JP2005192825A - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄型であってメンテナンスの作業性がよく、磁場強度の空間分布を低次項から高次項まで広範囲に高精度に調整可能な磁場調整手段を備えたMRI装置を提供する。
【解決手段】支持体上に配置された複数のコイル2a,2b,2cにより磁場を生じさせ、静磁場均一度を調整する。複数のコイルの導線は、支持体の上面領域を径方向および周方向にそれぞれ分割することにより設定した複数の領域の外形に沿って巻回され、隣り合うコイルの導線は、隣接する部分で互いに略同一形状となるように構成されている。これにより、隣り合うコイルの隣接部の導線に互いに逆向きの電流を流すことにより、その部分で発生する磁場を打ち消し合わせ、隣接するコイル同士を連結したのと同じ作用を得ることができる。
【選択図】図2
【解決手段】支持体上に配置された複数のコイル2a,2b,2cにより磁場を生じさせ、静磁場均一度を調整する。複数のコイルの導線は、支持体の上面領域を径方向および周方向にそれぞれ分割することにより設定した複数の領域の外形に沿って巻回され、隣り合うコイルの導線は、隣接する部分で互いに略同一形状となるように構成されている。これにより、隣り合うコイルの隣接部の導線に互いに逆向きの電流を流すことにより、その部分で発生する磁場を打ち消し合わせ、隣接するコイル同士を連結したのと同じ作用を得ることができる。
【選択図】図2
Description
本発明は、磁気共鳴現象を利用して被検体の所望箇所を画像化する磁気共鳴イメージング装置(以下、MRI装置と記す)に関し、特に、撮像空間に所望の均一度の静磁場を供給する手段を備えたMRI装置に関する。
MRI装置は、磁場中に配置された被検体中の核スピンの磁気共鳴現象(以下、「NMR現象」という)から得られるNMR信号を計測し、被検体中の各スピン密度分布、緩和時間分布等を断層像として画像表示するものである。MRI装置の磁場発生源としては、静磁場発生装置と、NMR信号に位置情報を与えるための傾斜磁場発生コイルとが用いられる。このとき静磁場発生装置が発生する静磁場の均一度が変動すると、これに重畳される傾斜磁場発生コイルの傾斜磁場の直線性が劣化し、位置情報にずれが生じるため、静磁場の均一度を保持することが重要である。この位置情報のずれは、結果として画像上の歪みや欠損等を生じさせ、画像の正確さ、鮮明さを損なうことになり、診断上の大きな障害となる。
従来の永久磁石を用いる静磁場発生装置は、永久磁石の磁気特性の温度依存性によって磁場均一度が劣化するのを防ぐために、保温手段が用いられている。例えば、永久磁石であるNd-Fe-B磁石は、温度が1℃上昇すると1000ppm程度磁場強度が減少するため、保温手段として、磁気回路全体を断熱材とヒータで覆い、一定の温度に保温する構成が一般的に用いられている。
また、永久磁石と傾斜磁場発生コイルとの間に、静磁場均一度調整手段を配置することが行われている。静磁場均一度調整手段としては、シミング磁石を用いる手法と、シムコイルを用いる手法が知られている。シミング磁石は、一辺の長さが数ミリ程度の永久磁石片を板状の支持体上に多数個配置したものであり、その配置や個々の永久磁石片の大きさを変えることで静磁場均一度の調整を可能にするものである。
シムコイルは、支持体上に形状および配置が所定のパターンの複数のコイルを搭載したものであり、そのコイルパターン特有の磁場分布を撮像空間に与える。コイルパターンの例としては、図3(b)に示したZYコイルや図4(b)に示したXYコイル等、種々のパターンのコイルが設計されている。図3(b)のZYコイルは、ZY項と呼ばれる空間分布の磁場を発生させるシムコイルであり、図5に示したように撮像空間10の上下にそれぞれ配置されることにより、撮像空間10の中心を原点、上下方向をZ軸、左右奥行き方向をそれぞれXおよびY軸とした場合、ZY平面の第1および第3象限に静磁場と同じ方向の磁場を発生して静磁場を強め、第2及び第4象限には静磁場と逆方向の磁場を発生して静磁場を弱める作用をする。図4(b)のXYコイルは、XY項と呼ばれる空間分布の磁場を発生するものであり、XY平面の第1および第3象限に静磁場と同じ方向の磁場を発生して静磁場を強め、第2及び第4象限には静磁場と逆方向の磁場を発生して静磁場を弱める作用をする。これらのシムコイルは、1枚または2枚以上を重ねて永久磁石と傾斜磁場発生コイルとの間に配置され、供給する電流を調整することにより静磁場の均一度を補正する。
また、特許文献1には、それぞれインダクタンスと抵抗が接続された複数の導電線回路を被検体に近接して配置し、インダクタンスと抵抗により各導電線に磁場強度を調整し、局所的な静磁場不均一を補正することが開示されている。
特開平11−342121号公報
従来のシミング磁石を用いる静磁場均一度の調整方法は、シミング磁石が温度依存性を持つため、温度によって磁場分布が変化する原因となる。また、静磁場均一度を調整するためには、その都度傾斜磁場発生コイルを取り外して、永久磁石片の位置をずらしたり、大きさを変えたりする必要があり、メンテナンスの作業性が悪い。
一方、シムコイルを用いる方法は、供給電流の大きさを調整することで磁場強度を調整することができるが、磁場強度の空間分布を低次項から高次項まで広範囲に高精度に調整するためには、XYコイルやYZコイルのような低次項のシムコイルから高次項のシムコイルまで多数枚のシムコイルを重ねて配置しておく必要がある。しかしながら、シムコイルが配置できるのは、永久磁石と傾斜磁場発生コイルとの間のわずかな厚みの空間であり、多数枚のシムコイルを積層配置することは空間的に無理である。このため、現実には配置できるシムコイルの枚数によって補正できる次数が限られ、低次項から高次項までの広範囲にわたる磁場強度分布を高精度に調整することが難しい。
また、特許文献1に記載の構成は、導電線回路を被検体に近接して局所的に配置するものであり、静磁場全体の均一度の調整はできない。
本発明は、薄型であってメンテナンスの作業性がよく、磁場強度の空間分布を低次項から高次項まで広範囲に高精度に調整可能な磁場調整手段を備えたMRI装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では、支持体上に配置された複数のコイルにより磁場を生じさせ、静磁場均一度を調整する。複数のコイルの導線はそれぞれ、支持体の上面領域を径方向および周方向にそれぞれ分割することにより設定された複数の領域の外形に沿って巻回されている。
分割領域における所望の静磁場均一度に対応して、分割領域のコイルに流す電流を制御することにより、所望の位置に所望の大きさの磁場を生じさせることができる。また、例えば、隣り合うコイルの隣接する部分に、互いに逆向きの電流を流すことにより、その部分で発生する磁場の一部を互いに打ち消し合わせ、発生する磁場の強度を制御することができる。
隣り合うコイルは、隣接する部分が略同一形状となるように構成することができる。また、例えば、前述の領域は、上面領域を周方向について少なくとも2の分割、径方向について少なくとも1の分割をすることにより設定することができ、周方向および径方向に並んだ複数の領域ごとにコイルが配置された構成にすることができる。
また、本発明の別の態様では、支持体上に互いに隣接するように配置された複数のコイルと、これら複数のコイルにそれぞれ所定の割合で電流を供給する電流供給手段とを用いる。複数のコイルは、隣接する部分の導線が略同一形状である。電流供給手段は、分割領域における静磁場均一度に対応して、分割領域のコイルに流す電流を制御する。
本発明の一実施の形態のMRI装置を図面を用いて説明する。
本実施の形態のMRI装置は、図1(a)に示したように、撮像空間10に空間的及び時間的に一様な強度分布の静磁場を形成するための静磁場形成装置100と、撮像空間10に配置された被検体に対して高周波磁場パルスを照射するための照射コイル14と、被検体から放出されるNMR信号に位置情報を付加するために撮像空間に傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイル13とを有している。この他に、図示していないが、被検体が発生するNMR信号を受信する受信部と、撮像動作を制御するシーケンサと、受信したNMR信号を処理する信号処理部と、被検体を搭載する寝台とを有している。
本実施の形態のMRI装置は、図1(a)に示したように、撮像空間10に空間的及び時間的に一様な強度分布の静磁場を形成するための静磁場形成装置100と、撮像空間10に配置された被検体に対して高周波磁場パルスを照射するための照射コイル14と、被検体から放出されるNMR信号に位置情報を付加するために撮像空間に傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイル13とを有している。この他に、図示していないが、被検体が発生するNMR信号を受信する受信部と、撮像動作を制御するシーケンサと、受信したNMR信号を処理する信号処理部と、被検体を搭載する寝台とを有している。
静磁場形成装置100は、撮像空間10を挟んで上下に対向して配置された永久磁石6と、上下の永久磁石6の撮像空間10側にそれぞれ配置された磁極9と、永久磁石6および磁極9を機械的に支持し磁路を形成するための継鉄板7ならびに継鉄柱8とを含んでいる。磁極9は、永久磁石6が発生する磁場を撮像空間10に集中させるために、撮像空間10側の面の中央が窪んだ形状を有している。また、静磁場形成装置100は、永久磁石6の磁場特性が温度によって変動するのを防ぐために、継鉄板7の外側面にヒータ11を配置した上で静磁場形成装置100の外周面全体を断熱材12で覆い、温度を一定に保つように構成されている。
照射コイル14および傾斜磁場コイル13は、撮像空間10の被検体に対して圧迫感の少ない空間を与えるために、磁極9の中央の窪みの内側に配置されている。このため、照射コイル14と傾斜磁場コイル13とは互いに密着して配置され、傾斜磁場コイル13と磁極9の表面との間隔は、図1(b)に示したように、数mm〜十数ミリである。本実施の形態では、この傾斜磁場コイル13と磁極9との間の空間に、1枚のマルチプルシムコイル15を配置している。
マルチプルシムコイル15は、図2(a)にXY面から見た正面図を示したように、円形の支持体1上に、25chのサブコイルを搭載したシムコイルである。具体的には、厚さ1mm〜数mm程度の樹脂製の円形の支持体1の上面領域を、半径方向に2カ所で分割して3つの領域に分け、最も外側の環状の領域を中心から等角度に分割して12個の扇型の領域に分け、各領域の外形に沿って導線を扇形に巻回した巻き数4のサブコイル2aを12個配置している。同様にその内側の環状の領域も、中心から等角度に分割して12個の扇型の領域に分け、各領域の外形に沿って導線を扇形に巻回した巻き数4の扇型のサブコイル2bを12個配置している。支持体1の中心を含む円形領域には、円形領域の外形に沿って導線を巻回した巻き数6の円形のサブコイル2cを1つ配置している。このように支持体1の上面領域を25の領域に分割し、それぞれ領域の外形に沿って導線を巻回したサブコイル2a、2b、2cを配置している。25個のサブコイル2a、2b、2cは、互いに隣接する部分の形状がほぼ同一であり、互いに平行に走っている。なお、支持体1上の導線は、導体層を線状にパターニングすることにより形成することができる。
25個のサブコイル2a、2b、2cは、いずれも導線の端部が、支持体1の外側に引き出され、図2(b)に示した回路構成の電流制御ユニット3に接続されている。電流制御ユニット3は、静磁場形成装置100の外側のユーザが操作可能な位置に配置されている。電流制御ユニット3は、25個のサブコイル2a、2b、2cのそれぞれに対して直列に抵抗された可変抵抗4を含み、可変抵抗4およびサブコイル2a、2b、2cは、単一の直流電源5に並列に接続されている。したがって、25個の可変抵抗4の調整用つまみを操作して抵抗値をユーザが調整することにより、25個のサブコイル2a、2b、2cに供給する電流の配分を自由に制御することができる。また、サブコイル2a、2b、2cを並列結合したことにより、単一の直流電源5で全てのサブコイル2a、2b、2cに電流を供給することができる。
このような構成のマルチプルシムコイル15では、上述したように25個のサブコイル2a、2b、2cの互いに隣接する部分の導線が同一形状で平行に走っている。このため、隣り合うサブコイルの隣接部の導線に、互いに逆向きで、かつ、同じ大きさの電流が流れるように制御した場合には、それぞれの導線から生じる磁場が互いに打ち消し合い、結果的にその部分から磁場が発生しない。これにより、磁場の発生という観点で見ると、その部分には電流が流れていないのと同じであり、あたかも隣り合う複数のコイルの境界が存在せず、隣接するコイルが連結され、連結されたコイルの外周部分にのみ導線が存在するのと同じ効果が得られる。また、隣り合うサブコイルの隣接部の導線に、互いに逆向きで、かつ、大きさの異なる電流が流れるように制御した場合には、それぞれの導線から生じる磁場が互いに打ち消しあい、逆向きの電流の差分に応じた大きさの磁場だけが生じる。よって、その部分には、逆向きの電流を差分した電流が流れているのと同じ効果が得られる。さらに、隣り合うサブコイルの隣接部の導線に、互いに同じ向きで、所定の大きさの電流が流れるように制御した場合には、それぞれの導線で生じる磁場を合算した大きさの磁場が発生される。
したがって、例えば、図3(a)に示したように、XY平面に平行にマルチプルシムコイル15を配置し、外側の12個のサブコイル2aのうち、X軸に隣接する4個のサブコイル2aに流す電流の大きさを1とした場合、Y軸に隣接する4個のサブコイル2aには3倍の電流が、それらの間のサブコイル2aには2倍の電流がそれぞれ流れるように制御し、さらに内側の12個のサブコイル2bのうちX軸に隣接する4個のサブコイル2bには1倍の電流が、それ以外のサブコイル2bには2倍の電流が流れるように制御し、しかもそれら電流の向きは、XY平面で第1及び第2象限に位置するコイル2a、2bでは時計回り、第3及び第4象限に位置するコイル2a、2bでは反時計回りとなるように制御することにより、図3(b)に示したZYコイルと同じ磁場分布を生じさせることができる。これにより、図5に示したように撮像空間10のZY平面の第1および第3象限に静磁場と同じ方向の磁場を発生して静磁場を強め、第2及び第4象限には静磁場と逆方向の磁場を発生して静磁場を弱める作用を生じさせることができる。なお、図5に示したように上側のマルチプルシムコイル15と下側のマルチプルシムコイル15は、流す電流の向きを逆向きにする。また、上述の電流の割合を保ったまま、マルチプルシムコイル15の全体の電流量を調整することにより、強める(弱める)磁場の大きさを調節できる。
また、図3(a)の電流配分をXY面内で原点を中心に90度ずらすことにより、ZXコイルと同じ磁場分布を生じさせることができる。すなわち、撮像空間10のZX平面の第1および第3象限に静磁場と同じ方向の磁場を発生して静磁場を強め、第2及び第4象限には静磁場と逆方向の磁場を発生して静磁場を弱める作用を生じさせることができる
また、図4(a)に示したように外側の12個のサブコイル2aのうち、X軸およびY軸に隣接する8個のサブコイル2aに流す電流の大きさを1とした場合、それらの間のサブコイル2aには2倍の電流が流れるように制御し、内側の12個のサブコイル2bにはすべて1倍の電流が流れるように制御し、しかもそれら電流の向きは、XY平面で第1及び第3象限に位置するコイル2a、2bでは時計回り、第2及び第4象限に位置するコイル2a、2bでは反時計回りとなるように制御することにより、図4(b)に示したXYコイルと同じ磁場分布を生じさせることができる。これにより、撮像空間10のXY平面の第1および第3象限に静磁場と同じ方向の磁場を発生して静磁場を強め、第2及び第4象限には静磁場と逆方向の磁場を発生して静磁場を弱める作用を生じさせることができる。
さらに、25個のサブコイル2a、2b、2cのうち、どれか1個だけを選択し、これに多量の電流が流れるようにすれば、選んだサブコイルの位置に対応した撮像空間10の局所部分における磁場強度を調整することができる。
上述してきたように、本実施の形態のマルチプルシムコイル15は、1つのシムコイルでありながら、ZY項やXY項等で代表される低次項の磁場分布から、撮像空間の局所部分での磁場分布に代表される高次項の磁場分布まで、広範囲に高精度に静磁場の均一度調整が可能である。しかも、複数枚のシムコイルを重ねて配置する必要がなく、薄型の磁場均一度調整手段が提供できる。また、発生する磁場の制御は、可変抵抗4の調整用つまみ(トリマ)を操作するだけで行うことができ、シミング磁石のように磁場調整の変更のために傾斜磁場コイル13を取り外す必要がなく、メンテナンス性に優れている。さらに照射コイル14や傾斜磁場コイル13の発熱の影響も受けないため、常に安定した磁場を提供できる。これにより、画像歪みや欠損等のない高画質な画像が得られるMRI装置を提供することができる。
なお、マルチプルシムコイル15上に配置するサブコイル2a,2b,2cの形状、配置および個数は、図2(a)に示した形状、配置および個数に限られるものではなく、永久磁石6等の形状や構造に合わせて自由に形状及び配置を定めることができる。サブコイルの数がいくつであっても、隣り合うサブコイルの隣接する導線に流れる電流の向きと大きさを制御することで一定の効果は得られる。また、隣り合うサブコイルの隣接する導線は、平行であることが好ましいが、完全な平行でなくとも平行な電流成分の生じる磁場同士が打ち消し合うことにより一定の効果が得られる。周方向については図2(a)に示したように12個以上の領域に分割することが望ましく、これにより従来のXYコイル、YZコイル等の同じ効果を得ることができる。
上述静磁場形成装置100は、静磁場の発生源として永久磁石6を用いる構成であったが、本実施の形態のマルチプルシムコイル15は、超電導磁石など他の磁場発生源に用いることも可能である。
1…支持体、2a,2b,2c…サブコイル、3…電流制御ユニット、4…可変抵抗、5…直流電源、6…永久磁石、7…継鉄板、8…継鉄柱、9…磁極、10…撮像空間、11…ヒータ、12…断熱材、13…傾斜磁場コイル、14…照射コイル、15…マルチプルシムコイル、100…静磁場形成装置。
Claims (6)
- 撮像空間に静磁場を形成する静磁場形成手段と、前記静磁場の均一度を調整するための磁場を発生する静磁場均一度調整手段とを有し、
該静磁場均一度調整手段は、支持体と、該支持体上に配置された複数のコイルとを含み、
前記複数のコイルは、前記支持体の上面領域を径方向および周方向にそれぞれ分割することにより設定した複数の領域の外形に沿ってそれぞれ導線を巻回したものであることを特徴とするMRI装置。 - 請求項1に記載のMRI装置において、前記複数のコイルのうち隣り合うコイルは、隣接する部分が略同一形状であることを特徴とするMRI装置。
- 請求項1または2に記載のMRI装置において、前記上面領域の前記周方向の分割は、少なくとも2の分割であり、前記径方向の分割は少なくとも1の分割であり、前記周方向および径方向に並んだ複数の領域ごとに前記コイルが配置されていることを特徴とするMRI装置。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のMRI装置において、前記複数のコイルにそれぞれ所定の割合で電流を供給する電流供給手段を含み、該電流供給手段は、前記各分割領域における前記静磁場均一度に対応して、該分割領域のコイルに流す電流を制御することを特徴とするMRI装置。
- 撮像空間に静磁場を形成する静磁場形成手段と、前記静磁場の均一度を調整するための磁場を発生する静磁場均一度調整手段とを有し、
該静磁場均一度調整手段は、支持体と、該支持体上に互いに隣接するように配置された複数のコイルと、該複数のコイルにそれぞれ所定の割合で電流を供給する電流供給手段とを含み、前記複数のコイルのうち隣り合うコイルは、隣接する部分の導線が略同一形状であり、前記電流供給手段は、前記各分割領域における前記静磁場均一度に対応して、該分割領域のコイルに流す電流を制御することを特徴とするMRI装置。 - 請求項4または5に記載のMRI装置において、前記電流供給手段は、前記複数のコイルにそれぞれ直列に接続された電流配分調整部と、該電流配分調整部に任意の配分量を設定するための設定部と、該電流配分調整部が接続された前記複数のコイルを単一の電流供給源に並列に接続する回路とを有することを特徴とするMRI装置。
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