JP2005200684A - Etching method and etching device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching device where an etching rate is uniformized to a substrate for wiring, thus the narrowing of pitches in a conductor and its cross-section with a rectangular shape are realized, and, in its turn, a conductor pattern corresponding to high precision and high frequency can be formed. <P>SOLUTION: The etching device 1 is composed of a drum 2, a chamber 10, a nozzle head 4 or the like. The drum 2 has a composition where a flexible delivery board 3 is wound round a drum face 2a so as to be rotated and carried. The chamber 10 is a chamber storing an etching liquid 5 under fixed pressure. The nozzle head 4 is arranged at a position close to the drum face 2a in the upper part of the chamber 10, and is composed in such a manner that the etching liquid 5 pressurized in the chamber 10 is jetted rectilinearily to the drum face 2a from a nozzle hole 40. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、可撓性を有する配線用基板に導体パターンを形成する際、その配線用基板をウエットエッチングするエッチング方法及びエッチング装置に関し、特に、配線用基板にエッチング液を噴射する技術に関する。   The present invention relates to an etching method and an etching apparatus for wet-etching a wiring substrate when a conductor pattern is formed on a flexible wiring substrate, and more particularly to a technique for injecting an etching solution onto the wiring substrate.

近年、例えば、図7(a)に示すように、COFやTAB等の実装方式に用いられるフレキシブル配線板においては、導体3aの狭ピッチ化が進み、ライン/スペース=15/15μm以下の高精度が要求されることがあり、また、信号の高周波化が進むにつれて導体抵抗が重要になるため、単に狭ピッチ化だけでなく、導体3aの断面形状が矩形であることが要求されている。   In recent years, for example, as shown in FIG. 7A, in a flexible wiring board used for a mounting method such as COF or TAB, the pitch of conductors 3a has been reduced, and line / space = 15/15 μm or less high accuracy. In addition, since the conductor resistance becomes important as the frequency of the signal increases, it is required that the cross-sectional shape of the conductor 3a is not only a narrow pitch but also a rectangle.

一般に、フレキシブル配線用基板3を用いて、導体パターンを有するフレキシブル配線板を形成するにあたって、サブトラクティブ法を採用した場合、ポリイミド等の絶縁性フィルム3b上に積層した銅箔3aに対し、エッチングレジスト3cを塗布した後、所定のパターンを通して現像し、露出した銅箔3aをエッチングにより除去するようにしている。そして、フレキシブル配線用基板3の導体3aについて、狭ピッチ化及び断面形状の矩形化を実現するためには、材料、前処理(清浄処理)、エッチングレジスト、露光、エッチング等の全ての工程で、精度向上の対策が必要になるが、特に、エッチング工程での対策が重要である。   In general, when a subtractive method is employed in forming a flexible wiring board having a conductor pattern using the flexible wiring board 3, an etching resist is applied to the copper foil 3a laminated on an insulating film 3b such as polyimide. After applying 3c, development is performed through a predetermined pattern, and the exposed copper foil 3a is removed by etching. And, in order to realize a narrow pitch and a rectangular cross-sectional shape for the conductor 3a of the substrate 3 for flexible wiring, in all steps such as material, pretreatment (cleaning treatment), etching resist, exposure, etching, Although measures to improve accuracy are necessary, measures in the etching process are particularly important.

ところで、従来より、図6(上側のエッチングのみ図示)に示すように、エッチング工程においては、水平搬送するフレキシブル配線用基板3に対し、約50〜200mm程度離れた上方及び下方位置に、それぞれ、スプレーノズル100を配置し、そのスプレーノズル100から、エッチング液5を扇状又は円錐状に噴霧して広範囲にエッチングするようにしている(例えば、特許文献1参照)。
また、フレキシブル配線用基板3上にエッチング液5が溜まる現象を回避するため、下側のスプレーノズル100のみからエッチング液5を噴霧する場合もある(例えば、特許文献2参照)。
By the way, conventionally, as shown in FIG. 6 (only the upper side etching is shown), in the etching process, the flexible wiring board 3 to be horizontally transported is located at an upper and lower position about 50 to 200 mm apart, respectively. The spray nozzle 100 is disposed, and the etching solution 5 is sprayed in a fan shape or a cone shape from the spray nozzle 100 so as to be etched over a wide range (for example, see Patent Document 1).
Further, in order to avoid the phenomenon that the etching solution 5 accumulates on the flexible wiring board 3, the etching solution 5 may be sprayed only from the lower spray nozzle 100 (see, for example, Patent Document 2).

他方、特許文献3には、金属ストリップのエッジに対し、マスキングしてエッチングしないようにする電解エッチング方法が記載されている。この電解エッチングにおいては、電解溶液を満たした電解セルに、メインロール及び半円断面状の電極をドブ漬けにし、これらの間に、マスキングテープを密着させた金属ストリップを通して電解溶液に浸すようにしている。   On the other hand, Patent Document 3 describes an electrolytic etching method in which an edge of a metal strip is not etched by masking. In this electrolytic etching, a main roll and an electrode having a semicircular cross section are immersed in an electrolytic cell filled with an electrolytic solution, and a metal strip having a masking tape in between is immersed in the electrolytic solution. Yes.

特開平7−150370号公報JP-A-7-150370 特開2003―55779号公報JP 2003-55779 A 特開平8−209400号公報JP-A-8-209400

しかしながら、上述した従来のエッチングには、次のような問題があった。
上記特許文献1、2に示すようなエッチングにおいて、上側のエッチングにあっては、スプレー液の打力や上面に溜まったエッチング液5の重さにより、フレキシブル配線用基板3が撓み、その撓んだ部分にスプレー液が通常の角度で当たらず、また、その撓んだ部分にエッチング液5が溜まって新しいスプレー液が当たらないという問題があり(図6参照)、下側のエッチングにあっても、やはり、スプレー液の打力により撓んだ部分にスプレー液が通常の角度で当たらないため、上側のエッチングと程度の差があるにしても上記同様の問題があった。
However, the conventional etching described above has the following problems.
In the etching as shown in Patent Documents 1 and 2, in the upper etching, the flexible wiring board 3 is bent by the striking force of the spray liquid or the weight of the etching liquid 5 accumulated on the upper surface, and the bending is performed. There is a problem that the spray liquid does not hit the normal portion at a normal angle, and there is a problem that the etching liquid 5 accumulates in the bent portion and the new spray liquid does not hit (see FIG. 6). However, since the spray liquid does not hit the portion bent by the striking force of the spray liquid at a normal angle, there is a problem similar to the above even if there is a difference in degree from the etching on the upper side.

