JP2005197599A - Photoreceptor and method of manufacturing the same - Google Patents
Photoreceptor and method of manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197599A JP2005197599A JP2004004458A JP2004004458A JP2005197599A JP 2005197599 A JP2005197599 A JP 2005197599A JP 2004004458 A JP2004004458 A JP 2004004458A JP 2004004458 A JP2004004458 A JP 2004004458A JP 2005197599 A JP2005197599 A JP 2005197599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- polysilicon
- receiving element
- light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、定電位ラインと電気的に接続し外部ノイズを遮断する低抵抗化のための不純物を含んだ透光性導電膜を備えた受光素子及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light receiving element including a translucent conductive film containing an impurity for reducing resistance that is electrically connected to a constant potential line and blocks external noise, and a method of manufacturing the same.
光信号を電気信号に変換するフォトダイオードやフォトトランジスタなどの受光素子においては、電磁波などの外部ノイズに対する誤動作対策として、例えばグランド電位などの定電位ラインと電気的に接続された透光性導電膜で被覆することが知られている。 In a light-receiving element such as a photodiode or phototransistor that converts an optical signal into an electric signal, a translucent conductive film electrically connected to a constant potential line such as a ground potential, for example, as a countermeasure against malfunction due to external noise such as electromagnetic waves It is known to coat with.
従来の受光素子の一例として、フォトダイオードの断面図を図8に示す。 As an example of a conventional light receiving element, a cross-sectional view of a photodiode is shown in FIG.
従来のフォトダイオード1は、p型シリコン基板2に設けたn型埋込層3を含む表面に成長させたn型エピタキシャル層4と、そのn型エピタキシャル層4に設けて素子形成領域を区画するp型素子分離層5と、n型埋込層3に達するn型拡散層6と、素子形成領域のn型エピタキシャル層4の表面に形成したp型拡散層7と、これらの表面に設けた薄いシリコン酸化膜8と、このシリコン酸化膜8上にp型拡散層7領域を被覆するように形成した透光性導電膜であるポリシリコン層9と、これらの表面に設けた窒化シリコン膜10と、この窒化シリコン膜10やシリコン酸化膜8に設けたコンタクトホールを通してn型拡散層6,p型拡散層7,ポリシリコン層9に、それぞれ接続する電極11a,11b,11cと、これらを含む表面に設けた厚い窒化シリコン膜12と、この窒化シリコン膜12に設けたコンタクトホールを通して電極11cおよびポリシリコン層9と電気的に接続された遮光用アルミニウム13とを有している。
A
ここで、ポリシリコン層9は、遮光用アルミニウム13を通じてグランド電位に保たれており、外部ノイズの影響を遮断するノイズシールドの役目を果たしている。
Here, the
また、ポリシリコン層9には、例えばリンなどの不純物が導入されており低抵抗化が図られている。(例えば、特許文献1,2参照。)。
Further, impurities such as phosphorus are introduced into the
次に、上記のフォトダイオード1の製造方法を図9〜図13に示す。尚、図9〜図13は工程順を示す断面図である。
Next, the manufacturing method of said
先ず、図9(a)に示すように、p型シリコン基板2の所定領域にヒ素を注入してn型埋込層3を形成する。
First, as shown in FIG. 9A, arsenic is implanted into a predetermined region of the p-
次に、図9(b)に示すように、n型エピタキシャル層4を成長させる。
Next, as shown in FIG. 9B, an n-type
次に、図9(c)に示すように、シリコン酸化膜14を成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、n型拡散層となる部分を開口したフォトレジストマスク15を形成後、シリコン酸化膜14をエッチングする。
Next, as shown in FIG. 9C, after a
次に、図10(d)に示すように、シリコン酸化膜14とフォトレジストマスク15をマスクとしてリンを注入後、高温アニール処理をしてn型拡散層6を形成する。
Next, as shown in FIG. 10D, phosphorus is implanted using the
その後、フォトレジストマスク15とシリコン酸化膜14を順次、除去する。
Thereafter, the
次に、図10(e)に示すように、表面に薄いシリコン酸化膜8を成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、p型素子分離層となる部分を開口したフォトレジストマスク16を形成してボロンを注入し、p型素子分離層5を形成する。尚、シリコン酸化膜8は、上下を絶縁分離するとともに不純物注入時のダメージを減少させる目的で形成する。
Next, as shown in FIG. 10E, after a thin
その後、フォトレジストマスク16を除去する。
Thereafter, the
次に、図11(f)に示すように、一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、p型拡散層となる部分を開口したフォトレジストマスク17を形成し、リンを注入してp型拡散層7を形成する。
