JP2005216541A - Micro relay and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro relay having an armature, a stationary contact and a movable contact arranged in a sealed space, and of which the whole structure can be, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: This micro relay includes a base substrate 1 in which a storage portion for receiving an electromagnet device 2 is formed and the stationary contact 14 is provided on the side of one surface in the direction of its thickness; an armature block 3 having a frame portion 31 fixed on the side of the one surface of the base substrate 1, an armature 30 arranged inside the frame portion 31, supported in freely rocking by the frame portion 31 via a supporting spring portion 32 and driven by the electromagnet device 2, and a movable contact base portion 34 supported by the armature 30 via a contact pressure portion 35; and a cover 4 having a circumference portion fixed to the frame portion 31 on the opposite side of the base substrate 1 to the armature block 3. The electromagnet device 2 is constructed by providing a permanent magnet 21 in the magnetic field path formed by the armature 30 and a yoke 20 in the size of the thickness of the base substrate 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マイクロリレーおよびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a microrelay and a manufacturing method thereof.

従来から、静電駆動型のマイクロリレーに比べて駆動力を大きくできるマイクロリレーとして、電磁石装置の電磁力を利用してアーマチュアを駆動し接点を開閉するようにしたマイクロリレーが知られている(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a microrelay that can increase the driving force compared to an electrostatically driven microrelay, a microrelay that uses an electromagnetic force of an electromagnet device to drive an armature to open and close a contact is known ( For example, see Patent Document 1).

ここにおいて、上記特許文献1に開示されたマイクロリレーは、厚み方向の一表面側において長手方向の両端部に各一対の固定接点が設けられ且つ2つの電磁石装置が挿入される2つの挿入孔が長手方向に離間して形成された矩形板状のセラミック基板からなるベース基板と、矩形枠状のフレーム部およびフレーム部の内側に配置されて一対の枢支部を介してフレーム部に揺動自在に支持され各電磁石装置に対向する部位それぞれに永久磁石が設けられたアーマチュアおよびアーマチュアの両端部に固着された可動接点を有するアーマチュアブロックと、ベース基板の周部とアーマチュアブロックのフレーム部との間に介在する矩形枠状のスペーサとを備えている。なお、上記特許文献1に開示されたマイクロリレーでは、静電駆動型のマイクロリレーに比べて駆動力を大きくできるので、接点圧を大きくできて耐衝撃性および信頼性を高めることができるという利点や、アーマチュアの駆動ストロークを大きくできて接点開成時の可動接点と固定接点との間の距離を大きくすることができて高周波特性(アイソレーション特性)の向上を図れるという利点や、低電圧駆動が可能となるという利点などがある。
特開平5−114347号公報(段落番号〔0033〕−〔0036〕、図11−図13参照)
Here, the micro relay disclosed in Patent Document 1 has two insertion holes in which a pair of fixed contacts are provided at both ends in the longitudinal direction on one surface side in the thickness direction and two electromagnet devices are inserted. A base substrate composed of a rectangular plate-shaped ceramic substrate formed spaced apart in the longitudinal direction, a rectangular frame-shaped frame portion and an inner side of the frame portion, and swingable to the frame portion via a pair of pivotal support portions An armature that is supported and has permanent magnets at portions facing each electromagnet device, an armature block having a movable contact fixed to both ends of the armature, and a periphery of the base substrate and a frame portion of the armature block And an intervening rectangular frame spacer. The micro relay disclosed in Patent Document 1 has an advantage that the driving force can be increased as compared with the electrostatic drive type micro relay, so that the contact pressure can be increased and the impact resistance and reliability can be improved. In addition, the armature drive stroke can be increased, the distance between the movable contact and the fixed contact when the contact is opened can be increased, and the high frequency characteristics (isolation characteristics) can be improved. There is an advantage that it becomes possible.
Japanese Patent Laid-Open No. 5-114347 (see paragraph numbers [0033]-[0036], FIGS. 11-13)

ところで、上記特許文献1に開示されたマイクロリレーでは、アーマチュアにおいて各電磁石装置との対向面に2つの永久磁石を設けてあり、ベース基板の周部とアーマチュアブロックのフレーム部との間に厚み寸法の比較的大きなスペーサを介在させる必要があるので、リレー全体としての厚み寸法が大きくなってしまう。また、上記特許文献1に開示されたマイクロリレーでは、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が外気に曝されて酸化したり固定接点と可動接点との間に異物などが侵入する恐れがあるので、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側にカバーを設けて、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置されるようにすることが望ましいと考えられる。   By the way, in the micro relay disclosed in Patent Document 1, two permanent magnets are provided on the armature on the surface facing each electromagnet device, and the thickness dimension is between the peripheral portion of the base substrate and the frame portion of the armature block. Therefore, the thickness dimension of the entire relay is increased. Further, in the micro relay disclosed in Patent Document 1, the armature, the fixed contact and the movable contact are exposed to the outside air and may oxidize or foreign matter may enter between the fixed contact and the movable contact. It may be desirable to provide a cover on the opposite side of the block from the base substrate so that the armature and the stationary and movable contacts are located within the sealed space.

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーおよびその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned reasons, and an object of the present invention is to provide a micro relay in which an armature, a fixed contact, and a movable contact are arranged in a sealed space and can be thinned as a whole relay, and a manufacturing method thereof. It is to provide.

請求項1の発明は、ヨークに巻回されたコイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置を収納する収納部が形成され且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、ベース基板の前記一表面側に固着される枠状のフレーム部およびフレーム部の内側に配置されて支持ばね部を介してフレーム部に揺動自在に支持され電磁石装置により駆動されるアーマチュアおよびアーマチュアに接圧ばね部を介して支持され可動接点が設けられた可動接点基台部を有するアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーとを備え、電磁石装置は、ベース基板の厚み寸法内でアーマチュアとヨークとにより形成される磁路中に永久磁石を設けてなることを特徴とする。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a base in which a housing portion for housing an electromagnet device that generates magnetic flux in response to an exciting current applied to a coil wound around a yoke is formed and a fixed contact is provided on one surface side in the thickness direction. A substrate, a frame-like frame portion fixed to the one surface side of the base substrate, and an armature disposed inside the frame portion and swingably supported by the frame portion via a support spring portion and driven by an electromagnet device And an armature block having a movable contact base portion supported by the armature via a contact pressure spring portion and provided with a movable contact, and a cover having a peripheral portion fixed to the frame portion on the opposite side of the base substrate in the armature block. The electromagnet device is characterized in that a permanent magnet is provided in a magnetic path formed by the armature and the yoke within the thickness dimension of the base substrate. .

この発明によれば、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーを備えていることにより、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され、電磁石装置は、ベース基板の厚み寸法内でアーマチュアとヨークとにより形成される磁路中に永久磁石を設けてあるので、従来のようにアーマチュアブロックとベース基板との間にスペーサを介在させる必要がなく、リレー全体の薄型化が可能となる。   According to this invention, the armature, the fixed contact, and the movable contact are arranged in the sealed space by providing the cover whose peripheral portion is fixed to the frame portion on the opposite side of the base substrate in the armature block, and the electromagnetic device Since the permanent magnet is provided in the magnetic path formed by the armature and the yoke within the thickness dimension of the base substrate, it is not necessary to interpose a spacer between the armature block and the base substrate as in the prior art. The entire relay can be made thinner.

請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記ヨークは、前記コイルが巻回される細長のコイル巻回部と、コイル巻回部の両端部それぞれから前記アーマチュアに近づく向きに延設され前記コイルへの励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片とを備え、前記永久磁石は、コイル巻回部の長手方向の中央部における前記アーマチュア側に重ねて配置され重ね方向の両面が異極に着磁されてなることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the yoke extends from the elongated coil winding portion around which the coil is wound and the armature from both ends of the coil winding portion so as to approach the armature. And a pair of leg pieces whose tip surfaces are excited to have different polarities according to the exciting current to the coil, and the permanent magnet is overlapped on the armature side in the central portion in the longitudinal direction of the coil winding portion. And both sides in the overlapping direction are magnetized to have different polarities.

この発明によれば、前記アーマチュアの長手方向の中心部を中心として前記アーマチュアが揺動可能となり、耐衝撃性が向上する。   According to the present invention, the armature can swing around the central portion in the longitudinal direction of the armature, and the impact resistance is improved.

