JP2005202225A - 読取用露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 読取用露光装置において、直線状に集光された読取光の線幅を狭める。
【解決手段】 フェイダウン構造を有する各LEDチップ101a,101b…からなるライン光源101 から出力された光は、スリット部102 の開口102aで、LEDチップの光射出領域を制限され、ホールアレイ103 のピンホール103a,103b…によりZ方向の広がり角を制限され、シリンドリカルレンズ104 および105 によりY方向に集光されて静電記録体10上に直線状に照射される。フェイスダウン構造を採用することにより、各LEDチップの発光領域とスリット部102と間の距離を狭めることができ、合焦位置での最小線幅が狭まる。また、ホールアレイ103 により読取光LのZ方向の広がり角が狭まっているため、1つのLEDチップから射出された光による照射範囲は、従来の数分の1から数十分の1の範囲となり、合焦位置からのずれが減少し、線幅の広がりが抑制される。
【選択図】 図2
【解決手段】 フェイダウン構造を有する各LEDチップ101a,101b…からなるライン光源101 から出力された光は、スリット部102 の開口102aで、LEDチップの光射出領域を制限され、ホールアレイ103 のピンホール103a,103b…によりZ方向の広がり角を制限され、シリンドリカルレンズ104 および105 によりY方向に集光されて静電記録体10上に直線状に照射される。フェイスダウン構造を採用することにより、各LEDチップの発光領域とスリット部102と間の距離を狭めることができ、合焦位置での最小線幅が狭まる。また、ホールアレイ103 により読取光LのZ方向の広がり角が狭まっているため、1つのLEDチップから射出された光による照射範囲は、従来の数分の1から数十分の1の範囲となり、合焦位置からのずれが減少し、線幅の広がりが抑制される。
【選択図】 図2
Description
本発明は、読取用露光装置に関し、詳細には、画像情報が予め記録された画像記録媒体を読取光で走査露光することにより画像情報を読み取る際などに、画像記録媒体に対して読取光を露光せしめる読取用露光装置に関するものである。
従来より、医療用X線撮影において、被験者が受ける被爆線量の減少、診断性能の向上等のために、X線に感応する例えばa−Seから成るセレン板等の光導電体を静電記録体として用い、静電記録体に放射線画像情報を担持するX線等の放射線を照射して、放射線画像情報を担持する潜像電荷を静電記録体に蓄積せしめ、その後レーザビームで静電記録体を走査することにより静電記録体内に生じる電流を静電記録体両側の平板電極あるいはストライプ電極を介して検出することにより、潜像電荷が担持する静電潜像、すなわち放射線画像情報を読み取るシステムが知られている(例えば特許文献1、特許文献2、特許文献3および非特許文献1参照)。
また、本出願人は、記録用の放射線に対して透過性を有する第1の導電体層、記録用の放射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、第1の導電体層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第2の導電体層を、この順に積層して成る静電記録体および放射線画像情報が記録されたこの静電記録体から放射線画像情報を読み取る読取装置を提案している(例えば特許文献4参照)。
この特許文献4に記載された読取装置は、光源から発せられた読取光で静電記録体を走査して、静電記録体に記録された静電潜像を読み取るものである。読取光を出力する光源である読取用露光装置としては、レーザビーム等のスポット光を主副走査露光させるスポット光露光手段や、ライン光を副走査露光させるライン光露光手段等を用いたもの等が挙げられている。また、ライン光源としては、例えば多数の発光素子が線状に並べられたものが挙げられている。
上記多数の発光素子が線状に並べられたライン光源の一つとして、LEDをアレイ状に並べたライン光源を用いる方法が知られている(例えば特許文献5参照)。LEDは入力エネルギーに対する光出力の効率が高く、またレーザー等に比べコストを抑えることができる。このようなライン光源を用いた場合には、LEDから射出された光をLEDの列設方向と平行に配されたシリンドリカルレンズ等により静電記録体上に直線状に集光し副走査露光して画像情報の読み取りを行う。
