JP2005194599A - プラズマ溶射装置および同装置における溶射粒子温度の検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】溶射施工点における溶射粒子の温度を把握することが可能なプラズマ溶射装置ならびにプラズマ溶射装置における溶射粒子温度の検出方法を提供する。
【解決手段】所定の温度計測位置に温度検出手段9を配設し、溶射ガン2を温度検出手段9による温度検出ポイントから所定の溶射距Lだけ離れた位置に位置決めするようにしている。溶射施工点Pにおける溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を精度良く検出して、溶射皮膜の膜厚や膜質の適正な管理に役立てることができる。
【選択図】図1
【解決手段】所定の温度計測位置に温度検出手段9を配設し、溶射ガン2を温度検出手段9による温度検出ポイントから所定の溶射距Lだけ離れた位置に位置決めするようにしている。溶射施工点Pにおける溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を精度良く検出して、溶射皮膜の膜厚や膜質の適正な管理に役立てることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、ガスタービンの構成部材である動翼、静翼、燃焼器等の遮熱コーティングに採用して好適なプラズマ溶射装置および同装置における溶射粒子温度の検出方法に関するものである。
発電用ガスタービンの構成部材である静翼、動翼、燃焼器等は、耐熱性を向上するために、酸化物セラミックス等からなる遮熱コーティング(Thermal Barrier Coating,TBC)をその表面に施すことが多い。(例えば、特許文献1)
上記遮熱コーティング 膜をプラズマ溶射装置によって形成する場合、適正な膜厚および膜質が得られるように、溶射距離、粉末材料供給量、プラズマガス流量、プラズマ電流等の溶射条件が予め設定される。
2003−183754号公報
上記遮熱コーティング 膜をプラズマ溶射装置によって形成する場合、適正な膜厚および膜質が得られるように、溶射距離、粉末材料供給量、プラズマガス流量、プラズマ電流等の溶射条件が予め設定される。
しかし、上記設定された溶射条件は、予期できない内的要因や外的要因のために、その後において変化していることがある。この溶射条件の変化は、当然、コーティング皮膜の膜厚や膜質等に影響を及ぼすことになる。
本発明者らは、上記溶射条件の変化が溶射施工点における溶射粒子温度の変化をもたらし、これが、コーティングされる溶射皮膜の膜厚や膜質等に影響を及ぼすという事実を見出し、上記膜厚や膜質等を適正に管理するためには、溶射施工点における溶射粒子の温度を把握する必要があるという知見を得た。
本発明者らは、上記溶射条件の変化が溶射施工点における溶射粒子温度の変化をもたらし、これが、コーティングされる溶射皮膜の膜厚や膜質等に影響を及ぼすという事実を見出し、上記膜厚や膜質等を適正に管理するためには、溶射施工点における溶射粒子の温度を把握する必要があるという知見を得た。
そこで、本発明の目的は、溶射施工点における溶射粒子の温度を把握することが可能なプラズマ溶射装置ならびにプラズマ溶射装置における溶射粒子温度の検出方法を提供することにある。
本発明に係るプラズマ溶射装置は、上記目的を達成するため、所定の温度計測位置に配設した温度検出手段と、溶射施工点における溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を前記温度検出手段に検出させるため、溶射ガンを前記温度検出手段による温度検出ポイントから所定の溶射距離だけ離れた位置に位置決めする位置決め手段と、を備えた構成を有する。
このプラズマ溶射装置は、前記温度検出手段の検出温度を表示する表示手段をさらに備えることができる。また、所定の目標温度と前記温度検出手段の検出温度との偏差をとり、この温度偏差が所定の許容範囲を超える場合にアラームを発生する手段をさらに備えても良い。
前記溶射粒子温度の調整手段と、所定の目標温度と前記温度検出手段の検出温度との偏差をとり、この温度偏差がなくなるように前記溶射粒子温度の調整手段を制御する手段と、をさらに備えることができる。この場合、前記温度調整手段は、プラズマガス流量を調整する手段とプラズマ電流を調整する手段の内の少なくとも一方であって良い。
本発明に係るプラズマ溶射装置における溶射粒子温度の検出方法は、所定の温度計測位置に温度検出手段を配設するステップと、溶射施工点における溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を前記温度検出手段に検出させるため、溶射ガンを前記温度検出手段による温度検出ポイントから所定の溶射距離だけ離れた位置に位置決めするステップと、を含むことを特徴としている。
本発明によれば、所定の温度計測位置に温度検出手段を配設し、溶射ガンを前記温度検出手段による温度検出ポイントから所定の溶射距離だけ離れた位置に位置決めするようにしているので、溶射施工点における溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を精度良く検出して、溶射皮膜の膜厚や膜質の適正な管理に役立てることができる。
図1は、本発明に係るプラズマ溶射装置の実施の形態を示す概略図である。このプラズマ溶射装置は、ロボット1に取付けられた溶射ガン2と、この溶射ガン2に接続された溶射装置本体3と、溶射制御部4とを備えている。溶射制御部4は、溶射装置本体3に内蔵された図示していない粉末材料フィーダ、ガス流量制御部、プラズマ発生用電源等を制御して、粉末材料の供給量、プラズマガス流量、プラズマ電流等を所定の溶射条件に適合する値に設定する。
このプラズマ溶射装置においては、熱源であるプラズマフレーム5内に投入された粉末材料の粒子6(以下、溶射粒子という)がこのプラズマフレーム5によって加速及び加熱される。したがって、溶射ガン2の前方に位置された母材たる被溶射物7(例えば、ガスタービンの構成部品)には、上記溶射粒子が高速で衝突してスプラットが形成される。この結果、被溶射物7の表面には、堆積したスプラットからなる溶射皮膜8が形成される。
ところで、上記のようにして形成される溶射皮膜8の厚さ(mm)および堆積量(g)は、溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度に応じてそれぞれ図2に例示した曲線aおよびbのように変化する。つまり、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度は、溶射皮膜8の厚さおよび堆積量に影響を与える。また、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度は、溶射皮膜8の膜質にも影響を及ぼす。したがって、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度を把握することは、適正な溶射結果を得るための重要な要素になる。
本発明に係るプラズマ溶射装置は、上記の知見に基づき、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度を把握するための温度センサ9を設けている。
溶射粒子6の温度を計測する際には、ロボット1によって溶射ガン2が所定の温度計測位置まで移動される。温度センサ9は、溶射ガン2が上記温度計測位置まで移動されたときに、この溶射ガン2から距離Lだけ離間して位置するようにその配設位置が設定されている。上記距離(溶射距離)Lは、実際の溶射作業時における溶射ガン2と被溶射物7の施工点Pとの間の距離に相当している。したがって、溶射ガン2を上記計測位置まで移動したときに温度センサ9によって検出される温度は、実際の溶射作業時における上記施工点Pでの溶射粒子6の温度に相当することになる。
溶射粒子6の温度を計測する際には、ロボット1によって溶射ガン2が所定の温度計測位置まで移動される。温度センサ9は、溶射ガン2が上記温度計測位置まで移動されたときに、この溶射ガン2から距離Lだけ離間して位置するようにその配設位置が設定されている。上記距離(溶射距離)Lは、実際の溶射作業時における溶射ガン2と被溶射物7の施工点Pとの間の距離に相当している。したがって、溶射ガン2を上記計測位置まで移動したときに温度センサ9によって検出される温度は、実際の溶射作業時における上記施工点Pでの溶射粒子6の温度に相当することになる。
ロボット制御部10は、溶射ガン2を施工位置に移動させるプログラムの他、溶射作業の開始前等に溶射ガン2を上記計測位置まで移動させるプログラムを備えている。したがって、溶射作業の開始前等に、上記施工点Pでの溶射粒子6の温度に相当する温度を温度センサ9に検出させることができる。なお、ロボット1を手動操作して溶射ガン2を上記計測位置まで移動させることも当然可能である。
上記施工点Pでの粒子温度は、主として、プラズマガス流量、プラズマ電流、溶射距離Lに依存する。
すなわち、例えば、プラズマガスがアルゴンと水素の混合ガスである場合、アルゴンを一定として水素の量を変化させた場合、図3に例示するように、この水素の量の増加に伴って上記溶射粒子6の温度が高くなる傾向を示す。また、溶射粒子温度は、プラズマ電流の増加に伴って高くなる傾向を示すとともに(図4参照)、溶射距離Lの増加に伴って減少する傾向を示す(図5参照)。
すなわち、例えば、プラズマガスがアルゴンと水素の混合ガスである場合、アルゴンを一定として水素の量を変化させた場合、図3に例示するように、この水素の量の増加に伴って上記溶射粒子6の温度が高くなる傾向を示す。また、溶射粒子温度は、プラズマ電流の増加に伴って高くなる傾向を示すとともに(図4参照)、溶射距離Lの増加に伴って減少する傾向を示す(図5参照)。
所望の膜厚および膜質の皮膜8を形成するための上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の目標温度は、予め実験等によって知られる。すなわち、実験によれば、例えば図6に示すような標準ポーラスTBC(遮熱性に優れる)としての組成を有する皮膜8aを形成する場合には、上記目標温度を1,200℃〜2,700℃(例えば、2,500℃)に設定すれば良いことが確認され、また、図7に示すような縦割れTBC(耐久性に優れる。歪にくく、剥がれにくい)としての組成を有する皮膜8bを形成する場合には、上記目標温度を3,000℃以上(例えば、3,200℃)に設定すれば良いことが確認された。
なお、ポーラス皮膜8aを形成する場合の適正溶射距離Lと縦割れ皮膜8bを形成する場合の適正溶射距離Lは相違し、前者のほうが後者よりも大きく設定される。
なお、ポーラス皮膜8aを形成する場合の適正溶射距離Lと縦割れ皮膜8bを形成する場合の適正溶射距離Lは相違し、前者のほうが後者よりも大きく設定される。
上記温度センサ9に接続された温度モニタ部11は、温度センサ9によって検出された溶射粒子6の温度を表示する適宜な表示器(図示せず)を備えている。したがって、オペレータは、その表示器の表示温度に基づいて、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度が適正であるか否かを把握することができる。
温度モニタ部11に上記目標温度と検出温度の偏差を演算する手段と、その温度偏差が許容範囲を越えている場合に作動するアラーム手段とを設けることも可能である。
上記記表示器の表示温度や上記アラーム手段の作動に基づいて、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度が適正でないことが認識された場合には、図3および図4に例示したような関係に基づいて、検出された溶射粒子6の実温度が上記目標温度に近づくように例えば上記プラズマガス流量、プラズマ電流のいずれか1つもしくは双方が調整される。
上記記表示器の表示温度や上記アラーム手段の作動に基づいて、上記溶射施工点Pにおける溶射粒子6の温度が適正でないことが認識された場合には、図3および図4に例示したような関係に基づいて、検出された溶射粒子6の実温度が上記目標温度に近づくように例えば上記プラズマガス流量、プラズマ電流のいずれか1つもしくは双方が調整される。
なお、図5に示したように、溶射距離Lも溶射粒子温度に大きく影響する。しかし、この溶射距離Lを変化させるには、ロボット1による溶射ガン2の移動プログラムを変更しなければならない。そこで、この実施の形態では、溶射粒子温度の調整要素としてプラズマガス流量および/またはプラズマ電流を採用している。このプラズマガス流量および/またはプラズマ電流の調整は、溶射制御部4に設けられた手動調整手段を用いて行うことができる。
上記プラズマガス流量および/またはプラズマ電流の調整が終了すると、再度、
溶射粒子6の温度が検出され、この温度が再び適正でないと判断された場合には、上記プラズマガス流量および/またはプラズマ電流の調整操作が再度実行される。そして、温度モニタ部11において目標温度と検出温度の偏差が許容範囲にあると確認された段階で、実際の被溶射物7に対する溶射が開始される。なお、ロボット制御部10は、上記温度偏差が許容範囲にあることを溶射作業開始のインターロック条件としてプログラム中に組み込むことができる。
溶射粒子6の温度が検出され、この温度が再び適正でないと判断された場合には、上記プラズマガス流量および/またはプラズマ電流の調整操作が再度実行される。そして、温度モニタ部11において目標温度と検出温度の偏差が許容範囲にあると確認された段階で、実際の被溶射物7に対する溶射が開始される。なお、ロボット制御部10は、上記温度偏差が許容範囲にあることを溶射作業開始のインターロック条件としてプログラム中に組み込むことができる。
ところで、上記温度偏差を用いて、この偏差が許容範囲に収まるように上記プラズマガス流量および/またはプラズマ電流を自動的に調整することも可能である。この場合、溶射制御部4には、例えば内蔵する前記ガス流量制御部の流量調整手段(例えば電磁サーボバルブ)を上記温度偏差に対応する制御信号で制御する制御系や、内蔵する前記プラズマ発生用電源を上記温度偏差に対応する制御信号で制御する制御系等が設けられる。
上記のように、この実施の形態によれば、適正な溶射粒子温度が得られるか否かを、つまり、適正な膜厚および膜質の溶射皮膜が形成されるか否かを、実際の溶射作業に先立って認識することができるので、不適正な膜厚および膜質の溶射皮膜が形成されることを回避することが可能になる。
図8は、まず縦割れ皮膜8bを成膜し、この縦割れ皮膜8b上にポーラス皮膜8aを成膜してなるハイブリッドTBCを示している。本実施の形態に係る溶射装置および溶射方法は、このようなハイブリッドTBCを形成する場合にも有効である。すなわち、縦割れ皮膜8bの成膜時における粒子温度と、ポーラス皮膜8aの成膜時における粒子温度とをそれぞれ個別に管理すること可能になるので、信頼性の高いハイブリッドTBCを形成することができる。なお、上記ハイブリッドTBCは、遮熱性と耐久性を併せ持つ。
1 ロボット
2 溶射ガン
3 溶射装置本体
4 溶射制御部
5 プラズマフレーム
6 溶射粒子
7 被溶射物
8 溶射皮膜
9 温度センサ
10 ロボット制御部
11 温度モニタ部
2 溶射ガン
3 溶射装置本体
4 溶射制御部
5 プラズマフレーム
6 溶射粒子
7 被溶射物
8 溶射皮膜
9 温度センサ
10 ロボット制御部
11 温度モニタ部
Claims (6)
- 所定の温度計測位置に配設した温度検出手段と、
溶射施工点における溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を前記温度検出手段に検出させるため、溶射ガンを前記温度検出手段による温度検出ポイントから所定の溶射距離だけ離れた位置に位置決めする位置決め手段と、
を備えることを特徴とするプラズマ溶射装置。 - 前記温度検出手段の検出温度を表示する表示手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ溶射装置。
- 所定の目標温度と前記温度検出手段の検出温度との偏差をとり、この温度偏差が所定の許容範囲を超える場合にアラームを発生する手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ溶射装置。
- 前記溶射粒子温度の調整手段と、
所定の目標温度と前記温度検出手段の検出温度との偏差をとり、この温度偏差がなくなるように前記溶射粒子温度の調整手段を制御する手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ溶射装置。 - 前記温度調整手段が、プラズマガス流量を調整する手段とプラズマ電流を調整する手段の内の少なくとも一方である請求項4に記載のプラズマ溶射装置。
- 所定の温度計測位置に温度検出手段を配設するステップと、
溶射施工点における溶射粒子温度に相当する溶射粒子温度を前記温度検出手段に検出させるため、溶射ガンを前記温度検出手段による温度検出ポイントから所定の溶射距離だけ離れた位置に位置決めするステップと、
を含むことを特徴とするプラズマ溶射装置における溶射粒子温度の検出方法。
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-
2004
- 2004-01-09 JP JP2004003646A patent/JP2005194599A/ja not_active Withdrawn
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