このような液溜まりやスプレー液の打角の問題は、フレキシブル配線用基板3に、早くエッチングされる導体3aの部分(図7(c)参照)と、遅くエッチングされる導体3aの部分(図7(b)参照)とを生じさせ、ひいては、導体3aの幅や断面形状にバラツキを生じさせている。
一方、一般に、フレキシブル配線用基板3の幅中央部分に液溜まりが生じやすく、幅中央部分のエッチング速度がエッジ部分よりも遅くなる傾向があるため、従来のエッチング装置においては、スプレーノズル100を揺動させたり、あるいは、スプレーノズル100の配置やスプレー圧を調整するようにしていたが、フレキシブル配線用基板3の面上でエッチング速度を均一にすることは困難であり、また、たとえ、フレキシブル配線用基板3に撓みが生じないとしても、スプレーノズル100の特性上、スプレー液が扇状又は円錐状に広がってその打力に差があるため、導体3aの幅や断面形状のバラツキは、根本的に解消されていない。
Such a problem of the liquid pool or the spray angle of the spray liquid is caused by the portion of the conductor 3a that is etched early (see FIG. 7C) and the portion of the conductor 3a that is etched late (see FIG. 7). 7 (b)), and consequently, the width and cross-sectional shape of the conductor 3a are varied.
On the other hand, generally, a liquid pool is likely to occur in the central portion of the width of the flexible wiring board 3, and the etching rate of the central portion of the width tends to be slower than that of the edge portion. However, it is difficult to make the etching rate uniform on the surface of the flexible wiring board 3, and even if the flexible wiring is used, the arrangement of the spray nozzle 100 and the spray pressure are adjusted. Even if the substrate 3 does not bend, due to the characteristics of the spray nozzle 100, the spray liquid spreads in a fan shape or a conical shape and there is a difference in the striking force. Therefore, variations in the width and cross-sectional shape of the conductor 3a are fundamental. It has not been resolved.

このように、フレキシブル配線用基板3のエッチングにおいては、スプレー液の打力や打角の差、フレキシブル配線用基板3の撓み等に起因して、エッチング速度が部分的に異なるという現象が生じており、かかる現象の対策として、従来では、最も遅くエッチングが完了する導体3aの部分を基準にエッチング速度を定めており、その結果、これより早くエッチングされた導体3aの部分がオーバーエッチングされ、導体3aが細ってしまう事態が生じていた(図7(c)参照)。   As described above, the etching of the flexible wiring substrate 3 has a phenomenon in which the etching rate is partially different due to the difference in the striking force and angle of the spray liquid, the bending of the flexible wiring substrate 3 and the like. As a countermeasure against such a phenomenon, conventionally, the etching rate is determined based on the portion of the conductor 3a that is etched the latest, and as a result, the portion of the conductor 3a that is etched earlier is over-etched. There was a situation where 3a was thinned (see FIG. 7C).

他方、上記特許文献3に示す電解エッチング方法を、フレキシブル配線用基板3のエッチングに適用した場合には、メインロールに巻き付けたフレキシブル配線用基板3をエッチング液5にドブ漬けすることにより、導体3aの狭ピッチ化を実現できるであろうものの、スプレー液の打力による迅速なエッチング効果を得ることができず、また、このエッチング液5にはエッチングの方向性がないため、導体3aの断面矩形化を実現することができない。   On the other hand, when the electrolytic etching method shown in Patent Document 3 is applied to the etching of the flexible wiring substrate 3, the conductor 3a is obtained by immersing the flexible wiring substrate 3 wound around the main roll in the etching solution 5. However, it is impossible to obtain a rapid etching effect by the striking force of the spray liquid, and the etching liquid 5 has no etching direction, so that the cross section of the conductor 3a is rectangular. Cannot be realized.

従って、本発明の目的は、配線用基板に対しエッチング速度を均一にして導体の狭ピッチ化及び断面矩形化を実現し、ひいては、高精度且つ高周波対応の導体パターンを形成し得るエッチング方法及びエッチング装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to realize an etching method and an etching capable of forming a conductor pattern with a narrow pitch and a rectangular cross section by making the etching rate uniform with respect to the wiring substrate, and thus forming a highly accurate and high frequency conductor pattern. To provide an apparatus.

本発明は、走行する配線用基板をエッチング液の噴射によりエッチングする方法であって、ドラムを回転させつつその外周のドラム面に前記配線用基板を巻き付けながら搬送し、該ドラム面上にある該配線用基板に対し、該ドラム面に近接した位置から前記エッチング液を直線状に噴射することを特徴とするエッチング方法、及び、ドラムがその外周のドラム面に巻き付けた配線用基板を回転搬送し、該ドラム面上の該配線用基板に対し、ノズルヘッドがエッチング液を噴射するエッチング装置であって、前記ノズルヘッドは、前記ドラム面に近接した位置に配設されており、前記ノズルヘッドには、複数のノズル孔が、前記ドラム面に対して前記エッチング液を直線状に噴射するように設けられていることを特徴とするエッチング装置を提供することにより上記目的を達成したものである。   The present invention is a method of etching a traveling wiring board by spraying an etching solution, and while the drum is rotated, the wiring board is transported while being wound around the outer drum surface, and the wiring board is on the drum surface. An etching method characterized in that the etching solution is sprayed linearly from a position close to the drum surface with respect to the wiring substrate, and the wiring substrate that the drum is wound around the outer drum surface is rotated and conveyed. An etching apparatus in which a nozzle head sprays an etchant onto the wiring substrate on the drum surface, the nozzle head being disposed at a position close to the drum surface, The etching apparatus is characterized in that a plurality of nozzle holes are provided so as to spray the etching solution linearly on the drum surface. It is obtained by achieving the above objects by.

本出願における「エッチング速度」とは、配線用基板の表面上において、エッチングレジストで被膜されていない導体を、エッチングして除去する反応速度をいい、導体の断面形状が矩形になる場合を基準に、導体幅が大きく導体が太くなる場合等を「エッチング速度が遅い」といい、導体幅が小さく導体が細くなる場合等を「エッチング速度が早い」という。   “Etching rate” in the present application means a reaction rate for etching and removing a conductor that is not coated with an etching resist on the surface of the wiring substrate, and the case where the cross-sectional shape of the conductor is rectangular is used as a reference. A case where the conductor width is large and the conductor is thick is referred to as “low etching speed”, and a case where the conductor width is small and the conductor is thin is referred to as “high etching speed”.

