JP2005215426A - Semiconductor laser module - Google Patents

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JP2005215426A
JP2005215426A JP2004023204A JP2004023204A JP2005215426A JP 2005215426 A JP2005215426 A JP 2005215426A JP 2004023204 A JP2004023204 A JP 2004023204A JP 2004023204 A JP2004023204 A JP 2004023204A JP 2005215426 A JP2005215426 A JP 2005215426A
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Yasuyuki Shibayama
恭之 柴山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser module in which an optical coupling optical system for coupling light emitted from a semiconductor laser to an optical fiber is packaged, and in which contamination due to sticking of an an adhesive to an optical fiber incident plane is prevented, the adhesive being used when an optical fiber is attached to a ferrule. <P>SOLUTION: In the optical coupling system for coupling the light emitted from the semiconductor laser 2 to the optical fiber 6 held in the ferrule through a lens 4, the optical fiber is stripped of the coating of the distal end part and inserted into an inner hole of the ferrule 5, and is fixed at the distal end part with the adhesive filled into the inner hole of the ferrule and the distal end face of the ferrule is polished, and further a member having light transmissivity and a gas barrier property is formed on the distal end face of the ferrule including the optical fiber incident plane. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体レーザから発した光を、レンズを介して光ファイバに入射し、なおかつ半導体レーザを変調することにより光信号の伝送を行うための光ファイバ結合光学系に使用する半導体レーザモジュールに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor laser module used in an optical fiber coupling optical system for transmitting light signals from a semiconductor laser by entering the optical fiber through a lens and modulating the semiconductor laser. Is.

図２に光ファイバ結合光学系を構成する部品の配置図を示す。モジュール本体１に取付けられた半導体レーザ２から出射した光３はレンズ４を介して、フェルール５に接着され保持された光ファイバ６の光入射側端面上に結像される。フェルール５はフェルール保持具７に挿入されている。このとき、光ファイバ照射光８を効率よく光ファイバ６に入射させるためには、光ファイバ照射光８の結像スポットの大きさと光ファイバ中の光が伝搬する領域（以下、コアと呼ぶ）の大きさとをできるだけ合致させることが必要になる。そのためには、レンズ４は半導体レーザ２の発光部を光ファイバ６のコア径に適した大きさに拡大する必要が有り、半導体レーザ２の発光部とコア径の大きさから決まる所定の倍率を有するレンズ（或いは、レンズ組）を使用する。半導体レーザ２の発光部の大きさは通常１〜２μｍ程度であり、半導体レーザ２として発振波長が可視光のレーザ、光ファイバ６として単一モード光ファイバを用いる場合には、コア部の大きさは４〜５μｍになり非常に小さい。このため、光ファイバ結合光学系を組み立てる際には、レーザ出射光を効率良くコア部に入射するために、結像スポットと光ファイバ６のコア部とを微調治具を用いてサブミクロンオーダーで精密位置合わせする。位置合わせ後は、フェルール５とフェルール保持具７とがレーザ溶接等により接合され、次いで、モジュール本体１とフェルール保持具７とが溶接固定される。   FIG. 2 shows an arrangement diagram of components constituting the optical fiber coupling optical system. The light 3 emitted from the semiconductor laser 2 attached to the module body 1 is imaged on the light incident side end face of the optical fiber 6 bonded and held to the ferrule 5 through the lens 4. The ferrule 5 is inserted into the ferrule holder 7. At this time, in order to make the optical fiber irradiation light 8 efficiently enter the optical fiber 6, the size of the imaging spot of the optical fiber irradiation light 8 and the region in which the light in the optical fiber propagates (hereinafter referred to as the core) It is necessary to match the size as much as possible. For this purpose, the lens 4 needs to enlarge the light emitting portion of the semiconductor laser 2 to a size suitable for the core diameter of the optical fiber 6, and has a predetermined magnification determined by the light emitting portion of the semiconductor laser 2 and the core diameter. A lens (or a lens set) is used. The size of the light emitting portion of the semiconductor laser 2 is usually about 1 to 2 μm. When a laser having an oscillation wavelength of visible light is used as the semiconductor laser 2 and a single mode optical fiber is used as the optical fiber 6, the size of the core portion is used. Is very small, 4-5 μm. For this reason, when assembling an optical fiber coupling optical system, in order to make the laser emitted light efficiently enter the core portion, the imaging spot and the core portion of the optical fiber 6 are sub-micron order using a fine adjustment jig. Align precisely. After the alignment, the ferrule 5 and the ferrule holder 7 are joined by laser welding or the like, and then the module body 1 and the ferrule holder 7 are fixed by welding.