請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記フレーム部と前記ベース基板との間および前記フレーム部と前記カバーとの間にはそれぞれ前記フレーム部の全周に亙って接合用金属薄膜を介在させてなることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, between the frame portion and the base substrate and between the frame portion and the cover, the entire circumference of the frame portion is provided. And a metal thin film for bonding is interposed.

この発明によれば、前記ベース基板と前記カバーと前記フレーム部とで囲まれる空間の気密性を向上できる。   According to this invention, the airtightness of the space surrounded by the base substrate, the cover, and the frame portion can be improved.

請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3の発明において、前記ベース基板は、厚み方向の他表面側に形成された接続用電極と、厚み方向に貫設したスルーホールの内周面に被着され前記固定接点と接続用電極とを電気的に接続する導体層と、スルーホールを閉塞する閉塞手段とが設けられてなることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the first to third aspects of the present invention, the base substrate includes a connection electrode formed on the other surface side in the thickness direction and an inner peripheral surface of a through hole penetrating in the thickness direction. A conductive layer electrically connecting the fixed contact and the connection electrode, and a closing means for closing the through hole.

この発明によれば、外部から不要な気体や異物がスルーホールを通って内部空間へ侵入するのを防ぐことができ、前記固定接点、前記可動接点の表面の酸化や異物の侵入による接点信頼性の低下を防止することができる。また、内部空間の気圧を適宜設定することにより前記アーマチュアの動作速度を変更でき、例えば、リレー動作速度の速い用途に用いる場合には内部空間の圧力を比較的低圧に設定し、動作速度は遅くてよいが接点バウンスを少なくしたい用途に用いる場合には内部空間の圧力を比較的高圧に設定すればよい。   According to this invention, it is possible to prevent unnecessary gas and foreign matter from entering the internal space from the outside through the through hole, and contact reliability due to oxidation of the surface of the fixed contact and the movable contact and intrusion of foreign matter. Can be prevented. In addition, the operating speed of the armature can be changed by appropriately setting the atmospheric pressure in the internal space. For example, when used in applications where the relay operating speed is high, the internal space pressure is set to a relatively low pressure and the operating speed is low. However, when used for applications where contact bounce is to be reduced, the internal space pressure may be set to a relatively high pressure.

請求項5の発明は、請求項4の発明において、前記閉塞手段は、前記ベース基板の前記一表面側において前記スルーホールの開口面を閉塞するように前記ベース基板に固着されたシリコン薄膜からなる蓋体であることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the closing means comprises a silicon thin film fixed to the base substrate so as to close the opening surface of the through hole on the one surface side of the base substrate. It is a lid.

この発明によれば、前記スルーホールの開口面を容易に安定して閉塞することができる。   According to this invention, the opening surface of the through hole can be easily and stably closed.

請求項6の発明は、請求項1ないし請求項5の発明において、前記アーマチュアは、前記フレーム部の内側に配置され前記支持ばね部を介して前記フレーム部に支持された薄板状の可動基台部と、可動基台部において前記電磁石装置側に固着された磁性体材料からなる薄板状の磁性体部とで構成され、前記アーマチュアブロックは、前記フレーム部、前記支持ばね部、可動基台部、前記接圧ばね部、前記可動接点基台部が1枚の半導体基板を加工することにより形成されてなることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the first to fifth aspects of the invention, the armature is disposed on the inner side of the frame portion and is supported on the frame portion via the support spring portion. And a thin plate-like magnetic body portion made of a magnetic material fixed to the electromagnet device side in the movable base portion, and the armature block includes the frame portion, the support spring portion, and the movable base portion The contact pressure spring portion and the movable contact base portion are formed by processing a single semiconductor substrate.

この発明によれば、半導体基板に対して半導体微細加工プロセスを行うことによって前記アーマチュアブロックの大部分を形成することができ、前記支持ばね部および前記接圧ばね部の機械的な寿命を向上させることができる。   According to the present invention, most of the armature block can be formed by performing a semiconductor microfabrication process on a semiconductor substrate, and the mechanical life of the support spring portion and the contact pressure spring portion is improved. be able to.

請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のマイクロリレーの製造方法であって、半導体基板を加工してフレーム部、支持ばね部、接圧ばね部、可動接点基台部、アーマチュアの一部を構成する可動基台部を形成した後で可動基台部においてベース基板側となる一面に磁性体からなる磁性体部を固着し且つ可動接点基台部に可動接点を固着することでアーマチュアブロックを形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロックとベース基板およびカバーを固着することでベース基板とカバーとアーマチュアブロックのフレーム部とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でベース基板の収納部に電磁石装置を収納する電磁石装置配設工程とを備えることを特徴とする。   A seventh aspect of the invention is a method for manufacturing a microrelay according to any one of the first to sixth aspects, wherein the semiconductor substrate is processed to form a frame portion, a support spring portion, a contact pressure spring portion, and a movable portion. After the contact base portion and the movable base portion constituting a part of the armature are formed, a magnetic body portion made of a magnetic material is fixed to one surface on the base substrate side in the movable base portion, and the movable contact base portion The armature block forming process for forming the armature block by fixing the movable contact, and the base board, the cover, and the frame portion of the armature block by fixing the armature block, the base board and the cover formed in the armature block forming process. A sealing process for sealing the enclosed space, and an electromagnet device arrangement process for storing the electromagnet device in the storage portion of the base substrate after the sealing process are provided. And wherein the Rukoto.

この発明によれば、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a microrelay in which an armature, a fixed contact, and a movable contact are arranged in a sealed space and the entire relay can be thinned.

請求項8の発明は、請求項5記載のマイクロリレーの製造方法であって、半導体基板を加工してフレーム部、支持ばね部、接圧ばね部、可動接点基台部、アーマチュアの一部を構成する可動基台部を形成した後で可動基台部においてベース基板側となる一面に磁性体からなる磁性体部を固着し且つ可動接点基台部に可動接点を固着することでアーマチュアブロックを形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロックとベース基板およびカバーを固着することでベース基板とカバーとアーマチュアブロックのフレーム部とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でベース基板の収納部に電磁石装置を収納する電磁石装置配設工程とを備え、ベース基板の形成にあたっては、ベース基板の基礎となる基板において収納部に対応する部位に厚み方向に貫通する収納孔を形成するのと同時にスルーホールを形成した後、基板において固定接点を設ける側の表面に収納孔およびスルーホールの両方を覆う薄膜を固着し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔およびスルーホールそれぞれの開口面を個別に閉塞する複数の蓋体を形成することを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the method for manufacturing a micro relay according to claim 5, wherein the semiconductor substrate is processed so that the frame portion, the support spring portion, the contact pressure spring portion, the movable contact base portion, and a part of the armature are formed. After forming the movable base portion to be configured, the armature block is formed by fixing the magnetic body portion made of a magnetic material to one surface on the base substrate side in the movable base portion and fixing the movable contact to the movable contact base portion. An armature block forming step to be formed, and a sealing step of sealing the space surrounded by the base substrate, the cover, and the frame portion of the armature block by fixing the armature block formed in the armature block forming step, the base substrate, and the cover; An electromagnet device arranging step of housing the electromagnet device in the base substrate housing portion after the sealing step, and in forming the base substrate The through hole is formed at the same time as the through hole is formed in the portion corresponding to the storage portion in the base plate of the base substrate in the thickness direction, and then the storage hole and the through hole are formed on the surface of the substrate on the side where the fixed contact is provided. A thin film covering both of the holes is fixed, and the thin film is patterned to form a plurality of lids that individually close the opening surfaces of the storage hole and the through hole.

この発明によれば、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーを提供することができ、しかも、収納孔およびスルーホールを同時に閉塞することができるので、別々の工程で閉塞する場合に比べて工程数を削減できて低コスト化を図れる。   According to the present invention, it is possible to provide a micro relay in which an armature, a fixed contact, and a movable contact are arranged in a sealed space and can be thinned as a whole relay, and the storage hole and the through hole are simultaneously closed. Therefore, the number of processes can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case of blocking in separate processes.

