JP2005208006A - 組成分析方法および組成分析装置 - Google Patents
組成分析方法および組成分析装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】理論消衰距離が既知である標準試料の微小領域におけるn回(nは整数)の測定による実測消衰距離の平均値と、動力学回折理論に基づいて決定された標準試料の理論消衰距離との比から補正係数αを求め、評価対象試料の微小領域における測定による実測消衰距離に補正係数αを乗じて補正消衰距離を求め、かつ動力学的回折理論に基づいて決定された組成と消衰距離との関係を示す検量線から、補正消衰距離に対応する組成を見出し、評価対象試料の微小領域の組成を求める組成分析方法。
【選択図】 図1
Description
T. Walther and C. J. Humphreys, J. Crystal Growth, 197 (1999) 113 Z. Horita et al., J. Microscopy, 143 (1986) 215 Z. Horita et al., Ultramicroscopy, 21 (1987) 271 H. Kakibayashi and F. Nagata, Jpn. J. Appl. Phys., 24 (1985) L905 D. Delille et al., Ultramicroscopy, 87 (2001) 5 D. Delille et al., Ultramicroscopy, 93 (2002) 1 S. J. Pennycook and D. E. Jesson, Phys. Rev. Lett., 64 (1990) 938 S. J. Pennycook et al., J. Microscopy, 144 (1986) 229
(ξgu exp)0=α・ξgu exp …(2)
(ξgu expは評価対象試料の実測消衰距離)を求め;動力学的回折理論に基づいて決定された組成と消衰距離との関係を示す検量線から、前記補正消衰距離に対応する組成を見出し、前記評価対象試料の微小領域の組成を求めることを特徴とする。
本発明の原理を概略的に説明すると、組成に応じて消衰距離が変化することを利用して試料の組成を求めるにあたり誤差因子を取り除くように補正する点にある。
(Si=(λ/d2)・(Li/L0)、λは電子線の波長、dは格子面間隔、nkは自然数、tは試料の厚さ、ξgはg反射励起の二波励起状態での消衰距離)。式(4)の(Si/nk)2と(1/nk)2のプロットは直線となる。この直線の傾きより消衰距離が求まる。
Claims (2)
- 理論消衰距離が既知である標準試料の微小領域において、回折波gのみが励起された二波励起状態の収束電子線回折パターンをn回(nは整数)測定し、実測消衰距離の平均値を求め、次式(1)で表される補正係数α
を求め、
評価対象試料の微小領域において、回折波gのみが励起された二波励起状態の収束電子線回折パターンを測定し、次式(2)で表される補正消衰距離(ξgu exp)0
(ξgu exp)0=α・ξgu exp …(2)
(ξgu expは評価対象試料の実測消衰距離)
を求め、
動力学的回折理論に基づいて決定された組成と消衰距離との関係を示す検量線から、前記補正消衰距離に対応する組成を見出し、前記評価対象試料の微小領域の組成を求めることを特徴とする組成分析方法。 - 試料上の任意の微小領域を指定し、前記試料の微小領域に収束電子線を照射し、回折波gのみが励起された二波励起状態の収束電子線回折パターンを取得するように構成された透過電子顕微鏡と、
前記収束電子線回折パターンを保存し、収束電子線回折パターンのイメージプロセッシングにより得られたロッキング曲線から消衰距離を求めるように構成された演算装置と
を有し、
前記演算装置は、理論消衰係数が既知である標準試料の微小領域におけるn回(nは整数)の測定による実測消衰距離の平均値と、動力学回折理論に基づいて決定された標準試料の理論消衰距離との比から請求項1記載の式(1)で表される補正係数αを求め、
評価対象試料の微小領域における測定による実測消衰距離に前記補正係数αを乗じて請求項1記載の式(2)で表される補正消衰距離(ξgu exp)0を求め、かつ
動力学的回折理論に基づいて決定された組成と消衰距離との関係を示す検量線から、前記補正消衰距離に対応する組成を見出し、前記評価対象試料の微小領域の組成を求めるように構成されていることを特徴とする組成分析装置。
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