給される試験用電源電圧の最低レベルよりも低いレベルの電圧が上記降圧回路で形成されるモードを選択的に設定可能なイネーブル端子と、上記試験用電源電圧の最低レベルよりも低いレベルの電圧を上記降圧回路で形成するための制御情報を上記イネーブル端子の論理状態に応じて選択的に上記降圧回路に供給可能なセレクタとを含んで半導体集積回路を構成することができる。かかる構成においても、上記の構成の場合と同様に、内部電源電圧に対する動作マージン試験の容易化を達成する。   Further, the second power supply terminal conducted to the internal power supply line, a register capable of holding control information for determining the level of the internal power supply voltage formed by the step-down circuit, and the second power supply terminal An enable terminal capable of selectively setting a mode in which a voltage lower than the lowest level of the test power supply voltage supplied from the outside is formed by the step-down circuit, and a level lower than the lowest level of the test power supply voltage The semiconductor integrated circuit can be configured to include a selector capable of selectively supplying the control information for forming the voltage at the step-down circuit to the step-down circuit according to the logic state of the enable terminal. In such a configuration as well, the operation margin test for the internal power supply voltage can be facilitated as in the case of the above configuration.

このとき、上記イネーブル端子をプルアップするためのプルアップ用素子と、外部からリセット信号を取り込むためのリセット端子と、上記リセット端子を介して取り込まれるリセット信号によるリセット状態が解除されたときの上記イネーブル端子の論理レベルを保持可能なラッチ回路とを設け、上記ラッチ回路の出力信号に基づいて、上記試験用電源電圧の最低レベルよりも低いレベルの電圧を上記降圧回路で形成するための制御情報を、上記イネーブル端子の論理状態に応じて選択的に上記降圧回路に供給するように構成することができる。   At this time, a pull-up element for pulling up the enable terminal, a reset terminal for capturing a reset signal from the outside, and the reset state by the reset signal captured via the reset terminal are released. A latch circuit capable of holding the logic level of the enable terminal, and control information for forming a voltage of a level lower than the lowest level of the test power supply voltage by the step-down circuit based on the output signal of the latch circuit Can be selectively supplied to the step-down circuit according to the logic state of the enable terminal.

また、上記プルアップ用素子は、上記イネーブル端子を上記電源電圧レベルにプルアップ可能なpチャンネル型MOSトランジスタとすることができる。   The pull-up element can be a p-channel MOS transistor capable of pulling up the enable terminal to the power supply voltage level.

そして、上記イネーブル端子と上記ラッチ回路との間に、上記電源電圧系の信号レベルを上記内部電源電圧系の信号レベルにシフトするためのレベルシフタを介在することができる。   A level shifter for shifting the power supply voltage system signal level to the internal power supply voltage system signal level may be interposed between the enable terminal and the latch circuit.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、内部電源電圧に対する動作マージン試験を容易に行い得る半導体集積回路を提供することができる。   That is, it is possible to provide a semiconductor integrated circuit that can easily perform an operation margin test on the internal power supply voltage.

図1には、本発明にかかる半導体集積回路の一例であるマイクロコンピュータが示される。図1に示されるマイクロコンピュータ5は、特に制限されないが、電源回路500、RAM(ランダムアクセスメモリ)501、ROM(リードオンリーメモリ)502、CPU(中央処理装置)503、その他の内蔵モジュール504を含み、公知の半導体集積回路製造技術により単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成される。このマイクロコンピュータの縁辺部には、チップ外部との間で各種信号のやり取りを可能とするための複数のI/O(入出力)端子517や、チップ外部から電源電圧VCCの取り込みを可能とするVCC電源端子511やグランド端子513、内部電源電圧VCLについての動作マージン試験の際に外部から内部電源電圧VCLの取り込みを可能とするVCL電源端子512、プローブ検査をイネーブル状態とするためのP検イネーブル端子515、リセット信号を取り込むためのリセット端子514などが設けられている。   FIG. 1 shows a microcomputer as an example of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. The microcomputer 5 shown in FIG. 1 includes, but is not limited to, a power supply circuit 500, a RAM (Random Access Memory) 501, a ROM (Read Only Memory) 502, a CPU (Central Processing Unit) 503, and other built-in modules 504. It is formed on one semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique. At the edge of the microcomputer, a plurality of I / O (input / output) terminals 517 for enabling various signals to be exchanged with the outside of the chip and the power supply voltage VCC can be taken in from the outside of the chip. VCC power source terminal 511, ground terminal 513, VCL power source terminal 512 that enables internal power source voltage VCL to be taken in from the outside during an operation margin test for internal power source voltage VCL, and P test enable for enabling probe inspection A terminal 515, a reset terminal 514 for receiving a reset signal, and the like are provided.