請求項1の発明では、アーマチュアおよび固定接点および可動接点を密閉空間内に配置することができ且つリレー全体としての薄型化を図ることが可能となるという効果がある。   According to the first aspect of the invention, the armature, the fixed contact, and the movable contact can be arranged in the sealed space, and the relay as a whole can be reduced in thickness.

請求項7の発明では、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーを提供することができるという効果がある。   In the invention of claim 7, there is an effect that the armature, the fixed contact, and the movable contact are arranged in the sealed space, and a micro relay capable of reducing the thickness of the entire relay can be provided.

請求項8の発明では、アーマチュアおよび固定接点および可動接点が密閉空間内に配置され且つリレー全体としての薄型化が可能なマイクロリレーを提供することができ、しかも、収納孔およびスルーホールを同時に閉塞することができるので、別々の工程で閉塞する場合に比べて工程数を削減できて低コスト化を図れるという効果がある。   According to the eighth aspect of the present invention, it is possible to provide a micro relay in which the armature, the fixed contact, and the movable contact are arranged in a sealed space and can be thinned as a whole relay, and the accommodation hole and the through hole are simultaneously closed. Therefore, there is an effect that the number of processes can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case of blocking in separate processes.

以下、本実施形態のマイクロリレーについて図1〜図7を参照しながら説明する。   Hereinafter, the micro relay of this embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施形態のマイクロリレーは、ヨーク20に巻回されたコイル22,22への励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置2と、矩形板状のガラス基板からなり厚み方向の一面側において長手方向の両端部それぞれに各一対の固定接点14が設けられたベース基板1と、ベース基板1の上記一表面側に固着される枠状(矩形枠状)のフレーム部31およびフレーム部31の内側に配置されて4本の支持ばね部32を介してフレーム部31に揺動自在に支持され電磁石装置2により駆動されるアーマチュア30およびアーマチュア30にそれぞれ2本の接圧ばね部35を介して支持されそれぞれ可動接点39が設けられた2つの可動接点基台部34を有するアーマチュアブロック3と、アーマチュアブロック3におけるベース基板1とは反対側で周部がフレーム部31に固着された矩形板状のガラス基板からなるカバー4とを備えている。   The microrelay of this embodiment is composed of an electromagnet device 2 that generates a magnetic flux in response to an exciting current applied to coils 22 and 22 wound around a yoke 20, and a rectangular plate-like glass substrate that is long on one side in the thickness direction. A base substrate 1 provided with a pair of fixed contacts 14 at both ends in the direction, a frame-shaped (rectangular frame-shaped) frame portion 31 fixed to the one surface side of the base substrate 1, and the inside of the frame portion 31 The armature 30 and the armature 30 are supported by the armature 30 and the armature 30 via the two contact pressure springs 35, respectively. The armature block 3 having two movable contact bases 34 each provided with a movable contact 39 is opposite to the base substrate 1 in the armature block 3. In the circumferential portion and a cover 4 made of a rectangular plate-shaped glass substrate which is fixed to the frame portion 31.

電磁石装置2におけるヨーク20は、2つのコイル22,22が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部20aと、コイル巻回部20aの長手方向の両端部それぞれからアーマチュア30に近づく向きに延設されコイル22,22への励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片20b,20bと、ヨーク20の両脚片20b,20bの間でコイル巻回部20aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石21と、細長の矩形板状であってヨーク20のコイル巻回部20aにおける永久磁石21との対向面とは反対側でコイル巻回部20aと直交するようにコイル巻回部20aに固着されるプリント基板23とを備えている。なお、ヨーク20は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工あるいは鋳造加工することにより形成されており、両脚片20b,20bの断面が矩形状に形成されている。   The yoke 20 in the electromagnet device 2 approaches the armature 30 from each of the elongated rectangular plate-shaped coil winding part 20a around which the two coils 22 and 22 are directly wound, and both ends in the longitudinal direction of the coil winding part 20a. Coil winding between a pair of leg pieces 20b, 20b extending in the direction and excited at opposite ends according to the excitation current to the coils 22, 22, and both leg pieces 20b, 20b of the yoke 20 A rectangular plate-like permanent magnet 21 disposed on the central portion in the longitudinal direction of the portion 20a and an elongated rectangular plate shape opposite to the surface of the coil winding portion 20a of the yoke 20 facing the permanent magnet 21 And a printed circuit board 23 fixed to the coil winding portion 20a so as to be orthogonal to the coil winding portion 20a. The yoke 20 is formed by bending or casting an iron plate such as electromagnetic soft iron, and the cross sections of both leg pieces 20b and 20b are formed in a rectangular shape.

永久磁石21は、コイル巻回部20aとの重ね方向(厚み方向)の両面それぞれの磁極面21a,21bが異極に着磁されており、一方の磁極面21bがヨーク20のコイル巻回部20aに当接し、他方の磁極面21aがヨーク20の両脚片20b,20bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。なお、図4中の矢印Aは磁化方向を示している。   In the permanent magnet 21, the magnetic pole surfaces 21a and 21b on both surfaces in the overlapping direction (thickness direction) with the coil winding portion 20a are magnetized in different polarities, and one magnetic pole surface 21b is the coil winding portion of the yoke 20. The thickness dimension is set so that the other magnetic pole surface 21a is in contact with 20a and is located on the same plane as the tip surfaces of both leg pieces 20b, 20b of the yoke 20. Note that an arrow A in FIG. 4 indicates the magnetization direction.

また、各コイル22,22はそれぞれ、永久磁石21とヨーク20の脚片20b,20bとによって口軸方向(つまり、コイル巻回部20aの長手方向)への移動が規制される。プリント基板23は、絶縁基板23aの一表面における長手方向の両端部に導体パターン23bが形成されており、各導体パターン23bにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極を構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部を構成している。ここにおいて、コイル接続部には、コイル22,22の端末が接続されるが、コイル22,22は、外部接続用電極間に電源を接続してコイル22,22へ励磁電流を流したときにヨーク20の両脚片20b,20bの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。なお、各導体パターン23bにおける外部接続用電極には、導電性材料(例えば、Au,Ag,Cu,半田など)からなるバンプ24が適宜固着されるが、バンプ24を固着する代わりに、ボンディングワイヤをボンディングしてもよい。   Further, the movement of each of the coils 22 and 22 in the mouth axis direction (that is, the longitudinal direction of the coil winding portion 20a) is restricted by the permanent magnet 21 and the leg pieces 20b and 20b of the yoke 20, respectively. In the printed circuit board 23, conductor patterns 23b are formed at both ends in the longitudinal direction on one surface of the insulating substrate 23a, and the circularly formed portions of the conductor patterns 23b constitute external connection electrodes, and are rectangular. The site | part formed in comprises the coil connection part. Here, the terminals of the coils 22 and 22 are connected to the coil connecting portion, but the coils 22 and 22 are connected when a power source is connected between the external connection electrodes and an excitation current is passed through the coils 22 and 22. The leg surfaces 20b, 20b of the yoke 20 are connected so that the tip surfaces of the leg pieces 20b, 20b are different from each other. Note that bumps 24 made of a conductive material (for example, Au, Ag, Cu, solder, etc.) are appropriately fixed to the external connection electrodes in each conductor pattern 23b. Instead of fixing the bumps 24, bonding wires are bonded. May be bonded.

