JP2005197239A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 発光効率の低い発光素子への負担を軽減し、発光素子の劣化やそれに劣化に伴う色再現性の低下、並びに消費電力の増加を抑制できる発光装置を提供する。
【解決手段】 光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子を有するものであり、さらに中間色を発光する発光素子を有することを特徴としている。光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子と中間色を発光する発光素子とを一組とした複数の画素が配列された構成となっている。
【選択図】 なし
【解決手段】 光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子を有するものであり、さらに中間色を発光する発光素子を有することを特徴としている。光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子と中間色を発光する発光素子とを一組とした複数の画素が配列された構成となっている。
【選択図】 なし
Description
本発明は、発光装置に関し、特に異なる色の発光を組み合わせることによって多色で構成される画像を表示できる発光装置に関する。
エレクトロルミネッセンス素子（発光素子）からの発光を利用した発光装置は、高視野角、低消費電力の表示用装置として注目されている装置である。
近年、発光装置の開発分野では、テレビ受像機やカーナビゲーションを初めとする各種情報処理機器における表示用装置等としての市場を得るべく、高品質なフルカラー画像を提供できる発光装置の研究開発が盛んに行われている。
フルカラー画像を表示するためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の発光を呈する領域を独立に設け、各々の領域における発光時間、発光輝度を変えることによって表示する色の明度および色度を制御しなければならない。
明度および色度を変化させる方法としては、発光素子の発光時間を変えることによって変化させる方法と、発光素子の輝度を変えることによって変える方法とがある。前者の方法を用いる場合、発光色ごとに発光時間を変えることによって赤、緑、青の各発光を種々に組み合わせ、明度や色度を変化させている。
ところで、発光素子の発光効率は発光素子に含まれる発光体やその他の物質の特性によって異なる。一つの発光装置においては、各々の発光色を呈する発光素子ごとに発光効率が異なる。このため、所望の輝度の発光を得るために必要な電流は、発光効率の低い発光素子の方が相対的に多くなる。
さらに、人間の眼では発光波長ごとに感度が異なり、一般に、赤や青の発光波長よりも緑の発光波長に対する感度が高い。従って、人間の眼に対し、緑と同等の感度となるように青や赤を発光させるためには、青や赤の輝度を緑の輝度よりも相対的に高くする必要がある。
発光素子の輝度を高くするために発光素子に多くの電流を流すことは、発光素子の劣化を促進し、また表示装置の消費電力の増加を招く。また、発光素子の劣化に起因して発光波長がシフトすると、発光装置の色再現性が低下し画質が低下することもある。このため、効率よく発光でき、また長寿命な発光体や発光素子の開発が試みられている。例えば、特許文献１においては、光路長を調節することによって発光効率を高める工夫がされている。
本発明では、発光効率の低い発光素子への負担を軽減し、発光素子の劣化や、それに劣化に伴う色再現性の低下、並びに消費電力の増加を抑制できる発光装置を提供することを課題とする。
本発明の発光装置は、光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子を有するものであり、さらに中間色を発光する発光素子を有することを特徴としている。本発明の発光装置は、光の三原色に該当する各々の色を発光する発光素子と中間色を発光する発光素子とを一組とした複数の画素が配列された構成となっている。
各画素では、画素内に含まれる各々の発光素子からの発光の発光時間又は輝度を変えて組み合わせ、明度や色度の異なる複数の色を表示する。なお、中間色を発光する発光素子は、一つの画素に少なくとも一つ含まれていればよい。
光の三原色とは、赤、緑、青の三色である。ここで、赤は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以下の領域に座標を有する色をいう。また、緑は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域に座標を有する色をいう。青は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領域に座標を有する色をいう。なお、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系とは三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づく表色系である。色度図は、三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づいてｘ、ｙ座標空間で色を表したものである。なお、色度とは、明度を除いた光の色の種別を数量的に規定したものである。
また、中間色とは、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系を用いて表したときに、色度図において、上記に示した赤、緑、青を表す領域と異なる領域に座標を有する色をいう。
中間色を発光する発光素子は、発光効率の高い発光素子の発光と発光効率の低い発光素子の発光とを組み合わせて中間色を表示するときに、発光効率の低い発光素子に対し補助的な役割を担う。従って、発光効率の低い発光素子においては、三原色を組み合わせて中間色を表示する場合よりも表示に必要な輝度を低くすることができ、発光に係る負担が軽減する。このため、特に発光効率の低い発光素子を長寿命化することができ、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制することができる。さらに、中間色を発光する発光素子を設けることによって、表示可能な色が増加し、発光装置における色再現範囲が広がる。
本発明によって、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色を呈する発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制することができる。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がった発光装置を得ることができる。
本発明の発光装置の一態様について、図１、２、１４を用いて説明する。なお、図１４は、三刺激値Ｘ、Ｙ、Ｚに基づいてｘ、ｙ座標空間で色を表した色度図である。
