JP2005187797A - Phosphor and light emitting device using the same - Google Patents
Phosphor and light emitting device using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005187797A JP2005187797A JP2004303428A JP2004303428A JP2005187797A JP 2005187797 A JP2005187797 A JP 2005187797A JP 2004303428 A JP2004303428 A JP 2004303428A JP 2004303428 A JP2004303428 A JP 2004303428A JP 2005187797 A JP2005187797 A JP 2005187797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- wavelength
- light
- light emitting
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、蛍光体およびこれを用いたLED等の発光装置に関する。 The present invention relates to a phosphor and a light emitting device such as an LED using the phosphor.
発光ダイオードを用いたLEDランプは、携帯機器、PC周辺機器、OA機器、各種スイッチ、バックライト用光源、表示板などの各種表示装置に用いられている。LEDチップは半導体素子であるために、長寿命でかつ信頼性が高く、光源として用いた場合に、その交換作業が軽減されることから、種々の用途への応用が試みられている。 LED lamps using light emitting diodes are used in various display devices such as portable devices, PC peripheral devices, OA devices, various switches, backlight light sources, and display plates. Since the LED chip is a semiconductor element, it has a long lifetime and high reliability, and when used as a light source, its replacement work is reduced. Therefore, application to various uses has been attempted.
上述したようなLEDランプにおいては光源として、波長400nm前後の長波長紫外線を放射するLEDチップ、例えばGaN系化合物半導体層を有するLEDチップが用いられている。このため、LEDランプに用いられる蛍光体には、上記したような長波長の紫外線をよく吸収し、かつ効率よく可視光を発光するものが求められている。 In the LED lamp as described above, an LED chip that emits long-wavelength ultraviolet light having a wavelength of around 400 nm, for example, an LED chip having a GaN-based compound semiconductor layer is used as a light source. For this reason, the phosphor used for the LED lamp is required to absorb a long wavelength ultraviolet ray as described above and to emit visible light efficiently.
二価のユーロピウムで付活された公知の珪酸塩蛍光体は、波長360〜500nm前後の長波長紫外線を効率的に吸収し、ピーク波長が550nm付近の黄色光を効率よく発光することから、LEDランプなどに用いられる黄色蛍光体として期待されている。 A known silicate phosphor activated by divalent europium efficiently absorbs long-wavelength ultraviolet light having a wavelength of about 360 to 500 nm and efficiently emits yellow light having a peak wavelength of about 550 nm. It is expected as a yellow phosphor used in lamps and the like.
LEDランプを種々の用途に適用するに当たって、発光素子の耐用年数を高めることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。この文献には、酸化物発光体、硫化物発光体、アルミン酸塩発光体、ホウ酸塩発光体、バナジン酸塩発光体ならびにケイ酸塩発光体用に共通の技術としての耐用年数の向上に関するコーティング技術が記載されている。 In applying the LED lamp to various uses, it has been proposed to increase the service life of the light emitting element (see, for example, Patent Document 1). This document relates to the improvement of the service life as a common technology for oxide, sulfide, aluminate, borate, vanadate and silicate emitters. Coating techniques are described.
YAG−Ce系、窒素含有CaO−Al2O3−SiO2:Eu,Crに関しては、有機物被膜によりマイクロカプセル化を行なって、発光バラツキを低減する方法が開示されている(例えば、特許文献2参照)。また、YAG系蛍光体に関しては、表面改質によって分散性向上の開発がなされている(例えば、特許文献3参照)。
しかしながら、従来のユーロピウム付活珪酸塩蛍光体を用いたLEDランプ等の発光装置は、発光にムラが生じ、長期間使用した際には発光出力が低下するという現象が確認された。こうした現象は、LEDランプの品質を低下させる要因となってしまう。 However, it has been confirmed that a light emitting device such as an LED lamp using a conventional europium activated silicate phosphor is uneven in light emission and the light emission output is reduced when used for a long time. Such a phenomenon becomes a factor of deteriorating the quality of the LED lamp.
そこで本発明は、高品質を維持する発光装置が得られる蛍光体、および高品質の発光装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a phosphor from which a light emitting device that maintains high quality is obtained, and a high quality light emitting device.
本発明の一実施形態にかかる蛍光体は、下記一般式(1)で表わされる組成のアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体からなるコア粒子と、
前記コア粒子の表面に配置され、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、テトラエトキシシラン、シリカ、ケイ酸亜鉛、ケイ酸アルミニウム、カルシウムポリフォスフェート、シリコーンオイル、およびシリコーングリースから選択される少なくとも一種からなる表層材とを具備し、
波長360nmないし500nmの光で励起した際の発光スペクトルは、波長470nmないし620nmの間に単一の発光ピークを有することを特徴とする。
The phosphor according to an embodiment of the present invention includes core particles made of an alkaline earth metal silicate phosphor having a composition represented by the following general formula (1):
Located on the surface of the core particle, from at least one selected from silicone resin, epoxy resin, fluororesin, tetraethoxysilane, silica, zinc silicate, aluminum silicate, calcium polyphosphate, silicone oil, and silicone grease A surface layer material,
An emission spectrum when excited with light having a wavelength of 360 nm to 500 nm has a single emission peak between wavelengths of 470 nm to 620 nm.
(M1-xEux)2SiyO2y+2 (1)
(上記一般式(1)中、MはCa,SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、xは0.001以上0.1以下、yは0.9以上1.1以下である。)
本発明の一実施形態にかかる発光装置は、360nmないし500nmの波長の光を発光する発光素子と、
前記発光素子上に配置され、蛍光体を含有する蛍光層とを具備し、
前記蛍光体は、下記一般式(1)で表わされる組成のアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体からなるコア粒子と、前記コア粒子の表面に配置され、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、テトラエトキシシラン、シリカ、ケイ酸亜鉛、ケイ酸アルミニウム、カルシウムポリフォスフェート、シリコーンオイル、およびシリコーングリースから選択される少なくとも一種からなる表層材とを備え、波長360nmから500nmの光で励起した際の発光スペクトルは、波長470nmないし610nmの間に単一の発光ピークを有することを特徴とする。
(M 1-x Eu x ) 2 Si y O 2y + 2 (1)
(In the general formula (1), M is at least one alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, x is 0.001 or more and 0.1 or less, and y is 0.00. 9 or more and 1.1 or less.)
A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting element that emits light having a wavelength of 360 nm to 500 nm,
A phosphor layer disposed on the light-emitting element and containing a phosphor;
The phosphor is disposed on the surface of the core particle composed of an alkaline earth metal silicate phosphor having a composition represented by the following general formula (1), and is a silicone resin, epoxy resin, fluororesin, tetraethoxy Emission spectrum when excited with light having a wavelength of 360 nm to 500 nm, comprising a surface material composed of at least one selected from silane, silica, zinc silicate, aluminum silicate, calcium polyphosphate, silicone oil, and silicone grease Has a single emission peak between wavelengths 470 nm and 610 nm.