ライン光源を用いた読取用露光装置の一例を図11に示す。図11(A)は、読取用露光装置をY方向(ライン光源の長手方向に直交する方向)からみた側面図であり、図11(B)は、読取用露光装置のX−Y断面図である。この読取用露光装置は、複数の面発光型のLEDチップ130a,130b,130c…が直線状に列設されたライン光源130 と、該ライン光源130 の長手方向に延びる開口102a を有するスリット部102 と、該スリット部102 を通過した読取光Lをガラス基板6上に設けられた静電記録体10上に結像させるシリンドリカルレンズ104 および105 とから構成されている。スリット部102は、ライン光源130 から出力された読取光Lの、図11におけるY方向への広がり角を制限するものである。すなわち、各LEDチップ130a,130b,130c…から出力された読取光Lは、スリット部102 によりライン光源101 のLEDの光射出領域のライン光源の長手方向に直交する方向の大きさが制限され、シリンドリカルレンズ104 および105 によりY方向に集束されて静電記録体10上に照射される。各LEDチップから射出された読取光Lは、ライン光源の長手方向であるZ方向については集束されていないため、静電記録体10を線状に照射することになる。
米国特許第 4176275号明細書
米国特許第 5440146号明細書
米国特許第 5510626号明細書
特開2000−105297号公報
特開2001−290228号公報
"A Method of Electronic Readout of Electrophotographic and Electroradiographic Image";Journal of Applied photographic Engineering Volume 4,Number 4,Fall 1978 P178〜P182
しかしながら、上記従来の読取用露光装置では、読取光Lの広がり角が、ライン光源の長手方向に対して制限されていないため、読取光Lを光学手段によりライン光源の長手方向に直交する方向に集光すると、合焦位置が異なる。従って、画像記録媒体上では、合焦している光と、合焦位置からずれて合焦していない光とが混在する事となる。結果、合焦していない光は、画像記録媒体上での読取光の線幅を増加させるという問題がある。
また、上記のように読取光Lを光学手段によりライン光源の長手方向に直交する方向に収束した場合、合焦位置における線幅は、読取光Lの発光点の大きさに左右される。例えば光学手段として等倍結像系のみを使用した場合であれば、LEDの発光領域のライン光源の長手方向に直交する方向の大きさが、合焦位置における線幅の最小値となる。しかし、LEDを使用した読取露光装置では、合焦位置における読取光Lの線幅を、LEDの発光領域の大きさよりも狭くすることが望ましい。このため、図11に示すように、LEDの近傍にスリットなどの光射出領域制限手段を配設し、LEDの光射出領域のライン光源の長手方向に直交する方向の大きさを狭めることにより、合焦位置における読取光Lの線幅を狭めている。この場合、スリットが発光領域に密接しているものであれば、スリット幅が合焦位置における最小線幅となる。
一方、読取用露光装置に通常使用されるLEDは、表面(上面)側に少なくとも1つの電極が設けられている面発光型のLEDチップが樹脂封止されているものである。例えば、サファイア基板を用いたGaN系のLEDチップ(ベアチップ状態)は、大きさは260μm×260μmで、厚さ80μmであり、表面に透明なP電極およびN電極を有している。LEDチップの表面から数十μmほど下にあるPN接合部が発光領域(発光層)となる。LEDの表面に設けられた電極はワイヤボンディングにより電気的に接続され、その後、ワイヤの脱落を防止するために樹脂封止される。このため、例えばLEDチップの厚さが80μmであっても、樹脂封止されたLEDの厚さは200μm近くあるいは200μm以上になり、スリットを、樹脂封止されたLEDチップの上面近傍に配置した場合であっても、スリットとLEDチップの発光領域(発光層)との間の距離が150μm以上となってしまう。スリットは発光領域に密接するものであることが最も望ましい状態であり、スリットと発光領域との間の距離が長くなるほど、結像面でのスリットの像がぼける、すなわち、LEDチップの発光領域の像がそのまま結像されることより読取光の合焦位置での最小線幅が広くなるという問題もある。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、直線状に列設された複数のLEDからなるライン光源を有する読取用露光装置において、直線状に集光された読取光の線幅を狭くすることができる読取用露光装置を提供することを目的とするものである。
