JP2005217166A - 電子素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 外観から極性や方向性の識別が可能な識別部を備え、また、チップ立ちが発生しない小型の電子素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とでなる２極半導体部２１０の側面に樹脂材料で絶縁部１０３を形成する。次に、アノード電極面２０８とカソード電極面２０９とに、アノード内部電極２０１及び被覆部５０２を形成する。次に、仕掛かりダイオード５１０の被覆部５０２をエッチング液に浸漬し、エッチバックすることによって、凸設されたカソード内部電極２０２を形成する。最後に、仕掛かりダイオード５２０の両端部に、それぞれアノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２とを、ダイオード１００の側面における長さが同じになるよう形成する。
【選択図】 図５

Description

本発明は、その外観から電極の極性識別が可能な表面実装型の電子素子とその製造方法に関する。電子素子とは、例えばダイオード等である。

発光ダイオードなど、極性を有する素子本体を基板上に実装する際には、基板上の配線パターンに素子本体の向きを合わせて接合する。図１０は、従来から使用されているダイオード１０００の概略断面図である（例えば特許文献１）。このダイオード１０００は、発光ダイオード素子チップ１００１、透光性エポキシ樹脂１００６、銀ペースト又は導電性シート１００３、１００４、アノード電極板１００２、カソード電極板１００５、アノード被覆部１００７、及び、カソード被覆部１００８を備えている。

発光ダイオード素子チップ１００１は、ＰＮ接合部１００１ａを境界として隣接して形成されたＰ型半導体部１００９とＮ型半導体部１０１０とで構成されている。銀ペースト又は導電性シート１００３、１００４は、発光ダイオード素子チップ１００１の両端面とアノード電極板１００２、カソード電極板１００５の間に形成されている。透光性エポキシ樹脂１００６は、発光ダイオード素子チップ１００１の側面を覆っている。アノード被覆部１００７とカソード被覆部１００８は、それぞれ、アノード電極板１００２とカソード電極板１００５の表面を被膜する金属膜である。

アノード電極板１００２とカソード電極板１００５には、それぞれ、異なる形状の凹部１００２ａ、１００５ａが形成されている。よって、このダイオード１０００のアノードとカソードは、その外観から識別することができる。凹部１００２ａ、１００５ａは、銅合金板をプレス加工することによって形成されている。凹部１００２ａが形成されたアノード電極板１００２、及び、凹部１００５ａが形成されたカソード電極板１００５は、その中心が発光ダイオード素子チップ１００１の中心軸と略一致するよう位置合わせされて、発光ダイオード素子チップ１００１の端部に銀ペースト又は導電性シート１００３、１００４を用いて接着されている。

図１０に示すように、ダイオード１０００のアノード電極板１００２の厚みＤｓとカソード電極板１００５の厚みＤｓ’とは、異なる厚みで形成されている。このように、従来のダイオードでは、電極板の厚みの違いからも電極の極性を識別できるようになっていた。
特開平１０−１９００６２号公報

ところで、近年、デジタル携帯電話などの移動体通信機器や、高速データ通信機器などにおいては、小型化、薄型化、軽量化等への要請が高まっている。そのため、これらデジタル機器に搭載される基板の小面積化が進み、基板に実装される素子本体等も小型化されてきている。素子本体サイズが小さくなると、素子本体を構成する部品のサイズも小さくなるために、上記のようにプレス加工によって金属板の中心部に凹部を精度よく形成することが困難になる。また、電極板が小さくなるほど、プレス加工で形成できる凹部の深さが浅くなるので、その外観から識別できる程度の深さを有する凹部を形成することも困難になる。

また、外観から極性を識別できるように電極板の厚みを変えることによっては、別な問題が生じていた。素子本体を基板上に表面実装する場合、両電極板の側面部分を基板上の配線パターンに半田接合する。上記従来例に示したように、アノード電極板１００２とカソード電極板１００５とを異なる厚みで形成していると、厚みが厚い電極側と厚みが薄い電極側とで半田材料の接着面積が異なるため、半田接合の際に、厚みの薄い電極側が基板から浮き上がってしまう。このようないわゆるチップ立ちは、接続不良の原因になり問題になっていた。

