JP2005197436A - メンブレンの形成されたウェハの切断方法 - Google Patents
メンブレンの形成されたウェハの切断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197436A JP2005197436A JP2004001873A JP2004001873A JP2005197436A JP 2005197436 A JP2005197436 A JP 2005197436A JP 2004001873 A JP2004001873 A JP 2004001873A JP 2004001873 A JP2004001873 A JP 2004001873A JP 2005197436 A JP2005197436 A JP 2005197436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- wafer
- resist
- cutting
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】 メンブレンを確実に保護しながらウェハを切断する方法を提供する。
【解決手段】 まず、図1(A)に示すように、メンブレン部3が形成されたウェハ11を作製する。次に、図1(B)に示すように、メンブレン部3の表面にレジスト6を、はけ等を用いて塗布する。そして、レジスト6を接着剤として、保護フィルム5をメンブレン部3に貼り付け、ウェハ11をオーブンでベークする。この次に、図1(C)に示すように、ウェハ11の裏面にダイシングテープ等(図示せず)を接着した後、テープの糊無面をダイシング装置8に真空吸着し、ウェハ11を表面側から切り込み7を入れて切断する。そして、メンブレン部3から保護フィルム5とレジスト6を除去する。具体的には、図1(D)に示すように、洗浄液14が満たされた洗浄槽12に、切断されたチップ10´を浸けることにより、レジスト6を溶解して保護フィルム5を剥がし、チップ10´の洗浄を行う。
【選択図】 図1
【解決手段】 まず、図1(A)に示すように、メンブレン部3が形成されたウェハ11を作製する。次に、図1(B)に示すように、メンブレン部3の表面にレジスト6を、はけ等を用いて塗布する。そして、レジスト6を接着剤として、保護フィルム5をメンブレン部3に貼り付け、ウェハ11をオーブンでベークする。この次に、図1(C)に示すように、ウェハ11の裏面にダイシングテープ等(図示せず)を接着した後、テープの糊無面をダイシング装置8に真空吸着し、ウェハ11を表面側から切り込み7を入れて切断する。そして、メンブレン部3から保護フィルム5とレジスト6を除去する。具体的には、図1(D)に示すように、洗浄液14が満たされた洗浄槽12に、切断されたチップ10´を浸けることにより、レジスト6を溶解して保護フィルム5を剥がし、チップ10´の洗浄を行う。
【選択図】 図1
Description
本発明は、メンブレンが形成されたウェハを切断する方法に関する。
電子線露光用レチクルやフィルターとして、シリコンウェハの支持基板上に、シリコンナイトライドやシリコンの薄膜(メンブレン)を形成したものを用いることが多い。以下に、このようなメンブレンの形成されたウェハの作製工程について、図3を参照して説明する。
図3は、メンブレンの形成されたウェハの作製工程を簡略化して示す断面図である。
まず、シリコンウェハ71を準備する。そして、図3(A)に示すように、シリコンウェハ71の上にシリコンナイトライド又はシリコンをスパッタ、蒸着等により所望の厚さに成膜して、メンブレン層72を形成する。
まず、シリコンウェハ71を準備する。そして、図3(A)に示すように、シリコンウェハ71の上にシリコンナイトライド又はシリコンをスパッタ、蒸着等により所望の厚さに成膜して、メンブレン層72を形成する。
次に、図3(B)に示すように、シリコンウェハ71の裏面(図中下面)に、レジスト又は酸化シリコン層74を形成する。そして、図3(C)に示すように、このレジスト又は酸化シリコン層74をパターニングして、支持基板部(図3(D)及び図3(E)の符号71a)を形成する部分(74a)にのみレジスト又は酸化シリコン層74を残して、エッチングマスク層74aを形成する。
図3(D)に示すように、このエッチングマスク層74aをエッチングマスクとして、シリコンウェハ71を裏面からウェット又はドライエッチング法でエッチングし、支持基板部(ストラット(支柱)を含む)71aを形成する。そして、エッチングマスク層74aをウェットエッチングにより除去する。これにより、図3(E)に示すようなシリコンウェハの支持基板部71aで囲まれたメンブレン部73を有するウェハ70が完成する。
図4は、メンブレンの形成されたシリコンウェハの一部斜視図である。
図3では、ウェハ70の支持基板部71aを3ヶ所、メンブレン部73を2ヶ所のみ示しているが、実際のウェハ70は、図4に示すように格子状の支持基板部71aの間に多数のメンブレン部73を有している。
図3では、ウェハ70の支持基板部71aを3ヶ所、メンブレン部73を2ヶ所のみ示しているが、実際のウェハ70は、図4に示すように格子状の支持基板部71aの間に多数のメンブレン部73を有している。
上述のようなウェハは、小さく切断されたチップの状態で使用されることもある。ウェハを切断する方法としては、専用のダイシング装置や手割りによる方法等を挙げることができる。手割りとは、ダイヤモンドカッター等を用いて支持基板部71a側(裏面側)から切り込みを入れてウェハを切断する方法である。通常は、ダイシング装置を用いる方法を用いることが多い。ダイシング装置のほうが、切断後のチップの外形寸法精度等の点で有利だからである。
ダイシング装置を用いてウェハを切断する際には、ディスクカッターを洗浄・冷却する洗浄冷却水や振動によってメンブレンが破壊されるおそれがある。これを防ぐために、メンブレンにレジストを塗布して保護しているが、メンブレンのサイズが大きい場合にはレジストの膜だけではメンブレンを保護するのが難しく、メンブレンが破壊されてしまうという問題がある。
