JP2005193362A - 細線状構造体のアッセンブリ方法、量子装置の製造方法および電子応用装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 シリコンナノワイヤーなどの量子細線に代表される細線状構造体を自己整合的に、所定の位置にしかも所定の方位に載置することができる細線状構造体のアッセンブリ方法を提供する。
【解決手段】 シリコンナノワイヤー１７などの細線状構造体を分散させた分散液を基板１１の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位（金ナノ粒子２１）と基板１１の表面の所定の結合部位（−ＳＨ基）とを結合させる。あるいは、基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に細線状構造体を分散させて細線状構造体の一端と化合物の第２の官能基とが結合した分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、化合物の第１の官能基と基板の表面の所定の結合部位とを結合させる。
【選択図】 図８

Description

この発明は、細線状構造体のアッセンブリ方法、量子装置の製造方法および電子応用装置の製造方法に関し、例えば、量子細線を用いたトランジスタの製造に適用して好適なものである。

良く知られているように、今や産業の基幹となったエレクトロニクスの進歩を支えてきた大規模集積回路（ＬＳＩ）は、素子の微細化によって大容量、高速、低消費電力の性能を飛躍的に向上させてきた。しかしながら、素子のサイズが０．１μｍ以下になると、従来の素子の動作原理の限界に到達すると考えられることから、新しい動作原理に基づいた新しい素子の研究が活発に行われている。具体的には、半導体結晶中の電子のド・ブロイ波の波長と同程度の幅の半導体層内に電子を閉じ込めることで電子の運動の自由度を制限し、これにより生じる量子効果を利用した新しい動作原理に基づいて動作する量子細線デバイスを形成することが、近年検討されている。量子細線は、そのナノメートルサイズによる効果によってバルクとは異なった新しい物性を得ることができる。例えば、半導体結晶内での電子波の波長は約１０ｎｍであるから、一辺の長さが１０ｎｍ程度の断面四角形の細線状の半導体（以下、量子細線という）内で電子を生じさせると、電子はほとんど散乱されずに量子細線内を閉じ込められたままで進行するので、電子波の位相を維持することができる。極低温下では、電子は閉じ込められたように挙動し、熱振動しなくなるが、一辺の長さが１０ｎｍ程度の立方体状の半導体（以下、量子箱という）内で電子を生じさせると、極低温下で生じるこのような電子の状態を室温下で生じさせることができる。基板上に量子細線または量子箱を多数配列させてなるゲート電極と、その下部にキャリアを伝える伝導層とを作り、伝導層のキャリア数をゲート電極に印加する電圧により増減させることで、高速動作性および低雑音性に優れた特性の良いトランジスタを作製することができる。

シリコン量子細線の製造方法としては、例えば、ＶＬＳ（Vapor-Liquid-Solid）法（非特許文献１参照）を用いてシリコン基板の上に直接成長させる方法が提案されている。これは、シリコン基板上に金（Ａｕ）を蒸着してシリコン基板の表面にシリコンと金との溶融合金滴を形成した後、シリコンの原料ガスを供給しつつ加熱してシリコン量子細線を成長させる方法であり、過去においては、シリコンの原料ガスとして四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄ ）を用いたものが報告されている（非特許文献２および非特許文献３）。この場合、シリコン量子細線の直径および形成位置は、溶融合金滴の大きさおよび位置によって決定される。このほかにもシリコン量子細線の製造方法は数多く知られており、シリコンと溶融合金滴を形成する金属には、金のほかに銀（Ａｇ）やインジウム（Ｉｎ）などがあり、また原料ガスとしては、四塩化ケイ素以外に、シラン（ＳｉＨ₄ ）ガスや、ジシラン（Ｓｉ₂ Ｈ₆ ）ガスやトリシラン（Ｓｉ₃ Ｈ₈ ）ガスなどでも細線の成長が起こることが良く知られている。

E.I.Givargizov,J.Vac.Sci.Techno,B11(2),p.449 Wagner et.al,Appl.Phys.Lett.4,no.%,89(1964) E.I.Givargizov,J.Cryst.Growth,31,20(1975)

しかしながら、こうしたシリコン量子細線を用いたトランジスタで他の素子を駆動する場合、シリコン量子細線一本当たりに流すことができる電流量に制限があるため、複数のシリコン量子細線を使って一つの素子のスイッチングを行う場合が出てくる。上述のように、従来は溶融合金滴の大きさおよび形成位置を制御することができなかったので、太さの揃ったシリコン量子細線を周期的に形成することができないという問題があった。そのため、シリコン量子細線を用いたトランジスタは実用的な素子として活用することができなかった。

こうした中、複数のシリコン量子細線を大面積基板上にアッセンブリする方法として、作製したシリコン量子細線を分離後に大面積基板上に分配する方法が、Lieverらにより提案されている（例えば、非特許文献４）。ラングミュアー・ブロジェット（Langmuir-Blodget）法を利用したこれらの方法で、Lieverらはシリコンナノワイヤーをパターニングしてあらかじめ形成した電極位置に複数同時にアッセンブリすることを可能とした。

Nano Letters,Vol.3,No.7(2003)p.951

しかしながら、非特許文献４で提案された方法では、シリコンナノワイヤーの長手方向を平行に揃えることはできるものの、始点がばらばらになるため、シリコンナノワイヤーのチャネル位置をゲート電極の位置と合わせることが非常に難しいなどの問題を残している。

したがって、この発明が解決しようとする課題は、シリコンナノワイヤーなどの量子細線に代表される細線状構造体を自己整合的に、所定の位置にしかも所定の方位に載置することができる細線状構造体のアッセンブリ方法を提供することにある。
この発明が解決しようとする他の課題は、上記のアッセンブリ方法を利用した量子装置または電子応用装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、この発明の第１の発明は、
細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置するようにした細線状構造体のアッセンブリ方法であって、
細線状構造体を分散させた分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位と基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
ことを特徴とするものである。

細線状構造体の材料は特に問わず、半導体（元素半導体および化合物半導体）、金属、絶縁体などのいずれであってもよく、これらを２種類以上用いたものであってもよい。また、この細線状構造体は、あらかじめ素子構造（例えば、トランジスタでは軸方向に順次設けられたソース領域、チャネル領域およびドレイン領域、太陽電池では軸方向に交互に設けられたｐ型層とｎ型層とからなるｐｎ接合）の全部または一部が作り込まれたものであっても、素子構造が全く作り込まれていないものであってもよい。この細線状構造体の直径は必要に応じて選ぶことができるものであるが、典型的には、最大径が１μｍ以下、より好適には５００ｎｍ以下、さらに好適には１００ｎｍ以下であり、一方、取り扱いの容易さや製造の容易などの観点からは、小さすぎないことが望ましく、そのため好適には１ｎｍ以上である。細線状構造体は、典型的には柱状半導体である。細線状構造体は、最も典型的には量子細線やナノワイヤーである。この細線状構造体の長さは必要に応じて選ぶことができるものであるが、例えば数ｍｍ程度以下、典型的には１０μｍ程度以下である。

細線状構造体の一端には、典型的には金または銀からなる微粒子が結合している。基板の表面の所定の結合部位は、例えば−ＳＨ基である。場合によっては、このほか、細線状構造体の一端に抗原または抗体を結合させておき、基板の表面の所定の結合部位にはこれらの抗原または抗体と抗原抗体反応により特異的に結合する抗体または抗原を結合させておくようにしてもよい。基板は種々の材料からなるものであってよいが、例えば、各種のガラス（例えば、ケイ酸塩ガラス（特にソーダ石灰ガラス）や石英ガラスなど）からなるガラス基板または各種のプラスチック（例えば、ポリエチレンテレフタレートなど）からなるプラスチック基板などである。

この発明の第２の発明は、
細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置するようにした細線状構造体のアッセンブリ方法であって、
基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に細線状構造体を分散させて細線状構造体の一端と化合物の第２の官能基とが結合した分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、化合物の第１の官能基と基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
ことを特徴とするものである。

この場合、細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基は例えば−ＳＨ基である。また、基板の表面の所定の結合部位は、例えば、−ＯＨ基、−ＮＨ₂ 基または−ＮＨ−基である。
この第２の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第１の発明に関連して述べたことが成立する。

この発明の第３の発明は、
細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する量子装置の製造方法であって、
細線状構造体を分散させた分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位と基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、量子装置には、例えば、量子細線を用いた各種のトランジスタが含まれる。
この第３の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第１の発明に関連して述べたことが成立する。

この発明の第４の発明は、
細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する量子装置の製造方法であって、
基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に細線状構造体を分散させて細線状構造体の一端と化合物の第２の官能基とが結合した分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、化合物の第１の官能基と基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
ことを特徴とするものである。
この第４の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第１および第３の発明に関連して述べたことが成立する。

この発明の第５の発明は、
細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する電子応用装置の製造方法であって、
細線状構造体を分散させた分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位と基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
ことを特徴とするものである。
ここで、電子応用装置には、量子装置のほか、液晶ディスプレイなどの画像表示装置などが含まれる。
この第５の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第１および第３の発明に関連して述べたことが成立する。

この発明の第６の発明は、
細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する電子応用装置の製造方法であって、
基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に細線状構造体を分散させて細線状構造体の一端と化合物の第２の官能基とが結合した分散液を基板の表面上を所定の方向に流し、化合物の第１の官能基と基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
ことを特徴とするものである。
この第６の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第１、第３および第５の発明に関連して述べたことが成立する。

上述のように構成されたこの発明においては、あらかじめ基板の表面の所定位置に結合部位を形成しておき、この基板の表面上を所定の分散液を所定の方向に流すだけで、細線状構造体は自己整合的にその結合部位に一端が結合するとともに、方位も分散液の流す方向に向くことになる。

この発明によれば、シリコンナノワイヤーなどの量子細線に代表される細線状構造体を自己整合的に、所定の位置にしかも所定の方位に載置することができる。そして、この細線状構造体をトランジスタなどとして用いることにより、高性能の量子装置や電子応用装置を実現することができる。

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
第１の実施形態
図１〜図８は第１の実施形態による電子応用装置（液晶ディスプレイなど）の製造方法を示す。図１、図３、図４、図５および図８の各図のＡは平面図、Ｂは断面図である（以下同様）。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１の実施形態においては、まず、ガラス基板１１上に長方形状の電極１２、１３、１４を互いに平行に形成する。この場合、これらの電極１２、１３、１４はそれぞれソース電極、ゲート電極およびドレイン電極として用いられる。これらの電極１２、１３、１４の形成方法は問わず、通常のリソグラフィーおよびエッチングを用いる方法でも、印刷技術を利用した方法でも構わない。これらの電極１２、１３、１４は実際には図２に示すように、ガラス基板１１上に繰り返しパターンで多数形成される。図１Ａおよび図１Ｂはその一箇所を示したものである。これらの電極１２、１３、１４の部位は、例えば液晶ディスプレイにおいては、各画素のスイッチングトランジスタ部である。

次に、基板の全面にレジストを塗布し、このレジストを所定のマスクを用いて露光した後、現像を行うことにより、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、電極１２に関して電極１３と反対側の部位に、電極１２と平行な長方形状の開口部１５ａを有するレジストマスク１５を形成する。

次に、レジストマスク１５の上側から、官能基Ｘを有する化合物Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨを塗布する。すると、開口部１５ａに露出しているガラス基板１１の表面の−ＯＨ基（図３Ｂ参照）とＸ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨのＸ基とが結合し、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨの−ＳＨ基が表面側に並ぶ。この後、レジストマスク１５を剥離する。これによって、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、−ＳＨ基が表面側に並んだ長方形状の領域１６が電極１２と平行に形成される。
この場合、Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨのＸ基としては、例えば表１に示すようなものを用いることができる。

一方、別途、図６に示すような量子細線トランジスタとしてのシリコンナノワイヤー１７を公知の方法により作製しておく。このシリコンナノワイヤー１７の直径は例えば１〜１００ｎｍである。このシリコンナノワイヤー１７は、チャネル領域１８、ソース領域１９およびドレイン領域２０を有し、ソース領域１９側の一端には金ナノ粒子２１が結合している。

そして、このシリコンナノワイヤー１７を分散させた分散液を作製し、図７に示すように、この分散液を領域１６の手前の位置からノズル２２で電極１２、１３、１４に垂直な方向に流す。すると、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、分散液中のシリコンナノワイヤー１７の金ナノ粒子２１が領域１６の表面に並んでいる−ＳＨ基と反応してアンカーされ、それによってシリコンナノワイヤー１７が、チャネル領域１８、ソース領域１９およびドレイン領域２０がそれぞれ電極１３、電極１２および電極１４上に位置合わせされた状態で自己整合的に互いに平行に整列する。この後、必要に応じて、電極１２、１３、１４に垂直な方向にラビング処理を施すことにより、シリコンナノワイヤー１７の整列をより確実なものとすることができる。
こうして、複数本（この例では５本）のシリコンナノワイヤー１７を用いた並列接続トランジスタが、ガラス基板１１上に多数個同時に作製される。この並列接続トランジスタは、例えば液晶ディスプレイにおいては、各画素のスイッチングトランジスタとして用いられる。

以上のように、この第１の実施形態によれば、シリコンナノワイヤー１７を、チャネル領域１８、ソース領域１９およびドレイン領域２０がそれぞれ電極１３、電極１２および電極１４上に位置合わせされた状態で自己整合的に整列させることができる。このため、複数本のシリコンナノワイヤー１７を用いた並列接続トランジスタを、例えば画素のスイッチングトランジスタとして実用化することができる程度に精度良く、かつ十分な電流駆動能力を持たせて作製することができる。

第２の実施形態
図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第２の実施形態においては、まず、プラスチック基板３１上に第１の実施形態と同様にして電極１２、１３、１４を互いに平行に形成する。
次に、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、第１の実施形態と同様にして、電極１２に関して電極１３と反対側の部位に、電極１２と平行な長方形状の開口部１５ａを有するレジストマスク１５を形成する。

次に、レジストマスク１５の上側から全面にアンモニアプラズマを照射する。すると、レジストマスク１５の開口部１５ａに露出しているプラスチック基板３１の表面に例えば−ＮＨ₂ 基が形成される。これによって、−ＮＨ₂ 基が表面側に並んだ長方形状の領域３２が電極１２と平行に形成される。

次に、レジストマスク１５の上側から、官能基Ｘを有する化合物Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨを塗布する。すると、図４Ａおよび図４Ｂに示すと同様に、開口部１５ａに露出しているプラスチック基板３１の表面の−ＮＨ₂ 基（図示せず）とＸ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨのＸ基とが結合し、Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨの−ＳＨ基が表面側に並ぶ。この後、レジストマスク１５を剥離する。これによって、−ＳＨ基が表面側に並んだ長方形状の領域３２が電極１２と平行に形成される。
この場合、Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨのＸ基としては、例えば上記の表１に示すようなものを用いることができる。

この後、第１の実施形態と同様に工程を進めて、複数本（この例では５本）のシリコンナノワイヤー１７を用いた並列接続トランジスタを作製する。
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

第３の実施形態
第３の実施形態においては、まず、第１の実施形態と同様に工程を進めて、開口部１５ａを有するレジストマスク１５の形成まで行っておく。

次に、官能基Ｘを有する化合物Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨをシリコンナノワイヤー１７と良く混ぜた分散液を作製する。この分散液中では、シリコンナノワイヤー１７の一端に結合した金ナノ粒子２１がＸ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨの−ＳＨ基と反応して結合した形で溶液側に−Ｘ基が突き出たシリコンナノワイヤー１７が分散された状態となっている。

次に、この分散液を第１の実施形態と同様にしてレジストマスク１５の上側に流す。すると、分散液中のシリコンナノワイヤー１７の金ナノ粒子２１に結合した−Ｘ基が領域１６のガラス基板１１の表面に並んでいる−ＯＨ基と反応してシリコンナノワイヤー１７がアンカーされる。この時点ではシリコンナノワイヤー１７の向きはランダムであるが、レジストマスク１５の剥離を行い、さらに電極１２、１３、１４に垂直な方向から水を流すと、シリコンナノワイヤー１７が電極１２、１３、１４上に自己整合的に互いに平行に整列する。この後、必要に応じて、電極１２、１３、１４に垂直な方向にラビング処理を施すことにより、シリコンナノワイヤー１７の整列をより確実なものとすることができる。
この第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

第４の実施形態
第４の実施形態においては、まず、第２の実施形態と同様に工程を進めて、レジストマスク１５の開口部１５ａのプラスチック基板３１の表面に、−ＮＨ₂ 基が表面側に並んだ長方形状の領域３２を形成する。

次に、第３の実施形態と同様にして、官能基Ｘを有する化合物Ｘ−（ＣＨ₂ ）_n −ＳＨをシリコンナノワイヤー１７と良く混ぜた分散液を作製し、この分散液を第１の実施形態と同様にしてレジストマスク１５の上側に流す。すると、分散液中のシリコンナノワイヤー１７の金ナノ粒子２１に結合した−Ｘ基が領域３２のプラスチック基板３１の表面に並んでいる−ＮＨ₂ 基と反応してシリコンナノワイヤー１７がアンカーされる。この時点ではシリコンナノワイヤー１７の向きはランダムであるが、レジストマスク１５の剥離を行い、さらに電極１２、１３、１４に垂直な方向から水を流すと、シリコンナノワイヤー１７が電極１２、１３、１４上に自己整合的に互いに平行に整列する。この後、必要に応じて、電極１２、１３、１４に垂直な方向にラビング処理を施すことにより、シリコンナノワイヤー１７の整列をより確実なものとすることができる。
この第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様な利点を得ることができる。

以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、形状、材料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形状、材料、プロセスなどを用いてもよい。

この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための斜視図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法において用いられるシリコンナノワイヤーを示す側面図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための斜視図である。 この発明の第１の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 この発明の第２の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。 この発明の第２の実施形態による電子応用装置の製造方法を説明するための平面図および断面図である。

符号の説明

１１…ガラス基板、１２、１３、１４…電極、１５…レジストマスク、１５ａ…開口部、１７…シリコンナノワイヤー、１８…チャネル領域、１９…ソース領域、２０…ドレイン領域、２１…金ナノ粒子、２２…ノズル、３１…プラスチック基板

Claims (19)

1. 細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置するようにした細線状構造体のアッセンブリ方法であって、
   上記細線状構造体を分散させた分散液を上記基板の表面上を所定の方向に流し、上記細線状構造体の一端の結合部位と上記基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
   ことを特徴とする細線状構造体のアッセンブリ方法。
2. 上記細線状構造体は柱状半導体であることを特徴とする請求項１記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
3. 上記細線状構造体は量子細線であることを特徴とする請求項１記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
4. 上記細線状構造体はナノワイヤーであることを特徴とする請求項１記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
5. 上記細線状構造体の上記一端に金、銀またはインジウムからなる微粒子が結合していることを特徴とする請求項１記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
6. 上記基板の表面の上記所定の結合部位は−ＳＨ基であることを特徴とする請求項１記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
7. 上記基板はガラス基板またはプラスチック基板であることを特徴とする請求項１記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
8. 細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置するようにした細線状構造体のアッセンブリ方法であって、
   上記基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および上記細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に上記細線状構造体を分散させて上記細線状構造体の上記一端と上記化合物の上記第２の官能基とが結合した分散液を上記基板の表面上を所定の方向に流し、上記化合物の上記第１の官能基と上記基板の表面の上記所定の結合部位とを結合させるようにした
   ことを特徴とする細線状構造体のアッセンブリ方法。
9. 上記細線状構造体は柱状半導体であることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
10. 上記細線状構造体は量子細線であることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
11. 上記細線状構造体はナノワイヤーであることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
12. 上記細線状構造体の上記一端に金、銀またはインジウムからなる微粒子が結合していることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
13. 上記細線状構造体の一端と結合可能な上記第２の官能基は−ＳＨ基であることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
14. 上記基板の表面の上記所定の結合部位は−ＯＨ基または−ＮＨ基であることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
15. 上記基板はガラス基板またはプラスチック基板であることを特徴とする請求項８記載の細線状構造体のアッセンブリ方法。
16. 細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する量子装置の製造方法であって、
    上記細線状構造体を分散させた分散液を上記基板の表面上を所定の方向に流し、上記細線状構造体の一端の結合部位と上記基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
    ことを特徴とする量子装置の製造方法。
17. 細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する量子装置の製造方法であって、
    上記基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および上記細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に上記細線状構造体を分散させて上記細線状構造体の上記一端と上記化合物の上記第２の官能基とが結合した分散液を上記基板の表面上を所定の方向に流し、上記化合物の上記第１の官能基と上記基板の表面の上記所定の結合部位とを結合させるようにした
    ことを特徴とする量子装置の製造方法。
18. 細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する電子応用装置の製造方法であって、
    上記細線状構造体を分散させた分散液を上記基板の表面上を所定の方向に流し、上記細線状構造体の一端の結合部位と上記基板の表面の所定の結合部位とを結合させるようにした
    ことを特徴とする電子応用装置の製造方法。
19. 細線状構造体を基板の表面の所定の位置に所定の方位で載置する工程を有する電子応用装置の製造方法であって、
    上記基板の表面の所定の結合部位と結合可能な第１の官能基および上記細線状構造体の一端と結合可能な第２の官能基を有する化合物に上記細線状構造体を分散させて上記細線状構造体の上記一端と上記化合物の上記第２の官能基とが結合した分散液を上記基板の表面上を所定の方向に流し、上記化合物の上記第１の官能基と上記基板の表面の上記所定の結合部位とを結合させるようにした
    ことを特徴とする電子応用装置の製造方法。
    

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