それ故に、本発明の目的は、外観から極性の識別が可能な電極を備え、チップ立ちが発生しない電子素子及びその製造方法を提供することである。

本発明に係る電子素子は、外観から極性の識別が可能な電子素子であって、柱形状の素子本体と、素子本体の一方の端面である第１面上に形成された第１内部電極と、素子本体の他方の端面である第２面上の一部に形成された第２内部電極と、ほぼ一様な厚みを有し、第１内部電極が形成された端部と素子本体の側面の一部とをその形状に沿って覆う第１外部電極と、ほぼ一様な厚みを有し、第２内部電極が形成された端部と素子本体の側面の一部とをその形状に沿って覆い、凸状部を有することによって第１外部電極とは形状が異なる第２外部電極とを備え、素子本体の側面における第１外部電極と第２外部電極の、素子本体の主軸方向の長さが等しい。

第２内部電極は、エッチング処理により前記第２面上の一部に凸設されている。

第１内部電極は、第１面の全面に、表面が平坦になるよう形成されていてもよい。

第１内部電極は、第１面の一部に、表面が平坦になるよう形成されており、第１面の残余部分は、第１内部電極の厚み以上の厚みを有する絶縁性材料で覆われていてもよい。

素子本体は、異なる導電型を有する２つの半導体部を主軸方向に隣接して配置することにより形成される２極半導体部と、２極半導体部の側面を覆う絶縁性材料で形成された絶縁部とを含んでいてもよい。

本発明に係る電子素子の製造方法は、外観から極性識別が可能な電子素子の製造方法であって、柱形状の素子本体の一方の端面である第１面に導電性材料で第１内部電極を形成する第１内部電極形成ステップと、素子本体の他方の端面である第２面の全面を導電性材料で被覆することにより、被覆部を形成する被覆部形成ステップと、被覆部をエッチングすることにより、第２面上に第２内部電極を凸設する第２内部電極形成ステップと、第１内部電極が形成されている端部と素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第１外部電極を形成する第１外部電極形成ステップと、第２内部電極が形成されている端部と素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第２外部電極を形成する第２外部電極形成ステップとを備える。

第１内部電極形成ステップにおいて、第１内部電極を第１面の全面に表面が平坦になるように形成してもよい。

本発明に係る電子素子の製造方法は、異なる導電型を有する２つの半導体部を主軸方向に隣接して配置することにより形成される２極半導体部の側面を絶縁性材料で覆うことにより、素子本体を形成する素子本体形成ステップをさらに備えていてもよい。

第２内部電極形成ステップにおいて、第１内部電極と被覆部とを異なる材料で形成した仕掛かり状態の電子素子の全体を被覆部のみを浸食するエッチング液中に浸漬するか、または、エッチングガス中に放置することにより、第２内部電極を形成してもよい。

また、素子本体の側面における第１外部電極と第２外部電極の、素子本体の主軸方向の長さを、ほぼ等しく形成してもよい。

本発明に係る電子素子の別な製造方法は、外観から極性識別が可能な電子素子の製造方法であって、異なる導電型を有する２つの半導体部を主軸方向に隣接して配置することにより形成される２極半導体部の一方の端面に、導電性材料で第１内部電極を形成する第１内部電極形成工程と、２極半導体部の側面と第１内部電極の周辺とを絶縁性材料によって覆うことにより、第１内部電極付きの素子本体を形成する素子本体形成ステップと、素子本体の、２極半導体部の他方の端面が露出している面の全面を導電性材料で被覆することにより、被覆部を形成する被覆部形成ステップと、被覆部をエッチングすることにより、第２内部電極を凸設する第２内部電極形成ステップと、第１内部電極が形成されている端面と素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第１外部電極を形成する第１外部電極形成ステップと、第２内部電極が形成されている端部と素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第２外部電極を形成する第２外部電極形成ステップとを備える。