特開平１１−３０５１５５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-305155

特開２００３−２９６４６２号公報JP 2003-296462 A

一般に、半導体レ−ザモジュールは長期間にわたり安定した信頼性を保持することが要求される。このためには、半導体レ−ザの発光強度とビームプロファイル、レンズの光透過率、光ファイバに入射させる光ファイバ照射光とコア部との位置精度などを安定に保つことが必要であるが、とくに短波長のレーザを用いる半導体レ−ザモジュールにおいては、光ファイバ入射面のように強烈なレーザ光が照射される部位では、光ファイバをフェルールに取付ける際に使用する接着剤からのアウトガスがエネルギー密度の高いレーザ光によって光化学反応し、表面に付着し、固体または液体物質として蓄積してしまい、光ファイバへの結合効率を著しく低下させる現象があり問題となっていた。   In general, a semiconductor laser module is required to maintain stable reliability over a long period of time. For this purpose, it is necessary to stably maintain the emission intensity and beam profile of the semiconductor laser, the light transmittance of the lens, the positional accuracy between the optical fiber irradiation light incident on the optical fiber and the core portion, In particular, in a semiconductor laser module using a short-wavelength laser, outgas from the adhesive used to attach the optical fiber to the ferrule is the energy at the site where intense laser light is irradiated, such as the incident surface of the optical fiber. A photochemical reaction is caused by a high-density laser beam, which adheres to the surface, accumulates as a solid or liquid substance, and has a problem that the coupling efficiency to the optical fiber is remarkably lowered.

上記課題は、半導体レーザから発した光を、レンズを介してフェルールに保持された光ファイバに結合するための光結合系において、前記光ファイバは先端部の被覆が除去されて前記フェルールの内孔に挿入され、該フェルールの内孔に充填された接着剤により先端部で固定され、且つその先端面が研磨されており、さらに、前記光ファイバ入射面を含む前記フェルール先端面に光透過性かつガスバリア性を有する部材を形成せしめることによって解決される。   An object of the present invention is to provide an optical coupling system for coupling light emitted from a semiconductor laser to an optical fiber held by a ferrule through a lens. Inserted into the ferrule, and fixed at the tip by an adhesive filled in the inner hole of the ferrule, and its tip is polished, and further, the ferrule tip including the optical fiber entrance surface is light transmissive and The problem is solved by forming a member having gas barrier properties.

本発明によれば、光ファイバをフェルールに取付ける際に使用する接着剤からのアウトガスがエネルギー密度の高いレーザ光によって光化学反応し、表面に付着し、固体または液体物質として蓄積してしまい、光ファイバへの結合効率を著しく低下させる現象を防止することができる。   According to the present invention, the outgas from the adhesive used when attaching the optical fiber to the ferrule is photochemically reacted by the laser beam having a high energy density, adheres to the surface, and accumulates as a solid or liquid substance. It is possible to prevent a phenomenon in which the coupling efficiency to is significantly reduced.

