JP2005209768A - 静電吸着装置及び静電吸着方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス等の絶縁性基板の外部に形成される電界を微弱にし、被吸着基板の表面処理に関係なく同じ吸着力が得られる双極型静電吸着装置および静電吸着方法を提供する。
【解決手段】被吸着基板１６の厚さがｄ_１の時、静電吸着装置の電極ピッチをＷ、電極１２上の誘電体厚さをｄ_２とした時、Ｗが（ｄ_１＋ｄ_２）の１．３倍以下、さらに、ｄ_２がＷの１／４以下の関係にある静電吸着装置である。
【効果】被吸着基板表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着基板の外部領域の電位を微弱にできると共に同等の吸着力が得られるため、被吸着基板の種類に応じた印加電圧の調整が不要になり生産性が向上する。また静電吸着装置の電子線を用いるＥＢ描画装置などへの適用が可能になる。
【選択図】図４

Description

本発明はガラス等の絶縁性基板を静電吸着する静電吸着装置及び静電吸着方法に関する。特に、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）用ガラス基板を静電吸着して保持固定または搬送する静電吸着装置に関する。

ＬＣＤの製造工程には数多くの真空プロセスがあり、これらのプロセスで大型ガラス基板の搬送や、ガラス基板の貼り合せ用に静電吸着装置が多用されている。吸着するガラス基板には、表面処理のないガラス基板（素ガラス）、反吸着面側に導電性膜を有するガラス基板（膜付ガラス）、吸着面側に導電性膜を有するガラス基板（吸着面膜付ガラス）の３種類がある。これらのガラスを静電チャックで吸着した場合、吸着面膜付ガラスでは低電圧で大きな吸着力が得られるため特に大きな問題はない。しかし、素ガラスと膜付ガラスの場合は吸着力が小さく、更には、素ガラスと膜付ガラスの吸着力が大きく異なる。そのため、ガラス基板の剥れが起らない様に、印加電圧等を変えて吸着力を調整している。

また、真空容器内で電子線を用いてガラス等の絶縁性基板に回路などを描画するＥＢ描画装置などでは、絶縁性基板の保持に静電吸着装置を用いると、被吸着基板の外部に静電吸着装置による電界が形成され、電子線が偏向するなどの問題がある。

なお、静電吸着装置（静電チャック）については、例えば特開２００２−３４５２７３号公報に記載されている。

特開２００２−３４５２７３号公報

上記した様に、本発明の課題は、ガラスなどの絶縁物を吸着する静電吸着装置において、被吸着物の表面処理の有無に関係なく吸着力を低下させないで、静電吸着装置の印加電圧により被吸着物の外部領域に形成される電界を微弱にする事である。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

前記課題を解決するために、静電吸着装置の構造と吸着力、電位（電界）分布との関係について鋭意検討した。その結果、被吸着物の種類に関係なく吸着力を低下させないで、被吸着物の外部領域に形成される電界を微弱にするためには、被吸着物内に電場（電界）を閉じ込めれば良いことが分かった。具体的には、静電吸着する絶縁性基板の厚さをｄとした時、
（１）平板状誘電体内に複数の電極を形成し、この電極に正負の電圧を交互に印加して（隣り合う電極に電位差を与えて）前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を吸着する静電吸着装置においては、誘電体厚（誘電体内に形成される電極から静電吸着装置の吸着面までの距離）をｂ、電極ピッチをＷとした時、Ｗを（ｄ＋ｂ）の１．３倍以下にすることにより、被吸着基板の外に形成される電界強度を低くできると共に、被吸着基板（素ガラスと膜付ガラス）の種類に関係なく、同じ吸着力が得られる。また、吸着力向上の観点から電極ピッチＷに対して、誘電体厚ｂをＷの１／４以下にする。
（２）平板状絶縁体に複数の矩形溝を形成し、その溝の底部に給電線に接続された電極を設け、さらに、前記溝部を誘電体で埋め込んだ構造で、前記電極に正負の電圧を交互に印加して（隣り合う電極に電位差を与えて）前記平板状絶縁体に誘電体を埋め込んだ側の表面で絶縁性基板を吸着する静電吸着装置においては、前記複数の電極ピッチをＷとした時、前記Ｗを前記ｄの１．３倍以下にする。