(M1-xEux)2SiyO2y+2 (1)
(上記一般式(1)中、MはCa,SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、xは0.001以上0.1以下、yは0.9以上1.1以下である。)
(M 1-x Eu x ) 2 Si y O 2y + 2 (1)
(In the general formula (1), M is at least one alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, x is 0.001 or more and 0.1 or less, and y is 0.00. 9 or more and 1.1 or less.)
本発明の一態様によれば、高品質を維持する発光装置が得られる蛍光体、および高品質の発光装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a phosphor from which a light-emitting device that maintains high quality is obtained, and a high-quality light-emitting device are provided.
以下、本発明の実施形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
本発明者らは、従来のユーロピウム付活珪酸塩蛍光体について鋭意研究した結果、この蛍光体は吸湿性を有することを見出した。ユーロピウム付活珪酸塩蛍光体は、長期間保管した際、環境によっては容易に凝集してしまい、これに起因して種々の問題が引き起こされていた。 As a result of intensive studies on the conventional europium activated silicate phosphor, the present inventors have found that this phosphor has hygroscopicity. The europium activated silicate phosphor easily aggregates depending on the environment when stored for a long period of time, resulting in various problems.
LEDランプの蛍光層に用いられている粒子状の蛍光体が凝集すると、LEDランプの出力が低下する。LEDランプを作製する際に蛍光体の凝集が生じた場合には、蛍光体が樹脂中に均一に分散されてなる蛍光層を形成することができない。その結果、LEDランプからの発光にムラが生じ、LEDランプからの発光出力も低下する。 When the particulate phosphor used in the fluorescent layer of the LED lamp aggregates, the output of the LED lamp decreases. In the case where the aggregation of the phosphor occurs when the LED lamp is manufactured, it is not possible to form a phosphor layer in which the phosphor is uniformly dispersed in the resin. As a result, the light emission from the LED lamp becomes uneven, and the light emission output from the LED lamp also decreases.
LEDランプ等の発光装置の品質を高めるには、ユーロピウム付活珪酸塩蛍光体の防湿性の改善が必須であるという知見に基づいて、本発明は成されたものである。 In order to improve the quality of light-emitting devices such as LED lamps, the present invention has been made based on the knowledge that it is essential to improve the moisture resistance of the europium-activated silicate phosphor.
ユーロピウム付活珪酸塩蛍光体は、アルカリ土類金属元素の種類および組成を選択することにより、550nm近傍に第一の波長を有する発光スペクトルを与える。この際のスペクトルには、図1に示されるように500nm近傍の第二の波長が一般的に存在していた。こうした第二の波長に関しては、例えば、G.Blasse,W.L.Wanmaher,J.W.terVrugt,and A.Bril,Philips Res.Repts,23,189−200,(1968).(2) S.H.M.Poort,W.Janssen,G.Blasse,J.Alloys and Compounds,260,93−97,(1997)に記載されている。 The europium activated silicate phosphor gives an emission spectrum having a first wavelength near 550 nm by selecting the type and composition of the alkaline earth metal element. The spectrum at this time generally has a second wavelength in the vicinity of 500 nm as shown in FIG. With respect to such a second wavelength, for example, G.I. Blasse, W.M. L. Wanmaher, J. et al. W. terVrugt, and A.A. Brill, Philips Res. Repts, 23, 189-200, (1968). (2) S.M. H. M.M. Port, W. Janssen, G.M. Blasse, J. et al. Alloys and Compounds, 260, 93-97, (1997).
発光スペクトルに第二の波長が存在すると、ユーロピウム付活珪酸塩蛍光体の吸湿性が著しく増加すること、この第二の波長を取り除くことによって、ユーロピウム付活珪酸塩蛍光体の吸湿性が向上することが、本発明者らによって見出された。すなわち、吸湿性の低減されたユーロピウム付活珪酸塩蛍光体を得るには、第二の波長を取り除いて540nmないし600nmの波長の間に存在する発光ピークを、図2に示すように単一にしなければならない。単一の発光ピークを有するユーロピウム付活珪酸塩蛍光体は、特定の組成のアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体からなるコア粒子から作製された。 When the second wavelength is present in the emission spectrum, the hygroscopicity of the europium activated silicate phosphor is significantly increased, and by removing this second wavelength, the hygroscopicity of the europium activated silicate phosphor is improved. Has been found by the present inventors. That is, in order to obtain a europium activated silicate phosphor with reduced hygroscopicity, the second wavelength is removed and the emission peak existing between wavelengths of 540 nm and 600 nm is made single as shown in FIG. There must be. Europium activated silicate phosphors having a single emission peak were prepared from core particles made of alkaline earth metal silicate phosphors of a specific composition.
すなわち、本発明の実施形態にかかる蛍光体は、前記一般式(1)で表わされる組成を有するアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体からなるコア粒子と、このコア粒子の表面に配置された表層材とを有する。 That is, the phosphor according to the embodiment of the present invention includes a core particle made of an alkaline earth metal silicate phosphor having the composition represented by the general formula (1), and a surface layer material disposed on the surface of the core particle. And have.
コア粒子は、2価のユーロピウムで付活されたものであり、例えば以下のような手法により合成することができる。 The core particle is activated by divalent europium and can be synthesized by, for example, the following method.
まず、構成元素の酸化物粉末を所定量秤量し、結晶成長剤として適当量の塩化アンモニウムを加えてボールミル等で混合する。酸化物粉末の代わりに、熱分解により酸化物となり得る各種化合物を用いることもできる。例えば、Eu原料としてはEu2O3等、Ca原料としてはCaCO3等、Sr原料としてはSrCO3等、Si原料としてはSiO2等を用いることができる。 First, a predetermined amount of the constituent element oxide powder is weighed, an appropriate amount of ammonium chloride is added as a crystal growth agent, and mixed with a ball mill or the like. Instead of the oxide powder, various compounds that can be converted into oxides by thermal decomposition can also be used. For example, Eu 2 O 3 or the like can be used as the Eu material, CaCO 3 or the like can be used as the Ca material, SrCO 3 can be used as the Sr material, and SiO 2 or the like can be used as the Si material.
結晶成長剤としては、塩化アンモニウム以外のアンモニウム、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の塩化物、フッ化物、臭化物、あるいは沃化物などを用いてもよい。吸湿性の増加を防止するために、結晶成長剤の添加量は、原料粉末全体に対して1.0wt%以上30wt%以下程度とすることが望まれる。 As the crystal growth agent, ammonium other than ammonium chloride, chloride of alkali metal or alkaline earth metal, fluoride, bromide, or iodide may be used. In order to prevent an increase in hygroscopicity, the amount of the crystal growth agent added is desirably about 1.0 wt% or more and 30 wt% or less with respect to the entire raw material powder.
その後、坩堝に収容し、N2、H2の還元性雰囲気において、1000〜1600℃の温度で3〜7時間焼成する。得られた焼成品を水中で粉砕、篩後、吸引ろ過により脱水する。最後に、乾燥機中150℃で乾燥することによって、前記一般式(1)で表わされる2価のユーロピウムで付活されたアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体を得ることができる。 After that, it is placed in a crucible and fired at a temperature of 1000 to 1600 ° C. for 3 to 7 hours in a reducing atmosphere of N 2 and H 2 . The obtained fired product is pulverized in water, sieved, and dehydrated by suction filtration. Finally, an alkaline earth metal silicate phosphor activated with divalent europium represented by the general formula (1) can be obtained by drying at 150 ° C. in a dryer.
本発明の実施形態においては蛍光体の吸湿性を低減することが必要であるので、初期のコア粒子に含有される水分量は、極力少ないことが求められる。具体的には、コア粒子中の水分量が1wt%未満となるよう、十分に乾燥させることが望ましい。なお、コア粒子中の水分量は、カールフィッシャー水分分析法により測定することができる。 In the embodiment of the present invention, since it is necessary to reduce the hygroscopicity of the phosphor, the amount of water contained in the initial core particles is required to be as small as possible. Specifically, it is desirable that the core particles be sufficiently dried so that the water content in the core particles is less than 1 wt%. The water content in the core particles can be measured by Karl Fischer moisture analysis.
前記一般式(1)中、Mは、Ca、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属元素である。第一の波長540nmないし600nmを得る必要があることから、SrおよびBaはMとして含有されていることが好ましい。 In the general formula (1), M is at least one alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba. Since it is necessary to obtain the first wavelength of 540 nm to 600 nm, Sr and Ba are preferably contained as M.
前記一般式(1)において、xは付活剤であるEuの組成比を示しており、その範囲は0.001以上0.1以下に規定される。xが0.001未満の場合には、発光輝度が低下し、一方、xが0.1を越えた場合には、濃度消光によって充分な発光輝度を得ることはできない。 In the said General formula (1), x has shown the composition ratio of Eu which is an activator, The range is prescribed | regulated to 0.001 or more and 0.1 or less. When x is less than 0.001, the light emission luminance decreases. On the other hand, when x exceeds 0.1, sufficient light emission luminance cannot be obtained by concentration quenching.
また、前記一般式(1)におけるyはSiの組成比を示し、その範囲は0.9以上1.1以下に既定される。yが0.9未満の場合には、図1に示したような500nm近傍の第二の波長が発現して、吸湿性が著しく増加する。一方、yが1.1を超えると、充分な発光輝度を得ることができない。好ましくは、yは0.95以上1.05以下の範囲内である。 Further, y in the general formula (1) indicates the composition ratio of Si, and the range is set to 0.9 or more and 1.1 or less. When y is less than 0.9, the second wavelength in the vicinity of 500 nm as shown in FIG. 1 is developed, and the hygroscopicity is remarkably increased. On the other hand, if y exceeds 1.1, sufficient light emission luminance cannot be obtained. Preferably, y is in the range of 0.95 to 1.05.
上述したようなコア粒子の表面には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、テトラエトキシシラン(TEOS)、シリカ、ケイ酸亜鉛、ケイ酸アルミニウム、カルシウムポリフォスフェート、シリコーンオイル、およびシリコーングリースから選択される少なくとも一種からなる表層材が配置される。ケイ酸亜鉛およびケイ酸アルミニウムは、例えばZnO・aSiO2(1≦a≦4)およびAl2O3・bSiO2(1≦b≦10)でそれぞれ表わされる。コア粒子表面が完全に表層材で覆われている必要はなく、その一部が露出していてもよい。コア粒子の表面に、上述したような材質からなる表層材が存在していれば、その効果が得られる。 The surface of the core particle as described above is selected from silicone resin, epoxy resin, fluororesin, tetraethoxysilane (TEOS), silica, zinc silicate, aluminum silicate, calcium polyphosphate, silicone oil, and silicone grease. A surface layer material made of at least one of the above is disposed. Zinc silicate and aluminum silicate are represented by, for example, ZnO.aSiO 2 (1 ≦ a ≦ 4) and Al 2 O 3 .bSiO 2 (1 ≦ b ≦ 10), respectively. The surface of the core particle need not be completely covered with the surface layer material, and a part thereof may be exposed. If the surface layer material made of the material as described above exists on the surface of the core particle, the effect can be obtained.
表層材は、その分散液または溶液を用いてコア粒子表面に配置することができる。分散液または溶液中にコア粒子を所定時間浸漬した後、加熱等により乾燥させることによって表層材が配置される。蛍光体としての本来の機能を損なうことなく、表層材の効果を得るために、表層材は、コア粒子の体積の0.1〜50%程度の割合で存在することが好ましい。 The surface layer material can be arranged on the surface of the core particle using the dispersion or solution. After immersing the core particles in the dispersion or solution for a predetermined time, the surface layer material is disposed by drying by heating or the like. In order to obtain the effect of the surface layer material without impairing the original function as the phosphor, the surface layer material is preferably present at a ratio of about 0.1 to 50% of the volume of the core particles.
図3に、本発明の一実施形態にかかる発光装置の断面を示す。 FIG. 3 shows a cross section of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
図示する発光装置においては、樹脂ステム200はリードフレームを成形してなるリード201およびリード202と、これに一体成形されてなる樹脂部203とを有する。樹脂部203は、上部開口部が底面部より広い凹部205を有しており、この凹部の側面には反射面204が設けられる。
In the illustrated light emitting device, the
凹部205の略円形底面中央部には、発光チップ206がAgペースト等によりマウントされている。発光チップ206としては、紫外発光を行なうもの、あるいは可視領域の発光を行なうものを用いることができる。例えば、GaAs系、GaN系等の半導体発光素子等を用いることが可能である。発光チップ206の電極(図示せず)は、Auなどからなるボンデイングワイヤ207および208によって、リード201およびリード202にそれぞれ接続されている。なお、リード201および202の配置は、適宜変更することができる。
A
樹脂部203の凹部205内には、蛍光層209が配置される。この蛍光層209は、本発明の実施形態にかかる蛍光体210を、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層211中に5wt%〜50wt%の割合で分散することによって形成することができる。
A
発光チップ206としては、n型電極とp型電極とを同一面上に有するフリップチップ型のものを用いることも可能である。この場合には、ワイヤの断線や剥離、ワイヤによる光吸収等のワイヤに起因した問題を解消して、信頼性の高い高輝度な半導体発光装置が得られる。また、発光チップ206にn型基板を用いて、次のような構成とすることもできる。具体的には、n型基板の裏面にn型電極を形成し、基板上の半導体層上面にはp型電極を形成して、n型電極またはp型電極をリードにマウントする。p型電極またはn型電極は、ワイヤにより他方のリードに接続することができる。
As the
発光チップ206のサイズ、凹部205の寸法および形状は、適宜変更することができる。本発明の実施形態にかかる蛍光体は、360nmから500nmの波長の光で励起することによって青緑系−赤系の発光色を示す。本発明に実施形態にかかる蛍光体を、青色発光蛍光体および赤色発光蛍光体と組み合わせて用いる場合には、白色光を得ることも可能である。
The size of the
本発明の実施形態にかかる蛍光体は、防湿力が優れているので、この蛍光体を含有する蛍光層を設けることによって、発光ムラがなく安定した出力で高品質の発光装置が得られる。 Since the phosphor according to the embodiment of the present invention is excellent in moisture-proofing power, a high-quality light-emitting device can be obtained with a stable output with no emission unevenness by providing a phosphor layer containing this phosphor.