ベース基板1は、パイレックス(R)のような耐熱ガラスにより形成されており、外周形状が矩形状であって、中央部には厚み方向に貫通し電磁石装置2を収納する収納孔16が貫設され、四隅の各近傍には厚み方向に貫通するスルーホール10が貫設されている。また、ベース基板1の厚み方向の両面であって各スルーホール10それぞれの周縁にはランド12が形成されている。ここに、ベース基板1の厚み方向において重なるランド12同士はスルーホール10の内周面に被着された導電性材料(例えば、Cu,Cr,Ti,Pt,Co,Ni,Au,あるいはこれらの合金など)からなる導体層(図示せず)により電気的に接続されている。また、ベース基板1の厚み方向の他表面側の各ランド12にはバンプ13が適宜固着されており、バンプ13をランド12に固着することによって、ベース基板1の上記他表面側ではスルーホール10の開口面がバンプ13により覆われる。スルーホール10の開口面は円形状であって、ベース基板1の上記一表面には、それぞれスルーホール10の開口面およびランド12を覆う4枚のシリコン薄膜からなる蓋体19が固着されている。   The base substrate 1 is made of heat-resistant glass such as Pyrex (R), and has a rectangular outer peripheral shape. A storage hole 16 that penetrates in the thickness direction and stores the electromagnet device 2 penetrates the center portion. In addition, through holes 10 penetrating in the thickness direction are provided in the vicinity of the four corners. Also, lands 12 are formed on both sides of the base substrate 1 in the thickness direction and on the periphery of each through hole 10. Here, the lands 12 that overlap in the thickness direction of the base substrate 1 are electrically conductive materials (for example, Cu, Cr, Ti, Pt, Co, Ni, Au, or the like) deposited on the inner peripheral surface of the through hole 10. They are electrically connected by a conductor layer (not shown) made of an alloy or the like. Further, bumps 13 are appropriately fixed to the lands 12 on the other surface side in the thickness direction of the base substrate 1, and the through holes 10 are formed on the other surface side of the base substrate 1 by fixing the bumps 13 to the lands 12. The opening surface is covered with the bump 13. The opening surface of the through hole 10 has a circular shape, and a lid 19 made of four silicon thin films covering the opening surface of the through hole 10 and the land 12 is fixed to the one surface of the base substrate 1. .

また、上述の各一対の固定接点14は、ベース基板1の長手方向の両端部においてベース基板1の短手方向に離間して形成された2つのスルーホール10の間で上記短手方向に並設されており、上記短手方向において隣り合うスルーホール10の周縁に形成されたランド12と導電パターン18を介して電気的に接続されている。ここに、固定接点14および導電パターン18およびランド12の材料としては、例えば、Cr,Ti,Pt,Co,Cu,Ni,Au,あるいはこれらの合金などの導電性材料を採用すればよく、バンプ13の材料としては、例えば、Au,Ag,Cu,半田などの導電性材料を採用すればよい。なお、上述のスルーホール10および収納孔16は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよく、上述の導体層は、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法などによって形成すればよい。なお、本実施形態では、蓋体19がスルーホール10の開口面を閉塞する閉塞手段を構成し、ベース基板1の上記他表面側におけるランド12が接続用電極を構成している。   In addition, each of the pair of fixed contacts 14 described above is arranged in parallel in the short direction between two through holes 10 that are spaced apart in the short direction of the base substrate 1 at both ends in the longitudinal direction of the base substrate 1. And is electrically connected to the lands 12 formed on the periphery of the adjacent through holes 10 in the short direction via the conductive patterns 18. Here, as the material of the fixed contact 14, the conductive pattern 18 and the land 12, for example, a conductive material such as Cr, Ti, Pt, Co, Cu, Ni, Au, or an alloy thereof may be employed. For example, a conductive material such as Au, Ag, Cu, or solder may be employed as the material 13. The through hole 10 and the storage hole 16 described above may be formed by, for example, a sand blast method or an etching method, and the above-described conductor layer may be formed by, for example, a plating method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like. In the present embodiment, the lid 19 constitutes a closing means for closing the opening surface of the through hole 10, and the land 12 on the other surface side of the base substrate 1 constitutes a connection electrode.

また、収納孔16の開口面は十字状であって、ベース基板1の上記一表面側には、収納孔16を閉塞するシリコン薄膜からなる蓋体17が固着されている。すなわち、電磁石装置2は、ヨーク20の両脚片20b,20bの各先端面が蓋体17と対向する形で収納孔16に挿入される。なお、本実施形態では、収納孔16の内周面と蓋体17とで囲まれる空間が電磁石装置2を収納する収納部を構成しており、電磁石装置20は、永久磁石21がベース基板1の厚み寸法内でアーマチュア30とヨーク20とにより形成される磁路中に設けられ、プリント基板23における絶縁基板23aの表面がベース基板1の上記他表面と略面一となっている。なお、蓋体17,19は、シリコン基板をエッチングや研磨などで薄膜化することにより形成したシリコン薄膜により構成されており、厚み寸法を20μmに設定してある。ここに、蓋体17の厚み寸法は20μmに限定するものではなく、例えば、5μm〜50μm程度の範囲内で適宜設定すればよい。また、蓋体17,19は、シリコン薄膜に限らず、ガラス基板をエッチングや研磨などで薄膜化することにより形成したガラス薄膜により構成してもよい。   The opening surface of the storage hole 16 has a cross shape, and a lid 17 made of a silicon thin film that closes the storage hole 16 is fixed to the one surface side of the base substrate 1. That is, the electromagnet device 2 is inserted into the storage hole 16 so that the front end surfaces of the leg pieces 20 b and 20 b of the yoke 20 face the lid body 17. In the present embodiment, the space surrounded by the inner peripheral surface of the storage hole 16 and the lid body 17 constitutes a storage unit that stores the electromagnet device 2. In the electromagnet device 20, the permanent magnet 21 is the base substrate 1. Are provided in a magnetic path formed by the armature 30 and the yoke 20, and the surface of the insulating substrate 23 a in the printed circuit board 23 is substantially flush with the other surface of the base substrate 1. The lids 17 and 19 are made of a silicon thin film formed by thinning a silicon substrate by etching or polishing, and the thickness dimension is set to 20 μm. Here, the thickness dimension of the lid 17 is not limited to 20 μm, and may be appropriately set within a range of about 5 μm to 50 μm, for example. The lids 17 and 19 are not limited to the silicon thin film, and may be formed of a glass thin film formed by thinning a glass substrate by etching or polishing.

収納孔16は、ベース基板1の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて徐々に開口面積が大きくなるテーパ形状となっており、ベース基板1の上記他表面側から電磁石装置2を挿入しやすく、且つ、ベース基板1の上記一表面における収納孔16の開口面積を比較的小さくすることができる。   The storage hole 16 has a tapered shape in which the opening area gradually increases from the one surface of the base substrate 1 toward the other surface, and the electromagnetic device 2 can be easily inserted from the other surface side of the base substrate 1. In addition, the opening area of the accommodation hole 16 on the one surface of the base substrate 1 can be made relatively small.

アーマチュアブロック3は、シリコン基板からなる半導体基板を半導体微細加工プロセスにより加工することによって、上述の矩形枠状のフレーム部31と、上述の4本の支持ばね32と、フレーム部31の内側に配置されアーマチュア30の一部を構成する矩形板状の可動基台部30aと、上述の4本の接圧ばね35と、上述の2つの可動接点基台部34とを形成してあり、可動基台部30aと、可動基台部30aにおけるベース基板1との対向面に固着された磁性体(例えば、軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなど)からなる矩形板状の磁性体部30bとでアーマチュア30を構成している。したがって、アーマチュア30が4本の支持ばね部32を介してフレーム部31に揺動自在に支持されている。なお、可動基台部30aはフレーム部31よりも薄肉であり、アーマチュア30の厚み寸法は、アーマチュアブロック3とベース基板1とを固着した状態においてアーマチュア30の磁性体部30bと蓋体17との間に所定のギャップが形成されるように設定されている。   The armature block 3 is disposed on the inside of the above-described rectangular frame-shaped frame portion 31, the above-described four support springs 32, and the frame portion 31 by processing a semiconductor substrate made of a silicon substrate by a semiconductor microfabrication process. The movable base portion 30a having a rectangular plate shape constituting a part of the armature 30, the four contact pressure springs 35 and the two movable contact base portions 34 are formed. The armature 30 is composed of a base 30a and a rectangular plate-like magnetic body 30b made of a magnetic body (for example, soft iron, electromagnetic stainless steel, permalloy, etc.) fixed to the surface of the movable base 30a facing the base substrate 1. It is composed. Therefore, the armature 30 is swingably supported by the frame portion 31 via the four support spring portions 32. The movable base portion 30a is thinner than the frame portion 31, and the thickness of the armature 30 is such that the armature block 3 and the base substrate 1 are fixed to each other between the magnetic body portion 30b of the armature 30 and the lid body 17. A predetermined gap is set between them.

上述の支持ばね部32は、可動基台部30aの短手方向の両側面側で可動基台部30aの長手方向に離間して2箇所に形成されている。各支持ばね部32は、一端部がフレーム部31に連続一体に連結され他端部が可動基台部30aに連続一体に連結されている。なお、各支持ばね部32は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてあり、アーマチュア30が揺動する際に各支持ばね部32にかかる応力を分散させることができ、各支持ばね部32が破損するのを防止することができる。   The above-described support spring portions 32 are formed at two locations on both sides in the short direction of the movable base portion 30a so as to be separated from each other in the longitudinal direction of the movable base portion 30a. Each support spring portion 32 has one end portion connected to the frame portion 31 continuously and integrally, and the other end portion connected to the movable base portion 30a continuously and integrally. In addition, each support spring part 32 is lengthened by forming the site | part between the said one end part and the said other end part in the planar shape in the meandering shape in the same surface, and the armature 30 is made into the shape. It is possible to disperse the stress applied to each support spring portion 32 when swinging, and to prevent each support spring portion 32 from being damaged.

また、可動基台部30aは、短手方向の両側縁の中央部から矩形状の突片36が連続一体に延設され、フレーム部31の内周面において突片36に対応する部位からも矩形状の突片37が連続一体に延設されている。すなわち、可動基台部30aから延設された突片36とフレーム部31から延設された突片37とは互いの先端面同士が対向している。ここに、可動基台部30aから延設された各突片36の先端面には凸部36aが形成されており、フレーム部31から延設された各突片37の先端面には、凸部36aが入り込む凹部37aが形成されている。したがって、凸部36aが凹部37aの内周面に当接することでフレーム部31の厚み方向に直交する面内におけるアーマチュア30の移動が規制される。なお、アーマチュア30の同一の側縁側に配設される2つの支持ばね部32は、突片36の両側に位置している。   In addition, the movable base portion 30a has a rectangular protruding piece 36 extending continuously and integrally from the center of both side edges in the lateral direction, and also from a portion corresponding to the protruding piece 36 on the inner peripheral surface of the frame portion 31. A rectangular projecting piece 37 is continuously extended. In other words, the projecting piece 36 extending from the movable base portion 30a and the projecting piece 37 extending from the frame portion 31 are opposed to each other at their front end surfaces. Here, a convex portion 36a is formed on the tip surface of each protruding piece 36 extending from the movable base portion 30a, and the protruding surface of each protruding piece 37 extended from the frame portion 31 is convex. A recess 37a into which the portion 36a enters is formed. Therefore, the movement of the armature 30 in the plane orthogonal to the thickness direction of the frame portion 31 is restricted by the convex portion 36a coming into contact with the inner peripheral surface of the concave portion 37a. The two support spring portions 32 disposed on the same side edge side of the armature 30 are located on both sides of the projecting piece 36.

また、アーマチュアブロック3は、アーマチュア30の長手方向においてアーマチュア30の両端部とフレーム部31との間にそれぞれ可動接点基台部34が配置されており、各可動接点基台部34におけるベース基板1との対向面に導電性材料からなる可動接点39が固着されている。ここに、可動接点基台部34は上述の2本の接圧ばね部35を介して可動基台部30aに支持されている。なお、可動基台部30aは上述のように矩形板状に形成されており、磁性体部30bの変位量を制限するストッパ部33が四隅それぞれから連続一体に延設されており、接圧ばね部35の平面形状は、ストッパ部33の外周縁の3辺に沿ったコ字状に形成されている。このストッパ部33は、ベース基板1の上記一表面と接触することにより磁性体部30bの変位量を制限する。   In the armature block 3, movable contact base portions 34 are arranged between both end portions of the armature 30 and the frame portion 31 in the longitudinal direction of the armature 30, and the base substrate 1 in each movable contact base portion 34. A movable contact 39 made of a conductive material is fixed to the surface facing the surface. Here, the movable contact base portion 34 is supported by the movable base portion 30a via the two contact pressure spring portions 35 described above. The movable base portion 30a is formed in a rectangular plate shape as described above, and the stopper portions 33 that limit the displacement amount of the magnetic body portion 30b are continuously extended from the four corners, and the contact pressure spring. The planar shape of the portion 35 is formed in a U shape along three sides of the outer peripheral edge of the stopper portion 33. The stopper portion 33 limits the amount of displacement of the magnetic body portion 30 b by coming into contact with the one surface of the base substrate 1.

なお、アーマチュアブロック3は、上述の説明から分かるように、フレーム部31、可動基台部30a、支持ばね部32、可動接点保持部34、接圧ばね部35が上述の半導体基板の一部により構成されている。半導体基板としては、例えば厚み寸法が200μm程度のシリコン基板を用いればよいが、当該厚み寸法は特に限定するものではなく、例えば、50μm〜300μm程度の範囲で適宜設定すればよい。   As can be seen from the above description, the armature block 3 includes the frame portion 31, the movable base portion 30a, the support spring portion 32, the movable contact holding portion 34, and the contact pressure spring portion 35, which are part of the semiconductor substrate described above. It is configured. As the semiconductor substrate, for example, a silicon substrate having a thickness dimension of about 200 μm may be used. However, the thickness dimension is not particularly limited, and may be appropriately set in a range of, for example, about 50 μm to 300 μm.

また、可動接点基台部34の厚み寸法と可動接点39の厚み寸法との合計寸法についても、接点開成状態において可動接点39と固定接点14との間の距離が所定距離となるように設定されている。   Further, the total dimension of the thickness dimension of the movable contact base portion 34 and the thickness dimension of the movable contact 39 is also set so that the distance between the movable contact 39 and the fixed contact 14 is a predetermined distance in the contact open state. ing.

カバー4は、パイレックス(R)のような耐熱ガラスにより構成されており、アーマチュアブロック3との対向面にアーマチュア30の揺動空間を確保する凹所4aが形成されている。   The cover 4 is made of heat-resistant glass such as Pyrex (R), and a recess 4 a that secures a swinging space of the armature 30 is formed on the surface facing the armature block 3.

ところで、上述のアーマチュアブロック3のフレーム部31におけるベース基板1との対向面の周部には全周に亙って接合用金属薄膜38bが形成され、カバー4との対向面の周部には全周に亙って接合用金属薄膜38aが形成されている。また、ベース基板1におけるアーマチュアブロック3との対向面の周部にも全周に亙って接合用金属薄膜15が形成され、カバー4におけるアーマチュアブロック3との対向面の周部にも全周に亙って接合用金属薄膜42が形成されている。したがって、アーマチュアブロック3とベース基板1およびカバー4とを圧接または陽極接合により気密的に接合することができ、ベース基板1とカバー4とフレーム部31とで囲まれる空間の気密性を向上できる。   By the way, a metal thin film 38b for bonding is formed over the entire periphery of the surface of the frame portion 31 of the armature block 3 facing the base substrate 1 over the entire periphery. A bonding metal thin film 38a is formed over the entire circumference. Also, a metal thin film 15 for bonding is formed over the entire periphery of the surface of the base substrate 1 facing the armature block 3, and the entire periphery of the periphery of the cover 4 facing the armature block 3 is also formed. Accordingly, the bonding metal thin film 42 is formed. Therefore, the armature block 3, the base substrate 1 and the cover 4 can be hermetically bonded by pressure welding or anodic bonding, and the airtightness of the space surrounded by the base substrate 1, the cover 4 and the frame portion 31 can be improved.

その結果、本実施形態のマイクロリレーは、ベース基板1と、カバー4と、ベース基板1とカバー4との間に介在するフレーム部31とで囲まれる気密空間内に、アーマチュア30、可動接点33、固定接点14が収納される。なお、上述の接合用金属薄膜15,38a,38b,42の材料としては、例えば、Au,Al−Siなどを採用すればよい。   As a result, the microrelay of this embodiment includes the armature 30 and the movable contact 33 in an airtight space surrounded by the base substrate 1, the cover 4, and the frame portion 31 interposed between the base substrate 1 and the cover 4. The fixed contact 14 is accommodated. In addition, as a material of the above-described bonding metal thin films 15, 38a, 38b, 42, for example, Au, Al-Si, or the like may be employed.

以上説明した本実施形態のマイクロリレーをプリント基板のような実装基板に実装する際には、例えばベース基板1の上記他表面側において露出した2個のバンプ24および4個のバンプ13それぞれを上記実装基板の一表面側に形成された導体パターンに接続すればよい。   When the micro relay of this embodiment described above is mounted on a mounting board such as a printed board, for example, the two bumps 24 and the four bumps 13 exposed on the other surface side of the base substrate 1 are respectively connected to the above-described surface. What is necessary is just to connect to the conductor pattern formed in the one surface side of the mounting substrate.

次に、本実施形態のマイクロリレーの製造方法について簡単に説明する。   Next, a method for manufacturing the micro relay of this embodiment will be briefly described.

本実施形態のマイクロリレーの製造にあたっては、半導体基板たるシリコン基板をリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体微細加工プロセス(マイクロマシンニング技術)により加工してフレーム部31、支持ばね部32、接圧ばね部35、可動接点基台部34、アーマチュア30の一部を構成する可動基台部30aを形成した後で可動基台部30aにおいてベース基板1側となる一面に磁性体からなる磁性体部30bを固着し且つ可動接点基台部34に可動接点39を固着することでアーマチュアブロック3を形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロック3とベース基板1およびカバー4を圧接または陽極接合により固着することでベース基板1とカバー4とアーマチュアブロック3のフレーム部31とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でベース基板1の収納部に電磁石装置2を収納してベース基板1に固定する電磁石装置配設工程とを備えている。   In manufacturing the microrelay of this embodiment, a silicon substrate as a semiconductor substrate is processed by a semiconductor micromachining process (micromachining technology) such as a lithography technique and an etching technique to form a frame portion 31, a support spring portion 32, and a contact pressure spring portion. 35, after forming the movable contact base portion 34 and the movable base portion 30a constituting a part of the armature 30, the magnetic base portion 30b made of a magnetic material is formed on one surface of the movable base portion 30a on the base substrate 1 side. The armature block forming process for forming the armature block 3 by fixing and the movable contact 39 fixed to the movable contact base 34, and the armature block 3 formed in the armature block forming process, the base substrate 1 and the cover 4 are press-contacted. Alternatively, the base substrate 1, the cover 4, and the arm are fixed by anodic bonding. A sealing step of sealing a space surrounded by the frame portion 31 of the Chua block 3, and an electromagnetic device arrangement step of storing the electromagnet device 2 in the storage portion of the base substrate 1 and fixing the space to the base substrate 1 after the sealing step. It has.

ここにおいて、ベース基板1の形成にあたっては、ベース基板1の基礎となる基板たるガラス基板において収納部に対応する部位に厚み方向に貫通する収納孔16を形成するとともにガラス基板の四隅近傍に厚み方向に貫通するスルーホール10を形成した後、ランド12、固定接点14、導電パターン18、導体層などを形成してから、上記ガラス基板において固定接点14を設けた側の表面に収納孔16およびスルーホール10の両方を覆う薄膜(例えば、シリコン薄膜、ガラス薄膜など)を固着し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔16およびスルーホール10それぞれの開口面を個別に閉塞する蓋体17,19を形成すればよい。なお、収納孔16およびスルーホール10はエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。   Here, in forming the base substrate 1, a storage hole 16 penetrating in the thickness direction is formed in a portion corresponding to the storage portion in a glass substrate which is a base of the base substrate 1, and in the thickness direction in the vicinity of the four corners of the glass substrate. After forming the through hole 10 penetrating into the glass substrate, the land 12, the fixed contact 14, the conductive pattern 18, the conductor layer, and the like are formed, and then the storage hole 16 and the through hole are formed on the surface of the glass substrate on the side where the fixed contact 14 is provided. Lids (19, 19 such as silicon thin film, glass thin film, etc.) covering both of the holes 10 are fixed, and the thin films (19) are individually patterned to close the lids (17, 19) that individually close the opening surfaces of the storage holes (16) and the through holes (10). What is necessary is just to form. The storage hole 16 and the through hole 10 may be formed by an etching method or a sand blast method.

また、カバー4の形成にあたっては、カバー4の基礎となる基板たるガラス基板において凹所4aを形成した後、接合用金属薄膜42を形成すればよい。ここに、凹所4aはエッチング法やサンドブラスト法などにより形成すればよい。   In forming the cover 4, the bonding metal thin film 42 may be formed after the recess 4 a is formed in the glass substrate which is the base of the cover 4. Here, the recess 4a may be formed by an etching method, a sand blast method, or the like.

なお、本実施形態では、ベース基板1およびカバー4それぞれがガラス基板を加工することにより形成されているが、ベース基板1とカバー4との一方あるいは両方を、シリコン基板を加工することにより形成してもよい。また、ベース基板1およびカバー4をそれぞれガラス基板に限定し、アーマチュアブロック3の元となる半導体基板をシリコン基板に限定すれば、上記接合用金属薄膜15,38a,38b,42を設けなくてもアーマチュアブロック3とベース基板1およびカバー4とを陽極接合によって気密的に接合することも可能である。なお、上述のアーマチュアブロック3を多数形成したウェハと、上述のベース基板1を多数形成したウェハおよび上述のカバー4を多数形成したウェハとを圧接または陽極接合により固着してからダイシング工程などによって個々のマイクロリレーに分割してもよいことは勿論である。   In this embodiment, each of the base substrate 1 and the cover 4 is formed by processing a glass substrate. However, one or both of the base substrate 1 and the cover 4 are formed by processing a silicon substrate. May be. Further, if the base substrate 1 and the cover 4 are limited to glass substrates and the semiconductor substrate from which the armature block 3 is based is limited to a silicon substrate, the bonding metal thin films 15, 38a, 38b, 42 are not provided. It is also possible to hermetically bond the armature block 3 to the base substrate 1 and the cover 4 by anodic bonding. A wafer formed with a large number of the above-described armature blocks 3 and a wafer formed with a large number of the above-described base substrates 1 and a wafer formed with a large number of the above-described covers 4 are fixed by pressure welding or anodic bonding and then individually processed by a dicing process or the like. Of course, it may be divided into micro relays.

以下、本実施形態のマイクロリレーの動作について説明する。   Hereinafter, the operation of the micro relay of this embodiment will be described.

本実施形態のマイクロリレーでは、コイル22,22への通電が行われると、磁化の向きに応じて磁性体部30bの長手方向の一端部がヨーク20の一方の脚片20bに吸引されてアーマチュア30が揺動しアーマチュア30の一端側の可動接点基台部34に固着された可動接点39が対向する一対の固定接点14,14に所定の接点圧で接触する。この状態で通電を停止しても、永久磁石21の発生する磁束により、吸引力が維持され、そのままの状態が保持される。   In the micro relay of this embodiment, when the coils 22 are energized, one end in the longitudinal direction of the magnetic body portion 30b is attracted to one leg piece 20b of the yoke 20 according to the direction of magnetization, and the armature The movable contact 39 fixed to the movable contact base 34 at one end of the armature 30 contacts the pair of fixed contacts 14 and 14 facing each other with a predetermined contact pressure. Even if energization is stopped in this state, the attractive force is maintained by the magnetic flux generated by the permanent magnet 21, and the state is maintained as it is.

また、コイル22,22への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア30の磁性体部30bがヨーク20の他方の脚片20bに吸引されてアーマチュア30が揺動しアーマチュア30の他端側の可動接点基台部34に保持された可動接点39が対向する一対の固定接点14,14に所定の接点圧で接触する。この状態で通電を停止しても、永久磁石21の発生する磁束により、吸引力が維持され、そのままの状態が保持される。   Further, when the energization direction to the coils 22 and 22 is reversed, the magnetic body portion 30b of the armature 30 is attracted to the other leg piece 20b of the yoke 20, and the armature 30 swings to move the other end side of the armature 30. The movable contact 39 held by the contact base 34 contacts the pair of fixed contacts 14 and 14 facing each other with a predetermined contact pressure. Even if energization is stopped in this state, the attractive force is maintained by the magnetic flux generated by the permanent magnet 21, and the state is maintained as it is.

なお、本実施形態のマイクロリレーは、永久磁石21による磁性体部30bの吸引力が支持ばね32による復帰力よりも強くなるように支持ばね32のばね定数を設定してあるが、永久磁石21による磁性体部30bの吸引力が支持ばね32による復帰力よりも弱くなるように支持ばね32のばね定数を設定してもよい。   In the microrelay of this embodiment, the spring constant of the support spring 32 is set so that the attractive force of the magnetic body portion 30b by the permanent magnet 21 is stronger than the return force by the support spring 32. The spring constant of the support spring 32 may be set so that the attraction force of the magnetic body portion 30b due to is weaker than the return force of the support spring 32.

以上説明した本実施形態のマイクロリレーによれば、アーマチュアブロック3におけるベース基板1とは反対側で周部がフレーム部31に固着されたカバー4を備えていることにより、アーマチュア3および固定接点14および可動接点39が密閉空間内に配置され、電磁石装置2は、ベース基板1の厚み寸法内でアーマチュア30とヨーク20とにより形成される磁路中に永久磁石21を設けてあるので、従来のようにアーマチュアブロックとベース基板との間にスペーサを介在させる必要がなく、リレー全体の薄型化が可能となる。すなわち、リレー全体の厚み寸法をベース基板1の厚み寸法とアーマチュアブロック3のフレーム部31の厚み寸法とカバー4の厚み寸法との合計寸法によって規定することができ、ベース基板1とカバー4とフレーム部31とで構成される器体の薄型化が可能となる。   According to the micro relay of the present embodiment described above, the armature 3 and the fixed contact 14 are provided by including the cover 4 whose peripheral portion is fixed to the frame portion 31 on the side opposite to the base substrate 1 in the armature block 3. The movable contact 39 is disposed in a sealed space, and the electromagnet device 2 includes the permanent magnet 21 in the magnetic path formed by the armature 30 and the yoke 20 within the thickness dimension of the base substrate 1. Thus, it is not necessary to interpose a spacer between the armature block and the base substrate, and the entire relay can be reduced in thickness. That is, the thickness dimension of the entire relay can be defined by the total dimension of the thickness dimension of the base substrate 1, the thickness dimension of the frame portion 31 of the armature block 3, and the thickness dimension of the cover 4. The container composed of the portion 31 can be made thinner.

また、本実施形態のマイクロリレーでは、永久磁石21がコイル巻回部20aの長手方向の中央部におけるアーマチュア30側に重ねて配置され重ね方向の両面が異極に着磁されているので、アーマチュア30の長手方向の中心部を中心としてアーマチュア30が揺動可能となり、耐衝撃性が向上する。また、アーマチュア30の可動基台部30aから延設した各突片36におけるベース基板1との対向面から支点突起36bを突設してあるので、このような一対の支点突起36bを設けることでアーマチュア30の揺動動作をより安定させることができる。   Further, in the micro relay of the present embodiment, the permanent magnet 21 is arranged on the armature 30 side in the longitudinal center of the coil winding portion 20a and both surfaces in the overlapping direction are magnetized with different polarities. The armature 30 can swing around the central portion of the longitudinal direction of the 30, and the impact resistance is improved. In addition, since the fulcrum protrusions 36b are provided so as to protrude from the surface of each protrusion 36 extending from the movable base portion 30a of the armature 30 so as to face the base substrate 1, by providing such a pair of fulcrum protrusions 36b. The swinging motion of the armature 30 can be further stabilized.

ところで、上述のマイクロリレーにおいて、図8に示すように、アーマチュア30が揺動自在に載置される一対の錘状の支点突起17bを蓋体17に突設してもよく、このような一対の支点突起17bを設けることでアーマチュア30の揺動動作をより安定させることができる。   By the way, in the above-mentioned micro relay, as shown in FIG. 8, a pair of weight-like fulcrum projections 17b on which the armature 30 is slidably mounted may be provided on the lid body 17, and such a pair By providing the fulcrum projection 17b, the swinging motion of the armature 30 can be further stabilized.

また、上述のマイクロリレーにおいて、図9に示すように、アーマチュア30の変位量を制限するストッパ17cを、蓋体17において磁性体部30bの両端部に対応する部位に突設するようにしてよく、このようなストッパ17cを設けた場合にも、磁性体部30bが蓋体17に衝突して磁性体部30bや蓋体17が破損するのを防止することができる。   Further, in the above-described micro relay, as shown in FIG. 9, the stopper 17c for limiting the displacement amount of the armature 30 may be provided so as to protrude from the portion corresponding to the both end portions of the magnetic body portion 30b in the lid body 17. Even when such a stopper 17c is provided, the magnetic body portion 30b can be prevented from colliding with the lid body 17 and the magnetic body portion 30b and the lid body 17 being damaged.

また、上述の例ではアーマチュア30の磁性体部30bが永久磁石21の磁気吸引力によって蓋体17に衝突して磁性体部30bや蓋体17が破損するのを防止するためにアーマチュア30における可動基台部30aの四隅からストッパ部33を延設してあるが、図10に示すように、蓋体17において磁性体部30bの両端部に対向する部位上に金属膜からなるストッパ17dを形成してもよい。なお、ストッパ17dを構成する金属膜の材料としては、例えば、Al,Cu,Cr,Ni,Auなどの金属あるいはこれらの合金などを採用すればよい。   In the above example, the armature 30 is movable in the armature 30 in order to prevent the magnetic body portion 30b of the armature 30 from colliding with the lid body 17 by the magnetic attraction force of the permanent magnet 21 and damaging the magnetic body portion 30b and the lid body 17. Although the stopper portions 33 are extended from the four corners of the base portion 30a, as shown in FIG. 10, the stopper 17d made of a metal film is formed on a portion of the lid body 17 facing both ends of the magnetic body portion 30b. May be. As a material for the metal film constituting the stopper 17d, for example, a metal such as Al, Cu, Cr, Ni, Au, or an alloy thereof may be employed.

また、上述のマイクロリレーにおいて、図11に示すように、プリント基板23における絶縁基板23aの長手方向の両端部に幅寸法を他の部位に比べて小さくする切欠部23c,23cを設けることにより、コイル22,22の末端を巻きつける処理が容易になる。   Further, in the above-described micro relay, as shown in FIG. 11, by providing notches 23 c and 23 c that make the width dimension smaller than other parts at both ends in the longitudinal direction of the insulating substrate 23 a in the printed circuit board 23, The process of winding the ends of the coils 22 and 22 becomes easy.

また、上述のマイクロリレーでは、、電磁石装置2におけるヨーク20としてコ字状の形状のものを用いていたが、コ字状に限らず、図12に示すようなH字状の形状のものを用いてもよい。   Further, in the above-described micro relay, the U-shaped one is used as the yoke 20 in the electromagnet device 2, but the U-shaped one as shown in FIG. 12 is not limited to the U-shaped. It may be used.

実施形態を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows embodiment. 同上を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the same as the above. 同上の要部分解斜視図である。It is a principal part exploded perspective view same as the above. 同上の要部拡大図である。It is a principal part enlarged view same as the above. 同上におけるアーマチュアブロックを示し、(a)は平面図、(b)は下面図である。The armature block in the same as above is shown, (a) is a plan view and (b) is a bottom view. 同上におけるアーマチュアブロックの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the armature block in the same as the above. 同上に用いるカバーの斜視図である。It is a perspective view of the cover used for the same as the above. 同上の他の構成例の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the other structural example same as the above. 同上の他の構成例の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the other structural example same as the above. 同上の他の構成例の要部説明図である。It is principal part explanatory drawing of the other structural example same as the above. 同上の他の構成例の要部斜視図である。It is a principal part perspective view of the other structural example same as the above. 同上の他の構成例の要部説明図である。It is principal part explanatory drawing of the other structural example same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

1 ベース基板
2 電磁石装置
3 アーマチュアブロック
4 カバー
10 スルーホール
14 固定接点
16 収納孔
17 蓋体
20 ヨーク
20a コイル巻回部
20b 脚片
21 永久磁石
22 コイル
23 プリント基板
30 アーマチュア
30a 可動基台部
30b 磁性体部
31 フレーム部
32 支持ばね部
34 可動接点基台部
35 接圧ばね部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base board | substrate 2 Electromagnet apparatus 3 Armature block 4 Cover 10 Through hole 14 Fixed contact 16 Storage hole 17 Cover body 20 Yoke 20a Coil winding part 20b Leg piece 21 Permanent magnet 22 Coil 23 Printed board 30 Armature 30a Movable base part 30b Magnetic Body part 31 Frame part 32 Support spring part 34 Movable contact base part 35 Contact pressure spring part

Claims (8)

ヨークに巻回されたコイルへの励磁電流に応じて磁束を発生する電磁石装置を収納する収納部が形成され且つ厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、ベース基板の前記一表面側に固着される枠状のフレーム部およびフレーム部の内側に配置されて支持ばね部を介してフレーム部に揺動自在に支持され電磁石装置により駆動されるアーマチュアおよびアーマチュアに接圧ばね部を介して支持され可動接点が設けられた可動接点基台部を有するアーマチュアブロックと、アーマチュアブロックにおけるベース基板とは反対側で周部がフレーム部に固着されたカバーとを備え、電磁石装置は、ベース基板の厚み寸法内でアーマチュアとヨークとにより形成される磁路中に永久磁石を設けてなることを特徴とするマイクロリレー。   A base substrate having an accommodating portion for accommodating an electromagnet device that generates magnetic flux in response to an excitation current to a coil wound around a yoke, and a fixed contact provided on one surface side in the thickness direction; A frame-like frame portion fixed to one surface side, an armature disposed inside the frame portion and supported swingably on the frame portion via a support spring portion and driven by an electromagnet device, and a contact pressure spring portion on the armature An armature block having a movable contact base portion supported by a movable contact and provided with a movable contact, and a cover whose peripheral portion is fixed to the frame portion on the side opposite to the base substrate in the armature block, A microrelay comprising a permanent magnet provided in a magnetic path formed by an armature and a yoke within a thickness dimension of a base substrate. 前記ヨークは、前記コイルが巻回される細長のコイル巻回部と、コイル巻回部の両端部それぞれから前記アーマチュアに近づく向きに延設され前記コイルへの励磁電流に応じて互いの先端面が異極に励磁される一対の脚片とを備え、前記永久磁石は、コイル巻回部の長手方向の中央部における前記アーマチュア側に重ねて配置され重ね方向の両面が異極に着磁されてなることを特徴とする請求項1記載のマイクロリレー。   The yokes are elongated coil winding portions around which the coils are wound, and both end portions of the coil winding portions are extended toward the armature so as to approach each other according to the excitation current to the coils. A pair of leg pieces that are excited to have different polarities, and the permanent magnet is arranged on the armature side in the central portion in the longitudinal direction of the coil winding portion, and both surfaces in the overlapping direction are magnetized to have different polarities. The micro relay according to claim 1, wherein 前記フレーム部と前記ベース基板との間および前記フレーム部と前記カバーとの間にはそれぞれ前記フレーム部の全周に亙って接合用金属薄膜を介在させてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のマイクロリレー。   2. A metal thin film for bonding is interposed between the frame portion and the base substrate and between the frame portion and the cover, respectively, over the entire circumference of the frame portion. Or the microrelay of Claim 2. 前記ベース基板は、厚み方向の他表面側に形成された接続用電極と、厚み方向に貫設したスルーホールの内周面に被着され前記固定接点と接続用電極とを電気的に接続する導体層と、スルーホールを閉塞する閉塞手段とが設けられてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のマイクロリレー。   The base substrate is attached to a connection electrode formed on the other surface side in the thickness direction and an inner peripheral surface of a through hole penetrating in the thickness direction, and electrically connects the fixed contact and the connection electrode. 4. The microrelay according to claim 1, further comprising a conductor layer and a closing means for closing the through hole. 前記閉塞手段は、前記ベース基板の前記一表面側において前記スルーホールの開口面を閉塞するように前記ベース基板に固着されたシリコン薄膜からなる蓋体であることを特徴とする請求項4記載のマイクロリレー。   5. The lid according to claim 4, wherein the closing means is a lid made of a silicon thin film fixed to the base substrate so as to close an opening surface of the through hole on the one surface side of the base substrate. Micro relay. 前記アーマチュアは、前記フレーム部の内側に配置され前記支持ばね部を介して前記フレーム部に支持された薄板状の可動基台部と、可動基台部において前記電磁石装置側に固着された磁性体材料からなる薄板状の磁性体部とで構成され、前記アーマチュアブロックは、前記フレーム部、前記支持ばね部、可動基台部、前記接圧ばね部、前記可動接点基台部が1枚の半導体基板を加工することにより形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のマイクロリレー。   The armature includes a thin plate-like movable base portion disposed on the inner side of the frame portion and supported by the frame portion via the support spring portion, and a magnetic body fixed to the electromagnet device side in the movable base portion. The armature block is a semiconductor in which the frame portion, the support spring portion, the movable base portion, the contact pressure spring portion, and the movable contact base portion are one piece. 6. The micro relay according to claim 1, wherein the micro relay is formed by processing a substrate. 請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のマイクロリレーの製造方法であって、半導体基板を加工してフレーム部、支持ばね部、接圧ばね部、可動接点基台部、アーマチュアの一部を構成する可動基台部を形成した後で可動基台部においてベース基板側となる一面に磁性体からなる磁性体部を固着し且つ可動接点基台部に可動接点を固着することでアーマチュアブロックを形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロックとベース基板およびカバーを固着することでベース基板とカバーとアーマチュアブロックのフレーム部とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でベース基板の収納部に電磁石装置を収納する電磁石装置配設工程とを備えることを特徴とするマイクロリレーの製造方法。   7. The method of manufacturing a micro relay according to claim 1, wherein the semiconductor substrate is processed to form a frame portion, a support spring portion, a contact pressure spring portion, a movable contact base portion, and an armature. After forming the movable base portion constituting a part, the magnetic body portion made of a magnetic material is fixed to one surface on the base substrate side in the movable base portion, and the movable contact is fixed to the movable contact base portion. The armature block forming process for forming the armature block, and the armature block formed in the armature block forming process, the base board, and the cover are fixed to seal the space surrounded by the base board, the cover, and the frame portion of the armature block. And an electromagnet device disposing step of housing the electromagnet device in the housing portion of the base substrate after the sealing step. Method of manufacturing a micro relay. 請求項5記載のマイクロリレーの製造方法であって、半導体基板を加工してフレーム部、支持ばね部、接圧ばね部、可動接点基台部、アーマチュアの一部を構成する可動基台部を形成した後で可動基台部においてベース基板側となる一面に磁性体からなる磁性体部を固着し且つ可動接点基台部に可動接点を固着することでアーマチュアブロックを形成するアーマチュアブロック形成工程と、アーマチュアブロック形成工程にて形成したアーマチュアブロックとベース基板およびカバーを固着することでベース基板とカバーとアーマチュアブロックのフレーム部とで囲まれる空間を密封する密封工程と、密封工程の後でベース基板の収納部に電磁石装置を収納する電磁石装置配設工程とを備え、ベース基板の形成にあたっては、ベース基板の基礎となる基板において収納部に対応する部位に厚み方向に貫通する収納孔を形成するのと同時にスルーホールを形成した後、基板において固定接点を設ける側の表面に収納孔およびスルーホールの両方を覆う薄膜を固着し、当該薄膜をパターニングすることによって収納孔およびスルーホールそれぞれの開口面を個別に閉塞する複数の蓋体を形成することを特徴とするマイクロリレーの製造方法。   6. The method of manufacturing a micro relay according to claim 5, wherein a movable base portion that forms a part of a frame portion, a support spring portion, a contact pressure spring portion, a movable contact base portion, and an armature by processing a semiconductor substrate. An armature block forming step of forming an armature block by fixing a magnetic body portion made of a magnetic material to one surface on the base substrate side of the movable base portion after forming and fixing the movable contact to the movable contact base portion; A sealing step for sealing a space surrounded by the base substrate, the cover, and the frame portion of the armature block by fixing the armature block formed in the armature block forming step, the base substrate, and the cover; and the base substrate after the sealing step An electromagnet device arranging step for accommodating the electromagnet device in the storage portion of the base substrate, and the base substrate is formed when the base substrate is formed. A through hole is formed at the same time as a through hole is formed in a portion corresponding to the storage portion in a substrate corresponding to the storage portion, and then both the storage hole and the through hole are covered on the surface on the side where the fixed contact is provided on the substrate. A method of manufacturing a microrelay, comprising: forming a plurality of lids for individually closing the opening surfaces of the storage hole and the through hole by fixing a thin film and patterning the thin film.
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