本発明によれば、静電吸着する絶縁性基板の表面処理の有無に関係なく同等の吸着力が得られるため、被吸着物の表面処理に対応して印加電圧を調整する等の必要がなくなる。併せて、被吸着物の外部領域に形成される電界が微弱であるため、電子線を用いるＥＢ描画装置などの処理基板の保持に静電吸着装置が使用できると言う効果がある。

（実施例１）
図１は、本発明の実施例１である静電吸着装置１の断面図である。この実施例では、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）などの絶縁体２内に溝を掘って、その底部には電極３が設けられ、そこに誘電体４が埋め込まれ、さらに、電極３には電圧印加用の配線５が接続された構造である。配線５には電源６が接続されている。

この静電吸着装置１において、電源６を用いて電極３に交互に正負の電圧を印加する（隣り合う電極に電位差を与える）と、静電吸着装置１と被吸着物７との吸着部に強い電界が発生し、この電界の垂直方向成分の２乗に比例した吸着力が得られる。従って、印加電圧と電界強度は比例するため、印加電圧を高くするほど大きな吸着力が得られる。

図２と図３は電場解析を用いた吸着力の解析結果を示す。図２は電極ピッチＷが２０００μｍ、図３は電極ピッチＷが１０００μｍで被吸着物７の厚さｄ_１を変えた場合の吸着力を示す。この計算条件は、印加電圧±１０００Ｖ、誘電体４の比誘電率１０００、絶縁体２の比誘電率１０、被吸着物７の比誘電率６である。図２から、被吸着物７の反吸着面側（吸着面と反対側）の導電性膜の有無に関係なく、吸着力がほぼ同じになる被吸着物７の厚さｄ_１は１．５ｍｍであることが分かる。この場合、電極ピッチＷが２０００μｍであるから、Ｗはｄ_１の１．３３倍である。両者の吸着力が同じになると言うことは、被吸着物７の外側領域の電界強度が微弱であることを意味している。また、同様に図３から、被吸着物７の反吸着面側の導電性膜の有無に関係なく吸着力がほぼ同じになる被吸着物７の厚さｄ_１は０．８ｍｍ程度であることが分かる。この場合、電極ピッチＷが１０００μｍであるから、Ｗはｄ_１の１．２５倍である。

以上の事から、被吸着物７表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着物７表面の外側に形成される電界を微弱し同じ吸着力を得るためには、電極ピッチをＷ、被吸着物７の厚さをｄ_１とした時、前記Ｗが前記ｄ_１の１．３倍以下である事が望ましいとの結論に至った。

従って、本実施例１によれば、被吸着物７の厚さｄ_１に対して、電極ピッチＷが１．３倍以下の関係にある静電吸着装置を用いて被吸着物７を吸着することにより、被吸着物７表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着物７表面の外側に形成される電界を微弱し同じ吸着力が得られると言う効果がある。

（実施例２）
図４は、本発明の実施例２の静電吸着装置１０の断面図である。この実施例では誘電体１１に溝を設け、この溝の底部に電極１２が、また、この電極１２には電圧印加用の配線１４が接続され、また、溝は絶縁体１３で密閉された構造である。配線１４には電源１５が接続してある。

この静電吸着装置１０において、電源１５を用いて電極１２に交互に正負の電圧を印加する（隣り合う電極に電位差を与える）と、静電吸着装置１０と被吸着物１６との吸着部に電界が発生し、この電界の垂直方向成分の２乗に比例した吸着力が得られる。従って、電界強度は印加電圧に比例するため、印加電圧を高くするほど大きな吸着力が得られる。

図５と図６は、図４において誘電体１１の高さ１．５ｍｍで比誘電率１０、被吸着物１６の厚さｄ_１が０．７ｍｍで比誘電率６、電極ピッチＷと誘電体厚ｂ_２をパラメータとして、印加電圧±１０００Ｖで計算した吸着力を示す。図５は被吸着物１６の反吸着面側表面に導電性の膜を有するもの、図６は導電性膜のないものの計算結果である。

図５から、誘電体厚ｄ_２が薄い領域（約２０μｍ）では、電極ピッチＷが小さくなるほど吸着力が大きい。電極ピッチＷが２０００μｍに対して、電極ピッチＷが１００μｍでは、誘電体厚ｄ_２が１０μｍで約２６倍の吸着力になる。しかし、誘電体厚ｄ_２が大きい領域、例えば２００μｍでは電極ピッチＷが２０００μｍと４００μｍがほぼ同等で、２００μｍ、１００μｍの順に吸着力が低下する。この傾向は、図４の被吸着物１６に導電性の膜が無い場合もほぼ同じである。

