JP2005208612A - 光モジュール製造方法、光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】低価格で量産性に優れ、かつ、高周波特性に優れた光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】
光アライメント治具に発光素子と光ファイバを機械的に配置し（工程Ｓ１及びＳ２）、その配置状態のまま発光素子と光ファイバを接着材で固着して一体化し（工程Ｓ３及びＳ４及びＳ５）、その一体化したものを光アライメント治具から取り出して（工程Ｓ６）、安価で高周波特性のよい光モジュール基板に取り付ける（工程Ｓ７）。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光ファイバ通信に用いられる光素子（半導体レーザ、フォトダイード等）を備えた光モジュールを、低コストで製造する技術に関する。

上記光モジュールの製造において、光ファイバの一端と光素子とを光結合するために、アクティブアライメント方式又はパッシブアライメント方式のいずれかの方式が用いられている。
アクティブアライメント方式は、発光素子が発光する光を光ファイバの一端に入射させ、他端から出射した光の出力強度を測定し、光を入射させた一端を３次元方向に微調整移動させて、最も良好な光結合効率が得られる位置で光ファイバを固定する方式である。

アクティブアライメント方式で光ファイバ−光素子間の光軸位置合わせをした場合、高い光結合効率が得られるので、長距離・高出力伝送用の光モジュールを製造するのに適している。しかし、光軸位置調整を行うために用いる調整機器が高額である上、光軸位置調整に時間がかかるため、コスト及び量産性に問題がある。
一方、パッシブアライメント方式は、Ｓｉ（シリコン）等を主成分とする半導体基板にＶ溝を形成し、光ファイバ及び光素子を機械的に配置するだけで光ファイバ−光素子間の光軸位置合わせを行う方式である。

パッシブアライメント方式の場合、高い光結合効率は得られないが、２０ｋｍ以下の伝送距離で利用するものとしては十分な光結合効率を得ることができる。そして、アクティブアライメント方式で製造するより、低コストで量産できるというメリットがある。
図１２は、パッシブアライメント型の光モジュールの一例を示す斜視図である。
光モジュール１００は、半導体レーザ２０、光ファイバ３０、半導体基板１０１、樹脂１０３、ワイヤ１０６から成る。

半導体基板１０１には、Ｖ溝１０２、アライメントマーカ１０４、電極１０７及び電極１０８が形成されている。
Ｖ溝１０２は、マスクアライメント装置（図示せず）及びエッチング装置（図示せず）を用いて形成される。マスクアライメント装置で、Ｖ溝１０２の溝幅を決定し、エッチング装置で溝１０２を形成する。

半導体基板１０１の結晶構造の特性上、溝幅によって一義的にエッチング溝の角度が決まるので、Ｖ溝１０２の深さは、溝幅の大きさで調整することができる。
アライメントマーカ１０４は、半導体レーザ２０を配置するダイボンダ装置（図示せず）が配置位置を画像認識するための目印である。
半導体レーザ２０は、ダイボンダ装置によってジャンクションダウンの状態で半導体基板１０１の電極１０８上に配置される。

ジャンクションダウンとは、積層構造体である半導体レーザの発光層（活性層）に近い側の外面（以下、「表面」と言い、当該表面に対して反対側の外面を「裏面」と言う。）を下（半導体基板側）にした状態のことであり、当該表面と半導体基板とを接合することをジャンクションダウン実装という。反対に、ジャンクションアップとは、半導体レーザの表面を上にした状態のことであり、半導体レーザの裏面と半導体基板とを接合することをジャンクションアップ実装という。

通常、半導体レーザの裏面は研磨処理されており、その研磨処理によって、裏面から発光層までの膜厚が、個々のものによってばらつきが生じる。
よって、ジャンクションアップ実装する場合は、光軸位置調整が必要となるので、パッシブアライメント方式では、通常、ジャンクションダウン実装が行われている。
半導体レーザ２０の表面には通常、駆動電流を受ける電源電極が形成され、裏面にはグランド電極が形成されている。