Next, as shown in FIG. 11 (f), using a general photolithography method, a
その後、フォトレジストマスク17を除去する。
Thereafter, the
次に、図11(g)に示すように、化学気相成長(CVD)法によりポリシリコン膜9aを形成する。
Next, as shown in FIG. 11G, a
次に、図12(h)に示すように、ポリシリコン膜9aに熱拡散法(または、イオン打ち込み法)などを用いてリンを導入し、外部ノイズを素早くグランド電位に落とせるように低抵抗化を図る。ところが、ここで、導入されたリンの一部は薄いシリコン酸化膜8を通過して不所望にも下地に拡散するおそれがあった。
Next, as shown in FIG. 12H, phosphorus is introduced into the
次に、図12(i)に示すように、ポリシリコン膜を一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングし透光性導電膜としてのポリシリコン層9を形成する。
Next, as shown in FIG. 12I, the polysilicon film is patterned by using a general photolithography method and etching method to form a
次に、図13(j)に示すように、ポリシリコン層9を含む表面に窒化シリコン膜10を形成した後、一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、この窒化シリコン膜10やシリコン酸化膜8にコンタクトホールを設け、このコンタクトホールを通してn型拡散層6,p型拡散層7に、それぞれ接続する電極11a,11bや、ポリシリコン層9に接続する電極11cなどを形成する。
Next, as shown in FIG. 13J, after a
最後に、図13(k)に示すように、電極11a,11b,11cを含む表面に窒化シリコン膜12を形成し、一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、この窒化シリコン膜12にコンタクトホールを設け、窒化シリコン膜12上に遮光用アルミニウム13を形成するとともに、このコンタクトホールを通して遮光用アルミニウム13と電極11cとを電気的に接続して完成する。
しかしながら、上記のようなフォトダイオード1においては、前述したように低抵抗化を目的にポリシリコン層9に導入したリンが、薄いシリコン酸化膜8を通過して下地へ拡散するおそれがあった。そして、これを防止するために新たな絶縁膜などを形成したりすると工程が増加する上に、透光性を悪化させるおそれがあった。
However, in the
本発明の目的は、新たに工程を増加させたり、透光性を悪化させたりすることなく、透光性導電膜に導入する不純物が下地へ拡散することを防止できる受光素子及びその製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a light receiving element capable of preventing impurities introduced into a light transmissive conductive film from diffusing into a base without newly increasing the number of steps or deteriorating the light transmissive property, and a method for manufacturing the same. Is to provide.
本発明の受光素子は、定電位ラインと電気的に接続し外部ノイズを遮断する低抵抗化のための不純物を含んだ透光性導電膜を備えた受光素子において、透光性導電膜は、不純物が下地に拡散することを防止するための少なくとも1層以上の酸化層をその内部に有することを特徴とする受光素子である。 The light-receiving element of the present invention includes a light-transmitting conductive film containing impurities for reducing resistance that is electrically connected to a constant potential line and blocks external noise. A light receiving element having at least one oxide layer for preventing impurities from diffusing into a base.
本発明の受光素子の製造方法は、定電位ラインと電気的に接続し外部ノイズを遮断する低抵抗化のための不純物を含んだ透光性導電膜を備えた受光素子の製造方法において、透光性導電膜は化学気相成長法で形成し、その化学気相成長の際、透光性導電膜を成長させる反応ガス中に一時的に酸素を添加して透光性導電膜の内部に少なくとも1層以上の酸化層を形成し、かつ、透光性導電膜形成後に低抵抗化のための不純物を透光性導電膜に導入することを特徴とする受光素子の製造方法である。 The light receiving element manufacturing method of the present invention is a light receiving element manufacturing method including a light transmitting conductive film containing an impurity for reducing resistance that is electrically connected to a constant potential line and blocks external noise. The photoconductive film is formed by chemical vapor deposition. During the chemical vapor deposition, oxygen is temporarily added to the reaction gas for growing the translucent conductive film, and the photoconductive film is formed inside the translucent conductive film. A method of manufacturing a light receiving element, comprising forming at least one oxide layer and introducing an impurity for reducing resistance into the light transmissive conductive film after forming the light transmissive conductive film.