本発明の発光装置は、赤の発光をする第１の発光素子１０１と、緑の発光をする第２の発光素子１０２と、青の発光をする第３の発光素子１０３と、青みを帯びた緑色を発光する第４の発光素子１０４とを有している。なお、第４の発光素子の発光色は上記のものには限定されず、例えば赤紫や黄橙色等でもよい。
ここで、赤は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以下の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１５１と点線１５２とで囲まれた領域）に座標を有する色をいう。また、緑は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１５５と点線１５６とで囲まれた領域）に座標を有する色をいう。青は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系を表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１５３と点線１５４とで囲まれた領域）に座標を有する色をいう。また、緑と青の中間色は、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１以下、ｙが０．２５以上０．５以下の領域（図１４において、色度図の周囲と点線１６１と点線１６２と点線１６３で囲まれた領域）に座標を有する色、好ましくはｘが０．１以下ｙが０．３５以上０．４５以下の領域に座標を有する色をいう。
図１に示すように、本発明の発光装置では、第１の発光素子１０１と第２の発光素子１０２と第３の発光素子１０３と第４の発光素子１０４とを一組とした複数の画素１１０が配列されている。
なお、図１では、各々の第１の発光素子１０１〜第４の発光素子１０４は行方向に並んで配置されているが、配置の仕方について特に限定はなく、例えば列方向に並べて配置されていても良いし、また、赤を発光する発光素子と青を発光する発光する発光素子とが隣接するように配置されていても構わない。また各発光素子の形状についても、図１に示すような長方形に限らず、例えば正方形やその他の多角形あるいは曲率を有する形状であっても構わない。
また、図２に示すように、第１の発光素子１０１〜第４の発光素子１０４には各々を駆動するための回路が接続されている。
各々の発光素子に接続している回路は、映像信号によって前記発光素子の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ１２１と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ１２２と、前記映像信号に関わらず前記発光素子を非発光状態にする消去用トランジスタ１２３と、ソース信号線１３１と、電流供給線１３２と、第１の走査線１３３と、第２の走査線１３４とで構成されている。
ここで、第２の発光素子１０２が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線１３３が選択されると、第１の走査線１３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ１２２がオンになる。そして、ソース信号線１３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ１２２を介して駆動用トランジスタ１２１のゲートに入力さることによって電流供給線１３２から第２の発光素子１０２へ電流が流れ、緑の発光をする。この時、第２の発光素子１０２へ流れる電流の大きさによって発光の輝度が決まる。
第２の発光素子１０２と同様にして、第１の発光素子１０１、第３の発光素子１０３、第４の発光素子１０４も駆動する。このように、各々の発光素子は、各々の発光素子に接続された回路によって独立に発光時間を制御され、所望の表示色が得られる。ここで、表示色とは、一画素内に含まれ発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子から得られる発光が組合わさり、視覚的に混合された色をいう。
なお、駆動方法は、本形態で示したものに限定されるものではなく、上記以外のデジタル駆動方式でもよい。また、アナログ駆動方式で動作させてもよい。
また、各トランジスタの素子構造についても特に限定はなく、スタガ型のものでもよいし、逆スタガ型のものでもよい。また、シングルゲート構造のものでもよいし、マルチゲート構造のものでもよい。さらに、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造でもよいし、シングルドレイン構造等でもよい。
以上に示した本発明の発光装置において、青みを帯びた緑、つまり中間色を発光する第４の発光素子１０４は、各々の発光素子からの発光を組み合わせて中間色を表示するときに、例えば、第２の発光素子１０２と第３の発光素子１０３の発光効率が異なる場合、発光効率の低い方の発光素子に対し補助的な役割を担う。従って、三原色のみを組み合わせて中間色を表示する場合と比較して、発光効率の低い素子に係る負担が軽減し、素子を長寿命化することができる。従って、素子の劣化による表示不良の抑制された発光装置を得ることができる。また、第４の発光素子１０４を設けることによって表示可能な色が増加し、発光装置における色再現範囲が広がる。
さらに、本形態のように、第４の発光素子１０４が青みを帯びた緑を発光するものである場合には、次のような効果も生じる。人間の眼は、通常、緑に対する感度が高いため、例えば緑と青とを同等の感度となるようにするためには、緑よりも青の輝度を高くする必要がある。つまり、表示動作においては、緑の発光をする第２の発光素子１０２よりも青の発光をする第３の発光素子１０３への負担が相対的に大きくなる。しかし、本発明の発光装置のように、青みを帯びた緑を発光する第４の発光素子１０４を設けることによって、第４の発光素子１０４が第３の発光素子１０３に対し補助的な役割をし、第３の発光素子１０３に係る負担を軽減することができる。
以上のように、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制することができる。
本実施例では、本発明の発光装置について説明する。但し、本発明の発光装置は、本実施例に示すものに限定されない。
図３は本発明を適用した発光装置を上面からみた模式図である。図３において、点線で示された６５１０は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６５１１は画素部、６５１２は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。画素部６５１１には本発明の発光素子が設けられている。駆動回路部６５１０および６５１２は外部入力端子であるＦＰＣ６５０３と基板６５００上に形成された配線群を介して接続している。ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取ることによって駆動回路部６５１０及び駆動回路部６５１２に信号が入力される。またＦＰＣ６５０３にはプリント配線基盤（ＰＷＢ）６５１３が取り付けられている。駆動回路部６５１０には、シフトレジスタ６５１５、スイッチ６５１６、メモリ（ラッチ）６５１７，６５１８が設けられており、駆動回路部６５１２にはシフトレジスタ６５１９、バッファ６５２０が設けられている。
なお、駆動回路部は、上記のように必ずしも画素部６５１１と同一基板上に設けられている必要はなく、例えば、配線パターンが形成されたＦＰＣ上にＩＣチップを実装したもの（ＴＣＰ）等を利用し、基板外部に設けられていてもよい。また、駆動回路部６５１０、６５１２の回路構成についても上記のものに限定されず、上記と異なる機能を有する回路がさらに設けられた構成であってもよい。
画素部６５１１では、列方向に延びた複数のソース信号線３３１と複数の電流供給線３３２とが行方向に並んで配列している。また、行方向に延びた複数の第１の走査線３３３と複数の第２の走査線３３４とが列方向に並んで配列している。また、第１の発光素子３０１ａと第２の発光素子３０１ｂと第３の発光素子３０１ｃと第４の発光素子３０１ｄとを一組とした複数の画素３０１がマトリクス状に配列している。
さらに、画素３１０において、第１の発光素子３０１ａと、第２の発光素子３０１ｂと、第３の発光素子３０１ｃと、第４の発光素子３０１ｄとは、図１で示した発光装置と同様に、行方向に順に並んで配置している。
各発光素子は、一対の電極間に、発光体を含む発光層が挟まれた構造を有するものである。なお、前記発光層は、発光体を含む層のみで構成された単層のものでもよいし、又は発光体を含む層と、キャリア（電子・正孔）輸送性に優れた物質やキャリア注入性に優れた物質等を含む層とを組み合わせた複数の層からなる多層のものでもよい。
第１の発光素子３０１ａは、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）を発光体として含み赤の発光をするものであり、第２の発光素子３０１ｂはＮ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）を発光体として含み緑の発光をするものであり、第３の発光素子３０１ｃは９，９’−ビアントリルを発光体として含み青の発光をするものであり、第４の発光素子３０１ｄはクマリン３０を発光体として含み青みを帯びた緑色を発光するものである。なお、各々の発光素子に含まれる発光体は、上記のものには限定されず、他のものでもよい。例えば、赤の発光をする発光体としては４−ジシアノメチレン−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル） −４Ｈ−ピラン（略称：ＤＰＡ）やペリフランテン、２，５−ジシアノ−１，４−ビス（１０−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）ベンゼン等、緑の発光をする発光体としてはクマリン６やクマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）等、青を発光する発光体としては９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）等、青みを帯びた緑を発光する発光体としてはビス（２−メチル−８−キノリノラト） −４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）やビス（２−メチル−８−キノリノラト） −４−フェニルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）等を用いることができる。
図４に示すように、第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄには、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、それぞれ、映像信号によって第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄのそれぞれの発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ３２１（３２１ａ、３２１ｂ、３２１ｃ、３２１ｄ）と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ３２２（３２２ａ、３２２ｂ、３２２ｃ、３２２ｄ）と、前記映像信号に関わらず第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄのそれぞれを非発光状態にする消去用トランジスタ３２３（３２３ａ、３２３ｂ、３２３ｃ、３２３ｄ）とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ３２２のソース（又はドレイン）はソース信号線３３１と接続し、駆動用トランジスタ３２１のソース及び消去用トランジスタ３２３のソースはソース信号線３３１（３３１ａ、３３１ｂ、３３１ｃ、３３１ｄ）と並列するように延びた電流供給線３３２（３３２ａ、３３２ｂ、３３２ｃ、３３２ｄ）と接続し、スイッチング用トランジスタ３２２のゲートは第１の走査線３３３と接続し、第１の走査線３３３と並列に延びた消去用トランジスタ３２３のゲートは第２の走査線３３４と接続している。また、駆動用トランジスタ３２１（３２１ａ、３２１ｂ、３２１ｃ、３２１ｄ）と第１の発光素子３０１ａ乃至第４の発光素子３０１ｄのそれぞれとは直列に接続している。各々の発光素子に接続する回路の構成は、ここで述べたものに限定されず、上記と異なる構成のものであってもよい。
なお、図５は、本実施例の発光装置の画素部６５１１の上面図である。図５では、画素部６５１１の一部のみを図示している。なお、発光装置の画素部の構成は、図５に示したものに、限定されるものではなく、その他の構成のものであってもよい。図５において、８１は半導体層、８２は、駆動用トランジスタ３２１、スイッチング用トランジスタ３２２、消去用トランジスタ３２３、第１の走査線３３３、第２の走査線３３４等のゲート（ゲート電極）として機能する導電膜、８３はソース信号線３３１、電流供給線３３２等として機能する導電膜である。また、８４は、一対の電極間に発光層が挟まれた積層構造を有する部分である。
以下に、本実施例の発光装置の動作について図６を用いて説明する。図６は時間経過に伴ったフレームの動作について説明する図であり、図６において、横方向は時間経過を表し、縦方向は走査線の走査方向を表している。
本実施例の発光装置において、１フレームは、図６に示すように書き込み期間５０１ａ、５０２ａ、５０３ａ、５０４ａと保持期間５０１ｂ、５０２ｂ、５０３ｂ、５０４ｂとを含む４つのサブフレーム５０１、５０２、５０３、５０４に時分割されている。発光するための信号を与えられた発光素子は、保持期間において発光状態となっている。各々のサブフレームにおける保持期間の長さの比は、第１のサブフレーム５０１：第２のサブフレーム５０２：第３のサブフレーム５０３：第４のサブフレーム５０４＝２3：２2：２1：２0＝８：４：２：１となっている。これによって４ビット階調を表現することができる。但し、ビット数及び階調数はここに記すものに限定されず、例えば８つのサブフレームを設け８ビット階調を行えるようにしてもよい。
１フレームにおける動作について説明する。まず、サブフレーム５０１において、１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。従って、行によって書き込み期間の開始時間が異なる。書き込み期間５０１ａが終了した行から順に保持期間５０１ｂへと移る。当該保持期間において、発光するための信号を与えられている発光素子は発光状態となっている。また、保持期間５０１ｂが終了した行から順に次のサブフレーム５０２へ移り、サブフレーム５０１の場合と同様に１行目から最終行まで順に書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返し、サブフレーム５０４の保持期間５０４ｂ迄終了する。サブフレーム５０４における動作を終了したら次のフレームにおける動作へ移る。このように、各サブフレームにおいて発光した時間の積算時間が、１フレームにおける各々の発光素子の発光時間となる。この発光時間を発光素子ごとに変えて一画素内で様々に組み合わせることによって、明度および色度の異なる様々な表示色を形成することができる。
なお、１行目の書き込み期間から最終行までの書き込み期間を含めた書き込み期間５０１ｃ、５０２ｃ、５０３ｃよりも保持期間が短いサブフレーム５０４においては、保持期間５０４ｂの後に消去期間５０４ｄを設け、強制的に非発光の状態となるように制御している。これによって、サブフレーム５０４の書き込み期間とその次のサブフレームの書き込み期間とが重畳することを防げる。
なお、本実施例では、サブフレーム５０１乃至５０４は保持期間の長いものから順に並んでいるが、必ずしも本実施例のような並びにする必要はなく、例えば保持期間の短いものから順に並べられていてもよいし、または保持期間の長いものと短いものとがランダムに並んでいてもよい。
次に、書き込み期間における回路動作について説明する。書き込み期間において、ｎ行目（ｎは自然数）の第１の走査線３３３が選択され、当該第１の走査線３３３に接続したスイッチング用トランジスタ３２２がオンになる。この時、１列目から最終列目迄のソース信号線に同時に映像信号が入力される。但し、各列のソース信号線３３１から入力される映像信号は互いに独立したものである。ソース信号線３３１から同時に入力された映像信号は、各々のソース信号線に接続したスイッチング用トランジスタ３２２を介して駆動用トランジスタ３２１のゲートに入力される。この時駆動用トランジスタ３２１に入力された信号に応じて第１の発光素子３０１ａ〜第４の発光素子３０１ｄそれぞれの発光・非発光が決まる。
ソース信号線への書き込みが終了すると共に、ｎ行目（ｎは自然数）における書き込み期間は終了し保持期間へと移る。次に、ｎ＋１行目が書き込み期間になり、上記と同様の書き込み動作が行われる。以上のような動作を繰り返して１行目から最終行まで書き込み動作が行われる。
以上のような構成を有する本発明を適用した発光装置は、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制されたものである。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がったものである。
本実施例では、一画素内における発光素子の配置が、図１に示したものと異なる発光装置について説明する。
本実施例の発光装置は、図７に示すように、赤の発光をする第１の発光素子７０１と、緑の発光をする第２の発光素子７０２と、青の発光をする第３の発光素子７０３と、青みを帯びた緑色を発光する第４の発光素子７０４を有するものである。
本実施例の発光装置では、行方向及び列方向に２つずつ並べて配置された４つの第１の発光素子７０１〜第４の発光素子７０４を一組とした複数の画素７０５が配列されている。言い換えると、第１の発光素子７０１〜第４の発光素子７０４はそれぞれ４つの発光素子を有しており、それらは行方向及び列方向に２列ずつ並べて配列されている。画素７０５は４つの発光素子、即ち第１の発光素子７０１〜第４の発光素子７０４を有している。複数の画素７０５が配列されている。
また、本実施例の発光装置では、点線７０６で囲まれた第１の発光素子７０１、第１の発光素子７０７、第１の発光素子７０８、第１の発光素子７０９のように、同じ発光色を呈する４つの発光素子を一組として含み、前記４つの発光素子は行方向及び列方向に２つずつ並べて配置された群として設けられている。なお、前記群は、各々の発光色を呈する発光素子ごと（つまり、同色の発光を呈する発光素子ごと）に設けられており、第１の発光素子７０１のように赤の発光をする発光素子を４つ含む第１の群と、第２の発光素子７０２のように緑の発光をする発光素子を４つ含む第２の群と、第３の発光素子７０３のように青の発光をする発光素子を４つ含む第３の群と、第４の発光素子７０４のように青みを帯びた緑色の発光をする発光素子を４つ含む第４の群とを一組とした第５の群７２０において、第１乃至第４の群は 行方向及び列方向に２群ずつ並べて配置されている。そして、第１の群に含まれる或るひとつの発光素子と、第２の群に含まれる或るひとつの発光素子と、第３の群に含まれる或るひとつの発光素子と、第４の群に含まれる或るひとつの発光素子とを一組としてひとつの画素を構成している。
なお、ひとつの群に含まれる発光素子の間の幅は、それぞれ異なる群に含まれ隣接した発光素子の素子間の幅よりも狭くなるように構成されている。
換言すると、本実施例の発光装置では、発光色が同じであり且つ隣接した発光素子の素子間の幅は、発光色が異なり且つ隣接した発光素子の素子間の幅よりも狭くなるように発光素子が配置されている。
蒸着法により発光層を形成する場合、金属製のマスク等を用いることによって各々の発光色を呈する発光素子に対応した発光層を作り分ける。この時、異なる発光色を呈する発光素子の発光層がマスクの縁から互いに回り込み混色してしまうこと等を防止するために、異なる発光色を呈し互いに隣接した発光素子の素子間の幅は２０〜３０μｍ程度で設けられている。
しかし、図７に示すような構成の発光装置とすることによって、同じ発光色を呈し互いに隣接した発光素子の素子間においては、混色の防止について考慮する必要がないため、異なる発光色を呈し互いに隣接した発光素子よりも素子間の幅を狭くすることができる。従って、各々の発光素子の発光面積（発光を取り出すことのできる電極面の面積）を拡大することができ、その結果、発光効率、特に発光の取り出し効率を高くすることができる。
なお、図７に示す画素は、正方形の形状をしているが、これに限らず円状のもの等でもよい。特に円状にした場合には、発光素子の劣化が進行しにくいという効果が得られる。
以上のような構成を有する本発明を適用した発光装置は、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制されたものである。また、表示可能な色が増加し、発光装置の色再現範囲が広がったものである。
本実施例では、本発明を適用した発光装置の断面構造について説明する。但し、本発明の発光装置の構造および発光装置を構成する物質等は、本実施例に示すものに限定されるものではない。
図８において、点線で囲まれているのは、発光素子１２を駆動するために設けられているトランジスタ１１である。なお、発光素子１２は実施例１に示す第１の発光素子３０１ａ〜第４の発光素子３０１ｄのいずれかに該当し、トランジスタ１１は、実施例１に示す駆動用トランジスタ３２１ａ〜駆動用トランジスタ３２１ｄのいずれか一に該当する。発光素子１２は第１の電極１３と第２の電極１４とこれらの電極に挟まれた発光層１５で構成されている。トランジスタ１１のドレインと第１の電極１３とは、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ、１６ｃ）を貫通している配線１７によって電気的に接続されている。また、発光素子１２は、隔壁層１８によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。このような構成を有する本発明の発光装置は、本実施例において、基板１０上に設けられている。
発光素子１２において発光層１５は、発光体とキャリア輸送性に優れた物質とを組み合わせた混合層と、キャリア（電子・正孔）輸送性に優れた物質からなる層と、キャリア注入性に優れた物質からなる層とを積層した複数の層からなる。発光素子１２の発光色は、発光層１５中に含まれる発光体によって決まる。なお、発光層１５を構成する物質の組み合わせは、発光素子ごとに異なっていてもよい。なお、発光体としては、実施の形態において示したものを用いればよい。また、キャリア輸送性に優れた物質のうち、特に電子輸送性に優れた物質としては、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ3）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ3）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また正孔輸送性に優れた物質としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物が挙げられる。また、キャリア注入性に優れた物質のうち、特に電子注入性に優れた物質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。また、この他、Ａｌｑ3のような電子輸送性の高い物質とマグネシウム（Ｍｇ）のようなアルカリ土類金属との混合物であってもよい。また、正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物（ＭｏＯｘ）やバナジウム酸化物（ＶＯｘ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）、タングステン酸化物（ＷＯｘ）、マンガン酸化物（ＭｎＯｘ）等の金属酸化物が挙げられる。また、この他、フタロシアニン（略称：Ｈ2Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物が挙げられる。
なお、トランジスタ１１はトップゲート型のものである。但し、トランジスタ１１の構造については、特に限定はなく、例えば図９（Ａ）に示すような逆スタガ型のものでもよい。また逆スタガ型の場合には、図９（Ｂ）のようにチャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし、或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。なお、２１はゲート電極、２２はゲート絶縁膜、２３は半導体層、２４はｎ型の半導体層、２５は電極、２６は保護膜である。
また、トランジスタ１１を構成する半導体層は、結晶性、非結晶性のいずれのものでもよい。また、セミアモルファス等でもよい。
なお、セミアモルファスな半導体とは、次のようなものである。非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるものである。また少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでいる。ラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。所謂微結晶半導体（マイクロクリスタル半導体）とも言われている。珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪化物気体としては、ＳｉＨ4、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることができる。この珪化物気体をＨ2、又は、Ｈ2とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下とする。なお、セミアモルファスなものを有する半導体を用いたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の移動度はおよそ１〜１０ｍ2／Ｖｓｅｃとなる。
また、半導体層が結晶性のものの具体例としては、単結晶または多結晶性の珪素、或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。
なお、半導体層が非晶質の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合には、トランジスタ１１およびその他のトランジスタ（発光素子を駆動するための回路を構成するトランジスタ）は全てＮチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置であることが好ましい。それ以外については、Ｎチャネル型またはＰチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でもよい。
さらに、第１層間絶縁膜１６は、図８（Ａ）、（Ｃ）に示すように多層でもよいし、または単層でもよい。なお、１６ａは酸化珪素や窒化珪素のような無機物から成り、１６ｂはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、または塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、１６ｃはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第１層間絶縁膜１６は、無機物と有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
隔壁層１８は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ましい。また隔壁層１８は、アクリルやシロキサン、レジスト、酸化珪素等を用いて形成される。なお隔壁層１８は、無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよいし、または両方を用いて形成されたものでもよい。
なお、図８（Ａ）、（Ｃ）では、第１層間絶縁膜１６のみがトランジスタ１１と発光素子１２の間に設けられた構成であるが、図８（Ｂ）のように、第１層間絶縁膜１６（１６ａ、１６ｂ）の他、第２層間絶縁膜１９（１９ａ、１９ｂ）が設けられた構成のものであってもよい。図８（Ｂ）に示す発光装置においては、第１の電極１３は第２層間絶縁膜１９を貫通し、配線１７と接続している。
第２層間絶縁膜１９は、第１層間絶縁膜１６と同様に、多層でもよいし、または単層でもよい。１９ａはアクリルやシロキサン（シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む物質）、塗布成膜可能な酸化珪素等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、１９ｂはアルゴン（Ａｒ）を含む窒化珪素膜から成る。なお、各層を構成する物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第２層間絶縁膜１９は、無機物と有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機膜のいずれか一で形成されたものでもよい。
発光素子１２において、第１の電極１３および第２の電極１４がいずれもインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ａ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側と第２の電極１４側の両方から発光を取り出すことができる。また、第２の電極１４のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｂ）の白抜きの矢印で表されるように、第２の電極１４側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第１の電極１３は反射率の高い材料で構成されているか、または反射率の高い材料から成る膜（反射膜）が第１の電極１３の下方に設けられていることが好ましい。また、第１の電極１３のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図８（Ｃ）の白抜きの矢印で表されるように、第１の電極１３側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第２の電極１４は反射率の高い材料で構成されているか、または反射膜が第２の電極１４の上方に設けられていることが好ましい。
また、発光素子１２は、第１の電極１３が陽極として機能し、第２の電極１４が陰極として機能する構成であってもよいし、或いは第１の電極１３が陰極として機能し、第２の電極１４が陽極として機能する構成であってもよい。但し、前者の場合、トランジスタ１１はＰチャネル型トランジスタであり、後者の場合、トランジスタ１１はＮチャネル型トランジスタである。
以上のような構成を有する本発明を適用した発光装置は、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制されたものである。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がったものである。
本実施例では、図４に示したものと異なる回路構成を有する発光素子について図１０を用いて説明する。
図１０に示すように、発光素子８０１には、各々の発光素子を駆動するための回路が接続されている。当該回路は、映像信号によって発光素子８０１の発光・非発光を決定する駆動用トランジスタ８２４と、前記映像信号の入力を制御するスイッチング用トランジスタ８２２と、前記映像信号に関わらず発光素子８０１を非発光状態にする消去用トランジスタ８２３と、発光素子８０１に供給される電流の大きさを制御するための電流制御用トランジスタ８２１とを有する。ここで、スイッチング用トランジスタ８２２のソース（又はドレイン）はソース信号線８３１と接続し、駆動用トランジスタ８２４のソース及び消去用トランジスタ８２３のソースはソース信号線８３１と並列するように延びた電流供給線８３２と接続し、スイッチング用トランジスタ８２２のゲートは第１の走査線８３３と接続し、第１の走査線８３３と並列に延びた消去用トランジスタ８２３のゲートは第２の走査線８３４と接続している。また、駆動用トランジスタ８２４と発光素子８０１と間に電流制御用トランジスタ８２１を挟み、直列に接続している。電流制御用トランジスタ８２１のゲートは、電源線８３５に接続している。なお、電流制御用トランジスタ８２１は、電圧−電流（Ｖｄ−Ｉｄ）特性における飽和領域において電流が流れるように構成、制御されたものであり、これによって、当該電流制御用トランジスタ８２１に流れる電流値の大きさを決定することができる。
発光素子８０１が発光するときの駆動方法について説明する。書き込み期間において第１の走査線８３３が選択されると、第１の走査線８３３にゲートが接続されているスイッチング用トランジスタ８２２がオンになる。そして、ソース信号線８３１に入力された映像信号が、スイッチング用トランジスタ８２２を介して駆動用トランジスタ８２４のゲートに入力さる。さらに、駆動用トランジスタ８２４と、電源線８３５からの信号を受けてオン状態になった電流制御用トランジスタ８２１とを介して電流供給線８３２から発光素子８０１へ電流が流れ、発光に至る。このとき、発光素子へ流れる電流の大きさは、電流制御用トランジスタ８２１によって決まる。
なお、図１０では、ひとつの発光素子８０１について記載しているが、本実施例の発光装置では、当該発光素子に接続されたものと同じ回路によって動作する発光素子が、図４と同様に４つ並んで配置され、これらを一組とした複数の画素が配列されている。なお、一画素内に含まれる発光素子は、それぞれ異なる発光色を呈するものである。
図１１は、本実施例に示すような回路構成を有する発光装置の画素部の上面図である。図１１では、画素部の一部のみを図示している。なお、発光装置の画素部の構成は、図１１に示したものに、限定されるものではなく、その他の構成のものであってもよい。図１１において、９１は半導体層、９２は、電流制御用トランジスタ８２１、スイッチング用トランジスタ８２２、消去用トランジスタ８２３、駆動用トランジスタ８２４や第１の走査線８３３、８３４等のゲート（ゲート電極）として機能する導電膜、９３はソース信号線８３１、電流供給線８３２、電源線８３５等として機能する導電膜である。また、９４は、一対の電極間に発光層が挟まれた積層構造を有する部分である。
以上のような構成を有する本発明を適用した発光装置は、発光効率の低い発光素子や、人間の眼に対する感度の低い発光色の発光素子に係る負担を軽減することにより、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制されたものである。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がったものである。
実施例１〜４で示したような、本発明を適用した発光装置は、外部入力端子の装着および封止後、各種電子機器に実装される。
本発明を適用した電子機器は、本発明を適用した発光装置ことによって、発光素子の劣化やそれに起因した画質の低下を抑制され、良好な表示を得ることができるものである。また、表示可能な色が増加し、色再現範囲が広がったものである。
本実施例では、本発明を適用した発光装置およびその発光装置を実装した電子機器について図１２、１３を用いて説明する。但し、図１２、１３に示したものは一実施例であり、発光装置および電子機器の構成はこれに限定されるものではない。
図１２は、本発明を適用した発光装置の封止後の断面図である。なお、図１２の上面模式図が先に説明した図３に該当する。トランジスタおよび本発明の発光素子とを間に挟むように基板６５００および封止基板６５０１とがシール材６５０２によって貼り合わされている。また基板６５００の端部には外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６５０３が装着されている。なお、基板６５００と封止基板６５０１とに挟まれた領域には、窒素などの不活性ガスまたは樹脂材料で充填された状態となっている。
本発明を適用した発光装置を実装した電子機器の一実施例を図１３に示す。
図１３は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５０３、キーボード５５２４などによって構成されている。本発明の発光素子を有する発光装置をパーソナルコンピュータに組み込むことで表示装置を完成できる。
なお、本実施例では、ノート型のパーソナルコンピュータについて述べているが、この他に携帯電話やテレビ受像機、カーナビゲイション、或いは照明機器等に本発明の発光素子を有する発光装置を実装しても構わない。
１０１ 第１の発光素子
１０２ 第２の発光素子
１０３ 第３の発光素子
１０４ 第４の発光素子
１１０ 画素
１５１ 点線
１５２ 点線
１５３ 点線
１５４ 点線
１５５ 点線
１５６ 点線
１６１ 点線
１６２ 点線
１６３ 点線
１２１ 駆動用トランジスタ
１２２ スイッチング用トランジスタ
１２３ 消去用トランジスタ
１３１ ソース信号線
１３２ 電流供給線
１３３ 第１の走査線
１３４ 第２の走査線
３０１ 画素
３０１ａ 第１の発光素子
３０１ｂ 第２の発光素子
３０１ｃ 第３の発光素子
３０１ｄ 第４の発光素子
３１０ 画素
３２１ 駆動用トランジスタ
３２２ スイッチング用トランジスタ
３２３ 消去用トランジスタ
３３１ ソース信号線
３３２ 電流供給線
３３３ 第１の走査線
３３４ 第２の走査線
５０１ サブフレーム
５０２ サブフレーム
５０３ サブフレーム
５０４ サブフレーム
５０１ａ 書き込み期間
５０２ａ 書き込み期間
５０３ａ 書き込み期間
５０４ａ 書き込み期間
５０１ｂ 保持期間
５０２ｂ 保持期間
５０３ｂ 保持期間
５０４ｂ 保持期間
５０１ｃ 期間
５０４ｄ 消去期間
７０１ 第１の発光素子
７０２ 第２の発光素子
７０３ 第３の発光素子
７０４ 第４の発光素子
７０５ 画素
７０６ 点線
１０２ 第２の発光素子
１０３ 第３の発光素子
１０４ 第４の発光素子
１１０ 画素
１５１ 点線
１５２ 点線
１５３ 点線
１５４ 点線
１５５ 点線
１５６ 点線
１６１ 点線
１６２ 点線
１６３ 点線
１２１ 駆動用トランジスタ
１２２ スイッチング用トランジスタ
１２３ 消去用トランジスタ
１３１ ソース信号線
１３２ 電流供給線
１３３ 第１の走査線
１３４ 第２の走査線
３０１ 画素
３０１ａ 第１の発光素子
３０１ｂ 第２の発光素子
３０１ｃ 第３の発光素子
３０１ｄ 第４の発光素子
３１０ 画素
３２１ 駆動用トランジスタ
３２２ スイッチング用トランジスタ
３２３ 消去用トランジスタ
３３１ ソース信号線
３３２ 電流供給線
３３３ 第１の走査線
３３４ 第２の走査線
５０１ サブフレーム
５０２ サブフレーム
５０３ サブフレーム
５０４ サブフレーム
５０１ａ 書き込み期間
５０２ａ 書き込み期間
５０３ａ 書き込み期間
５０４ａ 書き込み期間
５０１ｂ 保持期間
５０２ｂ 保持期間
５０３ｂ 保持期間
５０４ｂ 保持期間
５０１ｃ 期間
５０４ｄ 消去期間
７０１ 第１の発光素子
７０２ 第２の発光素子
７０３ 第３の発光素子
７０４ 第４の発光素子
７０５ 画素
７０６ 点線
Claims (8)
- マトリクス状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、
赤を発光する第１の発光素子と、
緑を発光する第２の発光素子と、
青を発光する第３の発光素子と、
中間色を発光する第４の発光素子と、
を含むことを特徴とする発光装置。 - マトリクス状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、
ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２５以上０．５以下の領域に座標を有する色を発光する発光素子を
含むことを特徴とする発光装置。 - マトリクス状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、
ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．６以上、ｙが０．３５以下の領域に座標を有する色を発光する第１の発光素子と、
ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．３以下、ｙが０．６以上の領域に座標を有する色を発光する第２の発光素子と、
ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１５以下、ｙが０．２以下の領域に座標を有する色を発光する第３の発光素子と、
ＣＩＥ−ＸＹＺ表色系で表したときに、色度図のｘが０．１以下、ｙが０．２５以上０．５以下の領域に座標を有する色を発光する第４の発光素子と、
を含むことを特徴とする発光装置。 - マトリクス状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、
赤を発光する第１の発光素子と、
緑を発光する第２の発光素子と、
青を発光する第３の発光素子と、
中間色を発光する第４の発光素子とを含み、
前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子と、前記第３の発光素子と、前記第４の発光素子とは、それぞれ独立に発光輝度を制御され、
前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子と、前記第３の発光素子と、前記第４の発光素子からの発光を組み合わせることによって