本発明によれば、配線用基板をドラムに巻き付けて搬送することにより、エッチング液から打力を受けた配線用基板をドラム面で支持し、配線用基板の撓みを解消できる。また、ドラム面上の配線用基板に対し、エッチング液をドラム面に近接する位置から直線状に噴射することにより、エッチング液の直進性及び一定の打力を確保することができる。そして、配線用基板の撓みの解消、及びエッチング液の直進性及び一定の打力の確保により、配線用基板でのエッチング速度を均一にして導体の狭ピッチ化及び断面矩形化を実現することができる。   According to the present invention, by winding the wiring substrate around the drum and transporting the wiring substrate, the wiring substrate that has received a striking force from the etching solution is supported on the drum surface, and the bending of the wiring substrate can be eliminated. Further, the straightness of the etching solution and a constant striking force can be ensured by spraying the etching solution linearly from a position close to the drum surface to the wiring substrate on the drum surface. Then, by eliminating the bending of the wiring substrate and ensuring the straightness of the etching solution and ensuring a constant striking force, it is possible to make the etching rate uniform in the wiring substrate and to narrow the conductor pitch and to make the cross section rectangular. it can.

以下、本発明のエッチング装置及びエッチング方法の最も好ましい一実施形態(第1実施形態)を詳細に説明する。
図1又は図2に示すように、本実施形態(第1実施形態)のエッチング装置1は、ドラム2に巻き付けたフレキシブル配線用基板(配線用基板)3に対し、これに近接したノズルヘッド4からエッチング液5を直線状に噴射する装置である。
このようなエッチング装置1は、フレキシブル配線用基板3に導体パターンを形成するサブトラクティブ法の各工程のうち、エッチング工程に適用されるもので、各工程の処理室が連結されたもののうち、エッチング処理室6に設置されている。かかるエッチング装置1の詳細を具体的に述べる。
Hereinafter, a most preferred embodiment (first embodiment) of an etching apparatus and an etching method of the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 1 or FIG. 2, the etching apparatus 1 of this embodiment (first embodiment) has a nozzle head 4 adjacent to a flexible wiring substrate (wiring substrate) 3 wound around a drum 2. The etching solution 5 is sprayed in a straight line.
Such an etching apparatus 1 is applied to an etching process among the processes of a subtractive method for forming a conductor pattern on a flexible wiring board 3. It is installed in the processing chamber 6. Details of the etching apparatus 1 will be specifically described.

図1又は図2に示すように、エッチング装置1は、ドラム2、チャンバ10、ノズルヘッド4、ポンプ11等からなる。
ドラム2は、その外周面にドラム面2aを形成した円筒状のローラであって、上流側の第1ローラ12と、下流側の第2ローラ13との間にあるフレキシブル配線用基板3を、ドラム面2aに巻き付けて回転搬送するように構成されている。
As shown in FIG. 1 or FIG. 2, the etching apparatus 1 includes a drum 2, a chamber 10, a nozzle head 4, a pump 11, and the like.
The drum 2 is a cylindrical roller having a drum surface 2a formed on its outer peripheral surface, and the flexible wiring substrate 3 between the upstream first roller 12 and the downstream second roller 13 is The drum surface 2a is wound around and rotated and conveyed.

ここで、エッチング処理室6は、第1テンションローラ列14を備えた第1洗浄室15と、第2テンションローラ列16を備えた第2洗浄室17との間に前後で連結されている。第1、第2テンションローラ列14、16は、フレキシブル配線用基板3を一定の張力且つ一定の速度で搬送するように速度制御されている。   Here, the etching chamber 6 is connected between the first cleaning chamber 15 having the first tension roller row 14 and the second cleaning chamber 17 having the second tension roller row 16 in the front-rear direction. The first and second tension roller rows 14 and 16 are speed-controlled so as to convey the flexible wiring board 3 at a constant tension and a constant speed.

そして、ドラム2は、第1、第2テンションローラ列14、16の間にあるフレキシブル配線用基板3の速度と同一の周速度になるように駆動制御されている。なお、ドラム2は、回転等の抵抗が小さくなるように構成され、フレキシブル配線用基板3と連れ回りするようになっていてもよい。   The drum 2 is driven and controlled so as to have the same peripheral speed as that of the flexible wiring board 3 between the first and second tension roller rows 14 and 16. Note that the drum 2 may be configured so as to reduce resistance such as rotation and rotate with the flexible wiring board 3.

チャンバ10は、エッチング液5を貯溜する室であり、ドラム2の下方に配置されている。チャンバ10の側壁部には、ダクト18、バルブ19等を介して、ポンプ11が接続されている。このポンプ11は、チャンバ10内にエッチング液5を加圧輸送して一定の圧力下に調整するように構成されている。
チャンバ10の上部には、上壁部10aが凹状に形成されており、この上壁部10aは、ドラム面2aに対向配置している。この場合、ドラム2は、上側の略半円筒部分がチャンバ10から露出し、下側の略半円筒部分がチャンバ10に埋没したように配置されている。
The chamber 10 is a chamber for storing the etching solution 5 and is disposed below the drum 2. A pump 11 is connected to the side wall of the chamber 10 via a duct 18, a valve 19, and the like. The pump 11 is configured so that the etching solution 5 is pressurized and transported into the chamber 10 and adjusted under a certain pressure.
An upper wall portion 10a is formed in a concave shape at the upper portion of the chamber 10, and the upper wall portion 10a is disposed opposite to the drum surface 2a. In this case, the drum 2 is arranged such that the upper substantially semi-cylindrical portion is exposed from the chamber 10 and the lower substantially semi-cylindrical portion is buried in the chamber 10.

上壁部10aは、ドラム2の外周方向にほぼ沿った凹凸状であって、凸状のノズル取付部10bが、ドラム面2aの法線方向(ドラムの中心線に向かう方向)に延びて、ドラム2の外周方向に一定の間隔ごとに複数配列された形状である。このノズル取付部10bは、矩形断面の筒状に形成され、その上側が開口している。なお、互いに隣接するノズル取付部10b、10bの間に形成された凹部は、エッチング液5の廃液路として機能する。   The upper wall portion 10a has a concavo-convex shape substantially along the outer peripheral direction of the drum 2, and the convex nozzle mounting portion 10b extends in a normal direction of the drum surface 2a (a direction toward the center line of the drum). A plurality of drums 2 are arranged at regular intervals in the outer circumferential direction of the drum 2. This nozzle mounting portion 10b is formed in a cylindrical shape having a rectangular cross section, and its upper side is open. The recess formed between the nozzle mounting portions 10b and 10b adjacent to each other functions as a waste liquid path for the etching solution 5.

ノズル取付部10bの開口部分には、ノズルヘッド4がネジ等により装着可能に取り付けられている。このノズルヘッド4は、ドラム2の周方向につき一定の領域及び一定の間隔でドラム面2aと対向した状態で、チャンバ10内で加圧されたエッチング液5を、ドラム面2aに対し直線状に噴射するもので、ノズル取付部10bの開口を覆うように、長方形の蓋状に形成されている。   The nozzle head 4 is attached to the opening of the nozzle attachment portion 10b so as to be attachable by screws or the like. The nozzle head 4 linearly etches the etching solution 5 pressurized in the chamber 10 in a state facing the drum surface 2a at a constant region and a constant interval in the circumferential direction of the drum 2. Injecting, it is formed in the shape of a rectangular lid so as to cover the opening of the nozzle mounting portion 10b.