第２内部電極形成ステップにおいて、第１内部電極と被覆部とを異なる材料で形成した仕掛かり状態の電子素子の全体を被覆部のみを浸食するエッチング液中に浸漬するか、または、エッチングガス中に放置することにより、第２内部電極を形成してもよい。

また、素子本体の側面における第１外部電極と第２外部電極の、素子本体の主軸方向の長さを、ほぼ等しく形成してもよい。

本発明に係る電子素子は、凸状の外観を有する電極と凸以外の形状を有する電極を備えているために、外観から電極の極性識別ができる。凸設された内部電極は、電子素子を構成する素子本体の一面全体に導電性材料で被覆部を形成し、エッチング液中またはエッチングガス中でエッチバックするだけで形成できる。よって、電子素子が超小型であっても、煩雑な製造工程や複雑な製造装置を必要とせずに、識別機能を備えた電極を形成することができる。また、エッチバックで電極を形成すると、電極が形成される面の中心と、形成された電極の中心とをほぼ一致させることができるため、電極形成の位置精度も高くなる。また、レーザーマーカ等で方向識別マークを付ける必要もないため、生産工程を簡略化することができ、生産性を向上させることができる。

また、素子本体の側面に形成された各外部電極の電子素子の主軸方向の長さを等しく形成していれば、電子素子を基板上の配線パターンに半田接合する際に、各外部電極への半田の接着面積が等しくなるために、チップ立ちを防止することができる。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電子素子の一例であるダイオード１００の正面図である。図２は、図１に示すダイオード１００のＡ−Ａ’線断面図である。また、図３、図４は、ダイオード１００をアノード側から見た斜視図、及び、カソード側から見た斜視図である。このダイオード１００は、図３に示す寸法Ｄｘ、Ｄｙ、Ｄｚの一例が、それぞれＤｘ＝０．６０ｍｍ、Ｄｙ＝０．３０ｍｍ、Ｄｚ＝０．３０ｍｍ程度の超小型ダイオードである。

ダイオード１００は、図２に示すように、素子本体１２０、アノード内部電極２０１、カソード内部電極２０２、アノード外部電極１０１、及び、カソード外部電極１０２を備えている。また、素子本体１２０は、２極半導体部２１０と絶縁部１０３とを備えている。２極半導体部２１０は、Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とで構成されている。

Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とは、ＰＮ接合面２０７を境界として、四角柱状の２極半導体部２１０の主軸方向に隣接して配置されている。絶縁部１０３は、樹脂等の絶縁材料で形成されており、２極半導体部２１０の側面を一様な厚みで覆っている。アノード内部電極２０１は、素子本体１２０の一方の端面であるＰ型半導体部２０５の露出面（以下、この面をアノード電極面２０８という）の全面に形成されている。また、カソード内部電極２０２は、素子本体１２０の他方の端面であるＮ型半導体部２０６の露出面（以下、この面をカソード電極面２０９という）の一部に凸設されている。アノード電極面２０８とカソード電極面２０９は、同一の形状と大きさになっている。

アノード内部電極２０１とカソード内部電極２０２は、例えば金属のように導電率が高い導電性材料で形成されている。カソード内部電極２０２は、カソード電極面２０９上に凸設されていることが識別できる程度の厚み及び径で形成されている。

アノード外部電極１０１は、図２に示すように、アノード内部電極２０１が形成されてなる端部と、アノード電極面２０８近傍の素子本体１２０の側面とを、その形状に沿うように覆っている。同様に、カソード外部電極１０２は、カソード内部電極２０２が形成されてなる端部と、カソード電極面２０９近傍の素子本体１２０の側面をその形状に沿うように覆っている。アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２は、いずれも一様な厚みで形成されている。図１に示すように、アノード外部電極１０１及びカソード外部電極１０２のうち凸部の土台部分は、径Ｄｚで形成されている。また、カソード外部電極１０２の凸部は、径Ｄｃで形成されている。また、アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２の、素子本体１２０の側面における素子本体１２０の主軸方向の長さは、同じ長さＤａになっている。

次に、図５を用いてダイオード１００の製造方法を説明する。まず、図５（ａ）に示すように、Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とでなる２極半導体部２１０の側面を樹脂材料で覆うことにより、絶縁部１０３を形成する。これにより形成された素子本体１２０の端面のうち、Ｐ型半導体部２０５の露出面がアノード電極面２０８、Ｎ型半導体部２０６の露出面がカソード電極面２０９になる。

次に、図５（ｂ）に示すように、アノード電極面２０８とカソード電極面２０９とに、同一金属材料でそれぞれアノード内部電極２０１及び、被覆部５０２を形成する。図５（ｂ）に示す仕掛り状態のダイオードを、仕掛かりダイオード５１０と呼ぶ。アノード内部電極２０１及び被覆部５０２は、真空蒸着、スパッタリング、メッキ、Ａｇペースト、金属板をＡｇペーストするなど、どのような方法で形成してもよい。

次に、仕掛かりダイオード５１０の被覆部５０２をエッチング液に浸漬し、エッチバックすることによって、カソード内部電極２０２を形成する。図５（ｃ）に示す仕掛り状態のダイオードを、仕掛かりダイオード５２０と呼ぶ。図５（ｂ）を用いて説明した工程において形成する被覆部５０２の厚みは、図５（ｃ）に示す工程でエッチングされる厚みを考慮して決めておくとよい。

最後に、図５（ｄ）に示すように仕掛かりダイオード５２０の両端部に、それぞれアノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２とを形成する。アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２とは、蒸着等どのような方法で形成してもよい。なお、上述のように、アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２は、素子本体１２０の側面における、素子本体１２０の主軸方向の長さ（幅）が同じ長さＤａになるように形成する。アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２のうち素子本体１２０の側面に形成された部分は、ダイオード１００を基板へ実装する際に半田を付着させる部分である。よって、長さＤａが等しければ、半田材料の付着面積が等しくなるため、ダイオード１００を基板上に半田付けする際にチップ立ちが発生するおそれがない。

なお、カソード内部電極２０２を形成するためのエッチング液が、素子本体の主要部である２極半導体部２１０に悪影響を及ぼす可能性がある場合には、カソード内部電極２０２の外径が２極半導体部２１０の径よりも大きくなるように、つまり２極半導体部２１０が露出しない程度にエッチングを行うとよい。また、２極半導体部２１０が露出しない程度にエッチングを行う場合にも、カソード内部電極２０２の外径とカソード電極面２０９の外径の違いを外観から識別できるまで被覆部５０２をエッチングできるよう、絶縁部１０３の厚みを決めておくとよい。

図５（ｃ）に示した仕掛かりダイオード５２０の端面のうち、アノード内部電極２０１が形成されてなる端面は平面になっている。一方、カソード内部電極２０２が形成されてなる端部は凸状になっている。よって、一様な厚みの導電性材料でアノード内部電極２０１およびカソード内部電極２０２を被覆することによりアノード外部電極１０１及びカソード外部電極１０２を形成すれば、外観の違いから極性を識別することができる。

本実施形態に係る電子素子の製造方法であれば、エッチング液に浸漬するだけで内部電極を凸設できる。図５（ｃ）を用いて説明した製造工程で行われるエッチングでは、被覆部５０２の外周側のどの位置からも一様に浸食が進む。よって、図６に側面図で示すように、カソード電極面２０９の外周からカソード内部電極２０２の外周までの距離ｄは、いずれの位置でもほぼ等しくなり、カソード内部電極２０２とカソード電極面２０９とはその中心が同一の相似形になる。このように、本発明の電子素子の製造方法によれば、位置合わせ等を行うことなく、また、電極が形成される面が小さい場合にも、面の中心に精度よく識別部を兼ねた電極を形成することができる。したがって、形成する電子素子が超小型であっても、煩雑な製造工程や複雑な製造装置を必要とせずに、識別機能を備えた電極を形成することができる。また、レーザーマーカ等で方向識別マークを付ける必要もないため、生産工程を簡略化することができ、生産性を向上させることができる。