多色からなる画像を表示することを特徴とする発光装置。 - 発光色が同じであり、行方向および列方向に２つずつ並べて配置された４つの発光素子を一組として含む複数の群を有することを特徴とする発光装置。
- 発光色の異なる複数の発光素子を有し、
第１の色を発光する４つの第１の発光素子を含み、前記第１の発光素子を行方向および列方向に２つずつ並べて配置した第１の群と、
第２の色を発光する４つの第２の発光素子を含み、前記第２の発光素子を行方向および列方向に２つずつ並べて配置した第２の群と、
第３の色を発光する４つの第３の発光素子を含み、前記第３の発光素子を行方向および列方向に２つずつ並べて配置した第３の群と、
第４の色を発光する４つの第４の発光素子を含み、前記第４の発光素子を行方向および列方向に２つずつ並べて配置した第４の群と、
を有し、
前記第１の群と、前記第２の群と、前記第３の群と、前記第４の群の４群は、行方向及び列方向に２群ずつ並べて配置されており、
同一の群に含まれ隣接した発光素子の素子間の幅は、それぞれ異なる群に含まれ隣接した発光素子の素子間の幅よりも小さい
ことを特徴とする発光装置。 - 互いに隣接した第１の画素と第２の画素とを有し、
前記第１の画素は、第１の色を発光する第１の発光素子と、第２の色を発光する第２の発光素子と、第３の色を発光する第３の発光素子と、第４の色を発光する第４の発光素子とを含み、
前記第２の画素は、前記第１の色を発光する第５の発光素子と、前記第２の色を発光する第６の発光素子と、前記第３の色を発光する第７の発光素子と、前記第４の色を発光する第８の発光素子とを含み、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とは隣接し、
前記第１の発光素子と前記第５の発光素子とは隣接し、
前記第２の発光素子と前記第６の発光素子とは隣接し、
前記第１の発光素子と前記第５の発光素子との素子間の幅および前記第２の発光素子と前記第６の発光素子との素子間の幅は、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との素子間の幅よりも
狭いことを特徴とする発光装置。 - 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置を含む電子機器。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007086178A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | カメラのストロボ装置及び撮像装置 |
| JP2007122033A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| JP2010238676A (ja) * | 2003-12-12 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| WO2011024705A1 (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | 表示装置およびカラーフィルタ基板 |
| JP2012504852A (ja) * | 2008-10-01 | 2012-02-23 | ユニバーサル・ディスプレイ・コーポレーション | 新規のｏｌｅｄディスプレイ構造 |
| US8278817B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of picture elements and electronic device with display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001306023A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置 |
-
2004
- 2004-12-10 JP JP2004358476A patent/JP4712366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001306023A (ja) * | 2000-04-18 | 2001-11-02 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9214493B2 (en) | 2003-12-12 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2010238676A (ja) * | 2003-12-12 | 2010-10-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| US8791629B2 (en) | 2003-12-12 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device including pixel the pixel including sub-pixels |
| US8334645B2 (en) | 2003-12-12 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device emitting four specific colors |
| JP2007086178A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | カメラのストロボ装置及び撮像装置 |
| US8278817B2 (en) | 2005-09-30 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of picture elements and electronic device with display device |
| US9887236B2 (en) | 2005-09-30 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US8629612B2 (en) | 2005-09-30 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with a plurality of pixels and electronic device with display device |
| US11996436B2 (en) | 2005-09-30 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9099374B2 (en) | 2005-09-30 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2007122033A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
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