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は実施例のみに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited only to an Example.
種々の蛍光体を合成し、その防湿力を調べた。蛍光体は、内径20mm、深さ2mmの皿に収容して、湿度70%温度25℃に制御された箱内に保管した。24時間経過後、蛍光体の形状の変化を目視により観察するとともに、蛍光体1モルに対する水分量(m)をカールフィッシャー水分分析法により測定して、防湿力を次のように評価した。 Various phosphors were synthesized and their moisture resistance was examined. The phosphor was housed in a dish having an inner diameter of 20 mm and a depth of 2 mm, and stored in a box controlled at a humidity of 70% and a temperature of 25 ° C. After the elapse of 24 hours, the change in the shape of the phosphor was visually observed, and the moisture content (m) relative to 1 mol of the phosphor was measured by Karl Fischer moisture analysis, and the moisture resistance was evaluated as follows.
A:変化なし、m<1%
B:凝集硬化、1%≦m<3%
C:膨潤、m≧3%
また、第一の波長(λmax)におけるスペクトル強度(Ib)、および第二の波長(λmax−80)nmにおけるスペクトル強度(Ia)を測定して、スペクトル強度比(Ia/Ib)を求めた。スペクトル比(Ia/Ib)が0.1以下である場合には、実質的に第二の波長は存在しないことから、このスペクトル強度比(Ia/Ib)が0.1以下のときに、単一の発光ピークを有すると定義する。
A: No change, m <1%
B: Aggregation hardening, 1% ≦ m <3%
C: Swell, m ≧ 3%
In addition, the spectral intensity (Ib) at the first wavelength (λ max ) and the spectral intensity (Ia) at the second wavelength (λ max −80) nm are measured to obtain the spectral intensity ratio (Ia / Ib). It was. When the spectral ratio (Ia / Ib) is 0.1 or less, there is substantially no second wavelength. Therefore, when this spectral intensity ratio (Ia / Ib) is 0.1 or less, It is defined as having one emission peak.
さらに、得られた蛍光体をシリコーン樹脂中に分散させて、図3に示したような発光装置を作製し、発光出力を測定した。発光出力は蛍光体の樹脂中に分散される量によって変化するが、最高出力が得られる蛍光体量のときの出力を発光装置出力とした。 Further, the obtained phosphor was dispersed in a silicone resin to produce a light emitting device as shown in FIG. 3, and the light emission output was measured. The light emission output varies depending on the amount of the phosphor dispersed in the resin, but the output at the amount of the phosphor capable of obtaining the maximum output was defined as the light emitting device output.
(実施例1)
まず、コア粒子となる(Sr0.92Ba0.06Eu0.02)2SiO4で表わされる組成の蛍光体を調製した。原料粉末としては、SrCO3粉末、BaCO3粉末、Eu2O3粉末およびSiO2粉末を用意し、所定量秤量した。原料粉末の全量に対して1.5wt%の割合で結晶成長剤としてのNH4Clを添加して、ボールミルで均一に混合した。
(Example 1)
First, a phosphor having a composition represented by (Sr 0.92 Ba 0.06 Eu 0.02 ) 2 SiO 4 to be core particles was prepared. As raw material powders, SrCO 3 powder, BaCO 3 powder, Eu 2 O 3 powder and SiO 2 powder were prepared and weighed in predetermined amounts. NH 4 Cl as a crystal growth agent was added at a ratio of 1.5 wt% with respect to the total amount of the raw material powder, and mixed uniformly by a ball mill.
得られた混合原料を蓋付きアルミナ坩堝に充填し、N2/H2の混合ガスからなる還元性雰囲気中、1000℃で4時間焼成した。25℃に冷却後、焼成品を水中で粉砕した。篩通過後、オーブン中、150℃で10時間程度乾燥して、コア粒子となる蛍光体を得た。 The obtained mixed raw material was filled in an alumina crucible with a lid and fired at 1000 ° C. for 4 hours in a reducing atmosphere composed of a mixed gas of N 2 / H 2 . After cooling to 25 ° C., the fired product was pulverized in water. After passing through the sieve, it was dried in an oven at 150 ° C. for about 10 hours to obtain a phosphor as core particles.
一方、表層材としてはシリコーン樹脂を用意し、これをトルエンに溶解して溶液を調製した。この溶液中にコア粒子を30分間浸漬した後、真空エバポレータにより乾燥して、表面にシリコーン樹脂からなる表層材が配置された蛍光体を得た。 On the other hand, a silicone resin was prepared as a surface layer material, and this was dissolved in toluene to prepare a solution. The core particles were immersed in this solution for 30 minutes and then dried by a vacuum evaporator to obtain a phosphor having a surface layer material made of a silicone resin on the surface.
上述した方法により防湿力を評価したところ、Aであった。蛍光体の組成を、防湿力の評価とともに下記表1に示す。 When the moisture resistance was evaluated by the method described above, it was A. The composition of the phosphor is shown in Table 1 below together with the evaluation of moisture resistance.
この蛍光体を、395nmの励起光源と組み合わせて、実施例1の発光装置を作製した。第一の波長は570nmであり、スペクトル比(Ia/Ib)は0.07であった。 The phosphor was combined with an excitation light source of 395 nm to produce the light emitting device of Example 1. The first wavelength was 570 nm and the spectral ratio (Ia / Ib) was 0.07.
表層材を設けずに、実施例1で用いたコア粒子そのままの状態を比較例1の蛍光体として、前述と同様に防湿力を調べた。得られた結果を、蛍光体の組成とともに下記表2に示す。 Without providing the surface layer material, the moisture resistance of the core particles used in Example 1 as they were was investigated as the phosphor of Comparative Example 1 in the same manner as described above. The obtained results are shown in Table 2 below together with the composition of the phosphor.