CPU503は、プログラムを実行することにより所定の演算処理を実行する。ROM502には、上記CPU503で実行されるプログラムが格納される。RAM501は、上記CPU503での演算処理における作業領域などに使用される。内蔵モジュール504は、上記CPU503の周辺回路例えばタイマなどとされる。このRAM501、ROM502、CPU503、内蔵モジュール504は、VCL電源ライン516及びグランドライン519に結合され、このVCL電源ライン516と、グランドライン519との間に印加された電圧を動作用電源電圧として取り込む。内部電源電圧VCLは、上記電源回路500で生成されてVCL電源ライン516に印加される。また、内部電源電圧VCLについての動作マージン試験においては、VCL電源端子512を介して、図示されないLSIテスタから供給される。尚、このマイクロコンピュータ5がユーザボードに実装された場合には、上記VCL電源端子512とグランド(GND)間に内部電源電圧VCLを安定化させるためのキャパシタが外付けされる。   The CPU 503 executes a predetermined calculation process by executing a program. A program executed by the CPU 503 is stored in the ROM 502. The RAM 501 is used as a work area in the arithmetic processing by the CPU 503. The built-in module 504 is a peripheral circuit of the CPU 503 such as a timer. The RAM 501, ROM 502, CPU 503, and built-in module 504 are coupled to a VCL power supply line 516 and a ground line 519, and take in a voltage applied between the VCL power supply line 516 and the ground line 519 as an operation power supply voltage. The internal power supply voltage VCL is generated by the power supply circuit 500 and applied to the VCL power supply line 516. In the operation margin test for the internal power supply voltage VCL, it is supplied from an LSI tester (not shown) via the VCL power supply terminal 512. When the microcomputer 5 is mounted on the user board, a capacitor for stabilizing the internal power supply voltage VCL is externally connected between the VCL power supply terminal 512 and the ground (GND).

上記電源回路500は、レジスタ506、P検制御回路507、セレクタ508、プルアップ用pチャンネル型MOSトランジスタ509、降圧制御回路505、及び降圧用nチャンネル型MOSトランジスタ510を含んで成る。レジスタ506は、CPU503によって設定されたタップ制御信号を保持する。セレクタ508は、上記レジスタ506に保持されているタップ制御信号を選択的に降圧制御回路505へ伝達する。セレクタ508から出力される3ビット構成のタップ制御信号TCON1、TCON2、TCON3の組み合わせによって内部電源電圧VCLのレベルが決定される。pチャンネル型MOSトランジスタ509のソース電極はVCC電源ライン518に結合され、pチャンネル型MOSトランジスタ509のゲート電極はグランドライン519に結合される。これによりpチャンネル型MOSトランジスタ509のゲート電極はグランドライン519に結合される。これにより、pチャンネル型MOSトランジスタ509はオン状態とされ、P検イネーブル端子515やP検制御回路507の入力端子が電源電圧VCCレベル(5V)にプルアップされる。また、セレクタ508は、P検制御回路507の出力信号がローレベルの場合には、レジスタ506から出力されるタップ制御信号にかかわらず、降圧制御回路505に供給されるタップ制御信号TCON1、TCON2、TCON3を、全て論理値“0”にする。降圧制御回路505は、セレクタから供給されるタップ制御信号TCON1、TCON2、TCON3に応じてnチャンネル型MOSトランジスタ510を駆動制御するための制御信号VCONを形成する。nチャンネル型MOSトランジスタ510は、VCC電源ライン518とVCL電源ライン516とに結合され、VCC電源ライン518の電源電圧VCCを降圧して得た内部電源電圧VCLをVCL電源ライン516に供給する。   The power supply circuit 500 includes a register 506, a P detection control circuit 507, a selector 508, a pull-up p-channel MOS transistor 509, a step-down control circuit 505, and a step-down n-channel MOS transistor 510. The register 506 holds a tap control signal set by the CPU 503. The selector 508 selectively transmits the tap control signal held in the register 506 to the step-down control circuit 505. The level of the internal power supply voltage VCL is determined by a combination of 3-bit configuration tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 output from the selector 508. The source electrode of p-channel MOS transistor 509 is coupled to VCC power supply line 518, and the gate electrode of p-channel MOS transistor 509 is coupled to ground line 519. As a result, the gate electrode of the p-channel MOS transistor 509 is coupled to the ground line 519. As a result, the p-channel MOS transistor 509 is turned on, and the P detection enable terminal 515 and the input terminal of the P detection control circuit 507 are pulled up to the power supply voltage VCC level (5 V). Further, when the output signal of the P detection control circuit 507 is at a low level, the selector 508 receives the tap control signals TCON1, TCON2, and the like supplied to the step-down control circuit 505 regardless of the tap control signal output from the register 506. All TCON3 are set to the logical value “0”. The step-down control circuit 505 forms a control signal VCON for driving and controlling the n-channel MOS transistor 510 in accordance with tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 supplied from the selector. The n-channel MOS transistor 510 is coupled to the VCC power supply line 518 and the VCL power supply line 516, and supplies the internal power supply voltage VCL obtained by stepping down the power supply voltage VCC of the VCC power supply line 518 to the VCL power supply line 516.

