JP2005188949A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

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Kenji Kurashima
健司 倉島
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit with a built-in test circuit capable of measuring fluctuations of delay time by the influence of a cross-talk caused by parallel wiring under various conditions. <P>SOLUTION: This semiconductor integrated circuit includes at least one circuit block 10 connected between an input terminal and an output terminal. The circuit block comprises a first circuit 11 buffering a signal to be inputted to the circuit block; a first signal line 12 connected to the output of the first circuit; at least one second circuit 13 to which a signal outputted from the first circuit is inputted through the first signal line; a second signal line 14 having a part arranged along the first signal line; and a third circuit 15 selectively supplying a signal inputted to the circuit block to the second signal line in a positive phase or a reverse phase based on a control signal. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、一般的に半導体集積回路に関し、特に、複数のセルを配置配線することにより設計されるゲートアレイやスタンダードセル等のASIC(Application Specific IC:特定用途向けIC)のレイアウト設計において用いられる遅延ライブラリを作成するために利用される半導体集積回路に関する。   The present invention generally relates to semiconductor integrated circuits, and in particular, is used in layout design of ASICs (Application Specific ICs) such as gate arrays and standard cells designed by arranging and wiring a plurality of cells. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit used for creating a delay library.

ASIC等の半導体集積回路においては、各種の論理回路を実現するための複数のセルを組み合わせてレイアウト領域内に配置し、これらのセル間を配線することにより、レイアウト設計が行われている。半導体集積回路のレイアウト設計においては、各セルにおける遅延時間を考慮した上で、回路が正常に動作するか否かを検証する必要がある。遅延時間としては、トランジスタ等の回路素子による遅延時間と、配線による遅延時間とが算入されるが、並走する複数の配線が存在する場合には、並行配線によって生じるクロストークの影響によって遅延時間が変動してしまう。また、積極的に並行配線を設けることによって、遅延時間をコントロールすることも考えられる。   In a semiconductor integrated circuit such as an ASIC, layout design is performed by arranging a plurality of cells for realizing various logic circuits in a layout area and wiring between these cells. In the layout design of a semiconductor integrated circuit, it is necessary to verify whether or not the circuit operates normally in consideration of the delay time in each cell. As the delay time, a delay time due to circuit elements such as transistors and a delay time due to wiring are included, but when there are a plurality of parallel wirings, the delay time is caused by the influence of crosstalk caused by parallel wiring. Will fluctuate. It is also conceivable to control the delay time by actively providing parallel wiring.

従って、半導体集積回路のレイアウト設計に用いるライブラリに、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を考慮した遅延モデルを装備して、回路動作のシミュレーション等に活用することが望まれる。このような遅延モデルを作成するためには、実際に並行配線を設けた測定回路を内蔵する半導体集積回路を作成して、遅延時間を測定することが必要となる。   Therefore, it is desirable to equip a library used for layout design of a semiconductor integrated circuit with a delay model that takes into account fluctuations in delay time due to the influence of crosstalk caused by parallel wiring, and to use it for simulation of circuit operation. In order to create such a delay model, it is necessary to create a semiconductor integrated circuit incorporating a measurement circuit actually provided with parallel wiring and measure the delay time.

ところで、下記の特許文献1には、製造プロセス変動による遅延時間のばらつきをテストするテスト回路が内蔵された半導体集積装置に搭載され、クロストークによる遅延を測定できるクロストーク遅延測定回路が開示されている。このクロストーク遅延測定回路においては、信号線を伝搬する被測定信号を信号反転回路によって信号反転させた後に近接並行線に出力することにより、被測定信号と逆相の信号を近接並行線に伝搬させて、クロストークを故意に発生させている。   By the way, the following Patent Document 1 discloses a crosstalk delay measurement circuit that is mounted on a semiconductor integrated device having a built-in test circuit for testing delay time variations due to manufacturing process variations and can measure delay due to crosstalk. Yes. In this crosstalk delay measurement circuit, the signal under measurement propagating through the signal line is inverted by the signal inversion circuit and then output to the adjacent parallel line, so that the signal opposite in phase to the measured signal is propagated to the adjacent parallel line. The crosstalk is intentionally generated.

しかしながら、このクロストーク遅延測定回路によれば、被測定信号と逆相の信号のクロストークによって被測定信号の遅延時間が増加する場合については測定できるが、条件が変わって被測定信号の遅延時間が減少する場合については測定することができない。また、信号線には1系統のバッファが設けられているだけなので、クロストークの存在下でファンアウトが遅延時間に及ぼす影響については測定することができない。
特開2003−215207号公報(第1〜2頁、図1)
However, this crosstalk delay measurement circuit can measure the case where the delay time of the signal under test increases due to crosstalk between the signal under test and the signal out of phase, but the delay time of the signal under test changes depending on the conditions. It is not possible to measure the case where the value decreases. In addition, since only one buffer is provided on the signal line, it is impossible to measure the influence of fan-out on the delay time in the presence of crosstalk.
JP 2003-215207 A (pages 1 and 2, FIG. 1)

そこで、上記の点に鑑み、本発明は、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を様々な条件の下で測定することができるテスト回路を内蔵した半導体集積回路を提供することを目的とする。   Therefore, in view of the above points, the present invention provides a semiconductor integrated circuit including a test circuit capable of measuring a variation in delay time due to the influence of crosstalk caused by parallel wiring under various conditions. Objective.

以上の課題を解決するため、本発明の第1の観点に係る半導体集積回路は、入力端子と出力端子との間に接続された少なくとも1つの回路ブロックを含む半導体集積回路であって、該回路ブロックが、該回路ブロックに入力される信号をバッファする第1の回路と、第1の回路の出力に接続された第1の信号配線と、第1の回路から出力される信号が第1の信号配線を介して入力される少なくとも1つの第2の回路と、第1の信号配線に沿って配置された部分を有する第2の信号配線と、制御信号に基づいて、該回路ブロックに入力される信号を正相又は逆相で第2の信号配線に選択的に供給する第3の回路とを具備する。   In order to solve the above problems, a semiconductor integrated circuit according to a first aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit including at least one circuit block connected between an input terminal and an output terminal. The block has a first circuit that buffers a signal input to the circuit block, a first signal wiring connected to the output of the first circuit, and a signal output from the first circuit is a first signal Based on at least one second circuit inputted through the signal wiring, a second signal wiring having a portion arranged along the first signal wiring, and a control signal, the circuit block is inputted. And a third circuit that selectively supplies the first signal to the second signal wiring in the normal phase or the reverse phase.

また、本発明の第2の観点に係る半導体集積回路は、互いに直列に接続された第1群の回路ブロックと互いに直列に接続された第2群の回路ブロックとを含む半導体集積回路であって、第1群及び第2群の回路ブロックの各々が、回路ブロックに入力される信号をバッファする第1の回路と、第1の回路の出力に接続された第1の信号配線と、第1の回路から出力される信号が第1の信号配線を介して入力される少なくとも1つの第2の回路と、第1の信号配線に沿って配置された部分を有する第2の信号配線と、制御信号に基づいて、回路ブロックに入力される信号を正相又は逆相で第2の信号配線に選択的に供給する第3の回路とを具備し、第2群の回路ブロックの各々における第1及び第2の信号配線の長さが、第1群の回路ブロックの各々における第1及び第2の信号配線の長さと異なる。   A semiconductor integrated circuit according to a second aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit including a first group of circuit blocks connected in series with each other and a second group of circuit blocks connected in series with each other. The first group and the second group of circuit blocks each have a first circuit for buffering a signal input to the circuit block, a first signal wiring connected to the output of the first circuit, and a first At least one second circuit to which a signal output from the first circuit is input via the first signal wiring, a second signal wiring having a portion arranged along the first signal wiring, and a control And a third circuit that selectively supplies a signal input to the circuit block to the second signal wiring in the normal phase or the reverse phase based on the signal, and the first circuit in each of the second group of circuit blocks. And the length of the second signal wiring is the first group of circuit blocks. Equal to the length of the first and second signal lines in each.

さらに、本発明の第3の観点に係る半導体集積回路は、互いに直列に接続された第1群の回路ブロックと互いに直列に接続された第2群の回路ブロックとを含む半導体集積回路であって、第1群及び第2群の回路ブロックの各々が、回路ブロックに入力される信号をバッファする第1の回路と、第1の回路の出力に接続された第1の信号配線と、第1の回路から出力される信号が第1の信号配線を介して入力される少なくとも1つの第2の回路と、第1の信号配線に沿って配置された部分を有する第2の信号配線と、制御信号に基づいて、回路ブロックに入力される信号を正相又は逆相で第2の信号配線に選択的に供給する第3の回路とを具備し、第2群の回路ブロックの各々における第2の回路の数が、第1群の回路ブロックの各々における第2の回路の数と異なる。   Furthermore, a semiconductor integrated circuit according to a third aspect of the present invention is a semiconductor integrated circuit including a first group of circuit blocks connected in series with each other and a second group of circuit blocks connected in series with each other. The first group and the second group of circuit blocks each have a first circuit for buffering a signal input to the circuit block, a first signal wiring connected to the output of the first circuit, and a first At least one second circuit to which a signal output from the first circuit is input via the first signal wiring, a second signal wiring having a portion arranged along the first signal wiring, and a control And a third circuit that selectively supplies a signal input to the circuit block to the second signal wiring in a normal phase or a reverse phase based on the signal, and a second circuit in each of the second group of circuit blocks. The number of circuits in each of the first group of circuit blocks Different from the number of the second circuit.

本発明の第2又は第3の観点に係る半導体集積回路は、入力端子に入力される信号を第1群の回路ブロックと第2群の回路ブロックとの内の選択された一方に供給する切換回路をさらに含むようにしても良い。また、半導体集積回路は、第1群の回路ブロックと第2群の回路ブロックとの内の選択された一方から出力される信号を出力端子に供給する切換回路をさらに含むようにしても良い。   In the semiconductor integrated circuit according to the second or third aspect of the present invention, switching for supplying a signal input to the input terminal to a selected one of the first group of circuit blocks and the second group of circuit blocks. A circuit may be further included. The semiconductor integrated circuit may further include a switching circuit that supplies a signal output from a selected one of the first group of circuit blocks and the second group of circuit blocks to an output terminal.

以上において、第3の回路が、制御信号が第1のレベルであるときに、回路ブロックに入力される信号を正相で第2の信号配線に供給し、制御信号が第2のレベルであるときに、回路ブロックに入力される信号を逆相で第2の信号配線に供給するようにしても良い。   In the above, when the control signal is at the first level, the third circuit supplies the signal input to the circuit block to the second signal wiring in the positive phase, and the control signal is at the second level. Sometimes, a signal input to the circuit block may be supplied to the second signal wiring in reverse phase.

あるいは、第3の回路が、制御信号に基づいて、第2の信号配線に電源電位を選択的に供給したり、第2の信号配線を選択的にハイ・インピーダンス状態とするようにしても良い。その場合には、制御信号が複数のビットを有することが望ましい。   Alternatively, the third circuit may selectively supply the power supply potential to the second signal wiring based on the control signal, or may selectively set the second signal wiring to the high impedance state. . In that case, it is desirable that the control signal has a plurality of bits.

本発明の第1の観点によれば、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、異なる位相条件の下で測定することができる。また、本発明の第2の観点によれば、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、それぞれ異なる配線長を有する第1群及び第2群の回路ブロックにおいて測定することができる。さらに、本発明の第3の観点によれば、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、ファンアウトの数がそれぞれ異なる第1群及び第2群の回路ブロックにおいて測定することができる。そのような測定結果を利用することにより、半導体集積回路のレイアウト設計に用いるライブラリに、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を考慮した遅延モデルを装備し、回路動作のシミュレーション等に活用することが可能となる。   According to the first aspect of the present invention, variation in delay time due to the influence of crosstalk caused by parallel wiring can be measured under different phase conditions. Further, according to the second aspect of the present invention, the variation in delay time due to the influence of crosstalk caused by parallel wiring can be measured in the first group and second group circuit blocks having different wiring lengths. . Furthermore, according to the third aspect of the present invention, it is possible to measure the variation in delay time due to the influence of crosstalk caused by parallel wiring in the first and second group circuit blocks having different numbers of fanouts. it can. By using such measurement results, the library used for layout design of semiconductor integrated circuits is equipped with a delay model that takes into account fluctuations in delay time due to the effects of crosstalk caused by parallel wiring, for circuit operation simulations, etc. It can be used.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の構成の一部を示すブロック図である。図1に示すように、この半導体集積回路は、入力端子と出力端子との間に直列に接続された複数の回路ブロック10を含んでいる。このように複数の回路ブロックを直列に接続するのは、各回路ブロックにおける信号の遅延時間を合計して測定することによって測定精度を高めるためであり、半導体集積回路は、最低限1個の回路ブロックを含んでいれば良い。
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
FIG. 1 is a block diagram showing a part of the configuration of the semiconductor integrated circuit according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated circuit includes a plurality of circuit blocks 10 connected in series between an input terminal and an output terminal. The reason why the plurality of circuit blocks are connected in series is to increase the measurement accuracy by measuring the total delay time of the signals in each circuit block, and the semiconductor integrated circuit has at least one circuit. It only needs to contain blocks.

入力端子に入力される信号は、これらの回路ブロック10を順に通過して、最後の回路ブロックから出力端子に供給される。また、制御端子は、回路ブロック10の動作を制御する制御信号Sを入力するために用いられる。   A signal input to the input terminal sequentially passes through these circuit blocks 10 and is supplied to the output terminal from the last circuit block. The control terminal is used to input a control signal S for controlling the operation of the circuit block 10.

図2は、図1における回路ブロックの内部回路を示す回路図である。回路ブロック10は、この回路ブロックの入力信号INをバッファするバッファ回路11と、バッファ回路11の出力に接続された第1の信号配線12と、バッファ回路11の出力信号が第1の信号配線12を介して入力される複数のバッファ回路13と、第1の信号配線12に沿って配置された部分を有する第2の信号配線14と、制御信号Sに基づいて、入力信号INを正相又は逆相で第2の信号配線14に選択的に供給するクロストーク制御回路15とを有している。複数のバッファ回路13の内の1つは、回路ブロック10から信号を出力するために用いられるが、他のバッファ回路13は、第1の信号配線12に容量を付加するためのものであり、省略することもできる。   FIG. 2 is a circuit diagram showing an internal circuit of the circuit block in FIG. The circuit block 10 includes a buffer circuit 11 for buffering an input signal IN of the circuit block, a first signal wiring 12 connected to the output of the buffer circuit 11, and an output signal of the buffer circuit 11 as a first signal wiring 12 Based on the control signal S, a plurality of buffer circuits 13 that are input via the first signal wiring 12, a second signal wiring 14 having a portion disposed along the first signal wiring 12 And a crosstalk control circuit 15 that selectively supplies the second signal wiring 14 in reverse phase. One of the plurality of buffer circuits 13 is used to output a signal from the circuit block 10, while the other buffer circuit 13 is for adding a capacity to the first signal wiring 12. It can be omitted.

クロストーク制御回路15は、信号Aと制御信号Sとの論理積を求めるAND回路15aと、信号Bと制御信号Sとを反転入力してこれらの論理積を求める反転入力のAND回路15bと、AND回路15aの出力信号とAND回路15bの出力信号との論理和を求めるOR回路15cとを含んでいる。   The crosstalk control circuit 15 includes an AND circuit 15a that obtains a logical product of the signal A and the control signal S, an inverted input AND circuit 15b that obtains a logical product of the signal B and the control signal S by inverting input thereof, An OR circuit 15c for calculating the logical sum of the output signal of the AND circuit 15a and the output signal of the AND circuit 15b is included.

図3は、図2に示すクロストーク制御回路の動作を説明するための真理値表である。信号A及びBとしては、回路ブロック10の入力信号INが用いられる。クロストーク制御回路15は、制御信号Sがハイレベル(1)であるときに、回路ブロック10の入力信号INを出力信号Xとして出力し、これを第2の信号配線14に供給する。これにより、第2の信号配線14から第1の信号配線12への同相クロストークが生じて、回路ブロック10における信号の遅延時間が最小となる。   FIG. 3 is a truth table for explaining the operation of the crosstalk control circuit shown in FIG. As the signals A and B, the input signal IN of the circuit block 10 is used. When the control signal S is at a high level (1), the crosstalk control circuit 15 outputs the input signal IN of the circuit block 10 as the output signal X and supplies it to the second signal wiring 14. As a result, in-phase crosstalk from the second signal wiring 14 to the first signal wiring 12 occurs, and the signal delay time in the circuit block 10 is minimized.

一方、クロストーク制御回路15は、制御信号Sがローレベル(0)であるときに、回路ブロック10の入力信号INを反転することにより、信号INバーを出力信号Xとして出力し、これを第2の信号配線14に供給する。これにより、第2の信号配線14から第1の信号配線12への逆相クロストークが生じて、回路ブロック10における信号の遅延時間が最大となる。   On the other hand, when the control signal S is at a low level (0), the crosstalk control circuit 15 inverts the input signal IN of the circuit block 10 and outputs the signal IN bar as the output signal X. 2 is supplied to the second signal wiring 14. As a result, reverse-phase crosstalk from the second signal wiring 14 to the first signal wiring 12 occurs, and the signal delay time in the circuit block 10 is maximized.

制御信号をハイレベル又はローレベルに変化させながら、信号の遅延時間を測定することにより、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、2種類の異なる位相条件の下で測定することができる。そのような測定結果を利用することにより、半導体集積回路のレイアウト設計に用いるライブラリに、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を考慮した遅延モデルを装備し、回路動作のシミュレーション等に活用することが可能となる。   By measuring the signal delay time while changing the control signal to high level or low level, the fluctuation of the delay time due to the influence of crosstalk caused by parallel wiring can be measured under two different phase conditions. Can do. By using such measurement results, the library used for layout design of semiconductor integrated circuits is equipped with a delay model that takes into account fluctuations in delay time due to the effects of crosstalk caused by parallel wiring, for circuit operation simulations, etc. It can be used.

次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の構成の一部を示すブロック図である。図4に示すように、この半導体集積回路は、入力端子と出力端子との間に直列に接続された複数の回路ブロック20を含んでいる。このように複数の回路ブロックを直列に接続するのは、各回路ブロックにおける信号の遅延時間を合計して測定することによって測定精度を高めるためであり、半導体集積回路は、最低限1個の回路ブロックを含んでいれば良い。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 4 is a block diagram showing a part of the configuration of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the semiconductor integrated circuit includes a plurality of circuit blocks 20 connected in series between an input terminal and an output terminal. The reason why the plurality of circuit blocks are connected in series is to increase the measurement accuracy by measuring the total delay time of the signals in each circuit block, and the semiconductor integrated circuit has at least one circuit. It only needs to contain blocks.

入力端子に入力される信号は、これらの回路ブロック20を順に通過して、最後の回路ブロックから出力端子に供給される。また、2つの制御端子は、回路ブロック20の動作を制御する2ビットの制御信号S1及びS2を入力するために用いられる。   A signal input to the input terminal sequentially passes through these circuit blocks 20 and is supplied to the output terminal from the last circuit block. The two control terminals are used to input 2-bit control signals S1 and S2 for controlling the operation of the circuit block 20.

図5は、図4における回路ブロックの内部回路を示す回路図である。回路ブロック20は、この回路ブロックの入力信号INをバッファするバッファ回路21と、バッファ回路21の出力に接続された第1の信号配線22と、バッファ回路21の出力信号が第1の信号配線22を介して入力される複数のバッファ回路23と、第1の信号配線22に沿って配置された部分を有する第2の信号配線24と、制御信号に基づいて、入力信号INを正相又は逆相で第2の信号配線24に選択的に供給するクロストーク制御回路25とを有している。複数のバッファ回路23の内の1つは、回路ブロック20から信号を出力するために用いられるが、他のバッファ回路23は、第1の信号配線22に容量を付加するためのものであり、省略することもできる。   FIG. 5 is a circuit diagram showing an internal circuit of the circuit block in FIG. The circuit block 20 includes a buffer circuit 21 that buffers the input signal IN of the circuit block, a first signal wiring 22 connected to the output of the buffer circuit 21, and an output signal of the buffer circuit 21 is a first signal wiring 22. A plurality of buffer circuits 23 input via the first signal wiring 22, a second signal wiring 24 having a portion arranged along the first signal wiring 22, and the input signal IN based on the control signal in the normal phase or reverse phase And a crosstalk control circuit 25 that selectively supplies the second signal wiring 24 in phase. One of the plurality of buffer circuits 23 is used to output a signal from the circuit block 20, but the other buffer circuit 23 is for adding a capacity to the first signal wiring 22. It can be omitted.

クロストーク制御回路25には、回路ブロック20の入力信号INが信号Aとして供給される。また、入力信号INは、クロストーク制御回路25において反転されて信号Bとなる。さらに、クロストーク制御回路25には、電源電位VDDが信号Cとして供給され、電源電位VSS(本実施形態においては接地電位とする)が信号Dとして供給される。 The crosstalk control circuit 25 is supplied with the input signal IN of the circuit block 20 as a signal A. The input signal IN is inverted by the crosstalk control circuit 25 to become a signal B. Further, the power supply potential V DD is supplied as the signal C to the crosstalk control circuit 25, and the power supply potential V SS (referred to as the ground potential in this embodiment) is supplied as the signal D.

図6は、図5に示すクロストーク制御回路の動作を説明するための真理値表である。クロストーク制御回路25は、制御信号(S1,S2)が(0,0)であるときに、回路ブロック20の入力信号INを出力信号Xとして出力し、これを第2の信号配線24に供給する。これにより、第2の信号配線24から第1の信号配線22への同相クロストークが生じて、回路ブロック20における信号の遅延時間が最小となる。   FIG. 6 is a truth table for explaining the operation of the crosstalk control circuit shown in FIG. When the control signal (S1, S2) is (0, 0), the crosstalk control circuit 25 outputs the input signal IN of the circuit block 20 as the output signal X, and supplies this to the second signal wiring 24. To do. As a result, in-phase crosstalk from the second signal wiring 24 to the first signal wiring 22 occurs, and the signal delay time in the circuit block 20 is minimized.

一方、クロストーク制御回路25は、制御信号(S1,S2)が(0,1)であるときに、回路ブロック20の入力信号INを反転することにより、信号INバーを出力信号Xとして出力し、これを第2の信号配線24に供給する。これにより、第2の信号配線24から第1の信号配線22への逆相クロストークが生じて、回路ブロック20における信号の遅延時間が最大となる。   On the other hand, the crosstalk control circuit 25 outputs the signal IN bar as the output signal X by inverting the input signal IN of the circuit block 20 when the control signals (S1, S2) are (0, 1). This is supplied to the second signal wiring 24. As a result, reverse-phase crosstalk from the second signal wiring 24 to the first signal wiring 22 occurs, and the signal delay time in the circuit block 20 is maximized.

また、クロストーク制御回路25は、制御信号(S1,S2)が(1,0)であるときに、ハイレベル(1)の信号を出力信号Xとして出力し、これを第2の信号配線24に供給する。さらに、クロストーク制御回路15は、制御信号(S1,S2)が(1,1)であるときに、ローレベル(0)の信号を出力信号Xとして出力し、これを第2の信号配線24に供給する。これにより、第2の信号配線24が第1の信号配線22のシールドとして働くようになり、回路ブロック20における信号の遅延時間は標準的なものとなる。なお、クロストーク制御回路25は、ハイレベル又はローレベルの信号を第2の信号配線24に供給する替わりに、第2の信号配線24をハイ・インピーダンス状態とするようにしても良い。   Further, when the control signals (S1, S2) are (1, 0), the crosstalk control circuit 25 outputs a high level (1) signal as the output signal X, which is output to the second signal wiring 24. To supply. Further, when the control signal (S1, S2) is (1, 1), the crosstalk control circuit 15 outputs a low level (0) signal as the output signal X, which is output to the second signal wiring 24. To supply. As a result, the second signal wiring 24 functions as a shield for the first signal wiring 22, and the signal delay time in the circuit block 20 becomes standard. Note that the crosstalk control circuit 25 may place the second signal wiring 24 in a high impedance state instead of supplying a high level or low level signal to the second signal wiring 24.

制御信号を変化させながら、信号の遅延時間を測定することにより、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、4種類の異なる条件の下で測定することができる。そのような測定結果を利用することにより、半導体集積回路のレイアウト設計に用いるライブラリに、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を考慮した遅延モデルを装備し、回路動作のシミュレーション等に活用することが可能となる。   By measuring the delay time of the signal while changing the control signal, the variation in the delay time due to the influence of crosstalk caused by the parallel wiring can be measured under four different conditions. By using such measurement results, the library used for layout design of semiconductor integrated circuits is equipped with a delay model that takes into account fluctuations in delay time due to the effects of crosstalk caused by parallel wiring, for circuit operation simulations, etc. It can be used.

次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路の構成の一部を示すブロック図である。図7に示すように、この半導体集積回路は、互いに直列に接続された第1群の回路ブロック30と、互いに直列に接続された第2群の回路ブロック40と、入力端子に入力される信号を、第1群の回路ブロック30と第2群の回路ブロック40との内の選択された一方に供給する切換回路50と、第1群の回路ブロック30と第2群の回路ブロック40との内の選択された一方から出力される信号を出力端子に供給する切換回路60とを含んでいる。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a block diagram showing a part of the configuration of a semiconductor integrated circuit according to the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, this semiconductor integrated circuit includes a first group of circuit blocks 30 connected in series with each other, a second group of circuit blocks 40 connected in series with each other, and a signal input to an input terminal. Switching circuit 50 for supplying a selected one of the first group of circuit blocks 30 and the second group of circuit blocks 40, and the first group of circuit blocks 30 and the second group of circuit blocks 40 And a switching circuit 60 for supplying a signal output from one selected from the output terminal to the output terminal.

このように複数の回路ブロックを直列に接続するのは、各回路ブロックにおける信号の遅延時間を合計して測定することによって測定精度を高めるためであり、半導体集積回路は、最低限2個の回路ブロックを含んでいれば良い。また、切換回路50を省略して、入力端子に入力される信号を第1群の回路ブロック30と第2群の回路ブロック40との両方に供給するようにしても良いし、切換回路60を省略して、第1群の回路ブロック30と第2群の回路ブロック40との両方から出力される2つの信号を2つの出力端子にそれぞれ供給するようにしても良い。   The reason why the plurality of circuit blocks are connected in series is to increase the measurement accuracy by measuring the total delay time of the signals in each circuit block, and the semiconductor integrated circuit has at least two circuits. It only has to contain blocks. Further, the switching circuit 50 may be omitted, and a signal input to the input terminal may be supplied to both the first group of circuit blocks 30 and the second group of circuit blocks 40. Omitted, two signals output from both the first group of circuit blocks 30 and the second group of circuit blocks 40 may be supplied to the two output terminals, respectively.

入力端子に入力される信号は、切換回路50を介して第1群の回路ブロック30又は第2群の回路ブロック40を順に通過して、最後の回路ブロックから切換回路60を介して出力端子に供給される。また、2つの制御端子は、2ビットの制御信号S1及びS2を入力するために用いられる。この内、制御信号S1は、第1群及び第2群の回路ブロック30及び40におけるクロストーク信号の位相を制御するために用いられ、制御信号S2は、切換回路50及び60における信号の切換を制御するために用いられる。   A signal input to the input terminal sequentially passes through the first group of circuit blocks 30 or the second group of circuit blocks 40 via the switching circuit 50, and from the last circuit block to the output terminal via the switching circuit 60. Supplied. The two control terminals are used to input 2-bit control signals S1 and S2. Among these, the control signal S1 is used for controlling the phase of the crosstalk signal in the first and second group circuit blocks 30 and 40, and the control signal S2 is used to switch the signals in the switching circuits 50 and 60. Used to control.

図8は、図7における第1群の回路ブロックの内部回路を示す回路図である。第1群の回路ブロック30の構成は、図2に示す回路ブロック10と同様であるが、バッファ回路31の出力とバッファ回路33の入力との間の第1の信号配線32と、第1の信号配線32に沿って配置された部分を有する第2の信号配線34との長さが短くなっている。ここで、第1の信号配線32と第2の信号配線34とが並走する長さをL1とする。   FIG. 8 is a circuit diagram showing an internal circuit of the first group of circuit blocks in FIG. The configuration of the first group of circuit blocks 30 is the same as that of the circuit block 10 shown in FIG. 2, except that the first signal wiring 32 between the output of the buffer circuit 31 and the input of the buffer circuit 33, The length of the second signal wiring 34 having a portion arranged along the signal wiring 32 is shortened. Here, the length in which the first signal wiring 32 and the second signal wiring 34 run in parallel is defined as L1.

図9は、図7における第2群の回路ブロックの内部回路を示す回路図である。第2群の回路ブロック40の構成は、図8に示す第1群の回路ブロック30と同様であるが、バッファ回路41の出力とバッファ回路43の入力との間の第1の信号配線42と、第1の信号配線42に沿って配置された部分を有する第2の信号配線44との長さが長くなっている。ここで、第1の信号配線42と第2の信号配線44とが並走する長さをL2とすると、少なくともL2≧2×L1であり、例えば、L2≧10×L1としても良い。   FIG. 9 is a circuit diagram showing an internal circuit of the second group of circuit blocks in FIG. The configuration of the second group of circuit blocks 40 is the same as that of the first group of circuit blocks 30 shown in FIG. 8, except that the first signal wiring 42 between the output of the buffer circuit 41 and the input of the buffer circuit 43 The length of the second signal wiring 44 having a portion arranged along the first signal wiring 42 is long. Here, if the length that the first signal wiring 42 and the second signal wiring 44 run in parallel is L2, at least L2 ≧ 2 × L1, for example, L2 ≧ 10 × L1 may be satisfied.

制御信号を変化させながら、信号の遅延時間を測定することにより、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、それぞれ異なる配線長を有する第1群及び第2群の回路ブロックにおいて測定することができる。例えば、長い並行配線によって同相クロストークを受けた場合と、短い並行配線によって逆相クロストークを受けた場合と、どちらの遅延時間が小さくなるかを比較することができる。そのような測定結果を利用することにより、半導体集積回路のレイアウト設計に用いるライブラリに、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を考慮した遅延モデルを装備し、回路動作のシミュレーション等に活用することが可能となる。   By measuring the signal delay time while changing the control signal, the variation in the delay time due to the influence of crosstalk caused by the parallel wiring is measured in the first group and second group circuit blocks having different wiring lengths. can do. For example, it is possible to compare which delay time is smaller when receiving in-phase crosstalk with a long parallel wiring and when receiving reverse-phase crosstalk with a short parallel wiring. By using such measurement results, the library used for layout design of semiconductor integrated circuits is equipped with a delay model that takes into account fluctuations in delay time due to the effects of crosstalk caused by parallel wiring, for circuit operation simulations, etc. It can be used.

次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の構成の一部を示すブロック図である。図10に示すように、この半導体集積回路は、互いに直列に接続された第1群の回路ブロック70と、互いに直列に接続された第2群の回路ブロック80と、入力端子に入力される信号を、第1群の回路ブロック70と第2群の回路ブロック80との内の選択された一方に供給する切換回路50と、第1群の回路ブロック70と第2群の回路ブロック80との内の選択された一方から出力される信号を出力端子に供給する切換回路60とを含んでいる。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a block diagram showing a part of the configuration of a semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, the semiconductor integrated circuit includes a first group of circuit blocks 70 connected in series with each other, a second group of circuit blocks 80 connected in series with each other, and a signal input to an input terminal. Of the switching circuit 50 for supplying a selected one of the first group of circuit blocks 70 and the second group of circuit blocks 80, and the first group of circuit blocks 70 and the second group of circuit blocks 80 to each other. And a switching circuit 60 for supplying a signal output from one selected from the output terminal to the output terminal.

このように複数の回路ブロックを直列に接続するのは、各回路ブロックにおける信号の遅延時間を合計して測定することによって測定精度を高めるためであり、半導体集積回路は、最低限2個の回路ブロックを含んでいれば良い。また、切換回路50を省略して、入力端子に入力される信号を第1群の回路ブロック70と第2群の回路ブロック80との両方に供給するようにしても良いし、切換回路60を省略して、第1群の回路ブロック70と第2群の回路ブロック80との両方から出力される2つの信号を2つの出力端子にそれぞれ供給するようにしても良い。   The reason why the plurality of circuit blocks are connected in series is to increase the measurement accuracy by measuring the total delay time of the signals in each circuit block, and the semiconductor integrated circuit has at least two circuits. It only has to contain blocks. Further, the switching circuit 50 may be omitted, and a signal input to the input terminal may be supplied to both the first group of circuit blocks 70 and the second group of circuit blocks 80. Omitted, two signals output from both the first group of circuit blocks 70 and the second group of circuit blocks 80 may be supplied to the two output terminals, respectively.

入力端子に入力される信号は、切換回路50を介して第1群の回路ブロック70又は第2群の回路ブロック80を順に通過して、最後の回路ブロックから切換回路60を介して出力端子に供給される。また、2つの制御端子は、2ビットの制御信号S1及びS2を入力するために用いられる。この内、制御信号S1は、第1群及び第2群の回路ブロック30及び40におけるクロストーク信号の位相を制御するために用いられ、制御信号S2は、切換回路50及び60における信号の切換を制御するために用いられる。   A signal input to the input terminal sequentially passes through the first group of circuit blocks 70 or the second group of circuit blocks 80 via the switching circuit 50, and from the last circuit block to the output terminal via the switching circuit 60. Supplied. The two control terminals are used to input 2-bit control signals S1 and S2. Among these, the control signal S1 is used for controlling the phase of the crosstalk signal in the first and second group circuit blocks 30 and 40, and the control signal S2 is used to switch the signals in the switching circuits 50 and 60. Used to control.

図11は、図10における第1群の回路ブロックの内部回路を示す回路図である。第1群の回路ブロック70の構成は、図2に示す回路ブロック10と同様であるが、バッファ回路71の出力に第1の信号配線72を介して接続されるバッファ回路73の数が小さいので、バッファ回路71の負荷容量が小さくなっている。ここで、バッファ回路73の数をN1とする。   FIG. 11 is a circuit diagram showing an internal circuit of the first group of circuit blocks in FIG. The configuration of the first group of circuit blocks 70 is the same as that of the circuit block 10 shown in FIG. 2, but the number of buffer circuits 73 connected to the output of the buffer circuit 71 via the first signal wiring 72 is small. The load capacity of the buffer circuit 71 is small. Here, the number of buffer circuits 73 is N1.

図12は、図10における第2群の回路ブロックの内部回路を示す回路図である。第2群の回路ブロック80の構成は、図11に示す第1群の回路ブロック70と同様であるが、バッファ回路81の出力に第1の信号配線82を介して接続されるバッファ回路83の数が大きいので、バッファ回路81の負荷容量が大きくなっている。ここで、バッファ回路83の数をN2とすると、少なくともN2≧2×N1であり、例えば、N2≧10×N1、具体的には、N1=1、N2=10としても良い。   FIG. 12 is a circuit diagram showing an internal circuit of the second group of circuit blocks in FIG. The configuration of the second group of circuit blocks 80 is the same as that of the first group of circuit blocks 70 shown in FIG. 11 except that the buffer circuit 83 connected to the output of the buffer circuit 81 via the first signal wiring 82. Since the number is large, the load capacity of the buffer circuit 81 is large. Here, assuming that the number of buffer circuits 83 is N2, at least N2 ≧ 2 × N1, for example, N2 ≧ 10 × N1, specifically, N1 = 1 and N2 = 10.

制御信号を変化させながら、信号の遅延時間を測定することにより、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を、ファンアウトの数がそれぞれ異なる第1群及び第2群の回路ブロックにおいて測定することができる。例えば、ファンアウト数が小さくて逆相クロストークを受けた場合と、ファンアウト数が大きくて同相クロストークを受けた場合と、どちらの遅延時間が小さくなるかを比較することができる。そのような測定結果を利用することにより、半導体集積回路のレイアウト設計に用いるライブラリに、並行配線によって生じるクロストークの影響による遅延時間の変動を考慮した遅延モデルを装備し、回路動作のシミュレーション等に活用することが可能となる。なお、以上述べた複数の実施形態を組み合わせるようにしても良い。   By measuring the delay time of the signal while changing the control signal, the variation in the delay time due to the influence of the crosstalk caused by the parallel wiring is detected in the circuit blocks of the first group and the second group with different numbers of fan-outs. Can be measured. For example, it is possible to compare which delay time is smaller when the fan-out number is small and subjected to reverse-phase crosstalk and when the fan-out number is large and subjected to in-phase crosstalk. By using such measurement results, the library used for layout design of semiconductor integrated circuits is equipped with a delay model that takes into account fluctuations in delay time due to the effects of crosstalk caused by parallel wiring, for circuit operation simulations, etc. It can be used. A plurality of the embodiments described above may be combined.

本発明は、複数のセルを配置配線することにより設計されるゲートアレイやスタンダードセル等のASICのレイアウト設計において用いられる遅延ライブラリを作成するために利用される半導体集積回路において利用することが可能である。   The present invention can be used in a semiconductor integrated circuit used for creating a delay library used in ASIC layout design such as a gate array and a standard cell designed by arranging and wiring a plurality of cells. is there.

本発明の第1の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図。1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. 図1における回路ブロックの内部回路を示す回路図。The circuit diagram which shows the internal circuit of the circuit block in FIG. 図2に示すクロストーク制御回路の動作を説明するための真理値表。3 is a truth table for explaining the operation of the crosstalk control circuit shown in FIG. 本発明の第2の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 図4における回路ブロックの内部回路を示す回路図。FIG. 5 is a circuit diagram showing an internal circuit of the circuit block in FIG. 4. 図5に示すクロストーク制御回路の動作を説明するための真理値表。6 is a truth table for explaining the operation of the crosstalk control circuit shown in FIG. 本発明の第3の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 図7における第1群の回路ブロックの内部回路を示す回路図。FIG. 8 is a circuit diagram showing an internal circuit of a first group of circuit blocks in FIG. 7. 図7における第2群の回路ブロックの内部回路を示す回路図。FIG. 8 is a circuit diagram showing an internal circuit of a second group of circuit blocks in FIG. 7. 本発明の第4の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the semiconductor integrated circuit which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図10における第1群の回路ブロックの内部回路を示す回路図。FIG. 11 is a circuit diagram showing an internal circuit of a first group of circuit blocks in FIG. 10. 図10における第2群の回路ブロックの内部回路を示す回路図。FIG. 11 is a circuit diagram showing an internal circuit of a second group of circuit blocks in FIG. 10.

符号の説明Explanation of symbols

10、20、30、40、70、80 回路ブロック、 11、13、21、23、31、33、41、43、71、73、81、83 バッファ回路、 12、22、32、42、72、82 第1の信号配線、 14、24、34、44 第2の信号配線、 15、25 クロストーク制御回路、 15a AND回路、 15b 反転入力のAND回路、 15c OR回路、 50、60 切換回路 10, 20, 30, 40, 70, 80 Circuit block 11, 13, 21, 23, 31, 33, 41, 43, 71, 73, 81, 83 Buffer circuit 12, 22, 32, 42, 72, 82, first signal wiring, 14, 24, 34, 44 second signal wiring, 15, 25 crosstalk control circuit, 15a AND circuit, 15b inverting input AND circuit, 15c OR circuit, 50, 60 switching circuit

Claims (9)

入力端子と出力端子との間に接続された少なくとも1つの回路ブロックを含む半導体集積回路であって、前記回路ブロックが、
前記回路ブロックに入力される信号をバッファする第1の回路と、
前記第1の回路の出力に接続された第1の信号配線と、
前記第1の回路から出力される信号が前記第1の信号配線を介して入力される少なくとも1つの第2の回路と、
前記第1の信号配線に沿って配置された部分を有する第2の信号配線と、
制御信号に基づいて、前記回路ブロックに入力される信号を正相又は逆相で前記第2の信号配線に選択的に供給する第3の回路と、
を具備する、半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit including at least one circuit block connected between an input terminal and an output terminal, the circuit block comprising:
A first circuit for buffering a signal input to the circuit block;
A first signal line connected to the output of the first circuit;
At least one second circuit in which a signal output from the first circuit is input via the first signal wiring;
A second signal wiring having a portion disposed along the first signal wiring;
A third circuit for selectively supplying a signal input to the circuit block to the second signal wiring in a normal phase or a reverse phase based on a control signal;
A semiconductor integrated circuit comprising:
互いに直列に接続された第1群の回路ブロックと互いに直列に接続された第2群の回路ブロックとを含む半導体集積回路であって、前記第1群及び第2群の回路ブロックの各々が、
前記回路ブロックに入力される信号をバッファする第1の回路と、
前記第1の回路の出力に接続された第1の信号配線と、
前記第1の回路から出力される信号が前記第1の信号配線を介して入力される少なくとも1つの第2の回路と、
前記第1の信号配線に沿って配置された部分を有する第2の信号配線と、
制御信号に基づいて、前記回路ブロックに入力される信号を正相又は逆相で前記第2の信号配線に選択的に供給する第3の回路と、
を具備し、前記第2群の回路ブロックの各々における前記第1及び第2の信号配線の長さが、前記第1群の回路ブロックの各々における前記第1及び第2の信号配線の長さと異なる、半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit including a first group of circuit blocks connected in series with each other and a second group of circuit blocks connected in series with each other, wherein each of the first group and the second group of circuit blocks includes:
A first circuit for buffering a signal input to the circuit block;
A first signal line connected to the output of the first circuit;
At least one second circuit in which a signal output from the first circuit is input via the first signal wiring;
A second signal wiring having a portion disposed along the first signal wiring;
A third circuit for selectively supplying a signal input to the circuit block to the second signal wiring in a normal phase or a reverse phase based on a control signal;
And the lengths of the first and second signal lines in each of the second group of circuit blocks are the same as the lengths of the first and second signal lines in each of the first group of circuit blocks. Different semiconductor integrated circuit.
互いに直列に接続された第1群の回路ブロックと互いに直列に接続された第2群の回路ブロックとを含む半導体集積回路であって、前記第1群及び第2群の回路ブロックの各々が、
前記回路ブロックに入力される信号をバッファする第1の回路と、
前記第1の回路の出力に接続された第1の信号配線と、
前記第1の回路から出力される信号が前記第1の信号配線を介して入力される少なくとも1つの第2の回路と、
前記第1の信号配線に沿って配置された部分を有する第2の信号配線と、
制御信号に基づいて、前記回路ブロックに入力される信号を正相又は逆相で前記第2の信号配線に選択的に供給する第3の回路と、
を具備し、前記第2群の回路ブロックの各々における前記第2の回路の数が、前記第1群の回路ブロックの各々における前記第2の回路の数と異なる、半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit including a first group of circuit blocks connected in series with each other and a second group of circuit blocks connected in series with each other, wherein each of the first group and the second group of circuit blocks includes:
A first circuit for buffering a signal input to the circuit block;
A first signal line connected to the output of the first circuit;
At least one second circuit in which a signal output from the first circuit is input via the first signal wiring;
A second signal wiring having a portion disposed along the first signal wiring;
A third circuit for selectively supplying a signal input to the circuit block to the second signal wiring in a normal phase or a reverse phase based on a control signal;
And the number of the second circuits in each of the second group of circuit blocks is different from the number of the second circuits in each of the first group of circuit blocks.
入力端子に入力される信号を前記第1群の回路ブロックと前記第2群の回路ブロックとの内の選択された一方に供給する切換回路をさらに含む請求項2又は3記載の半導体集積回路。   4. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, further comprising a switching circuit for supplying a signal input to an input terminal to a selected one of the first group of circuit blocks and the second group of circuit blocks. 前記第1群の回路ブロックと前記第2群の回路ブロックとの内の選択された一方から出力される信号を出力端子に供給する切換回路をさらに含む請求項2〜4のいずれか1項記載の半導体集積回路。   5. The switching circuit according to claim 2, further comprising a switching circuit that supplies a signal output from a selected one of the first group of circuit blocks and the second group of circuit blocks to an output terminal. Semiconductor integrated circuit. 前記第3の回路が、制御信号が第1のレベルであるときに、前記回路ブロックに入力される信号を正相で前記第2の信号配線に供給し、制御信号が第2のレベルであるときに、前記回路ブロックに入力される信号を逆相で前記第2の信号配線に供給する、請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体集積回路。   When the control signal is at the first level, the third circuit supplies the signal input to the circuit block to the second signal wiring in the positive phase, and the control signal is at the second level. 6. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a signal input to the circuit block is supplied to the second signal wiring in reverse phase. 前記第3の回路が、制御信号に基づいて、前記第2の信号配線に電源電位を選択的に供給する、請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the third circuit selectively supplies a power supply potential to the second signal wiring based on a control signal. 前記第3の回路が、制御信号に基づいて、前記第2の信号配線を選択的にハイ・インピーダンス状態とする、請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体集積回路。   The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the third circuit selectively sets the second signal wiring to a high impedance state based on a control signal. 前記制御信号が複数のビットを有する、請求項7又は8記載の半導体集積回路。   9. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the control signal has a plurality of bits.
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