本発明の読取用露光装置は、画像情報が予め記録された画像記録媒体を読取光で走査露光することにより前記画像情報を読み取る際に、前記画像記録媒体に対して前記読取光を露光せしめる読取用露光装置であって、
直線状に列設された複数のフェイスダウン構造のLEDからなるライン光源と、
該ライン光源から射出された読取光を、前記ライン光源の長手方向に直交する方向に集束させる光学手段と、
該光学手段と前記ライン光源との間に配置され、前記ライン光源から射出された読取光の広がり角を、前記ライン光源の長手方向に角度制限する複数の貫通孔を有するホールアレイと、
該ホールアレイと前記ライン光源の間に配置され、前記LEDの光射出領域の前記ライン光源の長手方向に直交する方向の大きさを制限する光射出領域制限手段とを備えたことを特徴とするものである。
直線状に列設された複数のフェイスダウン構造のLEDからなるライン光源と、
該ライン光源から射出された読取光を、前記ライン光源の長手方向に直交する方向に集束させる光学手段と、
該光学手段と前記ライン光源との間に配置され、前記ライン光源から射出された読取光の広がり角を、前記ライン光源の長手方向に角度制限する複数の貫通孔を有するホールアレイと、
該ホールアレイと前記ライン光源の間に配置され、前記LEDの光射出領域の前記ライン光源の長手方向に直交する方向の大きさを制限する光射出領域制限手段とを備えたことを特徴とするものである。
なお、「フェイスダウン構造のLED」とは、LEDの基板側から光を取り出す構造を有するLEDを意味している。なおP電極およびN電極は基板側には形成されていないことが望ましい。
また、前記光射出領域制限手段は、前記LEDに接するように配置されていてもよい。
また、前記貫通孔の前記ライン光源の長手方向に直交する方向の開口長は、前記貫通孔の前記ライン光源の長手方向の開口長より長いものであってもよい。
さらに、前記ホールアレイは、前記貫通孔のそれぞれに対応する位置に開孔を有する複数枚のホールアレイ板が積層されて構成されているものであってもよい。
前記画像記録媒体は、画像情報を静電潜像として記録し、前記読取光で走査露光されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生する静電記録体であってもよいし、あるいは画像情報を蓄積記録し、前記読取光で走査露光されることにより、前記画像情報に応じた輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体であってもよい。
なお、上記において「読取光」とあるのは、赤外光、可視光あるいは紫外光等のいわゆる光に限定されるものではなく、記録された画像情報を読み出す際に利用可能な電磁波であれば如何なる波長のものであってもよい。すなわち、画像記録媒体が静電記録体である場合には、「静電潜像」を読み取るに際して使用し得るものであればいかなる波長のものであってもよく、画像記録媒体が蓄積性蛍光体である場合には、輝尽発光光を発光せしめる励起光として作用するものであればいかなる波長のものであってもよい。
本発明の読取用露光装置によれば、ライン光源が、直線状に列設された複数のフェイスダウン構造のLEDから構成されているため、光射出領域制限手段とLEDの発光領域との間の距離を低減でき、読取光の合焦位置での最小線幅を狭めることができる。またライン光源から射出された読取光の広がり角を、読取光をライン光源の長手方向に直交する方向に集束させる光学手段の光軸に対して、前記ライン光源の長手方向に角度制限するホールアレイを備えることにより、従来の読取用露光装置に比べ、ライン光源から発せられた読取光のライン光源の長手方向の広がり角が狭くなり、合焦位置からのずれが少なくなる。すなわち、合焦位置での最小線幅を狭くでき、また合焦位置のずれに起因する読取光の線幅の増加を抑制することができるので、直線状に集光された読取光の線幅を狭くすることができる。
また、前記光射出領域制限手段が前記LEDに接するように配置されている場合には、光射出領域制限手段とLEDの発光領域との間の距離を最も低減でき、読取光の合焦位置での最小線幅を最も狭めることができる。
前記貫通孔の前記ライン光源の長手方向に直交する方向の開口長が、前記貫通孔の前記ライン光源の長手方向の開口長より長い場合には、ライン光源から射出された読取光のライン光源の長手方向の広がり角を大きくすることなく、すなわち読み出された画像情報の信頼度の低下を招くことなく、ライン光源から射出される読取光の利用効率を向上させることが出来る。