ここで、上記nチャンネル型MOSトランジスタ510と上記降圧制御回路505とを降圧回路と総称する。   Here, the n-channel MOS transistor 510 and the step-down control circuit 505 are collectively referred to as a step-down circuit.

図2には、上記P検制御回507の構成例が示される。   FIG. 2 shows a configuration example of the P detection control circuit 507.

図2に示されるようにP検制御回507は、レベルシフタ71,72、内部リセット信号生成回路73、及びラッチ回路74を含んで成る。P検イネーブル端子515を介して外部から取り込まれたイネーブル信号や、リセット端子514を介して外部から取り込まれたリセット信号は、電源電圧VCC系(例えば5V系)の信号レベルとされるため、それぞれレベルシフタ71,72において、内部電源電圧VCL系(例えば3.3V系)の信号レベルに変換される。内部リセット信号生成回路73は、上記レベルシフタ72の出力信号に基づいて内部リセット信号を形成する。この内部リセット信号や上記レベルシフタ71の出力信号はラッチ回路74に伝達される。リセット端子514がLSIテスタなどによってハイレベルにされると、内部用リセット信号生成回路73の出力信号がハイレベルにされ、それによってラッチ回路74がリセットされる。そして、リセット端子514がLSIテスタなどによってローレベルにされると、内部用リセット信号生成回路73の出力信号もローレベルとされ、それによってラッチ回路74のリセット状態が解除される。内部用リセット信号生成回路73の出力信号がハイレベルの期間中、ラッチ回路74はレベルシフタ71の出力信号を取り込む。そして、上記リセット状態が解除されると、ラッチ回路74は保持状態とされ、セレクタ508への出力論理が確定される。このため、リセット解除後にP検イネーブル端子515の論理が変化した場合でも、ラッチ回路74の出力論理が変化しないで済む。   As shown in FIG. 2, the P detection control circuit 507 includes level shifters 71 and 72, an internal reset signal generation circuit 73, and a latch circuit 74. Since the enable signal fetched from the outside via the P detection enable terminal 515 and the reset signal fetched from the outside via the reset terminal 514 have the signal level of the power supply voltage VCC system (for example, 5V system), respectively. In level shifters 71 and 72, the signal level is converted to the signal level of the internal power supply voltage VCL system (for example, 3.3V system). The internal reset signal generation circuit 73 forms an internal reset signal based on the output signal of the level shifter 72. The internal reset signal and the output signal of the level shifter 71 are transmitted to the latch circuit 74. When the reset terminal 514 is set to high level by an LSI tester or the like, the output signal of the internal reset signal generation circuit 73 is set to high level, thereby resetting the latch circuit 74. When the reset terminal 514 is set to a low level by an LSI tester or the like, the output signal of the internal reset signal generation circuit 73 is also set to a low level, thereby releasing the reset state of the latch circuit 74. While the output signal of the internal reset signal generation circuit 73 is at a high level, the latch circuit 74 takes in the output signal of the level shifter 71. When the reset state is released, the latch circuit 74 is held and the output logic to the selector 508 is determined. For this reason, even if the logic of the P detection enable terminal 515 changes after reset release, the output logic of the latch circuit 74 does not need to change.

上記ラッチ回路74は、次のように構成される。   The latch circuit 74 is configured as follows.

インバータ741,742が直列接続され、トライステートバッファ743とインバータ745とがループ状に結合され、トライステートバッファ744とインバータ746とが直列接続される。トライステートバッファ743の出力端子と、トライステートバッファ744の出力端子とが結合される。上記インバータ741,742の出力信号によって上記トライステートバッファ743,744が相補的に動作制御される。上記内部リセット信号生成回路73の出力信号がハイレベルのとき、トライステートバッファ743が非導通状態とされ、トライステートバッファ744が導通状態とされることで、レベルシフタ71の出力信号がラッチ回路74内に取り込まれる。このとき、インバータ746の出力論理は、レベルシフタ71の出力論理に応じて変化される。それに対して上記内部リセット信号生成回路73の出力信号がローレベルのときには、トライステートバッファ743が導通状態とされ、トライステートバッファ744が非導通状態とされることで、インバータ746の出力論理が固定される。   Inverters 741 and 742 are connected in series, tristate buffer 743 and inverter 745 are coupled in a loop, and tristate buffer 744 and inverter 746 are connected in series. The output terminal of tristate buffer 743 and the output terminal of tristate buffer 744 are coupled. The tristate buffers 743 and 744 are complementarily controlled by the output signals of the inverters 741 and 742. When the output signal of the internal reset signal generation circuit 73 is at a high level, the tristate buffer 743 is turned off and the tristate buffer 744 is turned on, so that the output signal of the level shifter 71 is transferred to the latch circuit 74. Is taken in. At this time, the output logic of the inverter 746 is changed according to the output logic of the level shifter 71. On the other hand, when the output signal of the internal reset signal generation circuit 73 is at a low level, the tristate buffer 743 is turned on and the tristate buffer 744 is turned off, so that the output logic of the inverter 746 is fixed. Is done.