以下、図面により本発明の実施例を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は光ファイバ結合光学系を構成する部品の配置図である。モジュール本体１に取付けられた半導体レーザ２から出射した光３はレンズ４を介して、フェルール５に接着され保持された光ファイバ６の光入射側端面上に結像される。フェルール５はフェルール保持具７に挿入されている。このとき、光ファイバ照射光８を効率よく光ファイバ６に入射させるためには、光ファイバ照射光８の結像スポットの大きさと光ファイバ中の光が伝搬する領域（以下、コアと呼ぶ）の大きさとをできるだけ合致させることが必要になる。そのためには、レンズ４は半導体レーザ２の発光部を光ファイバ６のコア径に適した大きさに拡大する必要が有り、半導体レーザ２の発光部とコア径の大きさから決まる所定の倍率を有するレンズ（或いは、レンズ組）を使用する。半導体レーザ２の発光部の大きさは通常１〜２μｍ程度であり、半導体レーザ２として発振波長が可視光のレーザ、光ファイバ６として単一モード光ファイバを用いるの場合には、コア部の大きさは４〜５μｍになり非常に小さい。このため、光ファイバ結合光学系を組み立てる際には、レーザ出射光を効率良くコア部に入射するために、結像スポットと光ファイバ６のコア部とを微調治具を用いてサブミクロンオーダーで精密位置合わせする。   FIG. 1 is a layout view of components constituting an optical fiber coupling optical system. The light 3 emitted from the semiconductor laser 2 attached to the module body 1 is imaged on the light incident side end face of the optical fiber 6 bonded and held to the ferrule 5 through the lens 4. The ferrule 5 is inserted into the ferrule holder 7. At this time, in order to make the optical fiber irradiation light 8 efficiently enter the optical fiber 6, the size of the imaging spot of the optical fiber irradiation light 8 and the region in which the light in the optical fiber propagates (hereinafter referred to as the core) It is necessary to match the size as much as possible. For this purpose, the lens 4 needs to enlarge the light emitting portion of the semiconductor laser 2 to a size suitable for the core diameter of the optical fiber 6, and has a predetermined magnification determined by the light emitting portion of the semiconductor laser 2 and the core diameter. A lens (or a lens set) is used. The size of the light emitting portion of the semiconductor laser 2 is usually about 1 to 2 μm. When a laser having an oscillation wavelength of visible light is used as the semiconductor laser 2 and a single mode optical fiber is used as the optical fiber 6, the size of the core portion is large. The thickness is 4-5 μm and is very small. For this reason, when assembling an optical fiber coupling optical system, in order to make the laser emitted light efficiently enter the core portion, the imaging spot and the core portion of the optical fiber 6 are sub-micron order using a fine adjustment jig. Align precisely.

図３にフェルール５と光ファイバ６の詳細図を示す。光ファイバ６は光ファイバの芯線１２と被覆１１からなり、光ファイバ６の先端は被覆１１が除去されて、露出した芯線１２がフェルール５の内孔に挿入されている。このフェルール５は、露出した芯線１２を挿入する先端部の保持部９と保持部９が嵌合された外側保持部１０より構成される。一般に、先端部の保持部９はジルコニア、硬質ガラス等のセラミック類、あるいはステンレスが用いられ、外側保持部１０はステンレスが用いられる。通常、光ファイバ芯線１２のフェルール５への保持は、図４に示すように、フェルール５に充填された接着剤１３に行われ、接着剤１３としては熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。   FIG. 3 shows a detailed view of the ferrule 5 and the optical fiber 6. The optical fiber 6 is composed of an optical fiber core wire 12 and a coating 11, the coating 11 is removed from the tip of the optical fiber 6, and the exposed core wire 12 is inserted into the inner hole of the ferrule 5. The ferrule 5 is composed of a holding portion 9 at the distal end where the exposed core wire 12 is inserted and an outer holding portion 10 into which the holding portion 9 is fitted. In general, the holding portion 9 at the tip is made of ceramics such as zirconia or hard glass, or stainless steel, and the outer holding portion 10 is made of stainless steel. Usually, the holding of the optical fiber core wire 12 on the ferrule 5 is performed on an adhesive 13 filled in the ferrule 5 as shown in FIG. 4, and a thermosetting epoxy resin is used as the adhesive 13.

結像スポットと光ファイバ６のコア部との位置合わせ後は、フェルール５とフェルール保持具７とがレーザ溶接等により接合（図２の黒点部）され、次いで、モジュール本体１とフェルール保持具７とが溶接固定（図２の黒点部）される。   After the alignment of the imaging spot and the core portion of the optical fiber 6, the ferrule 5 and the ferrule holder 7 are joined by laser welding or the like (black dot portion in FIG. 2), and then the module body 1 and the ferrule holder 7 Are fixed by welding (the black dots in FIG. 2).

一般に、半導体レ−ザモジュールは長期間にわたり安定した信頼性を保持することが要求される。このためには、半導体レ−ザ２の発光強度とビームプロファイル、レンズの光透過率、光ファイバ６に入射させる光ファイバ照射光８の結像スポットとコア部との位置精度などを安定に保つことが必要であるが、とくに短波長のレーザを用いる半導体レ−ザモジュールにおいては、光ファイバ入射面のように強烈なレーザ光が照射される部位では、光ファイバをフェルールに取付ける際に使用する接着剤が、コア部に結合されずクラッド部に漏れた透過光によって劣化、光損傷する。これによって発生するアウトガスがエネルギー密度の高いレーザ光によって光化学反応し、表面に付着し、固体または液体物質として蓄積してしまい、光ファイバへの結合効率を著しく低下させる現象があり問題となっていた。   In general, a semiconductor laser module is required to maintain stable reliability over a long period of time. For this purpose, the emission intensity and beam profile of the semiconductor laser 2, the light transmittance of the lens, and the positional accuracy between the imaging spot of the optical fiber irradiation light 8 incident on the optical fiber 6 and the core portion are stably maintained. In particular, in a semiconductor laser module using a short-wavelength laser, it is used for attaching an optical fiber to a ferrule at a site irradiated with intense laser light such as an optical fiber incident surface. The adhesive is deteriorated and damaged by the transmitted light leaking to the clad without being bonded to the core. The outgas generated by this causes a photochemical reaction with a laser beam with high energy density, adheres to the surface, accumulates as a solid or liquid substance, and there is a phenomenon that the coupling efficiency to the optical fiber is remarkably lowered, which has been a problem. .

ここで、光ファイバ６に入射する光の強度を１０（ｍＷ）、光ファイバのコア部の大きさをφ４（μｍ）として光ファイバ入射端における光エネルギー密度を算出すると、次式のように非常に高エネルギーになる。
光エネルギー密度＝１０（ｍＷ）／（π・（４／２）２）（μｍ２）＝０．８（ｍＷ／μｍ２）
＝８００（Ｗ／ｍｍ２） … （１）
このため、コア部に結合されずクラッド部に漏れた透過光は、フェルール内孔と光ファイバとの界面に介在する接着剤を照射し、これによって接着剤が劣化、光損傷して接着剤からアウトガスが発生する。接着剤の光吸収率は波長が短くなるほど大きくなるので、この現象も波長の短い半導体レーザを用いた場合に発生し易くなる。フェルール内孔と光ファイバとの界面から発生したアウトガスは前述した機構、および光圧による光ピンセット効果により光集光部である光ファイバ入射面のコア部に付着物が蓄積されていく。この現象を放置すると、経時的に半導体レーザモジュールの光利用効率を低下させていくことになる。 Here, when the intensity of light incident on the optical fiber 6 is 10 (mW) and the size of the core portion of the optical fiber is φ4 (μm), the optical energy density at the optical fiber entrance end is calculated as follows: Become high energy.
Light energy density = 10 (mW) / (π · (4/2) 2 ) (μm 2 ) = 0.8 (mW / μm 2 )
= 800 (W / mm 2 ) (1)
For this reason, the transmitted light leaked to the clad part without being coupled to the core part irradiates the adhesive intervening at the interface between the ferrule inner hole and the optical fiber. Outgassing occurs. Since the light absorptance of the adhesive increases as the wavelength becomes shorter, this phenomenon also tends to occur when a semiconductor laser with a shorter wavelength is used. Outgas generated from the interface between the ferrule inner hole and the optical fiber accumulates deposits on the core portion of the optical fiber incident surface, which is the light condensing portion, due to the mechanism described above and the optical tweezer effect by the light pressure. If this phenomenon is left unattended, the light utilization efficiency of the semiconductor laser module will be lowered over time.

なお、光ファイバをフェルールに取付ける際に使用する接着剤としては、通常、熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。   In addition, as an adhesive used when attaching an optical fiber to a ferrule, a thermosetting epoxy resin is usually used.