電極１０８には、半導体レーザ２０が配置される前に半田ペーストが塗布されており、半導体レーザ２０が配置された後のリフロー工程において、半導体レーザ２０の電源電極と電極１０８は半田接続される。
また、半導体レーザ２０のグランド電極と、電極１０７はワイヤボンディング接続される。

光ファイバ３０は、Ｖ溝１０２に配置された後、樹脂１０３によって半導体基板１０１と固着される。
また、下記の特許文献１に開示されている光モジュールは、簡易な構造でアクティブアライメント方式と同等の高い光結合効率を得るために、高精度に形成されたガイド溝や凹溝に、光ファイバ及び発光素子を配置して光結合することを特徴としている。

上述の光モジュール１００や、特許文献に開示されている光モジュールには、いずれも平坦性及び精密加工性の良いＳｉ等の半導体基板が用いられている。
特開平１０−３１１９３６号公報

ところで、上述のパッシブアライメント方式で製造される光モジュール１００や特許文献に開示されている光モジュールは、アクティブアライメント型光モジュールより低コストで量産製造できるというメリットがある一方、高周波特性が悪いというデメリットがある。
例えば、半導体レーザを備えた光モジュールの配線パターンには、当該半導体レーザを高速駆動させるための高周波電流が流れるが、半導体基板の絶縁層を挟んだ配線パターン間に形成される寄生容量に流れて、半導体レーザが駆動しなくなるという問題が発生する。

また、半導体基板の製造費用（材料費、Ｖ溝加工費、平坦加工費、プロセス費等）が、他の素材（セラミック、金属等）の基板に比較すると割高であるという問題もある。
本発明は、係る問題を解決するべくなされたものであり、半導体基板を必須構成とせず、従来のパッシブアライメント型光モジュールより高周波特性に優れ、低コストで生産することができる光モジュール及び当該光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る光モジュール製造方法は、光アライメント治具上の光結合位置に光素子と光ファイバとを配置する第一工程と、前記光アライメント治具上に配置された状態の光素子と光ファイバとを、接着材を用いて固着し一体化する第二工程と、一体化したものを前記光アライメント治具から離脱させ、光モジュール基板に取り付ける第三工程とを含むことを特徴とする。

また、本発明に係る光モジュールは、光結合された光素子と光ファイバとを接着材で固着して成る構造体が、光モジュール基板に搭載されていることをを特徴とする。

上述の光モジュール製造方法を用いた場合、光モジュール基板は、半導体基板でなくてもよいので、従来の半導体基板を用いたパッシブアライメント型光モジュールより低コストで高周波特性に優れた光モジュールを製造することができる。
例えば、光モジュール基板として、高周波数特性に優れたセラミック基板、或いは金属基板等を用いることが考えられる。特に金属基板を用いた場合、半導体レーザで生じた熱を基板に逃がし、長期安定性及び信頼性に優れた安価な光モジュールを実現することができる。

また、上記光モジュール製造方法において、前記光素子は、半導体レーザであって、前記第一工程において、前記半導体レーザは、ジャンクションダウンの状態で光アライメント治具上に配置され、前記第三工程において、前記光ファイバと固着された半導体レーザを、ジャンクションアップの状態で光モジュール基板に取り付けるとしてもよい。
これにより、光モジュール基板に半導体レーザをジャンクションアップ実装することができる。

従来のパッシブアライメント方式で採用されていたジャンクションダウン実装の場合、半導体レーザの裏面に形成されているグランド電極と、光モジュール基板のグランド電極とをワイヤボンディングで接続することになるので、良好な高周波数特性を得ることができなかった。ジャンクションアップ実装にすることで、半導体レーザのグランド電極が形成されている裏面と光モジュール基板のグランド電極面とが半田で接続されるので、接続面積が小さいワイヤボンディング接続より良好な高周波数特性を得ることができる。

また、上記光モジュール製造方法において、前記第二工程は、更に、光素子と光ファイバの固着強度を補強部材を用いて補強する補強工程を含むとしてもよい。
これにより、発光素子と光ファイバの固着を補強部材で補強されるので、発光素子と光ファイバの一体物を光モジュール基板に実装する場合に、光結合ズレが起きにくくなり、また、長期信頼性が得られる光モジュールを製造することができる。

また、上記光モジュール製造方法において、前記光素子は、発光部又は受光部のいずれかを備え、前記接着材は、屈折率整合樹脂と紫外線硬化樹脂とを含み、前記第二工程において、光素子の発光部又は受光部を含む部位と光ファイバの端面との間に前記接着材を塗布し、その後、紫外線を照射して硬化させることで光素子と光ファイバとを固着し一体化するとしてもよい。

これにより、光素子と光ファイバの間の光導波路に空気が介在する場合に生じる、屈折率差による反射戻り光を防ぐことができ、また紫外線を照射することで接着材を硬化させて、光素子と光ファイバを固着し一体化させることができるので量産製造に適している。
また、上記光モジュール製造方法において、前記第二工程は、前記光モジュール基板に取り付けられる前記光素子の実装面を、保護部材を用いて保護する保護工程を含むとしてもよいし、前記保護部材は、前記接着材とは異なる素材の樹脂であり、前記第二工程は、前記接着材を紫外線で硬化した後に、前記樹脂を剥離する工程を含むとしてもよい。

これにより、光素子の実装面に誤って接着材が塗布されるのを防ぐことができるので、前記第三工程において、光素子と光ファイバの一体物を光モジュール基板に取り付ける際の弊害要因を排除することができる。
また、上記光モジュール製造方法において、前記光アライメント治具上には、吸着穴が形成されており、前記第一工程において、光アライメント治具上に配置された前記光素子又は前記光ファイバを、前記吸着穴を通じて吸引して、光アライメント治具上に一時的に固定するとしてもよい。

これにより、接着材を塗布する際に起こりやすい部品の位置ずれを抑えることができ、高精度な部品配置が可能となり、高い光結合効率を得ることができる。
また、上記光モジュール製造方法において、前記光アライメント治具は、紫外線を透過する材料で構成されているとしてもよい。
この構成により、前記光アライメント治具の裏面から紫外線を証左やすることができ、むらなく紫外線硬化樹脂を硬化させることができる。

以下、本発明の一実施の形態について、図面を用いて説明する。
図１は、半導体レーザを搭載した光送信型光モジュールの製造工程の流れを示すフローチャート図であり、図２〜図７は、図１に示す各製造工程を説明するための図である。
図７に示す光モジュール１０は、本発明に係る光モジュール製造方法によって製造される最終物である。

光モジュール１０を製造するために要する装置は、図２〜５に示す光アライメント治具１、ダイボンダ装置（全容は図示していないが、図２及び図３にダイボンダ装置のコレット２１が示されている。）、光ファイバ保持装置（図示せず）、樹脂注入機（全容は図示していないが、図３に樹脂注入機の注入部２２が示されている。）、紫外線照射装置（全容は図示していないが、図４に紫外線ランプ２３が示されている。）ワイヤボンディング装置（図示せず）等である。

光アライメント治具１は、Ｓｉ等の半導体でできており、その主表面には、Ｖ溝１１、アライメントマーカ１２、凹部１３が形成されている。また、主表面から裏面に貫通した吸着穴１４が２つ形成されている。
Ｖ溝１１は、光ファイバ３を配置するための溝であり、凹部１３は、半導体レーザ２を配置するための溝である。

Ｖ溝１１及び凹部１３の形成位置は、それぞれに光ファイバ３及び半導体レーザ２を機械的に配置するだけで、所望の光結合効率が得られるように調整されている。
また、半導体レーザ２と光ファイバ３を固着するために塗布する樹脂等の接着材が、光アライメント治具１に固着しないように、光アライメント治具１の主表面には、フッ素加工が施されている。

ここで図２〜図７を参照しながら、図１に示すフローチャートの各製造工程を説明する。
まず、図２に示すように、ダイボンダ装置は、光アライメント治具１に形成されたアライメントマーカ１２を画像認識することで半導体レーザ２の配置位置を確認し、コレット２１で吸着した半導体レーザ２を、光アライメント治具１に形成された凹部１３に配置する（工程Ｓ１）。

吸着穴１４を介してエア吸引されており、配置された半導体レーザ２は、この吸引によって、光アライメント治具１上に仮固定することができる。
続いて、光ファイバ保持装置が、光ファイバ３をＶ溝１１に配置する（工程Ｓ２）。
次に、図３に示すように、光アライメント治具１に配置された半導体レーザ２の発光点を有する側面と、配置された光ファイバ３の端面が対峙する付近に、樹脂注入機の注入部２２を近付け、その対峙している半導体レーザ２の側面及び光ファイバ３の端面に屈折率整合樹脂を塗布する（工程Ｓ３）。

屈折率整合樹脂として、例えば、信越シリコン社製のＯＦ１Ｏ１を用いることができる。
光結合する２つの光導波路の間に屈折率整合樹脂を充填することで、光結合する２つの光導波路の間に、空気や次工程で塗布する紫外線硬化樹脂が介在することを防ぐことができる。すなわち、空気と光導波路の屈折率差による反射戻り光が生じたり、紫外線硬化樹脂によって結合効率が悪化するといったことを防止できる。

屈折率整合樹脂を塗布した後、樹脂注入機は、紫外線硬化樹脂４を屈折率整合樹脂の表面に塗布する（工程Ｓ４）。
紫外線硬化樹脂として、例えば、協立化学産業株式会社製のＷＯＲＬＤ ＲＯＣＫ Ｗ／Ｒ８７７４を用いることができる。
紫外線硬化樹脂を塗布した後、図４に示すように、紫外線２３１をその塗布部分に照射する（工程Ｓ５）。

紫外線硬化樹脂４は、紫外線ランプ２３から紫外線２３１の照射されることで硬化し、半導体レーザ２と光ファイバ３を固着して一体化する。
紫外線を照射した後、図５に示すように、光ファイバ保持装置は、半導体レーザ２と光ファイバ３が一体化したものを光アライメント治具１から取り出す（工程Ｓ６）。
光ファイバ保持装置によって光アライメント治具１から取り出された半導体レーザ２と光ファイバ３の一体物は、図６に示すように、光ファイバ保持装置によって光ファイバ３の長手方向を軸として１８０度回転させられ（すなわち、上下反転させられて）、その状態で半田ペーストが塗布された光モジュール基板５の電極５２の位置に配置される。すなわち、半導体レーザ２はジャンクションアップの状態で配置される。

光モジュール基板５は、セラミックを材料とする基板であり、電極５１、電極５２を有する。
半導体レーザ２と光ファイバ３の一体物を配置した後のリフロー工程において、半導体レーザ２の裏面電極と電極５２は半田接続され、その後、図７に示すように、半導体レーザ２の電極２４と光モジュール基板５の電極５１は、ワイヤボンディング接続される。また、樹脂５４を塗布して光ファイバ３を光モジュール基板５に固着する（工程Ｓ７）。

以上の各工程を経て、光モジュール１０は製造される。
上述した光モジュール製造方法を用いれば、半導体基板を用いることなく、半導体基板より低コストで高周波特性の良い基板（例えばセラミック基板等）を用いて、光モジュールを製造することができる。
また、ジャンクションダウン実装より寄生容量が少なく高速動作が可能なジャンクションアップ実装で、半導体レーザを光モジュールに搭載することができる。
＜その他の変形例＞
以下に、上述の光モジュール製造方法の変形例について説明する。
＜変形例１＞
上述の光モジュール製造方法に、半導体レーザと光ファイバの固着を補強する工程を追加してもよい。

図８は、図１に示す工程Ｓ２と工程Ｓ３の間に追加する補強工程を説明するための図である。
図８に示す半導体レーザ２と光ファイバ３の固着を補強するために、光ファイバ３の長手方向と平行に配置された２つの補強部材４２ａを、樹脂４１でもって半導体レーザ２及び光ファイバ３と固着させている。

補強部材４２ａは、半導体レーザ２と光ファイバ３の固着を補強するだけではなく、半導体レーザ２が駆動することにより出る熱を、樹脂４１を介して補強部材４２ａが吸熱し、横方向に放熱を促すという効果も奏する。
補強部材４２ａの材料は、金属、樹脂、半導体、ガラス等とすることができる。形状としては、図９に示す補強部材４２ｂのようなコの字形状でもよく、さまざまな形状が考えられる。
＜変形例２＞
上述の光モジュール製造方法の紫外線硬化樹脂を塗布する工程の前に、半導体レーザの実装面を、保護部材を用いて保護する工程を追加してもよい。

図１０は、図１に示す工程Ｓ２と工程Ｓ３の間に追加する保護工程を説明するための図である。
同図に示すように、半導体レーザ２の実装面上に樹脂拡散防止基板１５が設置されている。樹脂拡散防止基板１５の表面は、紫外線硬化樹脂が付着しても容易に剥離することができるようにフッ素加工が施されている。

樹脂拡散防止基板１５は、工程Ｓ５において紫外線硬化樹脂が硬化された後、取り除かれる。
＜変形例３＞
上述の光モジュール製造方法は、端面発光型の半導体レーザを搭載した光モジュールの製造方法であったが、本発明は、端面受光型のフォトダイードを搭載した光モジュールの製造方法に適用することは可能であり、また、面発光型半導体レーザや面型受光素子等の面型光素子の製造方法に本発明を適用することも可能である。

図１１は、面型光素子の製造に本発明を適用した一例を説明するために用いる図である。
同図に示すように、光アライメント治具１Ａに形成されたＶ溝１１には、一端が概略４５°で斜めにカットされた光ファイバ３が配置され、その上には、面型光素子２Ａが配置されている。

光ファイバ３のコアを伝播してきた光は、カットされた光ファイバ３の端面１１１において、光ファイバ３の軸方向に対して直角に反射して出力される。
また、面型光素子２Ａが面発光型半導体レーザであれば、その出射光は、光ファイバ３の端面１１１において、直角に反射して、光ファイバ３のコアに入射する。
紫外線硬化樹脂４は、光ファイバ３をＶ溝１１に配置する前にその側部に塗布されており、Ｖ溝１１に光ファイバ３を配置した後、面型光素子２Ａが光アライメント治具上の所定位置に配置される。その後、側面からの紫外線照射によって、紫外線硬化樹脂４は硬化され、面型光素子２Ａと光ファイバ３は固着される。
＜補足＞
なお、本発明に係る光モジュール製造方法及び光モジュールは、上記説明内容に限定されるものではない。以下のようなものも含まれる。

（１）本発明に係る光モジュールは、図１のフローチャートに示す光モジュール製造方法で製造されたものに限らず、例えば、工程Ｓ１と工程Ｓ２の順番が逆であってもよいし、また、半導体レーザと光ファイバを同時に光アライメント治具上に配置するものであってもよい。
また、工程Ｓ３と工程Ｓ４は、屈折率整合機能と硬化機能を併せ持つ樹脂を用いることで、一つの工程としてもよい。

屈折率整合機能と硬化機能を併せ持つ樹脂として、例えば、協立化学産業株式会社製のＷＯＲＬＤ ＲＯＣＫ Ｗ／Ｒ８９６２Ｈを用いることができる。
（２）半導体レーザと光ファイバを一体化する樹脂として、紫外線硬化樹脂を用いていたが、他の接着剤を用いてもよい。
（３）屈折率整合樹脂の代わりに、紫外線硬化樹脂が光素子端面及び光ファイバ端面に付着しないための保護材を用いてもよい。

（４）本発明に係る光モジュールは、上述の製造工程において用いられる各装置によって製造されたものに限定されることはない。
（５）図８及び図９に示した補強部材は、光モジュール１０が製造された後に、後付することもできる。
（６）上述の光モジュール製造方法によれば、半導体レーザ２の発光点を有する側面と光ファイバ３の端面との間に樹脂を充填していたが、半導体レーザ２と光ファイバ３の間の光導波路に樹脂を充填せずに、例えば、図８及び図９に示した補強部材や樹脂等を用いて、半導体レーザ２と光ファイバ３の固着を実現してもよい。

（７）上述の光アライメント治具１の主表面には、半導体レーザ２と光ファイバ３を固着するために塗布する樹脂等の接着材が、光アライメント治具１に固着しないように、フッ素加工を施していたが、代わりに、光アライメント治具１の主表面に樹脂用の離型剤を塗布したり、剥離用のシートを敷くことで、同様の効果を得ることができる。
（８）上述の光アライメント治具１は、従来のパッシブアライメント型光モジュールに用いられる半導体基板を、そのまま光アライメント治具１として代用してもよい。光アライメント治具１の素材として半導体以外に、金属、樹脂、木材等、どのような素材を用いることができる。

（９）図２等に示した光アライメント治具１には、凹部１３を設けていたが、なくても良い。
（１０）上述の光モジュール製造方法では、半導体レーザと光ファイバの光結合について説明したが、フォトダイオード等の受光素子と光導波路の光結合等、光結合が必要な光モジュールの製造方法に対して本発明を適用することができる。

（１１）上述の変形例２では、樹脂拡散防止基板１５を設置する保護工程について説明したが、樹脂拡散防止基板１５と半導体レーザ２は、容易に剥離することができる接着剤を用いて固定していてもよい。ここで、容易に剥離することができる接着剤（樹脂）として、例えば、熱（６０℃程度）を加えることで軟化する常温固体のエレクトロンワックス（例えば日化精工のシフトワックス）等を用いることができる。また、樹脂拡散防止基板１５の代わりに、半導体レーザ２の表面に、剥離可能な樹脂を塗布しておき、紫外線硬化樹脂を硬化させた後に、この剥離可能な樹脂を剥離してもよい。

（１２）上述の工程Ｓ３では、屈折率整合樹脂を塗布したが、工程Ｓ３を省略してもよい。すなわち、屈折率整合樹脂を塗布しない場合も本発明に含まれる。
（１３）上述の実施形態１では、半導体レーザ２及び光ファイバ３を配置した後に、工程Ｓ４において紫外線硬化樹脂を塗布したが、半導体レーザ２または光ファイバ３を配置する前に、半導体レーザ２または光ファイバ３のいずれかあるいは両方に紫外線硬化樹脂を塗布しておいてもよい。

（１４）上述の工程Ｓ７、またはその後に、光ファイバ３を強固に固定する工程を追加してもよい。例えば、光ファイバ３を配置するＶ溝１１に吸着穴を設けて、配置された光ファイバ３を吸引して一時的に固定するようにしてもよい。
（１５）変形例３では、光ファイバ３に予め紫外線硬化樹脂４を塗布していたが、光ファイバ３に塗布する代わりに面型光素子２Ａの下面に予め紫外線硬化樹脂４を塗布しておいてもよいし、光ファイバ３と面型光素子２Ａを光アライメント治具１Ａに配置した後に、紫外線硬化樹脂４を塗布してもよい。

（１６）変形例３では、紫外線を光アライメント冶具１Ａの側面から照射すると説明したが、光アライメント冶具１Ａの裏面に穴をあけ、裏面から照射してもよい。また、光アライメント冶具１Ａの材料を紫外線が透過する材料（例えばガラス等）にすることで、裏面から光アライメント冶具１Ａを通して紫外線を照射することができる。
（１７）変形例３では、光ファイバ３の端面１１１を概略４５°にカットしていたが、１°〜８９°のいずれかの角度でカットしたものであってもよい。

本発明は、光ファイバ通信に用いられる光モジュールの製造方法に適用することができる。

光モジュールの製造工程の流れを説明するためのフローチャート図である。 図１に示す工程Ｓ１及び工程Ｓ２を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ３及び工程Ｓ４を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ５を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ６を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ７を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ７を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ２と工程Ｓ３の間に追加する補強工程を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ２と工程Ｓ３の間に追加する補強工程を説明するための図である。 図１に示す工程Ｓ２と工程Ｓ３の間に追加する保護工程を説明するための図である。 面型光素子の製造に本発明を適用した一例を説明するために用いる図である。 パッシブアライメント型光モジュールの一例を示す斜視図である。

符号の説明

１、１Ａ 光アライメント治具
２、２０ 半導体レーザ
２Ａ 面型光素子
３、３０ 光ファイバ
４ 接着材
５ 光モジュール基板
１０、１００ 光モジュール
１１、１０２ Ｖ溝
１２、１０４ アライメントマーカ
１３ 凹部
２１ コレット
２２ 注入部
２３ 紫外線ランプ
２４、５１、５２、１０７、１０８ 電極
４１、５４、１０３ 樹脂
４２ａ、４２ｂ 補強部材
５３、１０６ ワイヤ
１０１ 半導体基板
２４１ 紫外線

Claims (14)

1. 光アライメント治具上の光結合位置に光素子と光ファイバとを配置する第一工程と、
   前記光アライメント治具上に配置された状態の光素子と光ファイバとを、接着材を用いて固着し一体化する第二工程と、
   一体化したものを前記光アライメント治具から離脱させ、光モジュール基板に取り付ける第三工程とを含む
   ことを特徴とする光モジュール製造方法。
2. 前記光素子は、半導体レーザであり、
   前記第一工程において、前記半導体レーザは、ジャンクションダウンの状態で光アライメント治具上に配置され、
   前記第三工程において、前記光ファイバと固着された半導体レーザを、ジャンクションアップの状態で光モジュール基板に取り付ける
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール製造方法。
3. 前記第二工程は、更に、光素子と光ファイバの固着強度を補強部材を用いて補強する補強工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール製造方法。
4. 前記光素子は、発光部又は受光部のいずれかを備え、
   前記接着材は、屈折率整合樹脂と紫外線硬化樹脂とを含み、
   前記第二工程において、光素子の発光部又は受光部を含む部位と光ファイバの端面との間に前記接着材を塗布し、その後、紫外線を照射して硬化させることで光素子と光ファイバとを固着し一体化する
   ことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール製造方法。
5. 前記第二工程は、前記光モジュール基板に取り付けられる前記光素子の実装面を、保護部材を用いて保護する保護工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の光モジュール製造方法。
6. 前記保護工程において用いられた保護部材は、前記接着材とは異なる素材の樹脂であり、
   前記第二工程は、前記接着材を紫外線で硬化した後に、前記樹脂を剥離する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の光モジュール製造方法。
7. 前記光アライメント治具上には、吸着穴が形成されており、
   前記第一工程において、光アライメント治具上に配置された前記光素子又は前記光ファイバを、前記吸着穴を通じて吸引して、光アライメント治具上に一時的に固定することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール製造方法。
8. 前記光アライメント治具は、紫外線を透過する材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール製造方法。
9. 光結合された光素子と光ファイバとを接着材で固着して成る構造体が、光モジュール基板に搭載されていることを特徴とする光モジュール。
10. 前記光素子は半導体レーザであって、当該半導体レーザは、ジャンクションアップの状態で前記光モジュール基板に搭載されていることを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
11. 前記光モジュール基板の材料はセラミック又は金属であることを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
12. 光素子と光ファイバの固着強度を補強部材を用いて補強していることを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
13. 前記補強部材は、光素子から発せられた熱を吸収して外部に放熱する部材であることを特徴とする請求項１２に記載の光モジュール。
14. 前記接着材は、屈折率整合樹脂と紫外線硬化樹脂とを含み、
    前記光素子と前記光ファイバは、光素子の発光部又は受光部を含む部位と光ファイバの端面との間に塗布された前記接着材によって固着されている
    ことを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
    

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