尚、P検イネーブル端子515はpチャンネル型MOSトランジスタ509によってプルアップされているため、P検イネーブル端子515を介して電荷の引き込みが行われない限り、レベルシフタ71の出力論理はハイレベルとされる。   Since the P detection enable terminal 515 is pulled up by the p-channel MOS transistor 509, the output logic of the level shifter 71 is set to a high level unless charge is drawn through the P detection enable terminal 515. .

図3には、上記降圧制御回路505の構成例が示される。   FIG. 3 shows a configuration example of the step-down control circuit 505.

図3に示されるように降圧制御回路505は、バンドギャップリファレンス回路51、演算増幅器52,62、nチャンネル型MOSトランジスタ53、54,55,56、抵抗57,58,59,60を含んで成る。バンドギャップリファレンス回路51は、MOSトランジスのバンドギャップを利用して安定な参照電圧Vref1を形成する。この参照電圧Vref1は、後段の演算増幅器52における非反転入力端子(+)に伝達される。nチャンネル型MOSトランジスタ56と抵抗57〜60が直列接続される。nチャンネル型MOSトランジスタ56のドレイン電極には電源電圧VCCが供給される。抵抗60の一端はグランドGNDに結合される。nチャンネル型MOSトランジスタ56のゲート電極には、上記演算増幅器52の出力信号が伝達され、上記演算増幅器52の出力信号に応じて、抵抗57〜60の直列接続箇所(「タップ」という)の電圧が変化される。抵抗57〜60のタップはそれぞれ対応するnチャンネル型MOSトランジスタ53,54,55を介して上記演算増幅器52の反転入力端子(−)に結合される。そして、このnチャンネル型MOSトランジスタ53,54,55のゲート電極には、それぞれ上記セレクタ508からのタップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3が伝達され、それにより、抵抗57〜60のタップは、タップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3に応じて、選択的に上記演算増幅器52の反転入力端子(−)に導通される。このようなタップ選択によりnチャンネル型MOSトランジスタ56のソース電極から得られる基準電圧Vref2のレベルを変化させることができる。基準電圧Vref2は、後段の演算増幅器62における非反転入力端子(+)に伝達される。この演算増幅器62の出力電圧VCONは、nチャンネル型MOSトランジスタ510のゲート電極に伝達される。また、この演算増幅器62の反転入力端子は、nチャンネル型MOSトランジスタ510のソース電極に結合され、内部電源電圧VCLが演算増幅器62の反転入力端子に帰還されることにより、内部電源電圧VCLの安定化が図られている。   As shown in FIG. 3, the step-down control circuit 505 includes a band gap reference circuit 51, operational amplifiers 52 and 62, n-channel MOS transistors 53, 54, 55, and 56, and resistors 57, 58, 59, and 60. . The band gap reference circuit 51 forms a stable reference voltage Vref1 using the band gap of the MOS transistor. This reference voltage Vref1 is transmitted to the non-inverting input terminal (+) in the operational amplifier 52 at the subsequent stage. An n-channel MOS transistor 56 and resistors 57-60 are connected in series. A power supply voltage VCC is supplied to the drain electrode of the n-channel MOS transistor 56. One end of resistor 60 is coupled to ground GND. The output signal of the operational amplifier 52 is transmitted to the gate electrode of the n-channel MOS transistor 56, and the voltage at the series connection point (referred to as “tap”) of the resistors 57 to 60 according to the output signal of the operational amplifier 52. Is changed. The taps of resistors 57-60 are coupled to the inverting input terminal (-) of operational amplifier 52 through corresponding n-channel MOS transistors 53, 54, 55, respectively. Tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 from the selector 508 are transmitted to the gate electrodes of the n-channel MOS transistors 53, 54, and 55, respectively. In response to the signals TCON1, TCON2, and TCON3, the signal is selectively conducted to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 52. By such tap selection, the level of the reference voltage Vref2 obtained from the source electrode of the n-channel MOS transistor 56 can be changed. The reference voltage Vref2 is transmitted to the non-inverting input terminal (+) in the operational amplifier 62 at the subsequent stage. The output voltage VCON of the operational amplifier 62 is transmitted to the gate electrode of the n-channel MOS transistor 510. The inverting input terminal of the operational amplifier 62 is coupled to the source electrode of the n-channel MOS transistor 510, and the internal power supply voltage VCL is fed back to the inverting input terminal of the operational amplifier 62, so that the internal power supply voltage VCL is stabilized. It is planned.

次に、上記構成のマイクロコンピュータ5の試験について説明する。   Next, the test of the microcomputer 5 having the above configuration will be described.

図4には上記マイクロコンピュータ5の各試験における端子状態が示され、図5にはタップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3と、内部電源電圧VCLとの対応関係が示される。   FIG. 4 shows the terminal states in each test of the microcomputer 5, and FIG. 5 shows the correspondence between the tap control signals TCON1, TCON2, TCON3 and the internal power supply voltage VCL.

上記構成のマイクロコンピュータ5がチップとして切出される前の状態(ウェーハ状態)で行われる試験には、内部電源電圧VCLに対する動作マージン試験(VCL−MIN試験)と、それ以外の通常試験とが挙げられる。   The tests performed in the state (wafer state) before the microcomputer 5 having the above configuration is cut out as a chip include an operation margin test (VCL-MIN test) for the internal power supply voltage VCL and other normal tests. It is done.

図4(A)に示されるように、P検イネーブル端子515がオープン状態の場合、pチャンネル型MOSトランジスタ509のプルアップにより、P検イネーブル端子515は、電源電圧VCC(5V)レベルとされる。このとき、リセット端子514がローレベルとされることでリセット状態が解除されると、P検制御回路507の出力信号がハイレベルに固定される。この状態は通常試験モードとされ、レジスタ506の設定情報に従ってタップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3の論理が決定される。そして、このタップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3の論理に応じて降圧制御回路505は内部電源電圧VCLのレベルを決定する。レジスタ506の初期値によればタップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3は、“0”“1”“1”とされ、このとき、内部電源電圧VCLは3.36Vとされる。また、レジスタ506の設定情報に応じてタップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3の論理を変更することによって内部電源電圧VCLのレベルを変更することができ、所望のレベルにおいて、LSIテスタからマイクロコンピュータ5に対して所定のパターンが供給されることによってファンクション試験が行われる。通常試験モードの場合、VCL電源端子512には、LSIテスタ及びプローブを介して、内部電源電圧VCLを安定化させるためのキャパシタが接続される。   As shown in FIG. 4A, when the P detection enable terminal 515 is in an open state, the P detection enable terminal 515 is set to the power supply voltage VCC (5 V) level by pulling up the p-channel MOS transistor 509. . At this time, when the reset state is canceled by setting the reset terminal 514 to the low level, the output signal of the P detection control circuit 507 is fixed to the high level. This state is the normal test mode, and the logic of the tap control signals TCON1, TCON2, TCON3 is determined according to the setting information of the register 506. Then, step-down control circuit 505 determines the level of internal power supply voltage VCL in accordance with the logic of tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3. According to the initial value of the register 506, the tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 are set to “0”, “1”, and “1”. At this time, the internal power supply voltage VCL is set to 3.36V. Further, the level of the internal power supply voltage VCL can be changed by changing the logic of the tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 in accordance with the setting information of the register 506. At a desired level, the LSI tester transfers the microcomputer 5 to the microcomputer 5. On the other hand, a function test is performed by supplying a predetermined pattern. In the normal test mode, a capacitor for stabilizing the internal power supply voltage VCL is connected to the VCL power supply terminal 512 via an LSI tester and a probe.

また、図4(B)に示されるように、LSIテスタによってP検イネーブル端子515がローレベル(0V)とされると、P検イネーブル端子515を介して電荷が引き抜かれることで、このP検イネーブル端子515がローレベルにされる。このとき、リセット端子514がローレベルとされることでリセット状態が解除されると、P検制御回路507の出力信号がローレベルに固定される。この状態はVCL−MIN試験モードとされ、レジスタ506の設定にかかわらず、タップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3が、“0”“0”“0”に固定され、降圧制御回路505の制御により、内部電源電圧VCLが2.35Vに制御される。この状態で、VCL電源端子512には、LSIテスタ及びプローブを介して、2.35V以上の電圧を適宜に供給することができる。つまり、降圧制御回路505は、内部電源電圧VCLが2.35Vになるように制御されるが、VCL電源端子512に、2.35V以上の電圧が外部からLSIテスタによって印加されることにより、VCL電源ライン516は、外部から印加された電圧レベルとなる。このためLSIテスタによって、VCL電源端子512に供給する電圧レベルを切り換えることにより、内部電源電圧VCLのレベルを適宜に切り換えることができるため、内部電源電圧VCLのレベルを適宜に切り換えながらファンクション試験を行うことにより、VCL−MIN試験が可能となる。しかも、このVCL−MIN試験においては、内部電源電圧VCLのレベルの切り換えがレジスタ506の設定情報とは無関係に行われるため、上記通常試験の際に使われるテストパターンをそのまま使用することができる。つまり、通常試験とVCL−MIN試験とでテストパターンの共通化を図ることができるので、VCL−MIN試験のためのテストパターンを改めて作成する必要がない。   Further, as shown in FIG. 4B, when the P test enable terminal 515 is set to a low level (0 V) by the LSI tester, the charge is extracted through the P test enable terminal 515, so that this P test is enabled. The enable terminal 515 is set to a low level. At this time, when the reset state is canceled by setting the reset terminal 514 to the low level, the output signal of the P detection control circuit 507 is fixed to the low level. This state is the VCL-MIN test mode, and the tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 are fixed to “0”, “0”, and “0” regardless of the setting of the register 506, and are controlled by the step-down control circuit 505. Internal power supply voltage VCL is controlled to 2.35V. In this state, a voltage of 2.35 V or more can be appropriately supplied to the VCL power supply terminal 512 via the LSI tester and the probe. In other words, the step-down control circuit 505 is controlled so that the internal power supply voltage VCL becomes 2.35 V, but when a voltage of 2.35 V or more is externally applied to the VCL power supply terminal 512 by the LSI tester, The power supply line 516 has a voltage level applied from the outside. For this reason, the level of the internal power supply voltage VCL can be appropriately switched by switching the voltage level supplied to the VCL power supply terminal 512 by the LSI tester, so that the function test is performed while appropriately switching the level of the internal power supply voltage VCL. Thus, the VCL-MIN test can be performed. In addition, in the VCL-MIN test, the level of the internal power supply voltage VCL is switched regardless of the setting information in the register 506, so that the test pattern used in the normal test can be used as it is. That is, since the test pattern can be shared between the normal test and the VCL-MIN test, it is not necessary to newly create a test pattern for the VCL-MIN test.

上記の例によれば、以下の作用効果を得ることができる。   According to the above example, the following effects can be obtained.

(1)P検イネーブル端子515をローレベルにすることでVCL−MIN試験モードにすることができ、このVCL−MIN試験モードにおいて、LSIテスタからVCL電源端子512を介して所望レベルの内部電源電圧VCLを内部論理回路(501〜504)に供給することができる。しかも、このVCL−MIN試験においては電源電圧VCCのレベルを低下させる必要がないため、電源電圧VCCが供給される入出力回路の動作が不安定にならずに済む。これによりVCL−MIN試験を容易に行うことができる。   (1) A VCL-MIN test mode can be set by setting the P detection enable terminal 515 to a low level. In this VCL-MIN test mode, an internal power supply voltage of a desired level is supplied from the LSI tester via the VCL power supply terminal 512. VCL can be supplied to internal logic circuits (501-504). In addition, in this VCL-MIN test, it is not necessary to lower the level of the power supply voltage VCC, so that the operation of the input / output circuit to which the power supply voltage VCC is supplied does not become unstable. Thereby, the VCL-MIN test can be easily performed.

(2)VCL−MIN試験においては、内部電源電圧VCLのレベルの切り換えがレジスタ506の設定情報とは無関係に行われるため、上記通常試験の際に使われるテストパターンをそのまま使用することができ、通常試験とVCL−MIN試験とでテストパターンの共通化を図ることができるので、試験コストの上昇を抑えることができる。   (2) In the VCL-MIN test, the level of the internal power supply voltage VCL is switched regardless of the setting information in the register 506, so that the test pattern used in the normal test can be used as it is. Since the test pattern can be shared between the normal test and the VCL-MIN test, an increase in test cost can be suppressed.

(3)P検イネーブル端子515がpチャンネル型MOSトランジスタ509でプルアップされているため、VCL−MIN試験が行われない場合には、このP検イネーブル端子515オープン状態としておけば良く、P検イネーブル端子515の論理を気にする必要がない。また、P検イネーブル端子515はベンダーがVCL−MIN試験を行う場合にのみ使用する端子であり、ユーザに開放する必要もない。   (3) Since the P detection enable terminal 515 is pulled up by the p-channel MOS transistor 509, if the VCL-MIN test is not performed, the P detection enable terminal 515 may be left open. There is no need to worry about the logic of the enable terminal 515. The P detection enable terminal 515 is a terminal used only when the vendor performs the VCL-MIN test, and does not need to be opened to the user.

(4)P検イネーブル端子515の論理を保持可能なラッチ回路74が設けられているため、リセット解除後に、P検イネーブル端子515の論理が変化した場合でも、ラッチ回路74の出力論理が変化しないで済むので、VCL−MIN試験におけるセレクタ508の動作の安定化を図ることができる。   (4) Since the latch circuit 74 capable of holding the logic of the P detection enable terminal 515 is provided, even when the logic of the P detection enable terminal 515 changes after reset release, the output logic of the latch circuit 74 does not change. Therefore, the operation of the selector 508 in the VCL-MIN test can be stabilized.

(5)レベルシフタ71が設けられているため、P検イネーブル端子515における電源電圧VCC系の信号レベルを内部電源電圧VCL系の信号レベルに変換してからラッチ回路74に供給することができる。   (5) Since the level shifter 71 is provided, the signal level of the power supply voltage VCC system at the P detection enable terminal 515 can be converted to the signal level of the internal power supply voltage VCL system before being supplied to the latch circuit 74.

以上本発明者によってなされた発明を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described above, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the scope of the invention.

例えば上記の例では、VCL−MIN試験モードの際に、レジスタ506の設定にかかわらず、タップ制御信号TCON1,TCON2,TCON3が、“0”“0”“0”に固定され、降圧制御回路505の制御により、内部電源電圧VCLが2.35Vに制御されたが、これに限定されない。VCL電源端子512を介して外部から供給される試験用電源電圧の最低レベル以下の電圧が降圧回路(nチャンネル型MOSトランジスタ510及び降圧制御回路505)で形成されるようにすれば良い。   For example, in the above example, in the VCL-MIN test mode, the tap control signals TCON1, TCON2, and TCON3 are fixed to “0”, “0”, and “0” regardless of the setting of the register 506, and the step-down control circuit 505 Although the internal power supply voltage VCL is controlled to 2.35V by the control of (2), it is not limited to this. A voltage equal to or lower than the lowest level of the test power supply voltage supplied from the outside via the VCL power supply terminal 512 may be formed by the step-down circuit (n-channel MOS transistor 510 and step-down control circuit 505).

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるマイクロコンピュータに適用した場合について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、各種半導体集積回路に広く適用することができる。   In the above description, the case where the invention made by the present inventor is applied to the microcomputer which is the field of use that has been used as the background has been described. However, the present invention is not limited thereto, and is widely applied to various semiconductor integrated circuits. Can be applied.

本発明は、電源電圧を降圧する降圧回路を含むことを条件に適用することができる。   The present invention can be applied on condition that a step-down circuit for stepping down the power supply voltage is included.

本発明にかかる半導体集積回路の一例であるマイクロコンピュータにおける主要部の構成例ブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration example of a main part of a microcomputer as an example of a semiconductor integrated circuit according to the present invention. 上記マイクロコンピュータにおけるP検制御回路の構成例回路図である。It is a circuit diagram of a configuration example of a P detection control circuit in the microcomputer. 上記マイクロコンピュータにおける降圧制御回路の構成例回路図である。It is a circuit diagram of a configuration example of a step-down control circuit in the microcomputer. 上記マイクロコンピュータの各試験における端子状態の説明図である。It is explanatory drawing of the terminal state in each test of the said microcomputer. 上記マイクロコンピュータにおけるタップ制御信号と内部電源電圧との対応関係説明図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a correspondence relationship between a tap control signal and an internal power supply voltage in the microcomputer.

符号の説明Explanation of symbols

5 マイクロコンピュータ
501 RAM
502 ROM
503 CPU
504 内蔵モジュール
505 降圧制御回路
506 レジスタ
507 P検制御回路
508 セレクタ
509 pチャンネル型MOSトランジスタ
510 nチャンネル型MOSトランジスタ
511 VCC電源端子
512 VCL電源端子
513 グランド端子
514 リセット端子
515 P検イネーブル端子
516 VCL電源ライン
517 I/O端子
518 VCC電源ライン
5 Microcomputer 501 RAM
502 ROM
503 CPU
504 Built-in module 505 Step-down control circuit 506 Register 507 P detection control circuit 508 Selector 509 p channel type MOS transistor 510 n channel type MOS transistor 511 VCC power supply terminal 512 VCL power supply terminal 513 Ground terminal 514 Reset terminal 515 P detection enable terminal 516 VCL power supply Line 517 I / O terminal 518 VCC power line

Claims (5)