そこで、本発明の実施例では、上記問題を解決するために、上述した半導体レーザモジュールの図５に示す光ファイバ入射面拡大図において、光ファイバ芯線１２を構成するコア部１４、クラッド部１５、接着剤１３を含むフェルール先端面に光透過性かつガスバリア性を有する部材１６を形成せしめる。光透過性かつガスバリア性を有する部材としては、ＳｉＯ２膜を作るための前駆体を含む液状化合物を塗布し、前記液状化合物を転化して成すＳｉＯ２膜を用いる。この前駆体を含む液状化合物としては、ポリシラザンを含む溶液、あるいは珪素化合物溶液、あるいはシロキサン溶液を用いる。例えば、ポリシラザン溶液の場合、Ｓｉ−Ｎ（珪素と窒素）結合をもつ化合物を基本ユニットとした有機溶剤に可溶な無機ポリマーである。このため、このポリマーの有機溶媒溶液を塗布液として使用し、高温処理することによって焼成すれば、高純度シリカ（アモルファスＳｉＯ２）膜が形成される。あるいは、常温環境でも高純度シリカ（アモルファスＳｉＯ２）膜が形成される溶液もある。市販されている商品としては、東燃（株）の東燃ポリシラザン等がある。なお、塗布方法としては、ディッピング、スプレー法等がある。 Therefore, in the embodiment of the present invention, in order to solve the above problem, in the enlarged view of the optical fiber incident surface shown in FIG. 5 of the semiconductor laser module described above, the core portion 14, the clad portion 15, and the optical fiber core wire 12. A light transmissive and gas barrier member 16 is formed on the ferrule tip including the adhesive 13. As the member having light permeability and gas barrier properties, a SiO 2 film formed by applying a liquid compound containing a precursor for forming a SiO 2 film and converting the liquid compound is used. As the liquid compound containing the precursor, a solution containing polysilazane, a silicon compound solution, or a siloxane solution is used. For example, in the case of a polysilazane solution, it is an inorganic polymer soluble in an organic solvent having a basic unit of a compound having a Si—N (silicon and nitrogen) bond. For this reason, a high-purity silica (amorphous SiO 2 ) film is formed by using an organic solvent solution of this polymer as a coating liquid and baking it by high-temperature treatment. Alternatively, there is a solution in which a high-purity silica (amorphous SiO 2 ) film is formed even in a room temperature environment. Examples of commercially available products include Tonen Polysilazane manufactured by Tonen Corporation. Examples of the application method include dipping and spraying.

このように、光ファイバ入射面を含むフェルール先端面に形成したＳｉＯ２膜はガスバリア性を有しているため、光ファイバとフェルール界面の接着剤からアウトガスが発生してもガスがファイバ入射面側にくるのを防止できるため、入射面の汚染を防ぐことができる。 Thus, since the SiO 2 film formed on the ferrule tip surface including the optical fiber entrance surface has gas barrier properties, even if outgas is generated from the adhesive at the interface between the optical fiber and the ferrule, the gas is on the fiber entrance surface side. Therefore, contamination of the incident surface can be prevented.

図６は上述した半導体レーザモジュールを複数個用いて光記録装置用の光源として応用した例である。   FIG. 6 shows an example in which a plurality of the semiconductor laser modules described above are used as a light source for an optical recording apparatus.

それぞれ独立した複数の半導体レーザ光源１７〜２１（図中では５個にしている）から出射したレーザ光は、非図示のカップリングレンズを介して、それぞれに対応する複数本の光ファイバ２２〜２６に入射する。これらの半導体レーザ１７〜２１、カップリングレンズ、光ファイバ２２〜２６の各々は、半導体レーザの発光部、レンズの光軸、光ファイバの光伝搬部（以下、コア部という）が同一軸上に位置調整されパッケージ化された半導体レーザモジュール部２７〜３１を構成している。   Laser light emitted from a plurality of independent semiconductor laser light sources 17 to 21 (five in the drawing) is sent to a plurality of optical fibers 22 to 26 corresponding to each through a coupling lens (not shown). Is incident on. Each of the semiconductor lasers 17 to 21, the coupling lens, and the optical fibers 22 to 26 has a light emitting part of the semiconductor laser, an optical axis of the lens, and an optical propagation part (hereinafter referred to as a core part) of the optical fiber on the same axis. The position-adjusted and packaged semiconductor laser module units 27 to 31 are configured.

光ファイバの光出射端は、互いに近接させ等間隔で配置固定された光ファイバアレイ部３２を形成している。光ファイバアレイ部３２を出射した光はその後、光学系３３を介して回転多面鏡３４、走査レンズ３５により光記録部材３６上に複数の光スポットとして結像し、これらの光スポットを光変調して走査することにより光記録部材３６には印字・画像情報が記録される。   The light emitting ends of the optical fibers form an optical fiber array section 32 that is arranged close to each other and fixed at equal intervals. The light emitted from the optical fiber array section 32 is then imaged as a plurality of light spots on the optical recording member 36 by the rotary polygon mirror 34 and the scanning lens 35 via the optical system 33, and these light spots are optically modulated. By scanning, printing / image information is recorded on the optical recording member 36.

光記録装置の記録速度および解像度は年々増加する傾向にあるため、光源である半導体レーザ光源１７〜２１はより一層のハイパワー、短波長のものが望まれている。一方、半導体レーザ光源１７〜２１から発した光を伝搬する光ファイバ２２〜２６も、それに対応した構成のものが望まれており、上記した光記録装置において、光記録部材上を走査する光スポットはガウスビームあることが望ましいため、使用される光ファイバは単一モード光ファイバである。   Since the recording speed and resolution of optical recording devices tend to increase year by year, semiconductor laser light sources 17 to 21 as light sources are desired to have higher power and shorter wavelengths. On the other hand, the optical fibers 22 to 26 for propagating light emitted from the semiconductor laser light sources 17 to 21 are also required to have a configuration corresponding thereto, and in the above-described optical recording apparatus, an optical spot for scanning on the optical recording member. Since it is desirable to have a Gaussian beam, the optical fiber used is a single mode optical fiber.

このような構成をもつ光記録装置において、大元の半導体レーザモジュール部２７〜３１の光利用効率変動はそのまま印刷品質の変動に直結する。このため、半導体レーザモジュール内の光ファイバ入射面に図５で説明したようなＳｉＯ２膜を形成することは、印刷品質を向上させる手段として有効である。なお、上述したＳｉＯ２膜の形成は光ファイバの入射側のみでなく、図７に示す光ファイバアレイ３２を構成する各光ファイバ出射端においても同様に有効である。 In the optical recording apparatus having such a configuration, fluctuations in the light utilization efficiency of the original semiconductor laser module units 27 to 31 are directly connected to fluctuations in print quality. Therefore, forming the SiO 2 film as described with reference to FIG. 5 on the optical fiber incident surface in the semiconductor laser module is effective as a means for improving the print quality. The formation of the SiO 2 film described above is effective not only at the incident side of the optical fiber but also at each optical fiber exit end constituting the optical fiber array 32 shown in FIG.

本発明の半導体レーザモジュールの断面図。Sectional drawing of the semiconductor laser module of this invention. 従来の半導体レーザモジュールの断面図。Sectional drawing of the conventional semiconductor laser module. 本発明の半導体レーザモジュールの一部品であるフェルールの断面図。Sectional drawing of the ferrule which is one component of the semiconductor laser module of this invention. 図３のフェルールの断面拡大図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the ferrule of FIG. 3. 図３のフェルールの断面拡大図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the ferrule of FIG. 3. 本発明の半導体レーザモジュールを用いた光記録装置の概略図。1 is a schematic diagram of an optical recording apparatus using a semiconductor laser module of the present invention. 光記録装置に用いられる光ファイバアレイ先端の概略図。1 is a schematic view of the tip of an optical fiber array used in an optical recording apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１…モジュール本体、２…半導体レーザ、３…出射光、４…レンズ、５…フェルール、６…光ファイバ、７…フェルール保持具、８…光ファイバ照射光、９…フェルール先端保持部、１０…フェルール外側保持部、１１…光ファイバの被覆、１２…光ファイバの芯線、１３…接着剤、１４…光ファイバのコア部、１５…光ファイバのクラッド部、１６…ガスバリア性部材、１７〜２１…半導体レーザ、２２〜２６…光ファイバ、２７〜…半導体レーザモジュール、３２…光ファイバアレイ、３３…光学系、３４…回転多面鏡、３５…走査レンズ、３６…光記録部材。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Module main body, 2 ... Semiconductor laser, 3 ... Emitted light, 4 ... Lens, 5 ... Ferrule, 6 ... Optical fiber, 7 ... Ferrule holder, 8 ... Optical fiber irradiation light, 9 ... Ferrule tip holding | maintenance part, 10 ... Ferrule outer side holding part, 11 ... coating of optical fiber, 12 ... core wire of optical fiber, 13 ... adhesive, 14 ... core part of optical fiber, 15 ... cladding part of optical fiber, 16 ... gas barrier member, 17-21 ... Semiconductor lasers, 22 to 26 optical fibers, 27 to semiconductor laser modules, 32 optical fiber arrays, 33 optical systems, 34 rotating polygon mirrors, 35 scanning lenses, and 36 optical recording members.

Claims (11)

半導体レーザから発した光を、レンズを介してフェルールに保持された光ファイバに結合するための光結合系において、前記光ファイバは先端部の被覆が除去されて前記フェルールの内孔に挿入され、該フェルールの内孔に充填された接着剤により先端部で固定され、且つその先端面が研磨されており、さらに、前記光ファイバ入射面を含む前記フェルール先端面に光透過性かつガスバリア性を有する部材を形成せしめたことを特徴とする半導体レーザモジュール。   In the optical coupling system for coupling the light emitted from the semiconductor laser to the optical fiber held by the ferrule through the lens, the optical fiber is inserted into the inner hole of the ferrule with the coating of the tip portion removed. The tip of the ferrule is fixed at the tip by an adhesive filled in the inner hole of the ferrule, and the tip of the tip is polished. Further, the tip of the ferrule including the optical fiber entrance surface has optical transparency and gas barrier properties. A semiconductor laser module comprising a member. 前記光透過性かつガスバリア性を有する部材として、ＳｉＯ２膜を作るための前駆体を含む液状化合物を塗布し、前記液状化合物を転化して成すＳｉＯ２膜を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザモジュール。 2. The SiO 2 film formed by applying a liquid compound containing a precursor for forming an SiO 2 film and converting the liquid compound is used as the light transmissive and gas barrier member. The semiconductor laser module described. 前記ＳｉＯ２膜を作るための前記前駆体を含む液状化合物は、ポリシラザンを含む溶液、あるいは珪素化合物溶液、あるいはシロキサン溶液を用いることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザモジュール。 The liquid compound containing the precursor for making the SiO 2 film, a solution containing a polysilazane or a silicon compound solution or semiconductor laser module according to claim 2, characterized by using a siloxane solution,. 前記半導体レーザとして、発振波長４０５（ｎｍ）の青紫色半導体レーザを用いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザモジュール。   2. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein a blue-violet semiconductor laser having an oscillation wavelength of 405 (nm) is used as the semiconductor laser. 複数本の光ファイバの出射端を等間隔で一列に配列することにより構成される光ファイバアレイを光源とし、該光源から発した複数の光を、光学系を介して光記録部材上に複数の光スポットとして結像させ、前記複数の光スポットを一括走査し、また、該複数の光スポットの光強度を変調することにより、前記光記録部材上に印字、画像情報を記録する光記録装置において、前記光ファイバの入射端は、半導体レーザから発した光を、レンズを介してフェルールに保持された光ファイバに結合するための光結合系を構成し、該光ファイバは先端部の被覆が除去されて前記フェルールの内孔に挿入され、該フェルールの内孔に充填された接着剤により先端部で固定され、且つその先端面が研磨されており、さらに、前記光ファイバ入射面を含むフェルール先端面に光透過性かつガスバリア性を有する部材を形成せしめたことを特徴とする半導体レーザモジュール。   An optical fiber array configured by arranging the emission ends of a plurality of optical fibers in a line at equal intervals is used as a light source, and a plurality of lights emitted from the light source are arranged on an optical recording member via an optical system. In an optical recording apparatus that forms an image as a light spot, collectively scans the plurality of light spots, and modulates the light intensity of the plurality of light spots, thereby printing on the optical recording member and recording image information The incident end of the optical fiber constitutes an optical coupling system for coupling the light emitted from the semiconductor laser to the optical fiber held by the ferrule through the lens, and the optical fiber has the coating on the tip portion removed. And inserted into the inner hole of the ferrule, fixed at the front end by an adhesive filled in the inner hole of the ferrule, and its front end surface is polished, and further includes the optical fiber incident surface The semiconductor laser module, characterized in that it allowed forming a member having optical transparency and gas barrier properties to the ferrule tip end face. 前記光透過性かつガスバリア性を有する部材として、ＳｉＯ２膜を作るための前駆体を含む液状化合物を塗布し、前記液状化合物を転化して成すＳｉＯ２膜を用いることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザモジュール。 6. The SiO 2 film formed by applying a liquid compound containing a precursor for forming an SiO 2 film and converting the liquid compound is used as the light transmissive and gas barrier member. The semiconductor laser module described. 前記ＳｉＯ２膜を作るための前記前駆体を含む液状化合物は、ポリシラザンを含む溶液、あるいは珪素化合物溶液、あるいはシロキサン溶液を用いることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザモジュール。 The liquid compound containing the precursor for making the SiO 2 film, a solution containing a polysilazane or a silicon compound solution or semiconductor laser module according to claim 6, wherein the use of a siloxane solution,. 前記半導体レーザとして、発振波長４０５（ｎｍ）の青紫色半導体レーザを用いることを特徴とする請求項５記載の半導体レーザモジュール。   6. The semiconductor laser module according to claim 5, wherein a blue-violet semiconductor laser having an oscillation wavelength of 405 (nm) is used as the semiconductor laser. 前記光ファイバアレイの光出射面に、光透過性かつガスバリア性を有する部材を形成せしめたことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザモジュール。   6. The semiconductor laser module according to claim 5, wherein a member having optical transparency and gas barrier properties is formed on a light emitting surface of the optical fiber array. 前記光透過性かつガスバリア性を有する部材として、ＳｉＯ２膜を作るための前駆体を含む液状化合物を塗布し、前記液状化合物を転化して成すＳｉＯ２膜を用いることを特徴とする請求項９記載の半導体レーザモジュール。 10. The SiO 2 film formed by applying a liquid compound containing a precursor for forming a SiO 2 film and converting the liquid compound is used as the light transmissive and gas barrier member. The semiconductor laser module described. 前記ＳｉＯ２膜を作るための前記前駆体を含む液状化合物は、ポリシラザンを含む溶液、あるいは珪素化合物溶液、あるいはシロキサン溶液を用いることを特徴とする請求項１０記載の半導体レーザモジュール。
The liquid compound containing the precursor for making the SiO 2 film, a solution containing a polysilazane or a silicon compound solution or semiconductor laser module according to claim 10, wherein the use of a siloxane solution,.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073870A (en) * 2005-09-09 2007-03-22 Ricoh Printing Systems Ltd Semiconductor laser module and optical scanning apparatus using same
JP2007310364A (en) * 2006-04-21 2007-11-29 Fujifilm Corp Optical device
JP2007310363A (en) * 2006-04-21 2007-11-29 Fujifilm Corp Optical device
JP2009246040A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Electric Corp Laser light source device
US7702198B2 (en) 2007-09-28 2010-04-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor laser module and light scanning device and image forming apparatus using the same
JP2010141330A (en) * 2008-12-11 2010-06-24 Korea Electronics Telecommun Flexible substrate, and method of manufacturing the same
CN110333599A (en) * 2019-04-30 2019-10-15 成都理想境界科技有限公司 A kind of scanning display module
WO2022018816A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27 日本電信電話株式会社 Optical module

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007073870A (en) * 2005-09-09 2007-03-22 Ricoh Printing Systems Ltd Semiconductor laser module and optical scanning apparatus using same
JP2007310364A (en) * 2006-04-21 2007-11-29 Fujifilm Corp Optical device
JP2007310363A (en) * 2006-04-21 2007-11-29 Fujifilm Corp Optical device
JP4741535B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-03 富士フイルム株式会社 Optical device
JP4741534B2 (en) * 2006-04-21 2011-08-03 富士フイルム株式会社 Optical device
US7702198B2 (en) 2007-09-28 2010-04-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor laser module and light scanning device and image forming apparatus using the same
JP2009246040A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Electric Corp Laser light source device
JP2010141330A (en) * 2008-12-11 2010-06-24 Korea Electronics Telecommun Flexible substrate, and method of manufacturing the same
CN110333599A (en) * 2019-04-30 2019-10-15 成都理想境界科技有限公司 A kind of scanning display module
WO2022018816A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27 日本電信電話株式会社 Optical module
JPWO2022018816A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27
JP7372578B2 (en) 2020-07-20 2023-11-01 日本電信電話株式会社 optical module

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