上記の点に鑑み、本発明は、メンブレンを確実に保護しながらウェハを切断する方法を提供することを目的とする。
本発明のウェハの切断方法は、 行列状に配置された複数のメンブレン部と、該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、が形成されたウェハをダイシング装置を用いて分割・切断する方法であって、前記メンブレン部に保護フィルムを貼り付けた後に、前記支持基板部に切り込みを入れて切断することを特徴とする。
本発明によれば、メンブレン部に保護フィルムを貼り、メンブレン部側からウェハを切断することにより、メンブレン部の破損を確実に防ぐことができる。なお、メンブレン部を確実に保護するため、保護フィルムの厚さは50μm以上であることが好ましい。
本発明によれば、メンブレン部に保護フィルムを貼り、メンブレン部側からウェハを切断することにより、メンブレン部の破損を確実に防ぐことができる。なお、メンブレン部を確実に保護するため、保護フィルムの厚さは50μm以上であることが好ましい。
上記のウェハの切断方法は、前記メンブレン部と保護フィルムの間にレジストを介在させて前記保護フィルムを前記メンブレン部に接着し、切断後には、前記レジストを溶解して前記メンブレン部から前記フィルムを剥離するものとすることができる。
本発明によれば、レジストはピラニア洗浄液(通称、詳細後述)等を用いて容易に除去できるので、チップ切断後に、保護フィルムをメンブレン部から容易に除去することができる。
本発明によれば、レジストはピラニア洗浄液(通称、詳細後述)等を用いて容易に除去できるので、チップ切断後に、保護フィルムをメンブレン部から容易に除去することができる。
本発明によれば、メンブレン部に保護フィルムを貼り、メンブレン部側からウェハを切断することにより、メンブレン部の破損を確実に防ぐことができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例にかかるウェハの切断方法を示す断面図群である。
図1(A)は、メンブレン部3が形成されたウェハ11を示す。このウェハ11は、図3を参照して前述した方法で作製できる。図1に示すウェハ11は、支持基板部(ストラットを含む)1とメンブレン層2からなっている(図4参照)。なお、メンブレン部3は3ヶ所に簡略化して示してある。以下の説明では、ウェハ11のメンブレン層2の側(図中上面)を表面といい、支持基板部1の側(図中下面)を裏面という。
図1(A)は、メンブレン部3が形成されたウェハ11を示す。このウェハ11は、図3を参照して前述した方法で作製できる。図1に示すウェハ11は、支持基板部(ストラットを含む)1とメンブレン層2からなっている(図4参照)。なお、メンブレン部3は3ヶ所に簡略化して示してある。以下の説明では、ウェハ11のメンブレン層2の側(図中上面)を表面といい、支持基板部1の側(図中下面)を裏面という。
次に、図1(B)に示すように、メンブレン部3の表面にレジスト6(例えば、東京応化工業製OFPR800)を、はけ等を用いて塗布する。そして、レジスト6を接着剤として、保護フィルム5をメンブレン部3に貼り付ける。その後、保護フィルム5の貼り付けられたウェハ11を100℃のオーブンで約30分ベークする。
上記の保護フィルム5は、1つのメンブレン部3よりやや大きめにカットされたものであり、サイズは一例で1〜数mm角であり、厚さは約50μm以上であることが好ましい。保護フィルム6の材質としては、アクリル樹脂等を用いることができる。なお、切断後のチップが複数のメンブレン部を含んでいる場合等には、1枚の保護フィルムで複数のメンブレン部を覆うこととしてもよい。
この次に、図1(C)に示すように、ウェハ11の裏面にダイシングテープ等(図示せず)を接着した後、テープの糊無面をダイシング装置のテーブル8に真空吸着し、ウェハ11を表面側から切り込み7を入れて切断する。
そして、メンブレン部3から保護フィルム5とレジスト6を除去する。具体的には、図1(D)に示すように、ピラニア洗浄液(過酸化水素水と硫酸を1対2で混合した溶液)14が満たされた洗浄槽(パイレックス(登録商標)製容器)12に、切断されたチップ10´を浸けることにより、レジスト6を溶解して保護フィルム5を剥がし、チップ10´の洗浄を行う。これにより、図1(F)に示す個々に分割されたチップ10が完成する。
図2は、切断後のチップを示す斜視図である。
図2(A)及び図2(B)に示すように、チップ10は、四角い筒状の支持基板部1でメンブレン層2が支えられた構造となっている。
図2(A)及び図2(B)に示すように、チップ10は、四角い筒状の支持基板部1でメンブレン層2が支えられた構造となっている。
1 支持基板部
2 メンブレン層
3 メンブレン部
5 保護フィルム
6 レジスト
7 切り込み
8 ダイシング装置のテーブル
10 チップ
11 ウェハ
12 洗浄槽
14 ピラニア洗浄液
2 メンブレン層
3 メンブレン部
5 保護フィルム
6 レジスト
7 切り込み
8 ダイシング装置のテーブル
10 チップ
11 ウェハ
12 洗浄槽
14 ピラニア洗浄液
Claims (2)
- 行列状に配置された複数のメンブレン部と、
該メンブレン部の片面(裏面)に接続された、該メンブレン部を支持する格子状のストラット(支柱)を含む支持基板部と、
が形成されたウェハをダイシング装置を用いて分割・切断する方法であって、
前記メンブレン部に保護フィルムを貼り付けた後に、
前記支持基板部に切り込みを入れて切断することを特徴とするウェハの切断方法。 - 前記メンブレン部と保護フィルムの間にレジストを介在させて前記保護フィルムを前記メンブレン部に接着し、