内部電源電圧が供給されることで動作する内部論理回路と、
上記内部電源電圧を上記内部論理回路に供給可能な内部電源ラインと、
外部から電源電圧を取り込むための第1電源端子と、
上記第1電源端子を介して外部から供給された電源電圧を降圧して上記内部電源電圧を形成可能な降圧回路と、を含む半導体集積回路であって、
上記内部電源ラインに導通される第2電源端子と、
上記第2電源端子を介して外部から供給される試験用電源電圧の最低レベル以下の電圧が上記降圧回路で形成されるモードを選択的に設定可能なイネーブル端子と、を含む半導体集積回路。
An internal logic circuit that operates by being supplied with an internal power supply voltage;
An internal power supply line capable of supplying the internal power supply voltage to the internal logic circuit;
A first power supply terminal for taking in a power supply voltage from the outside;
A step-down circuit capable of stepping down a power supply voltage supplied from the outside through the first power supply terminal to form the internal power supply voltage, and a semiconductor integrated circuit comprising:
A second power supply terminal connected to the internal power supply line;
A semiconductor integrated circuit including: an enable terminal capable of selectively setting a mode in which a voltage equal to or lower than a lowest level of a test power supply voltage supplied from outside via the second power supply terminal is formed by the step-down circuit.
内部電源電圧が供給されることで動作する内部論理回路と、
上記内部電源電圧を上記内部論理回路に供給可能な内部電源ラインと、
外部から電源電圧を取り込むための第1電源端子と、
上記第1電源端子を介して外部から供給された電源電圧を降圧して上記内部電源電圧を形成可能な降圧回路と、を含む半導体集積回路であって、
上記内部電源ラインに導通される第2電源端子と、
上記降圧回路によって形成される内部電源電圧のレベルを決定するための制御情報を保持可能なレジスタと、
上記第2電源端子を介して外部から供給される試験用電源電圧の最低レベル以下の電圧が上記降圧回路で形成されるモードを選択的に設定可能なイネーブル端子と、
上記試験用電源電圧の最低レベルよりも低いレベルの電圧を上記降圧回路で形成するための制御情報を、上記イネーブル端子の論理状態に応じて選択的に上記降圧回路に供給可能なセレクタと、を含む半導体集積回路。
An internal logic circuit that operates by being supplied with an internal power supply voltage;
An internal power supply line capable of supplying the internal power supply voltage to the internal logic circuit;
A first power supply terminal for taking in a power supply voltage from the outside;
A step-down circuit capable of stepping down a power supply voltage supplied from the outside through the first power supply terminal to form the internal power supply voltage, and a semiconductor integrated circuit comprising:
A second power supply terminal connected to the internal power supply line;
A register capable of holding control information for determining the level of the internal power supply voltage formed by the step-down circuit;
An enable terminal capable of selectively setting a mode in which a voltage lower than the lowest level of the test power supply voltage supplied from the outside via the second power supply terminal is formed by the step-down circuit;
A selector capable of selectively supplying control information for forming a voltage of a level lower than the lowest level of the test power supply voltage by the step-down circuit to the step-down circuit according to the logic state of the enable terminal; Including semiconductor integrated circuit.
上記イネーブル端子をプルアップするためのプルアップ用素子と、
外部からリセット信号を取り込むためのリセット端子と、
上記リセット端子を介して取り込まれるリセット信号によるリセット状態が解除されたときの上記イネーブル端子の論理レベルを保持可能なラッチ回路と、を含み、
上記ラッチ回路の出力信号に基づいて上記セレクタは、上記試験用電源電圧の最低レベルよりも低いレベルの電圧を上記降圧回路で形成するための制御情報を、上記イネーブル端子の論理状態に応じて選択的に上記降圧回路に供給する請求項2記載の半導体集積回路。
A pull-up element for pulling up the enable terminal;
A reset terminal for receiving a reset signal from the outside;
A latch circuit capable of holding the logic level of the enable terminal when the reset state by the reset signal taken in via the reset terminal is released,
Based on the output signal of the latch circuit, the selector selects control information for forming a voltage at a level lower than the lowest level of the test power supply voltage by the step-down circuit according to the logic state of the enable terminal. 3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the semiconductor integrated circuit is supplied to the step-down circuit.
上記プルアップ用素子は、上記イネーブル端子を上記電源電圧レベルにプルアップ可能なpチャンネル型MOSトランジスタとされた請求項3記載の半導体集積回路。 4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the pull-up element is a p-channel MOS transistor capable of pulling up the enable terminal to the power supply voltage level. 上記イネーブル端子と上記ラッチ回路との間には、上記電源電圧系の信号レベルを上記内部電源電圧系の信号レベルにシフトするためのレベルシフタが介在された請求項4記載の半導体集積回路。
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 4, wherein a level shifter for shifting the power supply voltage system signal level to the internal power supply voltage system signal level is interposed between the enable terminal and the latch circuit.
JP2004036010A 2004-02-13 2004-02-13 Semiconductor integrated circuit Withdrawn JP2005227124A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004036010A JP2005227124A (en) 2004-02-13 2004-02-13 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004036010A JP2005227124A (en) 2004-02-13 2004-02-13 Semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005227124A true JP2005227124A (en) 2005-08-25

Family

ID=35001957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004036010A Withdrawn JP2005227124A (en) 2004-02-13 2004-02-13 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005227124A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014155125A (en) * 2013-02-12 2014-08-25 Kyocera Document Solutions Inc Integrated circuit
JP2016188825A (en) * 2015-03-30 2016-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014155125A (en) * 2013-02-12 2014-08-25 Kyocera Document Solutions Inc Integrated circuit
JP2016188825A (en) * 2015-03-30 2016-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and system
US10310007B2 (en) 2015-03-30 2019-06-04 Renesas Electronics Corporation Semiconductor apparatus and system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9171713B2 (en) Device and method for controlling supply voltage/frequency of process variation
JP4820571B2 (en) Semiconductor device
KR100399437B1 (en) Internal power voltage generating device
TWI487281B (en) System and method for using an integrated circuit pin as both a current limiting input and an open-drain output
US7482689B2 (en) Microcomputer
US20030214278A1 (en) Internal power supply voltage control apparatus having two internal power supply reference voltage generating circuits
JP4740788B2 (en) Semiconductor integrated circuit
KR20030028438A (en) Data processor
JP2005227124A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2003303894A (en) Semiconductor integrated circuit
US7456656B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5620718B2 (en) Integrated circuit device having voltage regulator
KR100718039B1 (en) Test mode control circuit of semiconductor memory apparatus
JP3875434B2 (en) Semiconductor device and reference potential adjusting method thereof
JP2021105597A (en) Inspection device and inspection method
JP2006322726A (en) Semiconductor integrated circuit and its test method
US6690152B2 (en) Acceleration of automatic test
JP2006332897A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2010101644A (en) Semiconductor device
JP2009053130A (en) Semiconductor device
JP2006114804A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2006041951A (en) Process variation detection device and process variation detection method
JP5845328B2 (en) Integrated circuit device having voltage regulator
JP2006127091A (en) Semiconductor integrated circuit
JP4746592B2 (en) Microcomputer operating with a plurality of power supplies, and method for starting microcomputer

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070501