JP2005216625A - Organic electroluminescent element and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機EL発光素子およびその製造方法に関し、より詳細には、長期にわたり安定した発光特性を維持する有機EL発光素子およびその製造方法に関する。 The present invention relates to an organic EL light-emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to an organic EL light-emitting device that maintains stable light emission characteristics over a long period of time and a method for manufacturing the same.
有機ELディスプレイにおける電極構成には、TFT(薄膜トランジスタ)を用いたアクティブマトリックス駆動方式やパッシブマトリックス駆動方式がある。これらの方式のうち、パッシブマトリックス駆動方式は、電極構成が単純であるため安価に製造できるという利点を有している。 As an electrode configuration in the organic EL display, there are an active matrix driving method using a TFT (thin film transistor) and a passive matrix driving method. Among these methods, the passive matrix driving method has an advantage that it can be manufactured at low cost because the electrode configuration is simple.
パッシブマトリックス駆動方式において、高画素数、高精細のパネルを形成するためには、XYマトリックス電極構造を構成する電極(走査電極および信号電極)の数を増加させることが必要となる。一定フレーム周波数においてパッシブマトリックス駆動を行う場合、各画素は、1本の走査電極に割り当てられる期間だけ電圧が印加され、発光する。この期間は、走査電極数の逆数であるデューティ比で定義される(デューティ比=1/走査電極数)ため、走査電極数に逆比例して減少する。従って、デューティ比1/100のディスプレイにおいて100Cd/m2の面輝度が要求される場合、各画素は10,000Cd/m2の輝度で発光することが必要となる。このような輝度を得るためには画素に流れる電流を大きくする必要があるが、一般に、有機発光素子は電流量を大きくすると、輝度半減時間などで示される画像表示の信頼性が低下する傾向がある。 In the passive matrix driving method, in order to form a high-definition panel with a high number of pixels, it is necessary to increase the number of electrodes (scanning electrodes and signal electrodes) constituting the XY matrix electrode structure. When passive matrix driving is performed at a constant frame frequency, each pixel emits light when a voltage is applied for a period assigned to one scan electrode. Since this period is defined by a duty ratio that is the reciprocal of the number of scan electrodes (duty ratio = 1 / number of scan electrodes), the period decreases in inverse proportion to the number of scan electrodes. Accordingly, when a surface luminance of 100 Cd / m 2 is required in a display with a duty ratio of 1/100, each pixel needs to emit light with a luminance of 10,000 Cd / m 2 . In order to obtain such luminance, it is necessary to increase the current flowing through the pixel. In general, when the amount of current is increased in the organic light emitting device, the reliability of image display indicated by the luminance half-life tends to decrease. is there.
パッシブマトリックス駆動方式の液晶表示装置においてデューティ比を大きくする手法として、(1)信号電極をパネル上下で分割し、パネル上下を独立に駆動する方法、(2)1本の走査電極に対し2本の信号電極を櫛歯状に配置し、隣接する2個の画素を構成する方法、(3)同一基板内で下部信号線上の一部に絶縁膜を設け、その上にさらに上部信号線を重畳して配列することにより信号電極を上部と下部で個別駆動する方法、が知られている。さらに、これらの方法を組み合わせた方法も知られている(例えば、特許文献1参照)。これらの方法によれば、電圧を同時に印加できる走査線数を多くすることにより、デューティ比を大きくすることができる。 As a method of increasing the duty ratio in a liquid crystal display device of a passive matrix driving system, (1) a method in which signal electrodes are divided at the top and bottom of the panel and the panel is driven independently, and (2) two for one scanning electrode. (3) An insulating film is provided on a part of the lower signal line in the same substrate, and an upper signal line is further superimposed thereon. Thus, there is known a method in which signal electrodes are individually driven in an upper part and a lower part by arranging them. Furthermore, a method combining these methods is also known (see, for example, Patent Document 1). According to these methods, the duty ratio can be increased by increasing the number of scanning lines to which a voltage can be applied simultaneously.
有機発光素子においても、上述の(1)および(2)の方法を組み合わせた方法が既に知られている(例えば、特許文献2〜5参照)。 Also in an organic light emitting element, a method in which the above methods (1) and (2) are combined is already known (see, for example, Patent Documents 2 to 5).
上述の(1)および(2)の技術は、1本の走査電極に2本以上の信号電極を櫛歯状に配置するものであるが、配置される全画素の電極を絶縁しなければならず、製造時の歩留まりが低下することが想定される。さらには、走査電極に流れる電流が画素の数の増加に従い大きくなるため、走査側の駆動ICを通常のICより数倍の電流を流せるものに対応させる必要がある。 In the techniques (1) and (2) described above, two or more signal electrodes are arranged in a comb shape on one scanning electrode. However, the electrodes of all the pixels to be arranged must be insulated. Therefore, it is assumed that the manufacturing yield is reduced. Furthermore, since the current flowing through the scanning electrode increases as the number of pixels increases, it is necessary to make the driving IC on the scanning side correspond to one that can pass a current several times that of a normal IC.
また、上述の(3)に類似した方法が、例えば特許文献6に開示されている。この技術は特許文献1に記載される方法に類似している点がある。即ち、特許文献6に記載の技術は、パネルを複数のサブパネル領域に分割することを特徴とし、このように分割することで、第1電極がパネル面内で上下方向に複数に分割される。また、この特許文献の信号電極は、第1バス電極と、これに電気的に接続される透光性物質である第1電極とにより構成され、配線を立体的に構成することも開示されている。また、この製造方法として、第1電極を形成した後に、第1バスラインを形成する方法が記述されている。
Further, a method similar to the above (3) is disclosed in Patent Document 6, for example. This technique is similar to the method described in
しかし、この特許文献に記載のような方法で走査電極を分割すると、分割数が増加するに従い走査電極に直交するバスライン数が分割数に比例して増加し、バスライン電極間のスペースが狭くなる。これは、パターンニング不良による隣接バスライン間で短絡不良を発生する確率が高くなり、製造時の歩留まりが低下するという問題がある。 However, when the scan electrodes are divided by the method described in this patent document, the number of bus lines orthogonal to the scan electrodes increases in proportion to the number of divisions as the number of divisions increases, and the space between the bus line electrodes is narrowed. Become. This increases the probability that a short circuit failure will occur between adjacent bus lines due to a patterning failure, resulting in a decrease in manufacturing yield.
さらに特許文献6に記載の方法に従って走査電極を分割して駆動すると、パネルの点灯時に分割された各領域の境界において輝度が急峻に変化し、目視で電極の境界が認識されてしまうという問題がある。 Furthermore, when the scan electrodes are divided and driven according to the method described in Patent Document 6, the luminance changes sharply at the boundaries between the regions divided when the panel is turned on, and the electrode boundaries are visually recognized. is there.
加えて、特許文献6に記載の方法では、高精細なパネルでは外部駆動回路と接続するための電極ピッチが100μmよりも小さくなる。基板間の接続に用いられるフレキシブルプリント基板では、導電部の細線化が難しいという問題もある。 In addition, in the method described in Patent Document 6, the electrode pitch for connecting to the external drive circuit is smaller than 100 μm in a high-definition panel. In the flexible printed circuit board used for the connection between the substrates, there is a problem that it is difficult to make the conductive portion thin.
パッシブマトリックス駆動方式では、デューティ比を大きくするという第1の課題と、パッシブマトリックス駆動方式の電極を、歩留まりを低下させることなく簡便に形成するという第2の課題を同時に達成する必要がある。加えて、電極の形成では、表示部分の電極のみでなく、電極の引き出し部や接続部を含めた、電極部の簡便な形成が求められる。特に、高精細で長期にわたって安定した駆動のできる有機EL発光素子を得るためには上記課題を同時に達成する必要がある。さらに、電極を分割して形成する場合、電極を形成する際の位置合わせ等による問題、例えば領域ごとに発行面積が異なることなどにも対応する必要が生じる。 In the passive matrix driving method, it is necessary to simultaneously achieve the first problem of increasing the duty ratio and the second problem of simply forming the passive matrix driving electrode without reducing the yield. In addition, in the formation of the electrodes, not only the electrodes in the display portion but also the simple formation of the electrode portions including the electrode lead portions and connection portions is required. In particular, in order to obtain an organic EL light-emitting element that can be driven with high definition and stable over a long period of time, it is necessary to simultaneously achieve the above-described problems. Further, when the electrode is divided and formed, it is necessary to cope with a problem due to alignment when forming the electrode, for example, a different issue area for each region.
しかし、これまでは、上記の技術的課題を全て達成する有効で具体的な方法は知られていない。 However, until now, no effective and specific method for achieving all the above technical problems has been known.
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、高精細で長期にわたり安定した発光特性を維持する有機EL発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL light-emitting device that maintains high-definition and stable light-emitting characteristics over a long period of time and a method for manufacturing the same.
本発明は以下に示す有機EL発光素子およびその製造方法により解決される。
本発明の第1は有機EL発光素子に関する。第1の実施形態では、該素子は支持基板上に設けられた第1電極と、該第1電極に直交して対向配置された第2電極と、これら第1電極と第2電極間に配置された有機EL層とを含む有機EL発光素子であって、前記第1電極が、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される第1電極部からなり、前記バス電極と第1電極とが複数の接続部によって接続されており、第1電極の複数の領域がそれぞれ独立して駆動される。本発明では、前記第1電極部の複数のバス電極が絶縁膜により絶縁されていることが好ましい。さらに前記バス電極が絶縁膜と交互に積層されており、前記絶縁膜はバス電極と第1電極が接続される接続部に開口部を有していてもよい。本発明では、前記バス電極と第1電極とが、前記絶縁膜上の複数の接続孔からなる接続部、または、絶縁膜から突出したバス電極の複数の突出部からなる接続部により接続されていることを特徴とする。
特に本発明では、バス電極が異なる材料で形成されることが好ましい。
The present invention is solved by the following organic EL light-emitting device and manufacturing method thereof.
The first of the present invention relates to an organic EL light emitting device. In the first embodiment, the element is arranged between a first electrode provided on a support substrate, a second electrode arranged to be orthogonal to the first electrode, and between the first electrode and the second electrode. An organic EL light emitting device including the formed organic EL layer, wherein the first electrode is divided into a plurality of regions and connected to a plurality of corresponding bus electrodes in each of the plurality of regions. The bus electrode and the first electrode are connected by a plurality of connecting portions, and the plurality of regions of the first electrode are driven independently. In the present invention, it is preferable that the plurality of bus electrodes of the first electrode portion are insulated by an insulating film. Further, the bus electrodes may be alternately laminated with insulating films, and the insulating films may have openings at connection portions where the bus electrodes and the first electrodes are connected. In the present invention, the bus electrode and the first electrode are connected by a connection portion including a plurality of connection holes on the insulating film, or a connection portion including a plurality of protrusion portions of the bus electrode protruding from the insulating film. It is characterized by being.
In particular, in the present invention, it is preferable that the bus electrodes are formed of different materials.
本発明の第2は有機EL発光素子の製造方法に関する。この方法は、支持基板上に、複数の領域に分割され、該複数の領域のそれぞれで対応する複数のバス電極と接続される複数に分割された第1電極を形成する工程と、有機EL層および第2電極を形成する工程とを含む、有機EL発光素子の製造方法であって、前記第1電極を形成する工程が、(1)支持基板上に第1電極と接続するための複数の接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、(2)対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第1電極を形成する工程とを含む。本発明の製造方法の第2の実施形態は、前記第1電極を形成する工程が、(1)支持基板上に第1電極と接続するための複数の接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、(2)前記バス電極の接続部以外であって、前記バス電極の少なくとも一部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、(3)対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第1電極を形成する工程とを含む。本発明の第3の実施形態では、前記第1電極を形成する工程が、(1)支持基板上に第1電極と接続するための複数の接続部を有する1または複数のバス電極を形成する工程と、(2)バス電極の接続部以外であって、前記バス電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、(3)前記(1)および(2)の工程を繰り返し、必要な複数のバス電極を形成する工程と、(4)対応する複数のバス電極のみに接続部で接続するように、分割された第1電極を形成する工程とを含む。特に本発明では、接続部が、絶縁膜上の複数の接続孔からなる接続部、または、絶縁膜から突出したバス電極の複数の突出部からなる接続部となるようにバス電極または絶縁膜を形成する。本発明では、絶縁膜は、複数に分割された第1電極の各領域で均等になるように形成されることが好ましい。 The 2nd of this invention is related with the manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting element. The method includes: forming a first electrode divided into a plurality of regions divided into a plurality of regions and connected to a plurality of corresponding bus electrodes in each of the plurality of regions; an organic EL layer; And a step of forming a second electrode, wherein the step of forming the first electrode comprises: (1) a plurality of connections for connecting to the first electrode on a support substrate; Forming a plurality of bus electrodes having connecting portions; and (2) forming a first electrode divided so as to be connected to only the corresponding plurality of bus electrodes by the connecting portions. In the second embodiment of the manufacturing method of the present invention, the step of forming the first electrode includes: (1) forming a plurality of bus electrodes having a plurality of connecting portions for connecting to the first electrode on a support substrate; And (2) a step of forming an insulating film so as to cover at least a part of the bus electrode other than the connection portion of the bus electrode, and (3) the connection only to a plurality of corresponding bus electrodes. Forming a divided first electrode so as to be connected at a portion. In the third embodiment of the present invention, the step of forming the first electrode includes (1) forming one or a plurality of bus electrodes having a plurality of connection portions for connecting to the first electrode on the support substrate. A step, (2) a step of forming an insulating film so as to cover the bus electrode, except for the connection portion of the bus electrode, and (3) repeating the steps (1) and (2) to obtain the necessary plural Forming a bus electrode, and (4) forming a first electrode divided so as to be connected to only a plurality of corresponding bus electrodes at a connection portion. In particular, in the present invention, the bus electrode or the insulating film is provided so that the connecting portion is a connecting portion formed of a plurality of connecting holes on the insulating film or a connecting portion formed of a plurality of protruding portions of the bus electrode protruding from the insulating film. Form. In the present invention, the insulating film is preferably formed to be uniform in each region of the first electrode divided into a plurality.
本発明では、バス電極が異なる材料で形成されることが好ましい。さらに本発明では、色変換フィルタを含む有機EL発光素子およびその製造方法を包含する。 In the present invention, the bus electrodes are preferably formed of different materials. Furthermore, the present invention includes an organic EL light emitting device including a color conversion filter and a method for manufacturing the same.
本発明のその他の特徴および効果は以下の本発明の説明で明らかになるであろう。 Other features and advantages of the present invention will become apparent from the following description of the invention.
本発明によれば、第1電極が複数に分割され、これが第1バス電極から第nバス電極にそれぞれ接続される。このような構成にすることにより、第1電極と第2電極との間に設けられる有機発光層のうち、各領域に対応して位置する有機発光層部分が、互いに独立して駆動されることとなるので、パッシブマトリックス駆動方式で求められるデューティ比を大きくすることができる。また、本発明では第1電極部の配列も、歩留まりを低下させることなく簡便に形成できる。このため、長期の駆動安定性を確保することができる。このように本発明は、デューティー比を大きくすることと、歩留まりを低下させることなく、電極を簡便に形成することの2つの課題を同時に達成することができる。さらに、本発明の電極構造を有する有機EL発光素子は、高精細で、長期にわたって安定した発光特性を維持することができる。また、本発明の有機EL発光素子の製造方法では、上記2つの
課題を達成できる有機EL発光素子の提供が可能となる。
According to the present invention, the first electrode is divided into a plurality of parts, which are connected from the first bus electrode to the nth bus electrode, respectively. By adopting such a configuration, among the organic light emitting layers provided between the first electrode and the second electrode, the organic light emitting layer portions positioned corresponding to the respective regions are driven independently of each other. Therefore, the duty ratio required in the passive matrix driving method can be increased. In the present invention, the arrangement of the first electrode portions can be easily formed without reducing the yield. For this reason, long-term driving stability can be ensured. As described above, the present invention can simultaneously achieve the two problems of increasing the duty ratio and simply forming the electrodes without reducing the yield. Furthermore, the organic EL light-emitting device having the electrode structure of the present invention can maintain high-definition and stable light emission characteristics over a long period of time. In addition, according to the method for manufacturing an organic EL light emitting device of the present invention, it is possible to provide an organic EL light emitting device that can achieve the above two problems.
さらに、本発明によれば、絶縁膜を均等に形成することで、発光面積を均質化することができる。 Furthermore, according to the present invention, the light emitting area can be homogenized by uniformly forming the insulating film.
以下に図面を参照しながら本発明を説明する。
本発明はパッシブマトリックス駆動方式の有機EL発光素子であって、その第1電極の構造に特徴を有する有機EL発光素子に関する。本発明の有機EL発光素子はパッシブマトリックス駆動方式であれば特に限定されないが、例えば図1に示す構造の有機EL発光素子を挙げることができる。図1(a)および(b)は、それぞれ、積層タイプのいわゆるボトムエミッション型およびトップエミッション型パッシブマトリックス駆動方式の有機EL発光素子であり、図1(c)は、貼り合わせタイプのトップエミッション型パッシブマトリックス駆動方式の有機EL発光素子である。
The present invention will be described below with reference to the drawings.
The present invention relates to a passive matrix driving type organic EL light emitting device, and relates to an organic EL light emitting device characterized by the structure of the first electrode. The organic EL light-emitting device of the present invention is not particularly limited as long as it is a passive matrix driving method, and examples thereof include an organic EL light-emitting device having a structure shown in FIG. FIGS. 1A and 1B are stacked type so-called bottom emission type and top emission type passive matrix driving type organic EL light emitting elements, respectively, and FIG. 1C is a bonded type top emission type. It is an organic EL light emitting element of a passive matrix drive system.
具体的には、図1(a)に示される有機EL発光素子10は、ガラス、セラミックスあるいはポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート等を材料とする支持基板102の上に、ブラックマトリックス108と、例えば赤、緑、青の染料または顔料からなる色変換フィルタ層(蛍光変換フィルタ層)110が備えられている。この上には、これらの色変換フィルタ層を覆う平坦化層112が設けられている。この上にパッシベーション層114が設けられ、この面上に、色変換フィルタ層の各々に対応する第1電極104が備えられている。ここで、平坦化層112、パッシベーション層114は後述するように種々の高分子膜、無機膜などから作製することができる。
Specifically, an organic EL
第1電極104の上には、これらの電極を覆う有機EL層116(例えば、図1(d)に示されるように、正孔注入層124、正孔輸送層126、有機発光層128、電子注入層130など)が積層される。この有機EL層116上には第2電極106が設けられている。なお、この有機EL発光素子は、図示しない封止部材により封止されている。
On the
図1(b)に示される有機EL発光素子20は、支持基板102の上に、第1電極104が備えられている。第1電極104の上には、これらの電極を覆う、例えば上記のような有機EL層116が積層され、この有機EL層116上には第2電極106が設けられている。第2電極106上には、パッシベーション層114aが設けられる。パッシベーション層114a上には、ブラックマトリックス108と、例えば赤、緑、青の染料または顔料からなる色変換フィルタ層(蛍光変換フィルタ層)110が備えられている。この有機EL発光素子は、図示しない封止部材により封止されている。なお、色変換フィルタ層110上には、これらを覆うパッシベーション層114bを設けてもよい。
The organic EL
図1(c)に示される有機EL発光素子30は、支持基板102上に形成された第1電極104と、上述のような有機EL層116と、第2電極106を含む有機EL発光素子と、別途透明基板118上に設けられた、ブラックマトリックス108、例えば赤、緑、青の染料または顔料からなる色変換フィルタ層(蛍光変換フィルタ層)110と、平坦化層112b、パッシベーション層114bを備えた色変換フィルタ基板とを外周封止層120を介して対向して貼り合わせたものである。なお、上記有機EL発光素子はパッシベーション層114aを設けてもよい。
An organic EL
なお、本明細書において、支持基板上に形成される第1電極、有機EL層および第2電極を合わせて発光部と称する。また、本明細書では、上述のように有機EL層は、少なくとも有機発光層少なくとも含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および/または電子注入層を含有するものである。 In this specification, the first electrode, the organic EL layer, and the second electrode formed on the support substrate are collectively referred to as a light emitting unit. In the present specification, as described above, the organic EL layer includes at least an organic light emitting layer, and contains a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer as necessary. It is.
本発明の有機EL発光素子の主要な構成要素の材料などは従来の通りであるが、例えば、有機発光層として青色から青緑色の発光を得るためには、例えば、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリデン系化合物などが好ましく使用される。本発明の有機EL発光素子は第1電極部の配列に特徴を有する。従って有機EL発光素子の材料などは従来のものを用いることができるが、その概略は、必要に応じて以下で説明する。 The materials of the main constituent elements of the organic EL light emitting device of the present invention are the same as the conventional ones. For example, in order to obtain blue to blue light emission as the organic light emitting layer, for example, benzothiazole type, benzimidazole type Fluorescent brighteners such as benzoxazole, metal chelated oxonium compounds, styrylbenzene compounds, and aromatic dimethylidene compounds are preferably used. The organic EL light emitting device of the present invention is characterized by the arrangement of the first electrode portions. Accordingly, conventional materials can be used for the organic EL light emitting device, but the outline thereof will be described below as necessary.
図1の例では、色変換フィルタを含む多色有機EL発光素子を例に挙げたが、本発明は、色変換フィルタを含まない、いわゆるモノクロの有機EL発光素子も包含する。 In the example of FIG. 1, a multicolor organic EL light emitting element including a color conversion filter is taken as an example, but the present invention also includes a so-called monochrome organic EL light emitting element that does not include a color conversion filter.
本発明のパッシブマトリックス駆動方式の有機EL発光素子は、図2に示されるように透明基板102上の複数列の第1の電極104と、第1電極と交差する複数列の第2の電極106が設けられる。図2は、ボトムエミッション型のパッシブマトリックス駆動方式の有機EL発光素子を支持基板102から見た図である(ただし、色変換フィルタ、バス電極などは省略した)。なお、図2には、有機発光層を含む有機EL層116、第1電極104と第2電極106との交差領域で構成される画素202、この画素202が複数個配列することにより形成される表示部分204が示されている。第1電極および第2電極を表示部から基板周囲へ延長して形成した接続部分を介して、外部駆動回路と表示部とを接続することにより、表示装置が構成される。本発明では、この第1電極およびこれに付随する構成要素の構造に特徴を有する。以下に図面を参照して電極構造を詳細に説明するが本発明はこれに限定されない。
As shown in FIG. 2, the passive matrix driving type organic EL light emitting device of the present invention includes a plurality of rows of
図3に本発明の有機EL発光素子の第1電極の構造の概略を示す。図3(a)はこの第1電極の一部分の平面図である。図3(b)および(c)は、それぞれ、図3(a)のa−a’位置での断面図およびb−b’位置での断面図を表す。なお、以下の説明で参照する図面は、第1電極の構成のみを説明する目的から、カラーフィルタ層や色変換層を含めた本発明の有機EL発光素子の他の構成要素は省略した。また、支持基板上に色変換フィルタを形成する場合には、カラーフィルタ層や色変換層、および、これらの層の上に設けられた平坦化層やパッシベーション層などを一体的に、「第1電極基板」とよぶこととする。以下の明細書では、煩雑を避けるため、主にボトムエミッション型有機EL発光素子について説明する。従って、支持基板上に設けられる第1電極は、上述した第1電極基板の主表面に接して設けられることとなる。しかしながら、本発明は上述のようにパッシブ駆動方式であればどのような光放出形態であってもよい。 FIG. 3 schematically shows the structure of the first electrode of the organic EL light emitting device of the present invention. FIG. 3A is a plan view of a part of the first electrode. FIGS. 3B and 3C show a cross-sectional view at the a-a ′ position and a cross-sectional view at the b-b ′ position in FIG. 3A, respectively. In the drawings referred to in the following description, the other components of the organic EL light emitting device of the present invention including the color filter layer and the color conversion layer are omitted for the purpose of explaining only the configuration of the first electrode. In the case of forming a color conversion filter on a support substrate, a color filter layer, a color conversion layer, a planarization layer, a passivation layer, and the like provided on these layers are integrally formed as “first It will be referred to as an “electrode substrate”. In the following specification, a bottom emission type organic EL light emitting element will be mainly described in order to avoid complexity. Therefore, the first electrode provided on the support substrate is provided in contact with the main surface of the first electrode substrate described above. However, the present invention may have any light emission form as long as it is a passive drive system as described above.