また、素子本体１２０の側面に形成された各外部電極における、素子本体１２０の主軸方向の長さを等しく形成していれば、電子素子を基板上の配線パターンに半田接合する際に、各外部電極への半田材料の接着面積が等しくなり、チップ立ちを防止することができる。

なお、図５（ｂ）に示す製造工程において、アノード内部電極２０１と被覆部５０２とを別の材料で形成し、被覆部５０２のみを浸食するエッチング液を選択しておけば、仕掛かりダイオード５１０の全体をエッチング液に浸漬してエッチングを行うことも可能である。同様に、被覆部５０２の材料を選択するなどして被覆部５０２のみがエッチングされるよう工夫をしている場合には、ドライエッチングでカソード内部電極２０２を形成することも可能である。なお、本実施形態においてカソード電極側を凸状の外観を有するよう形成したが、アノード電極側を凸状に形成してもよい。

なお、図３、図４等に示したダイオード１００は四角柱（直方体）であるが、ダイオード１００の形状は柱形状であればよく、四角柱以外の角柱や円柱であってもよい。また、上記実施形態においては、ダイオードを例に説明したが、本発明に係る電子素子は、異なる面に電極又は端子が形成された電子素子であればダイオード以外の電子素子であってもよい。

（第２の実施形態）
図7は、本発明の第２の実施形態に係る電子素子の別な例であるダイオード７００の断面図である。このダイオード７００の外観は、第１の実施形態で説明し、図１、図３、図４に示したダイオード１００と同じである。また、図7に示すダイオード７００は、図１のＡ−Ａ’線断面に相当する面における断面図である。ダイオード７００の構成要素のうち、第１の実施形態で説明した構成要素と同じ構成要素には、同一番号を付して説明を省略する。

ダイオード７００は、素子本体１２０、接着部７０５、絶縁部７０３、アノード内部電極７０１、カソード内部電極２０２、アノード外部電極１０１、及び、カソード外部電極１０２で構成されている。絶縁部７０３と絶縁部１０３とは、同一材料で形成されて一体になっている。

アノード内部電極７０１は、２極半導体部２１０の一方の表面上に導電性の接着部７０５を介して形成されている。接着部７０５は、導電性のシートやＡｇペーストなどである。

絶縁部７０３は、アノード電極面２０８上の接着部７０５及びアノード内部電極７０１の周囲に形成されている。アノード電極面２０８は、アノード内部電極７０１と絶縁部７０３によってその全面が被覆されている。また、絶縁部７０３とアノード内部電極７０１とは、それぞれの表面がほぼ同一平面になるように形成されている。

次に、図８を用いてダイオード７００の製造方法を説明する。まず、図８（ａ）に示すように、２極半導体部２１０のＰ型半導体部２０５の端面に接着部７０５を介してアノード内部電極７０１を形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、２極半導体部２１０の側面とアノード内部電極７０１の周辺に樹脂等で絶縁部１０３及び絶縁部７０３を一体形成する。これにより形成された仕掛かりダイオード８１０のＮ型半導体部２０６の露出面が、カソード電極面２０９である。

次に、図８（ｃ）に示すようにカソード電極面２０９上に被覆部５０２を形成して、仕掛かりダイオード８２０を形成する。被覆部５０２は、真空蒸着、スパッタリング、メッキ、Ａｇペーストなど、どのような方法で形成してもよい。

次に、図８（ｄ）に示すように、被覆部５０２をエッチング液に浸漬しエッチバックすることによって、カソード内部電極２０２を形成する。図８（ｄ）に示す仕掛り状態のダイオードを、仕掛かりダイオード８３０と呼ぶ。

この後、仕掛かりダイオード８３０の両端部にそれぞれ、アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２とを形成する。アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２とは、例えば蒸着等どのような方法で形成してもよい。なお、基板への表面実装される際に半田材料の接着面積が等しくなるよう、アノード外部電極１０１とカソード外部電極１０２の素子本体１２０の側面を覆う幅を同じ長さＤａで形成しておくとよい。

図８（ｄ）に示した仕掛かりダイオード８３０の端面のうち、アノード内部電極２０１が形成されてなる端面は平坦になっている。一方、カソード内部電極２０２が形成されてなる端部は凸状になっている。

本実施形態のように、アノード電極面２０８の表面外周部に被覆部５０２のエッチング液では浸食されない材料の絶縁部７０３を設けておけば、仕掛かりダイオード８２０の全体がエッチング液に触れても絶縁部７０３の外径が変化しない。よって、アノード内部電極７０１とカソード内部電極２０２とを同じ材料で形成している場合にも、仕掛かりダイオード８２０の全体をエッチング液に浸漬することができる。また、ドライエッチングによって凸状のカソード内部電極２０２を形成してもよい。ただし、全体をエッチング液に浸漬等した場合には、アノード内部電極７０１の表面は浸食されるので、図９に示すダイオード９００のように、アノード側の端面には凹部９５０が形成される。

本実施形態の電子素子の製造方法によれば、エッチング液に浸漬するか、又はエッチングガス中に放置するだけで識別部を兼ねた電極を形成できる。よって、煩雑な工程や装置を必要とせずに、その外観から極性の識別が可能な小型ダイオードを製造できる。

本発明の電子素子とその製造方法は、識別機能を兼ねた電極を備えた、ダイオード等の小型素子として利用することができる。

本発明の第１の実施形態に係る電子素子の一例であるダイオードの正面図 図１に示すダイオードのＡ−Ａ’線断面図 図１に示すダイオードの斜視図 図１に示すダイオードの別な斜視図 図１に示すダイオードの製造方法の一例を説明するための図 カソード電極面に形成されたカソード内部電極の平面図 本発明の第２の実施形態に係る電子素子の一例であるダイオードの断面図 図７に示すダイオードの製造方法を説明するための図 第２の実施形態に係る電子素子の別な例であるダイオードの断面図 従来のダイオードの断面図

符号の説明

１００ ダイオード
１０１ アノード外部電極
１０２ カソード外部電極
１０３ 絶縁部
２０５ Ｐ型半導体部
２０６ Ｎ型半導体部
２０７ ＰＮ接合面
２０８ アノード電極面
２０９ カソード電極面
１２０ 素子本体
２０１ アノード内部電極
２０２ カソード内部電極
２１０ ２極半導体部

Claims (13)

1. 外観から極性の識別が可能な電子素子であって、
   柱形状の素子本体と、
   前記素子本体の一方の端面である第１面上に形成された第１内部電極と、
   前記素子本体の他方の端面である第２面上の一部に形成された第２内部電極と、
   ほぼ一様な厚みを有し、前記第１内部電極が形成された端部と前記素子本体の側面の一部とをその形状に沿って覆う第１外部電極と、
   ほぼ一様な厚みを有し、前記第２内部電極が形成された端部と前記素子本体の側面の一部とをその形状に沿って覆い、凸状部を有することによって前記第１外部電極とは形状が異なる第２外部電極とを備え、
   前記素子本体の側面における前記第１外部電極と前記第２外部電極の、前記素子本体の主軸方向の長さが等しいことを特徴とする、電子素子。
2. 前記第２内部電極は、エッチング処理により前記第２面上の一部に凸設されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子素子。
3. 前記第１内部電極は、前記第１面の全面に、表面が平坦になるよう形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の電子素子。
4. 前記第１内部電極は、前記第１面の一部に、表面が平坦になるよう形成されており、前記第１面の残余部分は、前記第１内部電極の厚み以上の厚みを有する絶縁性材料で覆われていることを特徴とする、請求項１に記載の電子素子。
5. 前記素子本体は、
   異なる導電型を有する２つの半導体部を主軸方向に隣接して配置することにより形成される２極半導体部と、
   前記２極半導体部の側面を覆う、絶縁性材料で形成された絶縁部とを含む、請求項１に記載の電子素子。
6. 外観から極性識別が可能な電子素子の製造方法であって、
   柱形状の素子本体の一方の端面である第１面に導電性材料で第１内部電極を形成する第１内部電極形成ステップと、
   前記素子本体の他方の端面である第２面の全面を導電性材料で被覆することにより、被覆部を形成する被覆部形成ステップと、
   前記被覆部をエッチングすることにより、前記第２面上に第２内部電極を凸設する第２内部電極形成ステップと、
   前記第１内部電極が形成されている端部と前記素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第１外部電極を形成する第１外部電極形成ステップと、
   前記第２内部電極が形成されている端部と前記素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第２外部電極を形成する第２外部電極形成ステップとを備えた、電子素子の製造方法。
7. 前記第１内部電極形成ステップにおいて、前記第１内部電極を前記第１面の全面に表面が平坦になるように形成することを特徴とする、請求項６に記載の電子素子の製造方法。
8. 異なる導電型を有する２つの半導体部を主軸方向に隣接して配置することにより形成される２極半導体部の側面を絶縁性材料で覆うことにより、前記素子本体を形成する素子本体形成ステップをさらに備えた、請求項６に記載の電子素子の製造方法。
9. 外観から極性識別が可能な電子素子の製造方法であって、
   異なる導電型を有する２つの半導体部を主軸方向に隣接して配置することにより形成される２極半導体部の一方の端面に、導電性材料で第１内部電極を形成する第１内部電極形成工程と、
   前記２極半導体部の側面と前記第１内部電極の周辺とを絶縁性材料によって覆うことにより、第１内部電極付きの素子本体を形成する素子本体形成ステップと、
   前記素子本体の、前記２極半導体部の他方の端面が露出している面の全面を導電性材料で被覆することにより、被覆部を形成する被覆部形成ステップと、
   前記被覆部をエッチングすることにより、第２内部電極を凸設する第２内部電極形成ステップと、
   前記第１内部電極が形成されている端面と前記素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第１外部電極を形成する第１外部電極形成ステップと、
   前記第２内部電極が形成されている端部と前記素子本体の側面の一部とを、ほぼ一様な厚みの導電性材料で覆うことにより、第２外部電極を形成する第２外部電極形成ステップとを備えた、電子素子の製造方法。
10. 前記第２内部電極形成ステップにおいて、前記第１内部電極と前記被覆部とを異なる材料で形成した仕掛かり状態の電子素子の全体を、前記被覆部のみを浸食するエッチング液中に漬浸するか又はエッチングガス中に放置することにより、前記第２内部電極を形成することを特徴とする、請求項６に記載の電子素子の製造方法。
11. 前記第２内部電極形成ステップにおいて、前記第１内部電極と前記被覆部とを異なる材料で形成した仕掛かり状態の電子素子の全体を前記被覆部のみを浸食するエッチング液中に浸漬するか又はエッチングガス中に放置することにより、前記第２内部電極を形成することを特徴とする、請求項９に記載の電子素子の製造方法。
12. 前記素子本体の側面における前記第１外部電極と前記第２外部電極の、前記素子本体の主軸方向の長さを、ほぼ等しく形成することを特徴とする、請求項６に記載の電子素子の製造方法。
13. 前記素子本体の側面における前記第１外部電極と前記第２外部電極の、前記素子本体の主軸方向の長さを、ほぼ等しく形成することを特徴とする、請求項９に記載の電子素子の製造方法。
    

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