本発明の受光素子によると、透光性導電膜の内部に少なくとも1層以上の不純物拡散防止膜としての酸化層を有するため、低抵抗化を目的に透光性導電膜に不純物を導入しても不純物が下地へ拡散することを防止できる。また、透光性導電膜とは別に新たな絶縁膜を設けたりしないため透光性を悪化させることがない。また、酸化層は、酸化ポリシリコンのような信頼できる絶縁体で形成するとよい。 According to the light receiving element of the present invention, since the light-transmitting conductive film has at least one oxide layer as an impurity diffusion preventing film, impurities are introduced into the light-transmitting conductive film for the purpose of reducing resistance. Can also prevent impurities from diffusing into the substrate. Further, since a new insulating film is not provided separately from the translucent conductive film, the translucency is not deteriorated. The oxide layer may be formed of a reliable insulator such as polysilicon oxide.
本発明の受光素子の製造方法によると、透光性導電膜を化学気相成長(CVD)法で形成する際に、酸素を一時的に添加し透光性導電膜の内部に少なくとも1層以上の不純物拡散防止膜としての酸化層を形成するため、新たに工程を増加させなくて済む。 According to the method for manufacturing a light receiving element of the present invention, when forming a light-transmitting conductive film by a chemical vapor deposition (CVD) method, oxygen is temporarily added and at least one layer is formed inside the light-transmitting conductive film. Since an oxide layer as an impurity diffusion prevention film is formed, it is not necessary to newly increase the number of steps.
本発明の受光素子の一例としてフォトダイオードの断面図を図1に示す。尚、図8と同一部分には同一符号を付す。 FIG. 1 shows a cross-sectional view of a photodiode as an example of the light receiving element of the present invention. The same parts as those in FIG.
本発明のフォトダイオード101は、p型シリコン基板2に設けたn型埋込層3を含む表面に成長させたn型エピタキシャル層4と、そのn型エピタキシャル層4に設けて素子形成領域を区画するp型素子分離層5と、n型埋込層3に達するn型拡散層6と、素子形成領域のn型エピタキシャル層4の表面に形成したp型拡散層7と、これらの表面に設けた薄いシリコン酸化膜8と、このシリコン酸化膜8上にp型拡散層7領域を被覆するように形成した透光性導電膜であるポリシリコン層102と、これらの表面に設けた窒化シリコン膜10と、この窒化シリコン膜10やシリコン酸化膜8に設けたコンタクトホールを通してn型拡散層6,p型拡散層7,ポリシリコン層102に、それぞれ接続する電極11a,11b,11cと、これらを含む表面に設けた厚い窒化シリコン膜12と、この窒化シリコン膜12に設けたコンタクトホールを通して電極11cおよびポリシリコン層102と電気的に接続された遮光用アルミニウム13とを有している。
The
ここで、ポリシリコン層102は、遮光用アルミニウム13を通じてグランド電位に保たれており、外部ノイズの影響を遮断するノイズシールドの役目を果たしている。
Here, the
また、ポリシリコン層102の下面側の一部には、本発明の特徴である不純物拡散防止膜としての酸化ポリシリコン層103が形成されている。
A
そして、ポリシリコン層102のうち酸化ポリシリコン層103の部分を除く残りの部分には、リンなどの不純物が導入され低抵抗化が図られている。
The remaining portion of the
次に、上記のフォトダイオード101の製造方法を図2〜図6に示す。尚、図2〜図6は工程順を示す断面図であり、図9〜図13と同一部分には同一符号を付す。
Next, a method for manufacturing the
先ず、図2(a)に示すように、p型シリコン基板2の所定領域にヒ素を注入して、n型埋込層3を形成する。
First, as shown in FIG. 2A, arsenic is implanted into a predetermined region of the p-
次に、図2(b)に示すように、n型エピタキシャル層4を成長させる。
Next, as shown in FIG. 2B, an n-
次に、図2(c)に示すように、シリコン酸化膜14を成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、n型拡散層となる部分を開口したフォトレジストマスク15を形成後、シリコン酸化膜14をエッチングする。
Next, as shown in FIG. 2C, after a
次に、図3(d)に示すように、シリコン酸化膜14とフォトレジストマスク15をマスクとしてリンを注入後、高温アニール処理をしてn型拡散層6を形成する。
Next, as shown in FIG. 3D, phosphorus is implanted using the
その後、フォトレジストマスク15とシリコン酸化膜14を順次、除去する。
Thereafter, the
次に、図3(e)に示すように、表面に薄いシリコン酸化膜8を成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、p型素子分離層となる部分を開口したフォトレジストマスク16を形成してボロンを注入し、p型素子分離層5を形成する。尚、シリコン酸化膜8は、上下を絶縁分離するとともに不純物注入時のダメージを減少させる目的で形成する。。
Next, as shown in FIG. 3E, after a thin
その後、フォトレジストマスク16を除去する。
Thereafter, the
次に、図4(f)に示すように、一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、p型拡散層となる部分を開口したフォトレジストマスク17を形成し、リンを注入してp型拡散層7を形成する。
Next, as shown in FIG. 4F, using a general photolithography method, a
その後、フォトレジストマスク17を除去する。
Thereafter, the
次に、図4(g)に示すように、化学気相成長(CVD)法によりポリシリコン膜102aを形成する。ここで、ポリシリコン膜102aを成長させる初期段階において、反応ガス中に酸化層を形成可能な量の酸素を一時的に添加する。これにより、ポリシリコン膜102aの下面側の一部に酸化ポリシリコン膜103aが形成される。
Next, as shown in FIG. 4G, a
次に、図5(h)に示すように、ポリシリコン膜102aに熱拡散法(または、イオン打ち込み法)などを用いてリンを導入し、外部ノイズを素早くグランド電位に落とせるように低抵抗化を図る。尚、このとき、ポリシリコン膜102aの下面側の一部には不純物拡散防止膜としての酸化ポリシリコン膜103aが形成されているため、リンが下地へ拡散する心配がない。
Next, as shown in FIG. 5H, phosphorus is introduced into the
次に、図5(i)に示すように、ポリシリコン膜を一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングし透光性導電膜としてのポリシリコン層102および酸化ポリシリコン膜103を形成する。
Next, as shown in FIG. 5I, the polysilicon film is patterned using a general photolithography method and etching method to form a
次に、図6(j)に示すように、ポリシリコン層102を含む表面に窒化シリコン膜10を形成した後、一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、この窒化シリコン膜10やシリコン酸化膜8にコンタクトホールを設け、このコンタクトホールを通してn型拡散層6,p型拡散層7に、それぞれ接続する電極11a,11bや、ポリシリコン層102に接続する電極11cなどを形成する。
Next, as shown in FIG. 6J, after the
最後に、図6(k)に示すように、電極11a,11b,11cを含む表面に窒化シリコン膜12を形成し、一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、この窒化シリコン膜12にコンタクトホールを設け、窒化シリコン膜12上に遮光用アルミニウム13を形成するとともに、このコンタクトホールを通して遮光用アルミニウム13と電極11cとを電気的に接続して完成する。
Finally, as shown in FIG. 6 (k), a
尚、上記の例では、ポリシリコン膜102aの成長の初期段階に酸素を添加し、下面側の一部に酸化ポリシリコン層103aを形成することで説明したが、酸素の添加のタイミングは特にこれに限るものではなく、図7(a)に示すように、ポリシリコン膜の成長の中間段階に酸素を添加して、ポリシリコン層102の中間の一部に酸化ポリシリコン層103を形成することもできる。
In the above example, oxygen is added at the initial stage of the growth of the
また、図7(b)に示すように、ポリシリコン膜の成長の初期段階と中間段階に酸素を添加し、ポリシリコン層102の下面側の一部および中間の一部に2層の酸化ポリシリコン層103を形成することもできる。このようにすると不純物拡散防止膜としての効果が向上する。
Further, as shown in FIG. 7B, oxygen is added to the initial stage and the intermediate stage of the growth of the polysilicon film, and two layers of oxidized poly oxide are formed on a part of the lower surface side of the
また、上記の例では、シリコン基板に形成したフォトダイオードを用いて説明したが、特にこれに限るものではなく、GaAs等の化合物半導体基板に形成したフォトダイオードであってもよく、また、受光素子としては、フォトダイオードに限らずフォトトランジスタなどでも同様の効果が得られることは言うまでもない。 In the above example, the photodiode formed on the silicon substrate has been described. However, the present invention is not limited to this, and may be a photodiode formed on a compound semiconductor substrate such as GaAs. Needless to say, the same effect can be obtained not only with a photodiode but also with a phototransistor or the like.
透光性導電膜に導入する低抵抗化のための不純物が下地へ拡散することを防止できる受光素子及びその製造方法に適用できる。 The present invention can be applied to a light receiving element that can prevent an impurity for reducing resistance introduced into a light-transmitting conductive film from diffusing into a base and a manufacturing method thereof.
1 従来の受光素子の一例としてのフォトダイオード
2 p型シリコン基板
3 n型埋込層
4 n型エピタキシャル層
5 p型素子分離層
6 n型拡散層
7 p型拡散層
8,14 シリコン酸化膜
9 ポリシリコン層
9a ポリシリコン膜
10 窒化シリコン膜
11a,11b,11c 電極
12 窒化シリコン膜
13 遮光用アルミニウム
15,16,17 フォトレジストマスク
101 本発明の受光素子の一例としてのフォトダイオード
102 ポリシリコン層
102a ポリシリコン膜
103 酸化ポリシリコン層
103a 酸化ポリシリコン膜
DESCRIPTION OF
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004004458A JP4571807B2 (en) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | Light receiving element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004004458A JP4571807B2 (en) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | Light receiving element and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197599A true JP2005197599A (en) | 2005-07-21 |
JP4571807B2 JP4571807B2 (en) | 2010-10-27 |
Family
ID=34819069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004004458A Expired - Fee Related JP4571807B2 (en) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | Light receiving element and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4571807B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089796A (en) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Light-receiving element, method of manufacturing light-receiving element, and semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59125674A (en) * | 1983-01-07 | 1984-07-20 | Toshiba Corp | Photocoupling semiconductor device |
JPS63281478A (en) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Sharp Corp | Semiconductor light receiving device |
JPS642353A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH0485885A (en) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Nec Corp | Photocoupler |
JPH08278193A (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared detecting element and manufacture thereof |
-
2004
- 2004-01-09 JP JP2004004458A patent/JP4571807B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59125674A (en) * | 1983-01-07 | 1984-07-20 | Toshiba Corp | Photocoupling semiconductor device |
JPS63281478A (en) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Sharp Corp | Semiconductor light receiving device |
JPS642353A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPH0485885A (en) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Nec Corp | Photocoupler |
JPH08278193A (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared detecting element and manufacture thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089796A (en) * | 2010-10-22 | 2012-05-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Light-receiving element, method of manufacturing light-receiving element, and semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4571807B2 (en) | 2010-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100314672A1 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing same, and solid-state image sensing device | |
JP4232814B2 (en) | Photodiode and photo IC provided with the same | |
KR100853792B1 (en) | CMOS Image Sensor and Method of Manufaturing Thereof | |
JP2006261161A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
KR20060120411A (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method of the same | |
JP2013065862A (en) | Method for fabricating cmos image sensor protecting photodiode from plasma damage | |
US6166413A (en) | Semiconductor device having field effect transistors different in thickness of gate electrodes and process of fabrication thereof | |
US8071415B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
JP4338490B2 (en) | Manufacturing method of optical semiconductor integrated circuit device | |
US6140156A (en) | Fabrication method of isolation structure photodiode | |
JP2009170614A (en) | Optical sensor and photo ic with the same | |
JP5215887B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP4571807B2 (en) | Light receiving element and manufacturing method thereof | |
US20070148892A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US20070077678A1 (en) | Method of fabricating image sensors | |
JP2014143447A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
US7524721B2 (en) | High voltage CMOS device and method of fabricating the same | |
JP2005286093A (en) | Optical semiconductor integrated circuit device | |
JP2005005561A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
TWI813186B (en) | Integrated chip structure and method of forming the same | |
JPH0729971A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH098121A (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
JP2009071177A (en) | Optical sensor | |
JP2007129033A (en) | Avalanche photodiode and manufacturing method thereof | |
KR100297169B1 (en) | Method for forming isolation layer of semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050728 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060424 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061010 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100810 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100813 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130820 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |