JP2005190784A5 - - Google Patents

Description

特開２００２−８３６１２号公報 特開２００２−８３５１４号公報 国際公開第ＷＯ００／５４３５１号パンフレット

前記の目的を達成するために、本発明は、多孔質体の細孔に高分子が結合したプロトン伝導体であって、
前記高分子は、基端部と、前記基端部から分岐した分岐部とを有する分岐高分子であり、
前記分岐高分子は、前記基端部の一端が前記細孔に直接、又は修飾基を介して間接的に結合することで前記多孔質体に揺振自在に結合し、且つ前記分岐部の末端にプロトンが解離可能な官能基を有し、
互いに隣接した前記分岐高分子が揺振して前記官能基が近接した際に伝導チャネルの間隔が小さくなることを特徴とする。

また、本発明は、多孔質体の細孔に分岐高分子が揺振可能に結合したプロトン伝導体を得るプロトン伝導体の製造方法であって、
粉末の表面に、該表面に結合した基端部と、前記基端部から分岐した分岐部とを有する分岐高分子を形成する工程と、
前記分岐高分子の末端に、プロトンが解離可能な官能基を置換結合させる工程と、
前記粉末を成形して多孔質体とする工程と、
を有することを特徴とする。

さらに、本発明は、多孔質体の細孔に分岐高分子が揺振可能に結合したプロトン伝導体を得るプロトン伝導体の製造方法であって、
前記多孔質体の表面に修飾基を結合させる工程と、
前記修飾基に前記分岐高分子の基端部を結合させる工程と、
前記基端部から分岐した分岐部を形成する工程と、
前記分岐高分子の末端に、プロトンが解離可能な官能基を置換結合させる工程と、
を有することを特徴とする。

Claims (8)

1. 多孔質体の細孔に高分子が結合したプロトン伝導体であって、
   前記高分子は、基端部と、前記基端部から分岐した分岐部とを有する分岐高分子であり、
   前記分岐高分子は、前記基端部の一端が前記細孔に直接、又は修飾基を介して間接的に結合することで前記多孔質体に揺振自在に結合し、且つ前記分岐部の末端にプロトンが解離可能な官能基を有し、
   互いに隣接した前記分岐高分子が揺振して前記官能基が近接した際に伝導チャネルの間隔が小さくなることを特徴とするプロトン伝導体。
2. 請求項１記載のプロトン伝導体において、前記分岐高分子は、前記分岐部から分岐したさらなる分岐部を有することを特徴とするプロトン伝導体。
3. 請求項１又は２記載のプロトン伝導体において、前記官能基がスルホン酸基又はリン酸基であることを特徴とするプロトン伝導体。
4. 多孔質体の細孔に分岐高分子が揺振可能に結合したプロトン伝導体を得るプロトン伝導体の製造方法であって、
   粉末の表面に、該表面に結合した基端部と、前記基端部から分岐した分岐部とを有する分岐高分子を形成する工程と、
   前記分岐高分子の末端に、プロトンが解離可能な官能基を置換結合させる工程と、
   前記粉末を成形して多孔質体とする工程と、
   を有することを特徴とするプロトン伝導体の製造方法。
5. 請求項４記載の製造方法において、前記粉末として、前記分岐高分子の前記基端部を結合させるための修飾基が予め結合しているものを使用することを特徴とするプロトン伝導体の製造方法。
6. 請求項４又は５記載の製造方法において、前記官能基として、スルホン酸基又はリン酸基を置換結合することを特徴とするプロトン伝導体の製造方法。
7. 多孔質体の細孔に分岐高分子が揺振可能に結合したプロトン伝導体を得るプロトン伝導体の製造方法であって、
   前記多孔質体の表面に修飾基を結合させる工程と、
   前記修飾基に前記分岐高分子の基端部を結合させる工程と、
   前記基端部から分岐した分岐部を形成する工程と、
   前記分岐高分子の末端に、プロトンが解離可能な官能基を置換結合させる工程と、
   を有することを特徴とするプロトン伝導体の製造方法。
8. 請求項７記載の製造方法において、前記官能基として、スルホン酸基又はリン酸基を置換結合することを特徴とするプロトン伝導体の製造方法。