前記ホールアレイが、前記貫通孔のそれぞれに対応する位置に開孔を有する複数枚のホールアレイ板が積層されて構成されている場合には、エッチング技術等を用いて安価にホールアレイを製造することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1に示すのは、本発明の一実施形態の読取用露光装置100 を利用した放射線画像読取システムの概略構成図である。図1(A)は斜視図、図1(B)はX−Z断面図である。図1に示すように、このシステムは、ガラス基板6上に形成された静電記録体10と、画像読取時に該静電記録体10に対して読取光Lを照射する読取用露光装置100 と、読取光Lの走査により静電記録体10から流れ出る電流を検出する電流検出手段50とを備えてなる。
画像記録媒体である静電記録体10は、放射線画像情報を静電潜像として記録し、読取光で走査されることにより前記静電潜像に応じた電流を発生するものであり、具体的には、記録用の放射線(例えば、X線等。以下「記録光」と称す。)に対して透過性を有する第1の導電体層11、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層12、第1の導電体層11に帯電される電荷(潜像極性電荷;例えば負電荷)に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性の電荷(輸送極性電荷;上述の例においては正電荷)に対しては略導電体として作用する電荷輸送層13、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層14、読取光に対して透過性を有する第2の導電体層15が積層してなるものである。第2の導電体層15は、図中斜線で示すように多数のエレメント(線状電極)15a が画素ピッチでストライプ状に配されたストライプ電極とされている。
電流検出手段50は第2の導電体層15の各エレメント15a 毎に接続された多数の電流検出アンプ51を有しており、読取光の露光により各エレメント15a に流れる電流をエレメント15a 毎に並列的に検出するものである。静電記録体の第1の導電体層11は接続手段52の一方の入力および電源53の負極に接続されており、電源53の正極は接続手段52の他方の入力に接続されている。図示していないが、接続手段52の出力は各電流検出アンプ51に接続されている。電流検出アンプ51の構成の詳細については、本発明の要旨に関係がないのでここでは説明を省略するが、周知の構成を種々適用することが可能である。なお、電流検出アンプ51の構成によっては、接続手段52および電源53の接続態様が上記例とは異なるものとなるのは勿論である。
以下上記構成の放射線画像読取システムの作用について説明する。静電記録体に静電潜像を記録する際には、先ず接続手段52を電源53に切り替え、第1の導電体層11と第2の導電体層15の各エレメント15a との間に直流電圧を印加し両導電体層を帯電させる。これにより静電記録体内の第1の導電体層11とエレメント15a との間に、エレメント15a をU字の凹部とするU字状の電界が形成される。
次に記録光を不図示の被写体に爆射し、被写体を透過した記録光、すなわち被写体の放射線画像情報を担持する放射線を静電記録体に照射する。すると、静電記録体の記録用光導電層12内で正負の電荷対が発生し、その内の負電荷が上述の電界分布に沿ってエレメント15a に集中せしめられ、記録用光導電層12と電荷輸送層13との界面に負電荷が蓄積される。この蓄積される負電荷(潜像電荷)の量は照射放射線量に略比例するので、この潜像電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにして静電潜像が静電記録体に記録される。一方、記録用光導電層12内で発生する正電荷は第1の導電体層11に引き寄せられて、電源53から注入された負電荷と電荷再結合し消滅する。
静電記録体から静電潜像を読み取る際には、先ず接続手段52を静電記録体の第1の導電体層11側に接続する。
読取用露光装置100 から出力されるライン状の読取光Lがガラス基板6および静電記録体の導電体層15の各エレメント15a を透過する。すると、光導電層14内に正負の電荷対が発生し、その内の正電荷が記録用光導電層12と電荷輸送層13との界面に蓄積された負電荷(潜像電荷)に引きつけられるように電荷輸送層13内を急速に移動し、記録用光導電層12と電荷輸送層13との界面で潜像電荷と電荷再結合し消滅する。一方、読取用光導電層14に生じた負電荷は電源53から導電体層15に注入される正電荷と電荷再結合し消滅する。このようにして、静電記録体に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が静電記録体内に生じる。各エレメント15a 毎に接続された電流検出アンプ51により、この電流を各エレメント15a 毎に並列的に検出する。読取りの際に静電記録体内を流れる電流は、潜像電荷すなわち静電潜像に応じたものであるから、この電流を検出することにより静電潜像を読み取ることができる。なお、読取用露光装置100 は図中矢印方向に走査露光するものであり、これにより静電記録体10の全面露光がなされる。
次に、放射線画像読取システムに適用された、本発明の一実施形態にかかる読取用露光装置100 を図2に示してその構成と作用を説明する。図2(A)は、図1に示す読取用露光装置100 の詳細な構成を示した、Y方向(ライン光源の長手方向と直交する方向)からみた側面図であり、図2(B)は、読取用露光装置100 のX−Y断面図である。なお、X方向は読取光Lの進行方向であり、Z方向はライン光源の長手方向である。
図2に示すように、読取用露光装置100 は、Z方向に線状に並べられている多数のサファイア基板を用いたGaN系のLEDチップ101a,101b,…からなるライン光源101 と、Z方向に延びる開口102a を有するスリット部102と、LEDチップ101a,101b,…の配設ピッチと等間隔にピンホールが形成されているホールアレイ103 と、読取光Lを、Y方向に集束させる光学手段として機能するシリンドリカルレンズ104および105 とからなるものである。
各LEDチップは、青色光を射出するものであり、同一の構造を有している。例としてLEDチップ101aの構造を説明する。図3に示すように、LEDチップ101aは、サファイア基板111 側から光を取り出すフェイスダウン構造を有するものであり、その大きさは260μm×260μmで、厚さ80μmである。厚さ25μmのサファイア基板111 と支持基板112 との間には厚さ50μmのGaN系化合物半導体層113 が設けられ、LEDチップの表面(サファイア基板表面)から50μmほど下に形成されているPN接合部が発光領域(発光層)114となる。サファイア基板111 は可視光に対して高い透過率を有するものであり、またP電極115およびN電極116 は支持基板112 側に形成され、P電極115 は光の反射鏡としても使用される。このため、サファイア基板111側から高い効率で光が取り出される。
スリット部102 は、各LEDチップ101a,101b,…の光射出領域を制限する光射出領域制限手段として機能するものであり、ライン光源101 の長手方向へ幅50μmの開口102aが形成されている。なお、開口102aは、各LEDチップ101a,101b,…の光射出領域を制限するものであればよく、本実施形態のような開口を有する機械的な開口のみならず、濃度分布フィルタ等の光学的な隙間であってもよい。スリット部102 は、各LEDチップ101a,101b,…の表面にほぼ接するように、また開口102aが各LEDチップ101a,101b,…の表面のほぼ中央部に位置するように配置されている。
また、ホールアレイ103 は、図4(A)に示すように、LEDチップ101a,101b,…の配設ピッチと等間隔に円形のピンホール103a,103b,…が形成されているものであり、所定の厚みを有し、LEDチップ101a,101b,…から発せられた光の広がり角を等方的に約10度に制限するものである。また反射防止処理が施され、ピンホール内での光の反射が防止されている。なお、ホールアレイとしては、図4(B)に示すように、四角いピンホールが形成されているものであってもよいし、あるいはピンホールの代わりに濃度フィルタ等により形成される光学的な開口を有するものであってもよい。
各LEDチップ101a,101b,…の光射出領域はスリット部102 により制限され、開口102aが存在する幅50μmのみから読取光Lが射出される。また、読取光Lは、ホールアレイ103 のピンホール103a,103b,…によりZ方向の広がり角を制限され、シリンドリカルレンズ104 および105 によりY方向に集光されて静電記録体10上に照射される。すなわち、LEDチップの配光特性は図5に示すように非常に広いため、ホールアレイ103 によりZ方向の広がり角を制限しない場合には、1つのLEDチップから射出された光が非常に広い範囲の照射範囲を有するが、本実施の形態においては、Z方向の広がり角が狭まっているため、1つのLEDチップから射出された光による照射範囲は、従来の数分の1から数十分の1の範囲となり、画像記録媒体上における合焦位置からのずれが少なくなる。このため合焦位置のずれに起因する読取光の線幅の増加を抑制できる。
また、ライン光源101 が、直線状に列設された複数のフェイスダウン構造のLEDチップ101a,101b,…から構成されているため、スリット部102と各LEDチップの発光領域との間の距離を低減でき、読取光の合焦位置での最小線幅を狭めることができる。
すなわち、合焦位置での最小線幅を狭くでき、また合焦位置のずれに起因する読取光の線幅の増加を抑制することができるので、直線状に集光された読取光の線幅を狭くすることができる。
また、スリット部102 が各LEDチップ101a,101b,…に接するように配置されているので、スリット部102 とLEDの発光領域114との間の距離を50μmまで低減でき、読取光Lの合焦位置での最小線幅を最も狭めることができる。
また、本実施の形態においては、上記のように読取光LのZ方向の広がり角が狭まっているため、静電記録体10の中央部分の1つの照射点に対応するLEDチップの個数が、従来に比べて減少する。したがって、静電記録体10の端部近傍の照射点においても、静電記録体10の中央部分と同様な光強度を得ることができる。すなわち、直線状に集光された読取光Lにおいて、光強度が低下する部位が、静電記録体10の端部の極近傍のみに減少するので、ライン光源の長手方向における光強度の均一度が向上し、読み出された画像情報の信頼度が向上する。
また、ライン光源101 の端部の極近傍に配置されたLEDチップから発せられた読取光Lの一部のみがライン光源101 の筐体に照射されて、反射されるため、従来の読取用露光装置に比べ、フレアが減少し、読み出された画像情報の鮮鋭度が向上する。
なお、ホールアレイ103 の代わりに図6の(A)に示すようなライン光源の長手方向に直交する方向の開口長が、ライン光源の長手方向の開口長より長い楕円形のピンホール120a,120b,…を有するホールアレイ120または図6の(B)に示すようなライン光源の長手方向に直交する方向の開口長が、ライン光源の長手方向の開口長より長い長方形のピンホールを有するホールアレイ121を用いてもよく、この場合には、ライン光源から射出された読取光のライン光源の長手方向の広がり角を大きくすることなく、すなわち読み出された画像情報の信頼度の低下を招くことなく、ライン光源から射出される読取光の利用効率を向上させることが出来る。
また、ホールアレイ103 に代わりに、図7に示すようなピンホール122a,122b,…のそれぞれに対応する位置に開孔を有する4枚のホールアレイ板123が積層されて構成されているホールアレイ122 を用いることもでき、この場合にはエッチング技術等を用いてホールアレイ板123 を作成することができ、ホールアレイ122を安価に製造することができる。なお、ホールアレイ板123 のうち少なくとも1枚のホールアレイ板が、ピンホールの形状より大きい形状の開孔を少なくとも1つ有するものであれば、ホールアレイ122を軽量化することができる。
さらに、上述の読取用露光装置100 において、図8に示すようにピンホールアレイ103 に加え、2枚目のピンホールアレイ110 を備えてもよい。ピンホールアレイ103 のピンホールより一回り小さいピンホールをピンホールアレイ110 へ設けることにより、ピンホールアレイ103 のピンホール内での反射光を確実に遮蔽することができ、フレアの発生を防止することができる。ピンホールアレイ110 の厚さを、ピンホールアレイ103 と比べて薄いものとする、例えばピンホールアレイ103の厚さが2mmである場合に、ピンホールアレイ110 の厚さを0.05mmとすることにより、ピンホールアレイ110 のピンホール内における光の反射を抑制することができ、一層フレアの発生を防止することができる。
また、上記実施の形態においては、光導電層が、記録用の放射線の照射によって導電性を呈することにより画像増信号を記録するものであるが、本発明による光導電層は必ずしもこれに限定されるものではなく、記録用の放射線の励起により発せられる光の照射によって導電性を呈するものとしてもよい。この場合、第1の電極層の表面に記録用の放射線を、例えば青色光等、他の波長領域の光に波長変換するいわゆるX線シンチレータといわれる波長変換層を積層したものとする。この波長変換層としては、例えばヨウ化セシウム(CsI)等を用いるのが好適である。また、第1の電極層および第1の絶縁層12は、記録用の放射線の励起により波長変換層で発せられる光に対して透過性を有するものとする。
なお、本発明の読取用露光装置は、画像記録媒体としては、読取用の電磁波で走査されることにより、放射線画像情報を坦持する静電電荷に応じた電流を発生するものであれば、どのような画像記録媒体にも適用することができる。
次に、本発明の読取用露光装置を適用した別の実施の形態を図9に示して説明する。図9は、本発明の読取用露光装置100 を、蓄積性蛍光体シートから画像を読み取る画像読取システムに適用したものである。なお、図10は図9の露光装置の詳細な構成および輝尽発光光Mの検出部分を拡大して示した断面図である。
本画像読取システムは、予め放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート210 に対して読取光Lを照射せしめる本発明の読取用露光装置100 と、該励起光Lの照射を受けて蓄積性蛍光体シート210 から発せられる輝尽発光光Mを集光検出する、矢印X方向に延びた光検出器220 と、光検出器220 に励起光Lが入射しないように光検出器220 の入射端面側に配された励起光カットフィルタ221 と、蓄積性蛍光体シート210 の表面側に設けられ輝尽発光光Mを効率よく光検出器220 の入射端面に導く矢印X方向に延びた集光ミラー230 と、蓄積性蛍光体シート210 を矢印Y方向に搬送するベルトコンベヤであるシート搬送手段240 と、光検出器220 に接続されている図示しない信号処理部とからなる。なお、光検出器220 は、その長さ方向(矢印X方向)に配された複数の光電変換素子222 から構成されており、各光電変換素子222 が蓄積性蛍光体シート210 の対応する箇所毎(画素毎)の輝尽発光光を検出する。光電変換素子222 としては具体的には、アモルファスシリコンセンサ、CCDセンサ、MOSセンサ等を適用する。
なお光検出器としては、蓄積性蛍光体シート210 に対してライン光源101とは反対側に配設された、平面状の2次元センサを用いることもできる。あるいは、1次元センサとして形成し、読取光の走査と同期させて移動させてもよい。
次に本実施形態の画像読取システムの作用について説明する。読取用露光装置100 から出力されるライン状の読取光Lが蓄積性蛍光体シート210 上に照射されるが、蓄積性蛍光体シート210 はシート搬送手段240 により矢印Y方向へ移動(副走査)され、蓄積性蛍光体シート210 の全面に亘って読取光Lが照射される。
読取光Lが照射された蓄積性蛍光体シート210 の部分からは、そこに蓄積記録されている放射線画像情報に応じた光量の輝尽発光光Mが発せられる。この発光した輝尽発光光Mは四方へ拡散し、その一部は光検出器220 の入射端面に入射し、一部は集光ミラー230 により反射されて光検出器220 の入射端面に入射される。この際、輝尽発光光Mに僅かに混在する、蓄積性蛍光体シート210 表面で反射した読取光Lが、読取光カットフィルタ221 によりカットされる。光検出器220 に集光された輝尽発光光Mは各光電変換素子222 において増幅、光電変換されて、各光電変換素子222 の対応する画素の画像信号Sとして外部の信号処理装置に出力される。
なお、読取用露光装置100 は、そのLEDチップとして蓄積性蛍光体シートから輝尽発光光を発光せしめるために適切な波長の光を出力するものを備えたものとする。
6 ガラス基板
10 静電記録体
11 第1の導電体層
12 記録用光導電層
13 電荷輸送層
14 読取用光導電層
15 第2の導電体層
15a エレメント
50 電流検出手段
51 電流検出アンプ
52 接続手段
53 電源
100 読取用露光装置
101 ライン光源
101a,101b,… LEDチップ
102 スリット部
103,110,120,121,122 ホールアレイ
104,105 シリンドリカルレンズ
210 蓄積性蛍光体シート
220 光検出器
221 読取光カットフィルタ
222 光電変換素子
230 集光ミラー
240 シート搬送手段
10 静電記録体
11 第1の導電体層
12 記録用光導電層
13 電荷輸送層
14 読取用光導電層
15 第2の導電体層
15a エレメント
50 電流検出手段
51 電流検出アンプ
52 接続手段
53 電源
100 読取用露光装置
101 ライン光源
101a,101b,… LEDチップ
102 スリット部
103,110,120,121,122 ホールアレイ
104,105 シリンドリカルレンズ
210 蓄積性蛍光体シート
220 光検出器
221 読取光カットフィルタ
222 光電変換素子
230 集光ミラー
240 シート搬送手段
Claims (6)
- 画像情報が予め記録された画像記録媒体を読取光で走査露光することにより前記画像情報を読み取る際に、前記画像記録媒体に対して前記読取光を露光せしめる読取用露光装置であって、
直線状に列設された複数のフェイスダウン構造のLEDからなるライン光源と、
該ライン光源から射出された読取光を、前記ライン光源の長手方向に直交する方向に集束させる光学手段と、
該光学手段と前記ライン光源との間に配置され、前記ライン光源から射出された読取光の広がり角を、前記ライン光源の長手方向に角度制限する複数の貫通孔を有するホールアレイと、
該ホールアレイと前記ライン光源の間に配置され、前記LEDの光射出領域の前記ライン光源の長手方向に直交する方向の大きさを制限する光射出領域制限手段とを備えたことを特徴とする読取用露光装置。 - 前記光射出領域制限手段が前記LEDに接するように配置されていることを特徴とする請求項1記載の読取用露光装置。
- 前記貫通孔の前記ライン光源の長手方向に直交する方向の開口長が、前記貫通孔の前記ライン光源の長手方向の開口長より長いことを特徴とする請求項1または2記載の読取用露光装置。
- 前記ホールアレイが、前記貫通孔のそれぞれに対応する位置に開孔を有する複数枚のホールアレイ板が積層されて構成されていることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の読取用露光装置。
- 前記画像記録媒体が、画像情報を静電潜像として記録し、前記読取光で走査露光されることにより、前記静電潜像に応じた電流を発生する静電記録体であることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の読取用露光装置。
- 前記画像記録媒体が、画像情報を蓄積記録し、前記読取光で走査露光されることにより、前記画像情報に応じた輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体であることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の読取用露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004009362A JP2005202225A (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | 読取用露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004009362A JP2005202225A (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | 読取用露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005202225A true JP2005202225A (ja) | 2005-07-28 |
Family
ID=34822431
Family Applications (1)
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JP2004009362A Withdrawn JP2005202225A (ja) | 2004-01-16 | 2004-01-16 | 読取用露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005202225A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009529160A (ja) * | 2006-02-06 | 2009-08-13 | キネテイツク・リミテツド | 撮像システム |
US8068680B2 (en) | 2006-02-06 | 2011-11-29 | Qinetiq Limited | Processing methods for coded aperture imaging |
US8073268B2 (en) | 2006-02-06 | 2011-12-06 | Qinetiq Limited | Method and apparatus for coded aperture imaging |
US8229165B2 (en) | 2006-07-28 | 2012-07-24 | Qinetiq Limited | Processing method for coded aperture sensor |
-
2004
- 2004-01-16 JP JP2004009362A patent/JP2005202225A/ja not_active Withdrawn
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