比較例1の蛍光体を用いる以外は実施例1と同様にして比較例1の発光装置を作製し、特性を評価した。比較例1の発光装置におけるバンド波長およびスペクトル比は、実施例1の発光装置と同等であることが確認された。比較例1の発光装置の出力を1として相対発光装置出力を求めたところ、実施例1では1.1であった。 A light emitting device of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the phosphor of Comparative Example 1 was used, and the characteristics were evaluated. It was confirmed that the band wavelength and the spectral ratio in the light emitting device of Comparative Example 1 were the same as those of the light emitting device of Example 1. When the output of the light emitting device of Comparative Example 1 was set to 1, the relative light emitting device output was found to be 1.1 in Example 1.
実施例および比較例の発光装置の特性(バンド波長、発光スペクトル比、発光装置出力)を、それぞれ下記表3および4に示す。 The characteristics (band wavelength, emission spectrum ratio, light-emitting device output) of the light-emitting devices of Examples and Comparative Examples are shown in Tables 3 and 4 below, respectively.
さらに、下記表1および2に示すように、種々の蛍光体を合成した。 Further, various phosphors were synthesized as shown in Tables 1 and 2 below.
実施例2乃至10の蛍光体は、実施例1と同様のコア粒子を用い、その表面に配置する表層材の材質を変更して作製した。エポキシ樹脂(実施例2)およびフッ素樹脂(実施例3)は、前述と同様の手法によりコア粒子の表面に配置した。TEOS(実施例4)は、トルエンに溶解して溶液を調製した。この溶液中にコア粒子を30分間浸漬した後、真空エバポレータにより乾燥してコア粒子の表面に配置した。また、シリコーンオイル(実施例5)およびシリコーングリース(実施例6)は、それぞれヘキサンに溶解して溶液を調製した。この溶液中にコア粒子を30分間浸漬した後、真空エバポレータにより乾燥してコア粒子の表面に配置した。 The phosphors of Examples 2 to 10 were prepared by using the same core particles as in Example 1 and changing the material of the surface layer material disposed on the surface thereof. The epoxy resin (Example 2) and the fluororesin (Example 3) were arranged on the surface of the core particles by the same method as described above. TEOS (Example 4) was dissolved in toluene to prepare a solution. After immersing the core particles in this solution for 30 minutes, they were dried by a vacuum evaporator and placed on the surface of the core particles. Also, silicone oil (Example 5) and silicone grease (Example 6) were dissolved in hexane to prepare solutions. After immersing the core particles in this solution for 30 minutes, they were dried by a vacuum evaporator and placed on the surface of the core particles.
実施例7乃至10の蛍光体は、それぞれ以下のような手法により表層材をコア粒子の表面に配置して作製した。 The phosphors of Examples 7 to 10 were produced by arranging the surface layer material on the surface of the core particle by the following method.
(実施例7)
10重量%SiO2を含むコリン水溶液中にコア粒子を分散させた。これを蒸発皿に収容して150℃に加熱することにより水分を蒸発させて固形物を得、さらに、水洗してシリカ膜をコア粒子の表面に配置した。
(Example 7)
Core particles were dispersed in an aqueous choline solution containing 10 wt% SiO 2 . This was stored in an evaporating dish and heated to 150 ° C. to evaporate the water to obtain a solid, and further washed with water to place a silica film on the surface of the core particles.
(実施例8)
水ガラス(K2O・3SiO2)水溶液中にコア粒子を分散させ、Al(NO3)3水溶液を加えてpH6.0に調整した。さらに、水洗、吸引濾過、乾燥してケイ酸アルミニウム、をコア粒子の表面に配置した。
(Example 8)
The core particles were dispersed in a water glass (K 2 O.3SiO 2 ) aqueous solution, and the pH was adjusted to 6.0 by adding an Al (NO 3 ) 3 aqueous solution. Further, washing with water, suction filtration, drying, and aluminum silicate were arranged on the surface of the core particles.
(実施例9)
水ガラス(K2O・3SiO2)水溶液中にコア粒子を分散させ、ZnSO4水溶液を加えた。これを水洗、吸引濾過、乾燥してケイ酸亜鉛をコア粒子の表面に配置した。
Example 9
The core particles were dispersed in an aqueous solution of water glass (K 2 O.3SiO 2 ), and an aqueous ZnSO 4 solution was added. This was washed with water, suction filtered, and dried to place zinc silicate on the surface of the core particles.
(実施例10)
ポリメタリン酸ナトリウムを含む水溶液中にコア粒子を分散させ、硝酸カルシウム水溶液を加えてpH8.0に調整した。これを水洗、吸引濾過、乾燥してカルシウムポリフォスフェートをコア粒子の表面に配置した。
(Example 10)
The core particles were dispersed in an aqueous solution containing sodium polymetaphosphate, and adjusted to pH 8.0 by adding an aqueous calcium nitrate solution. This was washed with water, suction filtered, and dried to place calcium polyphosphate on the surface of the core particles.
さらに、下記表1に示すようにコア粒子の組成を変更した以外は、前述の実施例1と同様の手法により実施例11乃至28の蛍光体を得た。コア粒子の組成は、原料粉末としてのEu2O3粉末、CaCO3粉末、SrCO3粉末、およびBaCO3粉末の重量を変えることにより調整した。 Further, as shown in Table 1 below, phosphors of Examples 11 to 28 were obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition of the core particles was changed. The composition of the core particles was adjusted by changing the weights of Eu 2 O 3 powder, CaCO 3 powder, SrCO 3 powder, and BaCO 3 powder as raw material powder.
実施例2乃至24のいずれの蛍光体も、防湿力はAと優れていた。
また、結晶成長剤としてのNH4Clの量を0.5wt%に変更した以外は、実施例1と同様にしてコア粒子を作製し、比較例2の蛍光体とした。比較例2の蛍光体の発光スペクトルを図4に示す。第一の波長は550nmであり、図示するように470nm近傍に第二の波長が存在している。こうした第二の波長に起因して、後述するようにスペクトル強度比(Ia/Ib)が大きくなる。さらに、下記表2に示すようにコア粒子の組成を変更するとともに、その表面にTEOSを配置して比較例3の蛍光体を得た。コア粒子の組成は、原料粉末としてのEu2O3粉末、SrCO3粉末、およびBaCO3粉末の重量を変えることにより調整した。比較例3の蛍光体は大きな第二の波長を示し、Ia/Ib=0.3であった.
比較例の蛍光体の組成を、防湿力とともに下記表2にまとめる。
The composition of the phosphor of the comparative example is summarized in Table 2 below together with moisture resistance.
表層材が存在しない場合(比較例1,2,7〜12)、yの値が小さい場合(比較例3)、xの値が小さい場合(比較例4)、xの値が大きく、yの値が小さい場合(比較例5)、およびyの値が大きい場合(比較例6)は、いずれも防湿力が劣ることが示されている。 When the surface material is not present (Comparative Examples 1, 2, 7 to 12), when the value of y is small (Comparative Example 3), when the value of x is small (Comparative Example 4), the value of x is large and y When the value is small (Comparative Example 5) and when the value of y is large (Comparative Example 6), it is shown that the moisture resistance is inferior.
さらに、実施例2乃至24の蛍光体を用いた以外は実施例1と同様に、励起波長395nmの励起光源と組み合わせて、実施例2乃至28の発光装置を作製した。また、励起光源の波長を410nm、360nm,470nm、480nm、および405nmに変更した以外は実施例1と同様にして、実施例29、30、31、32および33の発光装置を作製した。 Further, in the same manner as in Example 1 except that the phosphors of Examples 2 to 24 were used, light emitting devices of Examples 2 to 28 were fabricated in combination with an excitation light source having an excitation wavelength of 395 nm. Further, light emitting devices of Examples 29, 30, 31, 32, and 33 were produced in the same manner as in Example 1 except that the wavelength of the excitation light source was changed to 410 nm, 360 nm, 470 nm, 480 nm, and 405 nm.
実施例の発光装置のバンド波長、スペクトル強度比および発光装置出力を、下記表3にまとめる。
表3に示されるように、本発明の実施形態にかかる発光装置は、いずれもスペクトル強度比(Ia/Ib)が0.1以下であり、十分な出力が得られている。 As shown in Table 3, all the light emitting devices according to the embodiments of the present invention have a spectral intensity ratio (Ia / Ib) of 0.1 or less, and a sufficient output is obtained.
比較例2乃至7の蛍光体を用いた以外は比較例1と同様に、励起波長395nmの励起光源と組み合わせて、比較例2乃至7の発光装置を作製した。また、励起光源の波長を410nm、360nm、470nm、480nm、および405nmに変更した以外は比較例1と同様にして、比較例8、9、10、11および12の発光装置を作製した。比較例2の蛍光体は、シリコーン樹脂に分散させる際に凝集が生じた。 The light emitting devices of Comparative Examples 2 to 7 were fabricated in combination with an excitation light source having an excitation wavelength of 395 nm, as in Comparative Example 1, except that the phosphors of Comparative Examples 2 to 7 were used. Further, light emitting devices of Comparative Examples 8, 9, 10, 11, and 12 were produced in the same manner as Comparative Example 1 except that the wavelength of the excitation light source was changed to 410 nm, 360 nm, 470 nm, 480 nm, and 405 nm. Aggregation occurred in the phosphor of Comparative Example 2 when dispersed in the silicone resin.
比較例の発光装置のバンド波長、スペクトル強度比および発光装置出力を、下記表4にまとめる。
比較例2の発光装置では、顕著な発光ムラが観察された。これは、蛍光体の凝集に起因するものと推測される。 In the light emitting device of Comparative Example 2, noticeable light emission unevenness was observed. This is presumably due to the aggregation of the phosphors.
表4の結果から、スペクトル強度比(Ia/Ib)が0.3の場合(比較例2,3)には、出力が極端に低下することがわかる。出力の比較は、例えば、実施例29と比較例8のように、同一の励起光源について行なわれる。いずれの励起光源を用いた場合も、防湿力の高い蛍光体が用いられている実施例の発光装置は、比較例のものより出力が大きいことが明確に示されている。 From the results of Table 4, it can be seen that when the spectral intensity ratio (Ia / Ib) is 0.3 (Comparative Examples 2 and 3), the output is extremely reduced. The comparison of the output is performed for the same excitation light source as in Example 29 and Comparative Example 8, for example. In any of the excitation light sources, it is clearly shown that the light emitting device of the example using the phosphor having high moisture proof power has a larger output than that of the comparative example.
200…樹脂ステム; 201…リード; 202…リード; 203…樹脂部
204…反射面; 205…凹部; 206…発光チップ
207…ボンディングワイヤ; 208…ボンディングワイヤ; 209…蛍光層
210…蛍光体; 211…樹脂層。
200 ... Resin stem; 201 ... Lead; 202 ... Lead; 203 ...
Claims (4)
前記コア粒子の表面に配置され、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、テトラエトキシシラン、シリカ、ケイ酸亜鉛、ケイ酸アルミニウム、カルシウムポリフォスフェート、シリコーンオイル、およびシリコーングリースから選択される少なくとも一種からなる表層材とを具備し、
波長360nmないし500nmの光で励起した際の発光スペクトルは、波長540nmないし600nmの間に単一の発光ピークを有することを特徴とする蛍光体。
(M1-xEux)2SiyO2y+2 (1)
(上記一般式(1)中、MはCa,SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、xは0.001以上0.1以下、yは0.9以上1.1以下である。) Core particles made of an alkaline earth metal silicate phosphor having a composition represented by the following general formula (1):
Arranged on the surface of the core particles, from at least one selected from silicone resin, epoxy resin, fluororesin, tetraethoxysilane, silica, zinc silicate, aluminum silicate, calcium polyphosphate, silicone oil, and silicone grease A surface layer material,
A phosphor characterized in that an emission spectrum when excited with light having a wavelength of 360 nm to 500 nm has a single emission peak between wavelengths of 540 nm and 600 nm.
(M 1-x Eu x ) 2 Si y O 2y + 2 (1)
(In the general formula (1), M is at least one alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, x is 0.001 or more and 0.1 or less, and y is 0.00. 9 or more and 1.1 or less.)
前記発光素子上に配置され、蛍光体を含有する蛍光層とを具備し、
前記蛍光体は、下記一般式(1)で表わされる組成のアルカリ土類金属珪酸塩蛍光体からなるコア粒子と、前記コア粒子の表面に配置され、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、テトラエトキシシラン、シリカ、ケイ酸亜鉛、ケイ酸アルミニウム、カルシウムポリフォスフェート、シリコーンオイル、およびシリコーングリースから選択される少なくとも一種からなる表層材とを備え、波長360nmから500nmの光で励起した際の発光スペクトルは、波長540nmないし600nmの間に単一の発光ピークを有することを特徴とする発光装置。
(M1-xEux)2SiyO2y+2 (1)
(上記一般式(1)中、MはCa,SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属元素であり、xは0.001以上0.1以下、yは0.9以上1.1以下である。) A light emitting device that emits light having a wavelength of 360 nm to 500 nm;
A phosphor layer disposed on the light-emitting element and containing a phosphor;
The phosphor is disposed on the surface of the core particle composed of an alkaline earth metal silicate phosphor having a composition represented by the following general formula (1), and is a silicone resin, epoxy resin, fluororesin, tetraethoxy Emission spectrum when excited with light having a wavelength of 360 nm to 500 nm, comprising a surface material composed of at least one selected from silane, silica, zinc silicate, aluminum silicate, calcium polyphosphate, silicone oil, and silicone grease Has a single emission peak between wavelengths of 540 nm and 600 nm.
(M 1-x Eu x ) 2 Si y O 2y + 2 (1)
(In the general formula (1), M is at least one alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, x is 0.001 or more and 0.1 or less, and y is 0.00. 9 or more and 1.1 or less.)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004303428A JP4322774B2 (en) | 2003-12-05 | 2004-10-18 | Phosphor and light emitting device using the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003407366 | 2003-12-05 | ||
JP2004303428A JP4322774B2 (en) | 2003-12-05 | 2004-10-18 | Phosphor and light emitting device using the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008328234A Division JP2009141374A (en) | 2003-12-05 | 2008-12-24 | Light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005187797A true JP2005187797A (en) | 2005-07-14 |
JP4322774B2 JP4322774B2 (en) | 2009-09-02 |
Family
ID=34797659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004303428A Expired - Fee Related JP4322774B2 (en) | 2003-12-05 | 2004-10-18 | Phosphor and light emitting device using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4322774B2 (en) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007048200A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Visionglow Ip Pty Ltd | Long after-glow photoluminescent material |
JP2008280471A (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corp | Light emitting composition, light source device using the same and display device using the same |
JP2008291251A (en) * | 2007-04-26 | 2008-12-04 | Sharp Corp | Manufacturing method of phosphor, wavelength converting member and light-emitting device |
JP2008308510A (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Sony Corp | Light emission composition, optical apparatus using this, and display apparatus using this |
JP2009506195A (en) * | 2005-08-31 | 2009-02-12 | ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー | Phosphors used in LEDs and blends thereof |
JP2009203273A (en) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Sharp Corp | Fluorescent substance for light-emitting device and light-emitting device using the same |
JP2009209332A (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Sharp Corp | Phosphor for light emitting device and light emitting device using the same |
JP2010007085A (en) * | 2005-08-23 | 2010-01-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Composite phosphor powder, light emitting device using the same, and method of manufacturing composite phosphor powder |
JP2011026535A (en) * | 2008-10-29 | 2011-02-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Phosphor particle with coating and method for producing the same |
CN102191033A (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Fluorescent material with core-shell structure and preparation method thereof |
US20120037850A1 (en) * | 2010-08-14 | 2012-02-16 | Litec-Lp Gmbh | Surface-modified silicate luminophores |
US8120237B2 (en) | 2006-03-09 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Photoluminescent composition and light source device |
WO2012023737A2 (en) | 2010-08-14 | 2012-02-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified silicate luminophores |
JP2014001286A (en) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | Fluophor and manufacturing method of the same, and light-emitting device using the same |
WO2014021006A1 (en) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 住友金属鉱山株式会社 | Alkaline earth metal silicate phosphor and method for producing same |
JP2014034594A (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Kaneka Corp | Silicone-treated phosphor, silicone-treated phosphor-containing silicone curable composition, and light-emitting device sealed with the composition |
EP2716732A1 (en) * | 2011-05-30 | 2014-04-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for producing coated alkaline earth metal silicate phosphor particles |
EP2810309A1 (en) * | 2012-02-03 | 2014-12-10 | SABIC Innovative Plastics IP B.V. | Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry |
JP5729698B1 (en) * | 2014-10-14 | 2015-06-03 | 株式会社ルミネッサス | Luminescent body and manufacturing method thereof |
WO2015152341A1 (en) * | 2014-04-02 | 2015-10-08 | 電気化学工業株式会社 | Hydrophobized phosphor, and light-emitting device |
US9196785B2 (en) | 2010-08-14 | 2015-11-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores |
US9234129B2 (en) | 2010-08-14 | 2016-01-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified quantum dot luminophores |
US9614129B2 (en) | 2010-08-14 | 2017-04-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified luminophores |
JP2017165821A (en) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 住友大阪セメント株式会社 | Composite powder, surface-treated composite powder, resin composition, cured body, and optical semiconductor light-emitting device |
JP2017165822A (en) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 住友大阪セメント株式会社 | Composite powder, surface-treated composite powder, resin composition, cured body, and optical semiconductor light-emitting device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4880892B2 (en) * | 2004-10-18 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | Phosphor, phosphor manufacturing method, and light emitting device using the same |
-
2004
- 2004-10-18 JP JP2004303428A patent/JP4322774B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010007085A (en) * | 2005-08-23 | 2010-01-14 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Composite phosphor powder, light emitting device using the same, and method of manufacturing composite phosphor powder |
US7832312B2 (en) | 2005-08-23 | 2010-11-16 | Samsung Led Co., Ltd. | Composite phosphor powder, light emitting device using the same and method for manufacturing composite phosphor powder |
US8012792B2 (en) | 2005-08-23 | 2011-09-06 | Samsung Led Co., Ltd. | Composite phosphor powder, light emitting device using the same and method for manufacturing composite phoshpor powder |
JP2009506195A (en) * | 2005-08-31 | 2009-02-12 | ルミネイション リミテッド ライアビリティ カンパニー | Phosphors used in LEDs and blends thereof |
WO2007048200A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Visionglow Ip Pty Ltd | Long after-glow photoluminescent material |
KR101314953B1 (en) | 2006-03-09 | 2013-10-04 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | Photoluminescent composition and light source device |
US8120237B2 (en) | 2006-03-09 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Photoluminescent composition and light source device |
JP2008291251A (en) * | 2007-04-26 | 2008-12-04 | Sharp Corp | Manufacturing method of phosphor, wavelength converting member and light-emitting device |
JP2008280471A (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corp | Light emitting composition, light source device using the same and display device using the same |
JP2008308510A (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Sony Corp | Light emission composition, optical apparatus using this, and display apparatus using this |
JP2009203273A (en) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Sharp Corp | Fluorescent substance for light-emitting device and light-emitting device using the same |
JP2009209332A (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Sharp Corp | Phosphor for light emitting device and light emitting device using the same |
JP2011026535A (en) * | 2008-10-29 | 2011-02-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Phosphor particle with coating and method for producing the same |
CN102191033A (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-21 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Fluorescent material with core-shell structure and preparation method thereof |
CN102191033B (en) * | 2010-03-11 | 2013-11-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Fluorescent material with core-shell structure and preparation method thereof |
JP2013536283A (en) * | 2010-08-14 | 2013-09-19 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | Surface-modified silicate phosphor |