図５と図６から、電極ピッチＷを小さくする程、誘電体厚ｄ_２の増加に伴う吸着力の低下度合いが大きくなることが分かる。これは、電極ピッチＷが小さくなるほど、等電位線が上方向に脹らまなくなるため、誘電体厚ｂ_２が大きくなると吸着面の電界強度が大幅に低下するためである。従って、電極ピッチＷを小さくした場合には、電極ピッチＷに適切な誘電体厚ｄ_２に設定しないと、電極ピッチＷを小さくしたことによる吸着力向上効果が損なわれることが分かった。

図５と図６から、例えば、電極ピッチＷが１００μｍでは誘電体厚ｄ_２が２５μｍ、Ｗが４００μｍではｄ_２が１００μｍ以下にすると電極ピッチＷを狭くした効果の得られることが分かる。この事から、高い吸着力を得るためには誘電体厚ｄ_２を電極ピッチＷの約１／４程度以下にすることが好適であるとの結論に至った。もちろん、高い吸着力を得るためには誘電体厚ｄ_２を薄くするほど良いことは言うまでもない。

また、図７および図８は被吸着物１６の反吸着側表面の導電性膜有無の吸着力を比較したものである。図７は電極ピッチＷが２０００μｍ、図８は電極ピッチＷが２００μｍの計算結果である。

図７から、電極ピッチＷが２０００μｍの場合、誘電体厚ｄ_２に関係なく常に導電性膜有りの方が吸着力が高いことが分かる。これに対して、図８から、電極ピッチＷが２００μｍの場合、導電性膜の有無に関係なく同じ吸着力であることが分かる。

図９から図１２に、誘電体厚ｄ_２が２０μｍで電極ピッチが異なる場合の電位分布を示す。図９は電極ピッチＷが２０００μｍ、図１０は電極ピッチＷが４００μｍ、図１１は電極ピッチＷが２００μｍ、図１２は電極ピッチＷが１００μｍの場合を示す。また、図９から図１２では２０Ｖ間隔の等電位線を示す。図９から図１２の比較から、電極ピッチＷが狭くなる程、等電位線が電極の周りに集中し、被吸着基板１６の外側に形成される電位が低くなることが分かる。

上記で示した計算の他、被吸着基板厚ｄ_１、電極ピッチＷ、誘電体厚ｄ_２、誘電体１１の比誘電率などについて吸着力と電位分布について鋭意検討した結果、被吸着物１６の外側に形成される電位を微弱にするためには、電極ピッチをＷ、誘電体厚をｄ_２、被吸着物厚をｄ_１とした時、前記Ｗが前記ｄ_１とｄ_２の和の１．３倍以下である事が望ましいとの結論に至った。

従って、本実施例２によれば、被吸着物１６の厚さｄ_１に対して、誘電体厚がｄ_２の時、電極ピッチＷがｄ_１＋ｄ_２の１．３倍以下で、ｄ_２がＷの１／４以下の関係にある静電吸着装置を用て被吸着物１６を吸着することにより、被吸着物１６表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着物１６表面の外側に形成される電界を微弱し同じ吸着力が得られると言う効果がある。

（実施例３）
図１３は本発明の実施例３の静電吸着装置２０の断面図である。この実施例では例えば、ポリイミドやＡｌ_２Ｏ_３などの誘電体２１内に電極２２が埋め込まれ、電極２２には電圧印加用の配線２３が接続された構造である。また、配線２３には電源２４が接続されている。

この静電吸着装置２０において、電源２４を用いて電極２２に交互に正負の電圧を印加する（隣り合う電極に電位差を与える）と、静電吸着装置２０と被吸着物２５との吸着部に強い電界が発生し、この電界の垂直方向成分の２乗に比例した吸着力が得られる。従って、印加電圧と電界強度は比例するため、印加電圧を高くするほど大きな吸着力が得られる。

実施例３の構造についても、実施例２と同様の検討を行った結果、被吸着物の外側に形成される電位を微弱にするためには、電極ピッチをＷ、誘電体厚をｄ_２、被吸着物厚をｄ_１とした時、前記Ｗが前記ｄ_１とｄ_２の和の１．３倍以下である事が望ましいこと、また、併せて、高い吸着力を得るためには、誘電体厚ｄ_２を電極ピッチＷの約１／４程度以下にすることが好適であるとの結論に至った。もちろん、高い吸着力を得るためには、誘電体厚ｄ_２は薄くするほど良いことは言うまでもない。

従って、本実施例によれば、被吸着物２５の厚さｄ_１に対して、誘電体厚がｄ_２の時、電極ピッチＷがｄ_１＋ｄ_２の１．３倍以下で、ｄ_２がＷの１／４以下の関係にある静電吸着装置を用いて被吸着物２５を吸着することにより、被吸着物２５表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着物２５表面の外側に形成される電界を微弱し同じ吸着力が得られると言う効果がある。

（実施例４）
図１４は本発明の実施例４の静電吸着装置３０の断面図である。この実施例では、Ａｌ_２Ｏ_３などの絶縁体３１内に溝を掘って、その底部には電極３２が設けられ、そこに誘電体３３が埋め込まれ、その上部に絶縁体３４が設けられ、さらに、電極３２には電圧印加用の配線３５が接続された構造である。配線３５には電源３６が接続されている。

この静電吸着装置３０において、電源３６を用いて電極３２に交互に正負の電圧を印加する（隣り合う電極に電位差を与える）と、静電吸着装置３０と被吸着物３７との吸着部に強い電界が発生し、この電界の垂直方向成分の２乗に比例した吸着力が得られる。従って、印加電圧と電界強度は比例するため、印加電圧を高くするほど大きな吸着力が得られる。

実施例４の構造についても実施例２と同様の検討を行った。その結果、被吸着物３７の外側に形成される電位を微弱にするためには、電極ピッチをＷ、絶縁体３４の厚をｄ_２、被吸着物の厚さをｄ_１とした時、前記Ｗが前記ｄ_１とｄ_２の和の１．３倍以下である事が望ましいと、また、併せて、高い吸着力を得るためには、絶縁体３４の厚さｄ_２を電極ピッチＷの約１／４程度以下にすることが好適であるとの結論に至った。もちろん、高い吸着力を得るためには、絶縁体３４の厚さｄ_２は薄くするほど良いことは言うまでもない。

従って、本実施例によれば、被吸着物３７の厚さｄ_１に対して、絶縁体厚がｄ_２の時、電極ピッチＷがｄ_１＋ｄ_２の１．３倍以下で、ｄ_２がＷの１／４以下の関係にある静電吸着装置を用て被吸着物３７を吸着することにより、被吸着物３７表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着物３７表面の外側に形成される電界を微弱し同じ吸着力が得られると言う効果がある。

（実施例５）
図１５は本発明の実施例５の静電吸着装置４０の断面図である。この実施例では、Ａｌ_２Ｏ_３などの絶縁体４１内に溝を掘って、その底部には電極４２が設けられ、そこに誘電体４３が埋め込まれ、ひとつおきに誘電体４３の上部に絶縁体４４が設けられ、さらに、電極４２には電圧印加用の配線４５が接続された構造である。配線４５には電源４６が接続されている。

この静電吸着装置４０において、電源４６を用いて電極４２に交互に正負の電圧を印加する（隣り合う電極に電位差を与える）と、静電吸着装置４０と被吸着物４７との吸着部に強い電界が発生し、この電界の垂直方向成分の２乗に比例した吸着力が得られる。従って、印加電圧と電界強度は比例するため、印加電圧を高くするほど大きな吸着力が得られる。

実施例５の構造についても実施例１と同様の検討を行った。その結果、被吸着物４７の外側に形成される電位を微弱にするためには、電極ピッチをＷ、被吸着物４７の厚さをｄ_１とした時、前記Ｗが前記ｄ_１の１．３倍以下である事が望ましいとの結論に至った。また、高い吸着力を得るためには絶縁体４４の厚さを薄くするほど良いことは言うまでもない。

従って、本実施例によれば、被吸着物４７の厚さｄ_１に対して、電極ピッチＷが１．３倍以下の静電吸着装置を用いて被吸着物４７を吸着することにより、被吸着物４７表面の導電性膜の有無に関係なく、被吸着物４７表面の外側に形成される電界を微弱し同じ吸着力が得られると言う効果がある。

（実施例６）
図１６は実施例１から５の静電吸着装置及びその静電吸着方法を適用した液晶ガラス基板貼り合せ装置（以後、貼り合せ装置）を示す断面図である。本実施例の貼り合せ装置では、ゲートバルブ８５付きの真空容器８０内に静電吸着装置８２を有する上基板ホルダー８１と静電吸着装置８４有する下基板ホルダー８３が上下に対向する構成で設けてある。また、上基板ホルダー８１にはホルダー駆動装置８６が、下基板ホルダー８３にはホルダー駆動装置８７が連結してある。更に、筐体枠８８には固定柱８９で真空容器８０を、ホルダー駆動装置８６及び８７は直接固定した構造である。

本実施例の動作を説明する。先ず、ゲートバルブ８５を開放して、図示してない搬送装置で真空容器８０内にガラス基板９０と液晶を滴下したガラス基板９１を導入し、上下の静電吸着装置８２、８４で静電吸着する。その後、ゲートバルブ８５を閉めて、真空容器８０内を図示しない真空ポンプで真空容器８０内のガスと液晶内のガスを０．１Ｐａまで真空排気する。その後、ホルダー駆動装置８６と８７を用いて、上下基板ホルダー８１と８３を上下左右方向に移動させながら数十〜数百μｍ程度に近接させ、ガラス基板９０と９１の位置合せを行う。その後、真空容器８０内にガスを導入して、真空容器８０内を大気圧まで戻し、上下基板ホルダー８１と８３が大気圧で押すことでガラス基板９０と９１が更に所望の距離（数μｍ）まで近接させる。その後、静電吸着装置８２と８４の印加電圧を切断し、ゲートバルブ８５を開放して外部に取出す。

この処理工程において、反応室８０内に導入されるガラス基板９０と９１の反吸着面側表面に導電性のＩＴＯ膜の有るものや無いものがあるが、本実施例の静電吸着装置８２と８４は表面処理状態に関係なく同じ吸着力が得られるため、ガラス基板９０と９１に対応した印加電圧等の制御が不要になり、処理能力が向上すると言う効果がある。

（実施例７）
図１７は実施例１から５の静電吸着装置及びその静電吸着方法を適用したＥＢ（電子線）描画装置を示す断面図である。本実施例のＥＢ描画装置では、真空容器１０２内の底部に静電吸着装置１０４を有する基板ホルダー１０３が設置してある。また、真空容器１０２上部には、制御システム１０５により制御される電子線源１００及び光学系１０１が取り付けてある。

本実施例でのＥＢ描画の処理工程を説明する。まず、真空容器１０２内にガラスなど絶縁性の処理基板１０７を導入し、静電吸着装置１０４で基板ホルダ１０３に保持固定する。次に、真空容器１０２内のガスを真空排気し、基板ホルダをＸＹ方向に移動させて電子線１０６で処理基板１０７上に所望の回路を描画する。その後、真空容器１０２内を大気圧に戻し、静電吸着装置１０４を切断した後、真空容器内から処理基板１０７を取出す。

この処理工程において、真空容器１０２内に導入された絶縁性の処理基板１０７を静電吸着装置１０４で吸着した場合、本実施例の静電吸着装置１０４では処理基板１０７の外部に形成される電界が微弱であるため、電子線１０６が電界で偏向する様なことがないため、処理基板１０７への回路を高精度で描画できると言う効果がある。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。

実施例１の静電吸着装置の断面図である。 実施例１の静電吸着装置の吸着力説明図である。 実施例１の静電吸着装置の吸着力説明図である。 実施例２の静電吸着装置の断面図である。 実施例２の静電吸着装置の吸着力説明図である。 実施例２の静電吸着装置の吸着力説明図である。 実施例２の静電吸着装置の吸着力説明図である。 実施例２の静電吸着装置の吸着力説明図である。 実施例１の静電吸着装置の電位分布説明図である。 実施例１の静電吸着装置の電位分布説明図である。 実施例１の静電吸着装置の電位分布説明図である。 実施例１の静電吸着装置の電位分布説明図である。 実施例３の静電吸着装置の断面図である。 実施例４の静電吸着装置の断面図である。 実施例５の静電吸着装置の断面図である。 実施例６の液晶ガラス基板貼り合せ装置の断面図である。 実施例７のＥＢ描画装置の断面図である。

符号の説明

１…静電吸着装置、２…絶縁体、３……電極、４……誘電体、５……給電線、６…電源、７…被吸着物、
１０…静電吸着装置、１１…誘電体、１２…電極、１３…絶縁体、１４…給電線、１５…電源、１６…被吸着物、
２０…静電吸着装置、２１…誘電体、２２…電極、２３…給電線、２４…電源、２５…被吸着物、
３０…静電吸着装置、３１…絶縁体、３２…電極、３３…誘電体、３４…絶縁体、３５…給電源、３６…電源、３７…被吸着物、
４０…静電吸着装置、４１…絶縁体、４２…電極、４３…誘電体、４４…絶縁体、４５…給電源、４６…電源、４７…被吸着物、
８０…真空容器、８１…上基板ホルダー、８２，８４…静電吸着装置、８３…下基板ホルダー、８５…ゲートバルブ、８６，８７…ホルダー駆動装置、８８…筐体枠、８９…固定柱、９０，９１…ガラス基板、
１００…電子銃、１０１…光学系、１０２…真空容器、１０３…基板ホルダ、１０４…静電吸着装置、１０５…制御システム、１０６…電子線、１０７…処理基板。

Claims (10)

1. 平板状絶縁体に複数の矩形溝を形成し、その溝の底部に給電線に接続された電極を設け、さらに、前記溝部を誘電体で埋め込んだ構造を有し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて前記平板状絶縁体に前記誘電体を埋め込んだ側の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着装置であって、
   前記絶縁性基板の厚さがｄの時、前記静電吸着装置の複数の電極ピッチＷが前記ｄの１．３倍以下になっていることを特徴とする静電吸着装置。
2. 平板状誘電体内に複数の電極を形成し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着装置であって、
   前記絶縁性基板の厚さがｄの時、前記複数の電極ピッチをＷ、前記平板状誘電体内の電極から吸着面までの距離をｂとした時、前記電極ピッチＷが前記ｄとｂの和の１．３倍以下になっていることを特徴とする静電吸着装置。
3. 平板状誘電体内に複数の電極を形成し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて、前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着装置であって、
   前記複数の電極ピッチＷに対して、前記平板状誘電体内の電極から吸着面までの距離ｂが前記Ｗの１／４以下であることを特徴とする静電吸着装置。
4. 平板状誘電体内に複数の電極を形成し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて、前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着装置であって、
   前記絶縁性基板の厚さがｄの時、前記静電吸着装置の複数の電極ピッチをＷ、前記平板状誘電体内の電極から吸着面までの距離をｂとした時、前記電極ピッチＷが前記ｄとｂの和の１．３倍以下であり、かつ、前記ｂがＷの１／４以下であることを特徴とする静電吸着装置。
5. 請求項１乃至請求項４のうちの何れか１項に記載の静電吸着装置を含むことを特徴とする液晶ガラス基板処理装置。
6. 請求項１乃至請求項４のうちの何れか１項に記載の静電吸着装置を含むことを特徴とするＥＢ描画装置。
7. 平板状絶縁体に複数の矩形溝を形成し、その溝の底部に給電線に接続された電極を設け、さらに、前記溝部を誘電体で埋め込んだ構造を有する静電吸着装置を使用し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて前記平板状絶縁体に前記誘電体を埋め込んだ側の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着方法であって、
   前記絶縁性基板の厚さがｄの時、前記複数の電極ピッチＷが前記ｄの１．３倍以下の状態で前記絶縁性基板を静電吸着することを特徴とする静電吸着方法。
8. 平板状誘電体内に複数の電極を形成し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着方法であって、
   前記絶縁性基板の厚さがｄの時、前記複数の電極ピッチをＷ、前記平板状誘電体内の電極から吸着面までの距離をｂとした時、前記電極ピッチＷが前記ｄとｂの和の１．３倍以下の状態で前記絶縁性基板を静電吸着することを特徴とする静電吸着方法。
9. 平板状誘電体内に複数の電極を形成し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて、前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着方法であって、
   前記複数の電極ピッチＷに対して、前記平板状誘電体内の電極から吸着面までの距離ｂが前記Ｗの１／４以下の状態で前記絶縁性基板を静電吸着することを特徴とする静電吸着方法。
10. 平板状誘電体内に複数の電極を形成し、前記複数の電極の隣り合う電極に電位差を与えて、前記平板状誘電体の一方の表面で絶縁性基板を静電吸着する静電吸着方法であって、
    前記絶縁性基板の厚さがｄの時、前記複数の電極ピッチをＷ、前記平板状誘電体内の電極から吸着面までの距離をｂとした時、前記電極ピッチＷが前記ｄとｂの和の１．３倍以下であり、かつ、前記ｂがＷの１／４以下の状態で前記絶縁性基板を静電吸着することを特徴とする静電吸着方法。

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