図3(a)に示されるように、第1電極部は、第1電極基板の上に設けられた表示部306と外部駆動回路との接続部308、引き出し部310とから構成されている。なお、本明細書において、第1電極部とは、第1電極、絶縁膜、バス電極(表示部、引き出し部および外部駆動回路との接続部を含む)を含む第1電極周辺の構造の総称である。表示部306は、複数の領域A1〜An(nは1以上の整数である。)を有している。この複数の領域には、それぞれ、分割された第1電極104n(nは1以上の整数である。)と、その各々に接続される複数のバス電極302n(nは1以上の整数である。)がある。複数の領域には、並列に第1電極が形成されている(例えば、A1の領域には分割された第1電極104n(n=1)が並列に形成されている。)。バス電極302nは、それぞれ、引き出し部310を介して外部駆動回路との接続部308から外部駆動回路へ接続される。このように、本発明では、第1電極104は複数の領域に分割され、それぞれ対応する複数のバス電極により外部駆動回路に接続される。本発明ではバス電極302は絶縁膜304n(nは1以上の整数である。)により絶縁される。この様子を図3(b)および(c)に示す。なお、本発明の有機EL発光素子では、第1電極の分割される領域は、2または3(即ち、n=2または3)であることが好ましい。
As shown in FIG. 3A, the first electrode unit includes a display unit 306 provided on the first electrode substrate, a connection unit 308 between the external drive circuit, and a lead-out unit 310. In this specification, the first electrode portion is a generic name for the structure around the first electrode including the first electrode, the insulating film, and the bus electrode (including the display portion, the lead portion, and the connection portion with the external drive circuit). It is. The display unit 306 has a plurality of regions A 1 to An (n is an integer of 1 or more). Each of the plurality of regions includes a divided first electrode 104 n (n is an integer of 1 or more) and a plurality of bus electrodes 302 n (n is an integer of 1 or more) connected to each of the divided electrodes. There is.) The plurality of regions, the first electrode is formed in parallel (e.g., the
図3(a)〜(c)を参照して、本発明の第1電極部の構造をさらに詳細に説明する。第1バス電極302n(n=1)は第1電極基板上の領域A1〜Anまで延びている。第1電極104n(n=1)は、領域A1に並列に設けられており、それぞれ接点S1において第1バス電極302n(n=1)に接している。第1バス電極302n(n=1)との絶縁をとるため、領域A2〜Anまで少なくとも第1バス電極上に絶縁膜304n(n=2)が設けられる。図3(a)では、領域A2〜Anの全面に絶縁膜を形成する例を示した。この絶縁膜上に第2バス電極302n(n=2)が、領域A2〜Anまで延びている。第1電極104n(n=2)は、領域A2に並列に設けられており、それぞれ接点S2において第2バス電極302n(n=2)に接している。このような構造が順次領域Anまで繰り返され、図3に示す本発明の有機EL発光素子の第1電極部が配列される。なお、本発明において、バス電極と絶縁膜の接点は、図3に示されるように1つの開口部により形成されていてもよく、あるいは、複数の接続点(例えば、後に詳述するような絶縁膜に設けた複数の接続孔またはバス電極を櫛形に形成し、絶縁膜から突出するようにしたものなど)を設けてもよい。前記開口部や接続孔は、第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる電導性の金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれていてもよい。
With reference to FIGS. 3A to 3C, the structure of the first electrode portion of the present invention will be described in more detail. The first bus electrode 302 n (n = 1) extends to the
本発明では、バス電極の配列、第1電極とバス電極の接続部の形状、絶縁膜を設ける部分はバス電極間の絶縁不良を起こさず、効率的に第1電極へ電流を供給でき、デューティー比を高めることができるものであれば特に限定されない。図4にバス電極、第1電極とバス電極の接続部の形状、絶縁膜の組み合わせの一例を示したが、本発明はこれに限定されない。図4は、複数に分割された1本の第1電極の部分のみを示し、煩雑を避けるため、図4(l)にのみ符号を付した。 In the present invention, the arrangement of the bus electrodes, the shape of the connection portion between the first electrode and the bus electrode, and the portion where the insulating film is provided can efficiently supply current to the first electrode without causing an insulation failure between the bus electrodes. There is no particular limitation as long as the ratio can be increased. Although FIG. 4 shows an example of the bus electrode, the shape of the connection portion between the first electrode and the bus electrode, and the combination of the insulating films, the present invention is not limited to this. FIG. 4 shows only a portion of the first electrode divided into a plurality of parts, and in order to avoid complication, only the reference numeral is attached to FIG.
本発明では、バス電極の配列は、図4(a)〜(c)、(i)および(j)に示されるように、積層型であってもよく、図4(d)〜(f)および(k)に示されるように並列型であってもよく、または図4(g)、(h)および(l)に示されるように積層型と並列型を併用したものであってもよい。また、バス電極は引き出し部および外部駆動回路との接続部まで延びているが、これらの形状を後述する絶縁膜と併せて、後に詳述するような所定の形態に形成することで、バス電極間の短絡を防止することが可能となり、本発明の有機EL発光素子の歩留まりを向上させつつ簡便に第1電極部を形成することが可能となる。また、バス電極間の短絡の防止は、長期の安定した駆動を確保するためにも重要である。さらに、例えば、図4(i)〜(l)に示すように、絶縁膜をバス電極上とその近傍部分に設ける場合であって、nが2であるようなケースでは、1の絶縁膜を形成し、複数の接続部を形成することが好ましい。このようにすることで、電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。なお、このような例を後に詳述する。 In the present invention, the arrangement of the bus electrodes may be a stacked type as shown in FIGS. 4 (a) to (c), (i) and (j), and FIGS. And may be a parallel type as shown in (k), or may be a combination of a stacked type and a parallel type as shown in FIGS. 4 (g), (h) and (l). . In addition, the bus electrode extends to the connection portion with the lead portion and the external drive circuit. By forming these shapes in combination with an insulating film to be described later into a predetermined form as will be described later, the bus electrode is formed. It becomes possible to prevent a short circuit between them, and it is possible to easily form the first electrode portion while improving the yield of the organic EL light emitting device of the present invention. In addition, prevention of a short circuit between the bus electrodes is important to ensure long-term stable driving. Further, for example, as shown in FIGS. 4I to 4L, in the case where the insulating film is provided on the bus electrode and in the vicinity thereof, and n is 2, the insulating film of 1 is provided. Preferably, a plurality of connection portions are formed. By doing so, the wiring structure of the electrodes becomes constant, and when the first electrode portion is formed by photolithography, the problem that the light emission area of the divided region of the first electrode is different due to the alignment accuracy is improved. Can do. Such an example will be described in detail later.
本発明では、バス電極の材料としては、Ag、Cu、Al,Mo,Cr,Ni,W等の金属やこれらの金属の合金を用いることができる。 In the present invention, metals such as Ag, Cu, Al, Mo, Cr, Ni, and W, and alloys of these metals can be used as the bus electrode material.
バス電極302nは、引き出し部から離れた箇所(即ちn=1に近づく箇所)へ設けるにつれて比較的電気抵抗の低い材料(例えば、Ag、Cu、またはこれらの合金)を用い、引き出し部に近い箇所へ設けるにつれて比較的電気抵抗の高い材料(Cr、Ni、Mo、Wなど)を用いることにより各バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることができる。また、バス電極302nは、引き出し部から離れた箇所へ設けるにつれてバス電極の幅および/または膜厚を大きくとり、引き出し部に近い箇所へ設けるにつれてバス電極の幅および/または膜厚を小さくとることにより各バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることもできる。このようにすることで、バス電極間の配線抵抗による電圧降下の値を各領域Anでほぼ等しくすることができ、各領域の輝度の差を解消することができる。
The
絶縁膜は図4(a)〜(h)に示されるように第1電極基板上のA1から所定の領域Anまでの全面であって、バス電極302nと第1電極104nの接続部S1、および、外部駆動回路との接続部を除いた全面に形成することができる。また、図4(i)〜(l)のようにバス電極上とその近傍部分であって、バス電極302nと第1電極104nの接続部Snと外部駆動回路との接続部を除いた部分に形成することが可能である。本発明では、絶縁膜を例えば引き出し部など特定の箇所にも形成することによりバス電極間の短絡を防止することが可能となり、本発明の有機EL発光素子の歩留まりを向上させつつ簡便に第1電極部を形成することが可能となる。また、本発明では、絶縁膜は、表示部306で均等に形成することが好ましい。このように形成することで、電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
Insulating film is an entire surface of the A 1 on the first electrode substrate as shown in FIG. 4 (a) ~ (h) to a predetermined area A n, connection of the
バス電極が積層型の場合、絶縁膜はバス電極数に応じて複数層形成するが、並列型の場合、複数層の絶縁膜を設ける他に、第1電極基板上に複数のバス電極を全てパターンニングし、その上に所定の接続部を形成した一層の絶縁膜を設けることもできる。このような場合、接続部は、1つの開口部より形成されていてもよいし、複数の接続孔のような複数の開口部からなっていてもよい。 When the bus electrode is a stacked type, a plurality of insulating films are formed according to the number of bus electrodes. When the bus electrode is a parallel type, in addition to providing a plurality of insulating films, all the plurality of bus electrodes are formed on the first electrode substrate. It is also possible to provide a single insulating film which is patterned and has a predetermined connection portion formed thereon. In such a case, the connection part may be formed from one opening part, and may consist of several opening parts like several connection holes.
絶縁膜は、バス電極間を絶縁する機能と、接続が意図される分割された第1電極とバス電極以外の、第1電極都バス電極間を絶縁する機能と、バス電極上に形成される有機EL層との絶縁(例えば有機EL層の正孔注入層への正孔の注入を防ぐ)機能を有する。 The insulating film is formed on the bus electrodes and has a function of insulating between the bus electrodes, a function of insulating the first electrode capital bus electrodes other than the divided first electrode and the bus electrode intended for connection, and the bus electrodes. It has a function of insulating from the organic EL layer (for example, preventing injection of holes into the hole injection layer of the organic EL layer).
また、本発明では、絶縁膜は、第1電極基板上の一部に形成される場合や、バス電極と第1電極の接続部の1または複数の開口部などにおいて、絶縁膜の少なくとも側面や端面がテーパー形状に形成されることが好ましい。絶縁膜のテーパー形状の第1電極基板表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜上に形成される第1電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。 In the present invention, the insulating film is formed on a part of the first electrode substrate, or at least one side surface of the insulating film in one or a plurality of openings of the connection portion between the bus electrode and the first electrode. The end surface is preferably formed in a tapered shape. It is preferable to design the inclination angle of the insulating film with the tapered first electrode substrate surface to be 7 ° or more and less than 30 °. This is because the conductivity of the first electrode formed on the insulating film can be sufficiently ensured. Preferably, this angle is not less than 7 ° and less than 10 °.
絶縁膜は、酸化珪素、酸化窒素、酸化窒化珪素および酸化アルミニウムなどの無機酸化物、無機窒化物、これらの混合物やアクリレート等のネガ型のフォトレジスト、ポリイミド材料、ノボラック樹脂を用いることが可能である。本発明ではノボラック樹脂を用いることが好ましい。トップエミッション型の場合、絶縁膜は透明であっても透明でなくてもよいが、ボトムエミッション型の場合には絶縁膜として、例えば酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いる。なお、形成方法としては、フォトリソグラフィ法やリフトオフ法によるパターンニング、ドライエッチング法などの技術が応用可能である。 The insulating film can be made of an inorganic oxide such as silicon oxide, nitrogen oxide, silicon oxynitride, and aluminum oxide, an inorganic nitride, a mixture thereof, a negative photoresist such as acrylate, a polyimide material, or a novolac resin. is there. In the present invention, it is preferable to use a novolac resin. In the case of the top emission type, the insulating film may or may not be transparent, but in the case of the bottom emission type, for example, a material having high light transmittance such as silicon oxide is used as the insulating film. As a formation method, techniques such as patterning by a photolithography method and a lift-off method, and a dry etching method can be applied.
バス電極と第1電極の接続部Snは、図4(a)(b)に代表されるように第1電極の側面402にわたってまたは該側面の一部にのみに形成されていてもよい。また図4(c)および(d)などに代表されるように第1電極の端部404や、該端部の一部に形成されていてもよい。さらには、図4(f)、(h)、(g)に示されるように、第1電極の内部に第1電極の端部と平行に形成されていてもよい。図では、第1電極の端部と平行に第1電極の幅全体に接続部を形成した例を示したが、本発明では、これより短い接続部であってもよい。また、接続部は、第1電極と複数の接続点(例えば接続孔)を有していてもよい。本発明では、バス電極と第1電極の接続部Sは、図4(a)、(c)、(e)〜(l)に示されるように、第1電極の側面または端部方向の第1電極の幅にわたって形成されることが好ましい。このようにすることで第1電極に効率よく電流を供給できる。また、本発明では、後に具体的に説明するように、隣接する第1電極に接続されるバス電極は、隣接する第1電極の端面から等距離に設けることが好ましい。このようにすることで第1電極に効率よく電流を供給できる。さらに、前記接続部は、第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる電導性の金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれていてもよい。
Connection portions S n of the bus electrode and the first electrode may be formed only on a part of or the side surface over the
第1電極は、図3または図4に示されるように、所望の数に分離される。第1電極を複数に分割することで有機EL発光素子のデューティー比を高めることができる。第1電極は陽極または陰極として形成することができる。第1電極を陽極として用いる場合、ボトムエミッション型では第1電極は透明であることが必要であり、ITO、IZOなどの導電性金属酸化物を用いることができる。トップエミッション型の場合も同様の材料を用いることができるが、第1電極は反射機能を持った電極とすることができる。具体的には、IZOなどの代わりに反射率の高いNiやCrを紫外線処理して、仕事関数をIZOなどと同等にする。このようにすることにより正孔の注入ができ、所定の反射性金属を陽極として用いることができる。第1電極を陰極として用いる場合、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物が用いられる。 The first electrodes are separated into a desired number as shown in FIG. 3 or FIG. By dividing the first electrode into a plurality of parts, the duty ratio of the organic EL light emitting element can be increased. The first electrode can be formed as an anode or a cathode. When the first electrode is used as the anode, the bottom emission type requires that the first electrode be transparent, and a conductive metal oxide such as ITO or IZO can be used. The same material can be used in the case of the top emission type, but the first electrode can be an electrode having a reflection function. Specifically, Ni or Cr having a high reflectivity is treated with ultraviolet rays instead of IZO or the like to make the work function equivalent to that of IZO or the like. In this way, holes can be injected and a predetermined reflective metal can be used as the anode. When the first electrode is used as a cathode, an alkali metal such as lithium and sodium, an alkaline earth metal such as potassium, calcium, magnesium and strontium, or an electron injecting metal such as fluoride thereof, and other metals Alloys and compounds are used.
本発明の有機EL発光素子では、第1電極とバス電極が接続されている接続部、バス電極の配線部分は、有機EL発光素子の発光に寄与する開口部以外の領域(例えば、第1電極基板のブラックマトリックスに相当する領域など)にあることが好ましい。 In the organic EL light emitting device of the present invention, the connecting portion where the first electrode and the bus electrode are connected, and the wiring portion of the bus electrode are regions other than the opening contributing to the light emission of the organic EL light emitting device (for example, the first electrode). It is preferable to be in a region corresponding to the black matrix of the substrate.
次に、第1電極部の構造について図面を参照してさらに具体的に説明する。以下の説明では、上記nが2または3の場合を例にとる。 Next, the structure of the first electrode portion will be described more specifically with reference to the drawings. In the following description, the case where n is 2 or 3 is taken as an example.
<第1の実施形態>
第1の実施形態は、バス電極を積層型で形成する例である。
第1の例を図5に示す。第1の例は、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、領域Aのバス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例である。図5(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図5(b)および(c)は、図5(a)のa−a’断面図、およびb−b’断面図である。第1電極(502、504、506)の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第1電極基板の上に設けられた、表示部508と、外部駆動回路との接続部510および引き出し部512とから構成されている。この表示部は、領域A(これらの領域の第1電極を、502A、504A、506A、とする)と領域B(これらの領域の第1電極を、502B、504B、506B、とする)を有し、領域Aには、図5(b)の断面図に示すように、第1電極基板514の主表面に設けられた第1バス電極516の上に、絶縁膜520を介して第2バス電極518が設けられ、さらに、この第2バス電極518上に第1電極(502A、504A、506A)が設けられている。また、領域Bには、図5(c)の断面図に示すように、第1電極基板514の表面に設けられた第1バス電極516の上に第1電極(502B、504B、506B)が設けられた構造を有する。図5に示される例では、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の側面522に沿って設けられている。すなわち、第1電極部は、領域Aにおいて、第1の補助配線である第1バス電極516/絶縁膜520/第2の補助配線である第2バス電極518/第1電極(502A、504A、506A)という構造を有し、領域Bにおいては第1の補助配線である第1バス電極516/第1電極(502B、504B、506B)という構造を有する。
<First Embodiment>
The first embodiment is an example in which bus electrodes are formed in a stacked type.
A first example is shown in FIG. In the first example, the first electrode is divided into two regions A and B, and an insulating film is provided near the bus electrode in region A. FIG. 5A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 5B and 5C are cross-sectional views taken along the lines aa ′ and bb ′ of FIG. FIG. Each of the first electrodes (502, 504, 506) corresponds to each emission color of red, green, and blue, and each of these electrodes is provided on the first electrode substrate described above. 508, a
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
本発明では、絶縁膜520の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜520のテーパー形状の第1電極基板514表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜520の上に形成される第1電極(502A、504A、506A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。図6に、絶縁膜520の端部形状と第1電極(502A、504A、506A)の形状を表す断面SEM像を示す。この図に示す例では、絶縁膜520の端部が第1電極基板の主表面となす傾斜角度は7°以上10°未満となっている。
また、図7には、上述の第1電極部の配線部分の断面SEM像である。この図に示すように、第1電極部の第1バス電極516、第2バス電極518、絶縁膜520、第1電極(502、504、506)は第1電極基板上に断線することなく形成されていることがわかる。
In the present invention, at least the
FIG. 7 is a cross-sectional SEM image of the wiring portion of the first electrode portion described above. As shown in this figure, the
次に、第1の例の変形例を図8から図10を用いて説明する。これらの例では、第1バス電極に突出部を設けたり、あるいは絶縁膜に複数の接続孔を設ける。これらの突出部および接続孔の形状および数は任意である。まず、第1の変形例を図8に示す。この例は、第1の例と同様に、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、バス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例であるが、絶縁膜520を領域Aから領域Bまで形成している。図8(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図8(b)、(c)および(d)は、図8(a)のa−a’断面図、b−b’断面図およびc−c’断面図である。 Next, a modification of the first example will be described with reference to FIGS. In these examples, the first bus electrode is provided with a protrusion, or the insulating film is provided with a plurality of connection holes. The shape and number of these protrusions and connection holes are arbitrary. First, a first modification is shown in FIG. In this example, as in the first example, the first electrode is divided into two regions A and B, and an insulating film is provided in the vicinity of the bus electrode. Has formed up to. FIG. 8A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 8B, 8C, and 8D are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. It is b 'sectional drawing and cc' sectional drawing.
この例の第1電極部の構成は、バス電極の構造と絶縁膜の構造を除いて、上記図5で示した第1の例と同じである。図8に示されるように、領域Aでは、第1電極基板514の主表面に設けられた第1バス電極516(この例では、領域Aの第1電極の側面に沿って一部分に形成されている)の上に、絶縁膜520を介して第2バス電極518が設けられ、さらに、この第2バス電極518上に第1電極(502A、504A、506A)が設けられている(図8(a)および(b))。また、領域Bでは、絶縁膜520が、第1電極の側面部で領域Bの端部分まで設けられており、第1バス電極516が第1電極基板514の表面において領域Bの一部まで設けられている(図8(a)、(c)および(d))。ここで、第1バス電極516と第1電極の接続は、第1バス電極に形成された絶縁膜からの突出部822により達成される(図8(a)および(b))。図8に示される例では、絶縁膜は領域Aから領域Bまで第1電極の側面部に沿って設けられている。このように各領域で均一な絶縁膜を形成することにより電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
The configuration of the first electrode portion in this example is the same as that of the first example shown in FIG. 5 except for the structure of the bus electrode and the structure of the insulating film. As shown in FIG. 8, in region A, a
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
この例でも、絶縁膜520の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜520のテーパー形状の第1電極基板514表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜520の上に形成される第1電極(502A、504A、506A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, at least the
次に、図9を参照して、第1の例の第2の変形例について説明する。この例は、第1の変形例と同様に、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、バス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例であり、絶縁膜520を領域Aから領域Bまで形成し、さらに複数の突出部922を設けた第1バス電極516を領域Bの端部近傍まで領域Bの側面に沿って形成している。図9(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図9(b)および(c)は、図9(a)のa−a’断面図およびb−b’断面図である。
Next, a second modification of the first example will be described with reference to FIG. This example is an example in which the first electrode is divided into two regions A and B and an insulating film is provided in the vicinity of the bus electrode, as in the first modification, and the insulating
この例の第1電極部の構成は、第1バス電極の構造と絶縁膜の構造を除いて、上記図5で示した第1の例と同じである。図9に示されるように、領域Aでは、第1電極基板514の主表面に設けられた第1バス電極516の上に、絶縁膜520を介して第2バス電極518が設けられ、さらに、この第2バス電極518上に第1電極(502A、504A、506A)が設けられている(図9(a)および(b))。また、領域Bでは、絶縁膜520が、第1電極の側面部で領域Bの端部分まで設けられており、第1バス電極516が第1電極基板514の表面において領域Bの端部まで設けられている(図9(a)および(c))。ここで、第1バス電極516と第1電極の接続は、第1バス電極に形成された絶縁膜からの複数の突出部922により達成される(図9(a)および(b))。図9に示される例では、絶縁膜は領域Aから領域Bまで第1電極の側面部に沿って設けられている。このように各領域で均一な絶縁膜を形成することにより電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
The configuration of the first electrode portion in this example is the same as that of the first example shown in FIG. 5 except for the structure of the first bus electrode and the structure of the insulating film. As shown in FIG. 9, in the region A, the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
この例でも、絶縁膜520の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜520のテーパー形状の第1電極基板514表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜520の上に形成される第1電極(502A、504A、506A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, at least the
次に、図10を参照して、第1の例の第3の変形例について説明する。この例は、第2の変形例と同様に、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、バス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例であり、絶縁膜520を領域Aから領域Bまで形成し、さらにこの絶縁膜に複数の接続孔1022を設けたことを特徴とする。なお、第1バス電極516は領域Bの端部近傍まで領域Bの側面に沿って形成されており、突出部は有していない。図10(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図10(b)および(c)は、図10(a)のa−a’断面図およびb−b’断面図である。
Next, a third modification of the first example will be described with reference to FIG. This example is an example in which the first electrode is divided into two regions A and B and an insulating film is provided in the vicinity of the bus electrode, as in the second modified example. The insulating
この例の第1電極部の構成は、第1バス電極の構造と絶縁膜の構造を除いて、上記図9で示した第1の例と同じである。図10に示されるように、領域Aでは、第1電極基板514の主表面に設けられた第1バス電極516の上に、絶縁膜520を介して第2バス電極518が設けられ、さらに、この第2バス電極518上に第1電極(502A、504A、506A)が設けられている(図10(a)および(b))。また、領域Bでは、絶縁膜520が、第1電極の側面部で領域Bの端部分まで設けられており、第1バス電極516が第1電極基板514の表面において領域Bの端部まで設けられている(図10(a)および(c))。ここで、第1バス電極516と第1電極の接続は、絶縁膜520に形成された絶縁膜の複数の接続孔(複数の開口部)1022により達成される(図10(a)および(b))。また、第1バス電極516と第1電極の接続は、接続孔に第1電極が埋め込まれることにより達成されてもよく、第1電極とは異なる電導性の金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)を接続孔に埋め込んで、この導電性金属を介して達成されてもよい。図10に示される例では、絶縁膜は領域Aから領域Bまで第1電極の側面部に沿って設けられている。このように各領域で均一な絶縁膜を形成することにより電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
The configuration of the first electrode portion in this example is the same as that of the first example shown in FIG. 9 except for the structure of the first bus electrode and the structure of the insulating film. As shown in FIG. 10, in the region A, the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
この例でも、絶縁膜520の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜520のテーパー形状の第1電極基板514表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜520の上に形成される第1電極(502A、504A、506A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, at least the
次に、第2の例について図11を参照して説明する。第2の例は、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、第1電極基板上の全面に絶縁膜を設ける場合の例である。図11(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図11(b)および(c)は、図11(a)のa−a’断面図、およびb−b’断面図である。第1電極(502、504、506)の各々、およびバス電極の配置は第1の例と同じである。第1バス電極516と第2バス電極518は、絶縁膜520により絶縁されている。絶縁膜520上に第2バス電極518が設けられ、さらに、この第2バス電極518上に領域Aの第1電極(502A、504A、506A)が設けられる。また、領域Bでは、図11(c)の断面図に示すように、第1電極基板514の表面に設けられた第1バス電極516の上に絶縁膜520が設けられており、この絶縁膜には第1電極(502B、504B、506B)が接触できるように、絶縁膜の一部がパターンニングにより除かれている。このように、本発明では、絶縁膜は領域Bにおいて、第1バス電極と第1電極が接触できるように開口部524を有する。第2の例では、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の側面522に沿って設けられている。前記開口部によるバス電極と第1電極の接続は、第1電極が開口部を埋めることで達成されてもよく、第1電極とは異なる電導性の金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)が埋め込まれることで達成されてもよい。
Next, a second example will be described with reference to FIG. The second example is an example in which the first electrode is divided into two regions A and B and an insulating film is provided on the entire surface of the first electrode substrate. FIG. 11A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 11B and 11C are cross-sectional views taken along the lines aa ′ and bb ′ of FIG. FIG. Each of the first electrodes (502, 504, 506) and the arrangement of the bus electrodes are the same as in the first example. The
このように、第2の例では、第1電極部は、領域Aにおいて、第1の補助配線である第1バス電極516/絶縁膜520/第2の補助配線である第2バス電極518/第1電極(502A、504A、506A)という構造を有し、領域Bにおいては第1の補助配線である第1バス電極516/絶縁膜520(ただし、第1電極との接触部を除く)/第1電極(502B、504B、506B)という構造を有する。このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。
Thus, in the second example, in the region A, the first electrode portion includes the
本発明では、絶縁膜は、少なくとも第1電極とバス電極を接続するための接続部でテーパー形状に形成されることが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。 In the present invention, the insulating film is preferably formed in a tapered shape at a connection portion for connecting at least the first electrode and the bus electrode. The tapered shape of the insulating film is preferably designed so that the inclination angle is 7 ° or more and less than 30 °. This is because the conductivity of the first electrode formed on the insulating film can be sufficiently ensured. Preferably, this angle is not less than 7 ° and less than 10 °.
上述のようにバス電極を積層型とする場合、上述の例では、第1電極とバス電極の接続部を第1電極の側面に設ける例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば図12に一例を示すように種々の形状をとることができる(図12は、2つの領域に分割された1本の第1電極の部分のみを示し、煩雑を避けるため、図12(i)にのみ符号を付した。)。特に本発明では、接続部をバス電極の1または複数の突出部、あるいは、絶縁膜上の1または複数の接続孔(開口部)とすることができる。開口部は、第1電極都バス電極を接続するために、第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる電導性の金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれていてもよい。 In the case where the bus electrode is a stacked type as described above, in the above example, the example in which the connection portion between the first electrode and the bus electrode is provided on the side surface of the first electrode is shown, but the present invention is not limited thereto, For example, it can take various shapes as shown in FIG. 12 (FIG. 12 shows only one portion of the first electrode divided into two regions, and FIG. 12 (i ) Is given a sign only.) In particular, in the present invention, the connection portion can be one or a plurality of protruding portions of the bus electrode, or one or a plurality of connection holes (openings) on the insulating film. The opening may be embedded with the first electrode in order to connect the first electrode capital bus electrode, and is embedded with a conductive metal (for example, Cu, Mo, Al, etc.) different from the first electrode. May be.
図12(a)および(f)に代表されるように、接続部は第1電極の角部分に設けられてもよく、図12(b)〜(e)および(g)〜(i)に代表されるように、第1電極の端部(526、528、530、532)に平行に設けられていてもよい。このように平行に接続部を形成する場合、第1電極は、図12(b)、(c)、(d)、(g)および(h)のようにバス電極を覆うように形成してもよく、図12(e)および(i)のようにバス電極を覆わないように形成してもよい。 As represented by FIGS. 12 (a) and (f), the connecting portion may be provided at the corner of the first electrode, as shown in FIGS. 12 (b) to (e) and (g) to (i). As represented, it may be provided in parallel to the end portions (526, 528, 530, 532) of the first electrode. When the connection portions are formed in parallel in this way, the first electrode is formed so as to cover the bus electrode as shown in FIGS. 12B, 12C, 12D, 12G, and 12H. Alternatively, it may be formed so as not to cover the bus electrode as shown in FIGS.
接続部が、第1電極の端部(526、528、530、532)に平行に設けられる場合、接続部は、第1電極の隣接する端面(528、530)から等しい距離(d)で形成されることが好ましい(例えば図12(b)、(e)、(g)または(i)を参照)。距離(d)が同じである限り、接続部は該端部からどの距離に形成されてもよい。このように接続部を形成と、接続部をこのように形成することにより、デューティーを大きくするために上述のように分割駆動した場合でも分割した領域の境界で輝度が急峻に変化することがないので好ましい。 When the connecting portion is provided in parallel to the end portions (526, 528, 530, 532) of the first electrode, the connecting portion is formed at an equal distance (d) from the adjacent end face (528, 530) of the first electrode. (See, for example, FIG. 12 (b), (e), (g) or (i)). As long as the distance (d) is the same, the connecting portion may be formed at any distance from the end portion. By forming the connection portion in this way and forming the connection portion in this way, the luminance does not change sharply at the boundary of the divided regions even when divided driving is performed as described above in order to increase the duty. Therefore, it is preferable.
第1の実施形態では、絶縁膜520は、上述のようにバス電極近傍、第1電極基板上の全面など、種々の位置に設けることができる。また図面としては表していないが、絶縁膜520を例えば領域Aのみに形成してもよい。
In the first embodiment, the insulating
次に第3の例について説明する。第3の例は、図13に示すように第1電極を3つの領域A、BおよびCに分割する例である。
図13(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図13(b)、(c)および(d)は、図13(a)のa−a’断面図、b−b’断面図およびc−c’断面図である。第1電極(502、504、506)の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第1電極基板の上に設けられた、表示部508と、外部駆動回路との接続部510および引き出し部512とから構成されている。この表示部は、領域A(これらの領域の第1電極を、502A、504A、506A、とする)と、領域B(これらの領域の第1電極を、502B、504B、506B、とする)と、領域C(これらの領域の第1電極を、502C、504C、506C、とする)とを有し、絶縁膜がこれらの領域AおよびBにわたって、第1電極部の一部に設けられる。
Next, a third example will be described. The third example is an example in which the first electrode is divided into three regions A, B, and C as shown in FIG.
FIG. 13A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 13B, 13C, and 13D are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. It is b 'sectional drawing and cc' sectional drawing. Each of the first electrodes (502, 504, 506) corresponds to each emission color of red, green, and blue, and each of these electrodes is provided on the first electrode substrate described above. 508, a
領域Aには、図13(b)の断面図に示すように、第1バス電極516が第1電極基板514の主表面に設けられ、これは第1の絶縁膜1004に覆われている。この絶縁膜1004上に第2バス電極518が設けられる。さらに、この第2バス電極518上に第2の絶縁膜520が設けられ、この絶縁膜520上に第3バス電極1002が設けられる。この第3バス電極1002上に第1電極(502A、504A、506A)が設けられている。第1の絶縁膜1004は後述する領域Bまで延びており、第2の絶縁膜520は、領域Aのバス電極近傍に設けられている。第3バス電極1002は領域Aに形成されている。
In the region A, as shown in the cross-sectional view of FIG. 13B, the
領域Bには、図13(c)の断面図に示すように、第1バス電極516が第1電極基板514の主表面に設けられ、これは第1の絶縁膜1004に覆われている。この絶縁膜1004上に第2バス電極518が設けられる。さらに、この第2バス電極518上に第1電極(502B、504B、506B)が設けられている。第1の絶縁膜1004は領域Bのバス電極近傍に設けられている。
In the region B, as shown in the cross-sectional view of FIG. 13C, the
領域Cでは、図13(d)の断面図に示すように、第1電極基板514の表面に設けられた第1バス電極516の上に第1電極(502C、504C、506C)が設けられた構造を有する。図13に示される例では、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の側面522に沿って設けられている。
In the region C, as shown in the cross-sectional view of FIG. 13D, the first electrode (502C, 504C, 506C) is provided on the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第3バス電極1002と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Cにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure includes an organic light-emitting layer (not shown) disposed between the
第3の例においても、第1の絶縁膜1004の少なくとも側面部1006と第2の絶縁膜520の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の第1電極基板514表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極(502、504、506)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in the third example, at least the
次に、第4の例について図14を参照して説明する。第4の例は、第1電極を3つの領域A、BおよびCに分割し、領域AおよびBの全面に絶縁膜を設ける場合の例である。図14(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図14(b)、(c)および(d)は、図14(a)のa−a’断面図、b−b’の断面図およびc−c’断面図である。第1電極(502、504、506)の各々、およびバス電極の配置は第3の例と同じである。領域Aにおいては、図14(b)に示すように、第1バス電極516と第2バス電極518は、領域AおよびBに形成された第1の絶縁膜1102により絶縁されている。この絶縁膜1102上に第2バス電極518が設けられ、さらに、この第2バス電極518上には第2の絶縁膜520が設けられている。この第2の絶縁膜520上には第3バス電極1002が形成され、この第3バス電極上に第1電極(502A、504A、506A)が設けられている。また、領域Bでは、図14(c)に示すように、絶縁膜1102上に第2バス電極518が設けられ、この第2バス電極518上には第1電極(502B、504B、506B)が設けられている。また、領域Cでは、図14(d)に示すように、第1電極基板514の表面に設けられた第1バス電極516の上に第1電極(502C、504C、506C)が設けられている。第4の例では、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の側面522A、522B、522Cに沿って設けられている。
Next, a fourth example will be described with reference to FIG. The fourth example is an example in which the first electrode is divided into three regions A, B, and C, and an insulating film is provided on the entire surfaces of the regions A and B. FIG. 14A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 14B, 14C, and 14D are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. It is sectional drawing of b 'and cc' sectional drawing. Each of the first electrodes (502, 504, 506) and the arrangement of the bus electrodes are the same as in the third example. In the region A, as shown in FIG. 14B, the
なお、第4の例では絶縁膜1102は領域Bまで形成したが、本発明では、絶縁膜は第2の例で説明したような領域AおよびBにわたって設けたように領域AからCにわたって設けてもよい。この場合、領域Cにおいて第1バス電極と第1電極は絶縁膜1102に設けた開口部(図11(A)の524に相当)を介して接続される。また、絶縁膜は、少なくとも、第1電極とバス電極を接続するための接続部でテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
In the fourth example, the insulating
本発明では、上述のように接続部は第1電極の隣接する端面から等距離に設けることが好ましい。従って、第4の例は、図15に示すような構造をとることが好ましい。図15に示されるように、第1バス電極516、第2バス電極518および第3バス電極1003は、各々の第1電極(502A、504A、506Aと、502B、504B、506Bと、502C、504C、506C)の中間の位置に形成されることが好ましい。このような配置では、第1の絶縁膜1102および第2の絶縁膜520はそれぞれ領域Bの中間および領域Cの中間(即ち、第1バス電極および第2バス電極のそれぞれの接続部の位置)まで形成される。バス電極と第1電極の、開口部や接続孔を介しての接続は、第1電極を開口部や接続孔に埋め込むことで実現してもよく、第1電極とは異なる電導性の金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)を埋め込むことで達成してもよい。
In the present invention, as described above, the connecting portion is preferably provided at an equal distance from the adjacent end face of the first electrode. Therefore, the fourth example preferably has a structure as shown in FIG. As shown in FIG. 15, the
図13から図15で示した構造以外にも、例えば先に図12を参照して第1電極を領域AおよびBに分割する例で説明したのと同様に、領域を3分割する場合も種々の構成をとりうる。バス電極、絶縁膜、第1電極の配置などは、図13から図15を参照して説明した内容に基づいて図12の例を3分割する場合に拡張して適用すればよい。 In addition to the structure shown in FIGS. 13 to 15, for example, as described in the example in which the first electrode is divided into the regions A and B with reference to FIG. The configuration can be taken. The arrangement of the bus electrode, the insulating film, the first electrode, and the like may be expanded and applied when the example of FIG. 12 is divided into three based on the contents described with reference to FIGS.
<第2の実施形態>
第2の実施形態は、バス電極を並列型で形成する例である。第1の例を図16に示す。この例は、第1電極を2つの領域A、Bに分割する例である。図16(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図16(b)、(c)および(d)は、それぞれ、図16(a)のa−a’断面図、b−b’の断面図およびc−c’断面図である。図16に示されるように、第1電極部は、第1電極基板の上に設けられた表示部1302と外部駆動回路との接続部1304および引き出し部1306とから構成されている。この表示部1302は、領域Aと領域Bの2つの領域を有している。図16の例では、絶縁膜がこれらの領域にわたって、第1電極部の一部に設けられる。このうち、領域Aには、図16(b)および(c)の断面図に示すように、第1電極基板1308の表面上に第1バス電極1310と第2バス電極1312とが設けられている。第1バス電極は第1電極の間に形成され、第2バス電極は隣接する第1バス電極間に形成される。第1電極(1314A、1316A、1318A)は、第1バス電極1310の上に形成された絶縁膜1320の一部に重なるように、そして第2バス電極と接触するように設けられる。即ち、第2バス電極は第1電極(1314A、1316A、1318A)の一方の端部1322の側で第1電極(1314A、1316A、1318A)と接触する。絶縁膜1320は第1電極間にあり、これに一部重なり、且つ、第1バス電極上を覆うように形成されている。
<Second Embodiment>
The second embodiment is an example in which bus electrodes are formed in parallel. A first example is shown in FIG. In this example, the first electrode is divided into two regions A and B. 16 (a) is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 16 (b), (c) and (d) are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. 16 (a), respectively. It is sectional drawing of bb ', and cc' sectional drawing. As shown in FIG. 16, the first electrode unit includes a
領域Bでは、図16(d)の断面図に示すように、第1電極基板1308の表面上に第1バス電極1310が設けられている。第1バス電極は第1電極の間に形成される。第1電極は(1314B、1316B、1318B)は、第1バス電極1310の上に形成された絶縁膜1320の一部に重なるように設けられる。第1バス電極は第1電極(1314B、1316B、1318B)の一方の端部1328の側で第1電極(1314B、1316B、1318B)と接触する。絶縁膜1320は第1電極間にあり、これに一部重なり、且つ、第1バス電極上を覆うように形成されている。
In the region B, as shown in the cross-sectional view of FIG. 16D, the
本発明では、図16に示したように、バス電極は第1電極の隣接する端部1324、1326から等距離の位置で、第1電極に接続されることが好ましい。これは第1の実施形態で説明した通りである。 In the present invention, as shown in FIG. 16, the bus electrode is preferably connected to the first electrode at a position equidistant from the adjacent ends 1324 and 1326 of the first electrode. This is as described in the first embodiment.
なお、図16(a)では、この第1電極は第1バス電極上に延在しないように設けられているが、本発明では絶縁膜を設けるので第1電極は第1バス電極上に延在して設けることもできる。このような例は図17に示される。このような構造をとると、図17(a)に示されるように第1電極(1314B、1316B、1318B)の角部分に第1バス電極を設ける場合に有効である。 In FIG. 16A, the first electrode is provided so as not to extend on the first bus electrode. However, in the present invention, since the insulating film is provided, the first electrode extends on the first bus electrode. It can also be provided. Such an example is shown in FIG. Such a structure is effective when the first bus electrodes are provided at the corners of the first electrodes (1314B, 1316B, 1318B) as shown in FIG.
この構造の概略を以下に説明する。領域Aでは、図17(b)(図17のa−a’拡大断面図)に示されるように、第1電極(1314A、1316A、1318A)は、2つの第1バス電極1310の間に位置する第2バス電極1312の表面を覆うかたちで接続されている。また、領域Bでは、図17(c)(図17(a)のb−b’拡大断面図)に示すように、第1電極基板1308の表面上に第1バス電極1310が設けられ、この第1バス電極1310の表面を覆うように、第1電極(1314B、1316B、1318B)の角部分が接続されている。なお、図17では、第1バス電極と第2バス電極の線幅が異なる場合を示した。第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様にバス電極は、その材料、または、線幅および/または膜厚を適宜選択して、領域間での輝度のばらつきを防止することが好ましい。
An outline of this structure will be described below. In the region A, as shown in FIG. 17B (aa ′ enlarged cross-sectional view in FIG. 17), the first electrode (1314A, 1316A, 1318A) is located between the two
図17に示される例のように、第1電極は、2つの領域(A,B)を有しており、領域Aにおける第1電極は、交互に配置されかつ互いに離隔されて設けられた複数の第1バス電極1310と複数の第2バス電極1312とを備えている。そして、第1バス電極上は領域Aにおいて絶縁膜1320で被覆されている。また、第2バス電極1312は、接続部SA上で第1電極(1314A、1316A、1318A)と電気的に接続するように直接設けられている。さらに、第1電極(1314A、1316A、1318A)は、絶縁膜1320の上面であって、第1バス電極の設けられた位置まで延在している。
As in the example shown in FIG. 17, the first electrode has two regions (A, B), and the first electrodes in the region A are a plurality of alternately arranged and spaced apart from each other. The
また、領域Bにおける第1の電極は、複数の互いに離隔されて設けられた第1バス電極(1314B、1316B、1318B)を備えており、第1バス電極1310の上全面にはこの第1電極の端部1326側の角部分が電気的に接続するように直接設けられている。
In addition, the first electrode in the region B includes a plurality of first bus electrodes (1314B, 1316B, 1318B) that are spaced apart from each other, and the first electrode is formed on the entire upper surface of the
図16または図17に示す第1電極部は、領域Aにおいては第1電極(1314A、1316A、1318A)が第2バス電極1312に接続され、領域Bにおいて、第1電極(1314B、1316B、1318B)が第1バス電極1310に接続されることとなり、第1電極と第2電極との間に設けられる有機EL層のうち、領域Aに対応した部分と、領域Bに対応した部分が、互いに独立して駆動されることとなる。
16 or 17, the first electrode (1314A, 1316A, 1318A) is connected to the
第1電極とバス電極の接続位置は、第1の実施形態で説明したように種々の位置をとりうる。また接続部の形状も、図16および図17に示すもの以外にも、例えば第1電極の側面に沿った形状など、種々の形状をとりうる。また、図16および図17の例では絶縁膜は、第1電極基板上の一部、特にバス電極上に設けたが、本発明はこれに限定されず、第1電極基板上の全面に形成することができる。また、このようにすると、例えば、第1バス電極上に第1の絶縁膜を設け、この第1の絶縁膜上に第2バス電極を設けることができ、バス電極を段階的に形成することができる。さらに、図16および図17の例以外例でも、絶縁膜の側面部や端面、または絶縁膜の接続部などを形成する部分はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。 The connection position of the first electrode and the bus electrode can take various positions as described in the first embodiment. Further, the shape of the connecting portion can take various shapes other than those shown in FIGS. 16 and 17, such as a shape along the side surface of the first electrode. 16 and 17, the insulating film is provided on a part of the first electrode substrate, particularly on the bus electrode. However, the present invention is not limited to this and is formed on the entire surface of the first electrode substrate. can do. In this case, for example, a first insulating film can be provided on the first bus electrode, and a second bus electrode can be provided on the first insulating film, whereby the bus electrode is formed stepwise. Can do. Further, in the examples other than the examples of FIGS. 16 and 17, it is preferable that the side surface portion and the end surface of the insulating film, or the portion for forming the connecting portion of the insulating film is formed in a tapered shape. The tapered shape of the insulating film is preferably designed so that the inclination angle is 7 ° or more and less than 30 °. This is because the conductivity of the first electrode formed on the insulating film can be sufficiently ensured. Preferably, this angle is not less than 7 ° and less than 10 °.
次に、第1の例の変形例を図18から図20を用いて説明する。これらの例では、第1バス電極に突出部を設けたり、あるいは絶縁膜に複数の接続孔を設ける。これらの突出部および接続孔の形状および数は任意である。まず、第1の変形例を図18に示す。この例は、第1の例と同様に、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、第1バス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例であるが、絶縁膜1320を領域Aから領域Bまで形成している。図18(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図18(b)、(c)および(d)は、図18(a)のa−a’断面図、b−b’断面図およびc−c’断面図である。 Next, a modification of the first example will be described with reference to FIGS. In these examples, the first bus electrode is provided with a protrusion, or the insulating film is provided with a plurality of connection holes. The shape and number of these protrusions and connection holes are arbitrary. First, a first modification is shown in FIG. In this example, as in the first example, the first electrode is divided into two regions A and B, and an insulating film is provided in the vicinity of the first bus electrode. The region B is formed. 18A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 18B, 18C, and 18D are cross-sectional views taken along line aa ′ in FIG. It is b 'sectional drawing and cc' sectional drawing.
この例の第1電極部の構成は、バス電極と第1電極との接続部を第1電極の幅方向にわたって設けていることを除いて、上記図16で示した例と実質同じである。図18に示されるように、領域Aでは、第1電極基板1308の主表面に設けられた第1バス電極1310(この例では、領域Aの第1電極の側面に沿って一部分に形成されている)の上に、絶縁膜1320が設けられ、さらに、この絶縁膜1320と第2バス電極1312を覆うように第1電極(1314A、1316A、1318A)が設けられている(図18(a)および(b))。また、領域Bでは、絶縁膜1320が、第1電極の側面部で領域Bの端部分まで設けられており、第1バス電極1310が第1電極基板1308の表面において領域Bの一部まで設けられている(図18(a)、(c)および(d))。ここで、第1バス電極1310と第1電極の接続は、第1バス電極に形成された絶縁膜からの突出部822により達成される(図18(a)および(b))。図18に示される例では、絶縁膜は領域Aから領域Bまで第1電極の側面部に沿って設けられている。このように各領域で均一な絶縁膜を形成することにより電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
The configuration of the first electrode portion in this example is substantially the same as the example shown in FIG. 16 except that the connection portion between the bus electrode and the first electrode is provided across the width direction of the first electrode. As shown in FIG. 18, in the region A, the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
この例でも、絶縁膜1320の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜1320のテーパー形状の第1電極基板1308表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜1320の上に形成される第1電極(1314A、1316A、1318A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, at least the
次に、図19を参照して、第1の例の第2の変形例について説明する。この例は、第1の変形例と同様に、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、第1バス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例であり、絶縁膜1320を領域Aから領域Bまで形成し、さらに複数の突出部922を設けた第1バス電極1310を領域Bの端部近傍まで領域Bの側面に沿って形成している。図19(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図19(b)および(c)は、図19(a)のa−a’断面図およびb−b’断面図である。
Next, a second modification of the first example will be described with reference to FIG. This example is an example in which the first electrode is divided into two regions A and B and an insulating film is provided in the vicinity of the first bus electrode, as in the first modification. The
この例の第1電極部の構成は、第1バス電極の構造を除いて、上記図18で示した第1の例と同じである。図19に示されるように、第1バス電極1310は、第1電極基板1308の主表面に設けられ(この例では、領域AおよびBの第1電極の側面に沿って領域Bの端部まで形成されている)、この上に、絶縁膜1320を介して第1電極(1314A、1316A、1318A)が設けられている(図19(a)および(b))。また、絶縁膜1320も、第1電極の側面部で領域AからBの端部分まで設けられている(図19(a)および(c))。ここで、第1バス電極1310と第1電極の接続は、第1バス電極に形成された絶縁膜からの複数の突出部922により達成される(図9(a)および(b))。第2バス電極は、領域Aにおいて、絶縁膜1320が設けられていない領域で第1バス電極と平行に領域Aの一部まで設けられ、第1電極の一部と接続されている。図19に示される例では、絶縁膜は領域Aから領域Bまで第1電極の側面部に沿って設けられている。このように各領域で均一な絶縁膜を形成することにより電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
The configuration of the first electrode portion in this example is the same as that of the first example shown in FIG. 18 except for the structure of the first bus electrode. As shown in FIG. 19, the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
この例でも、絶縁膜1320の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜1320のテーパー形状の第1電極基板1308表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜1320の上に形成される第1電極(1314A、1316A、1318A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, at least the
次に、図20を参照して、第1の例の第3の変形例について説明する。この例は、第2の変形例と同様に、第1電極を2つの領域AおよびBに分割し、領域AおよびBのバス電極近傍に絶縁膜を設ける場合の例である。この例は、図20に示されるように、絶縁膜1320を領域Aから領域Bまで形成し、さらにこの絶縁膜に複数の接続孔1022を設けたことを特徴とする。なお、第1バス電極1310は領域Bの端部近傍まで領域Bの側面に沿って形成されており、突出部は有していない。図20(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図20(b)および(c)は、図20(a)のa−a’断面図およびb−b’断面図である。
Next, a third modification of the first example will be described with reference to FIG. In this example, as in the second modification, the first electrode is divided into two regions A and B, and an insulating film is provided in the vicinity of the bus electrodes in the regions A and B. In this example, as shown in FIG. 20, an insulating
この例の第1電極部の構成は、第1バス電極の構造と絶縁膜の構造を除いて、上記図19で示した第1の例と同じである。図20に示されるように、領域Aでは、第1電極基板1308の主表面に設けられた第1バス電極1310(この例では、領域AおよびBの第1電極の側面に沿って領域Bの端部まで形成されている)の上に、絶縁膜1320を介して第1電極が設けられている。第2バス電極1312は絶縁膜1320が設けられていない領域で第1バス電極と平行に領域Aの一部まで設けられ、第1電極(1314A、1316A、1318A)と接続される(図20(a)および(b))。また、領域Bでは、絶縁膜1320が、第1電極の側面部で領域Bの端部分まで設けられており、第1バス電極1310が第1電極基板1308の表面において領域Bの端部まで設けられている(図20(a)および(c))。ここで、第1バス電極1310と第1電極の接続は、絶縁膜1320に形成された絶縁膜の複数の接続孔(複数の開口部)1022により達成される(図20(a)および(b))。図20に示される例では、絶縁膜は領域Aから領域Bまで第1電極の側面部に沿って設けられている。このように各領域で均一な絶縁膜を形成することにより電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なるという不具合を改善することができる。
The configuration of the first electrode portion in this example is the same as that of the first example shown in FIG. 19 except for the structure of the first bus electrode and the structure of the insulating film. As shown in FIG. 20, in the region A, the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、互いに独立して駆動される。 The organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure is an organic light-emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in the region A. (Not shown) and an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode in the region B are independent from each other. Driven.
この例でも、絶縁膜1320の少なくとも側面部521はテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜1320のテーパー形状の第1電極基板1308表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜1320の上に形成される第1電極(1314A、1316A、1318A)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, at least the
次に、第2の例について説明する。第2の例は図21から図23に示すように、第1電極を領域A、BおよびCに3分割する例である。これらの図では、本発明の好ましい形態である、第1電極とバス電極の接続位置は隣接する第1電極の端面から等距離に形成される場合を示した。しかし、本発明では、上記第1の実施形態で説明したように、接続部の位置および形状は種々の形態をとることができる。 Next, a second example will be described. The second example is an example in which the first electrode is divided into three regions A, B, and C as shown in FIGS. In these drawings, a case where the connection positions of the first electrode and the bus electrode, which are preferred embodiments of the present invention, are formed at an equal distance from the end face of the adjacent first electrode is shown. However, in the present invention, as described in the first embodiment, the position and shape of the connection portion can take various forms.
図21の例では、第1バス電極および第2バス電極上の領域A〜Cに絶縁膜を形成する。図21(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図21(b)、(c)、(d)および(e)は、図21(a)のa−a’断面図、b−b’断面図、c−c’断面図およびd−d’断面図である。第1電極(1314、1316、1318)の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第1電極基板の上に設けられた、表示部1302と、外部駆動回路との接続部および引き出し部1304とから構成されている。この表示部は、領域Aと、領域Bと、領域Cとを有し、絶縁膜がこれらの領域にわたって、第1電極部の一部に設けられる。
In the example of FIG. 21, insulating films are formed in regions A to C on the first bus electrode and the second bus electrode. FIG. 21A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 21B, 21C, 21D, and 21E are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line bb ′, a cross-sectional view taken along line cc ′, and a cross-sectional view taken along line dd ′. Each of the first electrodes (1314, 1316, 1318) corresponds to each of red, green, and blue emission colors, and each of these electrodes is provided on the first electrode substrate described above. It comprises a
領域Aには、図21(b)の断面図に示すように、第1バス電極1310および第2バス電極1312が第1電極基板1308の主表面に設けられ、これは絶縁膜1320に覆われている。第3バス電極1330は第1電極基板1308の主表面に設けられる。この第3バス電極1330上に第1電極(1314A、1316A、1318A)が設けられている。絶縁膜1320は領域Aにおいて、第1および第2バス電極近傍に設けられる。第3バス電極は領域Aに形成されている。図21の例では、第3バス電極は絶縁膜で覆われていないが、絶縁膜は第3バス電極の接続部を除く、第3バス電極上を覆っていてもよい。領域Aでは、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部に端面1324と平行に設けられている。
In the region A, as shown in the cross-sectional view of FIG. 21B, the
領域Bでは、図21(c)および(d)の断面図に示すように、第1バス電極1310および第2バス電極1312が第1電極基板1308の主表面に設けられ、これは絶縁膜1320に覆われている。絶縁膜1320はバス電極近傍に設けられている。領域Bでは、絶縁膜1320から第1電極(1314B、1316B、1318B)の中央部位置に延びた第2バス電極と第1電極が接続している(図21(d))。
In the region B, as shown in the cross-sectional views of FIGS. 21C and 21D, the
領域Cでは、図21(e)の断面図に示すように、第1電極基板1308の表面に設けられた第1バス電極1310の上に第1電極(1314C、1316C、1318C)が設けられた構造を有する。領域Cでもバス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部に端面1332と平行に設けられている。
In the region C, as shown in the sectional view of FIG. 21E, the first electrodes (1314C, 1316C, and 1318C) are provided on the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第3バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Cにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
第2の例においても、絶縁膜1320の少なくとも両側面部はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の第1電極基板1308表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極(1314、1316、1318)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
An organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure includes an organic light-emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode (not shown) connected to the third bus electrode in the region A. (Not shown), an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in region B, and The organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode are driven independently of each other.
Also in the second example, it is preferable that at least both side portions of the insulating
次に図22の例を説明する。この例では、絶縁膜1320を第1電極基板上の全面(ただし、バス電極と第1電極の接続部を除く)に設ける。図22(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図22(b)、(c)および(d)は、図22(a)のa−a’断面図、b−b’断面図およびc−c’断面図である。外部駆動回路との接続部・引き出し部、表示部(絶縁膜を除く)、第1電極、第1から第3バス電極の配置は図21の例と同じである。表示部は、領域Aと、領域Bと、領域Cとを有する。
Next, the example of FIG. 22 will be described. In this example, the insulating
領域Aでは、図22(b)の断面図に示すように、第1バス電極1310および第2バス電極1312が第1電極基板1308の主表面に設けられ、これは絶縁膜1320に覆われている。絶縁膜は、領域Aにおいて第1電極基板の全面に形成される。第3バス電極は領域Aに形成される。この第3バス電極1330上に第1電極(1314A、1316A、1318A)が設けられている。図22の例では、第3バス電極は絶縁膜で覆われていない。領域Aでは、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部で、第1電極の端面1324と平行に設けられている。
In the region A, as shown in the cross-sectional view of FIG. 22B, the
領域Bでは、図22(c)の断面図に示すように、第1バス電極1310および第2バス電極1312が第1電極基板1308の主表面に設けられ、これは絶縁膜1320に覆われている。絶縁膜1320は第2バス電極と第1電極の接続部を除いて、第1電極基板の全面に設けられる。領域Bでは、絶縁膜1320の第1電極(1314B、1316B、1318B)の中央部位置に接続部のための開口部が延びており、この開口部で第1電極と第2バス電極が接続している。領域Bでもバス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部で、第1電極の端面1326、1328と平行に設けられている。
In the region B, as shown in the sectional view of FIG. 22C, the
領域Cでは、図22(d)の断面図に示すように、第1電極基板1308の表面に第1バス電極1310と、絶縁膜1320が設けられる。領域Cでは、絶縁膜は第1バス電極と第1電極(1314C、1316C、1318C)との接続部を除いて、第1電極基板上の全面に設けられる。この絶縁膜上に第1電極(1314C、1316C、1318C)が設けられる。領域Cでもバス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部で端面1332と平行に設けられている。
In the region C, as shown in the sectional view of FIG. 22D, the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第3バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Cにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
この例においても、絶縁膜1320は、少なくとも接続部でテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極(1314、1316、1318)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
An organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure includes an organic light-emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode (not shown) connected to the third bus electrode in the region A. (Not shown), an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in region B, and The organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode are driven independently of each other.
Also in this example, the insulating
次に図23の例を説明する。図23の例では、第1の絶縁膜1702と第2の絶縁膜1320の2種類の絶縁膜を用いる。
Next, an example of FIG. 23 will be described. In the example of FIG. 23, two types of insulating films, a first
図23(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図23(b)、(c)、(d)および(e)は、図23(a)のa−a’断面図、b−b’断面図、c−c’断面図およびd−d’断面図である。外部駆動回路との接続部・引き出し部、表示部(絶縁膜を除く)、第1電極、第1から第3バス電極の配置は図21の例と同じである。表示部は、領域Aと、領域Bと、領域Cとを有する。 FIG. 23A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 23B, 23C, 23D, and 23E are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line bb ′, a cross-sectional view taken along line cc ′, and a cross-sectional view taken along line dd ′. The arrangement of the connection / extraction part with the external drive circuit, the display part (excluding the insulating film), the first electrode, and the first to third bus electrodes is the same as the example of FIG. The display unit includes a region A, a region B, and a region C.
領域Aには、図23(b)の断面図に示すように、第1バス電極1310が第1電極基板1308の主表面に設けられ、これは第1の絶縁膜1702に覆われている。絶縁膜1702は、領域Aにおいて第1電極基板上の全面に設けられる。この絶縁膜1702上であって、第1バス電極の近傍に第2バス電極が設けられる。第2バス電極は、第2の絶縁膜1320で覆われており、この絶縁膜1320は、領域Aにおいて第1の絶縁膜1702上の全面に設けられる。第3バス電極1330は第2の絶縁膜1320上に設けられる。この第3バス電極1330上に第1電極(1314A、1316A、1318A)が設けられている。第3バス電極は領域Aに形成される。領域Aでは、バス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部に端面1324と平行に設けられている。
In the region A, as shown in the cross-sectional view of FIG. 23B, the
領域Bでは、図23(c)および(d)の断面図に示すように、第1バス電極1310は第1電極基板1308の主表面に設けられ、これは絶縁膜1702に覆われている。これらの配置などは、領域Aで説明した通りである。絶縁膜1702上で第1バス電極の近傍に第2バス電極1312が設けられる。第2バス電極は領域A〜Bにわたって形成される。この第2バス電極上に第2の絶縁膜1320が設けられる。領域Bで、第2の絶縁膜1320には、第1電極(1314B、1316B、1318B)の中央部位置に接続部のための開口部が設けられており、この開口部を介して第1電極と第2バス電極とが接続している(図23(d))。
In the region B, as shown in the cross-sectional views of FIGS. 23C and 23D, the
領域Cでは、図23(e)の断面図に示すように、第1電極基板1308の表面に設けられた第1バス電極1310の上に第1電極(1314C、1316C、1318C)が設けられた構造を有する。領域Cでは、第1バス電極が領域A〜Cにわたって設けられる。この第1バス電極上で領域Cの第1電極基板上に第1の絶縁膜1702が設けられ、第2の絶縁膜1320が第1の絶縁膜上に設けられている。領域Cでもバス電極と第1電極の接続部は第1電極の中央部に端面1332と平行に設けられている。この接続部は、図23(e)に示されるように、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜の両方を貫くように設けられた開口部に設けられる。
In the region C, as shown in the cross-sectional view of FIG. 23 (e), the first electrodes (1314C, 1316C, 1318C) are provided on the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第3バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Cにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。 An organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure includes an organic light-emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode (not shown) connected to the third bus electrode in the region A. (Not shown), an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in region B, and The organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode are driven independently of each other.
この例においても、絶縁膜1320の、少なくとも接続部が設けられる部分はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状の第1電極基板1308表面となす傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極(1314、1316、1318)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
Also in this example, it is preferable that at least a portion where the connection portion is provided in the insulating
第1電極とバス電極の接続位置は、第1の実施形態で説明したように種々の位置をとりうる。また接続部の形状も、図21から図23に示すもの以外にも、例えば第1電極の側面に沿った形状など、種々の形状をとりうる。また、これらの例でも、絶縁膜の側面部や端面、および、絶縁膜の第1電極とバス電極の接続部などはテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状の傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。 The connection position of the first electrode and the bus electrode can take various positions as described in the first embodiment. Further, the shape of the connecting portion can take various shapes other than those shown in FIGS. 21 to 23 such as a shape along the side surface of the first electrode. Also in these examples, the side surfaces and end surfaces of the insulating film, the connection portion between the first electrode of the insulating film and the bus electrode, and the like are preferably formed in a tapered shape. It is preferable to design the inclination angle of the tapered shape of the insulating film to be 7 ° or more and less than 30 °. This is because the conductivity of the first electrode formed on the insulating film can be sufficiently ensured. Preferably, this angle is not less than 7 ° and less than 10 °.
第2の実施形態においても、開口部(複数の接続孔を設ける場合を含む)を介してバス電極と第1電極を接続する場合は、この開口部は第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる導電性金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれてもよい。 Also in the second embodiment, when the bus electrode and the first electrode are connected via an opening (including a case where a plurality of connection holes are provided), the opening may be embedded with the first electrode. It may be embedded with a conductive metal (for example, Cu, Mo, Al, etc.) different from the first electrode.
<第3の実施形態>
次に第3の実施形態を説明する。第3の実施形態は、バス電極を積層型と並列型を併用して設けるものである。
図24を参照して、第3の実施形態を説明する。図24の例は、第1の絶縁膜1820と第2の絶縁膜1842の2種類の絶縁膜を用いる。また、第1バス電極と第2バス電極を積層型で形成し、第3バス電極をこれらと並列に形成する例である。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the third embodiment, bus electrodes are provided in combination of a stacked type and a parallel type.
A third embodiment will be described with reference to FIG. The example in FIG. 24 uses two types of insulating films, a first
図24(a)は、第1電極部の一部の平面図であり、図24(b)、(c)および(d)は、図24(a)のa−a’断面図、b−b’断面図およびc−c’断面図である。第1電極(1814、1816、1818)の各々は、赤、緑、青の各発光色に対応するもので、これらの電極の各々は、上述の第1電極基板の上に設けられた、表示部1802と、外部駆動回路との接続部1804および引き出し部1806とから構成されている。この表示部は、領域Aと、領域Bと、領域Cとを有する。絶縁膜は、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜が設けられ、第1の絶縁膜が領域Aから領域Cの一部まで、第2の絶縁膜が領域AからBの一部まで設けられる。
FIG. 24A is a plan view of a part of the first electrode portion, and FIGS. 24B, 24C, and 24D are cross-sectional views taken along the line aa ′ in FIG. It is b 'sectional drawing and cc' sectional drawing. Each of the first electrodes (1814, 1816, 1818) corresponds to each emission color of red, green, and blue, and each of these electrodes is provided on the above-described first electrode substrate. It comprises a
領域Aには、図24(b)の断面図に示すように、第1バス電極1810が第1電極基板1808の主表面に設けられ、これは第1の絶縁膜1842に覆われている。絶縁膜1842は、領域Aにおいて第1電極基板上の全面に設けられる。この絶縁膜1842上であって、第1バス電極の上に第2バス電極1812が設けられる。第2バス電極1812は、第2の絶縁膜1820で覆われており、この絶縁膜1820は、領域Aにおいて第1の絶縁膜1842上の全面に設けられる。第3バス電極1830は第2の絶縁膜1820上に設けられる。この第3バス電極1830上に第1電極(1814A、1816A、1818A)が設けられている。第3バス電極は領域Aに形成される。図24の例では、第3バス電極1830は、第1電極の引き出し部1806側で、端面1824と平行に設けられる。
In the region A, as shown in the cross-sectional view of FIG. 24B, the
領域Bでは、図24(c)の断面図に示すように、第1バス電極1810は第1電極基板1808の主表面に設けられ、これは絶縁膜1842に覆われている。これらの配置などは、領域Aで説明した通りである。絶縁膜1842上で第1バス電極の上に第2バス電極1812が設けられる。第2バス電極は領域Aから領域Bの引き出し部1806側まで設けられる。この第2バス電極上に第2の絶縁膜1820が設けられる。領域Bで、第2の絶縁膜1820には、第1電極(1814B、1816B、1818B)の引き出し部側の端面1826近傍に接続部のための開口部が設けられており、この開口部を介して第1電極と第2バス電極とが接続している。
In the region B, as shown in the cross-sectional view of FIG. 24C, the
領域Cでは、図24(d)の断面図に示すように、第1電極基板1808の表面で領域Cの引き出し部側まで設けられた第1バス電極1810の上に第1電極(1814C、1816C、1818C)が設けられた構造を有する。なお、第1バス電極は領域A〜Cにわたって設けられる。図24の例では、第1の絶縁膜は、この第1バス電極の端部1832近傍に設けられた接続部まで、領域Aから形成されている。第1の絶縁膜1842は、第1バス電極1810と第1電極(1814C、1816C、1818C)の接続部において、開口部または切り欠き部を有し、この部分で第1バス電極1810と第1電極(1814C、1816C、1818C)が電気的に接続される。
In the region C, as shown in the cross-sectional view of FIG. 24D, the first electrode (1814C, 1816C) is formed on the
このような構造の第1電極部を備える有機EL発光素子は、領域Aにおける第3バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Bにおける第2バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)と、領域Cにおける第1バス電極に接続された第1電極と第2電極(図示せず)との間に配置された有機発光層(図示せず)とは、それぞれ、互いに独立して駆動される。
この例においても、第1の絶縁膜1842と第2の絶縁膜1820において、少なくとも接続部が設けられる部分はテーパー形状に形成することが好ましい。これら絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極(1814、1816、1818)の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。
An organic EL light-emitting element including the first electrode portion having such a structure includes an organic light-emitting layer disposed between a first electrode and a second electrode (not shown) connected to the third bus electrode in the region A. (Not shown), an organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the second bus electrode in region B, and The organic light emitting layer (not shown) disposed between the first electrode and the second electrode (not shown) connected to the first bus electrode are driven independently of each other.
Also in this example, in the first insulating
第1電極とバス電極の接続位置は、第1の実施形態で説明したように種々の位置をとりうる。また接続部の形状も、図24に示すもの以外にも、例えば第1電極の側面に沿った形状など、種々の形状をとりうる。特に、本実施形態でも、上記第1の実施形態または第2の実施形態で説明したように、バス電極に突出部を設けたり、あるいは絶縁膜に複数の接続孔を設けることができる。突出部および接続孔の形状および数は任意である。第3の実施形態においても、開口部(複数の接続孔を設ける場合を含む)を介してバス電極と第1電極を接続する場合は、この開口部は第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる導電性金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれてもよい。また、これらの例でも、絶縁膜の側面部や端面、および、絶縁膜の第1電極とバス電極の接続部などはテーパー形状に形成することが好ましい。絶縁膜のテーパー形状は傾斜角度は7°以上30°未満となるように設計することが好ましい。これは、絶縁膜の上に形成される第1電極の導電性を充分に確保することができるためである。好ましくはこの角度は7°以上10°未満である。 The connection position of the first electrode and the bus electrode can take various positions as described in the first embodiment. Also, the shape of the connecting portion can take various shapes other than that shown in FIG. 24, such as a shape along the side surface of the first electrode. In particular, also in this embodiment, as described in the first embodiment or the second embodiment, the bus electrode can be provided with a protruding portion, or the insulating film can be provided with a plurality of connection holes. The shape and number of protrusions and connection holes are arbitrary. Also in the third embodiment, when the bus electrode and the first electrode are connected via an opening (including a case where a plurality of connection holes are provided), the opening may be embedded with the first electrode. It may be embedded with a conductive metal (for example, Cu, Mo, Al, etc.) different from the first electrode. Also in these examples, the side surfaces and end surfaces of the insulating film, the connection portion between the first electrode of the insulating film and the bus electrode, and the like are preferably formed in a tapered shape. The tapered shape of the insulating film is preferably designed so that the inclination angle is 7 ° or more and less than 30 °. This is because the conductivity of the first electrode formed on the insulating film can be sufficiently ensured. Preferably, this angle is not less than 7 ° and less than 10 °.
上述した各実施形態においても、絶縁膜は、バス電極間を絶縁する機能と、接続が意図される分割された第1電極およびバス電極以外の、第1電極とバス電極間を絶縁する機能と、バス電極上に形成される有機EL層との絶縁(例えば有機EL層の正孔注入層への正孔の注入を防ぐ)機能を有する。 Also in each of the embodiments described above, the insulating film has a function of insulating between the bus electrodes, and a function of insulating the first electrode and the bus electrode other than the divided first electrode and bus electrode intended to be connected. In addition, it has a function of insulating from the organic EL layer formed on the bus electrode (for example, preventing injection of holes into the hole injection layer of the organic EL layer).
以上説明してきたように、本発明の有機EL発光素子は第1電極を所定の数に分割し、これをバス電極で外部回路と接続することで、分割された領域の第1電極を独立に駆動する。本発明では、有機EL発光素子の第1の電極を素子の中央で走査線方向に2つに分割(即ち、素子の上下方向に2分割)し、かつ、この2分割した第1電極を上記のような所定数に分割することができる。本発明では、このような構成とすることが好ましい。走査線方向に2つに分割された第1電極の端子(バス電極)を上下2方向から取り出し、外部駆動回路へ接続する。 As described above, the organic EL light emitting device of the present invention divides the first electrode into a predetermined number and connects it to an external circuit with the bus electrode, so that the first electrode in the divided region can be independently provided. To drive. In the present invention, the first electrode of the organic EL light-emitting element is divided into two in the scanning line direction at the center of the element (that is, divided into two in the vertical direction of the element), and the divided first electrode is Can be divided into a predetermined number. In the present invention, such a configuration is preferable. A terminal (bus electrode) of the first electrode divided into two in the scanning line direction is taken out from the upper and lower directions and connected to an external drive circuit.
<絶縁膜>
以下に本発明の絶縁膜の形成位置についてバス電極との関係で述べる。本発明では、先に述べてきたように絶縁膜は複数のバス電極間を絶縁するためなどの目的に設けられるが、この目的を達成する限り、有機EL発光素子の外部駆動回路との接続部、引き出し部、表示部の種々の位置に配置することができる。しかし、本発明では、特定の位置に絶縁膜を設けることによりバス電極の短絡防止、バス電極のピッチの確保など、種々の目的を達成することができ、高精細で長期にわたって安定に駆動する有機EL発光素子を得ることができる。また、本発明の絶縁膜は、例えば図8から図10および図18から図20に示したように、表示部において均等に形成されることが好ましい。さらに、絶縁膜には、接続部として複数の接続孔のような開口部を有することができる。接続孔の形状および数は任意である。絶縁膜に設けられる開口部は、第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる導電性金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれてもよい。
<Insulating film>
The position where the insulating film of the present invention is formed will be described below in relation to the bus electrode. In the present invention, as described above, the insulating film is provided for the purpose of insulating between a plurality of bus electrodes. However, as long as this purpose is achieved, the connection portion of the organic EL light emitting element with the external drive circuit is provided. It can be arranged at various positions on the drawer part and the display part. However, in the present invention, by providing an insulating film at a specific position, various purposes such as prevention of short-circuiting of the bus electrodes and securing of the pitch of the bus electrodes can be achieved. An EL light emitting element can be obtained. In addition, the insulating film of the present invention is preferably formed uniformly in the display portion as shown in FIGS. 8 to 10 and FIGS. 18 to 20, for example. Furthermore, the insulating film can have openings such as a plurality of connection holes as connection portions. The shape and number of connection holes are arbitrary. The opening provided in the insulating film may be embedded with the first electrode, or may be embedded with a conductive metal (for example, Cu, Mo, Al, etc.) different from the first electrode.
本発明では、絶縁膜を引き出し部や外部接続回路との接続部などにも設けることにより上記の効果を発揮させることができる。図25および図26は、このような絶縁膜の配設例である。なお、先の図24に示した例も、絶縁膜を引き出し部1806まで形成した例であり、以下に説明する絶縁膜の効果と同一の効果を有する。
In the present invention, the above-described effect can be exhibited by providing an insulating film also in a lead-out portion or a connection portion with an external connection circuit. 25 and 26 are examples of arrangement of such an insulating film. The example shown in FIG. 24 is also an example in which the insulating film is formed up to the
図25および図26は、バス電極都第1電極の配列のパターンの一例をなしており、且つ絶縁膜を引き出し部1904または外部駆動回路との接続部1902の一部分まで形成した一例である。従って、以下の例も上記の実施形態の一部であり、バス電極と第1電極の配列のパターンから生じる本発明の効果を併せ持つ。
FIG. 25 and FIG. 26 show an example of the arrangement pattern of the bus electrode capital first electrode, and an example in which the insulating film is formed up to a part of the
図25(a)は、第1バス電極1916および第2バス電極1918の、第1電極との接続部を第1電極の側面に沿って形成し、絶縁膜を引き出し部1904から領域Bの引き出し部側の部分まで設けた例である。図25(b)は、第1バス電極1916および第2バス電極1918の、第1電極との接続部を第1電極の引き出し部側に設けた例である。この例では、絶縁膜は、接続部で第1電極と第1バス電極または第2バス電極が電気的に接触できるように開口部を設ける。この開口部は、第1電極で埋め込まれてもよく、第1電極とは異なる導電性金属(例えば、Cu、Mo、Alなど)で埋め込まれてもよい。
FIG. 25A shows that the connection portion of the
図25(a)および(b)の例では、第1バス電極上に絶縁膜1914が形成され、この絶縁膜上に第2バス電極1918が形成されている。従って、第1バス電極と第2バス電極は絶縁膜を介して離隔されているため、引き出し部においてバス電極間のピッチは、第1バス電極と第2バス電極を第1電極基板上に並列して設けた場合に比べ、2倍広くとることができる。
In the example of FIGS. 25A and 25B, an insulating
図26(a)は、図25(b)と同様の構成であるが、絶縁膜を、引き出し部と、外部駆動回路との接続部1902の一部分まで形成し、第2バス電極の端部を絶縁膜上にとどめたものである。図26(b)は、絶縁膜を外部駆動回路との接続部1902の一部に形成し、第2バス電極の端部を絶縁膜上にとどめた例である。
FIG. 26A shows the same configuration as FIG. 25B, except that an insulating film is formed up to a part of the
図26(a)および(b)の例では、第1バス電極上に絶縁膜1914が形成され、この絶縁膜上に第2バス電極が形成されている。また、外部駆動回路との接続部も2つの領域(絶縁膜を設けた部分と設けていない部分)に分けられており、接合部を含めてバス電極間ピッチを広くとることができる。従って、隣接したバス電極間でのパターンニング不良による短絡を防止することができる。また、第1バス電極と第2バス電極は絶縁膜を介して離隔されているため、第2バス電極と外部駆動回路のフレキシブルプリント基板との接続に際して、位置ずれがあっても短絡を起こさない。
In the example of FIGS. 26A and 26B, an insulating
図26(c)の例は、図25(b)の絶縁膜を、第1バス電極と第1電極、および第2バス電極と第1電極の接続部、並びに、外部駆動回路の接続部を除いて全面に設けた例である。この場合も絶縁膜は、図25で述べた効果を奏する。 In the example of FIG. 26C, the insulating film of FIG. 25B is formed by connecting the first bus electrode and the first electrode, the second bus electrode and the first electrode, and the external drive circuit connection. This is an example provided over the entire surface. Also in this case, the insulating film has the effects described in FIG.
以上説明した通り、本発明の有機EL発光素子は、第1電極の構成に特徴を有する。この他、本発明の有機EL発光素子は、分割された個々の第1電極の端部を被覆し、かつ、発光領域を規定する目的で絶縁層を形成するようにしてもよい。この場合には、絶縁層として、無機酸化物やアクリレート等のネガ型のフォトレジスト、または、ポリイミド材料を用いることができ、フォトリソグラフィ等の方法でパターンニングを行うことができる。 As described above, the organic EL light emitting device of the present invention is characterized by the configuration of the first electrode. In addition, in the organic EL light emitting device of the present invention, an insulating layer may be formed for the purpose of covering the end of each divided first electrode and defining the light emitting region. In this case, a negative photoresist such as an inorganic oxide or acrylate, or a polyimide material can be used as the insulating layer, and patterning can be performed by a method such as photolithography.
さらに、第1電極と直交する方向であって、第2電極の間の部分に第2電極分離隔壁を形成するようにしてもよい。この場合には、第2電極分離隔壁にはアクリレート等のネガ型のフォトレジストやノボラック樹脂等のネガ型フォトレジストを用いることができる。第2電極分離隔壁は逆テーパー形状を有しており、有機EL層や第2電極のパターンニング機能をもつ。 Furthermore, a second electrode separation partition may be formed in a direction perpendicular to the first electrode and between the second electrodes. In this case, a negative photoresist such as acrylate or a negative photoresist such as novolak resin can be used for the second electrode separation partition. The second electrode separation partition has a reverse taper shape, and has a patterning function for the organic EL layer and the second electrode.
第2電極を目的の形状に成膜するために、その形状に開口部を有するマスクを用いる場合には、上記の第2電極分離隔壁を用いずに有機EL層や第2電極を成膜することができる。 In order to form the second electrode in a desired shape, when using a mask having an opening in the shape, the organic EL layer and the second electrode are formed without using the second electrode separation partition. be able to.
本発明の有機EL発光素子では、領域を2つに分割する場合には、バス電極は、第1バス電極のように引き出し部から離れた箇所まで設置するものに、第2バス電極よりも比較的電気抵抗の低い材料(例えば、Ag、Cu、またはこれらの合金)を使用し、第2バス電極に、これよりも電気抵抗の高い材料(Cr、Ni、Mo、Wなど)を用いることにより配線抵抗をほぼ同一にすることができる。また、領域を3つに分割する場合には、第1および第3バス電極は、上述のような関係とし、第2バス電極をこれらの中間の電気抵抗の材料を用いることにより、バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることができる。さらに、バス電極は、バス電極の幅および/または膜厚を第1バス電極で大きくとり、第2バス電極、第3バス電極となるにつれてバス電極の幅および/または膜厚を順次小さくとることにより各バス電極の配線抵抗をほぼ同一にすることもできる。このようにすることで、バス電極間の配線抵抗による電圧降下の値を各領域でほぼ等しくすることができ、各領域の輝度の差を解消することができる。 In the organic EL light-emitting device of the present invention, when the region is divided into two, the bus electrode is compared to the second bus electrode compared to the first bus electrode, which is installed up to a place away from the lead portion. By using a material having a low electrical resistance (for example, Ag, Cu, or an alloy thereof) and using a material (Cr, Ni, Mo, W, etc.) having a higher electrical resistance for the second bus electrode. The wiring resistance can be made substantially the same. In addition, when the region is divided into three, the first and third bus electrodes have the relationship as described above, and the second bus electrode is made of a material having an intermediate electrical resistance, so that The wiring resistance can be made substantially the same. Further, the bus electrode has a bus electrode width and / or film thickness that is increased by the first bus electrode, and the bus electrode width and / or film thickness is sequentially decreased as the bus electrode becomes the second bus electrode and the third bus electrode. Therefore, the wiring resistance of each bus electrode can be made substantially the same. By doing in this way, the value of the voltage drop by the wiring resistance between bus electrodes can be made substantially equal in each area | region, and the difference in the brightness | luminance of each area | region can be eliminated.
次に、図1に示す本発明の有機EL発光素子の製造方法を説明する。以下では、多色有機EL発光素子を例に取り説明するが、いわゆるモノクロ有機EL発光素子の場合は、色変換フィルタの形成を省略すればよい。また、以下の説明では、第1電極104が陽極であり、第2電極106が陰極である場合を例にとる。
Next, a method for manufacturing the organic EL light emitting device of the present invention shown in FIG. 1 will be described. Hereinafter, a multicolor organic EL light emitting element will be described as an example. However, in the case of a so-called monochrome organic EL light emitting element, the formation of a color conversion filter may be omitted. Moreover, in the following description, the case where the
第1の工程では、色変換フィルタを有する第1電極基板を提供する。本明細書において、色変換フィルタを有する有機EL発光表示素子または多色有機EL発光表示素子とは、少なくとも色変換フィルタと有機発光素子を含む有機EL発光表示素子を意味する。本明細書において色変換フィルタとは、色変換フィルタ層を含み、その他、例えば透明な基板、ブラックマトリックス、平坦化層、パッシベーション層などを任意に含むものである。色変換フィルタ層とはカラーフィルタ、色変換層、およびカラーフィルタと色変換層との積層体の総称である。色変換層は、有機発光層で発光される光を波長分布変換して異なる波長の光として発光するものである。カラーフィルタは、波長分布変換を行わず特定の波長域の光を透過させるものである。また、有機EL発光素子とは、第1電極、有機発光層および第2電極を少なくとも含む有機エレクトロルミネセンス素子を意味する。有機EL発光素子は、いずれの発光色のものを用いることができるが、例えば、青色ないし青緑色領域の光や白色光を発する素子を用いることができる。色変換フィルタと有機EL発光素子の組み合わせとしては、例えば青色ないし青緑色領域の光を発する素子の場合、青色カラーフィルタと、蛍光色素によって緑色領域の光または赤色領域の光に変換する緑色変換フィルタ層および赤色変換フィルタ層を組み合わせることができる。また、白色光を発する素子を用いる場合には、青、緑および赤のカラーフィルタの組み合わせを用いることができるが、カラーフィルタと色変換フィルタの一方または両方を用いることもできる。 In the first step, a first electrode substrate having a color conversion filter is provided. In this specification, the organic EL light-emitting display element or the multi-color organic EL light-emitting display element having a color conversion filter means an organic EL light-emitting display element including at least a color conversion filter and an organic light-emitting element. In this specification, the color conversion filter includes a color conversion filter layer, and additionally includes, for example, a transparent substrate, a black matrix, a planarization layer, a passivation layer, and the like. The color conversion filter layer is a general term for a color filter, a color conversion layer, and a laminate of a color filter and a color conversion layer. The color conversion layer emits light having a different wavelength by converting the wavelength of light emitted from the organic light emitting layer. The color filter transmits light in a specific wavelength range without performing wavelength distribution conversion. Further, the organic EL light emitting element means an organic electroluminescent element including at least a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode. As the organic EL light emitting element, any light emitting color can be used. For example, an element emitting blue or blue-green light or white light can be used. As a combination of a color conversion filter and an organic EL light emitting element, for example, in the case of an element that emits light in a blue to blue-green region, a blue color filter and a green conversion filter that converts the light into green region light or red region light with a fluorescent dye The layer and the red conversion filter layer can be combined. When an element that emits white light is used, a combination of blue, green, and red color filters can be used, but one or both of a color filter and a color conversion filter can also be used.
本発明では、有機発光表示素子は図1を参照して冒頭に述べた通り、ボトムエミッション型、トップエミッション型の何れの方式であってもよく、色変換フィルタを有機発光素子上に積層したものまたは色変換フィルタと有機発光素子を貼り合わせたものなど種々の形態のものである。また、本発明の多色有機EL発光表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式である。本発明では、多色有機発光表示素子の色変換フィルタおよび有機発光素子は、さらに平坦化層やパッシベーション層を含むことができる。なお、図1において、多色有機発光表示素子は、複雑化を避けるため一画素として表したが、もちろん複数画素からなる多色有機発光表示素子であってもよい。 In the present invention, the organic light emitting display element may be any of a bottom emission type and a top emission type as described at the beginning with reference to FIG. 1, and a color conversion filter is laminated on the organic light emitting element. Or it is a thing of various forms, such as what combined the color conversion filter and the organic light emitting element. The multicolor organic EL light emitting display element of the present invention is a passive matrix drive system. In the present invention, the color conversion filter and the organic light emitting device of the multicolor organic light emitting display device may further include a planarization layer and a passivation layer. In FIG. 1, the multicolor organic light emitting display element is shown as one pixel in order to avoid complication, but may be a multicolor organic light emitting display element including a plurality of pixels.
以下に、第1の工程を説明する。本工程の第1の実施形態は、図1(a)のボトムエミッション方式で積層型のパッシブマトリックス型多色有機発光表示素子である。まず、図1(a)の多色有機発光表示素子の製造方法について説明する。この工程では、透明な支持基板102上に、ブラックマトリックス108をパターン形成し、色変換フィルタ110をまず形成する。第1の実施形態では、支持基板102として、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基板などを用いることができる。あるいはまた、ポリマーフィルムを支持基板102として用いてもよい。
Below, a 1st process is demonstrated. 1st Embodiment of this process is a passive matrix type multicolor organic light emitting display element of the laminated type by the bottom emission system of Fig.1 (a). First, a method for manufacturing the multicolor organic light emitting display element of FIG. In this step, the
具体的な製造方法は、例えば黒色の無機層、黒色顔料または黒色染料を樹脂に分散した層等を、例えばコーニング社製のガラスのような透明基板上に、スパッタ法、CVD法、真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート法のようなウエットプロセスにより形成することができ、フォトリソグラフィ法等によりパターンニングしてブラックマトリックス108を形成することができる。次に、染料または顔料を含有したマトリックス樹脂を、ブラックマトリックス108を設けた透明基板102上にスピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィ法などによりパターンニングを行うことにより色変換フィルタ110を形成する。
Specific manufacturing methods include, for example, a black inorganic layer, a layer in which a black pigment or a black dye is dispersed in a resin, and the like on a transparent substrate such as glass made by Corning, for example, sputtering, CVD, vacuum deposition, etc. The
また、例えば、マトリックス樹脂は、光硬化性樹脂または光熱併用型の硬化性樹脂からなる。これを、光および/または熱処理して、ラジカル種やイオン種を発生させて重合または架橋させ、樹脂を不溶不融化させて、色変換フィルタ層を形成する。 Further, for example, the matrix resin is made of a photocurable resin or a photothermal combination type curable resin. This is subjected to light and / or heat treatment to generate radical species and ionic species to be polymerized or crosslinked to insolubilize the resin to form a color conversion filter layer.
色変換フィルタに使用される染料または顔料には有機蛍光色素がある。例えば、有機EL層から発せられる青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、ローダミンB、ローダミン6G、ローダミン3B、ローダミン101、ローダミン110、スルホローダミン、べ一シックバイオレット11、べーシックレッド2などのローダミン系色素、シアニン系色素、1−エチル−2−[4−(p−ジメチルアミノフェニル)−13−ブタジエニル]−ピリジウム−パークロレート(ピリジン1)などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などである。さらに、各種染料(直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など)も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。有機EL層から発せられる青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、3−(2’−ベンゾイミダゾリル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマリン7)、3−(2’−N−メチルベンゾイミダゾリル)−7−N,N−ジエチルアミノクマリン(クマリン30)、2,3,5,6−1H,4H−テトラヒドロ−8−トリフルオロメチルキノリジン(9,9a,1−gh)クマリン(クマリン153)などのクマリン系色素、または、クマリン色素系染料であるべーシックイエロー51、さらにはソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116などのナフタルイミド系色素などである。さらに、各種染料(直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など)も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。なお、本発明に用いることができる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物などに予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料(本明細書中で、前記2つを合わせて有機蛍光色素と総称する)は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために二種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に用いる有機蛍光色素は、色変換フィルタ層に対して、この変換フィルタ層の重量を基準として0.01〜5重量%、より好ましくは0.1〜2重量%の量で含有される。有機蛍光色素の含有量が0.01重量%未満の場合には、十分な波長変換を行うことができず、その含有量が5%を越える場合には、濃度消光等の効果により色変換効率の低下が起こる。これらの成膜条件は、従来の条件を適用すればよい。
Examples of dyes or pigments used in color conversion filters include organic fluorescent dyes. For example, examples of fluorescent dyes that absorb blue to blue-green light emitted from the organic EL layer and emit red light include the following organic fluorescent dyes. That is, rhodamine dyes such as rhodamine B, rhodamine 6G, rhodamine 3B, rhodamine 101,
本発明では、続いて平坦化層112、パッシベーション層114を形成する。これらの形成方法は、例えば、上記の色変換フィルタ層上に、平滑化層を形成するための材料を、スピンコート法等で塗布し、オーブンのような加熱手段でベーキングすることが含まれる。パッシベーション層は、スパッタ法、CVD法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により成膜することができる。平坦化層およびパッシベーション層の材料、膜厚、成膜などの諸条件は従来の通りである。例えば、平坦化層などは、当該技術に知られている任意の材料により形成することができる。好ましくは、無機酸化物または窒化物、あるいはポリイミドまたはアクリル樹脂から形成される。パッシベーション層は、例えば、SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOx等の無機酸化物、無機窒化物等の材料を使用できる。また、パッシベーション層として種々のポリマー材料を用いることができる(例えば、イミド変性シリコーン樹脂、無機金属化合物(TiO、Al2O3、SiO2等)をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料、アクリレートモノマー/オリゴマー/ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂、フッ素系樹脂、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および/または熱硬化性樹脂など)。
In the present invention, subsequently, a
次に、第1電極104を含む第1電極部の作製(第2工程)、並びに、有機発光層116および第2電極106の作製(第3工程)について説明する。
Next, the production of the first electrode portion including the first electrode 104 (second process) and the production of the organic
以下に第1電極部の形成について説明するが、上述のように、本発明の第1電極部は、バス電極、分割された第1電極、絶縁膜から形成される。第1電極部の形成を、図面を参照して具体例に基づいて説明する。以下の説明での具体例は、第1電極が2つの領域AおよびBに分割して形成される場合に関する。以下の具体的な製造工程の説明で参照する図面は、各工程が2つの断面図から構成されており、これらは上部が領域A、下部が領域Bの部分を表す断面図である。なお、2以上に第1電極を分割する場合には、以下に説明する手順を適宜選択して繰り返し適用することで第1電極部を形成することができる。 Hereinafter, the formation of the first electrode portion will be described. As described above, the first electrode portion of the present invention is formed of the bus electrode, the divided first electrode, and the insulating film. The formation of the first electrode portion will be described based on a specific example with reference to the drawings. The specific example in the following description relates to the case where the first electrode is formed by being divided into two regions A and B. In the drawings to be referred to in the following description of specific manufacturing processes, each process is composed of two cross-sectional views, and these are cross-sectional views in which the upper part represents a region A and the lower part represents a region B. In addition, when dividing | segmenting a 1st electrode into two or more, the 1st electrode part can be formed by selecting and repeating and applying the procedure demonstrated below suitably.
まず、積層型でバス電極を形成する場合について、図27および図28を参照して説明する。図27は、図5で説明した積層型の第1電極の製造工程を示すものであり、図28は、図11で説明した積層型の第1電極部の製造工程を示すものである。 First, the case of forming a bus electrode in a stacked type will be described with reference to FIGS. 27 shows a manufacturing process of the stacked first electrode explained in FIG. 5, and FIG. 28 shows a manufacturing process of the stacked first electrode section explained in FIG.
図27の例では、第1電極基板上514に第1バス電極516を形成する。この第1バス電極は、外部駆動回路との接続部から表示部(領域B)まで形成される。この第1バス電極の材料としては、前述の通りAg、Cu、Al,Mo,Cr,Ni,W,Al合金およびこれらの合金等を用いることができる。さらに、第1バス電極は、スパッタ法等の成膜方法により膜形成した後にフォトリソグラフィによりパターンニングを行うことで形成可能であり、リフトオフ法やマスク成膜法等により形成してもよい。
In the example of FIG. 27, the
次に、絶縁膜520を形成する(図27(b))。領域Aのうちの第1バス電極516と第2バス電極518とが立体的に構成されている領域部分に、少なくとも第1電極516の上部を被覆するように形成する。形成方法としては、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどによるパターンニング技術が応用可能である。
Next, an insulating
この絶縁膜520には、無機酸化物やアクリレート等のネガ型のフォトレジストやポリイミド材料を用いることが可能である。本発明では、ノボラック樹脂(特に熱硬化性成分を含むノボラック樹脂)が好ましい。これは、ノボラック樹脂上には第1電極を断線することなく形成可能であること、および、ノボラック樹脂が素子の駆動に充分な絶縁耐圧をもっていることによる。さらに、ノボラック樹脂(特に熱硬化性成分を含むノボラック樹脂)を用いることとすると、絶縁膜の側面や端部の形状(すなわちテーパー形状)が緩やかになる利点がある。また、この絶縁膜520の端部が第1電極基板514の主表面となす傾斜角度が7°以上30°未満となるように設計すると、第1電極502、504、506の導電性を充分に確保することができる。熱硬化性成分を含むノボラック樹脂を用いる場合、パターンニングの後のポストベークの温度で絶縁膜のテーパー形状の傾斜角度を制御することができる。本発明の好ましい範囲とするためには、ポストベーク温度は170℃〜200℃、下記実施例では180℃とした。
The insulating
次に、絶縁膜520の上に第2バス電極518を形成する(図27(b))。第2バス電極518は、外部駆動回路との接続部から表示部(領域A)まで形成される。この第2バス電極518の材料としては、Al,Mo,Cr,Ni,W,Al合金およびこれらの合金等を用いることができ、第1バス電極516と同様に、フォトリソグラフィ等によるパターンニングが可能である。
Next, a
本発明の有機EL発光素子では、第2バス電極518は第1バス電極516よりも配線長が短い。このため、第2バス電極518の材料としてMo,W,Cr,Ni等の高抵抗金属を用い、第1バス電極516の材料にAlやAl合金等の低抵抗金属を用いるようにすれば、ディスプレイパネル内での電圧降下を均一にすることが可能となる。これは本発明の利点である。
In the organic EL light emitting device of the present invention, the
この第2バス電極518の形成に続いて、パターン化した第1電極502、504、506を第1バス電極516と第2バス電極518上に形成する(図27(c))。この第1電極502、504、506の材料としては、ITO、In−Zn酸化物、ATO等を用いることができ、特に、In−Zn酸化物を用いることとすれば、室温成膜により比較的低抵抗な膜が得られ、かつ、弱酸(例えば蓚酸)によるパターンニングが可能となるので好ましい。この第1電極502、504、506は、スパッタ法等の方法で成膜し、フォトリソグラフィによりパターンニングを行うことができる。
Following the formation of the
図27の例では、絶縁膜をバス電極近傍に形成したが、同様の手順で絶縁膜を領域A全面に設けることができる。このような場合には、酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いればよい。絶縁膜は、引き出し部や外部駆動回路との接続部へも形成することができる。 In the example of FIG. 27, the insulating film is formed in the vicinity of the bus electrode. However, the insulating film can be provided over the entire region A in the same procedure. In such a case, a highly light-transmitting material such as silicon oxide may be used. The insulating film can also be formed on the connection portion with the lead portion or the external drive circuit.
また、バス電極の形成と絶縁膜の形成を繰り返すことで、第1電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第1電極部を形成することができる。 Further, by repeating the formation of the bus electrode and the insulating film, the first electrode portion can be formed in the same procedure even when the first electrode is divided more.
なお、上記図8から図10で説明した変形例の第1電極部を形成する場合には、上記絶縁膜または第2バス電極を所望のパターンに形成することで対応すればよい。なお、絶縁膜に接続孔を設け、この接続孔に第1バス電極と異なる導電性金属材料を導入し、この導電性金属材料を介して第1バス電極と第1電極を接続する場合には、例えば以下のような手順で第1バス電極、絶縁膜、第1電極を形成することができる。
(a)まず、上記のように第1バス電極を第1電極基板上に形成し、次に、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどにより接続孔を有する絶縁膜を成膜する。この後、導電性金属(例えばCuなど)をメッキし、研磨して接続孔に導電性金属を導入する。次いで、第1電極を上述のように形成する。
(b)まず、上記のように第1バス電極を第1電極基板上に形成し、次に、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどにより接続孔を有する絶縁膜を成膜する。この後、導電性金属(例えばMo、Alなど)をスパッタ成膜し、フォトリソグラフィ法で接続孔部分以外の導電性金属を除去する。次いで、第1電極を上述のように形成する。 (c)まず、上記のように第1バス電極を第1電極基板上に形成し、次に、フォトリソグラフィ法を用いて第1バス電極上の所望の位置に所望の形状の導電性金属を堆積させ、接続孔に相当する部分を形成する。次いで、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどにより絶縁膜を成膜し、さらに第1電極を上述のように形成する。
In addition, what is necessary is just to respond | correspond by forming the said insulating film or the 2nd bus electrode in a desired pattern, when forming the 1st electrode part of the modification demonstrated in the said FIGS. 8-10. In the case where a connection hole is provided in the insulating film, a conductive metal material different from the first bus electrode is introduced into the connection hole, and the first bus electrode and the first electrode are connected through the conductive metal material. For example, the first bus electrode, the insulating film, and the first electrode can be formed by the following procedure.
(A) First, the first bus electrode is formed on the first electrode substrate as described above, and then an insulating film having a connection hole is formed by photolithography, lift-off, dry etching, or the like. Thereafter, a conductive metal (such as Cu) is plated and polished to introduce the conductive metal into the connection hole. Next, the first electrode is formed as described above.
(B) First, the first bus electrode is formed on the first electrode substrate as described above, and then an insulating film having a connection hole is formed by photolithography, lift-off, dry etching, or the like. Thereafter, a conductive metal (for example, Mo, Al, etc.) is formed by sputtering, and the conductive metal other than the connection hole portion is removed by a photolithography method. Next, the first electrode is formed as described above. (C) First, the first bus electrode is formed on the first electrode substrate as described above, and then a conductive metal having a desired shape is formed at a desired position on the first bus electrode by using a photolithography method. A portion corresponding to the connection hole is formed by depositing. Next, an insulating film is formed by photolithography, lift-off, dry etching, or the like, and the first electrode is formed as described above.
図28の例に基づいて、製造工程を説明する。図28では、絶縁膜520を領域AおよびBに形成する。
The manufacturing process will be described based on the example of FIG. In FIG. 28, the insulating
まず、第1電極基板514上に第1バス電極516を形成する(図28(a))。第1バス電極の材料および形成方法は、図27の例で説明した通りである。
First, the
次に、絶縁膜520を領域Aから領域Bにわたって形成する(図28(a))。絶縁膜は、領域Bにおいて、第1バス電極と第1電極502B、504B、506Bが接触する位置に開口部524を形成する。このような開口部を有する絶縁膜は、フォトリソグラフィやリフトオフ、ドライエッチングなどによるパターンニング技術を応用して成膜することが可能である。開口部には、例えば上記(a)〜(c)の手順により、第1バス電極とは異なる材料の導電性金属を導入することができる。絶縁膜の材料等は上述の通りであるが、この例では、領域AおよびBに絶縁膜を形成するので、酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いる。絶縁膜は、引き出し部や外部駆動回路との接続部へも形成することができる。
Next, an insulating
次に、引き出し部を介して外部駆動回路との接続部から領域Aにまで第2バス電極を形成する(図28(b))。形成方法および材料等は図27で説明した通りである。 Next, a second bus electrode is formed from the connection portion with the external drive circuit to the region A through the lead portion (FIG. 28B). The formation method, materials, and the like are as described in FIG.
次に、この第2バス電極518の形成に続いて、パターン化した第1電極502、504、506を第1バス電極516と第2バス電極518上に形成する(図28(c))。
Next, following the formation of the
バス電極の形成と絶縁膜の形成を繰り返すことで、第1電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第1電極部を形成することができる。 By repeating the formation of the bus electrode and the insulating film, the first electrode portion can be formed in the same procedure even when the first electrode is divided more.
次に並列型の第1電極部の形成工程を、図29を参照して説明する。図29は、図17で説明した並列型の第1電極部の製造工程を示すものである。 Next, the formation process of the parallel type first electrode part will be described with reference to FIG. FIG. 29 shows a manufacturing process of the parallel-type first electrode portion described in FIG.
まず、第1電極基板1308上に第1バス電極1310と第2バス電極1312を形成する(図29(a))。この第1バス電極と第2バス電極は、外部駆動回路との接続・引き出し部から表示部まで形成される。第1バス電極および第2バス電極の材料および成膜法は図27および図28で説明した通りである。なお、第1バス電極と第2バス電極は同じ材料でも異なる材料でもよいが、上述のように第1バス電極を抵抗の小さい材料とし、第2バス電極をより抵抗の大きい材料とすることで、領域間の輝度のばらつきを防止できる。このように第1バス電極と第2バス電極で材料み異なったものを使用する場合には、第1バス電極と第2バス電極を別々に2段階で形成すればよい。
First, the
次に絶縁膜1320を形成する(図29(b))。絶縁膜は、少なくとも領域Aにおいて、第1バス電極1310と第1電極1312、1314、1316とが立体的に構成される部分に、第1バス電極1310の上部を被覆するように形成する。この絶縁膜1320の材料(特に好ましい材料は、ノボラック樹脂(特に熱硬化性成分を含むノボラック樹脂)である)、成膜方法などは、図27、図28で説明した通りである。この例においても、絶縁膜1320は、テーパー形状に形成することが好ましい。テーパー形状の傾斜角度などは先に説明した通りである。
Next, an insulating
この例においても、例えば、酸化珪素等の光透過性の高い材料を用いる場合には、第1バス電極と第1電極との接続部、および、外部駆動回路との接続部を除いて全面に形成する方法や、第1バス電極と第1電極の接続部および第2バス電極と第1電極の接続部、並びに、外部駆動回路との接続部を除いて全面に形成する方法も可能である。 Also in this example, for example, when a highly light-transmitting material such as silicon oxide is used, the entire surface except the connection portion between the first bus electrode and the first electrode and the connection portion with the external drive circuit is used. A method of forming the first bus electrode and the first electrode, a second bus electrode and the first electrode, and a method of forming the entire surface except for the connection portion with the external drive circuit is also possible. .
次に、パターン化した第1電極1312、1314、1316を領域Aと領域Bに形成する。この第1電極の材料としては、図27および図28の例で説明した通りである。
Next, patterned
図29の例では、第1バス電極と第2バス電極を第1電極基板上に形成する例を示したが、本発明では、図27および図28で説明したような手順に従って、第1バス電極を形成し、次いで絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に第2バス電極を形成するというような逐次形成法を用いてもよい。 In the example of FIG. 29, the example in which the first bus electrode and the second bus electrode are formed on the first electrode substrate is shown. However, in the present invention, the first bus electrode is performed according to the procedure described with reference to FIGS. A sequential formation method may be used in which an electrode is formed, an insulating film is formed, and a second bus electrode is formed on the insulating film.
また、バス電極の形成と絶縁膜の形成を繰り返すことで、第1電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第1電極部を形成することができる。 Further, by repeating the formation of the bus electrode and the insulating film, the first electrode portion can be formed in the same procedure even when the first electrode is divided more.
なお、上記図18から図20で説明した変形例の第1電極部を形成する場合には、上記絶縁膜または第2バス電極を所望のパターンに形成することで対応すればよい。なお、絶縁膜に接続孔を設け、この接続孔に第1バス電極と異なる導電性金属材料を導入し、この導電性金属材料を介して第1バス電極と第1電極を接続する場合には、例えば上述の(a)〜(c)のような手順で第1バス電極、絶縁膜、第1電極を形成することができる。 In addition, what is necessary is just to respond | correspond by forming the said insulating film or a 2nd bus electrode in a desired pattern, when forming the 1st electrode part of the modification demonstrated in the said FIG. In the case where a connection hole is provided in the insulating film, a conductive metal material different from the first bus electrode is introduced into the connection hole, and the first bus electrode and the first electrode are connected through the conductive metal material. For example, the first bus electrode, the insulating film, and the first electrode can be formed by the procedure as described above in (a) to (c).
積層型と並列型を併用する場合の製造工程は、上記の製造工程を適宜組み合わせればよい。例えば図24に示す例の場合、第1電極基板上に第1バス電極1810を形成する。次いで、次に第1の絶縁膜1842を形成する。第1の絶縁膜は、例えば引き出し部から領域Cの引き出し部に近い側の一部まで形成される。第1の絶縁膜は、第1バス電極と第1電極を電気的に接続するための開口部が形成されるようにパターンニングされている。この第1の絶縁膜上に第2バス電極1812を形成する。次いでこの第2バス電極1812上には、第2の絶縁膜が、例えば引き出し部から領域Bの引き出し部に近い側の一部まで形成される。第2の絶縁膜は、第2バス電極と第1電極を電気的に接続するための開口部が形成されるようにパターンニングされている。次に、第2の絶縁膜上に第3バス電極1830を形成する。前記の開口部には、例えば上記(a)〜(c)の手順により、第1バス電極とは異なる材料の導電性金属を導入することができる。
The manufacturing process in the case of using the stacked type and the parallel type together may be a combination of the above manufacturing processes as appropriate. For example, in the example shown in FIG. 24, the
次に、この第3バス電極1830の形成に続いて、パターン化した第1電極1814、1816、1818を第1バス電極からと第3バス電極に接続するように形成する。
Next, following the formation of the
バス電極の形成と絶縁膜の形成を適宜選択して繰り返すことで、第1電極をより多く分割した場合にも同様の手順で第1電極部を形成することができる。 By appropriately selecting and repeating the formation of the bus electrode and the insulating film, the first electrode portion can be formed by the same procedure even when the first electrode is divided more.
なお、絶縁膜に複数の接続孔を設ける場合、またはバス電極に突出部を複数設けることにより複数の接続部を形成する場合は、絶縁膜またはバス電極の配設段階で、適宜これらを形成するようにパターンニングすればよい。なお、絶縁膜に接続孔を設け、この接続孔に第1バス電極と異なる導電性金属材料を導入し、この導電性金属材料を介して第1バス電極と第1電極を接続する場合には、例えば上述の(a)〜(c)のような手順で第1バス電極、絶縁膜、第1電極を形成することができる。 When a plurality of connection holes are provided in the insulating film, or when a plurality of connection portions are formed by providing a plurality of protrusions on the bus electrode, these are appropriately formed at the stage of disposing the insulating film or the bus electrode. Patterning may be performed as follows. In the case where a connection hole is provided in the insulating film, a conductive metal material different from the first bus electrode is introduced into the connection hole, and the first bus electrode and the first electrode are connected through the conductive metal material. For example, the first bus electrode, the insulating film, and the first electrode can be formed by the procedure as described above in (a) to (c).
次に、第3の工程を説明する。
上述のようにして得られた第1電極上に有機発光層116を形成する。有機発光層116は、抵抗加熱蒸着装置などを用いて、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜すればよい。なお、有機発光層116はこの構成に限らず、例えば、以下のような種々の形態をとりうる。それぞれの形態においても、各層は抵抗加熱蒸着装置などを用いて成膜すればよい。以下の例では、第1電極および第2電極を含めた構成を示した。
Next, the third step will be described.
The organic
(A)陽極/有機発光層/陰極
(B)陽極/正孔注入層/有機発光層/陰極
(C)陽極/有機発光層/電子輸送層/陰極
(D)陽極/正孔注入層/有機発光層/電子輸送層/陰極
(E)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰極
(F)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(A) Anode / organic light emitting layer / cathode (B) anode / hole injection layer / organic light emitting layer / cathode (C) anode / organic light emitting layer / electron transport layer / cathode (D) anode / hole injection layer / organic Light emitting layer / electron transport layer / cathode (E) anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / cathode (F) anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / Electron transport layer / electron injection layer / cathode
この後、第1電極のラインと垂直なストライプパターンが得られるマスクを用いて第2電極(陰極)106を、真空を破らずに形成する。 Thereafter, the second electrode (cathode) 106 is formed without breaking the vacuum by using a mask capable of obtaining a stripe pattern perpendicular to the line of the first electrode.
第1電極、有機発光層および第2電極の材料は上述のような従来より知られたものを用いることができる。例えば、陽極である第1電極は、インジウム−スズ酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)などの透明電極を用いることができ、陰極である第2電極は、例えば、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物などの材料を用いることができる。有機EL層の各層の材料は、公知のものが使用できる。青色から青緑色の発光を得るためには、有機発光層中に、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。電子注入層としては、上記電極の欄で説明した仕事関数の小さな材料を使用することができる。また、電子輸送層としては、金属錯体系(Alq3)とオキサジアゾール、トリアゾール系化合物等を用いることができる。また、正孔注入層としては、芳香族アミン化合物、スターバースト型アミンや、ベンジジン型アミンの多量体および銅フタロシアニン(CuPc)などを用いることができる。正孔輸送層としては、スターバースト型アミン、芳香族ジアミンなどを用いることができる。その他、第1電極、有機発光層および第2電極の膜厚などの諸条件は従来の通りである。 As materials for the first electrode, the organic light emitting layer, and the second electrode, those conventionally known as described above can be used. For example, a transparent electrode such as indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO) can be used for the first electrode that is an anode, and lithium, sodium, for example, can be used as the second electrode that is a cathode. Materials such as alkali metals such as potassium, calcium, magnesium, strontium, or the like, or electron-injecting metals such as fluorides thereof, alloys or compounds with other metals, and the like can be used. As the material of each layer of the organic EL layer, known materials can be used. In order to obtain light emission from blue to blue-green, in the organic light emitting layer, for example, a fluorescent whitening agent such as benzothiazole, benzimidazole, and benzoxazole, a metal chelated oxonium compound, a styrylbenzene compound, Aromatic dimethylidin compounds are preferably used. As the electron injection layer, the material having a small work function described in the column of the electrode can be used. As the electron transport layer, a metal complex (Alq3), oxadiazole, a triazole compound, or the like can be used. For the hole injection layer, aromatic amine compounds, starburst amines, benzidine amine multimers, copper phthalocyanine (CuPc), and the like can be used. As the hole transport layer, a starburst amine, an aromatic diamine, or the like can be used. In addition, various conditions such as the film thicknesses of the first electrode, the organic light emitting layer, and the second electrode are the same as in the past.
得られた色変換フィルタを含む有機EL層は、封止工程に供され、封止された有機EL発光素子となる。封止工程では第2電極を形成した後に、酸化シリコンや、酸化窒化シリコンなどの無機膜を連続的に形成する方法や、ガラス板、SUS板、ポリカーボネートなどのフィルムを、UV硬化樹脂や熱硬化樹脂などを用いて基板と接着させる方法を用いることができる。封止の条件は従来の通りである。 The obtained organic EL layer including the color conversion filter is subjected to a sealing step to become a sealed organic EL light emitting element. In the sealing process, after forming the second electrode, a method of continuously forming an inorganic film such as silicon oxide or silicon oxynitride, or a film such as a glass plate, a SUS plate, or a polycarbonate is cured with UV curable resin or thermosetting. A method of bonding to a substrate using a resin or the like can be used. The sealing conditions are the same as before.
次に、第2の実施形態の多色有機発光表示素子の製造方法を説明する。第2の実施形態は、図1(b)に示されるトップエミッション方式で積層型の多色有機発光表示素子20の製造方法である。
Next, a method for manufacturing the multicolor organic light emitting display element of the second embodiment will be described. The second embodiment is a method for manufacturing the multi-color organic light emitting
第2の実施形態では、多色有機発光表示素子は、支持基板102上に第1電極部を形成し(第1工程)、有機発光層116、第2電極106、パッシベーション層114aを設けて有機EL層を形成し(第2工程)、さらにその上に色変換フィルタを形成(第3工程)すればよい。有機発光素子は、支持基板102上に第1電極部、有機発光層および第2電極を形成すればよい。この第2電極を形成した後に、従来の手順に従ってパッシベーション層114aをさらに形成する。本実施形態でも第1電極部は第1の実施形態で説明した手順で形成することができる。
In the second embodiment, the multicolor organic light emitting display element is formed by forming the first electrode portion on the support substrate 102 (first step), and providing the organic
次いで、このパッシベーション層上に、スピンコート法およびフォトリソグラフィ法を併用して、ブラックマトリックス108、色変換フィルタ層110形成する。パッシベーション層および色変換フィルタ層の形成は、従来の方法を適用すればよい。得られた色変換フィルタを含む有機発光素子は、封止工程に供され、封止されて本発明の有機EL発光素子となる。封止工程では第2電極を形成した後に、酸化シリコンや、酸化窒化シリコンなどの無機膜を連続的に形成する方法や、ガラス板、SUS板、ポリカーボネートなどのフィルムを、UV硬化樹脂や熱硬化樹脂などを用いて基板と接着させる方法を用いることができる。
Next, a
次に、第三の実施形態の多色有機発光表示素子の製造方法を説明する。第三の実施形態は、図1(c)に示されるトップエミッション方式で貼り合わせ型の多色有機発光表示素子30、40の製造方法である。本実施形態は、パッシブマトリックス型(図1(c))多色有機発光表示素子である。
Next, the manufacturing method of the multicolor organic light emitting display element of 3rd embodiment is demonstrated. The third embodiment is a method of manufacturing the multi-color organic light emitting
第三の実施形態では、支持基板102上に第1電極部を形成する(第1工程)。次いで、有機発光層116および第2電極106を作製する(第2工程)。これらの工程は、第1の実施形態で説明した手順で形成することができる。
In the third embodiment, the first electrode portion is formed on the support substrate 102 (first step). Next, the organic
第2電極106を設けた後、パッシベーション層114aを従来の手順に従って設ける。
After providing the
次に、第3工程として、透明基板118上に、例えばブラックマトリックス108、色変換フィルタ層110をスピンコート法およびフォトリソグラフィ法を併用して色変換フィルタ層を形成し、次いで平坦化層112b、およびパッシベーション層114bを形成して色変換フィルタを作製する。次いで、上述のように形成された有機発光素子と色変換フィルタを、UV硬化接着剤などの外周封止層120を用いて接着し、封止すればよい(封止工程)。封止の条件などは従来の条件を用いればよい。以上のようにして図1(c)に示される本発明の有機EL発光素子を得ることができる。
Next, as a third step, on the
本発明の有機EL発光素子について実施例によりさらに詳細に説明する。
以下の説明では、図30および図31を参照する。以下の実施例では、有機EL発光素子は画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmで形成した。本実施例では、図30に示すように有機EL発光素子の表示部を2つの領域(領域1:領域A1、B1と領域2:領域A2、B2)のように中央で分割し、この分割した領域1と領域2の第1電極を2分割する例である。領域1と領域2の各々に設けられる第1バス電極および第2バス電極は、それぞれ外部駆動回路への接続部2410A、2410Bの上下2方向から取り出す。この実施例に示すような構造とすることにより、本実施例では画面を走査線方向に4つの領域に分割し、デューティー比を1/60とした。
The organic EL light emitting device of the present invention will be described in more detail with reference to examples.
In the following description, FIG. 30 and FIG. 31 will be referred to. In the following examples, the organic EL light emitting element was formed with a pixel number of 320 × 240 × RGB and a pixel pitch of 0.195 mm. In this embodiment, as shown in FIG. 30, the display portion of the organic EL light emitting element is divided at the center as two regions (region 1: region A1, B1 and region 2: region A2, B2). This is an example in which the first electrode in
図30は、本実施例の有機EL発光素子の電極構造を表した図であり、この図においてじゃ、煩雑を避けるため絶縁膜を省略した。図31は、第1電極部に設けられる絶縁膜34を表した図である。図30では、2404は第1バス電極、2402は第2バス電極、2410Aおよび2410Bは第1バス電極および第2バス電極の接続電極群(外部駆動回路への接続部)を表し、2414Aおよび2414Bは第1バス電極および第2バス電極の引き出し部を表す。2412Aおよび2412Bは第2電極の接続電極群である。図31において、図31(a)は有機EL発光素子の発光部の平面図であり、図31(b)および(c)は図31(a)のa−a’断面図およびb−b’断面図である。図31では、絶縁膜は第1電極と、第1バス電極および第2バス電極都の接続部に開口部36を設けた以外、表示部の全面に設けられている。図31(b)および(c)では、開口部36の周囲を40の部分で表した。開口部は引き出し部および表示部の中央部近傍の位置に形成した例を示した。本発明では、バス電極の配列およびこれらの形成される位置、絶縁膜の配置などに合わせて開口部を適切に設ける。
FIG. 30 is a diagram showing the electrode structure of the organic EL light emitting device of this example. In this figure, the insulating film is omitted to avoid complication. FIG. 31 is a diagram illustrating the insulating
なお、図30および図31では、第1バス電極および第2バス電極は、それぞれ、引き出し部および表示部の中央部近傍の位置まで形成した例を示したが、以下の実施例に示すように第1バス電極および第2バス電極の配列およびこれらの形成される位置は種々の形態をとりうる。また、絶縁膜も種々の形態をとりうる。 In FIGS. 30 and 31, the first bus electrode and the second bus electrode are shown as being formed up to positions near the center of the lead portion and the display portion, respectively, but as shown in the following examples The arrangement of the first bus electrode and the second bus electrode and the positions where they are formed can take various forms. Also, the insulating film can take various forms.
この有機EL発光素子の発光部の基本構成は図1および図2に示したものと同様である。従って、多色有機EL発光素子の場合、図30および図31で示した発光部の第1電極側、または第2電極側に色変換フィルタを設ける。 The basic structure of the light emitting part of this organic EL light emitting element is the same as that shown in FIGS. Therefore, in the case of a multicolor organic EL light emitting device, a color conversion filter is provided on the first electrode side or the second electrode side of the light emitting unit shown in FIGS.
(実施例1)
本実施例は、積層型の無機膜層を適用した場合の本発明の有機EL発光素子の性能比較例である。以下に、この有機EL発光素子の作製プロセスを説明する。
(Example 1)
This example is a performance comparison example of the organic EL light emitting device of the present invention when a laminated inorganic film layer is applied. Below, the manufacturing process of this organic EL light emitting element is demonstrated.
[青色フィルターの作製]
透明支持基板102としてのコーニングガラスTM(100×100×0.7mm)上に、厚さ1.5μmのブラックマトリックス(富士フイルムアーチ社製、CK7800)を形成し、青色フィルター材料(富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタ層110Bの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of blue filter]
A black matrix (manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd., CK7800) having a thickness of 1.5 μm is formed on Corning Glass TM (100 × 100 × 0.7 mm) as the
[緑色変換フィルタ層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ、塗布溶液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である、透明支持基板102上に、スピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルター層110Gの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of green conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied by spin coating on the
[赤色変換フィルター層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ、塗布溶液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタ層のラインパターンが形成済である、透明支持基板102上に、スピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタ層110Rの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of red conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. The coating solution is applied on the
[平坦化層(高分子膜層)の作製]
これらの色変換フィルタ層110の上に、UV硬化型樹脂(エポキシ変性アクリレート;JSR社製、NN810)をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚8μmで高分子膜層112を形成した。このとき、色変換フィルタ層のパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層109の上面は平坦であった。
[Fabrication of planarization layer (polymer film layer)]
On these color conversion filter layers 110, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate; manufactured by JSR, NN810) is applied by a spin coating method and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a polymer film layer having a thickness of 8 μm. 112 was formed. At this time, the pattern of the color conversion filter layer was not deformed, and the upper surface of the polymer film layer 109 was flat.
[パッシベーション層(無機膜層)の作製]
室温において、DCスパッタ法によりSiOx膜を300nm成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはSiを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。
[Preparation of Passivation Layer (Inorganic Film Layer)]
At room temperature, an SiOx film having a thickness of 300 nm was formed by DC sputtering to form an inorganic film layer. Si was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas.
[第1バス電極の形成]
第1バス電極2402としてAlパターンを形成した。第1バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示パネル内の、領域1および領域2の所定部位(本実施例では表示部内の中央部までの領域)まで配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。この第1バス電極の抵抗率はおよそ8.0×10−6Ωcmであった。
[Formation of first bus electrode]
An Al pattern was formed as the
[絶縁膜の形成]
ノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト(JSR社製JEM700R2)を用い、厚さ1μmの絶縁膜34をフォトリソグラフィ法により形成した。ポストベークにより絶縁膜と支持基板102とのなす角度(テーパー角)が約10°となるように制御した。絶縁膜34と支持基板102とがなすテーパー角は、フォトリソグラフィ法によるパターン形成直後は約70°であるが、ポストベークによりテーパー形状が変化する。表1は、ポストベーク温度とテーパー角との関係をまとめたものである。なお、絶縁膜を第1バス電極と第1電極との接合部および外部駆動回路との接合部を除いて形成した。
[Formation of insulating film]
An insulating
なお、この結果は、何れの温度でのポストベークも60分間実施して得られたものであり、本実施例では180℃で60分間のポストベークを行っている。 This result was obtained by performing post-baking at any temperature for 60 minutes, and in this example, post-baking was performed at 180 ° C. for 60 minutes.
[第2バス電極の形成]
第2バス電極2404としてMoパターンを形成した。第2バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部の領域Aの端部から所定の位置(本実施例では領域Aと領域Bの境まで)の位置まで配線される。DCスパッタ法により、室温でMo膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはMoを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。この第2バス電極204の抵抗率はおよそ1.5×10−5Ωcmであった。
[Formation of second bus electrode]
A Mo pattern was formed as the
第1バス電極2404としてAl、第2バス電極2402としてMoを用いることにより、何れの電極にもMoを用いた場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ50%に小さくできることが確認できた。
By using Al as the
[第1電極の形成]
第1電極2406としてIn−Zn酸化物パターンを形成した。第1電極は表示領域に走査線方向に4つの領域に分割して形成される。DCスパッタ法により、室温でIn−Zn酸化物膜を200nm形成した。スパッタターゲットにはIn−Zn酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後にシュウ酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅58μm、間隙7μmのパターンを形成した。
[Formation of first electrode]
An In—Zn oxide pattern was formed as the
[有機発光層および第2電極の作製]
以上の工程に続き、第1電極2406を形成した第1電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層124、正孔輸送層126、有機発光層128、電子注入層130を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。発光層は4,4′−ビス[2,2′−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミキレート(Alq)を20nm積層した。
[Production of organic light emitting layer and second electrode]
Following the above steps, the first electrode substrate on which the
この後、第1電極(2406)のラインと垂直に幅0.165mm、空隙0.03mmギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(10:1の重量比率)層からなる第2電極(陰極)2408を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)下において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。 Thereafter, Mg / Ag with a thickness of 200 nm (weight ratio of 10: 1) is used using a mask that can obtain a stripe pattern having a width of 0.165 mm and a gap of 0.03 mm perpendicular to the line of the first electrode (2406). A second electrode (cathode) 2408 composed of layers was formed without breaking the vacuum. The organic light emitting device thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive under a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
(比較例)
画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmのパネルにおいて、信号線を第1電極のみで形成し、駆動デゥーティ1/240のパネルを形成した(比較例1)。また、画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmのパネルにおいて、信号線を第1電極のみで形成し、中央部で分割することにより駆動デゥーティ1/120のパネルを形成した(比較例2)。
(Comparative example)
In a panel having 320 × 240 × RGB pixels and a pixel pitch of 0.195 mm, a signal line was formed only by the first electrode, and a panel having a drive duty of 1/240 was formed (Comparative Example 1). Further, in a panel having 320 × 240 × RGB pixels and a pixel pitch of 0.195 mm, a signal line is formed only by the first electrode, and a panel having a driving duty of 1/120 is formed by dividing the signal line at the center (Comparative Example). 2).
上述した実施例および比較例1および比較例2で得られた3つのパネルについて、駆動周波数60Hzの線順次走査、1画素当たりの電流量75μAの条件下で、1000時間の連続駆動を行った後にパネルの平均輝度変化の比較評価を行った。 For the three panels obtained in the above-described example and comparative example 1 and comparative example 2, after performing continuous driving for 1000 hours under the condition of line sequential scanning at a driving frequency of 60 Hz and a current amount of 75 μA per pixel. A comparative evaluation of the average luminance change of the panel was performed.
表2は、この評価の結果を纏めたものである。 Table 2 summarizes the results of this evaluation.
この結果から明らかなように、本発明の有機EL発光素子の輝度は評価前後で変化が認められず、駆動による輝度低下が認められないのに対し、比較例1および比較例2の有機EL発光素子の輝度は評価前後で顕著な低下が認められる。すなわち、本発明の有機EL発光素子の構成とすることで、輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。 As is apparent from the results, the luminance of the organic EL light emitting device of the present invention does not change before and after the evaluation, and no decrease in luminance due to driving is observed, whereas the organic EL light emission of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 The brightness of the element is significantly reduced before and after the evaluation. That is, it was confirmed that a reduction in luminance retention rate can be suppressed by adopting the configuration of the organic EL light emitting device of the present invention.
(実施例2)
以下に、第2の実施例を説明する。この実施例では、有機EL発光素子は画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmで形成した。第1電極の分割は実施例1と同様であり、デューティー比は1/60である。本実施例では、第1バス電極と第2バス電極を並列に設ける並列型の例である。並列型の場合、実施例1と同様に第1バス電極上に絶縁膜を形成し、この上に第2バス電極を形成することができる。
(Example 2)
The second embodiment will be described below. In this example, the organic EL light emitting element was formed with a pixel number of 320 × 240 × RGB and a pixel pitch of 0.195 mm. The division of the first electrode is the same as in Example 1, and the duty ratio is 1/60. In this embodiment, the first bus electrode and the second bus electrode are provided in parallel. In the case of the parallel type, an insulating film can be formed on the first bus electrode and the second bus electrode can be formed thereon as in the first embodiment.
以下に、この有機EL発光素子の各作製プロセスを説明する。 Below, each preparation process of this organic electroluminescent light emitting element is demonstrated.
[青色フィルターの作製]
透明支持基板としてコーニングガラスTM(100×100×0.7mm)を用い、この上に厚さ1.5μmのブラックマトリックス(富士フイルムアーチ社製、CK7800)を形成し、青色フィルター材料(富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of blue filter]
Corning Glass TM (100 × 100 × 0.7 mm) is used as a transparent support substrate, and a black matrix (CK7800, manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) having a thickness of 1.5 μm is formed thereon, and a blue filter material (Fuji Film Arch) is formed. Color mosaic CB-7001) manufactured by the company was applied by spin coating and then patterned by photolithography to obtain a blue filter line width of 0.57 mm, pitch of 0.195 mm, and film thickness of 10 μm. It was.
[緑色変換フィルタの作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of green conversion filter]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied by spin coating on a transparent support substrate on which a blue filter line pattern has been formed, and patterned by photolithography, so that the green conversion filter has a line width of 0.57 mm and a pitch of 0. A line pattern having a thickness of 195 mm and a thickness of 10 μm was obtained.
[赤色変換フィルター層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of red conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied on a transparent support substrate on which the line pattern of the blue filter and the green conversion filter has been formed by spin coating, and patterning is performed by photolithography, so that the line width of the red conversion filter is 0. A line pattern having a thickness of 57 mm, a pitch of 0.195 mm, and a film thickness of 10 μm was obtained.
[平坦化層(高分子膜層)の作製]
これらの色変換フィルタの上に、UV硬化型樹脂(エポキシ変性アクリレート;JSR社製、NN810)をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚8μmで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。
[Fabrication of planarization layer (polymer film layer)]
On these color conversion filters, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate; NN810, manufactured by JSR) is applied by spin coating, and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a polymer film layer with a film thickness of 8 μm. did. At this time, the pattern of the color conversion filter was not deformed, and the upper surface of the polymer film layer was flat.
[パッシベーション層(無機膜層)の作製]
室温において、DCスパッタ法によりSiOx膜を300nm成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはSiを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。
[Preparation of Passivation Layer (Inorganic Film Layer)]
At room temperature, an SiOx film having a thickness of 300 nm was formed by DC sputtering to form an inorganic film layer. Si was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas.
[第1バス電極の形成]
第1バス電極としてAlパターンを形成した。第1バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域1および領域2の所定部位まで(本実施例では表示部内の約1/4までの領域)配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。このようにして形成した第1バス電極(Al電極)の抵抗率はおよそ8.0×10−6Ωcmであった。
[Formation of first bus electrode]
An Al pattern was formed as the first bus electrode. The first bus electrode is wired from a connection part with the external drive circuit to a predetermined part of the
[絶縁膜の形成]
絶縁膜としてSiOx膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストを、第1バス電極と第1電極との接合部および外部駆動回路との接合部に形成した。次いで、DCスパッタ法により室温においてSiOx膜を300nm形成した後に、レジスト剥離液でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第1バス電極と第1電極との接合部および外部駆動回路との接合部を除いて形成した。
[Formation of insulating film]
An SiOx film was formed as an insulating film by a lift-off method. A lift-off resist was formed at the junction between the first bus electrode and the first electrode and the junction between the external drive circuit. Next, after forming a 300 nm SiOx film by DC sputtering at room temperature, the lift-off resist is removed with a resist stripping solution, and the insulating film is joined to the joint between the first bus electrode and the first electrode and the joint to the external drive circuit. Except for forming.
[第2バス電極の形成]
第2バス電極としてMoパターンを形成した。第2バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部の端部の位置(引き出し部に近い側)まで配線される。DCスパッタ法により、室温でMo膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはMoを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。この第2バス電極(Mo電極)の抵抗率はおよそ1.5×10−5Ωcmであった。
[Formation of second bus electrode]
A Mo pattern was formed as the second bus electrode. The second bus electrode is wired from the connection portion with the external drive circuit to the position of the end portion of the display portion (side closer to the lead portion). A 300 nm Mo film was formed at room temperature by DC sputtering. Mo was used as the sputtering target, and Ar was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, a pattern with a wiring width of 7 μm was formed by patterning using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid as an etching solution. The resistivity of the second bus electrode (Mo electrode) was approximately 1.5 × 10 −5 Ωcm.
第1バス電極としてAl、第2バス電極としてMoを用いることにより、第1および第2バス電極ともにMoを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ50%に小さくできることが確認できた。 By using Al as the first bus electrode and Mo as the second bus electrode, the voltage drop in the panel plane can be reduced to about 50% compared to the case where Mo is used for both the first and second bus electrodes. It could be confirmed.
[第1電極の形成]
第1電極としてIn−Zn酸化物パターンを形成した。第1電極は表示領域に走査線方向に4つの領域に分割して形成される。DCスパッタ法により、室温でIn−Zn酸化物膜を200nm形成した。スパッタターゲットにはIn−Zn酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅58μm、間隙7μmのパターンを形成した。
[Formation of first electrode]
An In—Zn oxide pattern was formed as the first electrode. The first electrode is formed in the display area by dividing it into four areas in the scanning line direction. An In—Zn oxide film having a thickness of 200 nm was formed at room temperature by a DC sputtering method. An In—Zn oxide fired target was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, patterning was performed using oxalic acid as an etching solution to form a pattern having a wiring width of 58 μm and a gap of 7 μm.
[有機発光層および第2電極の作製]
以上の工程に続き、第1電極を形成した第1電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。発光層は4,4′−ビス[2,2′−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミキレート(Alq)を20nm積層した。
[Production of organic light emitting layer and second electrode]
Following the above steps, the first electrode substrate on which the first electrode is formed is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer are maintained without breaking the vacuum. Films were sequentially formed. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) was laminated to a thickness of 100 nm. As the hole transport layer, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated to 20 nm. The light emitting layer was formed by laminating 30 nm of 4,4′-bis [2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi). The electron injection layer was formed by laminating 20 nm of aluminum chelate (Alq).
この後、第1電極のラインと垂直に幅0.165mm、空隙0.03mmギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(10:1の重量比率)層からなる第2電極(陰極)を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)下において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。 Thereafter, a 200 / nm-thick Mg / Ag (10: 1 weight ratio) layer is formed using a mask capable of obtaining a stripe pattern having a width of 0.165 mm and a gap of 0.03 mm perpendicular to the first electrode line. The second electrode (cathode) was formed without breaking the vacuum. The organic light emitting device thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive under a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
本実施例では、上記のように第1バス電極と、絶縁膜と、第2バス電極とを順次形成する以外に、図17を参照して先に説明したように、第1バス電極と第2バス電極を第1電極基板上に形成し、これに絶縁膜を形成し、さらに第1電極を絶縁膜上に形成するような構造をとることもできる(図17(b)および(c)を併せて参照)。即ち、この例の有機EL発光素子の領域Aの第1電極の構成は、第1電極基板上に交互に配置されかつ互いに離隔されて設けられた複数の第1バス電極と複数の第2バス電極とを備えており、第1バス電極の上全面および第2バス電極の上面の一部は絶縁膜で被覆され、この絶縁膜上には第1電極が設けられる。そして、第2バス電極と第1電極とが、絶縁膜に設けられた接続のための開口部を介して電気的に接続される。 In the present embodiment, the first bus electrode, the insulating film, and the second bus electrode are sequentially formed as described above, and as described above with reference to FIG. A structure in which two bus electrodes are formed on the first electrode substrate, an insulating film is formed thereon, and the first electrode is further formed on the insulating film can be employed (FIGS. 17B and 17C). See also). That is, the configuration of the first electrode in the region A of the organic EL light emitting device of this example is such that a plurality of first bus electrodes and a plurality of second buses are alternately arranged on the first electrode substrate and spaced apart from each other. The first bus electrode and the second bus electrode are partially covered with an insulating film, and the first electrode is provided on the insulating film. Then, the second bus electrode and the first electrode are electrically connected through an opening for connection provided in the insulating film.
なお、この構造を採用する場合の製造プロセスは上述した内容とほぼ同じであるが、この場合には、第1バス電極2404と第2バス電極2402とを同時に形成することとなる。
The manufacturing process in the case of adopting this structure is substantially the same as that described above. In this case, the
本実施例においても、実施例1と同様の駆動試験を行った結果、実施例1と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。 Also in the present example, as a result of performing the same driving test as in Example 1, it was confirmed that the decrease in luminance retention rate can be suppressed as in Example 1.
(実施例3)
以下に、第3の実施例を説明する。この実施例では、有機EL発光素子は画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmで形成した。第1電極の分割は実施例1と同様であり、デューティー比は1/60である。本実施例では、第1バス電極と第2バス電極を並列に設ける並列型の例である。本実施例の場合、第1バス電極上および本実施例では、絶縁膜を外部駆動回路との接続部の一部に絶縁膜を形成した。このような絶縁膜の例は図26(b)に示してある。本実施例では、第1バス電極、絶縁膜、第2バス電極は、この順に逐次形成される。
(Example 3)
The third embodiment will be described below. In this example, the organic EL light emitting element was formed with a pixel number of 320 × 240 × RGB and a pixel pitch of 0.195 mm. The division of the first electrode is the same as in Example 1, and the duty ratio is 1/60. In this embodiment, the first bus electrode and the second bus electrode are provided in parallel. In the case of this embodiment, the insulating film is formed on the first bus electrode and in this embodiment at the part of the connection portion with the external drive circuit. An example of such an insulating film is shown in FIG. In this embodiment, the first bus electrode, the insulating film, and the second bus electrode are sequentially formed in this order.
以下に、この有機EL発光素子の各作製プロセスを説明する。 Below, each preparation process of this organic electroluminescent light emitting element is demonstrated.
[青色フィルターの作製]
透明支持基板としてコーニングガラスTM(100×100×0.7mm)を用い、この上に厚さ1.5μmのブラックマトリックス(富士フイルムアーチ社製、CK7800)を形成し、青色フィルター材料(富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of blue filter]
Corning Glass TM (100 × 100 × 0.7 mm) is used as a transparent support substrate, and a black matrix (CK7800, manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) having a thickness of 1.5 μm is formed thereon, and a blue filter material (Fuji Film Arch) is formed. Color mosaic CB-7001) manufactured by the company was applied by spin coating and then patterned by photolithography to obtain a blue filter line width of 0.57 mm, pitch of 0.195 mm, and film thickness of 10 μm. It was.
[緑色変換フィルタの作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of green conversion filter]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied by spin coating on a transparent support substrate on which a blue filter line pattern has been formed, and patterned by photolithography, so that the green conversion filter has a line width of 0.57 mm and a pitch of 0. A line pattern having a thickness of 195 mm and a thickness of 10 μm was obtained.
[赤色変換フィルター層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of red conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied on a transparent support substrate on which the line pattern of the blue filter and the green conversion filter has been formed by spin coating, and patterning is performed by photolithography, so that the line width of the red conversion filter is 0. A line pattern having a thickness of 57 mm, a pitch of 0.195 mm, and a film thickness of 10 μm was obtained.
[平坦化層(高分子膜層)の作製]
これらの色変換フィルタの上に、UV硬化型樹脂(エポキシ変性アクリレート;JSR社製、NN810)をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚8μmで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。
[Fabrication of planarization layer (polymer film layer)]
On these color conversion filters, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate; NN810, manufactured by JSR) is applied by spin coating, and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a polymer film layer with a film thickness of 8 μm. did. At this time, the pattern of the color conversion filter was not deformed, and the upper surface of the polymer film layer was flat.
[パッシベーション層(無機膜層)の作製]
室温において、DCスパッタ法によりSiOx膜を300nm成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはSiを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。
[Preparation of Passivation Layer (Inorganic Film Layer)]
At room temperature, an SiOx film having a thickness of 300 nm was formed by DC sputtering to form an inorganic film layer. Si was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas.
[第1バス電極の形成]
第1バス電極としてAlパターンを形成した。第1バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域1および領域2の所定部位まで(本実施例では表示部内の中央部までの領域)配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。このようにして形成した第1バス電極(Al電極)の抵抗率はおよそ8.0×10−6Ωcmであった。
[Formation of first bus electrode]
An Al pattern was formed as the first bus electrode. The first bus electrode is wired from a connection portion with the external drive circuit to a predetermined portion of the
[絶縁膜の形成]
絶縁膜としてSiOx膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストを、第1バス電極と第1電極との接合部、および外部駆動回路との接合部に形成した後、DCスパッタ法により室温においてSiOx膜を300nm形成した。なお、外部駆動回路との接続部では、絶縁膜は引き出し部に近い方の約中程までに形成される(例えば、図26(b)参照。)。この後、レジスト剥離液でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第1バス電極と第1電極との接合部および外部駆動回路との接合部を除いて形成した。
[Formation of insulating film]
An SiOx film was formed as an insulating film by a lift-off method. After a lift-off resist was formed at the junction between the first bus electrode and the first electrode and the junction between the external drive circuit, a 300 nm SiOx film was formed at room temperature by DC sputtering. Note that in the connection portion with the external drive circuit, the insulating film is formed up to about the middle of the portion closer to the lead portion (see, for example, FIG. 26B). Thereafter, the lift-off resist was removed with a resist stripping solution, and an insulating film was formed excluding the junction between the first bus electrode and the first electrode and the junction with the external drive circuit.
[第2バス電極の形成]
第2バス電極としてMoパターンを形成した。第2バス電極は外部駆動回路との接続部のほぼ中央部から表示部の約1/4の位置まで配線される。DCスパッタ法により、室温でMo膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはMoを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。この第2バス電極(Mo電極)の抵抗率はおよそ1.5×10−5Ωcmであった。
[Formation of second bus electrode]
A Mo pattern was formed as the second bus electrode. The second bus electrode is wired from approximately the center of the connection portion with the external drive circuit to about 1/4 of the display portion. A 300 nm Mo film was formed at room temperature by DC sputtering. Mo was used as the sputtering target, and Ar was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, a pattern with a wiring width of 7 μm was formed by patterning using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid as an etching solution. The resistivity of the second bus electrode (Mo electrode) was approximately 1.5 × 10 −5 Ωcm.
第1バス電極としてAl、第2バス電極としてMoを用いることにより、第1および第2バス電極ともにMoを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ50%に小さくできることが確認できた。 By using Al as the first bus electrode and Mo as the second bus electrode, the voltage drop in the panel plane can be reduced to about 50% compared to the case where Mo is used for both the first and second bus electrodes. It could be confirmed.
[第1電極の形成]
第1電極としてIn−Zn酸化物パターンを形成した。第1電極は表示領域に走査線方向に4つの領域に分割して形成される。DCスパッタ法により、室温でIn−Zn酸化物膜を200nm形成した。スパッタターゲットにはIn−Zn酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅58μm、間隙7μmのパターンを形成した。
[Formation of first electrode]
An In—Zn oxide pattern was formed as the first electrode. The first electrode is formed in the display area by dividing it into four areas in the scanning line direction. An In—Zn oxide film having a thickness of 200 nm was formed at room temperature by a DC sputtering method. An In—Zn oxide fired target was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, patterning was performed using oxalic acid as an etching solution to form a pattern having a wiring width of 58 μm and a gap of 7 μm.
[有機発光層および第2電極の作製]
以上の工程に続き、第1電極を形成した第1電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。発光層は4,4′−ビス[2,2′−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミキレート(Alq)を20nm積層した。
[Production of organic light emitting layer and second electrode]
Following the above steps, the first electrode substrate on which the first electrode is formed is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer are maintained without breaking the vacuum. Films were sequentially formed. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) was laminated to a thickness of 100 nm. As the hole transport layer, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated to 20 nm. The light emitting layer was formed by laminating 30 nm of 4,4′-bis [2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi). The electron injection layer was formed by laminating 20 nm of aluminum chelate (Alq).
この後、第1電極のラインと垂直に幅0.165mm、空隙0.03mmギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(10:1の重量比率)層からなる第2電極(陰極)を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)下において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。 Thereafter, a 200 / nm-thick Mg / Ag (10: 1 weight ratio) layer is formed using a mask capable of obtaining a stripe pattern having a width of 0.165 mm and a gap of 0.03 mm perpendicular to the first electrode line. The second electrode (cathode) was formed without breaking the vacuum. The organic light emitting device thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive under a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
本実施例においても、実施例1と同様の駆動試験を行った結果、実施例1と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、絶縁膜を外部駆動回路との接続部の一部に形成しているため、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機EL発光素子の電極部の短絡を起こすことはなかった。 Also in the present example, as a result of performing the same driving test as in Example 1, it was confirmed that the decrease in luminance retention rate can be suppressed as in Example 1. Further, in this embodiment, since the insulating film is formed in a part of the connection portion with the external drive circuit, the electrode portion of the organic EL light emitting element even if there is a displacement in the connection between the bus electrode and the external drive circuit There was no short circuit.
(実施例4)
以下に、第4の実施例を説明する。この実施例では、有機EL発光素子は画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmで形成した。第1電極の分割は実施例1と同様であり、デューティー比は1/60である。本実施例では、第1バス電極と第2バス電極を並列に設ける並列型の例である。本実施例の場合、第1バス電極上および引き出し部の全面に絶縁膜を形成した。本実施例では、第1バス電極、絶縁膜、次いで第2バス電極を逐次形成する例である。
Example 4
The fourth embodiment will be described below. In this example, the organic EL light emitting element was formed with a pixel number of 320 × 240 × RGB and a pixel pitch of 0.195 mm. The division of the first electrode is the same as in Example 1, and the duty ratio is 1/60. In this embodiment, the first bus electrode and the second bus electrode are provided in parallel. In this example, an insulating film was formed on the first bus electrode and on the entire surface of the lead portion. In this embodiment, the first bus electrode, the insulating film, and then the second bus electrode are sequentially formed.
以下に、この有機EL発光素子の各作製プロセスを説明する。 Below, each preparation process of this organic electroluminescent light emitting element is demonstrated.
[青色フィルターの作製]
透明支持基板としてコーニングガラスTM(100×100×0.7mm)を用い、この上に厚さ1.5μmのブラックマトリックス(富士フイルムアーチ社製、CK7800)を形成し、青色フィルター材料(富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of blue filter]
Corning Glass TM (100 × 100 × 0.7 mm) is used as a transparent support substrate, and a black matrix (CK7800, manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) having a thickness of 1.5 μm is formed thereon, and a blue filter material (Fuji Film Arch) is formed. Color mosaic CB-7001) manufactured by the company was applied by spin coating and then patterned by photolithography to obtain a blue filter line width of 0.57 mm, pitch of 0.195 mm, and film thickness of 10 μm. It was.
[緑色変換フィルタの作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of green conversion filter]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied by spin coating on a transparent support substrate on which a blue filter line pattern has been formed, and patterned by photolithography, so that the green conversion filter has a line width of 0.57 mm and a pitch of 0. A line pattern having a thickness of 195 mm and a thickness of 10 μm was obtained.
[赤色変換フィルター層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of red conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied on a transparent support substrate on which the line pattern of the blue filter and the green conversion filter has been formed by spin coating, and patterning is performed by photolithography, so that the line width of the red conversion filter is 0. A line pattern having a thickness of 57 mm, a pitch of 0.195 mm, and a film thickness of 10 μm was obtained.
[平坦化層(高分子膜層)の作製]
これらの色変換フィルタの上に、UV硬化型樹脂(エポキシ変性アクリレート;JSR社製、NN810)をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚8μmで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。
[Fabrication of planarization layer (polymer film layer)]
On these color conversion filters, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate; NN810, manufactured by JSR) is applied by spin coating, and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a polymer film layer with a film thickness of 8 μm. did. At this time, the pattern of the color conversion filter was not deformed, and the upper surface of the polymer film layer was flat.
[パッシベーション層(無機膜層)の作製]
室温において、DCスパッタ法によりSiOx膜を300nm成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはSiを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。
[Preparation of Passivation Layer (Inorganic Film Layer)]
At room temperature, an SiOx film having a thickness of 300 nm was formed by DC sputtering to form an inorganic film layer. Si was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas.
[第1バス電極の形成]
第1バス電極としてAlパターンを形成した。第1バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域1および領域2の所定部位まで(本実施例では表示部内の中央部までの領域)配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。このようにして形成した第1バス電極(Al電極)の抵抗率はおよそ8.0×10−6Ωcmであった。
[Formation of first bus electrode]
An Al pattern was formed as the first bus electrode. The first bus electrode is wired from a connection portion with the external drive circuit to a predetermined portion of the
[絶縁膜の形成]
絶縁膜としてノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト(JSR社製JEM700R2)をフォトリソグラフィ法により形成した。なお、絶縁膜は、第1バス電極上と引き出し部の全面に形成した。実施例1と同様に、ポストベークにより絶縁膜の端部および側面部のテーパー形状を傾斜角度が約10°となるように制御した。
[Formation of insulating film]
A positive photoresist (JSR700R2 manufactured by JSR) made of novolac resin as an insulating film was formed by photolithography. The insulating film was formed on the first bus electrode and on the entire surface of the lead portion. In the same manner as in Example 1, the tapered shape of the end portion and side surface portion of the insulating film was controlled by post-baking so that the inclination angle was about 10 °.
[第2バス電極の形成]
第2バス電極としてMoパターンを形成した。第2バス電極は外部駆動回路との接続部のほぼ中央部から表示部の約1/4の位置まで配線される。DCスパッタ法により、室温でMo膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはMoを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。この第2バス電極(Mo電極)の抵抗率はおよそ1.5×10−5Ωcmであった。
[Formation of second bus electrode]
A Mo pattern was formed as the second bus electrode. The second bus electrode is wired from approximately the center of the connection portion with the external drive circuit to about 1/4 of the display portion. A 300 nm Mo film was formed at room temperature by DC sputtering. Mo was used as the sputtering target, and Ar was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, a pattern with a wiring width of 7 μm was formed by patterning using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid as an etching solution. The resistivity of the second bus electrode (Mo electrode) was approximately 1.5 × 10 −5 Ωcm.
第1バス電極としてAl、第2バス電極としてMoを用いることにより、第1および第2バス電極ともにMoを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ50%に小さくできることが確認できた。 By using Al as the first bus electrode and Mo as the second bus electrode, the voltage drop in the panel plane can be reduced to about 50% compared to the case where Mo is used for both the first and second bus electrodes. It could be confirmed.
[第1電極の形成]
第1電極としてIn−Zn酸化物パターンを形成した。第1電極は表示領域に走査線方向に4つの領域に分割して形成される。DCスパッタ法により、室温でIn−Zn酸化物膜を200nm形成した。スパッタターゲットにはIn−Zn酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅58μm、間隙7μmのパターンを形成した。
[Formation of first electrode]
An In—Zn oxide pattern was formed as the first electrode. The first electrode is formed in the display area by dividing it into four areas in the scanning line direction. An In—Zn oxide film having a thickness of 200 nm was formed at room temperature by a DC sputtering method. An In—Zn oxide fired target was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, patterning was performed using oxalic acid as an etching solution to form a pattern having a wiring width of 58 μm and a gap of 7 μm.
[有機発光層および第2電極の作製]
以上の工程に続き、第1電極を形成した第1電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。発光層は4,4′−ビス[2,2′−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミキレート(Alq)を20nm積層した。
[Production of organic light emitting layer and second electrode]
Following the above steps, the first electrode substrate on which the first electrode is formed is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer are maintained without breaking the vacuum. Films were sequentially formed. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) was laminated to a thickness of 100 nm. As the hole transport layer, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated to 20 nm. The light emitting layer was formed by laminating 30 nm of 4,4′-bis [2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi). The electron injection layer was formed by laminating 20 nm of aluminum chelate (Alq).
この後、第1電極のラインと垂直に幅0.165mm、空隙0.03mmギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(10:1の重量比率)層からなる第2電極(陰極)を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)下において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。 Thereafter, a 200 / nm-thick Mg / Ag (10: 1 weight ratio) layer is formed using a mask capable of obtaining a stripe pattern having a width of 0.165 mm and a gap of 0.03 mm perpendicular to the first electrode line. The second electrode (cathode) was formed without breaking the vacuum. The organic light emitting device thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive under a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
本実施例においても、実施例1と同様の駆動試験を行った結果、実施例1と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、絶縁膜を引き出し部にも形成しているため、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機EL発光素子の電極部の短絡を起こすことはなかった。 Also in the present example, as a result of performing the same driving test as in Example 1, it was confirmed that the decrease in luminance retention rate can be suppressed as in Example 1. Further, in this embodiment, since the insulating film is also formed in the lead portion, even if there is a displacement in the connection between the bus electrode and the external drive circuit, the electrode portion of the organic EL light emitting element is not short-circuited. It was.
(実施例5)
以下に、第5の実施例を説明する。この実施例では、有機EL発光素子は画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmで形成した。第1電極の分割は実施例1と同様であり、デューティー比は1/60である。本実施例では、第1バス電極と第2バス電極を積層型で形成する例である。また、本実施例では、第1バス電極と第2バス電極の線幅が異なるように形成した。本実施例の場合、第1バス電極上および引き出し部の全面に絶縁膜を形成した。
(Example 5)
The fifth embodiment will be described below. In this example, the organic EL light emitting element was formed with a pixel number of 320 × 240 × RGB and a pixel pitch of 0.195 mm. The division of the first electrode is the same as in Example 1, and the duty ratio is 1/60. In this embodiment, the first bus electrode and the second bus electrode are formed in a stacked type. In this embodiment, the first bus electrode and the second bus electrode are formed to have different line widths. In this example, an insulating film was formed on the first bus electrode and on the entire surface of the lead portion.
以下に、この有機EL発光素子の各作製プロセスを説明する。 Below, each preparation process of this organic electroluminescent light emitting element is demonstrated.
[青色フィルターの作製]
透明支持基板としてコーニングガラスTM(100×100×0.7mm)を用い、この上に厚さ1.5μmのブラックマトリックス(富士フイルムアーチ社製、CK7800)を形成し、青色フィルター材料(富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of blue filter]
Corning Glass TM (100 × 100 × 0.7 mm) is used as a transparent support substrate, and a black matrix (CK7800, manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) having a thickness of 1.5 μm is formed thereon, and a blue filter material (Fuji Film Arch) is formed. Color mosaic CB-7001) manufactured by the company was applied by spin coating and then patterned by photolithography to obtain a blue filter line width of 0.57 mm, pitch of 0.195 mm, and film thickness of 10 μm. It was.
[緑色変換フィルタの作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of green conversion filter]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied by spin coating on a transparent support substrate on which a blue filter line pattern has been formed, and patterned by photolithography, so that the green conversion filter has a line width of 0.57 mm and a pitch of 0. A line pattern having a thickness of 195 mm and a thickness of 10 μm was obtained.
[赤色変換フィルター層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of red conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied on a transparent support substrate on which the line pattern of the blue filter and the green conversion filter has been formed by spin coating, and patterning is performed by photolithography, so that the line width of the red conversion filter is 0. A line pattern having a thickness of 57 mm, a pitch of 0.195 mm, and a film thickness of 10 μm was obtained.
[平坦化層(高分子膜層)の作製]
これらの色変換フィルタの上に、UV硬化型樹脂(エポキシ変性アクリレート;JSR社製、NN810)をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚8μmで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。
[Fabrication of planarization layer (polymer film layer)]
On these color conversion filters, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate; NN810, manufactured by JSR) is applied by spin coating, and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a polymer film layer with a film thickness of 8 μm. did. At this time, the pattern of the color conversion filter was not deformed, and the upper surface of the polymer film layer was flat.
[パッシベーション層(無機膜層)の作製]
室温において、DCスパッタ法によりSiOx膜を300nm成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはSiを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。
[Preparation of Passivation Layer (Inorganic Film Layer)]
At room temperature, an SiOx film having a thickness of 300 nm was formed by DC sputtering to form an inorganic film layer. Si was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas.
[第1バス電極の形成]
第1バス電極としてAlパターンを形成した。第1バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域1および領域2の所定部位まで(本実施例では表示部内の中央部までの領域)配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅10μmのパターンを形成した。このようにして形成した第1バス電極(Al電極)の抵抗率はおよそ8.0×10−6Ωcmであった。
[Formation of first bus electrode]
An Al pattern was formed as the first bus electrode. The first bus electrode is wired from a connection portion with the external drive circuit to a predetermined portion of the
[絶縁膜の形成]
絶縁膜としてノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト(JSR社製JEM700R2)をフォトリソグラフィ法により形成した。なお、絶縁膜は、第1バス電極上と引き出し部の全面に形成した。実施例1と同様に、ポストベークにより絶縁膜の端部および側面部のテーパー形状を傾斜角度が約10°となるように制御した。
[Formation of insulating film]
A positive photoresist (JSR700R2 manufactured by JSR) made of novolac resin as an insulating film was formed by photolithography. The insulating film was formed on the first bus electrode and on the entire surface of the lead portion. In the same manner as in Example 1, the tapered shape of the end portion and side surface portion of the insulating film was controlled by post-baking so that the inclination angle was about 10 °.
[第2バス電極の形成]
第2バス電極として第1バス電極と同じ材料であるAlをパターン形成した。第2バス電極は外部駆動回路との接続部から表示部の端部(領域Aの引き出し部近傍)の位置まで配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅5μmのパターンを形成した。本実施例では、第1バス電極の配線長は約44mmであり、第2バス電極の配線長は約22mmであった。従って配線幅をそれぞれ10μmおよび5μmとしたことにより、第1バス電極と第2バス電極の配線抵抗はほぼ等しくなった。
[Formation of second bus electrode]
As the second bus electrode, Al, which is the same material as the first bus electrode, was patterned. The second bus electrode is wired from the connection part with the external drive circuit to the position of the end part of the display part (near the lead part of the region A). An Al film having a thickness of 300 nm was formed at room temperature by DC sputtering. Al was used as the sputtering target, and Ar was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, a pattern having a wiring width of 5 μm was formed by patterning using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid as an etching solution. In this example, the wiring length of the first bus electrode was about 44 mm, and the wiring length of the second bus electrode was about 22 mm. Accordingly, by setting the wiring width to 10 μm and 5 μm, respectively, the wiring resistances of the first bus electrode and the second bus electrode are almost equal.
[第1電極の形成]
第1電極としてIn−Zn酸化物パターンを形成した。第1電極は表示領域に走査線方向に4つの領域に分割して形成される。DCスパッタ法により、室温でIn−Zn酸化物膜を200nm形成した。スパッタターゲットにはIn−Zn酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅55μm、間隙10μmのパターンを形成した。
[Formation of first electrode]
An In—Zn oxide pattern was formed as the first electrode. The first electrode is formed in the display area by dividing it into four areas in the scanning line direction. An In—Zn oxide film having a thickness of 200 nm was formed at room temperature by a DC sputtering method. An In—Zn oxide fired target was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, patterning was performed using oxalic acid as an etching solution to form a pattern with a wiring width of 55 μm and a gap of 10 μm.
[有機発光層および第2電極の作製]
以上の工程に続き、第1電極を形成した第1電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。発光層は4,4′−ビス[2,2′−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミキレート(Alq)を20nm積層した。
[Production of organic light emitting layer and second electrode]
Following the above steps, the first electrode substrate on which the first electrode is formed is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer are maintained without breaking the vacuum. Films were sequentially formed. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) was laminated to a thickness of 100 nm. As the hole transport layer, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated to 20 nm. The light emitting layer was formed by laminating 30 nm of 4,4′-bis [2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi). The electron injection layer was formed by laminating 20 nm of aluminum chelate (Alq).
この後、第1電極のラインと垂直に幅0.165mm、空隙0.03mmギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(10:1の重量比率)層からなる第2電極(陰極)を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)下において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。 Thereafter, a 200 / nm-thick Mg / Ag (10: 1 weight ratio) layer is formed using a mask capable of obtaining a stripe pattern having a width of 0.165 mm and a gap of 0.03 mm perpendicular to the first electrode line. The second electrode (cathode) was formed without breaking the vacuum. The organic light emitting device thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive under a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
本実施例においても、実施例1と同様の駆動試験を行った結果、実施例1と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、絶縁膜を引き出し部にも形成しているため、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機EL発光素子の電極部の短絡を起こすことはなかった。 Also in the present example, as a result of performing the same driving test as in Example 1, it was confirmed that the decrease in luminance retention rate can be suppressed as in Example 1. Further, in this embodiment, since the insulating film is also formed in the lead portion, even if there is a displacement in the connection between the bus electrode and the external drive circuit, the electrode portion of the organic EL light emitting element is not short-circuited. It was.
(実施例6)
以下に、第6の実施例を説明する。この実施例では、有機EL発光素子は画素数320×240×RGB、画素ピッチ0.195mmで形成した。第1電極の分割は実施例1と同様であり、デューティー比は1/60である。本実施例では、第1バス電極と第2バス電極を並列に設ける並列型の例である。並列型の場合、実施例1と同様に第1バス電極上に絶縁膜を形成し、この上に第2バス電極を形成することができる。本実施例では、絶縁膜に複数の接続孔を設け、第1バス電極と第1電極との接続はこの接続孔を通して行われる。
(Example 6)
The sixth embodiment will be described below. In this example, the organic EL light emitting element was formed with a pixel number of 320 × 240 × RGB and a pixel pitch of 0.195 mm. The division of the first electrode is the same as in Example 1, and the duty ratio is 1/60. In this embodiment, the first bus electrode and the second bus electrode are provided in parallel. In the case of the parallel type, an insulating film can be formed on the first bus electrode and the second bus electrode can be formed thereon as in the first embodiment. In this embodiment, a plurality of connection holes are provided in the insulating film, and the connection between the first bus electrode and the first electrode is performed through the connection holes.
以下に、この有機EL発光素子の各作製プロセスを説明する。 Below, each preparation process of this organic electroluminescent light emitting element is demonstrated.
[青色フィルターの作製]
透明支持基板としてコーニングガラスTM(100×100×0.7mm)を用い、この上に厚さ1.5μmのブラックマトリックス(富士フイルムアーチ社製、CK7800)を形成し、青色フィルター材料(富士ハントエレクトロニクステクノロジー製、カラーモザイクCB−7001)をスピンコート法で塗布した後フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、青色フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of blue filter]
Corning Glass TM (100 × 100 × 0.7 mm) is used as a transparent support substrate, and a black matrix (CK7800, manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) having a thickness of 1.5 μm is formed thereon, and a blue filter material (Fuji Hunt Electronics Co., Ltd.). Technology-made color mosaic CB-7001) is applied by spin coating and then patterned by photolithography to obtain a blue filter line width of 0.57 mm, pitch of 0.195 mm, and film thickness of 10 μm. It was.
[緑色変換フィルタの作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.7重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルターのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、緑色変換フィルターの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of green conversion filter]
Coumarin 6 (0.7 parts by weight) as a fluorescent dye was dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied by spin coating on a transparent support substrate on which a blue filter line pattern has been formed, and patterned by photolithography, so that the green conversion filter has a line width of 0.57 mm and a pitch of 0. A line pattern having a thickness of 195 mm and a thickness of 10 μm was obtained.
[赤色変換フィルター層の作製]
蛍光色素としてクマリン6(0.6重量部)、ローダミン6G(0.3重量部)、ベーシックバイオレット11(0.3重量部)を溶剤のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)120重量部へ溶解させた。光重合性樹脂(V259PA/P5、新日鐵化学(株)製)100重量部を加えて溶解させ塗布液を得た。この塗布溶液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成済である透明支持基板上にスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィ法によりパターンニングを実施して、赤色変換フィルタの線幅0.57mm、ピッチ0.195mm、膜厚10μmのラインパターンを得た。
[Production of red conversion filter layer]
Coumarin 6 (0.6 parts by weight), rhodamine 6G (0.3 parts by weight) and basic violet 11 (0.3 parts by weight) are dissolved in 120 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a solvent. It was. 100 parts by weight of a photopolymerizable resin (V259PA / P5, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) was added and dissolved to obtain a coating solution. This coating solution is applied on a transparent support substrate on which the line pattern of the blue filter and the green conversion filter has been formed by spin coating, and patterning is performed by photolithography, so that the line width of the red conversion filter is 0. A line pattern having a thickness of 57 mm, a pitch of 0.195 mm, and a film thickness of 10 μm was obtained.
[平坦化層(高分子膜層)の作製]
これらの色変換フィルタの上に、UV硬化型樹脂(エポキシ変性アクリレート;JSR社製、NN810)をスピンコート法にて塗布し、高圧水銀灯にて照射して膜厚8μmで高分子膜層を形成した。このとき、色変換フィルターのパターンは変形がなく、かつ、高分子膜層の上面は平坦であった。
[Fabrication of planarization layer (polymer film layer)]
On these color conversion filters, a UV curable resin (epoxy-modified acrylate; NN810, manufactured by JSR) is applied by spin coating, and irradiated with a high-pressure mercury lamp to form a polymer film layer with a film thickness of 8 μm. did. At this time, the pattern of the color conversion filter was not deformed, and the upper surface of the polymer film layer was flat.
[パッシベーション層(無機膜層)の作製]
室温において、DCスパッタ法によりSiOx膜を300nm成膜して無機膜層を形成した。スパッタターゲットにはSiを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。
[Preparation of Passivation Layer (Inorganic Film Layer)]
At room temperature, an SiOx film having a thickness of 300 nm was formed by DC sputtering to form an inorganic film layer. Si was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas.
[第1バス電極の形成]
第1バス電極としてAlパターンを形成した。第1バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の、領域1および領域2の所定部位まで(本実施例では表示部内の中央部までの領域)配線される。DCスパッタ法により、室温でAl膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはAlを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。このようにして形成した第1バス電極(Al電極)の抵抗率はおよそ8.0×10−6Ωcmであった。
[Formation of first bus electrode]
An Al pattern was formed as the first bus electrode. The first bus electrode is wired from a connection portion with the external drive circuit to a predetermined portion of the
[絶縁膜の形成]
絶縁膜としてノボラック系樹脂を材料としたポジ型フォトレジスト(JSR社製JEM700R2)をフォトリソグラフィ法により形成した。なお、絶縁膜は、第1バス電極上と引き出し部の全面に形成した。また、絶縁膜には複数の接続孔を形成し、第1バス電極と第1電極を接続できる形状とした。
[Formation of insulating film]
A positive photoresist (JSR700R2 manufactured by JSR) made of novolac resin as an insulating film was formed by photolithography. The insulating film was formed on the first bus electrode and on the entire surface of the lead portion. In addition, a plurality of connection holes are formed in the insulating film so that the first bus electrode and the first electrode can be connected.
[第2バス電極の形成]
第2バス電極としてMoパターンを形成した。第2バス電極は外部駆動回路との接続部位から表示部の端部の位置(引き出し部に近い側)まで配線される。DCスパッタ法により、室温でMo膜を300nm形成した。スパッタターゲットにはMoを用い、スパッタガスとしてArを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に燐酸と硝酸と酢酸の混合液をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅7μmのパターンを形成した。この第2バス電極(Mo電極)の抵抗率はおよそ1.5×10−5Ωcmであった。
[Formation of second bus electrode]
A Mo pattern was formed as the second bus electrode. The second bus electrode is wired from the connection portion with the external drive circuit to the position of the end portion of the display portion (side closer to the lead portion). A 300 nm Mo film was formed at room temperature by DC sputtering. Mo was used as the sputtering target, and Ar was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, a pattern with a wiring width of 7 μm was formed by patterning using a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid as an etching solution. The resistivity of the second bus electrode (Mo electrode) was approximately 1.5 × 10 −5 Ωcm.
第1バス電極としてAl、第2バス電極としてMoを用いることにより、第1および第2バス電極ともにMoを用いる場合に比較して、パネル面内での電圧降下をおよそ50%に小さくできることが確認できた。 By using Al as the first bus electrode and Mo as the second bus electrode, the voltage drop in the panel plane can be reduced to about 50% compared to the case where Mo is used for both the first and second bus electrodes. It could be confirmed.
[第1電極の形成]
第1電極としてIn−Zn酸化物パターンを形成した。第1電極は表示領域に走査線方向に4つの領域に分割して形成される。DCスパッタ法により、室温でIn−Zn酸化物膜を200nm形成した。スパッタターゲットにはIn−Zn酸化物焼成ターゲットを用い、スパッタガスとしてArおよび酸素の混合ガスを用いた。フォトリソグラフィによりレジストをパターンニングした後に蓚酸をエッチング液として用いてパターンニングすることにより配線幅58μm、間隙7μmのパターンを形成した。
[Formation of first electrode]
An In—Zn oxide pattern was formed as the first electrode. The first electrode is formed in the display area by dividing it into four areas in the scanning line direction. An In—Zn oxide film having a thickness of 200 nm was formed at room temperature by a DC sputtering method. An In—Zn oxide fired target was used as the sputtering target, and a mixed gas of Ar and oxygen was used as the sputtering gas. After patterning the resist by photolithography, patterning was performed using oxalic acid as an etching solution to form a pattern having a wiring width of 58 μm and a gap of 7 μm.
[有機発光層および第2電極の作製]
以上の工程に続き、第1電極を形成した第1電極基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内圧は1×10−4Paまで減圧した。正孔注入層は銅フタロシアニン(CuPc)を100nm積層した。正孔輸送層は4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)を20nm積層した。発光層は4,4′−ビス[2,2′−ジフェニルビニル)ビフェニル(DPVBi)を30nm積層した。電子注入層はアルミキレート(Alq)を20nm積層した。
[Production of organic light emitting layer and second electrode]
Following the above steps, the first electrode substrate on which the first electrode is formed is mounted in a resistance heating vapor deposition apparatus, and the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer are maintained without breaking the vacuum. Films were sequentially formed. During film formation, the internal pressure of the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. As the hole injection layer, copper phthalocyanine (CuPc) was laminated to a thickness of 100 nm. As the hole transport layer, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD) was laminated to 20 nm. The light emitting layer was formed by laminating 30 nm of 4,4′-bis [2,2′-diphenylvinyl) biphenyl (DPVBi). The electron injection layer was formed by laminating 20 nm of aluminum chelate (Alq).
この後、第1電極のラインと垂直に幅0.165mm、空隙0.03mmギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ200nmのMg/Ag(10:1の重量比率)層からなる第2電極(陰極)を、真空を破らずに形成した。こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内乾燥窒素雰囲気(酸素および水分濃度ともに10ppm以下)下において、封止ガラスとUV硬化接着剤を用いて封止した。 Thereafter, a 200 / nm-thick Mg / Ag (10: 1 weight ratio) layer is formed using a mask capable of obtaining a stripe pattern having a width of 0.165 mm and a gap of 0.03 mm perpendicular to the first electrode line. The second electrode (cathode) was formed without breaking the vacuum. The organic light emitting device thus obtained was sealed with a sealing glass and a UV curable adhesive under a dry nitrogen atmosphere in the glove box (both oxygen and moisture concentrations were 10 ppm or less).
実施例1と同様の駆動試験を行った結果、実施例1と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、本実施例では、第1バス電極上に絶縁膜を形成し、第1バス電極と第1電極は複数の接続孔により接続されているため、絶縁膜が表示部で均等に形成される。従って、電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なることはなかった。 As a result of performing the same driving test as in Example 1, it was confirmed that the decrease in luminance retention rate could be suppressed as in Example 1. In this embodiment, since an insulating film is formed on the first bus electrode, and the first bus electrode and the first electrode are connected by a plurality of connection holes, the insulating film is uniformly formed in the display portion. . Accordingly, the electrode wiring structure is constant, and when the first electrode portion is formed by photolithography, the light emission area of the divided region of the first electrode is not different depending on the alignment accuracy.
本実施例の変形として、例えば図9に示したように、第1バス電極に複数の突出部を形成し、第1バス電極のこの突出部以外の部分に絶縁膜を形成し、突出部を介して第1バス電極と第1電極を接続することもできる。 As a modification of the present embodiment, as shown in FIG. 9, for example, a plurality of protrusions are formed on the first bus electrode, an insulating film is formed on a portion other than the protrusions of the first bus electrode, and the protrusions are formed. The first bus electrode and the first electrode can also be connected via each other.
即ち、本実施例において、第1電極をパターンニングする際に、第1電極に突出部を形成するようにし、次いで絶縁膜をこの突出部以外の第1バス電極上に形成すればよい。 That is, in this embodiment, when patterning the first electrode, a protrusion is formed on the first electrode, and then an insulating film is formed on the first bus electrode other than the protrusion.
この場合でも、実施例1と同様の駆動試験を行うと、実施例1と同様に輝度保持率の低下を抑制できることが確認された。また、絶縁膜が表示部で均等に形成されるため、電極の配線構造が一定となり、フォトリソグラフィで第1電極部を形成する場合に、位置あわせの精度による第1電極の分割領域の発光面積が異なることはなかった。 Even in this case, when the same driving test as in Example 1 was performed, it was confirmed that a decrease in luminance retention rate could be suppressed as in Example 1. In addition, since the insulating film is uniformly formed in the display portion, the wiring structure of the electrode is constant, and when the first electrode portion is formed by photolithography, the light emission area of the divided region of the first electrode due to alignment accuracy There was nothing different.
以上の実施例から、本発明の有機EL発光素子のデューティー比は1/60である。一方、同じ精細度の有機EL発光素子を、単純に2分割し、信号線を発光素子の2方向から取り出すだけの配線構造では、デューティー比は1/120となる。従って、本発明の有機EL発光素子は、従来のものと比べて輝度半減期によって定義される寿命が約2倍となった。また、上記実施例の有機EL発光素子は、4分割された信号線の境界において輝度の変化もほぼ連続的に変化しており、目視で輝度差を認識することはできなかった。これは、4分割された信号線の境界において信号線の抵抗値、即ち電圧降下がほぼ連続的に変化することによる。さらに、上記実施例で示されるように、絶縁膜を外部駆動回路との接続部や引き出し部にも形成することにより、バス電極と外部駆動回路との接続に際して位置ずれがあっても有機EL発光素子の電極部の短絡を起こすことはない。 From the above examples, the duty ratio of the organic EL light emitting device of the present invention is 1/60. On the other hand, in a wiring structure in which an organic EL light emitting element having the same definition is simply divided into two and a signal line is simply taken out from two directions of the light emitting element, the duty ratio is 1/120. Therefore, the organic EL light-emitting device of the present invention has a life defined by a luminance half-life of about twice that of the conventional device. Further, in the organic EL light emitting device of the above example, the change in luminance also changed substantially continuously at the boundary of the signal line divided into four, and the luminance difference could not be recognized visually. This is because the resistance value of the signal line, that is, the voltage drop changes substantially continuously at the boundary of the signal line divided into four. Further, as shown in the above embodiment, the insulating film is formed also in the connection part and the lead part with the external drive circuit, so that the organic EL light emission can be achieved even when there is a displacement in the connection between the bus electrode and the external drive circuit. There is no short circuit of the electrode part of the element.
上記実施例では、多色有機EL発光素子の例を示したが、色変換フィルタを設ける手順を省略することにより、いわゆるモノクロ有機EL発光素子を得ることができる。 In the above embodiment, an example of a multicolor organic EL light emitting device has been described. However, a so-called monochrome organic EL light emitting device can be obtained by omitting the procedure of providing a color conversion filter.
10、20、30、40 多色有機発光表示素子
102 支持基板
104 第一電極
106 第二電極
108 ブラックマトリックス
110 色変換フィルタ層
112 平坦化層
114 パッシベーション層
116 有機発光層
118 封止部材
120 外周封止層
302n バス電極
304n 絶縁膜
822、922 突出部
1022 接続孔
10, 20, 30, 40 Multicolor organic light emitting
Claims (25)
(1)支持基板上に第1電極と接続するための複数の接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、
(2)対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第1電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。 Forming a plurality of first electrodes divided into a plurality of regions and connected to a plurality of corresponding bus electrodes in each of the plurality of regions, an organic EL layer, and a second electrode; A process for forming an organic EL light-emitting element, comprising the step of forming the first electrode,
(1) forming a plurality of bus electrodes having a plurality of connection portions for connecting to the first electrode on the support substrate;
(2) A method of manufacturing an organic EL light-emitting element, including a step of forming a divided first electrode so as to be connected to only a plurality of corresponding bus electrodes at the connection portion.
(1)支持基板上に第1電極と接続するための複数の接続部を有する複数のバス電極を形成する工程と、
(2)前記バス電極の接続部以外であって、前記バス電極の少なくとも一部を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
(3)対応する複数のバス電極のみに前記接続部で接続するように、分割された第1電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。 Forming a plurality of first electrodes divided into a plurality of regions and connected to a plurality of corresponding bus electrodes in each of the plurality of regions, an organic EL layer, and a second electrode; A process for forming an organic EL light-emitting element, comprising the step of forming the first electrode,
(1) forming a plurality of bus electrodes having a plurality of connection portions for connecting to the first electrode on the support substrate;
(2) forming an insulating film so as to cover at least a part of the bus electrode other than the connection portion of the bus electrode;
(3) A method of manufacturing an organic EL light-emitting element, including a step of forming a divided first electrode so as to be connected to only a plurality of corresponding bus electrodes at the connection portion.
(1)支持基板上に第1電極と接続するための複数の接続部を有する1または複数のバス電極を形成する工程と、
(2)バス電極の接続部以外であって、前記バス電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
(3)前記(1)および(2)の工程を繰り返し、必要な複数のバス電極を形成する工程と、
(4)対応する複数のバス電極のみに接続部で接続するように、分割された第1電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。 Forming a plurality of first electrodes divided into a plurality of regions and connected to a plurality of corresponding bus electrodes in each of the plurality of regions, an organic EL layer, and a second electrode; A process for forming an organic EL light-emitting element, comprising the step of forming the first electrode,
(1) forming one or a plurality of bus electrodes having a plurality of connection portions for connecting to the first electrode on the support substrate;
(2) a step of forming an insulating film so as to cover the bus electrode other than the connection portion of the bus electrode;
(3) repeating the steps (1) and (2) to form a plurality of necessary bus electrodes;
(4) A method of manufacturing an organic EL light-emitting element, including a step of forming a divided first electrode so as to be connected to only a plurality of corresponding bus electrodes at a connection portion.
The method for producing an organic EL light-emitting element according to any one of claims 13 to 21, further comprising a step of forming a color conversion filter on the second electrode side after the step of forming the organic EL layer and the second electrode.
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