US20120037850A1 (en) * | 2010-08-14 | 2012-02-16 | Litec-Lp Gmbh | Surface-modified silicate luminophores |
EP2603937A2 (en) * | 2010-08-14 | 2013-06-19 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified silicate luminophores |
US9614129B2 (en) | 2010-08-14 | 2017-04-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified luminophores |
CN103081140A (en) * | 2010-08-14 | 2013-05-01 | 首尔半导体株式会社 | Light emitting device having surface-modified silicate luminophores |
US8581286B2 (en) | 2010-08-14 | 2013-11-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified silicate luminophores |
JP2013541828A (en) * | 2010-08-14 | 2013-11-14 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | Light emitting device having surface-modified silicate illuminant |
WO2012023737A2 (en) | 2010-08-14 | 2012-02-23 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified silicate luminophores |
US9234129B2 (en) | 2010-08-14 | 2016-01-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified quantum dot luminophores |
US10312420B2 (en) | 2010-08-14 | 2019-06-04 | Seoul Semiconducter Co., Ltd. | Light-emitting device having surface-modified luminophores |
US9960324B2 (en) | 2010-08-14 | 2018-05-01 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light-emitting device having surface-modified luminophores |
EP2603571A2 (en) * | 2010-08-14 | 2013-06-19 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified silicate luminophores |
US9196785B2 (en) | 2010-08-14 | 2015-11-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores |
KR101752428B1 (en) * | 2010-08-14 | 2017-07-05 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting device having surface-modified luminophores |
EP2603571A4 (en) * | 2010-08-14 | 2014-10-22 | Seoul Semiconductor Co Ltd | Surface-modified silicate luminophores |
EP2603937A4 (en) * | 2010-08-14 | 2014-10-22 | Seoul Semiconductor Co Ltd | Light emitting device having surface-modified silicate luminophores |
KR101761855B1 (en) * | 2010-08-14 | 2017-07-27 | 서울반도체 주식회사 | Surface-modified silicate luminophores |
US8945421B2 (en) * | 2010-08-14 | 2015-02-03 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified silicate luminophores |
EP2716732A4 (en) * | 2011-05-30 | 2014-04-23 | Sumitomo Metal Mining Co | Method for producing coated alkaline earth metal silicate phosphor particles |
EP2716732A1 (en) * | 2011-05-30 | 2014-04-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method for producing coated alkaline earth metal silicate phosphor particles |
EP2810309A1 (en) * | 2012-02-03 | 2014-12-10 | SABIC Innovative Plastics IP B.V. | Light emitting diode device and method for production thereof containing conversion material chemistry |
JP2014001286A (en) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Toshiba Corp | Fluophor and manufacturing method of the same, and light-emitting device using the same |
JP2014043539A (en) * | 2012-07-30 | 2014-03-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Alkaline earth metal silicate phosphor and method for producing the same |
EP2881447A4 (en) * | 2012-07-30 | 2016-03-30 | Sumitomo Metal Mining Co | Alkaline earth metal silicate phosphor and method for producing same |
WO2014021006A1 (en) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 住友金属鉱山株式会社 | Alkaline earth metal silicate phosphor and method for producing same |
US9938459B2 (en) | 2012-07-30 | 2018-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd | Alkaline earth metal silicate phosphor and method for producing same |
JP2014034594A (en) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Kaneka Corp | Silicone-treated phosphor, silicone-treated phosphor-containing silicone curable composition, and light-emitting device sealed with the composition |
US10145989B2 (en) | 2014-04-02 | 2018-12-04 | Denka Company Limited | Hydrophobized phosphor and light-emitting device |
JPWO2015152341A1 (en) * | 2014-04-02 | 2017-04-13 | デンカ株式会社 | Hydrophobized phosphor and light emitting device |
WO2015152341A1 (en) * | 2014-04-02 | 2015-10-08 | 電気化学工業株式会社 | Hydrophobized phosphor, and light-emitting device |
KR20160140822A (en) * | 2014-04-02 | 2016-12-07 | 덴카 주식회사 | Hydrophobized phosphor, and light-emitting device |
CN106133114A (en) * | 2014-04-02 | 2016-11-16 | 电化株式会社 | Hydrophobization processes fluorophor and light-emitting device |
DE112015001628B4 (en) | 2014-04-02 | 2021-07-22 | Denka Company Limited | Hydrophobic phosphor and light emitting device |
KR102352808B1 (en) * | 2014-04-02 | 2022-01-18 | 덴카 주식회사 | Hydrophobized phosphor, and light-emitting device |
JP5729698B1 (en) * | 2014-10-14 | 2015-06-03 | 株式会社ルミネッサス | Luminescent body and manufacturing method thereof |
WO2016060004A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 株式会社ルミネッサス | Light emitting body and method for producing same |
JP2016079244A (en) * | 2014-10-14 | 2016-05-16 | 株式会社ルミネッサス | Light emitter and method for producing the same |
JP2017165821A (en) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 住友大阪セメント株式会社 | Composite powder, surface-treated composite powder, resin composition, cured body, and optical semiconductor light-emitting device |
JP2017165822A (en) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 住友大阪セメント株式会社 | Composite powder, surface-treated composite powder, resin composition, cured body, and optical semiconductor light-emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4322774B2 (en) | 2009-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4322774B2 (en) | Phosphor and light emitting device using the same | |
JP6387041B2 (en) | Red line emitting phosphors for use in light emitting diode applications | |
JP4836429B2 (en) | Phosphor and light emitting device using the same | |
US8057706B1 (en) | Moisture-resistant phosphor and associated method | |
JP5503871B2 (en) | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications | |
KR100774028B1 (en) | Fluorescent Substance, Method of Manufacturing Fluorescent Substance, and Light Emitting Device Using the Fluorescent Substance | |
US7859182B2 (en) | Warm white LED-based lamp incoporating divalent EU-activated silicate yellow emitting phosphor | |
KR101226193B1 (en) | Temperature-stable oxynitride phosphor and light source comprising a corresponding phosphor material | |
JP5503870B2 (en) | Phosphors used in LEDs and blends thereof | |
JP5134788B2 (en) | Method for manufacturing phosphor | |
JP4779384B2 (en) | Ce-activated rare earth aluminate-based phosphor and light emitting device using the same | |
JP2005264160A (en) | Phosphor, method for producing the same and light emitting device | |
WO2003032407A1 (en) | Semiconductor light emitting element and light emitting device using this | |
JP4314279B2 (en) | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device | |
JP4223879B2 (en) | Sm-activated red light emitting phosphor and light emitting device using the same | |
US9670403B2 (en) | Fluoride fluorescent material and method for producing the same | |
JP5813096B2 (en) | Phosphor for light emitting device, method for producing the same, and light emitting device using the same | |
JP2009280763A (en) | Phosphor preparation and light emitting device using it | |
JP5402008B2 (en) | Phosphor production method, phosphor, and light emitting device using the same | |
JP4233929B2 (en) | Phosphor and light emitting device using the same | |
JP4886221B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP2009141374A (en) | Light emitting device | |
JP2002188084A (en) | Red light-emitting phosphor and light-emitting apparatus using the same | |
JP2010013608A (en) | Phosphor and emitter | |
JP2005054159A (en) | Red light-emitting fluorescent material and light-emitting element given by using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081224 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090226 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090603 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4322774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |