JP2023506455A - 金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造用途のためのプラズマガス体積流量測定及び制御システム - Google Patents

Abstract

ワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスのためのプラズマトーチへのガスの質量流量の調整及び体積流量の監視、体積流量の調整及び質量流量の監視並びに質量流量及び体積流量の両方の調整のためのシステム及び方法と、システムの１つ又は複数を使用する付加製造によって金属物体を製造するための方法とが提供される。

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、「ＶＯＬＵＭＥＴＲＩＣ ＰＬＡＳＭＡ ＧＡＳ ＦＬＯＷ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ ＡＮＤ ＣＯＮＴＲＯＬ ＳＹＳＴＥＭ ＦＯＲ ＭＥＴＡＬ－ＢＡＳＥＤ ＷＩＲＥ－ＰＬＡＳＭＡ ＡＲＣ ＡＤＤＩＴＩＶＥ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」という名称の、２０１９年１２月１３日に出願された米国仮特許出願第６２／９４８，１４８号明細書及びまた「ＶＯＬＵＭＥＴＲＩＣ ＰＬＡＳＭＡ ＧＡＳ ＦＬＯＷ ＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴ ＡＮＤ ＣＯＮＴＲＯＬ ＳＹＳＴＥＭ ＦＯＲ ＭＥＴＡＬ－ＢＡＳＥＤ ＷＩＲＥ－ＰＬＡＳＭＡ ＡＲＣ ＡＤＤＩＴＩＶＥ ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」という名称の、２０２０年１２月９日に出願された米国仮特許出願公開第１７／１１６，０９２号明細書に対する優先権を主張するものであり、これらの両方は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

本発明は、概して、機械的及び環境的要因に起因してガス密度が変動する間に溶融池への一貫した力をもたらすために、付加製造プロセスの融解工具へのガス流を制御し、且つ一貫して送給するためのシステム及び方法に関する。

チタン又はチタン合金で作製された構造化金属部品は、従来、ビレットから鋳造、鍛造又は機械加工することによって作製されている。これらの技法には、高価なチタン金属の材料使用量が多いこと、及び金属物体の造形でのリードタイムが長いことなど、多くの欠点がある。多くの場合、ニアネットシェイプとなる可能性のある物体の生産に使用することができる鋳造では、典型的には、凝固及び冷却速度を制御できないことに起因して材料品質が低下する。治工具コスト及び複雑な形状の物体を作製できないことは、従来の方法の別の欠点である。

十分に稠密な物理的物体は、高速プロトタイピング、高速製造、自由形状造形及び積層製造としても知られる製造技術である付加製造によって作製することができる。付加製造では、３次元物体をもたらすために材料を一度に一層ずつ連続して積層することにより、ニアネットシェイプ製品が作られる。この付加製造は、最終製品を生産するために材料を除去することによって材料のビレット又はブロックが加工される除去製造とは対照的である。

一部の付加製造プロセスでは、ワイヤ・アーク溶接プロセスが使用される。このプロセスは、一般的に、ワイヤ・アーク付加製造（ＷＡＡＭ）と称される。ＷＡＡＭは、３つの異なるプロセスを含む。ガスメタルアーク溶接（ＧＭＡＷ）では、トーチと略同軸の消耗ワイヤ電極と加工物金属との間に形成される電気アークが使用される。ガスタングステンアーク溶接（ＧＴＷＡ）及びプラズマアーク溶接（ＰＡＷ）は、３次元プリフォーム又は加工物を形成する目的のため、金属ワイヤなどの金属材料を加熱して溶融させるために、非消耗タングステン電極と不活性ガスとを使用して電離プラズマを発生させ得る点でＧＭＡＷと異なる。ガスタングステンアーク溶接及びプラズマアーク溶接では、イオン化は、直接移行型アークとして、単独で又は非消耗負性（タングステン）電極とアノードとの間のパイロットアークとの組み合わせにおいて、非消耗負性（タングステン）電極と加工物との間で起こる可能性がある。プリフォーム又は基板は、アノードとしての機能を果たすことができる。トーチの構成と、加工物に対するトーチとの相対的な位置及び配置により、溶融池に衝突するプラズマ柱がもたらされ得る。

付加製造のプラズマアーク溶接用途では、時間内のガス分子の数及び時間内のガス体積の両方が非常に重要である。理由は、両方の要因がプラズマアークの熱特性に影響を及ぼすためである。特に、ガス質量流量（単位時間当たりのガス分子の数）は、プラズマアークのイオン化度（すなわち利用可能なガス原子の総数に対するイオン化されたガス原子の数）に影響を及ぼす。ガス体積流量（単位時間当たりのガスの体積）は、プラズマアーク流の運動エネルギーと、溶融池への結果として生じる圧力とに影響を及ぼす。プラズマ柱が形成中に加工物に及ぼし得る圧力は、層均一性とプロセス再現性とに大きい影響を及ぼす可能性がある。プラズマ柱の圧力は、トーチに供給される不活性ガスの制御による影響を受ける可能性がある。金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスで現在使用されているガス流制御技術は、質量流量、すなわちプラズマトーチに供給される、時間単位当たりのガス分子の数を、供給ガスの圧力及び温度の標準条件を「想定」することによって測定して制御する。しかしながら、トーチに供給されるガスの密度は、単独での又は機械間の変動要因との組み合わせでの環境的変動に起因して大きく変化する可能性がある。

結果として、トーチにおいて供給されるガスの実際の体積流量と、プラズマ柱が加工物に及ぼし得る、結果として生じる圧力とは、製造中に大きく変動する可能性がある。これらの変動は、金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスによって生産される一貫性のない製品の形成をもたらす可能性がある。

したがって、当技術分野では、金属付加製造プロセスでの使用のための、プラズマにイオン化される不活性ガスのプラズマトーチへの流れを制御する改善された方法が必要とされている。

したがって、本明細書で説明する実施形態は、プラズマトーチへの不活性ガスの流れを制御するためのシステム及び方法であって、実際の体積流量を決定することができ、金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスで使用するためのプラズマアーク圧力及び溶融池ダイナミクスの調節を可能にすることができるシステム及び方法を対象とする。プラズマトーチへのガスの質量流量を調整し、且つその体積流量を監視するシステムが提供される。プラズマトーチへのガスの体積流量を調整し、且つその質量流量を監視するシステムが提供される。プラズマトーチへのガスの質量流量及び体積流量を調整するシステムが提供される。システム及び方法は、ガスホース又はガス管の温度変動など、アーク放射の乱れに起因するいかなるガス密度変動も測定及び／又は制御することができるように、プラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスを受け入れるためのプラズマトーチガス入口又はその近傍における生産チャンバの内側に位置し得る体積流量制御要素を含むことができる。プラズマトーチのガス入口又はその近傍の体積流量制御要素は、漏れなどに起因する質量流量減少の検出も可能にし得、質量流量についての２次診断用センサとしての機能を果たし得る。

本明細書で説明する実施形態の目的は、機械的若しくは環境的外乱又はその両方に起因してガス密度が変動しても、ワイヤプラズマアーク付加製造プロセス中に溶融池に一貫した力を提供することである。実施形態では、イオン化ガス又はプラズマを形成するプラズマトーチにおけるガスの体積流量を制御することにより、一貫した力を達成することができる。いくつかの実施形態では、プラズマトーチにおけるガスの体積流量の制御は、ガス供給源からのイオン化されるガスの質量流量を調節することにより、或いはガスの温度若しくは圧力又はその組み合わせを修正することで、プラズマトーチにおいてイオン化されるガスの密度を調節することにより、或いはイオン化されるガスの温度及び／又は圧力をプラズマトーチガス入口又はその近傍で調節することによる、プラズマトーチによってイオン化されるガスの体積流量との組み合わせにおける、ガス供給でイオン化されるガスの質量流量の調節の組み合わせにより達成することができる。

本明細書で説明する実施形態の目的は、溶融池ダイナミクスを改善し、したがって金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスによって生産されるプリフォームの幾何学的形状及び機械的特性を改善し、それにより一貫性及び品質を改善することである。

本明細書で提供される実施形態の別の目的は、プラズマトーチに供給される不活性ガスの様々な密度レベルにおいて、プラズマトーチのノズルからのプラズマアークのガス放出速度を目標放出速度に維持することにより、溶融池に一貫したプラズマアーク圧力（すなわち溶融池の単位面積当たりのアーク力）を及ぼすことである。

プラズマにイオン化される不活性ガスの、付加製造装置のプラズマトーチへの流れを制御するためのシステム及び方法が提供される。このシステムは、溶融池に及ぼされるプラズマアーク圧力の調節を可能にすることができ、したがって金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスを使用する物体造形中に溶融池ダイナミクスの修正を可能にすることができる。

付加製造装置のプラズマトーチへのガスの流れを制御するためのシステムが提供される。システムは、不活性ガスの供給源と、不活性ガスの供給源と流体連通する供給マニホールドと、供給マニホールドに接続された不活性ガスラインから不活性ガスを受け入れるためのガス入口及び不活性ガスをプラズマにイオン化するためのガスイオン化装置電磁場とを含むプラズマトーチとを含むことができる。システムは、温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットを含み得る感知キットを含むことができる。各ユニットは、供給マニホールドとガスイオン化装置電磁場との間の不活性ガスラインの位置に接続された１つ又は複数の感知コネクタと通信することができる。システムは、ガス供給マニホールドと流体連通し、且つガス供給マニホールドからの不活性ガスの流れを調整する制御弁も含み得る。

システムは、感知キットと通信するプロセスマスタコントローラを含むことができる。システムは、質量流量設定値若しくは体積流量設定値又は質量流量設定値及び体積流量設定値の両方をプロセスマスタコントローラに提供するパートプログラムを含むことができる。システムは、プロセスマスタコントローラで実行されている計算機能であって、実際の体積流量を計算する計算機能を含むことができる。システムは、プロセスマスタコントローラで実行されている質量流量制御機能を含むことができる。質量流量制御機能は、パートプログラムからの質量流量設定値を感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と比較することができ、且つ不活性ガスの質量流量を増加又は減少させて、質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差を減少させるように制御弁若しくは密度制御要素のいずれか又は制御弁及び密度制御要素の両方を調整することができる。

システムは、プロセスマスタコントローラで実行されている体積流量制御機能を含むことができる。体積流量制御機能は、パートプログラムからの体積流量設定値を計算機能からの計算された体積流量値と比較することができ、且つ不活性ガスの体積流量を増加又は減少させて、体積流量設定値と計算された体積流量値との間の差を減少させるように制御弁若しくは密度制御要素のいずれか又は制御弁及び密度制御要素の両方を調整する。

システムは、プロセスマスタコントローラで実行されている質量流量制御機能及び体積流量制御機能を含むことができる。質量流量制御機能は、パートプログラムからの質量流量設定値を感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と比較することができ、及び体積流量制御機能は、パートプログラムからの体積流量設定値を計算機能からの計算された体積流量値と比較し、且つプラズマトーチのガスイオン化装置電磁場に送給される不活性ガスの質量流量及び体積流量の両方を調節するように制御弁及び密度制御要素を調整することができる。

システムは、プロセスマスタコントローラで実行されている組み合わされた質量流量及び体積流量制御機能を含むことができる。質量流量及び体積流量制御機能は、パートプログラムからの質量流量設定値を感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と、及びパートプログラムからの体積流量設定値を計算機能からの計算された体積流量値と比較し、且つプラズマトーチのガスイオン化装置電磁場に送給される不活性ガスの質量流量及び体積流量の両方を調節するように制御弁及び密度制御要素を調整する。

本明細書で提供されるシステムでは、質量流量制御機能は、パートプログラムからの質量流量設定値を感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と比較することができ、且つ不活性ガスの質量流量を増加又は減少させて、プラズマトーチのガスイオン化装置電磁場に送給される不活性ガスの質量流量の質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差を減少させるように制御弁を調整することができる。また、体積流量制御機能は、パートプログラムからの体積流量設定値を計算機能からの計算された体積流量値と比較することができ、且つプラズマトーチのガスイオン化装置電磁場に送給される不活性ガスの体積流量を制御するように密度制御要素を調節することができる。

提供されるシステムでは、プロセスマスタコントローラは、ａ）質量流量制御機能が実行されている質量流量コントローラプロセッサ、又はｂ）体積流量制御機能が実行されている体積流量コントローラプロセッサ、又はｃ）計算機能が実行されている計算プロセッサ、又はｄ）ａ）とｂ）とｃ）との任意の組み合わせと更に通信することができる。プロセスマスタコントローラ、計算プロセッサ、体積制御プロセッサ及び質量流量制御プロセッサのいずれか１つ又は組み合わせは、データサーバと更に通信することができる。質量流量及び体積流量データは、データサーバに送信され得る。

本明細書で提供されるシステムでは、感知キットの温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットの各々の感知コネクタは、ガスマニホールド又は他の任意の種類のガス分配システムとプラズマトーチのガスイオン化装置電磁場との間の任意の場所に接続され得る。いくつかの構成では、感知キットの温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットの各々の感知コネクタは、プラズマトーチガス入口の近傍に接続され得る。いくつかの構成では、感知キットの温度測定ユニット及び圧力測定ユニットの各々の感知コネクタは、プラズマトーチ内に位置する。

本明細書で提供されるシステムは、プラズマトーチの入口に送給される不活性ガスの温度及び／又は圧力を制御する密度制御要素を含むことができる。いくつかの構成では、ガス密度修正器は、ａ）温度調整器及び温度センサ、又はｂ）圧力調整器及び圧力センサ、又はｃ）温度調整器、温度センサ、圧力調整器及び圧力センサ、又はｄ）ａ）とｂ）とｃ）との任意の組み合わせを含むことができる。ガス密度修正器が温度調整器を含む構成では、温度調整器は、加熱器を含むことができる。加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体若しくはそれらの組み合わせを含むことができるか、又は誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体若しくはそれらの組み合わせであり得る。いくつかの構成では、温度調整器は、冷却装置を更に含むことができる。冷却装置は、ａ）低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又はｂ）温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを温度調整器に通すための導管に接続されたファン、又はｃ）ａ）とｂ）との組み合わせを含むことができる。

圧力調整器を含むように構成されたシステムでは、圧力調整器は、圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を減少させるか、又は圧力調整器の容積を減少させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を増加させることができる可動プレナムチャンバを含むことができる。本明細書で提供されるシステムでは、制御要素は、プラズマトーチへの不活性ガスの速度を制御するように構成され得る。

本明細書で提供されるシステムでは、感知キットの温度測定ユニットは、温度センサを含むことができる。本明細書で提供されるシステムでは、感知キットの圧力測定ユニットは、圧力センサを含むことができる。本明細書で提供されるシステムでは、感知キットの質量流量測定ユニットは、質量流量センサを含むことができる。いくつかの構成では、感知コネクタは、プラズマトーチ及び／又は加工物からの放射の乱れを測定するために、付加製造システムの生産チャンバの内側且つプラズマトーチガス入口に位置決めされ得る。本明細書で提供されるシステムは、制御弁の上流に位置し、且つプロセスマスタコントローラと通信する質量流量計であって、マニホールドからの不活性ガスの質量流量の低下を検出することができる質量流量計を含むことができる。プロセスマスタ制御は、漏れを示すためにデータ監視システムに信号を送信する。

本明細書で提供されるシステムは、不活性ガスの供給源と、不活性ガスの供給源と流体連通する供給マニホールドと、不活性ガスを受け入れるためのガス入口を含むプラズマトーチと、ガス供給マニホールドと流体連通し、且つガス供給マニホールドからの不活性ガスの流れを調整する制御弁と、温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットを含む感知キットであって、各ユニットは、ガスマニホールド又は他の任意の種類のガス分配システムとプラズマトーチのガスイオン化装置電磁場との間の任意の場所に接続された感知コネクタと通信する、感知キットと、感知キットに接続され、且つ制御弁と通信するプロセッサ群であって、感知ユニットと通信するプロセスマスタコントローラと、感知キット及びプロセスマスタコントローラと通信する計算プロセッサであって、実際の体積流量を計算する計算プロセッサと、ａ）プロセスマスタコントローラと通信する質量流量コントローラ、又はｂ）プロセスマスタコントローラと通信する体積流量コントローラ、又はｃ）プロセスマスタコントローラと通信する質量流量コントローラ及び体積流量コントローラとを含むプロセッサ群と、質量流量設定値若しくは体積流量設定値又は質量流量設定値及び体積流量設定値の両方をプロセスマスタコントローラに提供するパートプログラムとを含むことができる。質量流量コントローラは、パートプログラムからの質量流量設定値を感知キットからの実際の質量流量値と比較し、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差を減少させるように制御弁を調整するか、又は体積流量コントローラは、パートプログラムからの体積流量設定値を計算プロセッサからの計算された体積流量値と比較し、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、体積流量設定値と計算された体積流量値との間の差を減少させるように制御弁を調整する。感知コネクタは、プラズマトーチガス入口に接続され得るか、又はその近傍に接続され得る。

感知キットの構成要素は、離隔され得る。要素は、不活性ガスラインの異なる部分に埋め込まれ得る。例えば、感知キットの質量流量測定ユニットは、不活性ガスラインの任意の部分に沿って位置することができる。加えて、温度測定ユニット及び圧力測定ユニットは、ガスラインに沿って又はプラズマトーチの内側に位置することができる。複数の感知コネクタは、入口ガスラインに沿って位置決めされ得る。

システムでは、プロセッサ群は、質量流量コントローラを含むことができる。質量流量コントローラは、制御弁と更に通信することができ、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差を減少させるように制御弁を調整することができる。システムでは、プロセッサ群は、体積流量コントローラを含むことができる。体積流量コントローラは、制御弁と更に通信することができ、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、体積流量設定値と計算された体積流量値との間の差を減少させるように制御弁を調整する。プロセッサ群は、異なるタスクを並行して実行するプロセッサの組であり得るか、又は様々な機能をサポートするためにタスクの組を並行して実行する、プロセスマスタコントローラなどの１つのマスタプロセッサであり得る。

プラズマにイオン化される、目標体積流量の不活性ガスをプラズマトーチに送給する方法も提供される。本方法は、不活性ガス供給マニホールドに取り付けられた制御弁を通して、ガス供給マニホールドからプラズマトーチの入口に不活性ガスを提供することと、入口又はその近傍の不活性ガスの温度、質量流量及び圧力を測定することと、入口又はその近傍の不活性ガスの実際の体積流量を計算することと、実際の体積流量を目標体積流量と比較して、差分値を生成することとを含む。差分値に基づいて、制御弁は、制御弁を通してプラズマトーチの入口に至る不活性ガスの質量流量を増加又は減少させるように調節され得るか、又は不活性ガスの密度は、不活性ガスの圧力及び／又は温度を増加又は減少させることにより、修正された不活性ガスをもたらし、且つ修正された不活性ガスをプラズマトーチの入口に導くように調節され得る。

本方法では、制御弁を調節することは、差分値に基づいて調節信号を生成することと、制御弁に取り付けられた駆動部に調節信号を送信することであって、駆動部は、調節信号に基づいて制御弁の開度を増加又は減少させる、送信することとを含むことができる。本方法では、不活性ガスの密度を調節することは、ａ）不活性ガスの温度を測定し、且つ差分値に応答して不活性ガスの温度を増加又は減少させること、又はｂ）不活性ガスの圧力を測定し、且つ差分値に応答して不活性ガスの圧力を増加又は減少させること、又はｃ）ａ）とｂ）との両方を含む。

本方法では、不活性ガスの温度を増加させることは、加熱器を含む温度調整器に不活性ガスを導くことと、加熱器を作動させることとを含むことができる。加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体又はそれらの組み合わせを含むことができる。本方法では、不活性ガスの温度を減少させることは、冷却装置を含み得る温度調整器に不活性ガスを導くことと、冷却装置を作動させることとを含むことができる。冷却装置は、低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又は温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを温度調整器に通すための導管に接続されたファン、低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又は温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを温度調整器に通すための導管に接続されたファンを含むことができる。

本方法では、プラズマトーチに送給される不活性ガスの圧力を増加又は減少させることは、不活性ガスを圧力調整器に導くことを含むことができる。圧力調整器は、圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を減少させるか、又は圧力調整器の容積を減少させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を増加させることができる可動プレナムチャンバを含むことができる。本方法では、不活性ガスは、アルゴンであり得る。

プラズマにイオン化される、目標体積流量の不活性ガスをプラズマトーチに送給する方法であって、本明細書で提供されるシステムを不活性ガス供給源に取り付けることと、システムを作動させることとを含む方法も提供される。

本明細書で説明する実施形態の追加の特徴及び利点は、以下の説明に記載されており、部分的にその説明から明らかになるか、又は本発明の実施により知ることができる。例示的な実施形態の目的及び他の利点は、本明細書及び特許請求の範囲並びに添付図面において特に指摘された構造により実現され達成されるであろう。

前述の概要及び以下の詳細な説明の両方は、例示的且つ説明的なものであると共に、特許請求される本発明の更なる解説を提供するように意図されていることを理解されたい。

本発明の更なる理解を提供するために含まれると共に、本明細書に組み込まれて本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の実施形態を図示し、本説明と共に本発明の原理を解説する役割を果たす。

プラズマトーチによってイオン化される不活性ガスの流れの例示的な実施形態を示す簡略図である。不活性ガスは、ガス供給マニホールドから、本明細書で提供される流量制御システムを通して、プラズマトーチを通して流れ、プラズマアークを生成し、不活性ガスの圧力を制御することができる。 ガス供給マニホールドから、本明細書で提供される流量制御システムを通って、温度センサと圧力センサとをプラズマトーチ内に含むプラズマトーチを通る、イオン化される不活性ガスの流れの例示的な実施形態を示す簡略図である。ガスは、イオン化電磁場の領域を通過してプラズマアークを生成し、ガスの圧力を制御することができる。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量の調整及び体積流量の監視のためのシステムの例示的な実施形態をブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、プロセッサ群は、別個の計算プロセッサ、プロセスマスタコントローラ及び質量流量コントローラを含む。質量流量コントローラは、制御弁と通信する。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量の調整のための例示的なシステムをブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、計算プロセッサ及び質量流量コントローラの制御タスクは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である単一のプロセスマスタコントローラである。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信して、質量流量制御指令を制御弁及び／又は密度制御要素に伝達する。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの体積流量の調整及び質量流量の監視のためのシステムの例示的な実施形態をブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、プロセッサ群は、別個の計算プロセッサ、プロセスマスタコントローラ及び体積流量コントローラを含む。体積流量コントローラは、制御弁及び密度制御要素と通信する。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量及び体積流量の両方の調整のための例示的なシステムをブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、計算プロセッサ及び体積流量コントローラの制御タスクは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である単一のプロセスマスタコントローラである。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信して、体積流量制御指令を制御弁及び／又は密度制御要素に伝達する。 ガスの温度を変化させることにより、不活性ガスの圧力を制御することができる密度制御要素の例示的な実施形態を示す簡略図である。 不活性ガスの圧力を制御するように不活性ガスの体積を調整することができるプレナムチャンバを含む、密度制御要素の例示的な実施形態を示す簡略図である。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量及び体積流量の両方の調整のための例示的なシステムをブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、プロセッサ群は、別個の計算プロセッサ、プロセスマスタコントローラ、体積流量コントローラ及び質量流量コントローラを含む。体積流量コントローラは、密度制御要素と通信する。質量流量コントローラは、制御弁と通信する。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量及び体積流量の両方の調整のための例示的なシステムをブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラの制御タスクは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である単一のプロセスマスタコントローラである。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信して、体積流量制御指令を密度制御要素に伝達し、質量流量制御指令を制御弁に伝達する。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量及び体積流量の両方の調整のための例示的なシステムをブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の実施形態では、計算プロセッサの制御タスク及び質量流量コントローラと体積流量コントローラとの組み合わせは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である単一のプロセスマスタコントローラである。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信して、質量流量及び体積流量制御指令を密度制御要素と制御弁とに伝達する。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量及び体積流量の両方の調整のためのシステムで使用できる例示的な単入力単出力（ＳＩＳＯ）コントローラをブロック図の形式で示すフローチャートである。図示の構成では、感知キットユニットからの質量流量誤差は、ＳＩＳＯ質量流量コントローラ機能に送られる。それに応じて、ＳＩＳＯ質量流量コントローラ機能は、指令弁位置を、質量流量コントローラ機能と通信する制御弁に送信する。感知キットユニットからの体積流量誤差は、ＳＩＳＯ体積流量コントローラ機能に送られる。それに応じて、ＳＩＳＯ体積流量コントローラ機能は、密度制御指令を、体積流量コントローラ機能と通信する密度制御要素に送信する。２つの並列ＳＩＳＯコントローラは、質量流量誤差と体積流量誤差とのいかなる結合も無視することができる。 付加製造システムのプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量及び体積流量の両方の調整のためのシステムで使用できる例示的な多入力多出力（ＭＩＭＯ）コントローラをブロック図の形式で示すフローチャートである。この構成は、２つの入力を有する多変数ＭＩＭＯコントローラを示す。１つは、質量流量誤差用であり、１つは、感知キットユニットから受信した体積流量誤差用である。ＭＩＭＯコントローラは、質量流量と体積流量との結合ダイナミクスを考慮することができる制御アルゴリズムを含むように構成される。ＭＩＭＯコントローラは、制御弁及び密度制御要素にそれぞれ送られる２つの出力、すなわち指令弁位置信号及び密度制御要素への指令動作信号を有する。この構成により、システムが個々の質量流量値及び体積流量値を個別に安定化させると共に、一方の変数が他方の変数に与える外乱に対処するか又は外乱を補償することが可能となり得る。したがって、この構成は、システム全体を安定化させることができる。

ここで、本発明の実施形態について詳細に言及し、実施形態の例を添付図面に図示する。

Ａ．定義
別段の定めのない限り、本明細書で使用される全ての技術的及び科学的用語は、本発明が属する当技術分野の当業者により一般的に理解されるのと同じ意味を有する。本明細書中の開示全体を通して参照される全ての特許、特許出願、公開出願及び刊行物、ウェブサイト並びに他の公開資料は、別段の断りのない限り、それらの全体が参照により組み込まれる。本明細書中の用語について複数の定義が存在する場合、本節のものが優先する。

本明細書で使用される場合、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」及び「その」は、文脈上別段の明確な指示のない限り、複数の指示対象を含む。

本明細書で使用される場合、範囲及び量は、「約」特定の値又は範囲として表すことができる。「約」は、正確な量も含む。したがって、「約５パーセント」とは、「約５パーセント」及び「５パーセント」も意味する。「約」とは、意図される用途又は目的に対する典型的な実験誤差の範囲内を意味する。

本明細書で使用される場合、「任意選択的な」又は「任意選択的に」とは、続いて説明される事象又は状況が起こるか又は起こらないことと、事象又は状況が起こる場合及び事象又は状況が起こらない場合がその説明に含まれることを意味する。例えば、システム内の任意選択的な構成要素は、その構成要素がシステム内に存在しても又はしなくてもよいことを意味する。

本明細書で使用される場合、「組み合わせ」とは、２つの項目間又は３つ以上の項目の中での任意の関係を指す。この関係は、空間的な関係であり得るか、又は共通の目的のための２つ以上の項目の使用を指す。

本明細書で使用される場合、「含む」、「包含する」及び「含有する」という用語は、同義語であり、包括的又は非限定的である。各用語は、追加の列挙されていない要素又は方法ステップを任意選択的に含めることができることを示す。

本明細書で使用される場合、「及び／又は」は、そのように等位接続された要素、すなわちいくつかの場合には接合的に存在し、他の場合には離接的に存在する要素の「いずれか又は両方」を意味する。「及び／又は」を用いて列挙された複数の要素は、同様に、すなわちそのように等位接続された要素の「１つ又は複数」と解釈されるべきである。「及び／又は」節により具体的に特定された要素以外の他の要素は、それらの具体的に特定された要素と関連するか又は関連しないかにかかわらず、任意選択的に存在し得る。したがって、非限定的な例として、「Ａ及び／又はＢ」への言及は、「含む」などの非限定的な用語と併せて使用される場合、一実施形態ではＡのみ（任意選択的にＢ以外の要素を含む）、別の実施形態ではＢのみ（任意選択的にＡ以外の要素を含む）、更に別の実施形態ではＡとＢとの両方（任意選択的に他の要素を含む）などを指すことができる。

本明細書で使用される場合、「付加製造」又は「ＡＭ」は、「付加造形」及び「付加層製造」としても知られており、物体の製造を層毎に実施する付加プロセスを指す。このプロセスでは、３Ｄモデルデータ、ワイヤ又は粉末などの金属源、金属源を溶融させるためのエネルギー源（プラズマアーク、レーザ又は電子ビームなど）を含む融解工具又はその組み合わせを用いることができる。

本明細書で使用される場合、「付加製造システム」とは、付加製造に使用される機械を指す。

本明細書で使用される場合、「指向性エネルギー堆積」又は「ＤＥＤ」とは、材料が堆積されるときの溶融により、材料、特に金属を融解するために熱源が使用される付加製造プロセスを指す。

本明細書で使用される「金属材料」という用語は、３次元物体を形成するために付加製造プロセスで用いることができる任意の既知の又は考えられる金属又は金属合金を指す。好適な材料の例としては、限定されるものではないが、チタン及びチタン合金、すなわちＴｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金などが挙げられる。

本明細書で使用される場合、「プラズマガス」とは、プラズマトーチの作用によりプラズマに変換される不活性ガスを指す。プラズマにイオン化される不活性ガスは、典型的には、アルゴンであるか、又はアルゴンとヘリウムとの組み合わせであり得る。

本明細書で使用される場合、「プラズマトーチ」とは、プラズマアーク溶接で使用できる任意の溶接トーチを指す。

本明細書で使用される場合、「プラズマアーク溶接トーチ」又は「ＰＡＷトーチ」とは、プラズマアーク溶接で使用できる溶接トーチを指す。トーチは、ガスが高温に加熱されプラズマを形成して導電性になり、次いでプラズマが電気アークを加工物に移行させ、及びアークの強烈な熱が金属を溶融させ、且つ／又は２つの金属片を互いに融着させることができるように設計される。ＰＡＷトーチは、アークを絞るためのノズルを含むことができ、それによりアークの出力密度を増加させる。プラズマにイオン化される不活性ガスは、典型的には、アルゴンである。ＰＡＷトーチは、典型的には、シールドガスを提供するための外側ノズルも有する。シールドガスは、アルゴン、ヘリウム又はそれらの組み合わせであり得る。シールドガスは、溶融金属の酸化を最小限に抑えることを補助する。ＰＡＷトーチは、プラズマ移行型アークトーチを含む。

本明細書で交換可能に使用される「プラズマ移行型アークトーチ」又は「ＰＴＡトーチ」という用語は、電場によりプラズマへの不活性ガス流を加熱して励起し、その後、ノズルを通して、電気アークを含むプラズマの流れを外に移送し、ノズルから外に延びてプラズマの強烈な熱を標的領域に伝達する抑制されたプルームを形成することができる、任意の装置を意味する。電極及び標的領域は、ＰＴＡトーチの電極がカソードになることができ、且つ標的領域がアノードになることができるように、直流電源などの電源に電気的に接続される。これにより、電気アークを含むプラズマプルームは、ＰＴＡトーチから供給される熱流束の面積の広がり及び大きさの優れた制御により、標的領域の小さい表面積に非常に集中した熱流を確実に送給することができる。プラズマ移行型アークは、ゆらぎがほとんどなく、カソードとアノードとの間の長さのずれに対して良好な耐性であり、安定しており、且つ一貫したアークを提供するという利点を有することができる。したがって、ＰＴＡトーチは、母材に溶融池を形成することと、金属ワイヤ供給材を加熱して溶融させることとの両方に好適である可能性がある。ＰＴＡトーチは、有利には、タングステンで作製された電極と、銅で作製されたノズルとを有し得る一方、ＰＴＡトーチの様々な部分を水冷することができる。しかしながら、本発明は、いかなる特定の選択若しくは種類のＰＴＡトーチ又はいかなる特定の構成のＰＴＡトーチにも拘束されない。ＰＴＡトーチとして機能できる任意の既知の又は考えられる装置が使用され得る。

本明細書で使用される場合、「プラズマトーチガス入口の近傍に」とは、プラズマアーク又は加工物からの電磁放射又はそのような電磁放射により生じる温度変動を測定できる、プラズマトーチのガス入口における又はガス入口付近の位置に位置することを意味する。ガスの流れ及び密度を測定するために不活性ガスの試料が採取される場所は、トーチ入口から数ミリメートル、数センチメートル又は数メートル離れている可能性がある。

本明細書で使用される「母材」という用語は、融解工具からの熱に対するターゲット材料であって、その上に溶融池を形成できるターゲット材料を指す。母材は、金属材料の第１の層を堆積させるときの保持基材となる。金属材料の１つ又は複数の層が保持基材上に堆積されたとき、母材は、金属材料の新たな層を堆積させる堆積した金属材料の上部層となる。

本明細書で使用される場合、「加工物」という用語は、立体自由形状造形を使用して生産される金属体を指す。

本明細書で使用される場合、「プリフォーム」とは、付加製造プロセスにより生産された加工物であり、最終完成部品の中間体であるか又は半完成部品である。プリフォームは、最終完成品に対するニアネットシェイプを有するが、最終完成品をもたらすために、高耐性構成への最終仕上げ加工など、最小限であっても、少なくともいくつかの更なる処理を必要とする。

本明細書で使用される場合、「融解工具」とは、付加製造プロセスにおいて金属材料若しくは加工物の表面の一部又はその両方を溶融させるための熱源を含む装置を指す。例としては、熱源としてプラズマアークを生成するＰＴＡトーチ、熱源としてレーザビームを生成するレーザ装置及び熱源として電子ビームを生成する電子ビーム装置が挙げられる。

本明細書で使用される場合、「ノズルからのガス放出速度」とは、ガスがプラズマトーチのノズルから外に単位時間当たりの距離でどの程度速く移動しているかを指す。

本明細書で交換可能に使用される「設計モデル」、又は「コンピュータ支援設計モデル」、又は「ＣＡＤモデル」という用語は、付加製造プロセスにより形成される物体の任意の既知の又は考えられる仮想ベクトル化積層３次元表現を指す。モデルは、例えば、まず物体を仮想平行層の組に分割し、次いで仮想平行層に従って堆積又は融着させた金属層により物体を形成するために付加製造システムのコントローラにより使用できる仮想準１次元部片の組に平行層の各々を分割することにより、３次元物体の仮想ベクトル化積層モデルを形成することにより得ることができる。

本明細書で使用される場合、「コントローラ」とは、付加製造システムの１つ又は複数の構成要素並びに付加製造システムの構成要素の関連するソフトウェア又はプログラムとの通信及び／又はこれらの制御に関与する任意の論理回路及び／又は処理要素を指す。コントローラは、コンピュータ及び／又はコンピュータメモリを含むことができる。

本明細書で使用される場合、「コンピュータ」は、限定されるものではないが、データを取り込み且つ／又は記憶することができる、ハードウェア及び／又はソフトウェア並びに１つ又は複数の電子機器又はソフトウェア制御機械装置と通信し、且つ／又はそれを制御するようにプログラムすることができる任意のプログラムを含むことができる。コンピュータは、限定されるものではないが、ＣＤ－ＲＯＭ、着脱可能なフラッシュメモリカード、ハードディスクドライブ又は磁気テープを含み得る非一時的なコンピュータ可読媒体を含むことができる。

本明細書で使用される場合、「コンピュータメモリ」とは、コンピュータにより取得され得るデジタルデータ又は情報を記憶できる構成可能な記憶要素を指す。

本明細書で使用される場合、「不活性雰囲気」とは、物体を覆って又は取り囲んで物体を周囲空気から隔離できる任意の既知の又は考えられるガス又はガス混合物を指す。不活性雰囲気は、酸素暴露から又は周囲雰囲気の成分による他の望ましくない化学作用を受けることから物体を保護することができる。例示的な不活性雰囲気は、１種又は複数の希ガスを含む。

本明細書で使用される場合、「溶融池」とは、付加製造中に形成されるある量の溶融金属を指す。

本明細書で使用される場合、「電磁力」とは、ガスをイオン化してプラズマを生成するために使用される、電磁場から生じるローレンツ力を指す。

本明細書で使用される場合、「電磁軸圧力」とは、溶融池の単位面積当たりの電磁力を指す。

本明細書で使用される場合、「プラズマ流力」とは、溶融池に向かって流れる流体としてのプラズマの運動量から生じる機械的外乱を指す。

本明細書で使用される場合、「プラズマ流軸圧力」とは、溶融池の単位面積当たりのプラズマ流力を指す。

本明細書で使用される場合、「プラズマアーク圧力」又は「全アーク圧力」とは、溶融池の単位面積当たりのアーク力を指す。

本明細書で使用される場合、「全アーク圧力」とは、電磁軸圧力とプラズマ流軸圧力との合計に等しい。

本明細書で使用される場合、「アーク力」とは、溶融池に向かって流れる流体としてのプラズマの質量により生じる機械的外乱に加えて、電磁力、すなわちガスをイオン化してプラズマを生成するために使用される電磁場により生じるローレンツ力を指す。

本明細書で使用される場合、「質量流量」とは、単位時間当たりにプラズマトーチに供給されるガス分子の数を指す。

本明細書で使用される場合、「体積流量」とは、単位時間当たりにプラズマトーチに供給されるガスの体積を指す。

本明細書で使用される場合、「よどみ点圧力」又は「ピトー圧力」とは、流体流れのよどみ点での静圧を指すために交換可能に使用される。よどみ点では、流体速度がゼロであり、全ての運動エネルギーが圧力エネルギーに変換されている。

本明細書で使用される場合、「溶融池温度」とは、溶融池を特徴付ける温度を指し、溶融池温度は、溶融池の体積平均温度、溶融池の時間平均温度、溶融池の表面温度又は溶融池のピーク温度（溶融池における任意の表面又は領域が達する最高温度）であり得る。

本明細書で説明する任意の範囲について、別段の明確な定めのない限り、その範囲は、範囲内の全ての値と、範囲内の全ての部分範囲とを含む。例えば、１～１０の範囲が記載されている場合、その範囲は、１及び１０と、１と１０との間の全ての値、例えば１．１、２．５、３．３３３、６．２６、７．９９８９などとを含み、それらの間の全ての部分範囲、例えば１～３．５、２．７５～９．３３、１．５～９．９９９などを含む。

Ｂ．ガス流を制御するためのシステム
指向性エネルギー堆積技術は、プラズマアークなどの局所熱源を使用して、プラズマトーチにワイヤの形態で提供され得る金属原料を加熱して溶融させることができる。１つのＰＴＡトーチを用いた例示的なプラズマ移行型アーク（ＰＴＡ）構成が図１に示されている。この図は、加工物６５０の上方に位置決めされた、プラズマアーク６２５を生成するプラズマトーチ６００を示す。プラズマアーク６２５により溶融させる金属ワイヤは、示されていない。このプラズマアーク６２５は、ワイヤを溶融させ、付加製造プロセスにより加工物６５０上に層毎に堆積されて、３次元物体を形成する金属の溶融液滴をもたらす。図１は、単一のプラズマトーチ６００を描いている。しかし、２つ以上のプラズマトーチ、又は２つ以上のワイヤ供給器、又は複数のワイヤ、又は複数の金属ワイヤを取り扱うことができるヘッドを備えたワイヤ供給器を含み得る他の構成も考慮され、本明細書で提供されるシステムに含めることができる。図１は、ガスホース１６０を介してガス体積流量及び質量流量制御システム８００に接続されたガス供給マニホールド１２０を図示する。制御システム８００は、ガスホース１９６を介してプラズマトーチに接続される。

例示的な実施形態では、加工物は、電気回路に含めることができる。プラズマは、電源、例えば反転端子をトーチ及び加工物に接続することにより、トーチと加工物との間に生成される電磁場のイオン化効果に起因して、加工物とプラズマトーチとの間に形成される。

アルゴンなどの希ガスは、アーク電極を使用するなどして、プラズマトーチによってイオン化されるガスであり得る。しかし、アルゴンの代わりに、代替的な不活性ガス、イオン、分子又は原子をプラズマトーチと組み合わせて使用することができる。プラズマエネルギーのこれらの代替的な伝達体は、正及び／若しくは負イオンを含むか、又は電子を単独で若しくはイオンと一緒に含むことができる。更に、反応性元素は、トーチの性能を最適化するためにアルゴンなどの不活性ガスと組み合わせることができる。プラズマ生成プロセスは、アルゴンガスを励起して、５，０００Ｋ～３０，０００Ｋの温度などの高いガス温度にすることができる。その結果、加工物上に堆積させるために金属原料ワイヤを溶融させて溶融金属にするために、励起した少量のアルゴンガスがあればよい。プラズマトーチは、１つ又は複数のノズルを含むことができる。例えば、異なる構成要素の造形のために特定の幾何学的形状及び／又はプラズマの照準合わせを提供するために、様々な開口のノズルを使用することができる。プラズマトーチは、１つ又は複数の開口部を含むことができる。例示的な開口部としては、直接ビームノズル孔及びファン形状の開口部が挙げられる。これらの開口部は、プラズマ柱の所望の幾何学的形状及び／又はプラズマの照準合わせをもたらすために使用することもできる。

プラズマトーチから出るプラズマ流は、金属原料ワイヤ、加工物又はそれらの組み合わせに導かれるどうかにかかわらず、溶融池の表面又はその近傍に衝突することができる。したがって、プラズマ柱の体積流量は、プラズマ柱により溶融池に及ぼされる圧力などにより、溶融池ダイナミクスに影響を与える可能性がある。本明細書で提供されるシステム及び方法は、プラズマアーク圧力の調節を可能にすることができ、したがって金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスを使用する物体造形中に溶融池ダイナミクスの修正を可能にすることができる。

プラズマトーチは、プラズマを形成するようにガスを高温に加熱することができ、且つガスが導電性になることができるように設計することができる。次いで、プラズマは、電気アークを加工物に移動させることができる。アークの強烈な熱は、金属を溶融させ、且つ／又は２つの金属片を互いに融着させることができる。プラズマトーチは、電気アーク放電によりプラズマへの不活性ガスの流れを加熱して励起し、その後、開口部（ノズルなど）を通して、電気アークを含むプラズマの流れを外に移送し、開口部から外に延びて、アークの強烈な熱を、金属ワイヤ若しくは加工物又はその両方など、標的領域に伝達する抑制されたプルームを形成することができる、「プラズマ移行型アークトーチ」又は「ＰＴＡトーチ」であり得る。プラズマは、電極に沿って供給し、カソードの近傍でイオン化し加速させることができる。アークは、加工物の方に向けることができ、自由燃焼アーク（ＴＩＧトーチなどにおける）よりも安定している。電流は、典型的には、約５００Ａ ＤＣ（直流）に達する。電圧は、典型的には、約１０～７０Ｖの範囲である。質量流量及び／若しくは入口圧力並びに体積流量などの不活性ガスの流れを調整することにより、且つ／又はプラズマ出力を調整することにより（プラズマ電圧及び電流を調整することなどにより）、所与のプラズマトーチ又はプラズマヘッド形状に対して種々のプラズマアーク構成を生成することができる。

また、プラズマアークの圧力及び温度分布は、加工物に対するプラズマトーチの相対的位置、加工物とプラズマヘッドとの間の伝達電圧の存在などの要因による影響を受ける可能性がある。概して、非プラズマ移行型アークと比較して、プラズマ移行型アークのエネルギーをより多く導くことができ、加工物上に堆積される材料への熱エネルギーのより集中した伝達を達成することができる。製造中にプラズマアークにより溶融池に及ぼされる全アーク圧力は、プラズマ出力、ガス密度及び温度並びにガス流量（速度）の関数であり得る。例えば、トーチ入口における不活性ガスの流れのＸ％の変動により、プラズマアークの溶融面積の最大２Ｘ％以上の変動がもたらされ得ることが観察されている。例えば、いくつかの構成では、プラズマトーチへの不活性ガスの流れを２．５Ｌ／分から２．７５Ｌ／分に増加させることにより、他の全てのプロセス変数が一定に保たれたままでプラズマアークの溶融面積が約１０％増加し得る。これは、プラズマ流の運動エネルギーの増加の影響である。

溶融池へのプラズマアーク圧力は、溶融池ダイナミクスを規定する最も重要な因子の１つであり得る。プラズマアーク圧力は、付加製造プロセスの一貫性及び品質に影響を与える可能性がある、堆積した金属層の幾何学的形状、機械的特性又は幾何学的形状及び機械的特性の両方に影響を及ぼす可能性がある。本明細書で提供されるシステム及び方法は、プラズマトーチに供給されるイオン化されるガスの様々な密度レベルにわたり、プラズマトーチからのガス放出速度を調整し、所望のレベルに維持することにより、溶融池に一貫したプラズマアーク圧力を及ぼすために使用することができる。

金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスで現在使用されているガス流制御技術は、溶接ガスの質量流量、すなわちプラズマトーチに供給される時間単位当たりのガス分子の数を、供給ガスの圧力及び温度の標準条件を「想定」することにより測定して制御する。典型的なプラズマ溶接ガス制御システムは、標準体積流量をＮＬ／分で調整し、ここで、Ｎは、標準状態を表す。標準体積流量では、例えば、０℃（２７３．１５Ｋ、但し、当技術分野では２０℃又は２５℃などの他の温度も使用されている）のガス温度及び１気圧（ａｔｍ、すなわち１．０１３バール）のガス圧力が想定される。これらの基準条件は、常温常圧条件、すなわちＮＴＰ条件と称することができる。したがって、実際の体積流量（Ｌ／分）は、ガスの温度及び圧力に応じて異なる。標準条件と比較した、付加製造プロセス中に生じる変化など、非標準条件での体積流量の変化は、以下の式を使用して得ることができる。

ここで、

は、非標準条件での実際の体積流量であり、

は、標準条件での体積流量であり、Ｐ_ｓｔｄは、標準条件での圧力であり、Ｐ_ａｃｔは、非標準条件での実際の圧力であり、Ｔ_ａｃｔは、非標準条件での実際の温度であり、Ｔ_ｓｔｄは、標準条件での温度である。この方法では、標準及び実際の条件でのガス密度の値の使用が不要になる。この式では、システム全体にわたって一定のホース断面が想定される。概して、温度が増加すると、ガスが膨張してガス分子間の平均距離が長くなる。ガス分子間の距離が長くなるため、所与の体積でのガスの質量が少なくなる。質量流量が一定に保たれている場合、温度が増加するにつれて、所与の断面にわたって単位時間当たりで同じ数のガス分子（質量）がプラズマトーチに供給されるように体積流量が増加する。こうした体積流量の増加により、プラズマアークが加工物の溶融池に加えることができる圧力が増加する。

通常の測定は、システム全体にわたるホース及びコネクタの断面の変化の可能性も、プラズマトーチの付近の環境的要因も考慮せずに、ガス供給源において実行される。トーチに供給されるガスの密度は、単独で又は機械的公差要因、例えばホース、管、接続部の直径の変動との組み合わせにおいて、環境的変動に起因して、ガス供給源から離れた場所で大幅に変化する可能性がある。結果として、プラズマトーチに供給されるガスの実際の体積流量は、ガス供給源に存在し得る条件に関係なく、大きく変動する。

実際の体積流量は、溶融池の駆動力、したがって溶融池ダイナミクスに重大な影響を及ぼす、溶融池へのプラズマアーク圧力を規定する上での重要な因子である。体積流量は、ホース又はプラズマトーチなどの導管をガスが通って流れるときにガスが占める体積を測定し、そのため、ガス分子が占める空間の測定値とみなすことができる。対照的に、質量流量は、導管を通して流れる分子の数を測定する。本明細書で提供されるシステム及び方法を使用して、プラズマトーチにおいて供給ガスの一貫した体積流量を生成することにより、製造プロセスのロバスト性を改善して、異なる環境的及び／又は機械的変動に関係なく、付加製造堆積プロセスを使用して生産される加工物の一貫した最終製品品質をもたらす。

付加製造プロセスのロバスト性は、溶融池ダイナミクスに対する実際のプラズマ体積流量の影響を制御することにより、本明細書で提供されるシステム及び方法を使用して改善することができる。この制御は、単独で又は同時の質量流量制御との組み合わせで体積流量を調整して制御することにより達成することができる。単独で又は質量流量との組み合わせでガスの体積流量を制御することにより、溶融池及び造形される加工物への環境的外乱、機械的変動又はそれらの組み合わせの影響を軽減することができる。例えば、同じ機械を使用して堆積プロセスが実行される場合、環境的外乱に起因するガス密度の変動を制御することができる。したがって、環境的外乱は、溶融池の動的挙動に全く影響を及ぼさないか又は無視できる程度の影響のみを及ぼす。堆積プロセスが「異なる」機械で実行される場合、同じ、同様の又は異なる設計又は構成を有するかどうかにかかわらず、環境的変動及び機械間の機械的変動を軽減することができる。したがって、これらの変動は、溶融池の動的挙動に影響を全く及ぼさないか又は無視できる程度の影響のみを及ぼす。

プラズマにイオン化されるガスの流量は、ワイヤ・プラズマアーク付加製造プロセスにおける重要なプロセスパラメータの１つであり得る。プラズマトーチによってイオン化されるガスは、供給ライン、管又はホースを通してプラズマトーチに供給される。プラズマトーチでは、ガスは、イオン化され、インバータなどの電源により生成された電磁場内で加速させることができ、付加製造プロセスのための熱源であるプラズマアークを形成する。その後、このアークは、金属ベースの付加製造のための基礎である、チタンワイヤ及びチタン基板などの金属原料を加熱／溶融させるために使用することができる。金属ベースの付加製造では、その目的は、所望の加工物形状をもたらすために固化材料の層を次々に付加することにより、３次元形状を生成することである。

プラズマトーチによってイオン化されるガスの流量を述べる場合、流量は、質量流量（単位時間当たりにプラズマトーチに供給されるガス分子の数）又は体積流量（単位時間当たりにプラズマトーチに供給されるガスの体積）として提示することができる。

金属ベースのワイヤ・プラズマアーク付加製造用途では、従来のガス流制御技術は、質量流量の測定及び制御に依存する。結果として、プラズマアークを形成するためにプラズマトーチに供給されるガス分子の数は、所望のレベルに維持される。しかし、ガス分子間の平均距離に影響を及ぼすガス密度（すなわちガス圧力及び温度）の変動に起因して、システムは、質量流量を一定に保つために、トーチに異なるガス体積流量を提供し得る。すなわち、制御システムは、ガス密度の変動を補償するようにガス速度を調節する。

溶融池ダイナミクスの最も支配的な駆動力の１つは、電磁軸圧力とプラズマ流軸圧力との合計である全プラズマアーク圧力であり得る。一部の付加製造プロセスでは、電磁軸圧力は、所与のアーク長におけるアーク電流により制御することができる。アーク電流は、プラズマトーチ内の消耗電極に負極が接続され、且つ加工物に正極が接続された電源により発生する。次いで、結果として生じる電場の強度は、所定の数のガス原子をイオン化することにより、所望のレベルの主電流を維持するように制御される。

付加製造プロセスの様々な条件下で正確な全アーク圧力を達成するために、プラズマ流軸圧力を正確に制御する必要がある。全アーク圧力は、ガス密度及びガス流量（速度）の関数として、「よどみ点圧力」又はピトー圧力の形態で説明することができる。結果として、ガスの密度の変動（温度及び圧力による影響を受ける可能性がある）は、プラズマ流軸圧力の変動、その結果、溶融池の動的挙動の変動につながる可能性がある。したがって、本明細書で提供されるシステム及び方法は、プラズマにイオン化されるガスのガス密度が機械的外乱又は環境的要因若しくは外乱或いはそれらの組み合わせに起因して変動したとしても、溶融池へのプラズマアークによる一貫した力を達成するために、単独で又はプラズマトーチによってプラズマにイオン化されるガスの質量流量との組み合わせで体積流量を制御することができる。

本明細書で提供されるシステム及び方法のいくつかの構成では、プラズマトーチ内の不活性ガスの圧力を測定できる圧力センサを収容するプラズマトーチを提供することができる。いくつかの構成では、プラズマトーチ内の不活性ガスの温度を測定できる温度センサを含むプラズマトーチを提供することができる。いくつかの実施形態では、圧力センサと温度センサとの両方を収容するプラズマトーチを使用することができる。プラズマトーチに圧力センサ及び／又は温度センサを含めることにより、システムは、不活性ガスがプラズマにイオン化される前に、プラズマトーチ内の不活性ガスの圧力及び／又は温度をそれぞれ確認することができる。このデータは、プラズマトーチへの不活性ガスの質量流量及び／又は体積流量を調節するためにシステムにより使用することができる。

図２は、ガス供給マニホールドから、本明細書で提供される流量制御システムを通して、温度センサと圧力センサとをプラズマトーチ内に含むプラズマトーチを通る、イオン化される不活性ガスの流れの例示的な実施形態を示す簡略図である。不活性ガスは、イオン化電磁場の領域を通過してプラズマアークを生成し、不活性ガスの圧力を制御することができる。図２に描かれている実施形態に示すように、ガス供給１００からの不活性ガスは、ガス供給マニホールド１２０に流れ、プラズマトーチ６００への不活性ガスの流れを調整できる制御弁１３０に達する。不活性ガスは、トーチ入口６０５又はその近傍に位置する流量計２６５を通して流れる。流量計２６５は、トーチ入口６０５の領域で受ける条件下での不活性ガスの質量流量の測定を可能にする。不活性ガスは、トーチ入口６０５からプラズマトーチ６００を通して流れる。このプラズマトーチ６００は、プラズマトーチ６００内の不活性ガスの圧力を測定できる圧力センサ２４５を収容する。不活性ガスは、プラズマトーチ６００内の不活性ガスの温度を測定できる温度センサ２２５を通過しても流れる。不活性ガスは、タングステン電極６１０にわたって流れ、不活性ガスがプラズマにイオン化されるイオン化電磁（ＥＭ）場の領域に流入し、プラズマアーク６２５としてプラズマトーチ６００から出る。

質量流量若しくは体積流量又はその両方は、ガス体積流量及び質量流量制御システム８００を使用して制御又は修正することができる。ガス体積流量及び質量流量制御システム８００は、システム１０００であり得る。システム１０００の例示的な実施形態は、図３Ａ及び図３Ｂに図示されている。システム１０００は、プラズマトーチによってイオン化されるガスの質量流量を調整し、このガスの体積流量を監視する。ガス体積流量及び質量流量制御システム８００は、システム２０００であり得る。システム２０００の例示的な実施形態は、図４Ａ及び図４Ｂに図示されている。システム２０００は、プラズマトーチによってイオン化されるガスの体積流量を調整し、このガスの質量流量を監視する。ガス体積流量及び質量流量制御システム８００は、システム３０００であり得る。システム３０００の例示的な実施形態は、図７に図示されている。システム３０００は、プラズマトーチによってイオン化されるガスの質量流量及び体積流量を調整する。図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ及び図７に提示する図では、破線は、データ接続経路を示し、実線は、流体が通って流れることができる管及びホースなどの流体接続経路を示し、一点鎖線は、感知キット又はプロセッサ群などの異なる群の構成要素を包囲している。

従来のシステムでは、イオン化されるガスの供給源は、プラズマにイオン化されるように、又はシールドガスとしての使用のために、又はキャビネット内などの不活性環境を維持するために、ガスを２つ以上の最終用途、例えば複数のプラズマトーチに導くことができるマニホールドに接続することができる。マニホールドは、これらの要求を満たすためにガスを同時に提供することができる。いくつかの構成では、システムは、システムの様々な要素に直接又はマニホールドを通して不活性ガスを供給できる設備の不活性ガス供給ラインを含むことができる。例示的な不活性ガスは、希ガスである。いくつかの実施形態では、不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びそれらの組み合わせの中から選択される。いくつかの実施形態では、不活性ガスは、アルゴンである。例えば、設備の不活性ガス供給ラインは、マニホールドに流体連通することができるアルゴンガス供給であり得る。マニホールドに供給されるアルゴンガスの密度は、例えば、圧力調整器などの圧力制御要素並びにヒータ及び温度センサなどの温度制御要素の使用により、ガス供給ライン内で制御することができる。ガスマニホールド又は他の任意の種類のガス分配システムからの不活性ガスは、付加製造機のプラズマトーチに不活性ガスを提供するために、標準条件下で不活性ガスの流れを測定し、調整することができる質量流量ユニットに導くことができる。

しかしながら、従来のシステムは、標準条件に依存するため、ガス供給マニホールドを通して供給される不活性ガスの密度は、いくつかの要因に起因して大きく変動する可能性がある。１つの要因は、付加製造システムの構成要素の異なる領域に不活性ガスを供給する配管長さの異なる長さ及び断面であり得る。別の要因は、付加製造プロセスの異なる段階での不活性消費量の変動並びに異なる付加製造システムの構成要素及び機械間の変動であり得る。供給される不活性ガスの密度に影響を及ぼす別の要因は、付加製造プロセスシステムの様々な構成要素における温度及び圧力の大きい変動であり得る。例えば、プラズマトーチに不活性ガスを供給するガスホース及び配管は、部分毎に異なる可能性がある、プラズマアーク及び加工物からの広いスペクトル範囲の電磁放射と、加工物の厚さ又は質量に応じた堆積プロセス中の変動とにさらされる。結果として、これらのホース及び配管の温度が変化し、プラズマトーチに供給されるイオン化される不活性ガスの温度に影響を及ぼし、したがってプラズマトーチにより溶融池に向けて導かれる、結果として生じるプラズマの圧力に影響を及ぼす可能性がある。

質量流量が維持されている間、プラズマの密度の変動は、プラズマトーチにおけるプラズマの体積流量に影響を及ぼし、その結果、溶融池へのアーク圧力に影響を及ぼす可能性がある。これに対処するために、本明細書で提供されるシステムは、質量流量、体積流量又は質量流量及び体積流量を監視若しくは調整又は監視及び調整することができる。提供されるシステムは、温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットを含む感知キットを含む。感知キットは、環境的又は機械的変動に起因する温度、圧力及び質量流量の変動を測定できるように、プラズマトーチガス入口の近傍にセンサを含む。

システムは、上記で説明した理由のいずれかに起因するガス密度のいかなる変動も関係なく、ガスの体積流量／速度を監視して、所望の一貫したレベルに修正し、維持できるプロセッサ群又はコントローラ群も含み得る。コントローラ群は、上記で説明した式に基づく実際の体積流量の計算のためのコントローラを含むことができる。コントローラ群は、質量流量及び体積流量をそれぞれ監視、調整及び維持するための質量流量コントローラ及び／又は体積流量コントローラを含むことができる。このような構成では、システムは、計算プロセッサ、質量流量コントローラ、体積流量コントローラ及びプロセスマスタコントローラの機能を果たすための個別又は別個の中央処理装置（ＣＰＵ）を含むことができる。プロセスマスタコントローラは、別個の計算プロセッサ、体積流量コントローラ及び質量流量コントローラの各々と通信することができる。この構成は、プロセスマスタコントローラが、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラを制御する別個のプロセッサの各々の機能を制御することを可能にすることができる。また、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラの各々は、プロセスマスタコントローラと通信する別個のマイクロコントローラとして設けることもできる。プロセッサ群を含む本明細書で提供されるシステムの例示的な構成は、図３、図４及び図７に示されている。いくつかのＣＰＵに制御タスクを埋め込むために、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラに個々のプロセッサ又はＣＰＵ（例えば、マイクロコントローラ）を使用できる。しかし、プロセッサ群は、システム機能性のために必要でない。コントローラは、個々のＣＰＵの形態である必要はない。

システムは、別個のプロセッサの群の代わりに、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び／又は体積流量コントローラが、個々のプロセッサ又は別個の中央処理装置（ＣＰＵ）ではなく、代わりにプロセスマスタコントローラで（例えば、一体的に）実行される機能又はソフトウェアコードであるプロセスマスタコントローラも含み得る。質量流量コントローラ及び体積流量コントローラの機能は、プロセスマスタコントローラなどの統合コントローラに組み込むことができる。この構成では、プロセスマスタコントローラは、制御弁及び密度制御要素と通信でき、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラにより生成されたデータを使用して、プラズマトーチによってイオン化される不活性ガスの質量流量及び／又は体積流量を修正して制御することができ、それにより溶融池に及ぼされるプラズマアーク圧力を調整する。計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び／又は体積流量コントローラが、プロセスマスタコントローラで実行される機能又はソフトウェアコードであるシステムを示す例示的な実施形態は、図８～図１１に描かれている。

質量流量を調整して体積流量を監視するためのシステム
質量流量の調節及び体積流量の監視のためのシステム１０００の例示的な実施形態が図３Ａに図示されている。図３に示す実施形態は、別個の計算プロセッサ３２０、プロセスマスタコントローラ３４０及び質量流量コントローラ３８０を含むプロセッサ群３００を含む。プロセスマスタコントローラは、計算プロセッサ３２０及び質量流量コントローラと通信する。プロセスマスタコントローラ３４０は、パートプログラム４００、感知キット２００及びデータ監視システム５００とも通信する。質量流量コントローラは、制御弁と更に通信して、プラズマトーチへの不活性ガスの制御された質量流量の生成をもたらす。

質量流量の調整及び体積流量の監視のためのシステム１０００の代替実施形態が図３Ｂに図示されている。図３Ｂに描かれている例示的なシステムでは、単一のプロセスマスタコントローラ３４０は、計算プロセッサ及び質量流量コントローラの制御タスクを含む。これらの制御タスクは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信し、質量流量制御指令を制御弁及び／又は密度制御要素に伝達して、プラズマトーチへの不活性ガスの制御された質量流量の生成をもたらす。

これらの構成は、システムの問題を解決するのに役立つことができる。例えば、これらの構成は、システムにおける漏れを検出するのに役立つことができる。描かれている構成では、質量流量及びガス密度は、プラズマトーチ入口で直接測定されるか、又はプラズマトーチ入口の近傍で測定される。これにより、ガス供給１００と感知コネクタ１９５との間で生じる可能性のある、質量流量を減少させる恐れのある管、ホース又は接続部における全ての漏れを制御弁の動作により検出して補償することが可能となり得る。その上、これらの構成のいずれかでの密度測定により、環境的要因、機械的公差及びアーク放射に起因する吸収熱に起因する密度の変動を、不活性ガスの流れを調整する際に考慮に入れることが可能となり得る。

図３Ａ及び図３Ｂに図示する例示的な実施形態では、ガス供給１００は、ホース１１０を介してガス供給マニホールド１２０に接続される。ガス供給１００の不活性ガスは、希ガスであり得る。いくつかの実施形態では、ガス供給１００は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びそれらの組み合わせの中から選択されるガスを提供する。いくつかの実施形態では、ガス供給１００は、システムにアルゴンを提供する。ガス供給マニホールド１２０は、プラズマアーク又は加工物の近傍に所望の環境を維持するためにガスを提供することと同様に又はそれに加えて、付加製造機のいくつかの異なる構成要素又は異なる付加製造機にガスを提供することができる。例えば、ガス供給マニホールド１２０は、付加製造機を収納するチャンバにガスを提供することができる。図３Ａ及び図３Ｂは、明確にするために、ガス供給マニホールド１２０を制御弁１３０に接続するガスライン１２５のみを図示する。制御弁１３０は、制御弁１３０を通して流れるガスの量を増加又は減少させるために、弁の開度を増加又は減少させるように操作することができる。

図３Ａに示す構成では、不活性ガスは、制御弁１３０からホース１８５を通してプラズマトーチ６００に流れることができる。プラズマトーチ６００は、ガスをイオン化してプラズマアーク６２５を形成する。プラズマアーク６２５は、ワイヤ金属源を溶融させ、溶融した金属ワイヤ源からの溶融金属を加工物６５０上に堆積させるために使用することができる。図３Ｂに示す構成では、不活性ガスは、制御弁１３０からホース１３５を通して密度制御要素１４０に流れ、次いでホース１９０を通してプラズマトーチ６００に流れることができる。プラズマトーチ６００は、ガスをイオン化してプラズマアーク６２５を形成する。プラズマアーク６２５は、ワイヤ金属源を溶融させ、溶融した金属ワイヤ源からの溶融金属を加工物６５０上に堆積させるために使用することができる。

図３Ａ及び図３Ｂの感知キット２００は、プラズマトーチへのガスの温度、圧力及び流れの測定を可能にするための、ガスライン１８５への感知コネクタ１９５を含む。感知キットは、温度測定ユニット２２０、圧力測定ユニット２４０及び質量流量測定ユニット２６０を含むことができる。温度測定ユニット２２０は、温度センサ２２５（図示せず）を含むことができる。圧力測定ユニット２４０は、圧力センサ２４５（図示せず）を含むことができる。質量流量測定ユニット２６０は、標準条件での質量流量の測定のための流量計２６５（図示せず）を含むことができる。他の環境測定装置も含めることができる。

感知キット２００の、ガス採取ホース又はチューブであり得る感知コネクタ１９５は、（ｉ）ガスマニホールド又は他の任意の種類のガス分配システムと、（ｉｉ）ガスイオン化装置電磁場との間の任意の場所で不活性ガス送給ラインに接続することができる。配置は、異なる堆積機の様々な構成に起因する、感知キットなどの配置システムハードウェアに対するいかなる空間制限にも対処するように選択することができる。感知コネクタ１９５の配置がイオン化場からより遠く離れるにつれて、制御されたガス流に対する外部外乱のいくつか、例えばガス漏れ又はプラズマアーク及び加工物からの放射に起因するガス温度の変動が検出されず、したがってガス流コントローラにより補償されない可能性があり得る。物理的制約条件が許す場合、外部外乱、例えば質量流量を減少させるホースにおける漏れ又はガス流温度を増加させるホースによる放射吸収を検出するために、感知コネクタ１９５をできる限りトーチに近接させることが有利である可能性がある。いくつかの実施形態では、感知コネクタ１９５は、プラズマトーチガス入口から１０ｍｍ～１５ｃｍ若しくは２ｃｍ～２ｍ又はそれを超えて離れて位置する。図では、明確にするために単一の要素１９５として描かれているが、温度センサ、圧力センサ及び／又は流量計など、感知コネクタの構成要素の各々は、別々の物理的位置に配置され、異なる位置から感知キットにデータを提供することができる。

図３Ａ及び図３Ｂに示す例示的な実施形態では、感知コネクタ１９５は、トーチ入口に直接接続することができる。この構成の利点は、トーチ入口までの制御されたガス流に対する全ての外部外乱、例えばガス漏れ又はアーク及び加工物からの放射に起因するガス温度の変動がガス流コントローラにより検出され、補償されることである。この構成では、トーチアセンブリ内に導入されたガス流に対する外部外乱、例えばトーチの機械的公差に起因する圧力変動又は冷却回路の誤動作に起因する温度変動は、ガス流コントローラにより捕捉及び補償されない。例示的な実施形態では、感知コネクタ１９５は、プラズマトーチのちょうどガス流入口にある生産チャンバの内側又はプラズマトーチガス入口の近傍のガス供給ラインに接続することができる。

例示的な実施形態では、感知キットの圧力センサ及び／又は温度センサは、トーチの内側に位置することができる。図２は、圧力センサと温度センサとの両方を収容するプラズマトーチの例示的な実施形態を図示する。この構成の利点は、トーチの機械的公差、プラズマアークからの放射及び漏れの影響を含む、ガス流に対する全ての外部外乱がガス流コントローラにより測定され、補償されることである。トーチ内への感知キットの圧力センサ及び温度センサの配置により、トーチ内のイオン化電磁場に送給される不活性ガス流の最も正確な制御を提供することができる。感知キットの圧力及び温度センサを含むようにトーチを修正することに関する欠点は、空間の制限など、感知キットの圧力及び温度センサのためのハードウェアをトーチ内に導入することについての制限を含む可能性がある。別の欠点は、この構成のトーチのコストの増加である。

いくつかの実施形態では、それぞれ異なる位置に接続された複数の感知コネクタ１９５を使用することができる。例示的な複数の位置は、（ａ）ガスマニホールドとトーチ入口との間の不活性ガス供給ライン内と、（ｂ）トーチ入口と、（ｃ）トーチの内側との任意の組み合わせを含むことができる。複数の感知コネクタ１９５による複数回の試料採取により、感知キット２００がシステム全体にわたってガス密度変動をより正確に測定して制御することが可能となり得る。感知キットの別個の構成要素の各々のセンサは、離隔させることができ、別々に異なる位置に配置することができる。例えば、感知キット２００の質量流量測定２６０は、不活性ガスライン１７５又は１８５の複数の部分に沿って位置決めすることができる。別個の温度センサ及び／又は圧力センサは、不活性ガスライン１７５若しくは１８５に沿って又は更にプラズマトーチ６００内に位置決めすることができる。

図３Ａ、図３Ｂ、図４及び図７に図示する感知キット２００は、離隔され得る。要素の各々は、不活性ガスライン（１２５及び１８５）の異なる部分に埋め込まれ得る。特に、センサ２２０、２４０及び２６０のグループ化は、図３Ａ、図３Ｂ、図４及び図７での提示を明確にするためにのみ示されている。センサは、上述したように、互いに離隔され得る。センサのいずれかは、ガスマニホールドとガスイオン化装置電磁場との間の任意の場所に配置されるため、制御方式の一般性を制限するように意図されていない。

感知キット２００の要素により生成された情報（例えば、図３Ａに図示する実施形態における温度、圧力及び質量流量）を使用することにより、プロセッサ群３００は、イオン化されるガスの実際の体積流量を計算して調節することができる。プロセッサ群３００は、実際の体積流量の計算のための計算プロセッサ３２０と、プロセスマスタコントローラ３４０から受信したデータに基づいて制御弁１３０を操作できる質量流量コントローラ３８０とを含むことができる。例えば、プロセスマスタコントローラ３４０は、計算プロセッサ３２０からの計算された体積流量と、感知キット２００からの測定されたガス質量流量とを受信することができる。プロセッサ群３００は、異なるタスクを並行して実行するプロセッサの組又は様々な機能をサポートするためにタスクの組を並行して実行する１つのプロセッサであり得る。プロセッサ群３００は、プロセッサの計算能力に応じて、異なる物理プロセッサ（図３Ａ）に埋め込むことができるか、又は論理機能（図３Ｂ）の形態で１つのプロセスマスタコントローラに組み込むことができる論理プロセスの並列計算を表す。特に、プロセス３２０、３６０及び３８０は、図３Ｂに示すように、３４０であり得る１つの物理プロセッサで異なる機能の形態で実施することができるか、又は同様に、図３Ａに示すように、異なるプロセッサで並行して実行することができる。

プラズマトーチが溶融金属の層上に層を形成してプリフォームを形成するためのプラズマトーチの軌道並びにガス流及びガス設定値信号を含む、付加製造システムが所与のプリフォームを準備するために必要なデータを含むパートプログラム４００は、プロセスマスタコントローラと通信することができる。次いで、プロセスマスタコントローラは、パートプログラム４００から得られた質量流量設定値と、感知キット２００から得られた質量流量実際値とを質量流量コントローラ３８０に提供することができる。質量流量コントローラ３８０は、質量流量設定値を質量流量実際値と比較し、制御弁１３０に信号を送信し、制御弁１３０を徐々に開放してプラズマトーチへのガスの質量流量を増加させることができる。質量流量コントローラ３８０は、制御弁１３０に信号を送信し、制御弁１３０を徐々に閉鎖してプラズマトーチへのガスの質量流量を減少させることができる。感知コネクタ１９５を介して感知キット２００から受信したデータに基づいて、ガス供給マニホールド１２０からプラズマトーチ６００へのガスの質量流量を調整するために、プロセスマスタコントローラ３４０が行う動作により、制御された質量流量のガスをプラズマトーチに送給することが可能となる。これにより、単位時間当たりにプラズマトーチに供給されるガス分子の数の制御（すなわち質量流量の制御）を可能にすることができる。システムは、不活性ガスの体積流量も監視することができる。計算プロセッサ３２０からプロセスマスタコントローラ３４０により受信した計算された体積流量データは、オペレータによる評価のためにデータ監視システム５００に送信することができる。実際の体積流量データを監視することにより、オペレータ又はシステムは、プラズマアーク圧力を決定し、プラズマアーク圧力を調節するために不活性ガスの質量流量に対する何らかの必要な調節を行うことができる。この構成では、体積流量データは、位置決めプロセス分析、機械状態分析並びに漏れの検出及び除去（又は補償）に使用することができる。

感知キット、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラ、制御弁及び密度制御要素のいずれか１つ又は組み合わせにより生成されたデータは、データサーバ若しくは他の形態のデータ監視システムに記録することができ、且つ／又はユーザにリアルタイムで若しくはデータファイルとして提示することができる。これにより、システム又はユーザがシステム操作、品質管理、診断又は問題の検出及び／若しくは解消のためにデータを評価することが可能となり得る。場合により、パートプログラムを更新して流量設定値を調節するために、以前の記録データを使用することができる。場合により、加工物の生産のための流量設定値に合わせて制御された流量パラメータの提供するような流れの調節を可能にするために、製造中にリアルタイムデータを監視することができる。

場合により、所与の加工物の製造需要に対する不活性ガスの要件を決定して、資源の割り当てを可能にするために、日々の操作データを比較することができる。場合により、流量パラメータが調節を必要とするかどうかを判断するか、又は流量設定値をリセットして後続の加工物において同様の品質管理結果を達成するために、データを、完成した加工物の品質管理分析からの情報と比較することができる。質量流量制御と体積流量制御との組み合わせなどの収集データは、加工物の製造中に溶融池へのプラズマアーク圧力を制御することにより、最終的な加工物における所望の特性を実現する流量設定値を作成するために使用することができる。収集データは、日々の生産又は異なる製造機若しくは製造システムでの生産上の相違を最小限に抑えるために、アーカイブデータと比較することもできる。プロセスマスタコントローラ、計算プロセッサ、体積制御プロセッサ及び質量流量制御プロセッサのいずれか１つ又は組み合わせは、データサーバと通信することができる。質量流量及び体積流量データは、データサーバに送信され得る。

制御弁１３０は、設定点信号に応答して駆動部により操作することができる。設定点信号は、プロセスマスタコントローラ３４０により生成することができる。設定点は、所望の不活性ガス質量流量に対応し得る。プロセスマスタコントローラ３４０は、パートプログラム４００から質量流量設定値を受信することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、直接又は質量流量コントローラ３８０を介して、制御弁１３０に接続された駆動部に接続することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、実際の質量流量値を質量流量設定値と比較して、調節信号を生成することができる。調節信号は、制御弁１３０の開放度を調節して、制御弁１３０を通る不活性ガスの流量を変化させ、それにより設定された質量流量値と測定された実際の質量流量値との間の差を低減するために制御弁１３０の駆動部に伝送することができる。

質量流量コントローラ３８０は、弁の開放位置を検出できる、制御弁１３０に取り付けられたセンサを含むことができる。センサは、弁位置を質量流量コントローラ３８０に伝達することができる。この質量流量コントローラ３８０は、センサから受信した弁位置フィードバックに基づいて弁位置を調節するためにプロセスマスタコントローラ３４０と通信する。

質量流量コントローラ３８０又は制御弁１３０からプロセスマスタコントローラ３４０に伝達される信号は、測定された値が好ましいレベルよりも高いか、低いか又は好ましいレベルであることを示す、高電圧、低電圧又はゼロ電圧などのデジタル信号であり得る。同様に、プロセスマスタコントローラ３４０により制御弁１３０に直接又は質量流量コントローラ３８０を介して伝達される任意の出力は、開信号、閉信号又は中立信号であり得る。代替的に、信号は、アナログ値を伝達し得る。

プロセスマスタコントローラ３４０は、弁制御信号を高電圧、低電圧又はゼロ電圧として制御弁１３０又は質量流量コントローラ３８０に出力できるように構成することができ、誤差信号を出力するための選択肢を含むこともできる。弁制御信号が高信号又は低信号である場合、制御弁１３０は、ゼロ信号が達成されるまでそれぞれ徐々に開放又は閉鎖することができる。弁制御信号がゼロである場合、弁は、位置を変えない。弁制御信号が誤差である場合、弁は、誤差の種類に応じて、完全に遮断するか又は誤差出力をゼロ出力と解釈し得る。例えば、流量が低すぎて所望の流量を維持できない場合、制御弁１３０は、完全に開放して流れを最大にし得る。代替的に、センサが不十分な不活性ガス流を検出したか又は不活性ガス流を全く検出しない場合、誤差信号は、弁を閉鎖して、データ監視システム５００に警告信号を送信するものと解釈することができる。

配管長さ及び／若しくは直径のばらつき又は不活性ガス消費量の変動及び付加製造機若しくは関連するシステムの異なる構成要素によるガス供給マニホールド１２０への要求、それに加えて生産環境温度（堆積チャンバ温度若しくは生産ホール温度）などの環境的要因の影響に起因して、ガス供給マニホールド１２０から供給されるガスの密度は、（温度及び圧力に関して）大きく変動する。図２にシステム１０００として示すように構成された、本明細書で提供されるシステムの実施形態は、ガス供給マニホールド１２０への様々な要求にもかかわらず、プラズマトーチへの不活性ガスの制御された質量流量の提供を可能にする。

従来の付加製造システムにおけるガス流測定及び制御システムは、通常、付加製造機の生産チャンバ内の空間制限に起因してトーチから遠く離れて位置することができる制御キャビネット内に位置する。これは、制御キャビネット内の調整された流れが、制御キャビネットとトーチとの間の距離にもたらされる外乱の影響を受けることを意味する。しかしながら、感知キットの流れ採取ホースをトーチの入口又はその近傍に配置することにより、（例えば、管又はコネクタ又はホースにおける漏れに起因する）質量流量及び（例えば、管及びホース直径の機械的公差と、ガスホースによるアーク及び加工物からの放射熱の吸収に起因する温度の変動又は生産セル内の温度の変動とに起因する）体積流量に対する全ての外乱の検出を達成することができる。プラズマトーチ６００のガス入口に隣接して又はその近傍に感知コネクタ１９５を位置決めすることにより、漏れに起因するプラズマ流の減少など、プラズマトーチに送給されるガスの質量流量減少の検出を可能にすることができる。したがって、感知キット２００は、ガスマニホールド１２０からプラズマトーチ６００へのプラズマの質量流量についての２次診断用センサとしての役割を果たすことができる。

感知キット２００の温度測定ユニット２２０は、不活性ガスの温度を測定するための温度センサを含むことができる。温度測定ユニット２２０の温度センサは、限定されるものではない。例示的な温度センサは、熱電対、サーミスタ、抵抗温度装置、赤外線検出器、バイメタル装置、液体膨張装置及びそれらの任意の組み合わせを含み得る。

感知キット２００の圧力測定ユニット２４０は、不活性ガスの圧力を測定するための圧力センサを含むことができる。圧力測定ユニット２４０の圧力センサは、限定されるものではない。例示的な圧力センサは、圧電ひずみゲージ、容量センサ、ひずみゲージ、抵抗圧力センサ、圧電抵抗ひずみゲージ、金属薄膜センサ、チタン合金の感知要素、セラミック厚膜センサ、光学センサ、加速度計、微小電気機械システムセンサ及びそれらの組み合わせを含む。

感知キット２００の質量流量測定ユニット２６０は、質量流量を測定するための流量計を含むことができる。質量流量計は、任意の構成を有することができる。例えば、質量流量計は、物質の分子が占める空間に関係なく、所与の時間にわたって質量流量計を通過した物質の質量を測定することができる。その情報から質量流量を計算することができる。例示的な質量流量計としては、熱質量流量計及びコリオリ質量流量計が挙げられる。そのような計測器は、当技術分野で知られている（例えば、米国特許第４，５４２，６５０号明細書（Ｒｅｎｋｅｎ ｅｔ ａｌ．，１９８５）；米国特許第４，９３４，１９６号明細書（Ｒｏｍａｎｏ，１９９０）；米国特許第５，４９７，６６５号明細書（Ｃａｇｅ ｅｔ ａｌ．，１９９６）；米国特許第７，０３２，４６２号明細書（Ｂａｒｇｅｒ ｅｔ ａｌ．，２００６）；米国特許第７，１８１，９８２号明細書（Ｃｈｒｉｓｔｉａｎ ｅｔ ａｌ．，２００７）；米国特許第７，９０５，１３９号明細書（Ｌｕｌｌ，２０１１）；米国特許第８，３５６，６２３号明細書（Ｉｓｏｂｅ ｅｔ ａｌ．，２０１３）；及び米国特許第８，５０４，３１８号明細書（Ｍｅｎｄｅｌｓｏｎ ｅｔ ａｌ．，２０１３）を参照されたい）。

体積流量を調整して質量流量を監視するためのシステム
本明細書で提供されるシステムでは、プラズマトーチへのガス流は、プロセスの要件及び利点と欠点に基づいて、上述したような質量流量制御及び体積流量制御のいずれかを選択することにより補正して制御することができる。例示的な実施形態では、本明細書で提供されるシステムの感知キットにより生成されたデータは、体積流量の設定値と実際値とを比較して、単位時間当たりのガス体積を調整する（すなわち密度変動を補償する）ことでガスの体積流量を制御することにより、プラズマトーチへのガス流を調節するために使用することができる。プラズマ柱の質量流量は、プラズマトーチにおいて目標とするプラズマ放電速度を達成するために、ガス密度の変動の全域で目標とするレベルに達する実際の体積流量を達成するように調節することができる。

例示的な構成が図４Ａ及図４Ｂにシステム２０００として示されている。図４Ａに示す実施形態は、別個の計算プロセッサ、プロセスマスタコントローラ及び体積流量コントローラを含むプロセッサ群を含む。体積流量コントローラは、制御弁及び密度制御要素と通信する。図４Ｂに示す例示的なシステムでは、単一のプロセスマスタコントローラは、計算プロセッサ及び体積流量コントローラのタスクを制御する。これらのタスクは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信し、体積流量制御指令を制御弁及び／又は密度制御要素に伝達する。図４Ａ及び図４Ｂのシステムでは、システム２０００におけるガス供給１００からプラズマトーチ６００への不活性ガスの流体流路は、図３Ａに図示するシステム１０００の流体流路と同様である。違いは、制御弁１３０と感知コネクタ１９５との間に密度制御要素１４０が存在することである。密度制御要素１４０は、不活性ガスの温度及び／又は圧力を修正又は制御することができる。密度制御要素１４０は、温度調整器１５０（図示せず）若しくは圧力調整器１６０（図示せず）又は温度調整器１５０及び圧力調整器１６０の両方を含むことができる。密度制御要素１４０は、プラズマトーチへのガス体積流量／ガス速度を制御して、プラズマトーチからの目標とするプラズマ放電レベルを達成して維持する目的のため、ガスの温度若しくは圧力又は温度及び圧力の両方を変化させるか又は修正するために、制御された方式で使用することができる。図４Ａに図示する構成では、密度制御要素１４０は、プロセッサ群３００の体積流量コントローラ３６０と通信する。体積流量コントローラ３６０は、制御弁１３０とも通信する。図４Ｂに図示する構成では、密度制御要素１４０は、同じく制御弁１３０と通信するプロセッサマスタコントローラ３４０と通信する。

温度及び／又は圧力を調整することにより、不活性ガス分子間の距離に影響を及ぼす可能性のある環境的及び機械的外乱に起因する不活性ガス分子間の一定の平均距離を維持するように不活性ガス密度を制御し、それによりプラズマの目標体積流量を達成することができる。ガス密度修正器は、外部条件又は外乱が変化したとしても、溶融池でのプラズマアークの一貫した適用をもたらすことができる、体積流量を規定できる全てのパラメータを調整することを補助し得る。密度制御要素は、温度調整器若しくは圧力調整器又は温度調整器及び圧力調整器の両方を含むことができる。

密度制御要素１４０は、温度調整器を含むことができる。密度制御要素に含めることができる温度調整器の種類については、限定されない。温度制御調整器は、密度制御要素を通過するガスの温度を増加させることができる要素を含むことができる。温度制御調整器は、密度制御要素を通過するガスの温度を減少させることができる要素を含むことができる。温度制御調整器は、密度制御要素を通過するガスの温度を増加させることができる第１の要素と、密度制御要素を通過するガスの温度を増加させることができる第２の要素とを含むことができる。

温度調整器は、加熱器を含むことができる。加熱器は、密度制御要素１４０内の不活性ガスの温度を増加させることができ、これにより同数のガス分子が占める体積を増加させることができる。加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体又はそれらの組み合わせを含むことができる。

温度調整器は、冷却装置を含むことができる。冷却装置は、密度制御要素１４０内の不活性ガスの温度を下げることができ、これにより同数のガス分子が占める体積を減少させることができる。冷却装置は、低温流体リザーバに接続された管と、冷却流体を密度制御要素１４０内の温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプとを含むことができる。冷却装置は、温度調整器を通過する閉じた導管と、冷却ガスを密度制御要素１４０内の温度調整器に通すための閉じた導管に接続されたファンとを含むことができる。閉ループ低温冷却経路と、冷却ガスを温度調整器に通すための導管との組み合わせを使用することができる。密度制御要素１４０は、冷却流体を密度制御要素１４０内の温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路と、いずれかの装置を個別に使用して温度の独立した調節を可能にするために、密度制御要素を通して流れるガスの温度を増加させるための加熱器とを含むことができる。

プラズマトーチの入口への不活性ガスの圧力、したがってガス分子間の平均距離を制御するための例示的な密度制御要素１４０が図５に示されている。図５に示す例示的な実施形態では、密度制御要素１４０は、ガスの温度を変化させることにより不活性ガスの圧力を調整する。所与の体積のガスについては、温度を増加させることにより、圧力を増加させることができ、逆に温度を減少させることにより、圧力を減少させることができる。図５に示す例示的な実施形態では、密度制御要素１４０は、液体温度調整器１５１を含む温度調整器１５０を含む。液体温度調整器１５１は、流体の温度を増加又は減少させることができる。液体温度調整器１５１は、液体温度調整器１５１の出口１５２に接続された導管１５３を通して密度制御要素１４０内の熱交換器１５４と流体連通する。熱交換器１５４は、密度制御要素１４０を通して流れる不活性ガスと熱的に連通するように位置決めされる。熱交換器１５４を通して流れる液体温度調整器１５１からの液体が、密度制御要素１４０を通して流れる不活性ガスの温度よりも低い温度にあるとき、液体は、不活性ガスから熱エネルギーを吸収することができ、不活性ガスがプラズマトーチの入口に向かって熱交換器１５４を通過するときに不活性ガスの温度の減少をもたらす。熱交換器１５４を通して流れる液体温度調整器１５１からの液体が、密度制御要素１４０を通して流れる不活性ガスの温度よりも高い温度にあるとき、液体は、不活性ガスに熱エネルギーを与えることができ、不活性ガスがプラズマトーチの入口に向かって熱交換器１５４を通過するときに不活性ガスの温度の増加をもたらす。

図５に図示する実施形態では、液体温度調整器１５１は、流体が液体温度調整器１５１から熱交換器１５４に流れることを可能にするために熱交換器１５４に接続された導管１５３に接続された出口１５２を含む。図示の実施形態では、温度調整器１５０は、熱交換器１５４から、ポンプ１７０の入口１７６に接続された導管１５５を通して、ポンプ１７０の出口１７４を通して、導管１５６を通して液体温度調整器１５１の入口１５８に戻るように液体を圧送して流体流れ回路を完成させることができるポンプ１７０を含む。導管１５３、１５５及び１５６は、ホース又は管であり得る。ポンプ１７０は、熱交換器１５４の後ろで熱交換器１５４と液体温度調整器１５１との間に接続された状態で示されている。ポンプ１７０は、熱交換器１５４の手前で液体温度調整器１５１と熱交換器１５４との間に接続することもできる。ポンプ１７０は、流体流れ回路を通して液体温度調整器１５１に戻る液体温度調整器１５１の液体の循環を可能にすることができる。

より急激な温度変化を実現するために、ポンプは、熱交換器１５４から受け取った液体を、液体温度調整器１５１に戻るように再循環させる代わりに、流体流れ回路から排出することを可能にするための排出口１７８を含むように構成することができる。ポンプ１７０は、外部液体供給源１７５からの交換流体が流体流れ回路に導入され、液体の温度調節ために液体温度調整器１５１に導かれることを可能にするための吸入口１７２も含み得る。

密度制御要素１４０は、圧力調整器を含むことができる。圧力調整器は、任意の機械式圧力調整器を含むことができる。例えば、圧力調整器は、圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより圧力調整器から出るプラズマ柱の圧力を減少させるか、又は圧力調整器の容積を減少させ、且つそれにより圧力調整器から出るプラズマ柱の圧力を増加させることができる可動プレナムチャンバを含むことができる。

圧力調整器を含む密度制御要素１４０の例示的な実施形態が図６に図示されている。図示の実施形態では、圧力調整器１６０は、プレナムチャンバ１６２を含む。プレナムチャンバ１６２の容積は、位置調整器１６６を用いて封止要素１６４の位置を調整することにより調節することができる。位置調整器１６６は、封止要素１６４の少なくとも一部を上昇させ、それによりプレナムチャンバ１６２の容積を増加させることができるか、又は封止要素１６４の少なくとも一部を降下させ、それによりプレナムチャンバ１６２の容積を減少させることができる。プレナムチャンバ１６２の容積を増加させることにより、圧力調整器１６０内の有効容積が増加し、したがって不活性ガスの分子間の距離が短くなる。プレナムチャンバ１６２の容積を減少させることにより、圧力調整器１６０内の有効容積が減少し、したがって不活性ガスの分子間の距離が長くなる。封止要素１６４は、プレナムチャンバ１６２の容積を増加又は減少させるために上昇又は下降させることができる中実円板であり得る。封止要素１６４は、プレナムチャンバ１６２の壁に固定された可撓性又は弾性ダイヤフラムであり得る。位置修正器１６６は、封止要素１６４の中心をガス流通管に向けて押して、プレナムチャンバ１６２の容積を減少させることができるか、又は位置修正器１６６は、封止要素１６４の中心をガス流通管から離れる方向に引っ張って、プレナムチャンバ１６２の容積を増加させることができる。図示の実施形態は、単一のプレナムチャンバを示す。しかし、圧力調整器１６０は、２つ以上のプレナムチャンバを含むことができる。

図４に図示するシステムの例示的な実施形態では、制御弁１３０及び密度制御要素１４０と通信する体積流量コントローラ３８０が含まれる。システム２０００では、ガス供給１００は、ホース１１０を介してガス供給マニホールド１２０に接続される。ガス供給１００の不活性ガスは、希ガスであり得る。いくつかの実施形態では、ガス供給１００は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びそれらの組み合わせの中から選択されるガスを提供する。いくつかの実施形態では、ガス供給１００は、システムにアルゴンを提供する。ガス供給マニホールドは、プラズマアーク又は加工物の近傍に所望の環境を維持するためにガスを提供することと同様に又はそれに加えて、付加製造機のいくつかの異なる構成要素又は異なる付加製造機にガスを提供することができる。図４Ａ及び図４Ｂは、ガス供給マニホールド１２０を制御弁１３０に接続するガスライン１２５のみを図示する。制御弁１３０は、制御弁１３０を通して流れるガスの量を増加又は減少させるために、弁の開度を増加又は減少させるように操作することができる。ガスは、制御弁１３０からホース１３５を通して密度制御要素１４０に流れ、次いでホース１９０を通してプラズマトーチ６００に流れることができる。プラズマトーチ６００は、ガスをイオン化してプラズマアーク６２５を形成する。プラズマアーク６２５は、ワイヤ金属源を溶融させ、溶融した金属ワイヤ源からの溶融金属を加工物６５０上に堆積させるために使用することができる。

感知キット２００は、プラズマトーチへのガスの温度、圧力及び流れの測定を可能にするための、ガスライン１９０への感知コネクタ１９５を含む。感知キットは、温度測定ユニット２２０、圧力測定ユニット２４０及び質量流量測定ユニット２６０を含むことができる。温度測定ユニット２２０は、温度センサを含むことができる。圧力測定ユニット２４０は、圧力センサを含むことができる。質量流量測定ユニット２６０は、標準条件での質量流量の測定のための流量計を含むことができる。他の環境測定装置も感知キット２００に含めることができる。

感知キット２００の感知コネクタ１９５は、ちょうどプラズマトーチガス入口にある生産チャンバの内側又はプラズマトーチガス入口の近傍に位置することができる。このような位置決めにより、プラズマ柱の作用に直接起因する温度変化などのアーク放射の乱れ若しくは溶融池からの放射熱などの加工物からの熱寄与又はそれらの組み合わせに起因するガス密度変動を感知キット２００が測定して制御することが可能となり得る。また、このような位置決めにより、ガス供給とプラズマトーチとの間のガスラインにおける漏れにより生じ得る流れの変動を質量流量計が検出することが可能となり得る。いくつかの実施形態では、感知コネクタ１９５は、プラズマトーチガス入口から１０ｍｍ～１５ｃｍ離れて位置することができる。

感知キット２００の要素により生成された情報（例えば、図４Ａ及び図４Ｂに図示する実施形態における温度、圧力及び質量流量）を使用することにより、プロセッサ群３００（図４Ａ）又はプロセスマスタコントローラ３４０（図４Ｂ）は、イオン化されるガスの実際の体積流量を計算することができる。図４Ａのプロセッサ群３００は、実際の体積流量の計算のための計算プロセッサ３２０と、プロセスマスタコントローラ３４０から受信したデータに基づいて制御弁１３０を操作できる体積流量コントローラ３６０とを含むことができる。例えば、プロセスマスタコントローラ３４０は、計算プロセッサ３２０からの計算された体積流量と、感知キット２００からの測定されたガス質量流量とを受信することができる。図４Ｂのプロセスマスタコントローラ３４０は、実際の体積流量の計算のための計算プロセッサのタスクを実行するソフトウェア機能と、体積流量コントローラ３４０の機能性を実行するソフトウェア機能とを含むことができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、実際の体積流量を計算するソフトウェア機能及び体積流量コントローラの機能性により生成されたデータに基づいて制御弁１３０を操作することができる。

プラズマトーチが溶融金属の層上に層を形成してプリフォームを形成するためのプラズマトーチの軌道並びにガス流及びガス設定値信号を含む、付加製造システムが所与のプリフォームを準備するために必要なデータを含むパートプログラム４００は、プロセスマスタコントローラと通信することができる。次いで、プロセスマスタコントローラは、パートプログラム４００から得られた体積流量設定値と、計算プロセッサ３２０から計算されて得られた体積流量実際値とを体積流量コントローラ３６０（図４Ａ）又は体積流量コントローラ３４０（図４Ｂ）の機能性を実行するソフトウェア機能に提供することができる。体積流量コントローラ３６０は、別個のプロセッサとして構成されるか又はソフトウェア機能として構成されるかにかかわらず、体積流量設定値を体積流量計算値と比較することができる。図４Ａに示す構成では、体積流量コントローラ３６０を含むプロセッサは、計算された体積流量値が体積流量設定値を下回る場合、制御弁１３０に信号を送信し、制御弁１３０を徐々に開放してプラズマトーチへのガスの質量流量を増加させる。図４Ｂに示す構成では、プロセスマスタコントローラは、体積流量コントローラ３６０のソフトウェア機能からデータを受信する。プロセスマスタコントローラ３４０は、計算された体積流量値が体積流量設定値を上回る場合、制御弁１３０に信号を送信し、制御弁１３０を徐々に閉鎖してプラズマトーチへのガスの質量流量を減少させることができる。

感知コネクタ１９５を介して感知キット２００から受信したデータに基づいて、ガス供給マニホールド１２０からプラズマトーチ６００へのガスの体積流量を、直接又は別個の体積流量コントローラを通して調整するために、プロセスマスタコントローラ３４０が行う動作により、制御された体積流量のガスをプラズマトーチに送給することが可能となる。これにより、単位時間当たりにプラズマトーチに供給されるガス分子の体積の制御（すなわち体積流量の制御）を可能にすることができる。システムは、不活性ガスの質量流量も監視することができる。感知キット２００の質量流量測定ユニット２６０からプロセスマスタコントローラ３４０により受信した質量流量データは、オペレータ又はシステムによる評価のためにデータ監視システム５００に送信することができる。この構成では、質量流量データは、堆積プロセスの分析、制御システムの校正並びに漏れの検出及び除去（又は補償）に使用することができる。

制御弁１３０は、設定点信号に応答して駆動部により操作することができる。設定点信号は、体積流量コントローラ３６０（図４Ａに示す構成）又はプロセスマスタコントローラ３４０（図４Ｂに示す構成）により生成することができる。設定点は、所望の不活性ガス体積流量に対応し得る。プロセスマスタコントローラ３４０は、パートプログラム４００から体積流量設定値を受信することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、直接又は体積流量コントローラ３６０を介して、制御弁１３０に接続された駆動部に接続することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、計算された実際の体積流量値を体積流量設定値と比較して、調節信号を生成することができる。調節信号は、制御弁１３０の開放度を調節して、制御弁１３０を通る不活性ガスの流量を変化させ、それにより設定された体積流量値と計算された実際の体積流量値との間の差を低減するために制御弁１３０の駆動部に伝送することができる。

体積流量コントローラ３６０は、別個のプロセッサとして構成されるか又はプロセスマスタコントローラで実行されるソフトウェア機能として構成されるかにかかわらず、弁の開放位置を検出できる、制御弁１３０に取り付けられたセンサを含むことができる。センサは、弁位置を体積流量コントローラ３６０に伝達することができる。この体積流量コントローラ３６０は、センサから受信した弁位置フィードバックに基づいて弁位置を調節するためにプロセスマスタコントローラ３４０と通信する。

体積流量コントローラ３６０又は制御弁１３０からプロセスマスタコントローラ３４０に伝達される信号は、測定された値が好ましいレベルよりも高いか、低いか又は好ましいレベルであることを示す、高電圧、低電圧又はゼロ電圧などのデジタル信号であり得る。同様に、プロセスマスタコントローラ３４０により制御弁１３０に直接又は体積流量コントローラ３６０を介して伝達される任意の出力は、開信号、閉信号又は中立信号であり得る。代替的に、信号は、アナログ値を伝達し得る。

プロセスマスタコントローラ３４０は、弁制御信号を高電圧、低電圧又はゼロ電圧として制御弁１３０又は体積流量コントローラ３６０に出力できるように構成することができ、誤差信号を出力するための選択肢を含むこともできる。弁制御信号が高信号又は低信号である場合、制御弁１３０は、ゼロ信号が達成されるまでそれぞれ徐々に開放又は閉鎖することができる。弁制御信号がゼロである場合、弁は、位置を変えない。弁制御信号が誤差である場合、弁は、誤差の種類に応じて、完全に遮断するか又は誤差出力をゼロ出力と解釈し得る。例えば、圧力が低すぎて所望の流量を維持できない場合、制御弁１３０は、完全に開放して流れを最大にし得る。代替的に、センサが不十分な不活性ガス流を検出したか又は不活性ガス流を全く検出しない場合、誤差信号は、弁を閉鎖して、データ監視システム５００に警告信号を送信するものと解釈することができる。

配管長さのばらつき又は不活性ガス消費量の変動及び付加製造機若しくは関連するシステムの異なる構成要素によるガス供給マニホールド１２０への要求並びにアークからの放射熱、生産チャンバ変動及び環境温度外乱に起因する温度外乱に起因して、ガス供給マニホールド１２０から供給されるガスの密度は、（温度及び圧力に関して）大きく変動する。図４Ａ及び図４Ｂにシステム２０００として示すように構成された、本明細書で提供されるシステムの実施形態は、ガス供給マニホールド１２０への様々な要求にもかかわらず、プラズマトーチへの不活性ガスの制御された体積流量の提供を可能にする。

体積流量及び質量流量を調整するためのシステム
本明細書で提供されるシステムの別の実施形態では、プラズマトーチに送給される不活性ガス流は、時間内のガス分子の数及び時間内のガス体積の両方に関して制御することができる。質量流量及び体積流量の両方を調整するシステム３０００の例示の構成が図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃに示されている。システム３０００は、不活性ガス密度のいかなる変動も関係なく、ガスの体積流量／速度を所望の比較的一貫したレベルに維持することができる。図７Ａに示す実施形態は、別個の計算プロセッサ、プロセスマスタコントローラ、体積流量コントローラ及び質量流量コントローラを含むプロセッサ群を含む。体積流量コントローラは、密度制御要素と通信する。質量流量コントローラは、制御弁と通信する。

別個のプロセッサを使用する代わりに、本明細書で提供されるシステムは、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラの制御タスクが、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である、単一のプロセスマスタコントローラを含むことができる。例えば、質量制御機能及び体積流量制御機能は、並行して動作する２つの単入力単出力（ＳＩＳＯ）コントローラであり得る。例示的な構成が図８Ａに図示されている。この構成では、感知キットユニットからの質量流量誤差は、ＳＩＳＯ質量流量コントローラ機能に送られる。ＳＩＳＯ質量流量コントローラ機能は、指令弁位置を制御弁に送信する。感知キットユニットからの体積流量誤差は、ＳＩＳＯ体積流量コントローラ機能に送られる。それに応答して、ＳＩＳＯ質量流量コントローラ機能は、密度制御指令を密度制御要素に送信する。並列ＳＩＳＯコントローラの使用により、制御設計の簡略化が可能となり得る。２つの並列ＳＩＳＯコントローラは、質量流量誤差と体積流量誤差とのいかなる結合も無視する。

図７Ｂに示す例示的な実施形態は、計算プロセッサ、質量流量コントローラ及び体積流量コントローラの制御タスクが、プロセスマスタコントローラで一体的に別々に実行されるソフトウェアコード又は機能である、単一のプロセスマスタコントローラを図示する。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信して、体積流量制御指令を密度制御要素に伝達し、質量流量制御指令を制御弁に伝達する。この構成では、並行して動作するＳＩＳＯコントローラを使用することができる。

代替的に、多変数コントローラ（多入力多出力、ＭＩＭＯ）を用いる質量及び体積制御機能を使用することができる。多変数コントローラは、２つの入力（質量流量誤差及び体積流量誤差）を有することができ、２つの出力（指令弁位置及び密度制御要素への指令動作）を有することができる。ＭＩＭＯコントローラは、変数間又は変数の中の結合ダイナミクスを考慮することができる。複数の変数間又は変数の中のこのような考慮事項を制御アルゴリズムに含めることができる。例えば、変数Ｘをある設定点に調整し、変数Ｙを他の設定点に調整し、変数Ｘ及び変数Ｙの各々が別々に動作するときに安定化されることを確認することができる。動的システムの変数Ｘと変数Ｙとの結合が適度に弱い場合、変数Ｘが変数Ｙに及ぼす影響により、システム全体が乱されることがない場合がある。しかしながら、動的システムの変数Ｘと変数Ｙとの結合が強い場合、変数Ｘと変数Ｙとが相互に及ぼし合う影響により、システム全体が乱される可能性があり、非常に強い結合状況では、変数Ｘが変数Ｙに及ぼす影響により、システムの不安定化がもたらされる可能性がある（すなわち変数Ｘと変数Ｙとが互いに「妨害」し合う）。これらの条件下では、ＭＩＭＯコントローラは、異なる変数の「結合ダイナミクス」を考慮できるため、並行して動作する単一のＳＩＳＯコントローラよりも優れている可能性がある。ＭＩＭＯコントローラの使用により、変数の結合が生じる相互接続されたシステムの安定性を最大化することができる。１つの統合ＭＩＭＯコントローラは、変数間の結合項を考慮に入れ、それに応じてシステムを調節することができる。

本明細書で提供されるシステムのＭＩＭＯコントローラの例示的な構成が図８Ｂに図示されている。図８Ｂに示すように、多変数ＭＩＭＯコントローラは、２つの入力（感知キットユニットから受信した質量流量誤差及び体積流量誤差）と、２つの変数のいかなる結合ダイナミクスも考慮することができる制御アルゴリズムを有し、制御弁及び密度制御要素にそれぞれ送られる２つの出力（指令弁位置及び密度制御要素への指令動作）を有する。この構成により、システムが個々の値を安定化させると共に、一方の変数が他方の変数に与える外乱にシステムが対処するか又は外乱を補償することが可能となり得る。したがって、この構成は、システム全体を安定化させることができる。

図７Ｃに示す例示的な実施形態は、組み合わされた質量流量及び体積流量コントローラとして示す、ＭＩＭＯコントローラを使用する単一のプロセスマスタコントローラを示す。計算プロセッサの制御タスク並びに組み合わされた質量流量及び体積流量コントローラは、プロセスマスタコントローラで一体的に実行されるソフトウェアコード又は機能である。プロセスマスタコントローラは、密度制御要素及び制御弁と通信して、質量流量及び体積流量制御指令を密度制御要素と制御弁とに伝達する。図７Ｂ及び図７Ｃに示す構成では、制御された質量流量の不活性ガスは、制御弁１３０から密度制御要素１４０に送給される。密度制御要素は、制御された質量流量及び体積流量の不活性ガスをプラズマトーチを送給する。

図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃにシステム３０００として図示する実施形態では、プラズマトーチへの不活性ガスの質量流量及び体積流量を測定及び調整することができる。例えば、質量流量データは、標準条件（例えば、０℃の温度及び１気圧の圧力）を想定することにより体積流量に変換することができる。この体積流量は、密度変動に起因して不活性ガスの実際の体積流量と異なり得る。例示的な実施形態では、システム３０００の感知キット２００により生成されたデータは、ガスの質量流量を測定してガスの体積流量を計算することにより、プラズマトーチへのガス流を調節するために使用することができ、質量流量及び体積流量の設定値と実際値とを比較することにより、密度変動を補償するように不活性ガスの最終的な体積流量を調整することができる。不活性ガスの質量流量並びに不活性ガスの温度及び／又は圧力は、プラズマトーチにおいて目標とするプラズマ柱放電速度を達成するために、ガス密度の変動の全域で目標とするレベルに達する実際の体積流量を達成するように調節することができる。

システム３０００におけるガス供給１００からプラズマトーチ６００へのガスの流体流路は、図４Ａ及び図４Ｂに図示するシステム２０００の流体流路と同様である。違いは、質量流量コントローラ３８０が存在することがである。この質量流量コントローラ３８０は、図７Ａでは、プロセスマスタコントローラ３４０及び制御弁１３０と通信した状態で示されている。密度制御要素１４０は、不活性ガスの温度及び／又は圧力を修正又は制御することができる。密度制御要素１４０は、温度調整器若しくは圧力調整器又は温度調整器及び圧力調整器の両方を含むことができる。密度制御要素１４０は、プラズマトーチへのガス体積流量／ガス速度を制御して、プラズマトーチからの目標とするプラズマ放電レベルを達成して維持する目的のため、ガスの温度若しくは圧力又は温度及び圧力の両方を修正するために、制御された方式で使用することができる。図７Ａに図示する実施形態では、密度制御要素１４０は、プロセッサ群３００の体積流量コントローラ３６０と通信する。制御弁１３０は、質量流量コントローラ３８０と通信する。図７Ｂ及び図７Ｃに図示する実施形態では、密度制御要素１４０及び制御弁１３０は、プロセスマスタコントローラ３４０と通信する。

温度及び／又は圧力を調整することにより、不活性ガス分子間の距離に影響を及ぼす可能性のある環境的及び機械的外乱に起因する不活性ガス分子間の一定の平均距離を維持するように不活性ガス密度を制御し、それによりプラズマトーチへの不活性ガスの目標体積流量を達成することができる。ガス密度修正器は、外部条件又は外乱が変化したとしても、溶融池でのプラズマアークの一貫した適用をもたらすことができる、体積流量を規定できる全てのパラメータを調整することを補助し得る。

密度制御要素１４０は、温度調整器を含むことができる。温度調整器は、加熱器を含むことができる。加熱器は、密度制御要素１４０内の不活性ガスの温度を増加させることができ、これにより同数のガス分子が占める体積を増加させることができる。加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体又はそれらの組み合わせを含むことができる。

温度調整器は、冷却装置を含むことができる。冷却装置は、密度制御要素１４０内の不活性ガスの温度を下げることができ、これにより同数のガス分子が占める体積を減少させることができる。冷却装置は、低温流体リザーバに接続された管と、冷却流体を密度制御要素１４０内の温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプとを含むことができる。冷却装置は、温度調整器を通過する閉じた導管と、冷却ガスを密度制御要素１４０内の温度調整器に通すための閉じた導管に接続されたファンとを含むことができる。閉ループ低温冷却経路と、冷却ガスを温度調整器に通すための導管との組み合わせを使用することができる。

密度制御要素１４０は、圧力調整器を含むことができる。圧力調整器は、圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を減少させるか、又は圧力調整器の容積を減少させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を増加させることができる可動プレナムチャンバを含むことができる。

図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃに図示する例示的な実施形態では、ガス供給１００は、ホース１１０を介してガス供給マニホールド１２０に接続される。ガス供給１００の不活性ガスは、希ガスであり得る。いくつかの実施形態では、ガス供給１００は、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びそれらの組み合わせの中から選択されるガスを提供する。いくつかの実施形態では、ガス供給１００は、システムにアルゴンを提供する。ガス供給マニホールドは、プラズマアーク又は加工物の近傍に所望の環境を維持するためにガスを提供することと同様に又はそれに加えて、付加製造機のいくつかの異なる構成要素又は異なる付加製造機にガスを提供することができる。図７Ａ～図７Ｃは、ガス供給マニホールド１２０を制御弁１３０に接続するガスライン１２５のみを図示する。制御弁１３０は、ホース１３５を介して密度制御要素１４０に接続された状態で示されている。制御弁１３０は、制御弁１３０を通して密度制御要素１４０に流れるガスの量を増加又は減少させるために、弁の開度を増加又は減少させるように操作することができる。ガスは、制御弁１３０からホース１３５を通して密度制御要素１４０に流れ、次いでホース１９０を通してプラズマトーチ６００に流れることができる。プラズマトーチ６００は、ガスをイオン化してプラズマアーク６２５を形成する。プラズマアーク６２５は、ワイヤ金属源を溶融させ、溶融した金属ワイヤ源からの溶融金属を加工物６５０上に堆積させるために使用することができる。

感知キット２００は、プラズマトーチへのガスの温度、圧力及び流れの測定を可能にするための、ガスライン１９０への感知コネクタ１９５を含む。感知キットは、温度測定ユニット２２０、圧力測定ユニット２４０及び質量流量測定ユニット２６０を含むことができる。温度測定ユニット２２０は、温度センサを含むことができる。圧力測定ユニット２４０は、圧力センサを含むことができる。質量流量測定ユニット２６０は、標準条件での質量流量又は体積流量の測定のための流量計を含むことができる。他の環境測定装置も感知キット２００に含めることができる。

感知キット２００の感知コネクタ１９５は、プラズマトーチのちょうどガス流入口にある生産チャンバの内側又はプラズマトーチガス入口の近傍に位置することができる。このような位置決めにより、プラズマ柱の作用に直接起因する温度変化などのアーク放射の乱れ若しくは溶融池からの放射熱などの加工物からの熱寄与又はそれらの組み合わせに起因するガス密度変動を感知キット２００が測定して制御することが可能となり得る。また、このような位置決めにより、ガス供給とプラズマトーチとの間のガスラインにおける漏れにより生じ得る流れの変動を質量流量計が検出することが可能となり得る。いくつかの実施形態では、感知コネクタ１９５は、プラズマトーチガス入口から１０ｍｍ～１５ｃｍ又は２ｃｍ～２ｍ離れて位置する。

感知キット２００の要素により生成された情報（例えば、図７Ａ～図７Ｃに図示する実施形態における温度、圧力及び質量流量）を使用することにより、プロセッサ群３００（図７Ａ）における計算プロセッサ３２０又はプロセスマスタコントローラプロセッサ（図７Ｂ及び図７Ｃ）で実行される計算プロセッサ３２０の機能を果たすソフトウェア機能は、イオン化されるガスの実際の体積流量を計算することができる。図７Ａに示す例示的な構成では、プロセッサ群３００は、実際の体積流量の計算のための計算プロセッサ３２０と、密度制御要素１４０と通信して密度制御要素１４０を操作できる体積流量コントローラ３６０と、制御弁１３０と通信して、プロセスマスタコントローラ３４０から受信したデータに基づいて制御弁１３０を操作できる質量流量コントローラ３８０とを含むことができる。例えば、プロセスマスタコントローラ３４０は、感知キット２００からの測定されたガス質量流量データ及び計算プロセッサ３２０からの計算された体積流量並びにパートプログラム４００からの流量設定値を受信することができる。

図７Ｂに示す例示的な構成では、実際の体積流量の計算のための計算プロセッサ３２０、体積流量コントローラ３６０及び質量流量コントローラ３８０は、それぞれプロセスマスタコントローラ３４０で実行されるソフトウェア機能である。プロセスマスタコントローラ３４０は、制御弁１３０及び密度制御要素１４０と通信して、制御弁１３０及び密度制御要素１４０を操作することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、感知キット２００からの測定されたガス質量流量データを受信し、パートプログラム４００からの流量設定値だけでなく、計算プロセッサ３２０のソフトウェア機能からの計算された体積流量も使用し、設定された質量流量値と感知キット２００からの質量流量測定２６０からの実際の質量流量値との間の差だけでなく、設定された体積流量値と計算された実際の流量値との間の差も決定することができる。差分質量流量値に基づいて、プロセスマスタコントローラ３４０は、制御弁１３０と通信し、質量流量差分値がゼロに近づくか又はゼロになるように不活性ガスの質量流量を増加又は減少させて、制御弁１３０から密度制御要素１４０への制御された質量流量をもたらす。差分体積流量値に基づいて、プロセスマスタコントローラ３４０は、密度制御要素１４０と通信し、体積流量差分値がゼロに近づくか又はゼロになるように不活性ガスの温度及び／圧力を増加又は減少させて、密度制御要素１４０からプラズマトーチ６００への制御された体積流量及び制御された質量流量をもたらす。

図７Ｃに示す例示的な構成は、プロセスマスタコントローラ３４０が、プロセスマスタコントローラ３４０で実行されるソフトウェア機能３８５を含む点で図７Ｃに示す構成と異なる。ソフトウェア機能３８５は、図７Ｂにおけるプロセスマスタコントローラ３４０の質量流量コントローラ及び体積流量コントローラの機能を果たす。図７Ｃに示す構成の質量流量及び体積流量コントローラ３８５は、計算プロセッサ３２０の機能を果たすソフトウェア機能からの計算された実際の体積流量を利用して、パートプログラム４００からの体積流量設定値と計算された体積流量値との間の差を決定する。この差は、プロセスマスタコントローラ３４０に伝達される。プロセスマスタコントローラは、パートプログラム４００からの設定された質量流量値を感知キット２００からの質量流量測定２６０からの実際の質量流量値と比較して、質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差も決定する。差分質量流量値に基づいて、プロセスマスタコントローラ３４０は、制御弁１３０と通信し、質量流量差分値がゼロに近づくか又はゼロになるように不活性ガスの質量流量を増加又は減少させて、制御弁１３０から密度制御要素１４０への制御された質量流量をもたらす。差分体積流量値に基づいて、プロセスマスタコントローラ３４０は、密度制御要素１４０と通信し、体積流量差分値がゼロに近づくか又はゼロになるように不活性ガスの温度及び／又は圧力を増加又は減少させて、密度制御要素１４０からプラズマトーチ６００への制御された体積流量及び質量流量をもたらす。

プラズマトーチが溶融金属の層上に層を形成してプリフォームを形成するためのプラズマトーチの軌道並びにガス流及びガス設定値信号を含む、付加製造システムが所与のプリフォームを準備するために必要なデータを含むパートプログラム４００は、プロセスマスタコントローラと通信することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、質量流量設定値と、測定された実際のガス質量流量値とを質量流量コントローラ３８０に提供することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、パートプログラム４００から得られた体積流量設定値と、計算プロセッサ３２０から計算されて得られる体積流量実際値とを体積流量コントローラ３６０に提供することができる。

一般性を失うことなく、質量流量コントローラは、別個のプロセッサ、例えばコントローラでもあり得るか、又はプロセスマスタコントローラプロセッサで実行されるソフトウェア機能でもあり得る。質量流量コントローラ３８０は、ガス質量流量設定値を実際の質量流量値と比較し、測定された質量流量値が質量流量設定値を下回る場合、制御弁１３０に信号を送信し、制御弁１３０を徐々に開放して密度制御要素１４０へのガスの質量流量を増加させることができる。質量流量コントローラ３８０は、測定された質量流量値が質量流量設定値を上回る場合、制御弁１３０に信号を送信し、制御弁１３０を徐々に閉鎖して密度制御要素１４０へのガスの質量流量を減少させることができる。

体積流量コントローラ３６０は、体積流量設定値を体積流量計算値と比較し、計算された体積流量値が体積流量設定値を下回る場合、密度制御要素１４０に信号を送信し、温度を徐々に増加させてガスの体積を増加させるか又は圧力を減少させて体積を増加させることができる。体積流量コントローラ３６０は、計算された体積流量値が体積流量設定値を上回る場合、制御弁１３０に信号を送信し、温度を徐々に減少させてガスの体積を減少させるか又は圧力を増加させてガスの体積を減少させることができる。感知コネクタ１９５を介して感知キット２００から受信したデータに基づいて、ガス供給マニホールド１２０から密度制御要素１４０を通してプラズマトーチ６００に至るガスの体積流量を調整するために、プロセスマスタコントローラ３４０が行う動作により、制御された体積流量及び調整された質量流量の不活性ガスをプラズマトーチ６００に送給することが可能となる。これにより、プラズマトーチに供給されるガス分子の体積及び数の両方の制御が可能となり得る。システムは、不活性ガスの質量流量も監視することができる。プロセスマスタコントローラ３４０により受信した質量流量データ及び体積流量データは、オペレータ又はシステムによる評価のためにデータ監視システム５００に送信することができる。質量流量及び実際の体積流量のデータは、例えば、堆積プロセスの分析及び開発、漏れの検出及び除去（又は補償）並びにガス制御システムの校正に使用することができる。

制御弁１３０は、質量設定点信号に応答して駆動部により操作することができる。質量設定点信号は、プロセスマスタコントローラ３４０により生成し、質量流量コントローラ３８０に送信することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、パートプログラム４００から質量流量設定値を受信することができる。質量流量コントローラ３８０は、制御弁１３０に接続された駆動部に接続することができる。プロセスマスタコントローラ３４０は、計算された実際の体積流量値を体積流量設定値と比較して、調節信号を生成することができる。調節信号は、制御弁１３０の開放度を調節して、制御弁１３０を通る不活性ガスの流量を変化させ、それにより設定された質量流量値と測定された実際の質量流量値との間の差を低減するために、制御弁１３０の駆動部に伝送されるように質量流量コントローラ３８０に伝送することができる。次いで、質量流量の調節されたガスは、ホース１３５を通して密度制御要素１４０に送出することができる。

プロセスマスタコントローラ３４０は、パートプログラム４００から体積流量設定値を受信することもできる。プロセスマスタコントローラ３４０は、直接又は体積流量コントローラ３６０を介して密度制御要素１４０に接続することができる。一般性を失うことなく、体積流量コントローラは、別個のプロセッサ、例えばコントローラでもあり得るか、又はプロセスマスタコントローラプロセッサで実行されるソフトウェア機能でもあり得る。プロセスマスタコントローラ３４０は、計算された実際の体積流量値を体積流量設定値と比較して、調節信号を生成することができる。調節信号は、温度及び／又は圧力を修正して、密度制御要素１４０を通る不活性ガスの体積流量を変化させ、それにより設定された体積流量値と計算された実際の体積流量値との間の差を低減することによりガスの体積を調節するために、密度制御要素１４０に伝送することができる。

質量流量コントローラ３８０は、弁の開放位置を検出できる、制御弁１３０に取り付けられたセンサを含むことができる。センサは、弁位置を質量流量コントローラ３８０に伝達することができる。この質量流量コントローラ３８０は、センサから受信した弁位置フィードバックに基づいて弁位置を調節するためにプロセスマスタコントローラ３４０と通信する。

質量流量コントローラ３８０又は制御弁１３０のセンサからプロセスマスタコントローラ３４０に伝達される信号は、測定された値が好ましいレベルよりも高いか、低いか又は好ましいレベルであることを示す、高電圧、低電圧又はゼロ電圧などのデジタル信号であり得る。同様に、プロセスマスタコントローラ３４０により制御弁１３０に直接又は質量流量コントローラ３８０を介して伝達される任意の出力は、開信号、閉信号又は中立信号であり得る。代替的に、信号は、アナログ値を伝達し得る。

プロセスマスタコントローラ３４０は、弁制御信号を高電圧、低電圧又はゼロ電圧として制御弁１３０又は質量流量コントローラ３８０に出力できるように構成することができ、誤差信号を出力するための選択肢を含むこともできる。弁制御信号が高信号又は低信号である場合、制御弁１３０は、ゼロ信号が達成されるまでそれぞれ徐々に開放又は閉鎖することができる。弁制御信号がゼロである場合、弁は、位置を変えない。弁制御信号が誤差である場合、弁は、誤差の種類に応じて、完全に遮断するか又は誤差出力をゼロ出力と解釈し得る。例えば、圧力が低すぎて所望の流量を維持できない場合、制御弁１３０は、完全に開放して流れを最大にし得る。代替的に、センサが不十分な不活性ガス流を検出したか又は不活性ガス流を全く検出しない場合、誤差信号は、弁を閉鎖して、データ監視システム５００に警告信号を送信するものと解釈することができる。

配管長さ及び／若しくは直径のばらつき、並びに／又は管及びホースの機械的公差、コネクタ直径、並びに／又は不活性ガス消費量の変動及び付加製造機若しくは関連するシステムの異なる構成要素によるガス供給マニホールド１２０への要求、並びにマニホールドガス温度及び圧力コントローラの公差、ガスホースによるアーク及び加工物からの放射熱吸収などの熱外乱及び生産ホールと生産チャンバの温度変動などの環境温度外乱に起因するガス温度の変動に起因して、ガス供給マニホールド１２０から供給されるガスの密度は、（温度及び圧力に関して）大きく変動する。図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃにシステム３０００として示すように構成された、本明細書で提供されるシステムの実施形態は、ガス供給マニホールド１２０への様々な要求、又はガス供給１００とプラズマトーチ６００との間のシステムにおけるガス漏れ、又はプラズマアーク及び加工物からの放射に起因するガス温度変動にもかかわらず、プラズマトーチへの不活性ガスの制御された質量流量及び体積流量の提供を可能にする。

任意のワイヤベースの付加製造システムは、本明細書で提供される不活性ガス流制御システムのいずれかと共に使用するために修正することができる。

Ｃ．流量制御方法
また、付加製造プロセスにより加工物を生産するために、プラズマにイオン化される不活性ガスのプラズマトーチへの流れを制御するための方法も提供される。本明細書で提供される方法は、不活性ガスの目標質量流量若しくは目標体積流量又は目標質量流量及び目標体積流量をプラズマトーチに送給することができる。本方法は、本明細書で提供されるシステムの１つをＤＥＤ製造システムに統合することと、システムを使用してプラズマトーチへの不活性ガス流を調整して制御することとを含むことができる。溶融池へのプラズマアーク圧力は、溶融池ダイナミクス、したがってビードの幾何学的形状及び機械的特性を規定する最も重要な因子の１つであり得る。ビードの幾何学的形状及び機械的特性は、付加製造プロセスの一貫性及び品質を特徴付けることができる。本明細書で提供される方法は、プラズマトーチに供給される不活性ガスの様々な密度レベルにわたり、プラズマトーチからのガス放出速度を所望のレベルに維持することにより、溶融池に一貫したプラズマアーク圧力（すなわち溶融池の単位面積当たりのアーク力）を及ぼすことができる。本明細書で提供される方法は、溶融池の駆動力、すなわち溶融池ダイナミクスに重大な影響を及ぼす実際の体積流量を計算することができる。本方法は、プラズマトーチに一貫した体積流量の不活性ガスを提供できるため、ガス密度に影響を及ぼす可能性のある異なる環境的及び機械的変動に対して大幅に改善された、よりロバストな堆積プロセスを実現することができる。

本明細書で提供される方法は、プラズマトーチへの不活性ガスの実際の体積流量を制御できるという理由から、例えば環境的外乱に起因するガス密度の変動が溶融池の動的挙動に影響を及ぼさないため、堆積プロセスがより一貫したものになる。堆積プロセスが異なる機械で実行される場合、機械部品の公差に起因する環境的変動及び機械間の機械的変動が溶融池の動的挙動に影響を及ぼさず、また異なる機械でのプリフォームのより一貫した形成がもたらされる。ガス採取ホース／チューブであり得る感知コネクタは、ガスマニホールドとガスイオン化装置電磁場との間の任意の場所で不活性ガス流ラインに接続することができる。いくつかの実施形態では、感知コネクタは、トーチ入口に直接又はその近傍に取り付けることができる。いくつかの実施形態では、感知コネクタの温度センサ及び圧力センサは、トーチ内に組み込むことができる。いくつかの実施形態では、実際の体積流量制御要素は、加工物が原因のアーク放射の乱れ又は熱放射の乱れに起因するガス密度変動を測定して制御することができるように、プラズマトーチへの不活性ガスのちょうど流入口にある生産チャンバの内側に位置することができる。

本方法は、プラズマトーチへの不活性ガスの入口に質量流量測定要素を追加することを含むことができる。質量流量測定要素は、漏れなどに起因する質量流量減少の検出を可能にすることができ、不活性ガスの質量流量についての２次診断用センサとして使用することができる。本方法は、不活性ガスの温度及び／又は圧力を測定するために温度センサ及び／又は圧力センサをプラズマトーチの内側に含むトーチの使用を含むことができる。

本明細書で提供される方法は、ガス放出速度をプラズマトーチにおいて目標とする値で達成するために、実際の体積流量がガス密度の変動の全域で達成されることを可能にすることができる。本明細書で提供される方法及びシステムは、時間内のガス分子の数及び時間内のガス体積の両方に関して、不活性ガス流がプラズマトーチに送給されることも可能にし得る。不活性ガスの体積制御は、不活性ガスの温度及び／又は圧力を変化させることにより達成することができ、これによりガス分子間の距離に影響を及ぼし得る環境的及び機械的外乱に起因するガス分子間の一定の平均距離を維持するようにガス密度を制御することができる。

本方法は、不活性ガスの目標質量流量若しくは目標体積流量又は目標質量流量及び目標体積流量をプロセスマスタコントローラに伝達することと、不活性ガスの質量流量を測定することと、不活性ガスの質量流量に基づいて計算された体積流量を決定することと、計算された体積流量を目標体積流量と比較することと、計算された体積流量と目標体積流量との間の差を計算することと、ａ）プラズマトーチへの不活性ガスの質量流量を増加又は減少させるように質量流量制御弁を調節すること、又はｂ）プラズマトーチに供給される不活性ガスの温度及び／又は圧力を調整することによって不活性ガスのガス密度を調節することにより、プラズマトーチへの不活性ガス流を調節することとを含むことができる。

本方法は、ガス密度修正器を付加製造システムの不活性ガス流ライン内に位置決めすることと、プラズマトーチ若しくは成形加工物又はそれらの組み合わせからの放射の乱れに起因する不活性ガスのガス密度変動を測定し、調整することとを含むこともできる。ガス密度修正器は、生産チャンバの内側に位置決めすることができる。ガス密度修正器は、生産チャンバの外側に位置決めすることができる。ガス密度修正器は、プラズマトーチガス入口の位置若しくはその近傍の位置、又はプラズマトーチ内の位置、又はガスマニホールドとガスイオン化装置電磁場との間の任意の場所に接続された位置と通信する感知キットと通信することができる。感知キットは、複数の流量計、温度センサ、圧力センサ又はそれらの任意の組み合わせと通信することができる。感知キットは、プラズマトーチへの不活性ガス流に影響を及ぼす外部外乱を検出することができる。ガス密度を調整することは、ガス温度を増加又は減少させることを含むことができる。ガス密度を調整することは、ガス圧力を増加又は減少させることを含むことができる。ガス密度を調整することは、ガス温度及び圧力を修正することを含むことができる。

プラズマトーチ内でイオン化される不活性ガスの流れが制御弁により調整される方法では、方法は、設定値と実際値との間の差を表す差分値に基づいて調節信号を生成することにより、制御弁を調節することと、流量制御弁に取り付けられた駆動部に調節信号を送信することであって、駆動部は、調節信号に基づいて制御弁の開度を増加又は減少させる、送信することとを含むことができる。いくつかの方法では、不活性ガスは、不活性ガスの密度を調整できるガス密度修正器に導くことができる。不活性ガスの密度を調節することは、ａ）不活性ガスの温度を測定し、且つ差分値に応答して不活性ガスの温度を増加又は減少させること、又はｂ）不活性ガスの圧力を測定し、且つ差分値に応答して不活性ガスの圧力を増加又は減少させること、又はｃ）ａ）及びｂ）の両方を含むことができる。不活性ガスの温度を増加させることは、加熱器を含む温度調整器に不活性ガスを導くことと、加熱器を作動させることとを含むことができる。不活性ガスの温度を減少させることは、冷却装置を含む温度調整器に不活性ガスを導くことと、冷却装置を作動させることとを含むことができる。プラズマトーチに送給される不活性ガスの圧力を増加又は減少させることは、不活性ガスを圧力調整器に導くことを含むことができる。

プラズマにイオン化される、目標体積流量及び目標質量流量の不活性ガスをプラズマトーチに送給する例示的な方法は、不活性ガスラインを介して不活性ガス供給マニホールドに取り付けられた制御弁を通して、ガス供給マニホールドからプラズマトーチの入口に不活性ガスを提供すること、ａ）不活性ガス供給マニホールドとプラズマトーチのガスイオン化装置電磁場との間の不活性ガスの温度、質量流量及び圧力を測定すること、又はｂ）プラズマトーチガス入口又はその近傍の不活性ガスの温度、質量流量及び圧力を測定すること、又はｃ）プラズマトーチの内側の不活性ガスの温度及び圧力と、プラズマトーチガス入口又はその近傍の質量流量を測定すること、又はｄ）ａ）、ｂ）及びｃ）の任意の組み合わせと、ｉ）プラズマトーチ入口又はその近傍における、又はｉｉ）プラズマトーチの内側における、又はｉｉｉ）ガスマニホールドとプラズマトーチガス入口との間の不活性ガス供給ラインの位置における、プラズマトーチへの不活性ガスの実際の体積流量を計算すること、実際の体積流量を目標体積流量と比較して、体積流量差分値を生成すること、実際の質量流量を目標質量流量と比較して、質量流量差分値を生成すること、質量流量差分値及び／又は体積流量差分値に基づいて、ａ）制御弁を通してプラズマトーチガス入口に至る不活性ガスの質量流量を増加又は減少させるように制御弁を調節すること、又はｂ）不活性ガスの圧力及び／又は温度を増加又は減少させることにより、不活性ガスの密度を調節して、修正された不活性ガス体積流量をもたらし、且つ修正された不活性ガスをプラズマトーチの入口に導くこと、又はｃ）不活性ガスの圧力及び／又は温度を増加又は減少させることにより、制御弁及び不活性ガスの密度を調節して、プラズマトーチのイオン化電磁場への不活性ガスの質量流量及び体積流量を制御することを含む。

本方法では、制御弁を調節することは、質量流量差分値及び／又は体積流量差分値に基づいて調節信号を生成することと、制御弁に取り付けられた駆動部に調節信号を送信することであって、駆動部は、調節信号に基づいて制御弁の開度を増加又は減少させる、送信することとを含むことができる。本方法では、不活性ガスの密度を調節することは、ａ）不活性ガスの温度を測定し、且つ体積流量差分値に応答して不活性ガスの温度を増加又は減少させること、又はｂ）不活性ガスの圧力を測定し、且つ体積流量差分値に応答して不活性ガスの圧力を増加又は減少させること、又はｃ）ａ）及びｂ）の両方を含むことができる。

不活性ガスの温度を増加させることは、加熱器を含む温度調整器に不活性ガスを導くことと、加熱器を作動させることとを含む。加熱器が不活性ガスの温度を上げることができる限り、任意の加熱器を使用することができる。例示的な加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体及びそれらの任意の組み合わせを含む。

不活性ガスの温度を減少させることは、冷却装置を含む温度調整器に不活性ガスを導くことと、冷却装置を作動させることとを含むことができる。冷却装置が不活性ガスの温度を下げることができる限り、任意の冷却装置を使用することができる。冷却装置は、不活性ガスの温度を下げることができる低温冷却システム又は熱交換器を含むことができる。冷却装置は、不活性ガスから熱エネルギーを除去できる低温流体を含むことができる。いくつかの方法では、冷却装置は、ａ）低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又はｂ）温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを温度調整器に通すための導管に接続されたファン、又はｃ）ａ）及びｂ）の組み合わせを含むことができる。

本明細書で提供される方法では、不活性ガスの圧力を増加又は減少させることは、不活性ガスを圧力調整器に導くことを含む。圧力調整器が不活性ガスの圧力を増加又は減少させることができる限り、任意の圧力調整器を使用することができる。例えば、圧力調整器は、圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を減少させるか、又は圧力調整器の容積を減少させ、且つそれにより圧力調整器から出る不活性ガスの圧力を増加させることができる可動プレナムチャンバを含むことができる。本明細書で提供される方法では、不活性ガスは、アルゴンであり得る。

本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本発明に対する様々な修正形態及び変形形態がなされ得ることは、当業者に明らかであろう。したがって、本発明は、本発明の修正形態及び変形形態が添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にあることを条件として、それらの修正形態及び変形形態を網羅することが意図される。

以下は、本明細書及び添付図面で使用される参照番号の一覧表である。

１００ ガス供給
１１０ ガス供給とガス供給マニホールドとの間のホース又は管
１２０ ガス供給マニホールド
１２５ ガス供給マニホールドと制御弁との間のホース又は管
１３０ 制御弁
１３５ 制御弁と密度制御要素との間のホース又は管
１４０ 密度制御要素
１５０ 温度調整器
１５１ 液体温度調整器
１５２ 出口
１５３ 導管
１５４ 熱交換器
１５５ 導管
１５６ 導管
１５８ 入口
１６０ 圧力調整器
１６２ プレナムチャンバ
１６４ 封止要素
１６６ 位置修正器
１７０ ポンプ
１７２ 吸入口
１７４ 出口
１７５ 外部液体供給源
１７６ 入口
１７８ 排出口
１８１ ガス供給マニホールドとガス体積／質量流量制御システムとの間のホース又は管
１８５ 制御弁とプラズマトーチとの間のホース又は管
１９０ 密度制御要素とプラズマトーチとの間のホース又は管
１９５ ガス供給ラインと感知キットとの間の感知コネクタ
１９６ 間にあるホース又は管
２００ 感知キット
２２０ 温度測定ユニット
２２５ 温度センサ
２４０ 圧力測定ユニット
２４５ 圧力センサ
２６０ 質量流量測定
２６５ 質量流量計
３００ プロセッサ（コントローラ）群
３２０ 実際の体積流量を計算するための計算プロセッサ
３４０ プロセスマスタコントローラ
３６０ 体積流量コントローラ
３８５ 質量流量及び体積流量コントローラ
４００ パートプログラム
５００ データ監視システム
６００ プラズマトーチ
６０５ プラズマトーチの不活性ガス入口
６１０ タングステン電極
６１５ イオン化装置電磁場の領域
６２５ プラズマアーク（イオン化ガス）
６５０ 加工物

Claims (51)

1. 付加製造装置のプラズマトーチへのガスの流れを制御するためのシステムであって、
   不活性ガスの供給源と、
   前記不活性ガスの前記供給源と流体連通する供給マニホールドと、
   前記供給マニホールドに接続された不活性ガスラインから前記不活性ガスを受け入れるためのガス入口と、前記不活性ガスをプラズマにイオン化するためのガスイオン化装置電磁場とを含むプラズマトーチと、
   温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットを含む感知キットであって、各ユニットは、前記供給マニホールドと前記ガスイオン化装置電磁場との間の前記不活性ガスラインの位置に接続された１つ又は複数の感知コネクタと通信する、感知キットと、
   前記ガス供給マニホールドと流体連通し、且つ前記ガス供給マニホールドから前記プラズマトーチへの前記不活性ガスの流れを調整する制御弁と、
   前記感知キットと通信するプロセスマスタコントローラと、
   質量流量設定値若しくは体積流量設定値又は質量流量設定値及び体積流量設定値の両方を前記プロセスマスタコントローラに提供するパートプログラムと、
   前記プロセスマスタコントローラで実行されている計算機能であって、実際の体積流量を計算する計算機能と、
   ａ）前記プロセスマスタコントローラで実行されている質量流量制御機能、又は
   ｂ）前記プロセスマスタコントローラで実行されている体積流量制御機能、又は
   ｃ）前記プロセスマスタコントローラで実行されている質量流量制御機能及び体積流量制御機能、又は
   ｄ）前記プロセスマスタコントローラで実行されている組み合わされた質量流量及び体積流量制御機能と
   を含むシステム。
2. 前記質量流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記質量流量設定値を前記感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と比較し、且つ不活性ガスの質量流量を増加又は減少させて、前記質量流量設定値と前記実際の質量流量値との間の差を減少させるように前記制御弁若しくは密度制御要素のいずれか又は前記制御弁及び前記密度制御要素の両方を調整する、請求項１に記載のシステム。
3. 前記体積流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記体積流量設定値を前記計算機能からの前記計算された体積流量値と比較し、且つ不活性ガスの体積流量を増加又は減少させて、前記体積流量設定値と前記計算された体積流量値との間の差を減少させるように前記制御弁若しくは密度制御要素のいずれか又は前記制御弁及び前記密度制御要素の両方を調整する、請求項１に記載のシステム。
4. 前記質量流量制御機能及び体積流量制御機能は、前記プロセスマスタコントローラで実行されており、
   前記質量流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記質量流量設定値を前記感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と比較し、及び
   前記体積流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記体積流量設定値を前記計算機能からの前記計算された体積流量値と比較し、且つ
   前記プラズマトーチの前記ガスイオン化装置電磁場に送給される前記不活性ガスの質量流量及び体積流量の両方を調節するように前記制御弁及び密度制御要素を調整する、請求項１に記載のシステム。
5. 前記組み合わされた質量流量及び体積流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記質量流量設定値を前記感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と、及び前記パートプログラムからの前記体積流量設定値を前記計算機能からの前記計算された体積流量値と比較し、且つ
   前記プラズマトーチの前記ガスイオン化装置電磁場に送給される前記不活性ガスの質量流量及び体積流量の両方を調節するように前記制御弁及び密度制御要素を調整する、請求項１に記載のシステム。
6. 前記質量流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記質量流量設定値を前記感知キットの質量流量測定ユニットからの実際の質量流量値と比較し、且つ
   不活性ガスの質量流量を増加又は減少させて、前記プラズマトーチの前記ガスイオン化装置電磁場に送給される前記不活性ガスの質量流量の前記質量流量設定値と前記実際の質量流量値との間の差を減少させるように前記制御弁を調整し、及び
   前記体積流量制御機能は、前記パートプログラムからの前記体積流量設定値を前記計算機能からの前記計算された体積流量値と比較し、且つ
   前記プラズマトーチの前記ガスイオン化装置電磁場に送給される前記不活性ガスの体積流量を制御するように密度制御要素を調節する、請求項１に記載のシステム。
7. 前記プロセスマスタコントローラは、
   ａ）前記質量流量制御機能が実行されている質量流量コントローラプロセッサ、又は
   ｂ）前記体積流量制御機能が実行されている体積流量コントローラプロセッサ、又は
   ｃ）前記計算機能が実行されている計算プロセッサ、又は
   ｄ）ａ）、ｂ）及びｃ）の任意の組み合わせ
   と更に通信する、請求項１～６のいずれか一項に記載のシステム。
8. 前記プロセスマスタコントローラ、前記計算プロセッサ、前記体積制御プロセッサ及び前記質量流量制御プロセッサのいずれか１つ又は組み合わせは、データサーバと更に通信し、且つ質量流量及び体積流量データは、前記データサーバに送信される、請求項１～７のいずれか一項に記載のシステム。
9. 前記感知キットの前記温度測定ユニット、前記圧力測定ユニット及び前記質量流量測定ユニットの各々の前記感知コネクタは、前記プラズマトーチガス入口の近傍に接続される、請求項１～８のいずれか一項に記載のシステム。
10. 前記感知キットの前記温度測定ユニット及び前記圧力測定ユニットの各々の前記感知コネクタは、前記プラズマトーチ内に位置する、請求項１～９のいずれか一項に記載のシステム。
11. 前記プラズマトーチの前記入口に送給される前記不活性ガスの温度及び／又は圧力を制御する密度制御要素を更に含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載のシステム。
12. 前記ガス密度修正器は、
    ａ）温度調整器及び温度センサ、又は
    ｂ）圧力調整器及び圧力センサ、又は
    ｃ）温度調整器、温度センサ、圧力調整器及び圧力センサ、又は
    ｄ）ａ）、ｂ）及びｃ）の任意の組み合わせ
    を含む、請求項１１に記載のシステム。
13. 前記ガス密度修正器は、前記温度調整器を含み、及び前記温度調整器は、加熱器を含む、請求項１２に記載のシステム。
14. 前記加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体又はそれらの組み合わせを含む、請求項１３に記載のシステム。
15. 前記温度調整器は、冷却装置を更に含む、請求項１３又は１４に記載のシステム。
16. 前記冷却装置は、
    ａ）低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を前記温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又は
    ｂ）前記温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを前記温度調整器に通すための前記導管に接続されたファン、又は
    ｃ）ａ）及びｂ）の組み合わせ
    を含む、請求項１５に記載のシステム。
17. 前記圧力調整器を含み、
    前記圧力調整器は、
    前記圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより前記圧力調整器から出る前記不活性ガスの圧力を減少させること、又は
    前記圧力調整器の前記容積を減少させ、且つそれにより前記圧力調整器から出る前記不活性ガスの前記圧力を増加させること
    ができる可動プレナムチャンバを含む、請求項１２～１６のいずれか一項に記載のシステム。
18. 前記密度制御要素は、前記プラズマトーチへの前記不活性ガスの速度を制御するように構成される、請求項１２～１７のいずれか一項に記載のシステム。
19. 前記感知キットの前記温度測定ユニットは、温度センサを含む、請求項１～１８のいずれか一項に記載のシステム。
20. 前記感知キットの前記圧力測定ユニットは、圧力センサを含む、請求項１～１９のいずれか一項に記載のシステム。
21. 前記感知キットの前記質量流量測定ユニットは、質量流量センサを含む、請求項１～２０のいずれか一項に記載のシステム。
22. 前記感知コネクタは、前記プラズマトーチ及び／又は加工物からの放射の乱れを測定するために、付加製造システムの生産チャンバの内側且つ前記プラズマトーチガス入口に位置決めされる、請求項１～２１のいずれか一項に記載のシステム。
23. 前記制御弁の上流に位置し、且つ前記プロセスマスタコントローラと通信する質量流量計であって、前記マニホールドからの前記不活性ガスの質量流量の低下を検出することができる質量流量計を更に含み、及び前記プロセスマスタ制御は、漏れを示すためにデータ監視システムに信号を送信する、請求項１～２２のいずれか一項に記載のシステム。
24. 付加製造装置のプラズマトーチへのガスの流れを制御するためのシステムであって、
    不活性ガスの供給源と、
    前記不活性ガスの前記供給源と流体連通するガス供給マニホールドと、
    前記不活性ガスを受け入れるためのガス入口と、前記不活性ガスをプラズマにイオン化するためのガスイオン化装置電磁場とを含むプラズマトーチと、
    前記ガス供給マニホールドと流体連通し、且つ前記ガス供給マニホールドからの前記不活性ガスの流れを調整する制御弁と、
    温度測定ユニット、圧力測定ユニット及び質量流量測定ユニットを含む感知キットであって、各ユニットは、前記ガス入口に接続された又は前記ガス入口の近傍に接続された感知コネクタと通信する、感知キットと、
    前記感知キットに接続され、且つ前記制御弁と通信するプロセッサ群であって、
    前記感知キットと通信するプロセスマスタコントローラと、
    前記感知キット及び前記プロセスマスタコントローラと通信する計算プロセッサであって、実際の体積流量を計算する計算プロセッサと、
    ａ）前記プロセスマスタコントローラと通信する質量流量コントローラ、又は
    ｂ）前記プロセスマスタコントローラと通信する体積流量コントローラ、又は
    ｃ）前記プロセスマスタコントローラと通信する質量流量コントローラ及び体積流量コントローラと
    を含むプロセッサ群と、
    質量流量設定値若しくは体積流量設定値又は質量流量設定値及び体積流量設定値の両方を前記プロセスマスタコントローラに提供するパートプログラムと
    を含むシステム。
25. 前記プロセッサ群は、前記質量流量コントローラを含み、及び前記質量流量コントローラは、前記制御弁と更に通信し、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、前記質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差を減少させるように前記制御弁を調整する、請求項２４に記載のシステム。
26. 前記プロセッサ群は、前記体積流量コントローラを含み、及び前記体積流量コントローラは、前記制御弁と更に通信し、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、前記体積流量設定値と前記計算された体積流量値との間の差を減少させるように前記制御弁を調整する、請求項２４に記載のシステム。
27. 前記プラズマトーチの前記入口に送給される前記不活性ガスの温度及び／又は圧力を制御する密度制御要素を更に含む、請求項２４に記載のシステム。
28. 前記プロセッサ群は、前記質量流量コントローラ及び前記体積流量コントローラを含み、
    前記質量流量コントローラは、前記制御弁と更に通信し、且つ不活性ガスの流れを増加又は減少させて、前記質量流量設定値と実際の質量流量値との間の差を減少させるように前記制御弁を調整し、及び
    前記体積流量コントローラは、前記プラズマトーチの前記入口に送給される前記不活性ガスの前記温度及び／又は圧力を制御する前記密度制御要素と更に通信し、且つ不活性ガスの体積流量を増加又は減少させて、前記体積流量設定値と前記計算された体積流量値との間の差を減少させるように前記密度制御要素を調整する、請求項２７に記載のシステム。
29. 前記ガス密度修正器は、
    温度調整器及び温度センサ、又は
    圧力調整器及び圧力センサ、又は
    温度調整器、温度センサ、圧力調整器及び圧力センサ
    を含む、請求項２７又は２８に記載のシステム。
30. 前記ガス密度修正器は、前記温度調整器を含み、及び前記温度調整器は、加熱器を含む、請求項２９に記載のシステム。
31. 前記加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体又はそれらの組み合わせを含む、請求項３０に記載のシステム。
32. 前記温度調整器は、冷却装置を更に含む、請求項３０又は３１に記載のシステム。
33. 前記冷却装置は、
    ａ）低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を前記温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又は
    ｂ）前記温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを前記温度調整器に通すための前記導管に接続されたファン、又は
    ｃ）ａ）及びｂ）の組み合わせ
    を含む、請求項３２に記載のシステム。
34. 前記圧力調整器を含み、前記圧力調整器は、
    前記圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより前記圧力調整器から出る前記不活性ガスの圧力を減少させること、又は
    前記圧力調整器の前記容積を減少させ、且つそれにより前記圧力調整器から出る前記不活性ガスの前記圧力を増加させること
    ができる可動プレナムチャンバを含む、請求項２９～３３のいずれか一項に記載のシステム。
35. 前記感知キットの前記温度測定ユニットは、温度センサを含む、請求項２４～３４のいずれか一項に記載のシステム。
36. 前記感知キットの前記圧力測定ユニットは、圧力センサを含む、請求項２４～３５のいずれか一項に記載のシステム。
37. 前記感知キットの前記質量流量測定ユニットは、質量流量センサを含む、請求項２４～３６のいずれか一項に記載のシステム。
38. 前記感知コネクタは、前記ガスマニホールドと前記プラズマトーチの前記ガスイオン化装置電磁場との間に位置決めされる、請求項２４～３７のいずれか一項に記載のシステム。
39. 前記制御弁の上流に位置し、且つ前記プロセスマスタコントローラと通信する質量流量計であって、前記ガス供給マニホールドからの前記不活性ガスの質量流量の低下を検出することができる質量流量計を更に含み、及び前記プロセスマスタ制御は、漏れを示すためにデータ監視システムに信号を送信する、請求項２４～３８のいずれか一項に記載のシステム。
40. プラズマにイオン化される、目標体積流量及び目標質量流量の不活性ガスをプラズマトーチに送給する方法であって、
    不活性ガスラインを介して不活性ガス供給マニホールドに取り付けられた制御弁を通して、ガス供給マニホールドから前記プラズマトーチの入口に不活性ガスを提供すること、
    ａ）前記不活性ガス供給マニホールドと前記プラズマトーチのガスイオン化装置電磁場との間の前記不活性ガスの温度、質量流量及び圧力を測定すること、又は
    ｂ）前記プラズマトーチガス入口又はその近傍の前記不活性ガスの温度、質量流量及び圧力を測定すること、又は
    ｃ）前記プラズマトーチの内側の前記不活性ガスの温度及び圧力と、前記プラズマトーチガス入口又はその近傍の質量流量とを測定すること、又は
    ｄ）ａ）、ｂ）及びｃ）の任意の組み合わせ、
    ｉ）前記プラズマトーチ入口又はその近傍における、又はｉｉ）前記プラズマトーチの内側における、又はｉｉｉ）前記ガスマニホールドと前記プラズマトーチガス入口との間の前記不活性ガス供給ラインの位置における、前記プラズマトーチへの前記不活性ガスの実際の体積流量を計算すること、
    前記実際の体積流量を目標体積流量と比較して、体積流量差分値を生成すること、
    前記実際の質量流量を目標質量流量と比較して、質量流量差分値を生成すること、
    前記質量流量差分値及び体積流量差分値に基づいて、
    ｘ）前記制御弁を通して前記プラズマトーチガス入口に至る前記不活性ガスの質量流量を増加又は減少させるように前記制御弁を調節すること、又は
    ｙ）前記不活性ガスの前記圧力及び／又は温度を増加又は減少させることにより、前記不活性ガスの密度を調節して、修正された不活性ガス体積流量をもたらし、且つ前記修正された不活性ガスを前記プラズマトーチの前記入口に導くこと、又は
    ｚ）前記不活性ガスの前記圧力及び／又は温度を増加又は減少させることにより、前記制御弁及び前記不活性ガスの前記密度を調節して、前記プラズマトーチの前記イオン化電磁場への前記不活性ガスの質量流量及び体積流量を制御すること
    を含む方法。
41. 前記制御弁を調節することは、
    前記質量流量差分値及び／又は体積流量差分値に基づいて調節信号を生成することと、
    前記制御弁に取り付けられた駆動部に前記調節信号を送信することであって、前記駆動部は、前記調節信号に基づいて前記制御弁の開度を増加又は減少させる、送信することと
    を含む、請求項４０に記載の方法。
42. 前記不活性ガスの前記密度を調節することは、
    ａ）前記不活性ガスの前記温度を測定し、且つ前記体積流量差分値に応答して前記不活性ガスの前記温度を増加又は減少させること、又は
    ｂ）前記不活性ガスの前記圧力を測定し、且つ前記体積流量差分値に応答して前記不活性ガスの前記圧力を増加又は減少させること、又は
    ｃ）ａ）及びｂ）の両方
    を含む、請求項４０又は４１に記載の方法。
43. 前記不活性ガスの前記温度を増加させることは、加熱器を含む温度調整器に前記不活性ガスを導くことと、前記加熱器を作動させることとを含む、請求項４２に記載の方法。
44. 前記加熱器は、誘導加熱器、抵抗加熱器、圧電セラミック発熱体又はそれらの組み合わせを含む、請求項４３に記載の方法。
45. 前記不活性ガスの前記温度を減少させることは、冷却装置を含む温度調整器に前記不活性ガスを導くことと、前記冷却装置を作動させることとを含む、請求項４２に記載の方法。
46. 前記冷却装置は、
    ａ）低温流体リザーバに接続された管及び冷却流体を前記温度調整器に供給するための閉ループ冷却経路を形成するためのポンプ、又は
    ｂ）前記温度調整器を通過する導管及び冷却ガスを前記温度調整器に通すための前記導管に接続されたファン、又は
    ｃ）ａ）及びｂ）の組み合わせ
    を含む、請求項４５に記載の方法。
47. 前記不活性ガスの前記圧力を増加又は減少させることは、前記不活性ガスを圧力調整器に導くことを含む、請求項４４に記載の方法。
48. 前記圧力調整器は、前記圧力調整器の容積を増加させ、且つそれにより前記圧力調整器から出る前記不活性ガスの圧力を減少させるか、又は前記圧力調整器の前記容積を減少させ、且つそれにより前記圧力調整器から出る前記不活性ガスの前記圧力を増加させることができる可動プレナムチャンバを含む、請求項４７に記載の方法。
49. 前記不活性ガスは、アルゴンである、請求項４０～４８のいずれか一項に記載の方法。
50. 前記目標体積流量及び前記目標質量流量は、パートプログラムによって提供される、請求項４０～４９のいずれか一項に記載の方法。
51. プラズマにイオン化される、目標体積流量の不活性ガスをプラズマトーチに送給する方法であって、
    請求項１～３９のいずれか一項に記載のシステムを不活性ガス供給源に取り付けることと、
    前記システムを作動させることと
    を含む方法。

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