切断後には、前記レジストを溶解して前記メンブレン部から前記フィルムを剥離することを特徴とする請求項1記載のウェハの切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004001873A JP2005197436A (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | メンブレンの形成されたウェハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004001873A JP2005197436A (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | メンブレンの形成されたウェハの切断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197436A true JP2005197436A (ja) | 2005-07-21 |
Family
ID=34817261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004001873A Pending JP2005197436A (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | メンブレンの形成されたウェハの切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005197436A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10916436B2 (en) | 2019-07-08 | 2021-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma dicing method |
-
2004
- 2004-01-07 JP JP2004001873A patent/JP2005197436A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10916436B2 (en) | 2019-07-08 | 2021-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma dicing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1301432B1 (en) | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using uv curable tapes | |
JP5091066B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP4286497B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6680241B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor devices by dividing wafer into chips and such semiconductor devices | |
KR101454985B1 (ko) | 제작 기판을 캐리어 기판으로부터 분리하기 위한 장치 및 방법 | |
US7285437B2 (en) | Method of separating MEMS devices from a composite structure | |
JP3568980B2 (ja) | チップに切断後のicのウエハ形態での加工処理法 | |
JP2008521214A (ja) | 半導体ウエハの薄型化 | |
KR102060869B1 (ko) | 펠리클의 제조 방법 및 펠리클 부착 포토마스크의 제조 방법 | |
US6383833B1 (en) | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape | |
JP2008300487A (ja) | 貼り合わせ装置、接着剤の溶解を防ぐ方法、及び貼り合わせ方法 | |
JP2004119718A (ja) | 薄型半導体チップの製造方法 | |
JP4488702B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007036074A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005197436A (ja) | メンブレンの形成されたウェハの切断方法 | |
US20110017231A1 (en) | Method of cleaning support plate | |
JP2002134440A (ja) | 基板の処理方法及びそれに用いるトレー | |
KR20140001783A (ko) | Led의 제조 방법 | |
US7063993B1 (en) | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using at least one UV curable tape | |
JP2005277103A (ja) | 半導体ウェハ、支持体および半導体ウェハ製造方法ならびにスペーサ製造方法および半導体素子製造方法 | |
JP4958287B2 (ja) | 剥がし装置における剥離方法 | |
JP2004186255A (ja) | 薄膜構造体形成基板のダイシング方法 | |
JP2009099834A (ja) | 可撓性基板 | |
KR20230171933A (ko) | 시트, 박화 웨이퍼 핸들링용 시트, 박형 웨이퍼의 핸들링방법 및 박형 디바이스의 핸들링방법 | |
JP2005302805A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 |