JP2005187921A - Electromolding substrate, manufacturing method therefor and method for manufacturing plated layer - Google Patents

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JP2005187921A JP2003433742A JP2003433742A JP2005187921A JP 2005187921 A JP2005187921 A JP 2005187921A JP 2003433742 A JP2003433742 A JP 2003433742A JP 2003433742 A JP2003433742 A JP 2003433742A JP 2005187921 A JP2005187921 A JP 2005187921A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electromolding substrate, particularly which can be repeatedly used more times for molding a plated layer than ever, and can finely form the plated layer into a predetermined shape at a satisfactory yield; a manufacturing method therefor; and a method for manufacturing the plated layer. <P>SOLUTION: The electromolding substrate 1 has a patterned part 3 with a recess shape, which has the same shape as the plated layer, formed on the surface 1a. The patterned part 3 has a separating film 4 made of ZnO or the like provided on the side wall face 3a and the bottom face 3b. The plated layer which has been electromolded in the patterned part 3 can be easily peeled off from the separating film 4, whereas the separating film 4 is left in the patterned part 3 of the electromolding substrate 1, just as it has been, so that the electromolding substrate 1 can be repeatedly used in the state of having the separating film 4 thereon every time after having formed the plated layer, and accordingly, a productivity for the plated layer can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、メッキ層を所定形状に成形するために用いられる電鋳用基板及びその製造方法、並びに前記電鋳用基板を用いたメッキ層の製造方法に係わり、特に、前記メッキ層から成る電鋳品を形成する度に繰返し使用できる電鋳用基板、及びその製造方法、並びにメッキ層の製造方法に関する。   The present invention relates to an electroforming substrate used for forming a plating layer into a predetermined shape, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a plating layer using the electroforming substrate, and more particularly, an electroforming substrate comprising the plating layer. The present invention relates to an electroforming substrate that can be repeatedly used every time a casting is formed, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a plating layer.

特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。   The semiconductor inspection apparatus described in Patent Document 1 electrically temporarily connects a semiconductor to an external circuit board or the like. A large number of spherical contacts arranged in a lattice shape or a matrix shape are provided on the back side of the semiconductor, and a large number of concave portions are provided on an insulating substrate opposite to the spherical contacts, and spiral contacts are provided in the concave portions. Opposed.

前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
特開２００２−１７５８５９号公報 When the back side of the semiconductor is pressed toward the insulating substrate, the spiral contact contacts the outer surface of the spherical contact so that the spiral contact wraps spirally. The electrical connection between the two is ensured.
JP 2002-175859 A

ところで特許文献１では図３７以降に、スパイラル接触子の形成方法について開示されている。   By the way, in patent document 1, the formation method of a spiral contactor is disclosed after FIG.

図３７以降では、一般によく使用されるフォトリソグラフィ技術を用い、前記スパイラル接触子を形成している。   In FIG. 37 and subsequent figures, the spiral contact is formed by using a commonly used photolithography technique.

このようなフォトリソグラフィー技術を用いたスパイラル接触子の製造方法は、基板の形成−基板表面の処理−レジスト層の塗布−レジスト層に対する露光現像によるパターン形成−スパイラル接触子の電鋳成形−各スパイラル接触子の絶縁シートへの貼り付け−レジスト層の除去−基板の除去、といった多数の工程から成る。   A spiral contactor manufacturing method using such a photolithography technique includes substrate formation, substrate surface treatment, resist layer coating, resist layer pattern formation by exposure and development, spiral contactor electroforming, and spirals. It consists of a number of processes such as attaching the contact to the insulating sheet, removing the resist layer, and removing the substrate.

このようにスパイラル接触子を製造するのに長い工程を経なければならず、製造工程の煩雑化と、生産コストの向上が問題視された。   As described above, a long process has to be performed to manufacture the spiral contactor, and the complication of the manufacturing process and the improvement of the production cost are regarded as problems.

特に、前記基板やレジスト層は、スパイラル接触子を製造する度にわざわざ形成しなくてはならないため、生産コストを向上させる大きな要因となっており、またスパイラル接触子のような超微細加工品を、その都度、フォトリソグラフィー技術を用いて製造したのでは歩留りが低下し、従来の方法は生産性に劣るものとなっていた。   In particular, the substrate and resist layer must be formed every time a spiral contactor is manufactured, which is a major factor in improving production costs. In each case, manufacturing using a photolithography technique decreases the yield, and the conventional method is inferior in productivity.

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に従来に比べて、メッキ層を成形するための電鋳用基板を繰返し使用できるとともに、前記メッキ層を所定形状に歩留り良く微細加工することが可能な電鋳用基板、及びその製造方法、並びにメッキ層の製造方法を提供することを目的としている。   Therefore, the present invention is to solve the above-described conventional problems, and in particular, compared to the conventional technique, the electroforming substrate for forming the plating layer can be used repeatedly, and the plating layer is finely formed in a predetermined shape with a high yield. It is an object of the present invention to provide an electroforming substrate that can be processed, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a plating layer.

本発明は、メッキ層を所定形状に成形するための電鋳用基板において、
前記電鋳用基板の表面には、前記メッキ層を埋め込み形成するための前記メッキ層と同形状の凹部状のパターン部が設けられ、前記パターン部の側壁面及び底面には前記メッキ層を剥離可能とする剥離膜が設けられていることを特徴とするものである。 The present invention provides an electroforming substrate for forming a plating layer into a predetermined shape,
The surface of the electroforming substrate is provided with a concave pattern portion having the same shape as the plating layer for embedding the plating layer, and the plating layer is peeled off on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion. A possible release film is provided.

本発明では、上記のパターン部は、前記メッキ層と同形状で形成されており、前記パターン部内にメッキ層をメッキ形成すれば、前記メッキ層を所定形状にてメッキ形成できる。そして前記メッキ層は前記剥離膜上から容易に剥がれ、前記剥離膜は前記電鋳用基板側にそのまま残されるので、前記剥離膜を有する電鋳用基板をメッキ層の形成の度に繰返し使用でき、メッキ層の生産性に優れた電鋳用基板を提供できる。   In the present invention, the pattern portion is formed in the same shape as the plating layer. If the plating layer is formed in the pattern portion, the plating layer can be formed in a predetermined shape. The plating layer is easily peeled off from the release film, and the release film is left as it is on the electroforming substrate side. Therefore, the electroforming substrate having the release film can be repeatedly used every time the plating layer is formed. An electroforming substrate with excellent plating layer productivity can be provided.

本発明では、前記電鋳用基板には、セラミック材あるいはプラスチック材が用いられることが好ましい。基板にセラミック材やプラスチック材を用いることで基板の面精度をシリコンウエハーレベルまで高精度にでき、よって前記メッキ層の微細化加工を実現できる。   In the present invention, it is preferable that a ceramic material or a plastic material is used for the electroforming substrate. By using a ceramic material or a plastic material for the substrate, the surface accuracy of the substrate can be increased to the level of a silicon wafer, and thus the plating layer can be miniaturized.

また本発明では、前記剥離膜には酸化物からなる剥離膜が用いられることが好ましく、具体的には、前記剥離膜にはＺｎＯが用いられることが好ましい。   In the present invention, a release film made of an oxide is preferably used for the release film, and specifically, ZnO is preferably used for the release film.

前記ＺｎＯは、その上にＣｕやＮｉ、Ａｕ等のメッキ層が形成されても、前記メッキ層をＺｎＯ膜上から剥離しやすく、取り扱いに優れメッキ層の形成にかかる生産コストの低減をより促進させることが可能である。   Even if a plated layer of Cu, Ni, Au or the like is formed on the ZnO, the plated layer is easy to peel off from the ZnO film, is excellent in handling, and further promotes a reduction in production cost for forming the plated layer. It is possible to make it.

また本発明における電鋳用基板の製造方法は、
（ａ） 電鋳用基板の表面に、メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程と、
（ｂ） 前記パターン部の側壁面及び底面に剥離膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。 In addition, the manufacturing method of the electroforming substrate in the present invention is as follows.
(A) forming a pattern portion formed of a concave portion having the same shape as the plating layer on the surface of the electroforming substrate;
(B) forming a release film on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion;
It is characterized by having.

本発明では、前記（ａ）工程は、以下の工程を有してなることが好ましい。
（ｃ） 電鋳用基板の表面に、マスク層を形成する工程と、
（ｄ） 前記マスク層にメッキ層と同形状からなる抜きパターンを形成する工程と、
（ｅ） 前記抜きパターン内に現れた前記電鋳用基板の表面を削って前記メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程。 In the present invention, the step (a) preferably includes the following steps.
(C) forming a mask layer on the surface of the electroforming substrate;
(D) forming a blanking pattern having the same shape as the plating layer on the mask layer;
(E) A step of cutting a surface of the electroforming substrate appearing in the punching pattern to form a pattern portion having a concave shape that is the same shape as the plating layer.

上記の製造方法によれば、電鋳用基板に、前記メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を適切且つ容易に形成することができる。   According to said manufacturing method, the pattern part which consists of a recessed part shape same as the said plating layer can be formed in the electroforming board | substrate appropriately and easily.

また本発明では、前記（ｅ）工程をドライエッチング法にて行うことが好ましい。これにより前記電鋳用基板に所定形状の凹部状から成るパターン部を形成しやすい。   In the present invention, the step (e) is preferably performed by a dry etching method. Thereby, it is easy to form a pattern portion having a concave shape of a predetermined shape on the electroforming substrate.

また本発明では、前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなることが好ましい。
（ｆ） 前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面、及び前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｇ） 前記マスク層、及び前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。 Moreover, in this invention, it is preferable that the said (b) process has the following processes.
(F) forming a release film from the surface of the mask layer to the side wall surface in the punched pattern and the side wall surface and bottom surface of the pattern portion formed on the electroforming substrate;
(G) The mask layer and the release film formed on the side wall surface in the punching pattern are removed from the surface of the mask layer, and formed on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion formed on the electroforming substrate. The process of leaving the peeled film as it is.

上記により、前記電鋳用基板の側壁面及び底面に適切に剥離膜を形成することが可能になる。   As described above, it is possible to appropriately form a release film on the side wall surface and the bottom surface of the electroforming substrate.

あるいは本発明では、前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなるものであってもよい。   Alternatively, in the present invention, the step (b) may include the following steps.

（ｈ） 前記マスク層を除去する工程と、
（ｉ） 前記電鋳用基板の表面からパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｊ） 前記電鋳用基板の表面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。 (H) removing the mask layer;
(I) forming a release film from the surface of the electroforming substrate to the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion;
(J) A step of removing the release film formed on the surface of the electroforming substrate, while leaving the release film formed over the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion formed on the electroforming substrate.

本発明では、前記電鋳用基板に、セラミック材あるいはプラスチック材を用いることが好ましい。基板にセラミック材やプラスチック材を用いることで基板の面精度をシリコンウエハーレベルまで高精度にできる。   In the present invention, it is preferable to use a ceramic material or a plastic material for the electroforming substrate. By using a ceramic material or a plastic material for the substrate, the surface accuracy of the substrate can be increased to the silicon wafer level.

また本発明では、前記剥離膜に酸化物からなる剥離膜を用いることが好ましく、具体的には、前記剥離膜にＺｎＯを用いることが好ましい。特に電鋳用基板としてシリコン等のセラミック材を用い、剥離膜にＺｎＯを用いることが好ましく、かかる場合、前記剥離膜は前記電鋳用基板のパターン部内に適切に固着し、一方、前記剥離膜の表面は、その上に形成されるメッキ層に対し剥離面として適切に機能する。   In the present invention, a release film made of an oxide is preferably used as the release film, and specifically, ZnO is preferably used as the release film. In particular, it is preferable to use a ceramic material such as silicon as the electroforming substrate and to use ZnO as the peeling film. In such a case, the peeling film is appropriately fixed in the pattern portion of the electroforming substrate, while the peeling film This surface properly functions as a release surface for the plating layer formed thereon.

また本発明におけるメッキ層の製造方法は、上記のいずれかに記載された電鋳用基板の製造方法を用い、前記（ｂ）工程、（ｇ）工程あるいは（ｊ）工程の後に以下の工程を有することを特徴とするものである。   Moreover, the manufacturing method of the plating layer in this invention uses the manufacturing method of the board | substrate for electrocasting described in any of the above, The following process is carried out after the said (b) process, (g) process, or (j) process. It is characterized by having.

（ｋ） 前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上から、少なくとも無電解メッキ法を用いて、前記パターン部内を埋めるメッキ層を形成する工程と、
（ｌ） 前記メッキ層上を取付部材に取り付ける工程と、
（ｍ） 前記取付部材を前記電鋳用基板の表面から離すとともに、前記メッキ層を前記剥離膜上から剥離する工程。 (K) forming a plating layer that fills the pattern portion from at least the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion of the electroforming substrate using an electroless plating method;
(L) attaching the top of the plating layer to an attachment member;
(M) A step of separating the mounting member from the surface of the electroforming substrate and peeling the plating layer from the release film.

本発明では、前記（ｂ）工程、（ｇ）工程あるいは（ｊ）工程のように、基板のパターン部の側壁面及び底面上に剥離膜を設け、前記（ｍ）工程のときに、前記（ｋ）工程でメッキ形成されたメッキ層を前記剥離膜上から剥離する。前記剥離膜は前記パターン部内にそのまま残されるから、前記メッキ層を剥離後、パターン部の側壁面及び底面に剥離膜が形成された電鋳用基板を何回もメッキ層の形成のために使用でき、生産コスト低下を図ることができる。   In the present invention, as in the step (b), the step (g) or the step (j), a release film is provided on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion of the substrate, and the step (m) k) The plating layer formed by plating in the step is peeled off from the peeling film. Since the release film is left as it is in the pattern portion, after peeling the plating layer, the electroforming substrate having the release film formed on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion is used many times for forming the plating layer. Production cost can be reduced.

なお前記剥離膜はＺｎＯ膜などの非金属膜であるから、前記剥離膜は電解メッキ法におけるメッキ下地層（電極）として機能しにくく、よって前記剥離膜の上に、少なくとも無電解メッキ法を用いて前記メッキ層をメッキ形成することが好ましい。   Since the release film is a non-metal film such as a ZnO film, the release film is unlikely to function as a plating base layer (electrode) in the electrolytic plating method. Therefore, at least an electroless plating method is used on the release film. The plating layer is preferably formed by plating.

また本発明では、
前記（ｋ）工程を、
（ｍ） 前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上に、無電解メッキ法を用いてメッキ下地層を形成する工程と、
（ｎ） 前記メッキ下地層上から電解メッキ法により前記パターン部内にメッキ層を形成する工程、
を用いて行うとともに、
前記（ｍ）工程で、前記メッキ層をメッキ下地層とともに前記剥離膜上から剥離するものであることが好ましい。 In the present invention,
The step (k),
(M) forming a plating underlayer using an electroless plating method on the side wall surface and bottom surface of the pattern portion of the electroforming substrate;
(N) forming a plating layer in the pattern portion by electrolytic plating from the plating base layer;
And using
In the step (m), the plating layer is preferably peeled off from the peeling film together with the plating base layer.

上記工程では無電解メッキ法にて薄い膜のメッキ下地層を形成した後、電解メッキ法を用いて所定形状のメッキ層を形成する。前記メッキ層を前記パターン部内に電解メッキ法を用いてメッキ形成することで、前記メッキ層を例えば空隙等の欠陥が形成されること無く適切に形成できる。   In the above process, a thin plating base layer is formed by an electroless plating method, and then a plating layer having a predetermined shape is formed by an electrolytic plating method. By plating the plated layer in the pattern portion using an electrolytic plating method, the plated layer can be appropriately formed without forming defects such as voids.

なお本発明では、前記（ｍ）工程の次に以下の工程を行ってもよい。
（ｏ） 前記メッキ下地層を除去する工程。 In the present invention, the following step may be performed after the step (m).
(O) A step of removing the plating base layer.

前記メッキ下地層の除去の有無は、前記メッキ層に求められる性能等によって選択される。   The presence or absence of the removal of the plating base layer is selected depending on the performance required for the plating layer.

本発明では、凹部状のパターン部の側壁面及び底面に剥離膜が施された電鋳用基板は、何回も繰返しメッキ層の製造過程で用いることができるから、製造工程を短くでき、しかも材料費等を安価にでき、生産コストを大幅に削減することができる。   In the present invention, since the electroforming substrate having a release film on the side wall surface and the bottom surface of the recessed pattern portion can be repeatedly used in the manufacturing process of the plating layer, the manufacturing process can be shortened. Material costs can be reduced, and production costs can be greatly reduced.

また同じ電鋳用基板を用いてメッキ層の製造を繰返し行うことができるので、各メッキ層の形状もばらつかず、歩留りを向上させることができ、特に電鋳用基板としてセラミック材等を用いることで前記メッキ層を超微細に精度良く成形できる。   Further, since the plating layer can be repeatedly produced using the same electroforming substrate, the shape of each plating layer does not vary, and the yield can be improved. In particular, a ceramic material or the like is used as the electroforming substrate. As a result, the plating layer can be formed in an ultrafine and accurate manner.

図１はメッキ層を電鋳形成するために使用される電鋳用基板１の斜視図である。前記電鋳用基板１は所定厚みを有し、図１では、前記電鋳用基板１の表面１ａは四角形状であるが、前記表面１ａは例えば四角形状以外の円形状等であってもかまわない。   FIG. 1 is a perspective view of an electroforming substrate 1 used for electroforming a plating layer. The electroforming substrate 1 has a predetermined thickness. In FIG. 1, the surface 1a of the electroforming substrate 1 has a quadrangular shape, but the surface 1a may have a circular shape other than a square shape, for example. Absent.

前記電鋳用基板１は、セラミック材あるいはプラスチック材で形成される。特に前記電鋳用基板１はガラス基板であることが好ましい。ガラス基板で形成された電鋳用基板１は、非常に平滑な表面で微細化加工も簡単である。   The electroforming substrate 1 is made of a ceramic material or a plastic material. In particular, the electroforming substrate 1 is preferably a glass substrate. The electroforming substrate 1 formed of a glass substrate has a very smooth surface and can be easily refined.

図１に示すように前記電鋳用基板１の表面１ａには多数のパターン部３が設けられている。図１では前記パターン部３はスパイラル形状であるが、前記パターン部３は、この基板１を用いて電鋳されるメッキ層の形状に対応してその都度、必要とされる形状に形成される。   As shown in FIG. 1, a large number of pattern portions 3 are provided on the surface 1 a of the electroforming substrate 1. In FIG. 1, the pattern portion 3 has a spiral shape, but the pattern portion 3 is formed in a required shape each time corresponding to the shape of the plating layer electroformed using the substrate 1. .

図１では前記パターン部３は、Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔をおいて規則的に多数形成されているが、前記パターン部３の形成位置、個数や大きさ等も、必要とされるメッキ層の形成位置、個数や大きさ等に対応して変更される。   In FIG. 1, a large number of the pattern portions 3 are regularly formed at predetermined intervals in the X direction and the Y direction. However, the formation position, the number, the size, and the like of the pattern portions 3 are also required. It is changed corresponding to the formation position, number and size of layers.

図２は図１に示す符号２の切断線から、前記電鋳用基板１を膜厚方向に切断し、矢印方向から見た電鋳用基板１の部分拡大断面図である。   FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of the electroforming substrate 1 taken along the film thickness direction from the cutting line 2 shown in FIG.

図２に示すように、前記電鋳用基板１の表面１ａに形成されたパターン部３は、凹部状である。前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂには、剥離膜４が形成されている。なお前記剥離膜４は前記電鋳用基板１の表面１ａには設けられていない。   As shown in FIG. 2, the pattern portion 3 formed on the surface 1a of the electroforming substrate 1 has a concave shape. A release film 4 is formed on the side wall surface 3 a and the bottom surface 3 b of the pattern portion 3. The release film 4 is not provided on the surface 1a of the electroforming substrate 1.

前記剥離膜４は酸化物からなることが好ましく、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物であることが好ましい。前記剥離膜４の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。   The release film 4 is preferably made of an oxide, specifically a metal oxide such as a ZnO film. The release film 4 is formed in the order of a degreasing process, a catalyst applying process, and a plating process.

前記剥離膜４は、前記パターン部３の側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に沿って形成された薄い膜であり、前記側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に強固に固着している。一方、前記剥離膜４の表面は、前記剥離膜４上にメッキ層をメッキ形成したときに、前記メッキ層を前記剥離膜４上から剥離できる面として機能している。   The release film 4 is a thin film formed on the side wall surface 3a and the bottom surface 3b of the pattern portion 3, and is firmly fixed on the side wall surface 3a and the bottom surface 3b. On the other hand, the surface of the release film 4 functions as a surface from which the plating layer can be peeled off from the release film 4 when a plating layer is formed on the release film 4 by plating.

ここで前記電鋳用基板１の具体的寸法の一例を示しておく。前記電鋳用基板１の幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｔ１は５ｍｍ程度、長さ方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ１は５ｍｍ程度、前記パターン部３の幅寸法Ｔ２は２０μｍ程度、前記パターン部３の高さ寸法Ｈ１は３０μｍ程度である。   Here, an example of specific dimensions of the electroforming substrate 1 will be shown. The width dimension T1 in the width direction (X direction in the figure) of the electroforming substrate 1 is about 5 mm, the length dimension L1 in the length direction (Y direction in the figure) is about 5 mm, and the width dimension T2 of the pattern portion 3 is About 20 μm, the height H1 of the pattern part 3 is about 30 μm.

図３は、図１及び図２に示す電鋳用機基板１を用いて形成されたスパイラル接触子シート５である。前記スパイラル接触子シート５には、ポリイミド等からなる絶縁シート６に多数のスパイラル接触子７が形成されて構成される。   FIG. 3 shows a spiral contactor sheet 5 formed using the electroforming machine substrate 1 shown in FIGS. 1 and 2. The spiral contactor sheet 5 includes a plurality of spiral contacts 7 formed on an insulating sheet 6 made of polyimide or the like.

各スパイラル接触子７は、図２に示す電鋳用基板１のパターン部３内で電鋳形成されたものである。図３に示す多数のスパイラル接触子７を前記パターン部３内にメッキ形成し、各スパイラル接触子７を絶縁シート６で繋げた後、前記スパイラル接触子７を前記剥離膜４上から剥離することで、図３に示すスパイラル接触子シート５を形成することができる。   Each spiral contact 7 is formed by electroforming in the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1 shown in FIG. A large number of spiral contacts 7 shown in FIG. 3 are plated in the pattern portion 3, and the spiral contacts 7 are connected by an insulating sheet 6, and then the spiral contacts 7 are peeled off from the release film 4. Thus, the spiral contactor sheet 5 shown in FIG. 3 can be formed.

前記電鋳用基板１を用いて形成されたスパイラル接触子シート５は、図４及び図５に示す検査装置（ＩＣソケット）に使用される。   The spiral contactor sheet 5 formed using the electroforming substrate 1 is used in the inspection apparatus (IC socket) shown in FIGS.

図４は、電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図５は図４のＡ−Ａ線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。   4 is a perspective view showing an inspection apparatus used in a test for confirming the operation of the electronic component. FIG. 5 is a sectional view taken along line AA in FIG. It is.

図４に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品９が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。   As shown in FIG. 4, the inspection apparatus 10 includes a base 11 and a lid 12 that is rotatably supported via a hinge 13 provided on one edge of the base 11. ing. The base 11 and the lid body 12 are formed of an insulating resin material or the like, and a loading region 11A that is concave in the Z2 direction is formed at the center of the base 11. An electronic component 9 such as a semiconductor can be mounted in the loading area 11A. A locked portion 14 is formed on the other edge of the base 11.

図５に示すように、この検査装置１０は、電子部品９の下面に多数の球状接触子（外部接続部）９ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。   As shown in FIG. 5, this inspection apparatus 10 is an inspection object in which a large number of spherical contacts (external connection portions) 9a are arranged on the lower surface of an electronic component 9 in a matrix (lattice or grid). It is what.

図５に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の貫通孔（スルーホール）１１ａが、前記電子部品９の球状接触子９ａに対応して設けられている。   As shown in FIG. 5, the loading area 11 </ b> A has a predetermined diameter, and a plurality of through holes (through holes) 11 a penetrating from the surface of the loading area 11 </ b> A to the back surface of the base 11 are formed on the electronic component 9. It is provided corresponding to the spherical contact 9a.

前記貫通孔１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子７が設けられている。   A plurality of spiral contacts 7 in which the contacts are formed in a spiral shape are provided on the upper surface of the through hole 11a (the surface of the loading region 11A).

前記スパイラル接触子７は、図３で説明したように、絶縁シート５に多数形成されており、前記スパイラル接触子７を有するスパイラル接触子シート５が前記基台１１上に貼り付けられている。   As described with reference to FIG. 3, the spiral contactor 7 is formed in a large number on the insulating sheet 5, and the spiral contactor sheet 5 having the spiral contactor 7 is stuck on the base 11.

前記絶縁シート５は、例えば平板状のシートで、その上に多数のスパイラル接触子７が接着剤等を介して形成されているものである。図５に示す形態のものは、前記絶縁シート５に、前記スパイラル接触子７と対応する位置に貫通孔が設けられ、前記スパイラル接触子７の最外縁部が前記貫通孔の周縁部の絶縁シート５上に接着固定されている。   The insulating sheet 5 is a flat sheet, for example, on which a number of spiral contacts 7 are formed via an adhesive or the like. In the embodiment shown in FIG. 5, a through hole is provided in the insulating sheet 5 at a position corresponding to the spiral contact 7, and the outermost edge of the spiral contact 7 is an insulating sheet at the peripheral edge of the through hole. 5 is adhered and fixed on the surface.

一方、図５に示すように、前記基台１１にも前記スパイラル接触子７と対向する位置に貫通孔１１ａが設けられ、前記スパイラル接触子７はちょうど前記貫通孔１１ａ上に位置し、電子部品９の各球状接触子９ａが下方向に押されると、各スパイラル接触子７は貫通孔１１ａ内に入り込むように変形する。   On the other hand, as shown in FIG. 5, the base 11 is also provided with a through hole 11a at a position facing the spiral contact 7, and the spiral contact 7 is located just above the through hole 11a, When the spherical contactors 9a of 9 are pushed downward, the spiral contacts 7 are deformed so as to enter the through holes 11a.

前記貫通孔１１ａの内側壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子７の前記最外縁部とが導電性接着材などで接続されている。また貫通孔１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。   A conductive portion (not shown) is formed on the inner wall surface of the through hole 11a, and the upper end of the conductive portion and the outermost edge portion of the spiral contactor 7 are connected by a conductive adhesive or the like. The opening end below the through hole 11a is closed by a connection terminal 18 connected to the conducting portion.

図５に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品９とプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。   As shown in FIG. 5, a printed board 29 having a plurality of wiring patterns and other circuit components is provided below the base 11, and the base 11 is fixed on the printed board 29. . On the surface of the printed circuit board 29, there are provided counter electrodes 28 facing the connection terminals 18 provided on the bottom surface of the base 11, and each of the connection terminals 18 comes into contact with each of the counter electrodes 28. The electronic component 9 and the printed circuit board 29 are electrically connected via the inspection device 10.

一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品９を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。   On the other hand, at the center position of the inner surface of the lid 12 of the inspection apparatus 10, a convex pressing portion 12a that presses the electronic component 9 downward in the figure is provided facing the loading region 11A. Further, a lock portion 15 is formed at a position on the opposite side to the hinge portion 13.

前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品９を前記貫通孔１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品９を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。   Between the inner surface of the lid body 12 and the pressing portion 12a, a biasing member made of a coil spring or the like that biases the pressing portion 12a away from the inner surface of the lid body 12 is provided (not shown). . Accordingly, when the electronic component 9 is mounted in the through-hole 11a and the lid 12 is closed and locked, the electronic component 9 can be elastically pressed in the direction approaching the surface of the loading region 11A (Z2 direction). It has become.

前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品９の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品９を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品９側の各球状接触子９ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。   The size of the loading area 11A of the base 11 is substantially the same as the outer shape of the electronic component 9, and when the electronic component 9 is mounted on the loading area 11A and the lid 12 is locked, the electronic component 9 side Each spherical contactor 9a and each spiral contactor 20 on the inspection apparatus 10 side can be accurately positioned in correspondence with each other.

蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品９が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子９ａが各スパイラル接触子７を貫通孔１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子７の外形は、渦巻きの中心から外方向に押し広げられるように変形し、前記球状接触子９ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子９ａと各スパイラル接触子７とが接続される。   When the lock portion 15 of the lid 12 is locked to the locked portion 14 of the base 11, the electronic component 9 is pressed downward in the figure by the pressing portion 12 a, so that each of the spherical contacts 9 a corresponds to each spiral contact 7. Is pushed downward in the through hole 11a (downward in the figure). At the same time, the outer shape of the spiral contactor 7 is deformed so as to be pushed outward from the center of the spiral and wound so as to embrace the outer surface of the spherical contactor 9a. 7 is connected.

図６ないし図１０は、本発明における電鋳用基板１の製造方法を示す一工程図である。各工程図は、製造工程中の前記電鋳用基板１を膜厚方向から切断したときの断面図である。   FIG. 6 thru | or FIG. 10 is 1 process drawing which shows the manufacturing method of the board | substrate 1 for electroforming in this invention. Each process drawing is a cross-sectional view when the electroforming substrate 1 in the manufacturing process is cut from the film thickness direction.

図６に示す工程では、電鋳用基板１を図１のように例えば矩形状に形成する。前記電鋳用基板１は、セラミック材あるいはプラスチック材で形成される。特に前記電鋳用基板１はガラス基板であることが好ましい。ガラス基板で形成された電鋳用基板１は、非常に平滑な表面で微細化加工も簡単で安価に図２に示す形状の基板を成形できる。   In the process shown in FIG. 6, the electroforming substrate 1 is formed in, for example, a rectangular shape as shown in FIG. The electroforming substrate 1 is made of a ceramic material or a plastic material. In particular, the electroforming substrate 1 is preferably a glass substrate. The electroforming substrate 1 formed of a glass substrate can be formed into a substrate having the shape shown in FIG.

図７工程では、前記電鋳用基板１の表面１ａにレジスト層３０をスピンコート法などを用いて塗布する。次に前記レジスト層３０に、多数のスパイラル接触子７の形状と同形状からなる抜きパターン３０ａを露光現像により形成する。   In the step of FIG. 7, a resist layer 30 is applied to the surface 1a of the electroforming substrate 1 using a spin coat method or the like. Next, a blanking pattern 30a having the same shape as the spiral contacts 7 is formed on the resist layer 30 by exposure and development.

次に図８に示す工程では、前記抜きパターン３０ａ内から露出する前記電鋳用基板１の表面１ａをドライエッチング法を用いて所定深さまで削り込み、前記電鋳用基板１に凹部状からなるパターン部３を形成する。前記電鋳用基板１の表面１ａをドライエッチング法を用いて削り込むことで、前記電鋳用基板１の表面１ａには所定形状のパターン部３を適切且つ容易に形成することができる。上記したように、前記電鋳用基板１にはセラミック材あるいはプラスチック材を用いるが、これら材質は微細加工に優れ、前記基板１に対しドライエッチング法を用いて削り込みを行うことで、前記電鋳用基板１に微細幅で且つ所定深さの凹部状のパターン部３を高精度に形成することが可能である。   Next, in the step shown in FIG. 8, the surface 1a of the electroforming substrate 1 exposed from the inside of the punching pattern 30a is cut to a predetermined depth by using a dry etching method, and the electroforming substrate 1 is formed in a concave shape. The pattern part 3 is formed. By cutting the surface 1a of the electroforming substrate 1 using a dry etching method, the pattern portion 3 having a predetermined shape can be appropriately and easily formed on the surface 1a of the electroforming substrate 1. As described above, a ceramic material or a plastic material is used for the electroforming substrate 1, but these materials are excellent in microfabrication, and the substrate 1 is cut by using a dry etching method, whereby the electroforming substrate 1 is used. It is possible to form the concave pattern portion 3 having a fine width and a predetermined depth on the casting substrate 1 with high accuracy.

次に図９に示す工程では、前記レジスト層３０の表面３０ｂ，前記抜きパターン３０ａの側面，前記パターン部３の側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に剥離膜４を成膜する。この剥離膜４をメッキ等で形成する。前記剥離膜４は酸化物からなり、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物である。前記剥離膜４の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。   Next, in the step shown in FIG. 9, a release film 4 is formed on the surface 30 b of the resist layer 30, the side surface of the punched pattern 30 a, the side wall surface 3 a and the bottom surface 3 b of the pattern portion 3. This release film 4 is formed by plating or the like. The release film 4 is made of an oxide, specifically a metal oxide such as a ZnO film. The release film 4 is formed in the order of a degreasing process, a catalyst applying process, and a plating process.

次に図１０に示す工程では、前記レジスト層３０及び前記レジスト層３０の表面３０ｂ及びレジスト層３０に形成された抜きパターン３０ａの側面に形成された剥離膜４を除去し、一方、前記パターン部３の側壁面３ａ上及び底面３ｂ上に形成された剥離膜４はそのまま残す。   Next, in the step shown in FIG. 10, the release film 4 formed on the resist layer 30, the surface 30 b of the resist layer 30 and the side surface of the punched pattern 30 a formed on the resist layer 30 is removed, while the pattern portion The release film 4 formed on the side wall surface 3a and the bottom surface 3b is left as it is.

例えば前記レジスト層３０をアルカリ水溶液で溶解するとともに、前記レジスト層３０の表面３０ｂ及び抜きパターン３０ａの側面に形成された剥離膜４を酸処理によって除去する。   For example, the resist layer 30 is dissolved with an alkaline aqueous solution, and the release film 4 formed on the surface 30b of the resist layer 30 and the side surfaces of the punched pattern 30a is removed by acid treatment.

以上のような方法にて図１及び図２に示す形状の電鋳用基板１を製造することができる。   The electroforming substrate 1 having the shape shown in FIGS. 1 and 2 can be manufactured by the method as described above.

図１１ないし図１３は、上記した図９ないし図１０工程に代えて行われる別の電鋳用基板１の製造方法を示す一工程図である。図１１ないし図１３は製造工程中の電鋳用基板１を膜厚方向から切断した断面図である。   11 to 13 are one-step diagrams showing another method for manufacturing the electroforming substrate 1 performed in place of the above-described steps of FIGS. 9 to 10. 11 to 13 are cross-sectional views of the electroforming substrate 1 during the manufacturing process cut from the film thickness direction.

まず図６工程ないし図８工程を経て、前記電鋳用基板１の表面１ａにスパイラル接触子７と同形状の凹部状のパターン部３を形成した後、図１１工程に示すように前記レジスト層３０を除去する。   First, after forming the concave pattern portion 3 having the same shape as the spiral contact 7 on the surface 1a of the electroforming substrate 1 through the steps of FIGS. 6 to 8, the resist layer is formed as shown in FIG. 30 is removed.

次に図１２工程では、前記電鋳用基板１の表面１ａ、前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂにかけて剥離膜４を形成する。前記剥離膜４は酸化物からなり、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物である。前記剥離膜４の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。   Next, in a step of FIG. 12, a release film 4 is formed over the surface 1a of the electroforming substrate 1 and the side wall surface 3a and the bottom surface 3b of the pattern portion 3. The release film 4 is made of an oxide, specifically a metal oxide such as a ZnO film. The release film 4 is formed in the order of a degreasing process, a catalyst applying process, and a plating process.

次に図１３工程では、前記電鋳用基板１の表面１ａに形成された前記剥離膜４を酸処理等によって除去し、一方、前記パターン部３の側壁面３ａおよび底面３ｂに形成された前記剥離膜４はそのまま残す。   Next, in FIG. 13, the release film 4 formed on the surface 1 a of the electroforming substrate 1 is removed by acid treatment or the like, while the pattern portion 3 is formed on the side wall surface 3 a and the bottom surface 3 b. The release film 4 is left as it is.

また、図１２及び図１３工程のように２工程に跨らず、１工程のみで、前記電鋳用基板１のパターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂに剥離膜４を設けるには、例えば超音波溶着などを用いることで達成できるものと考えられる。   Further, in order to provide the release film 4 on the side wall surface 3a and the bottom surface 3b of the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1 in only one step without crossing two steps as in the steps of FIGS. It is considered that this can be achieved by using ultrasonic welding or the like.

図１４工程ないし図１７工程は、図６工程ないし図１３工程を経て形成された電鋳用基板１を用いて、スパイラル接触子シート５（図３を参照）を製造する方法を示す一工程図である。図１４ないし図１７は、製造工程中の電鋳用基板１及びスパイラル接触子７を膜厚方向から切断した断面図である。   14 to 17 are one-step diagrams showing a method of manufacturing the spiral contactor sheet 5 (see FIG. 3) using the electroforming substrate 1 formed through the steps of FIG. 6 to FIG. It is. 14 to 17 are cross-sectional views of the electroforming substrate 1 and the spiral contactor 7 cut from the film thickness direction during the manufacturing process.

図１４工程では、前記剥離膜４上に無電解メッキ法を用いてメッキ下地層３１を形成する。無電解メッキ法は、メッキ液の還元物質と金属イオンを反応させ、化学反応のみを利用してメッキする方法であり、導電性のない箇所においてもメッキ形成できるが、電解メッキ法に比べて析出速度が遅いため一般的に、薄い膜厚のメッキ膜を形成するのに最適な方法である。   In the step of FIG. 14, a plating underlayer 31 is formed on the release film 4 by using an electroless plating method. The electroless plating method is a method in which a reducing substance of the plating solution and metal ions are reacted and plating is performed using only a chemical reaction. Plating can be formed even in places where there is no electrical conductivity, but it is deposited compared to the electrolytic plating method. Since the speed is low, it is generally an optimal method for forming a thin plating film.

無電解メッキ法では、まず触媒が付与されるが前記基板１と剥離膜４との間で選択性のある触媒を使用し、前記剥離膜４上のみに付与される前記触媒を用いる。そして前記剥離膜４上に上記した化学反応により膜厚の薄いメッキ下地層３１を形成する。   In the electroless plating method, first, a catalyst is applied, but a catalyst having selectivity between the substrate 1 and the release film 4 is used, and the catalyst applied only on the release film 4 is used. Then, a thin plating base layer 31 is formed on the release film 4 by the chemical reaction described above.

前記メッキ下地層３１は例えばＣｕで形成される。前記メッキ下地層３１は無電解メッキ法のみで形成されてもよいが、メッキ下地層３１の形成スピードを上げ早く所定膜厚（例えば５μｍ程度）のメッキ下地層３１を形成するために、無電解メッキ法で形成されたメッキ下地層３１を１μｍ程度成膜したら、前記無電解メッキ法で形成されたＣｕ層上に電解メッキ法にてＣｕ層をメッキ形成し、無電解メッキ法にて形成されたＣｕ層と、前記電解メッキ法にて形成されたＣｕ層とを合わせたメッキ下地層３１を形成してもよい。   The plating base layer 31 is made of Cu, for example. The plating base layer 31 may be formed only by the electroless plating method. However, in order to increase the formation speed of the plating base layer 31 and form the plating base layer 31 having a predetermined film thickness (for example, about 5 μm), After the plating base layer 31 formed by the plating method is formed to a thickness of about 1 μm, the Cu layer is formed by electroplating on the Cu layer formed by the electroless plating method, and formed by the electroless plating method. Alternatively, the plating base layer 31 may be formed by combining the Cu layer and the Cu layer formed by the electrolytic plating method.

前記メッキ下地層３１は、前記電鋳用基板１のパターン部３の側壁面３ａおよび底面３ｂ上に形成された剥離膜４上に沿って形成された均一膜厚の薄い膜として形成される。   The plating base layer 31 is formed as a thin film having a uniform thickness formed along the release film 4 formed on the side wall surface 3a and the bottom surface 3b of the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1.

図１５工程では、電解メッキ法を用いて前記メッキ下地層３１上にメッキ層３２をメッキ形成（電鋳）する。前記メッキ層３２は、ＮｉやＡｕ等の単層構造、あるいはこれら金属層の積層構造である。好ましい積層構造の一例は、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕの３層構造である。   In the step of FIG. 15, a plating layer 32 is formed on the plating base layer 31 by electroplating (electroforming). The plating layer 32 has a single layer structure such as Ni or Au, or a laminated structure of these metal layers. An example of a preferable laminated structure is a three-layer structure of Au / Ni / Au.

図１５では、前記メッキ層３２の表面３２ａは、前記電鋳用基板１の表面１ａと同一平面となっているが、前記メッキ層３２の表面３２ａは前記電鋳用基板１の表面１ａより若干突出していてもかまわない。   In FIG. 15, the surface 32 a of the plating layer 32 is flush with the surface 1 a of the electroforming substrate 1, but the surface 32 a of the plating layer 32 is slightly larger than the surface 1 a of the electroforming substrate 1. It may be protruding.

図１５工程では、前記メッキ層３２の形成の後、個々のスパイラル接触子７を構成するメッキ層３２のうち、最外縁部を構成するメッキ層３２間上に、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁シート６（取付部材）を熱圧着等により貼り付ける。なお前記絶縁シート６は前記メッキ層３２上及び基板１の表面１ａ上の全体に取り付けられてもよい。どのような絶縁シート６を用いるかは、必要とされるスパイラル接触子シート５の形態によって選択される。   In the step of FIG. 15, after the formation of the plating layer 32, the insulating layer formed of polyimide resin or the like between the plating layers 32 constituting the outermost edge portion of the plating layers 32 constituting the individual spiral contacts 7 is performed. The sheet 6 (attachment member) is pasted by thermocompression bonding or the like. The insulating sheet 6 may be attached to the whole of the plated layer 32 and the surface 1 a of the substrate 1. What kind of insulating sheet 6 is used is selected depending on the form of the spiral contact sheet 5 required.

そして図１６工程では、前記スパイラル接触子７を構成するメッキ層３２と絶縁シート６からなるスパイラル接触子シート５を、前記電鋳用基板１から取り外す。このとき、前記電鋳用基板１のパターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂには剥離膜４が設けられている結果、前記剥離膜４上に設けられたメッキ層３２がメッキ下地層３１とともに前記剥離膜４上から容易に剥離される。一方、電鋳用基板１は、前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂに剥離膜４を付着したまま、前記メッキ下地層３１の下面から外れる。前記の剥離工程は、例えば物理的作用により前記電鋳用基板１を前記スパイラル接触子７及び絶縁シート６から離れる方向に引くことで、行われる。   In the step of FIG. 16, the spiral contactor sheet 5 composed of the plating layer 32 and the insulating sheet 6 constituting the spiral contactor 7 is removed from the electroforming substrate 1. At this time, as a result of the release film 4 being provided on the side wall surface 3 a and the bottom surface 3 b of the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1, the plating layer 32 provided on the release film 4 together with the plating base layer 31. It is easily peeled off from the peeling film 4. On the other hand, the electroforming substrate 1 is detached from the lower surface of the plating base layer 31 with the release film 4 attached to the side wall surface 3 a and the bottom surface 3 b of the pattern portion 3. The peeling step is performed, for example, by pulling the electroforming substrate 1 away from the spiral contact 7 and the insulating sheet 6 by a physical action.

図１６の状態では、前記スパイラル接触子７（メッキ層３２）の下面及び側面にメッキ下地層３１が形成されたままである。前記メッキ下地層３１はそのまま残しておいてもよいが、必要とされる性能等を確保すべく除去することも可能である。例えば本発明では、前記検査装置１０に内臓されるスパイラル接触子７は、電子部品９（ＩＣ等）の球状接触子９ａと電気的に接触するものであるため、前記スパイラル接触子７の表面は、高い導電性を有していることが好ましく、前記メッキ下地層３１をＣｕで形成し、前記メッキ下地層３１上に形成されたメッキ層３２に、まずＡｕなど前記Ｃｕより高い導電性の金属層を析出させている場合には、図１７に示すように、前記金属層をスパイラル接触子７の表面に露出させるため前記メッキ下地層３１を除去する。前記メッキ下地層３１はエッチング法などを用いることで、簡単に除去できる。   In the state of FIG. 16, the plating base layer 31 is still formed on the lower surface and side surface of the spiral contactor 7 (plating layer 32). The plating base layer 31 may be left as it is, but may be removed to ensure required performance and the like. For example, in the present invention, the spiral contact 7 incorporated in the inspection apparatus 10 is in electrical contact with the spherical contact 9a of the electronic component 9 (IC or the like), so the surface of the spiral contact 7 is It is preferable that the plating base layer 31 is made of Cu, and the plating layer 32 formed on the plating base layer 31 is first made of a conductive metal having a higher conductivity than Cu, such as Au. When the layer is deposited, the plating base layer 31 is removed to expose the metal layer on the surface of the spiral contact 7 as shown in FIG. The plating base layer 31 can be easily removed by using an etching method or the like.

以上のようにして図３に示すスパイラル接触子シート５を形成することができる。
あるいは図１８工程ないし図２０工程を用いて前記スパイラル接触子シート５を形成してもよい。 As described above, the spiral contactor sheet 5 shown in FIG. 3 can be formed.
Or you may form the said spiral contactor sheet | seat 5 using the process of FIG. 18 thru | or FIG.

図１８工程では、まず図９に示す電鋳用基板１のパターン部３を形成するために必要なレジスト層３０をそのまま残し、一方、前記レジスト層３０の表面３０ｂにも形成されていた剥離膜４を酸処理などで除去する。   In the step of FIG. 18, first, the resist layer 30 necessary for forming the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1 shown in FIG. 9 is left as it is, while the release film also formed on the surface 30b of the resist layer 30 4 is removed by acid treatment or the like.

これによって前記電鋳用基板１のパターン部３以外の表面１ａ上にレジスト層３０が設けられ、前記レジスト層３０の側壁面から前記パターン部３の側壁面３ａ及び底面３ｂにかけて剥離膜４が形成された金型が形成される。   As a result, a resist layer 30 is provided on the surface 1 a other than the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1, and a release film 4 is formed from the side wall surface of the resist layer 30 to the side wall surface 3 a and the bottom surface 3 b of the pattern portion 3. The formed mold is formed.

この金型を利用し、図１９工程に示すように、前記電鋳用基板１のパターン部３及び前記レジスト層３０の抜きパターン３０ａ内に無電解メッキ法によるメッキ下地層（図示しない）を形成し、さらに前記メッキ下地層上にメッキ層４０をメッキ形成（電鋳）し、絶縁シート６を貼り付けた後、図２０に示すように、スパイラル接触子７を構成する前記メッキ層４０と絶縁シート６からなるスパイラル接触子シート５を前記電鋳用基板１から取り外す。このとき前記メッキ層４０は、前記剥離膜４上から容易に剥離する。   Using this mold, as shown in FIG. 19, a plating base layer (not shown) is formed by electroless plating in the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1 and the cut pattern 30 a of the resist layer 30. Further, after plating (electroforming) the plating layer 40 on the plating base layer and attaching the insulating sheet 6, as shown in FIG. 20, the insulating layer 6 is insulated from the plating layer 40 constituting the spiral contactor 7. The spiral contact sheet 5 made of the sheet 6 is removed from the electroforming substrate 1. At this time, the plating layer 40 is easily peeled off from the peeling film 4.

また前記剥離工程では、前記レジスト層３０は電鋳用基板１側に残されたままとなる。前記レジスト層３０の抜きパターン３０ａの側壁面には剥離膜４が設けられているから、前記メッキ層４０は、前記電鋳用基板１のパターン部３内及び前記レジスト層３０の抜きパターン３０ａ内から容易に抜け出て、前記レジスト層３０は前記電鋳用基板１側に残される。   In the peeling step, the resist layer 30 is left on the electroforming substrate 1 side. Since the release film 4 is provided on the side wall surface of the extraction pattern 30a of the resist layer 30, the plating layer 40 is provided in the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1 and in the extraction pattern 30a of the resist layer 30. The resist layer 30 is left on the electroforming substrate 1 side.

図１８ないし図２０工程では、電鋳用基板１上にレジスト層３０が設けられていることから、前記パターン部３及び抜きパターン３０ａ内に形成されたスパイラル接触子７の膜厚を、図１４ないし図１７工程を経て形成されたスパイラル接触子７の膜厚に比べて厚く形成することができる。   18 to 20, since the resist layer 30 is provided on the electroforming substrate 1, the thickness of the spiral contact 7 formed in the pattern portion 3 and the extraction pattern 30 a is set as shown in FIG. Or it can form thickly compared with the film thickness of the spiral contactor 7 formed through the process of FIG.

上記した図１４ないし図２０工程に示したスパイラル接触子シート５の製造方法では以下のような利点がある。   The spiral contactor sheet 5 manufacturing method shown in the above-described steps of FIGS. 14 to 20 has the following advantages.

まず第一に、図６ないし図１３工程によって形成された電鋳用基板１を前記スパイラル接触子シート５を形成する度に、繰返し使用でき、製造工程の簡略化、生産コストの削減を実現できる。   First of all, every time the spiral contactor sheet 5 is formed, the electroforming substrate 1 formed by the steps of FIGS. 6 to 13 can be used repeatedly, and the manufacturing process can be simplified and the production cost can be reduced. .

すなわち図１６あるいは図２０工程で、製造されたスパイラル接触子シート５を電鋳用基板１の剥離膜４上から容易に取り外しでき、前記電鋳用基板１には前記剥離膜４がそのまま残されているので、前記剥離膜４が形成された電鋳用基板１を繰返しスパイラル接触子シート５の形成のために使用できる。   That is, in the process of FIG. 16 or FIG. 20, the manufactured spiral contactor sheet 5 can be easily removed from the release film 4 of the electroforming substrate 1, and the release film 4 is left as it is on the electroforming substrate 1. Therefore, the electroforming substrate 1 on which the release film 4 is formed can be repeatedly used for forming the spiral contactor sheet 5.

このため従来、スパイラル接触子をメッキ形成するたびに基板やレジスト等が必要であったが、その必要が無くなり、大幅な材料費の削減を実現できる。   For this reason, a substrate, a resist, and the like have been conventionally required every time the spiral contact is formed by plating, but this is not necessary, and a significant reduction in material costs can be realized.

第ニに、スパイラル接触子シート５の形成の際の加工費も低減できる。従来では基板の形成、基板のエッチング除去、レジスト層に対する露光現像によるパターン形成、前記レジスト層の除去等が必要であったが、その必要が無いため工程を減らすことができる。よって、スパイラル接触子シート５の加工費の大幅な低減を図ることが可能である。また図１６または図２０工程で、剥離膜４から容易にスパイラル接触子シート５を剥離できるので、剥離も低コストで実現できる。   Secondly, the processing cost for forming the spiral contactor sheet 5 can also be reduced. Conventionally, formation of the substrate, etching removal of the substrate, pattern formation by exposure and development on the resist layer, removal of the resist layer, and the like have been necessary. Therefore, it is possible to significantly reduce the processing cost of the spiral contactor sheet 5. Moreover, since the spiral contactor sheet 5 can be easily peeled from the peeling film 4 in the step of FIG. 16 or FIG. 20, peeling can be realized at low cost.

以上により、スパイラル接触子シート５の形成のために必要な生産コストを従来に比べて大幅に低減できる。   As described above, the production cost required for forming the spiral contactor sheet 5 can be greatly reduced as compared with the conventional case.

第三に、繰返し同じ電鋳用基板１を用いてスパイラル接触子７を形成できるため、全てのスパイラル接触子７をほぼ同じ形状にて形成でき、前記スパイラル接触子７の生産性の向上（歩留りの向上等）を図ることができる。   Third, since the spiral contacts 7 can be formed repeatedly using the same electroforming substrate 1, all the spiral contacts 7 can be formed in substantially the same shape, and the productivity of the spiral contacts 7 can be improved (yield). Improvement, etc.).

特に電鋳用基板１としてガラス基板等のセラミック材やプラスチック材を用いることで前記電鋳用基板１の表面をシリコンウエハーレベルまで高精度にでき、前記電鋳用基板１の表面に前記スパイラル接触子７と同形状の凹部状のパターン部３を高精度に微細加工することができる。よって本発明によれば、スパイラル接触子７の超微細加工が実現できる。   In particular, by using a ceramic material such as a glass substrate or a plastic material as the electroforming substrate 1, the surface of the electroforming substrate 1 can be made highly accurate up to a silicon wafer level, and the surface of the electroforming substrate 1 is spirally contacted. The recessed pattern portion 3 having the same shape as the child 7 can be finely processed with high accuracy. Therefore, according to the present invention, ultrafine processing of the spiral contactor 7 can be realized.

また剥離膜４に必要な性質としては、その上に形成されるメッキ層との剥離性が良好であれば、前記剥離膜４の材質と、その上に形成されるメッキ層の材質との選択を自由に行うことが可能である。例えば剥離膜４としてＺｎＯ膜を用いた場合、ＺｎＯ膜の上にメッキされる材質がＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ等であれば、前記ＺｎＯ膜とその上にメッキされるメッキ層間の剥離性は良好である。   Further, as a property necessary for the release film 4, if the release property from the plating layer formed thereon is good, the material of the release film 4 and the material of the plating layer formed thereon are selected. Can be performed freely. For example, when a ZnO film is used as the release film 4, if the material plated on the ZnO film is Cu, Ni, Au, etc., the releasability between the ZnO film and the plating layer plated thereon is good. is there.

また図１４工程では、前記剥離膜４上に無電解メッキ法によってまずはメッキ下地層３１を形成し、次に図１５工程で電解メッキ法にてメッキ層３２を形成していたが、前記無電解メッキ法により前記メッキ層３２の全てを形成してもよい。無電解メッキ法であるとどうしても厚い膜厚のメッキ層を形成できず、前記電鋳用基板１のパターン部３内を完全に（例えば空隙等の欠陥部なしに）メッキ層で埋めるには、メッキ下地として無電解メッキ法を用い、スパイラル接触子７の主体となるメッキ層３２の形成には電解メッキ法を用いた方が好ましいと考えられる。   In the process of FIG. 14, the plating base layer 31 is first formed on the release film 4 by electroless plating, and then the plating layer 32 is formed by electrolytic plating in the process of FIG. All of the plating layer 32 may be formed by a plating method. In order to completely fill the pattern portion 3 of the electroforming substrate 1 with a plating layer (for example, without a defective portion such as a gap), it is impossible to form a thick plating layer by the electroless plating method. It is considered preferable to use an electroless plating method as the plating base, and to use the electrolytic plating method for forming the plating layer 32 which is the main body of the spiral contactor 7.

図６ないし図１３工程を経て形成された電鋳用基板１は、前記基板１に設けられたパターン部３の形状を変えることで、スパイラル形状以外の接触子を形成できる。また前記電鋳用基板１は、ＩＣソケットである接触子以外の電鋳品の形成に使用することができる。   The electroforming substrate 1 formed through the steps of FIGS. 6 to 13 can form contacts other than the spiral shape by changing the shape of the pattern portion 3 provided on the substrate 1. The electroforming substrate 1 can be used for forming an electroformed product other than a contact which is an IC socket.

本発明における電鋳用基板の斜視図、The perspective view of the substrate for electroforming in the present invention, 図１に示す切断線２から電鋳用基板を膜厚方向にて切断し、その切断面を矢印方向から見た部分拡大断面図、FIG. 1 is a partially enlarged sectional view of the electroforming substrate cut in the film thickness direction from the cutting line 2 shown in FIG. 図１及び図２に示す電鋳用基板を用いて形成されたスパイラル接触子シートの斜視図、The perspective view of the spiral contactor sheet | seat formed using the board | substrate for electroforming shown in FIG.1 and FIG.2. 電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、The perspective view which shows the test | inspection apparatus used for the test for confirming operation | movement of an electronic component, 図１のＡ−Ａの断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、1 is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG. 本発明における電鋳用基板の製造方法を示す一工程図、1 process figure which shows the manufacturing method of the board | substrate for electroforming in this invention, 図６の次に行われる一工程図、FIG. 6 is a process diagram performed next to FIG. 図７の次に行われる一工程図、FIG. 7 is a process diagram to be performed next to 図８の次に行われる一工程図、FIG. 8 is a process diagram performed next to FIG. 図９の次に行われる一工程図、FIG. 9 is a process diagram performed next to FIG. 図９ないし図１０に代え、図８の次に行われる一工程図、In place of FIGS. 9 to 10, one process diagram performed after FIG. 8; 図１１の次に行われる一工程図、FIG. 11 is a process diagram to be performed next to FIG. 図１２の次に行われる一工程図、FIG. 12 is a process diagram performed next to FIG. 図６ないし図１３工程を経て形成された電鋳用基板を用いて行われる、スパイラル接触子シートの形成方法を示す一工程図、FIG. 6 is a process diagram showing a spiral contactor sheet forming method performed using the electroforming substrate formed through the processes of FIGS. 6 to 13; 図１４の次に行われる一工程図、FIG. 14 is a process diagram to be performed next to FIG. 図１５の次に行われる一工程図、FIG. 15 is a process diagram that is performed next to FIG. 図１６の次に行われる一工程図、FIG. 16 is a process diagram performed next to FIG. 図１４ないし図１７とは異なる方法でのスパイラル接触子シートの形成方法を示す一工程図、FIG. 18 is a process diagram illustrating a method of forming a spiral contact sheet by a method different from that illustrated in FIGS. 図１８の次に行われる一工程図、FIG. 18 is a process diagram performed next to FIG. 図１９の次に行われる一工程図、FIG. 19 is a process diagram performed next to FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ 電鋳用基板
３ パターン部
４ 剥離膜
５ スパイラル接触子シート
６ 絶縁シート
７ スパイラル接触子
９ 電子部品
３０ レジスト層
３１ メッキ下地層
３２、４０ メッキ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electroforming board | substrate 3 Pattern part 4 Peeling film 5 Spiral contactor sheet 6 Insulating sheet 7 Spiral contactor 9 Electronic component 30 Resist layer 31 Plating base layers 32 and 40 Plating layer

Claims (15)

メッキ層を所定形状に成形するための電鋳用基板において、
前記電鋳用基板の表面には、前記メッキ層を埋め込み形成するための前記メッキ層と同形状の凹部状のパターン部が設けられ、前記パターン部の側壁面及び底面には前記メッキ層を剥離可能とする剥離膜が設けられていることを特徴とする電鋳用基板。 In an electroforming substrate for forming a plating layer into a predetermined shape,
The surface of the electroforming substrate is provided with a concave pattern portion having the same shape as the plating layer for embedding the plating layer, and the plating layer is peeled off on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion. An electroforming substrate, characterized in that a release film is provided. 前記電鋳用基板には、セラミック材あるいはプラスチック材が用いられる請求項１記載の電鋳用基板。   The electroforming substrate according to claim 1, wherein a ceramic material or a plastic material is used for the electroforming substrate. 前記剥離膜には酸化物からなる剥離膜が用いられる請求項１または２に記載の電鋳用基板。   The electroforming substrate according to claim 1, wherein a release film made of an oxide is used as the release film. 前記剥離膜にはＺｎＯが用いられる請求項３記載の電鋳用基板。   The electroforming substrate according to claim 3, wherein ZnO is used for the release film. （ａ） 電鋳用基板の表面に、メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程と、
（ｂ） 前記パターン部の側壁面及び底面に剥離膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする電鋳用基板の製造方法。 (A) forming a pattern portion formed of a concave portion having the same shape as the plating layer on the surface of the electroforming substrate;
(B) forming a release film on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion;
A method for producing an electroforming substrate, comprising: 前記（ａ）工程は、以下の工程を有してなる請求項５記載の電鋳用基板の製造方法。
（ｃ） 電鋳用基板の表面に、マスク層を形成する工程と、
（ｄ） 前記マスク層にメッキ層と同形状からなる抜きパターンを形成する工程と、
（ｅ） 前記抜きパターン内に現れた前記電鋳用基板の表面を削って前記メッキ層と同形状の凹部状から成るパターン部を形成する工程。 6. The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 5, wherein the step (a) includes the following steps.
(C) forming a mask layer on the surface of the electroforming substrate;
(D) forming a blanking pattern having the same shape as the plating layer on the mask layer;
(E) A step of cutting a surface of the electroforming substrate appearing in the punching pattern to form a pattern portion having a concave shape that is the same shape as the plating layer. 前記（ｅ）工程をドライエッチング法にて行う請求項６記載の電鋳用基板の製造方法。   The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 6, wherein the step (e) is performed by a dry etching method. 前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなる請求項６または７に記載の電鋳用基板の製造方法。
（ｆ） 前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面、及び前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｇ） 前記マスク層、及び前記マスク層の表面から抜きパターン内の側壁面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。 The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 6 or 7, wherein the step (b) includes the following steps.
(F) forming a release film from the surface of the mask layer to the side wall surface in the punched pattern and the side wall surface and bottom surface of the pattern portion formed on the electroforming substrate;
(G) The mask layer and the release film formed on the side wall surface in the punching pattern are removed from the surface of the mask layer, and formed on the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion formed on the electroforming substrate. The process of leaving the peeled film as it is. 前記（ｂ）工程は、以下の工程を有してなる請求項６または７に記載の電鋳用基板の製造方法。
（ｈ） 前記マスク層を除去する工程と、
（ｉ） 前記電鋳用基板の表面からパターン部の側壁面及び底面にかけて剥離膜を形成する工程と、
（ｊ） 前記電鋳用基板の表面に形成された剥離膜を除去し、一方、前記電鋳用基板に形成されたパターン部の側壁面及び底面にかけて形成された剥離膜はそのまま残す工程。 The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 6 or 7, wherein the step (b) includes the following steps.
(H) removing the mask layer;
(I) forming a release film from the surface of the electroforming substrate to the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion;
(J) A step of removing the release film formed on the surface of the electroforming substrate, while leaving the release film formed over the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion formed on the electroforming substrate. 前記電鋳用基板に、セラミック材あるいはプラスチック材を用いる請求項５ないし９のいずれかに記載の電鋳用基板の製造方法。   10. The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 5, wherein a ceramic material or a plastic material is used for the electroforming substrate. 前記剥離膜に酸化物からなる剥離膜を用いる請求項５ないし１０のいずれかに記載の電鋳用基板の製造方法。   The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 5, wherein a release film made of an oxide is used as the release film. 前記剥離膜にＺｎＯを用いる請求項１１記載の電鋳用基板の製造方法。   The method for manufacturing an electroforming substrate according to claim 11, wherein ZnO is used for the release film. 請求項５ないし１２のいずれかに記載された電鋳用基板の製造方法を用い、前記（ｂ）工程、（ｇ）工程あるいは（ｊ）工程の後に以下の工程を有することを特徴とするメッキ層の製造方法。
（ｋ） 前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上から、少なくとも無電解メッキ法を用いて、前記パターン部内を埋めるメッキ層を形成する工程と、
（ｌ） 前記メッキ層上を取付部材に取り付ける工程と、
（ｍ） 前記取付部材を前記電鋳用基板の表面から離すとともに、前記メッキ層を前記剥離膜上から剥離する工程。 Plating characterized by comprising the following steps after the step (b), the step (g) or the step (j), using the method for manufacturing an electroforming substrate according to any one of claims 5 to 12. Layer manufacturing method.
(K) forming a plating layer that fills the pattern portion from at least the side wall surface and the bottom surface of the pattern portion of the electroforming substrate using an electroless plating method;
(L) attaching the top of the plating layer to an attachment member;
(M) A step of separating the mounting member from the surface of the electroforming substrate and peeling the plating layer from the release film. 前記（ｋ）工程を、
（ｍ） 前記電鋳用基板のパターン部の側壁面及び底面上に、無電解メッキ法を用いてメッキ下地層を形成する工程と、
（ｎ） 前記メッキ下地層上から電解メッキ法により前記パターン部内にメッキ層を形成する工程、
を用いて行うとともに、
前記（ｍ）工程で、前記メッキ層をメッキ下地層とともに前記剥離膜上から剥離する請求項１３記載のメッキ層の製造方法。 The step (k),
(M) forming a plating underlayer using an electroless plating method on the side wall surface and bottom surface of the pattern portion of the electroforming substrate;
(N) forming a plating layer in the pattern portion by electrolytic plating from the plating base layer;
And using
The method of manufacturing a plating layer according to claim 13, wherein in the step (m), the plating layer is peeled off from the peeling film together with a plating base layer. 前記（ｍ）工程の次に以下の工程を行う請求項１４記載のメッキ層の製造方法。
（ｏ） 前記メッキ下地層を除去する工程。 The method for producing a plating layer according to claim 14, wherein the following step is performed after the step (m).
(O) A step of removing the plating base layer.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059540A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Yamaha Corp Method for manufacturing precision component
JP2009275276A (en) * 2008-05-16 2009-11-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Three-dimensional structure having conductive layer and manufacturing method of three-dimensional metal structure
JP2011246779A (en) * 2010-05-28 2011-12-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Method of manufacturing aluminum structure and the aluminum structure
KR101350413B1 (en) * 2012-06-15 2014-01-16 주식회사 아이에스시 Fabrication method of conductive power
US8728627B2 (en) 2010-05-12 2014-05-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Manufacturing method of aluminum structural body and aluminum structural body
KR101419365B1 (en) * 2013-11-29 2014-07-15 주식회사 아이에스시 Fabrication method of conductive power
CN110016696A (en) * 2019-03-25 2019-07-16 广东工业大学 A kind of micro-electroforming apparatus and its micro- electrocasting method based on photic conductive electrode plate

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059540A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Yamaha Corp Method for manufacturing precision component
JP2009275276A (en) * 2008-05-16 2009-11-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Three-dimensional structure having conductive layer and manufacturing method of three-dimensional metal structure
US8728627B2 (en) 2010-05-12 2014-05-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Manufacturing method of aluminum structural body and aluminum structural body
JP2011246779A (en) * 2010-05-28 2011-12-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Method of manufacturing aluminum structure and the aluminum structure
KR101350413B1 (en) * 2012-06-15 2014-01-16 주식회사 아이에스시 Fabrication method of conductive power
KR101419365B1 (en) * 2013-11-29 2014-07-15 주식회사 아이에스시 Fabrication method of conductive power
CN110016696A (en) * 2019-03-25 2019-07-16 广东工业大学 A kind of micro-electroforming apparatus and its micro- electrocasting method based on photic conductive electrode plate
CN110016696B (en) * 2019-03-25 2023-04-07 广东工业大学 Micro electroforming device based on photoinduced conductive electrode plate and micro electroforming method thereof

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