ノズルヘッド4がノズル取付部10bに装着された場合、ノズルヘッド4は、ドラム面2aに近接した位置に配置され、ノズル面4aとドラム面2aとの間隔dが、1〜10mm程度に設定されている。この間隔dが、1mmより小さいと、フレキシブル配線用基板3に当たって跳ね返ったエッチング液5が、ノズル孔40からのエッチング液5の直進性に悪影響を及ぼすおそれがあり、10mmを超えると、導体面上でエッチング液5の直進性を保てないおそれがある。   When the nozzle head 4 is mounted on the nozzle mounting portion 10b, the nozzle head 4 is disposed at a position close to the drum surface 2a, and the interval d between the nozzle surface 4a and the drum surface 2a is set to about 1 to 10 mm. ing. If the distance d is smaller than 1 mm, the etchant 5 that has bounced off the flexible wiring substrate 3 may adversely affect the straightness of the etchant 5 from the nozzle hole 40. If the distance d exceeds 10 mm, There is a possibility that the straightness of the etching solution 5 cannot be maintained.

ノズルヘッド4には、複数のノズル孔40が、ドラム面2aの略法線方向に貫通して形成されている。ここで、ノズル孔40の貫通方向は、ノズル面4aの法線方向と等しく、厳密には、ドラム面2aの法線方向と等しくならないノズル孔40もあるが、その誤差は、僅かなもので、ノズル孔40からのエッチング液5の直進性に影響を与えるほどのものでない(図2参照)。   A plurality of nozzle holes 40 are formed in the nozzle head 4 so as to penetrate in the substantially normal direction of the drum surface 2a. Here, the penetrating direction of the nozzle hole 40 is equal to the normal direction of the nozzle surface 4a. Strictly speaking, there is a nozzle hole 40 that is not equal to the normal direction of the drum surface 2a, but the error is slight. This does not affect the straightness of the etching solution 5 from the nozzle hole 40 (see FIG. 2).

図2に示すように、ノズル取付部10bの流入口部分には、圧力調整板21が取り付けられている。この圧力調整板21は、チャンバ10内のエッチング液5がノズル取付部10bそれぞれに流入する際、各ノズル取付部10b内のエッチング液5の圧力を均一に調整するものである。圧力調整板21は、ノズル取付部10bの流入口を塞ぐ板状体に形成されており、その板状体に開口した調整孔22によってノズル取付部10b内に流入するエッチング液5の量を制御している。
これにより、ノズル孔40は、ノズル取付部10bの位置に依らず、エッチング液5を均一な圧力で噴射するようになっている。
As shown in FIG. 2, a pressure adjusting plate 21 is attached to the inlet portion of the nozzle attachment portion 10b. The pressure adjusting plate 21 uniformly adjusts the pressure of the etching solution 5 in each nozzle mounting portion 10b when the etching solution 5 in the chamber 10 flows into each nozzle mounting portion 10b. The pressure adjustment plate 21 is formed in a plate-like body that closes the inlet of the nozzle attachment portion 10b, and the amount of the etching solution 5 that flows into the nozzle attachment portion 10b is controlled by the adjustment hole 22 that opens in the plate-like body. doing.
Thereby, the nozzle hole 40 injects the etching liquid 5 with a uniform pressure irrespective of the position of the nozzle attachment part 10b.

次に、ノズル孔40の形状等の詳細について、ノズル孔40等との関係からエッチング速度の制御方法と併せて説明する。
図3(a)(b)に示すように、ノズルヘッド4には、ノズル孔40がスリット状のタイプと、ノズル孔40が円形状のタイプとがある。
図3(a)に示すように、スリット状のノズル孔40は、ドラム面2aの母線方向A(ノズル面4a上ではフレキシブル配線用基板3の幅方向Aに等しい)に細長く延びる複数のスリット孔41である。このスリット孔41は、スリット幅Wが0.1〜1mm、隙間Cが3〜10mm、スリット数が3〜10個であることが好ましい。このスリット幅W、隙間C及びスリット数は、エッチング速度を、導体の断面形状が矩形になる「基準エッチング速度」にする際、ノズル圧(例えば200kPa)、エッチング液5の流速(例えば20m/s)等を最適な値に定めるための制御因子になる。
Next, details of the shape and the like of the nozzle hole 40 will be described together with a method for controlling the etching rate from the relationship with the nozzle hole 40 and the like.
As shown in FIGS. 3A and 3B, the nozzle head 4 includes a type in which the nozzle holes 40 are slit-shaped and a type in which the nozzle holes 40 are circular.
As shown in FIG. 3A, the slit-like nozzle hole 40 has a plurality of slit holes extending in the generatrix direction A of the drum surface 2a (equal to the width direction A of the flexible wiring board 3 on the nozzle surface 4a). 41. The slit hole 41 preferably has a slit width W of 0.1 to 1 mm, a gap C of 3 to 10 mm, and a number of slits of 3 to 10. The slit width W, the gap C, and the number of slits are set such that the nozzle pressure (for example, 200 kPa) and the flow rate of the etching solution 5 (for example, 20 m / s) when the etching rate is set to the “reference etching rate” in which the cross-sectional shape of the conductor is rectangular. ) And the like are control factors for determining the optimum value.

このようなスリット孔41を有するノズルヘッド4は、主に、フレキシブル配線用基板3の導体を幅方向Aに亘ってすべて均一なエッチング速度でエッチングする場合に用いられる。   The nozzle head 4 having such slit holes 41 is mainly used when the conductors of the flexible wiring substrate 3 are all etched in the width direction A at a uniform etching rate.

図3(b)に示すように、円形状のノズル孔40は、ドラム面2aの略法線方向(実際には、ノズル面4aの法線方向)を中心とする複数の円形孔42である。この円形孔42は、円孔径φDが0.1〜1mmであることが好ましい。円孔数は、フレキシブル配線用基板3の幅によって異なるが、約10〜50個程度である。
このような円孔径φD及び円孔数は、スリット孔41の場合と同様、エッチング速度を、「基準エッチング速度」にする際、ノズル圧、エッチング液の流速等を最適な値に定めるための制御因子になる。
As shown in FIG. 3B, the circular nozzle hole 40 is a plurality of circular holes 42 centering on the substantially normal direction of the drum surface 2a (actually, the normal direction of the nozzle surface 4a). . The circular hole 42 preferably has a circular hole diameter φD of 0.1 to 1 mm. The number of round holes varies depending on the width of the flexible wiring board 3, but is about 10 to 50.
As in the case of the slit hole 41, such a circular hole diameter φD and the number of circular holes are controlled so as to set the nozzle pressure, the flow rate of the etching solution, etc. to optimum values when the etching rate is set to the “reference etching rate”. Become a factor.

このような円形孔42を有するノズルヘッド4は、フレキシブル配線用基板3の導体を幅方向に亘ってすべて均一なエッチング速度でエッチングする場合にも用いられるが、例えば、電解めっきによって導体厚さに差があるような場合に効果的である。   The nozzle head 4 having such a circular hole 42 is also used when all the conductors of the flexible wiring board 3 are etched at a uniform etching rate in the width direction. It is effective when there is a difference.

例えば、「基準エッチング速度」における基準導体厚さに対し、幅中央部分の導体厚さが大きく、エッジ部分の導体厚さが小さいような場合のフレキシブル配線用基板3において、幅中央部分及びエッジ部分のエッチング速度を制御しつつ、全体として同一の「基準エッチング速度」でエッチングすることが必要である。   For example, in the flexible wiring board 3 where the conductor thickness in the width center portion is large and the conductor thickness in the edge portion is small with respect to the reference conductor thickness at the “reference etching rate”, the width center portion and the edge portion It is necessary to perform etching at the same “reference etching rate” as a whole while controlling the etching rate.

具体的には、「基準エッチング速度」における基準円孔径φD及び基準円孔数に対し、ドラム2の円周方向B(ノズル面4a上ではフレキシブル配線用基板の搬送方向Bに等しい)の中央孔列42aでは、円孔径φD1を小さく、円孔数を多くして、ノズル圧及びエッチング液5の単位時間当たりの総流量を増加させる。また、ドラム2の円周方向Bのエッジ孔列42bでは、円孔径φD2を大きく、円孔数を少なくして、ノズル圧及びエッチング液5の単位時間当たりの総流量を減少させる。
このように、幅方向Aのエッチング速度を制御することは、スリット孔41を有するノズルヘッド4についても、上記同様、そのスリット幅W及び隙間Cを変更することにより実現可能である。
Specifically, the central hole in the circumferential direction B of the drum 2 (equal to the conveyance direction B of the flexible wiring board on the nozzle surface 4a) with respect to the reference circular hole diameter φD and the number of reference circular holes at the “reference etching rate”. In the column 42a, the circular hole diameter φD1 is decreased, the number of circular holes is increased, and the nozzle pressure and the total flow rate of the etching solution 5 per unit time are increased. Further, in the edge hole row 42b in the circumferential direction B of the drum 2, the circular hole diameter φD2 is increased and the number of circular holes is decreased, thereby reducing the nozzle pressure and the total flow rate of the etching solution 5 per unit time.
As described above, the etching rate in the width direction A can be controlled by changing the slit width W and the gap C of the nozzle head 4 having the slit holes 41 as described above.

一方、搬送方向Bのエッチング速度の制御は、スリット数等の変更や、ドラム面2aの母線方向Aの孔列数等の変更により実現可能であり、また、ノズルヘッド4の取付数の変更、さらに、エッチング装置1自体の設置数の変更によっても実現可能である。
搬送方向Bのエッチング速度を遅くする場合には、スリット数、円孔数、ノズルヘッド4の取付数等の制御因子を減少させ、搬送方向Bのエッチング速度を早くする場合には、上記制御因子のほか、エッチング装置1自体の設置数を増加させる。なお、ノズルヘッド4が外されたノズル取付部10bの開口は、遮蔽板(図示しない)によって塞がれるようになっている。
また、幅方向A及び搬送方向Bの双方についてエッチング速度を複合的に制御する場合には、スリット幅W及び隙間C、円孔数、ノズルヘッドの4取付数等の制御因子を、上記例の組合せ等によって調整する。
On the other hand, the control of the etching rate in the transport direction B can be realized by changing the number of slits or the like, or changing the number of hole rows in the generatrix direction A of the drum surface 2a, and changing the number of nozzle heads 4 attached. Further, it can be realized by changing the number of installed etching apparatuses 1 themselves.
When the etching rate in the transport direction B is slowed down, control factors such as the number of slits, the number of holes and the number of nozzle heads 4 are reduced, and when the etching rate in the transport direction B is fast, the control factor In addition, the number of the etching apparatuses 1 installed is increased. The opening of the nozzle mounting portion 10b from which the nozzle head 4 is removed is blocked by a shielding plate (not shown).
When the etching rate is controlled in a composite manner in both the width direction A and the transport direction B, the control factors such as the slit width W and the gap C, the number of circular holes, the number of nozzle heads 4 attached, etc. Adjust by combination.

次に、本実施形態のエッチング装置1の使用態様を、本実施形態のエッチング方法と併せて説明する。
フレキシブル配線用基板3を、エッチングする面を下向きにして走行させ、回転するドラム2のドラム面2aに巻き付けながら、チャンバ10の上壁部10aの上方に搬送する。一方、ポンプ11の作動により、チャンバ10内にエッチング液5を流入しつつ一定の圧力に加圧し、ノズルヘッド4のノズル孔40から、エッチング液5を均一な圧力で噴射させる。この場合、エッチング液5は、ドラム面2aの法線方向に沿って直線状に噴射し続ける。
Next, how the etching apparatus 1 of this embodiment is used will be described together with the etching method of this embodiment.
The flexible wiring board 3 is moved with the surface to be etched facing downward, and is conveyed above the upper wall portion 10 a of the chamber 10 while being wound around the drum surface 2 a of the rotating drum 2. On the other hand, the pump 11 is operated to pressurize the etching solution 5 at a constant pressure while flowing into the chamber 10, and the etching solution 5 is sprayed from the nozzle hole 40 of the nozzle head 4 at a uniform pressure. In this case, the etching solution 5 continues to be sprayed linearly along the normal direction of the drum surface 2a.

そして、一定の打力(圧力)をもったエッチング液5を、フレキシブル配線用基板3の導体面に対し、近接位置から垂直方向にあてる。このようなエッチングを続けると、フレキシブル配線用基板3において、エッチングレジストで被膜されていない導体が、常に、導体面の法線方向からエッチング液を受けて溶解するため、エッチングレジストで被膜されている導体は、その断面が矩形状になる(図7(a)参照)。そして、上述した幅方向A及び搬送方向Bのエッチング速度の制御により、エッチング速度は、フレキシブル配線用基板3上において均一になるため、一又は複数のチャンバ10を通過したフレキシブル配線用基板3においては、導体断面は、すべて矩形状になっている。また、エッチング液5を近接位置から一定の打力で直線状に噴射する状況下では、導体断面の均一な矩形化は、導体ピッチの大小に影響されずに行われる。
一方、このようなエッチングの処理中、フレキシブル配線用基板3は、ドラム2によりドラム面2aで支持されているため、エッチング液5の打力を受けても撓まない。
Then, an etching solution 5 having a constant striking force (pressure) is applied to the conductor surface of the flexible wiring board 3 in the vertical direction from the proximity position. If such etching is continued, in the flexible wiring board 3, the conductor that is not coated with the etching resist always receives the etching solution from the normal direction of the conductor surface and dissolves, so that it is coated with the etching resist. The conductor has a rectangular cross section (see FIG. 7A). Since the etching rate is uniform on the flexible wiring substrate 3 by controlling the etching rates in the width direction A and the conveyance direction B described above, in the flexible wiring substrate 3 that has passed through one or a plurality of chambers 10. The conductor cross section is all rectangular. Further, under the situation where the etching solution 5 is sprayed in a straight line with a constant striking force from the proximity position, the uniform rectangular cross section of the conductor is performed without being affected by the size of the conductor pitch.
On the other hand, during such an etching process, the flexible wiring substrate 3 is supported by the drum surface 2 a by the drum 2, so that it does not bend even when subjected to the striking force of the etching solution 5.

フレキシブル配線用基板3の両面にエッチングする場合は、片面のエッチング処理が終了したフレキシブル配線用基板3について、洗浄処理を施した後、フレキシブル配線用基板3を反転し、再度、その下面にエッチング処理を施す。   When etching on both sides of the flexible wiring board 3, after the cleaning process is performed on the flexible wiring board 3 on which the single-sided etching process has been completed, the flexible wiring board 3 is reversed and the lower surface thereof is etched again. Apply.

以上述べたように、本実施形態によれば、ドラム面2aに巻き付けたフレキシブル配線用基板3に対し、エッチング液5を近接位置から一定の打力で直線状に噴射するようにしたことから、フレキシブル配線用基板3の撓みを解消すると共に、エッチング液5の直進性及び一定の打力を確保できる。その結果、フレキシブル配線用基板3の面内でエッチング速度を均一にし、導体の狭ピッチ化及び断面矩形化を実現することができ、ひいては、高精度且つ高周波対応の導体パターンを形成することができる。   As described above, according to the present embodiment, the etching solution 5 is sprayed linearly with a constant striking force from the proximity position to the flexible wiring substrate 3 wound around the drum surface 2a. In addition to eliminating the bending of the flexible wiring board 3, it is possible to ensure the straightness of the etching solution 5 and a constant hitting force. As a result, it is possible to make the etching rate uniform within the plane of the flexible wiring substrate 3, to realize a narrow pitch and a rectangular cross section of the conductor, and to form a highly accurate and high frequency conductor pattern. .

また、本実施形態によれば、ノズルヘッド4の取付位置を、ドラム2の外周方向にドラム面2aに沿って複数配置し、ノズルヘッド4を各取付位置に装着可能にしたため、ノズルヘッド4の着脱や交換により、搬送方向Bのエッチング速度を制御することができる。
特に、ノズルヘッド4を、スリット孔41のタイプと、円形孔42のタイプとに分けて相互に交換可能にし、それぞれ、スリット幅W、スリット数等の制御因子や、円孔径φD及び円孔数等の制御因子を調整することにより、搬送方向Bのみならず幅方向Aのエッチング速度も制御して面内で厚さに差がある導体であっても均一なエッチング速度でエッチングすることができる。
Further, according to the present embodiment, a plurality of nozzle head 4 mounting positions are arranged along the drum surface 2a in the outer circumferential direction of the drum 2, and the nozzle head 4 can be mounted at each mounting position. The etching rate in the transport direction B can be controlled by attaching and detaching or exchanging.
In particular, the nozzle head 4 is divided into a slit hole 41 type and a circular hole 42 type and can be exchanged with each other. Control factors such as the slit width W and the number of slits, the circular hole diameter φD, and the number of circular holes, respectively. By adjusting the control factors such as the above, it is possible to etch at a uniform etching rate even for conductors having a difference in thickness in the plane by controlling not only the conveyance direction B but also the etching rate in the width direction A. .

さらに、本実施形態によれば、チャンバ10内のエッチング液5を一定の圧力で加圧するようにしたため、エッチング液5を均一な圧力で噴射し、フレキシブル配線用基板3に均一な打力を与えることができる。   Furthermore, according to this embodiment, since the etching solution 5 in the chamber 10 is pressurized at a constant pressure, the etching solution 5 is sprayed at a uniform pressure to give a uniform striking force to the flexible wiring board 3. be able to.

さらにまた、本実施形態によれば、フレキシブル配線用基板3をドラム2に巻き付けて搬送するため、このような搬送ラインに占める空間を、ストレート状の搬送ラインの場合と比べて小さくすることができ、装置自体の縮小化を図ることができる。   Furthermore, according to this embodiment, since the flexible wiring board 3 is wound around the drum 2 and transported, the space occupied in such a transport line can be reduced as compared with the case of a straight transport line. Therefore, it is possible to reduce the size of the device itself.

以下、本発明のエッチング装置の好ましい他の実施形態(第2実施形態)を詳細に説明する。
図4に示すように、本実施形態(第2実施形態)のエッチング装置1Aにおいては、チャンバの上壁部及びノズルヘッドが、上記第1実施形態と異なっており、主に、この点について説明し、同一の構成等については、同一の符号を付してその説明を省略する。
Hereinafter, another preferred embodiment (second embodiment) of the etching apparatus of the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 4, in the etching apparatus 1A of the present embodiment (second embodiment), the upper wall portion of the chamber and the nozzle head are different from those of the first embodiment, and this point is mainly described. The same components are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.

本実施形態の場合、ノズルヘッド4Aは、チャンバ10の上壁部10aをなすものとして、ドラム面2aの曲率と等しい凹曲面が、ドラム2の周方向に連続一体になるように形成されている。ノズルヘッド4Aには、複数のノズル孔40が、ドラム面2aの法線方向に貫通して形成されている。このノズル孔40は、上記第1実施形態の場合と異なり、全ての貫通方向がドラム面2aの法線方向と等しくなっている。 In the case of this embodiment, the nozzle head 4 </ b> A forms the upper wall portion 10 a 1 of the chamber 10, and a concave curved surface equal to the curvature of the drum surface 2 a is formed so as to be continuously integrated in the circumferential direction of the drum 2. Yes. The nozzle head 4A is formed with a plurality of nozzle holes 40 penetrating in the normal direction of the drum surface 2a. Unlike the case of the first embodiment, all the penetrating directions of the nozzle holes 40 are equal to the normal direction of the drum surface 2a.

ノズルヘッド4aの内壁面には、遮蔽板(図示しない)が複数装着されるようになっている。この遮蔽板は、ドラム2の周方向につき一定の領域及び一定の間隔でノズル孔40を遮蔽することにより、搬送方向Bのエッチング速度を制御する機能を果たすようになっている。その他、ノズル孔40について、搬送方向B及び幅方向Aのエッチング速度の制御は、上記第1実施形態と同様である。   A plurality of shielding plates (not shown) are mounted on the inner wall surface of the nozzle head 4a. The shielding plate serves to control the etching rate in the transport direction B by shielding the nozzle holes 40 at a constant region and a constant interval in the circumferential direction of the drum 2. In addition, with respect to the nozzle hole 40, the control of the etching rate in the transport direction B and the width direction A is the same as in the first embodiment.

本実施形態によれば、ノズルヘッド4Aを、ドラム面2aの曲率と等しい凹曲面状にし、そのノズル孔40の貫通方向をすべてドラム面2aの法線方向と等しくしたことから、常にフレキシブル配線用基板3上の導体に対し、導体面の法線方向からエッチング液を噴射できるため、導体の狭ピッチ化及び断面矩形化をより高精度に実現することができる。
その他の構成及び作用効果は、上記第1実施形態と同様である。
According to the present embodiment, the nozzle head 4A has a concave curved surface shape equal to the curvature of the drum surface 2a, and the penetrating directions of the nozzle holes 40 are all equal to the normal direction of the drum surface 2a. Since the etching liquid can be sprayed on the conductor on the substrate 3 from the normal direction of the conductor surface, the conductor can be narrowed in pitch and rectangular in cross section with higher accuracy.
Other configurations and operational effects are the same as those of the first embodiment.

以下、本発明のエッチング装置の好ましい他の実施形態(第3実施形態)を詳細に説明する。
図5に示すように、本実施形態(第3実施形態)のエッチング装置1Bにおいては、チャンバ10の上壁部10a及びノズルヘッド4Bが、上記第1、第2実施形態と異なっており、主に、この点について説明し、同一の構成等については、同一の符号を付してその説明を省略する。
Hereinafter, another preferred embodiment (third embodiment) of the etching apparatus of the present invention will be described in detail.
As shown in FIG. 5, in the etching apparatus 1B of the present embodiment (the third embodiment), the upper wall 10a 2 and the nozzle head 4B of the chamber 10, the first, is different from the second embodiment, This point will be mainly described, and the same components are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

本実施形態の場合、チャンバ10の上壁部10aは、ドラム2の外周方向にほぼ沿った凹凸状である点では、上記第1実施形態と同様であるが、そのノズル取付部10bの上端縁部分が、凹曲面と接するような開口形状である点で異なる。
ノズルヘッド4Bは、ドラム2の周方向につき一定の領域及び一定の間隔でドラム面2aと対向する点では、上記第1実施形態と同様であるが、ドラム面2aの曲率と等しい凹曲面状に形成されてる点では、上記第2実施形態と同様である。
なお、ノズル取付部10bの流入口部分には、圧力調整板21Bが取り付けられており、この圧力調整板21Bは、ドラム面2aの曲率と等しい凹曲面状に形成されてる点で上記第1実施形態と異なっている。
In this embodiment, the upper wall portion 10a 2 of the chamber 10, is in that it is generally along the uneven shape in the outer circumferential direction of the drum 2, is similar to the above-described first embodiment, the nozzle mounting portion 10b 2 The difference is that the upper edge portion has an opening shape in contact with the concave curved surface.
The nozzle head 4B is the same as the first embodiment in that the nozzle head 4B faces the drum surface 2a at a constant region and a constant interval in the circumferential direction of the drum 2, but has a concave curved surface shape equal to the curvature of the drum surface 2a. It is the same as the second embodiment in that it is formed.
Note that the inlet portion of the nozzle mounting portion 10b 2, is attached a pressure adjusting plate 21B, the pressure adjusting plate 21B is the first in that it is formed in a concave curved surface equal to the curvature of the drum surface 2a 1 It is different from the embodiment.

以上述べたように、本実施形態によれば、常にフレキシブル配線用基板3上の導体に対し、導体面の法線方向からエッチング液5を噴射できる点で、第1実施形態より有利であり、ノズルヘッド4Bの着脱や交換により、搬送方向Bのエッチング速度を制御することができる点で、第2実施形態より有利である。
その他の構成及び作用効果は、上記第1、第2実施形態と同様である。
As described above, according to the present embodiment, it is more advantageous than the first embodiment in that the etching liquid 5 can be sprayed from the normal direction of the conductor surface to the conductor on the flexible wiring board 3 at all times. It is more advantageous than the second embodiment in that the etching rate in the transport direction B can be controlled by attaching and detaching or replacing the nozzle head 4B.
Other configurations and operational effects are the same as those of the first and second embodiments.

本発明は、上記実施形態に限られることなく、種々の変更等を行うことができる。
上記第1実施形態において、ノズル孔の貫通方向を、すべてドラム面の法線方向に合わせてもよい。
上記第2実施形態において、ノズルヘッドを、チャンバの上部に着脱可能な上壁として構成してもよい。
上記第1〜第3実施形態において、ノズル取付部を、ドラムの母線方向に複数配設し、ノズルヘッドの取付数の調整により、幅方向のエッチング速度を制御するようにしてもよい。
上記第1〜第3実施形態において、ノズルヘッドのノズル孔や、圧力調整板の調整孔に、電磁弁によるシャッター機構を適用し、エッチング速度やノズル圧を自動制御するようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made.
In the first embodiment, all the penetrating directions of the nozzle holes may be matched with the normal direction of the drum surface.
In the second embodiment, the nozzle head may be configured as an upper wall that can be attached to and detached from the upper portion of the chamber.
In the first to third embodiments, a plurality of nozzle mounting portions may be disposed in the drum bus direction, and the etching rate in the width direction may be controlled by adjusting the number of nozzle heads mounted.
In the first to third embodiments, a shutter mechanism using an electromagnetic valve may be applied to the nozzle holes of the nozzle head and the adjustment holes of the pressure adjustment plate to automatically control the etching rate and the nozzle pressure.

上記第1〜第3実施形態において、ドラムを、エッチング液の噴射用の内円筒部と、フレキシブル配線用基板の回転搬送用の外円筒部との二重構成にしてもよい。この場合、内円筒部にあっては、その外周面に上記同様のノズル孔を複数形成し、内部に貯留したエッチング液をポンプ圧によってノズル孔から噴射するようにする。また、外円筒部にあっては、その外周面に、ノズルヘッドのノズル孔と重ならない通過孔を複数形成し、内円筒部からのエッチング液を、通過孔からフレキシブル配線用基板の一方の面に当て、ノズルヘッドからのエッチング液を受けた他方の面を支持するようにする。このような二重構造のドラムは、一度の処理で両面エッチングをできるという利点がある。   In the first to third embodiments, the drum may have a double structure including an inner cylindrical portion for injecting the etching liquid and an outer cylindrical portion for rotating and conveying the flexible wiring substrate. In this case, in the inner cylindrical portion, a plurality of nozzle holes similar to those described above are formed on the outer peripheral surface, and the etching solution stored inside is injected from the nozzle holes by the pump pressure. Further, in the outer cylindrical portion, a plurality of passage holes that do not overlap with the nozzle holes of the nozzle head are formed on the outer peripheral surface thereof, and the etching liquid from the inner cylindrical portion is passed through the one surface of the flexible wiring substrate from the passage holes. And the other surface that has received the etching solution from the nozzle head is supported. Such a double-structured drum has the advantage that it can be etched on both sides in a single process.

第1実施形態のエッチング装置を含むエッチング処理室の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the etching process chamber containing the etching apparatus of 1st Embodiment. 図1のP部のドラム及びノズルヘッドを拡大して示す正面断面図である。It is front sectional drawing which expands and shows the drum and nozzle head of the P section of FIG. (a):第1実施形態のノズルヘッド(スリットタイプ)のノズル面を示す平面図である。(b):第1実施形態のノズルヘッド(多孔タイプ)のノズル面を示す平面図である。(A): It is a top view which shows the nozzle surface of the nozzle head (slit type) of 1st Embodiment. (B): It is a top view which shows the nozzle surface of the nozzle head (porous type) of 1st Embodiment. 第2実施形態のエッチング装置の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the etching apparatus of 2nd Embodiment. 第3実施形態のエッチング装置におけるドラム及びノズルヘッドを拡大して示す正面断面図であるIt is front sectional drawing which expands and shows the drum and nozzle head in the etching apparatus of 3rd Embodiment. 従来のエッチング装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the conventional etching apparatus. (a):正常なエッチング速度の状況下で、導体の断面が矩形である状態を示す図である。(b):遅いエッチング速度の状況下で、導体断面が太った状態を示す図である。(c):早いエッチング速度の状況下で、導体断面が細った状態を示す図である。(A): It is a figure which shows the state where the cross section of a conductor is a rectangle under the condition of a normal etching rate. (B): It is a figure which shows the state where the conductor cross section was thick under the condition of slow etching rate. (C): It is a figure which shows the state where the conductor cross section was thin under the condition of the high etching rate.

符号の説明Explanation of symbols

2 ドラム
2a ドラム面
3 フレキシブル配線用基板(配線用基板)
4、4A、4B ノズルヘッド
40 ノズル孔
41 スリット孔(ノズル孔)
42 円形孔(ノズル孔)
5 エッチング液
10 チャンバ
2 Drum 2a Drum surface 3 Flexible wiring board (wiring board)
4, 4A, 4B Nozzle head 40 Nozzle hole 41 Slit hole (nozzle hole)
42 Circular hole (nozzle hole)
5 Etching solution 10 Chamber

Claims (9)

走行する配線用基板をエッチング液の噴射によりエッチングする方法であって、
ドラムを回転させつつその外周のドラム面に前記配線用基板を巻き付けながら搬送し、該ドラム面上にある該配線用基板に対し、該ドラム面に近接した位置から前記エッチング液を直線状に噴射することを特徴とするエッチング方法。
A method of etching a traveling wiring board by spraying an etching solution,
While rotating the drum, the wiring substrate is transported while being wound around the outer drum surface, and the etching solution is sprayed linearly from the position close to the drum surface onto the wiring substrate on the drum surface. Etching method characterized by performing.
前記エッチング液の噴射位置を、前記ドラム面から1〜10mm離れた位置に近接させることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。   2. The etching method according to claim 1, wherein the spraying position of the etching solution is brought close to a position 1 to 10 mm away from the drum surface. 前記エッチング液の噴射位置を、前記ドラムの外周方向に前記ドラム面に沿って複数配置し、前記エッチング液の噴射位置の数又は前記エッチング液の噴射孔の大きさを、エッチング速度に応じて増減することを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。   A plurality of the etching liquid injection positions are arranged along the drum surface in the outer circumferential direction of the drum, and the number of the etching liquid injection positions or the size of the etching liquid injection holes is increased or decreased according to the etching rate. The etching method according to claim 1, wherein the etching method is performed. ドラムがその外周のドラム面に巻き付けた配線用基板を回転搬送し、該ドラム面上の該配線用基板に対し、ノズルヘッドがエッチング液を噴射するエッチング装置であって、
前記ノズルヘッドは、前記ドラム面に近接した位置に配設されており、前記ノズルヘッドには、複数のノズル孔が、前記ドラム面に対して前記エッチング液を直線状に噴射するように設けられていることを特徴とするエッチング装置。
An etching apparatus in which a drum rotates and conveys a wiring substrate wound around an outer drum surface, and a nozzle head sprays an etching solution onto the wiring substrate on the drum surface,
The nozzle head is disposed at a position close to the drum surface, and the nozzle head is provided with a plurality of nozzle holes so that the etching liquid is sprayed linearly onto the drum surface. An etching apparatus characterized by comprising:
前記ノズル孔は、前記ドラム面の略母線方向に延びるスリット状に形成され、そのスリット幅又はスリット数がエッチング速度に応じて設定されていることを特徴とする請求項4記載のエッチング装置。   The etching apparatus according to claim 4, wherein the nozzle hole is formed in a slit shape extending substantially in the generatrix direction of the drum surface, and the slit width or the number of slits is set according to the etching rate. 前記ノズル孔は、前記ドラム面の略法線方向を中心とする円形状に形成され、そのノズル径又はノズル数がエッチング速度に応じて設定されていることを特徴とする請求項4記載のエッチング装置。   5. The etching according to claim 4, wherein the nozzle hole is formed in a circular shape centering on a substantially normal direction of the drum surface, and the nozzle diameter or the number of nozzles is set according to the etching rate. apparatus. 前記ドラムの外側には、前記エッチング液を貯留したチャンバが配設され、該チャンバの上部には、前記ドラム面に対向配置した上壁部が凹状に形成されており、
前記ノズルヘッドは、前記上壁部の複数部位に装着可能に構成されていることを特徴とする請求項4〜6の何れかに記載のエッチング装置。
A chamber in which the etching solution is stored is disposed outside the drum, and an upper wall portion facing the drum surface is formed in a concave shape in the upper portion of the chamber.
The etching apparatus according to claim 4, wherein the nozzle head is configured to be attachable to a plurality of portions of the upper wall portion.
前記ノズルヘッドは、前記チャンバ内の圧力調整により前記エッチング液を噴射するように構成されていることを特徴とする請求項7に記載のエッチング装置。   The etching apparatus according to claim 7, wherein the nozzle head is configured to inject the etching solution by adjusting a pressure in the chamber. 前記ノズルヘッドは、前記ドラム面の曲率と略等しい凹曲面状に形成されていることを特徴とする請求項4〜8の何れかに記載のエッチング装置。   The etching apparatus according to claim 4, wherein the nozzle head is formed in a concave curved surface shape that is substantially equal to a curvature of the drum surface.
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