JP2005168029A - Dual edge programmable delay unit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プログラマブル遅延ユニットに関し、更に具体的には、デュアル・エッジ・プログラマブル遅延ユニットの提供に関する。 The present invention relates to programmable delay units, and more specifically to providing a dual edge programmable delay unit.
Hui等による米国特許第5,933,039号(Hui‘039)の「Programmable Delay Line」は、電圧比較器−RSレジスタに基づく遅延ラインに関するものである。信号チェーンは長く、最小遅延は5ナノ秒(ns)もの長さである。このため、Hui’039の遅延ラインは、高速回路では使用不可能である。立ち上がりおよび立ち下がりは、同一の遅延時間を有し、このため、オン・チップのタイミング調節ユニットとして用いることができない。電流源は、増幅器−抵抗器に基づき、選択した抵抗および寄生容量に応じて、設定時間は極めて長い。Hui‘039の遅延ラインの動作は、「リセット信号」に基づく。プログラム・コード保護機能は全く設けられず、このため、リアル・タイムおよびオン・チップの動作には使用不可能である。従って、Hui等の遅延ライン・ユニットは、本発明のものとは異なる適用分野および異なる回路構造に関するものである。 U.S. Pat. No. 5,933,039 (Hui'039) by Hui et al. Relates to a delay line based on a voltage comparator-RS register. The signal chain is long and the minimum delay is as long as 5 nanoseconds (ns). For this reason, the delay line of Hui'039 cannot be used in a high-speed circuit. The rise and fall have the same delay time and therefore cannot be used as an on-chip timing adjustment unit. The current source is based on an amplifier-resistor and has a very long set-up time depending on the selected resistance and parasitic capacitance. The operation of the delay line of Hui'039 is based on the “reset signal”. No program code protection is provided, and therefore cannot be used for real-time and on-chip operation. Thus, the Hui et al. Delay line unit relates to a different field of application and a different circuit structure than those of the present invention.
Hui等による米国特許第5,355,038号(Hui‘038)の「Architecture for Programmable Delay Line Integrated Circuit」は、概念およびシステム構造の点でHui’039に類似しているが、回路の実施はいくぶん異なる。遅延ラインは、電圧−比較器およびRSレジスタに基づく。最小遅延ラインは長く、10nsであり、このため、高速回路では機能することができない。立ち上がりおよび立ち下がりは、別個の遅延設定を有することができないので、オン・チップのタイミング調整ユニットとして使用不可能である。増幅器−抵抗器に基づく電流源を用い、選択した抵抗および寄生容量に応じて、設定時間は極めて長い。Hui‘038の遅延ラインの動作は、「リセット信号」に基づき、プログラム・コードの保護機能は存在しないので、リアル・タイムおよびオン・チップの動作に用いることはできない。従って、Hui’038の遅延ライン・ユニットは、本発明のものとは異なる適用分野および異なる回路構造に関するものである。 The "Architecture for Programmable Delay Line Integrated Circuit" in US Pat. No. 5,355,038 (Hui'038) by Hui et al. Is similar to Hui'039 in terms of concept and system structure, but the circuit implementation is Somewhat different. The delay line is based on a voltage-comparator and an RS register. The minimum delay line is 10 ns long and therefore cannot function in high speed circuits. Rising and falling cannot be used as an on-chip timing adjustment unit because they cannot have separate delay settings. Using a current source based on an amplifier-resistor, the set-up time is very long, depending on the selected resistance and parasitic capacitance. The operation of the delay line of Hui'038 is based on a “reset signal” and does not have a program code protection function, so it cannot be used for real time and on-chip operations. Thus, the Hui'038 delay line unit relates to a different field of application and a different circuit structure than those of the present invention.
Philipsによる、「DelayCircuit and Method」と題する米国特許第5,936,451号は、本発明のものとは全く異なる分野であるパワー・モータ、ソレノイド等、極めて低速の用途に関する遅延ラインについて記載している。Philipsの特許の主な目的は、NFETおよびPFETが電源と接地との間に固定された場合に、それらが同時にオンするのを回避することである。Philipsの特許の目標は、大きなコンデンサまたは大きな抵抗器を必要とすることなく長い遅延を得ることであり、これは本発明の目的および目標とは全く異なる。Philipsの特許の遅延回路は、立ち上がりおよび立ち下がりについて別個に異なる遅延時間を設定する機能を有しない。従って、この特許の遅延回路の概念、目的、および機能は、本発明のものとは異なる。 US Pat. No. 5,936,451 entitled “DelayCircuit and Method” by Philips describes a delay line for very low speed applications such as power motors, solenoids, etc., which is a completely different field from that of the present invention. Yes. The main purpose of the Philips patent is to avoid the NFET and PFET from turning on at the same time if they are fixed between power and ground. The goal of the Philips patent is to obtain a long delay without the need for a large capacitor or resistor, which is quite different from the object and goal of the present invention. The delay circuit of the Philips patent does not have the function of setting different delay times separately for rising and falling. Therefore, the concept, purpose, and function of the delay circuit of this patent is different from that of the present invention.
Hiltonによる、「Delay andInterpolation Timing Structures and Methods」と題する米国特許第6,124,745号は、2つのコンデンサを有する差動増幅器に基づいた遅延回路について記載している。回路構造および動作原理は、本発明のものとは全く異なる。Hiltonの特許の遅延回路は、立ち上がりおよび立ち下がりについて別個に異なる遅延時間を設定する機能を有しない。従って、Hiltonの特許における遅延ラインの回路構造、動作原理、および機能は、本発明のものとは異なる。 US Pat. No. 6,124,745 entitled “Delay and Interpolation Timing Structures and Methods” by Hilton describes a delay circuit based on a differential amplifier having two capacitors. The circuit structure and operating principle are completely different from those of the present invention. The delay circuit of the Hilton patent does not have the function of setting different delay times for rising and falling edges. Accordingly, the circuit structure, operating principle, and function of the delay line in the Hilton patent is different from that of the present invention.
図1は、現在、業界において広く用いられているタイプの従来技術のプログラマブル遅延ユニット10の概略回路図を示す。遅延ユニットは、直列の「n」個のインバータに基づいた遅延要素IP1、IP2、・・・、IPn、直列接続された「n」個の送信ゲートTG1、TG2、・・・、TGn−1、TGnの集合、および、「n」ビット・ラッチ27から成る。インバータに基づく遅延要素IP1は、直列接続されたインバータ14および16を含み、入力ライン12上の入力信号INを受信し、遅延した出力を供給し、これが、ノード17を介して送信ゲートTG1のソース/ドレイン回路およびインバータ18の入力に接続される。インバータに基づく遅延要素IP2は、直列接続されたインバータ18および20を含み、その入力はノード17に接続され、その出力はノード21を介して送信ゲートTG2のソース/ドレイン回路に、および、ノード21を介して図示しない次段のインバータの入力に接続される。更に、遅延ユニット10の終端に近付くと、送信ゲートTGn−1のソース/ドレイン回路に、ノード23が接続されている。プログラマブル遅延ユニット10における最終段のインバータに基づく遅延要素IPnは、直列接続されたインバータ24および26を含み、その入力はノード23に接続され、その出力は送信ゲートTGnのソース/ドレイン回路に接続されている。送信ゲートTG1、TG2、・・・、TGn−1、TGnのソース/ドレイン回路は、ノード22および出力ライン29に接続されている。ラッチ27は、バスライン28上の制御ワードの関数として、「n」個の送信ゲートTG1、TG2、・・・、TGn−1、TGnの対応する1つのゲート電極に対するラインL1、L2、・・・、Ln−1、Lnのうち選択した1つに、ターンON信号を供給する。
FIG. 1 shows a schematic circuit diagram of a prior art
制御ワード・バス28上の制御ワードがラッチ27にラッチされると、送信ゲートTG1、TG2、・・・、TGn−1、TGnのうち1つが選択され、すなわちターン・オンされ、遅延要素IP1、IP2、・・、IPnの1つの対応する出力が選択されて、選択された送信ゲートTG1、TG2、・・・、TGn−1、TGnのソース/ドレイン回路の1つを介して、ノード22を通って、更に出力ライン29を介して、出力信号OUTを供給するように接続される。
図1に示す種類の遅延ユニットに伴う問題は、立ち上がり遅延時間および立ち下がり遅延時間が別個に設定されないことである。通常、各遅延要素の2つの遅延時間は同一ではない。この結果、直列の遅延要素の2つ以上が選択された場合、遅延時間の差が蓄積される。このため、問題は、図1に示す回路のタイプから、入力パルスおよび出力パルスにパルス幅のひずみが生じることである。 The problem with the type of delay unit shown in FIG. 1 is that the rise and fall delay times are not set separately. Usually, the two delay times of each delay element are not the same. As a result, when two or more serial delay elements are selected, the difference in delay time is accumulated. Therefore, the problem is that the pulse width distortion occurs in the input pulse and the output pulse from the circuit type shown in FIG.
本発明の典型的な適用は、Kai D.FengおよびHongfei Wuによる「Glitch Free Receiver For High Speed Simultaneous Bidirectional DataBus」と題する同時係属中の米国特許出願連続番号第10/692192号(IBM整理番号第EN920030078US1)に記載されている。 A typical application of the present invention is that Kai D. et al. Feng and Hongfei Wu, described in co-pending US Patent Application Serial No. 10/69192 (IBM Docket No. EN920030078US1) entitled “Glitch Free Receiver For High Speed Simultaneous Bidirectional DataBus”.
本発明は、極めて短い信号チェーンを特徴とし、このため、初期遅延時間または最小遅延時間が極めて小さく、(2つのインバータ遅延時間を)ピコ秒(ps)範囲にまで短縮可能である、インバータに基づく遅延ユニットを提供することによって、図1に関して上述した問題に対する解決策を提供する。これは、高速集積回路のオン・チップのタイミング調整の用途として使用可能である。 The invention features an extremely short signal chain and is therefore based on an inverter that has a very low initial or minimum delay time and can reduce (two inverter delay times) to the picosecond (ps) range. Providing a delay unit provides a solution to the problem described above with respect to FIG. This can be used as an on-chip timing adjustment application for high-speed integrated circuits.
本発明によれば、デュアル・エッジ・プログラマブル遅延ユニットが提供される。これは、高速設定時間、極めて短い最小遅延時間、独立した立ち上がりおよび立ち下がり遅延時間設定を有する回路を含む。本発明のプログラマブル遅延ユニットは、高速システムにおいて、リアル・タイムのオン・チップ・タイミング調整ユニットとして使用可能である。 In accordance with the present invention, a dual edge programmable delay unit is provided. This includes circuits with fast set times, very short minimum delay times, independent rise and fall delay time settings. The programmable delay unit of the present invention can be used as a real time on-chip timing adjustment unit in high speed systems.
更に、本発明によれば、入力信号に応答してデュアル・エッジ・プログラマブル遅延ユニットのプログラミングを行うための方法および装置が提供される。バッファ制御回路が含まれており、これは、立ち上がり時間および立ち下がり時間を有する入力信号を受信し、出力信号の立ち上がりと立ち下がり時間との間に可変遅延を有する出力信号を供給し、プログラマブル制御源(PCS)が、第1の可変立ち上がり時間プログラマブル制御源(RTPCS:Rise Time Programmable Control Source)に別個の制御入力を供給するようにプログラムされている。可変立ち下がり時間プログラマブル制御源(FTPCS:Fall TimeProgrammable Control Source)は、第1の出力電流を供給し、これがバッファにおいてコンデンサを充電し、RTPCSは、第2の出力電流を供給し、これがバッファ回路においてコンデンサを放電する。PCSに、可変制御信号が供給される。入力信号が論理ハイから論理ローに遷移した場合、FTPCSはバッファ回路を介して出力電流を供給し、入力信号が論理ローから論理ハイに遷移した場合、RTPCSはバッファ回路を介して出力電流を供給する。入力信号が論理ハイから論理ローに遷移した場合、バッファ制御回路はFTPCSを介して出力電流に応答し、または、入力信号が論理ローから論理ハイに遷移した場合、RTPCSを介して出力電流に応答する。 Furthermore, in accordance with the present invention, a method and apparatus for programming a dual edge programmable delay unit in response to an input signal is provided. A buffer control circuit is included, which receives an input signal having a rise time and a fall time, provides an output signal having a variable delay between the rise and fall times of the output signal, and programmable control A source (PCS) is programmed to provide a separate control input to a first variable rise time programmable control source (RTPCS). A variable fall time programmable control source (FTPCS) provides a first output current, which charges a capacitor in the buffer, and an RTPCS provides a second output current, which in the buffer circuit. Discharge the capacitor. A variable control signal is supplied to the PCS. When the input signal transitions from logic high to logic low, FTPCS supplies the output current through the buffer circuit, and when the input signal transitions from logic low to logic high, the RTPCS supplies the output current through the buffer circuit. To do. The buffer control circuit responds to the output current via FTPCS when the input signal transitions from logic high to logic low, or responds to the output current via RTPCS when the input signal transitions from logic low to logic high. To do.
好ましくは、P側およびN側に、2つの別個の制御されたプログラマブル電流源がある。P側プログラマブル源は、ゲート容量への充電電流を設定するので、(入力信号VAが論理ハイから論理ローに変化した場合に)立ち下がりでの遅延時間を制御することができる。N側プログラマブル源は、ゲート容量からの放電電流を設定するので、(入力信号VAが論理ローから論理ハイに変化した場合に)立ち上がりでの遅延時間を制御することができる。従って、2つの遅延時間は独立して調整することができる。デュアル・エッジ遅延時間は別個にプログラム可能であるので、遅延ユニットは立ち上がりおよび立ち下がりについて異なる遅延時間を設定することができ、これは、集積回路のタイミングを調整する際に特に有用な特徴である。 Preferably, there are two separate controlled programmable current sources on the P side and N side. Since the P-side programmable source sets the charging current to the gate capacitance, the delay time at the fall can be controlled (when the input signal VA changes from logic high to logic low). Since the N-side programmable source sets the discharge current from the gate capacitance, the delay time at the rise can be controlled (when the input signal VA changes from logic low to logic high). Therefore, the two delay times can be adjusted independently. Since the dual edge delay time is separately programmable, the delay unit can set different delay times for rising and falling, which is a particularly useful feature in adjusting the timing of integrated circuits. .
好ましくは、プログラマブル電流源は、ピコ秒(ps)のオーダーで極めて高速でターン・オンまたはターン・オフすることができる1対の切り替え電流ミラーまたは切り替え電流源から成る。遅延ユニットにはコード保護回路があり、これは、入力信号VAが論理ハイにある間のみ、電流設定コードを変更するようにP側電流源を制限する。また、遅延ユニットのコード保護回路は、入力信号VAが論理ローにある場合にのみ、電流設定コードのみを変更するようにN側電流源を制限する。このため、全ての遅延時間は予想可能である。なぜなら、2つの設定間に遅延時間は生じないからである。デュアル・エッジ・プログラマブル遅延ユニットの性能向上のため、集積回路においてリアル・タイムおよびオン・チップ・タイミング調整のために用い、グリッチの無い状態を実現することができる。 Preferably, the programmable current source consists of a pair of switching current mirrors or switching current sources that can be turned on or off very quickly on the order of picoseconds (ps). The delay unit has a code protection circuit that limits the P-side current source to change the current setting code only while the input signal VA is at a logic high. In addition, the code protection circuit of the delay unit limits the N-side current source to change only the current setting code only when the input signal VA is at logic low. For this reason, all delay times are predictable. This is because there is no delay time between the two settings. To improve the performance of the dual edge programmable delay unit, it can be used in real time and on-chip timing adjustments in integrated circuits to achieve a glitch free state.
バッファ回路が設けられ、これは、1対のインバータを含む。第2のインバータは、シュミット・トリガ回路であり、正のフィードバックのため、高速の立ち上がり時間および高速の立ち下がり時間を有する。 A buffer circuit is provided, which includes a pair of inverters. The second inverter is a Schmitt trigger circuit and has a fast rise time and a fast fall time for positive feedback.
好ましくは、バッファ制御回路は、第1のインバータおよび第2のインバータを含み、各々は入力および出力を有し、第1のインバータは第1の入力および第1の出力を有し、第2のインバータは第2の入力および第2の出力を有する。入力信号が論理ハイから論理ローに遷移してFTPCSと第1の出力との間を接続する場合、第1のインバータはFTPCSに応答する。入力信号が論理ローから論理ハイに遷移してRTPCSと第1の出力との間を接続する場合、RTPCSに応答するように第1のインバータを設ける。第1のインバータの第1の出力を、第2のインバータの第2の入力に接続されたノードに接続し、第2のインバータが、第2のインバータから、第2の出力において出力信号を供給する。ノードと基準電池の間にコンデンサを接続する。第2のインバータとしてシュミット・トリガ回路を設ける。FTPCSおよびRTPCSに電流ミラー回路を設ける。第1の制御ワードを第1のラッチに供給し、このラッチは次いで第1の可変制御信号をFTPCSに供給する。第2の制御ワードを第2のラッチに供給し、このラッチは次いで第2の可変制御信号をRTPCSに供給する。FTPCSにFETフィンガを設けるステップであって、各フィンガは第1のラッチにおいてレジスタからの出力によって制御される。第2のRTPCSにFETフィンガを設けるステップであって、各フィンガは対応するラッチにおいてレジスタからの出力によって制御される。 Preferably, the buffer control circuit includes a first inverter and a second inverter, each having an input and an output, the first inverter having a first input and a first output, and a second The inverter has a second input and a second output. When the input signal transitions from logic high to logic low to connect between FTPCS and the first output, the first inverter responds to FTPCS. A first inverter is provided to respond to RTPCS when the input signal transitions from logic low to logic high to connect between RTPCS and the first output. The first output of the first inverter is connected to a node connected to the second input of the second inverter, and the second inverter provides an output signal at the second output from the second inverter. To do. Connect a capacitor between the node and the reference battery. A Schmitt trigger circuit is provided as the second inverter. Current mirror circuits are provided for FTPCS and RTPCS. A first control word is provided to the first latch, which in turn provides a first variable control signal to the FTPCS. A second control word is provided to the second latch, which in turn provides a second variable control signal to the RTPCS. Providing FET fingers in the FTPCS, each finger being controlled by an output from a register in a first latch; Providing FET fingers in the second RTPCS, each finger being controlled by an output from a register in a corresponding latch.
本発明の別の態様によれば、信号入力、信号出力、PSPC接続ライン、およびNSPC接続ラインを含むバッファ制御回路を有するプログラマブル遅延ユニットを用いたデュアル・エッジ・プログラミングが提供される。P側プログラマブル電流(PSPC)入力と、PSPC接続ラインを介してバッファに接続されたPSPC電流ラインとを有するP側源を設ける。N側(NS)制御ワードおよびN側書き込み信号の入力を受信し、N側制御ワードの関数であるN側切り替え信号の出力を受信するように構成されたN側ラッチを設ける。NSラッチが、N側制御ワードの関数であるN側切り替え信号の出力を供給し、N側切り替え信号の出力はNSPC源の入力に供給される。N側プログラマブル電流(NSPC)源入力と、NSPC接続ラインを介してバッファに接続されたNSPC電流ラインとを有するNSPC源を設ける。P側(PS)制御ワードおよびP側書き込み信号の入力を受信し、P側制御ワードの関数であるP側切り替え信号の出力を受信するように構成されたP側ラッチを設ける。PSラッチが、P側制御ワードの関数であるP側切り替え信号の出力を供給し、P側切り替え信号の出力はPSPC源の入力に供給される。 In accordance with another aspect of the present invention, dual edge programming is provided using a programmable delay unit having a buffer control circuit including a signal input, a signal output, a PSPC connection line, and an NSPC connection line. A P-side source is provided having a P-side programmable current (PSPC) input and a PSPC current line connected to the buffer via a PSPC connection line. An N-side latch is provided that is configured to receive input of an N-side (NS) control word and an N-side write signal and to receive an output of an N-side switching signal that is a function of the N-side control word. The NS latch provides an output of the N-side switching signal that is a function of the N-side control word, and the output of the N-side switching signal is supplied to the input of the NSPC source. An NSPC source is provided having an N-side programmable current (NSPC) source input and an NSPC current line connected to the buffer via an NSPC connection line. A P-side latch configured to receive an input of a P-side (PS) control word and a P-side write signal and to receive an output of a P-side switching signal that is a function of the P-side control word is provided. The PS latch provides an output of the P-side switching signal that is a function of the P-side control word, and the output of the P-side switching signal is supplied to the input of the PSPC source.
バッファ制御回路は、第1のインバータおよび第2のインバータを含む。第1のインバータおよび第2のインバータをバッファ回路に設け、各インバータは入力および出力を有し、第1のインバータは第1の入力および第1の出力を有し、第2のインバータは第2の入力および第2の出力を有する。入力信号が論理ハイから論理ローに遷移して第1のPSPC源と第1の出力との間を接続する場合、第1のPSPC源に応答するように第1のインバータを設ける。入力信号が論理ローから論理ハイに遷移して第2のPSPC源と第1の出力との間を接続する場合、第2のPSPC源に応答するように第1のインバータを設ける。第1のインバータの第1の出力を、第2のインバータの第2の入力に接続されたノードに接続する。 The buffer control circuit includes a first inverter and a second inverter. A first inverter and a second inverter are provided in the buffer circuit, each inverter has an input and an output, the first inverter has a first input and a first output, and the second inverter has a second Input and a second output. A first inverter is provided to respond to the first PSPC source when the input signal transitions from a logic high to a logic low to connect between the first PSPC source and the first output. A first inverter is provided to respond to the second PSPC source when the input signal transitions from a logic low to a logic high to connect between the second PSPC source and the first output. The first output of the first inverter is connected to a node connected to the second input of the second inverter.
第2のインバータは、第2のインバータから、第2の出力において出力信号を供給する。第1のインバータにおいてPMOS FETおよびNMOS FETを設け、それらのソース・ドレイン回路の第1の端部は第1のインバータの出力に接続されている。第1のインバータに対する入力を、PMOS FETおよびNMOS FETのゲート電極に接続する。PMOS FETおよびNMOS FETのソース・ドレイン回路の対向端部を、第1のPSPC源および第2のPSPC源の出力に接続する。 The second inverter provides an output signal at the second output from the second inverter. A PMOS FET and an NMOS FET are provided in the first inverter, and the first end of the source / drain circuit is connected to the output of the first inverter. The input to the first inverter is connected to the gate electrodes of the PMOS FET and NMOS FET. The opposite ends of the source / drain circuits of the PMOS FET and NMOS FET are connected to the outputs of the first PSPC source and the second PSPC source.
本発明の更に別の態様によれば、入力信号に応答するデュアル・エッジ・プログラマブル遅延ユニットが提供される。バッファ制御回路は、立ち上がり時間および立ち下がり時間を有する入力信号を受信する。バッファ制御回路は、第1および第2のプログラマブル制御源(PCS)に設けられたプログラミングの関数として、出力信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間との間の可変遅延を出力信号に与える。FTPCSに対する第1の制御入力、および、RTPCSに対する別個の第2の制御信号がある。FTPCSの各々は、第1の可変出力電流を供給するようにプログラムされる。RTPCSの各々は、第2の可変出力電流を供給するようにプログラムされる。FTPCSに対する第1の可変制御信号、および、RTPCSに対する第2の可変制御信号。 In accordance with yet another aspect of the present invention, a dual edge programmable delay unit responsive to an input signal is provided. The buffer control circuit receives an input signal having a rise time and a fall time. The buffer control circuit provides the output signal with a variable delay between the rise time and fall time of the output signal as a function of programming provided in the first and second programmable control sources (PCS). There is a first control input for FTPCS and a separate second control signal for RTPCS. Each of the FTPCS is programmed to provide a first variable output current. Each of the RTPCS is programmed to provide a second variable output current. A first variable control signal for FTPCS and a second variable control signal for RTPCS.
(a)FTPCSを介して出力電流が流れ、入力信号が論理ハイから論理ローに遷移した場合、または(b)RTPCSを介して出力電流が流れ、入力信号が論理ローから論理ハイに遷移した場合、バッファ制御回路は応答する。入力信号が論理ハイから論理ローに遷移した場合、FTPCSは、出力電流をバッファ回路に供給するように構成されている。入力信号が論理ローから論理ハイに遷移した場合、RTPCSは、出力電流をバッファ回路に供給するように構成されている。 (A) When an output current flows through FTPCS and the input signal transitions from logic high to logic low, or (b) When an output current flows through RTPCS and the input signal transitions from logic low to logic high The buffer control circuit responds. The FTPCS is configured to supply an output current to the buffer circuit when the input signal transitions from a logic high to a logic low. When the input signal transitions from a logic low to a logic high, the RTPCS is configured to supply an output current to the buffer circuit.
本発明の前述およびその他の態様および利点は、添付図面を参照して以下に説明し記載する。 The foregoing and other aspects and advantages of the invention are described and described below with reference to the accompanying drawings.
図2は、本発明によるプログラマブル遅延ユニット30の概略ブロック図であり、これは、入力信号VAに応答して生成される出力信号VADの立ち上がり遅延時間および立ち下がり遅延時間の双方を独立して調整することができる。
FIG. 2 is a schematic block diagram of a
図2に示すプログラマブル遅延ユニット30は、5つのサブ回路から成る。それらの回路のうち第1のものは、バッファ回路U1であり、入力信号VAを受信し出力信号VADを生成する。また、プログラマブル遅延ユニット30は、P側プログラマブル電流(PSPC:P side Programmable Current)源U2、P側(PS:P Side)ラッチU3、N側プログラマブル電流(NSPC:N side Programmable Current)源U4、およびN側(NS:N Side)ラッチU5を含む。
The
ラッチU3は、コンピュータ制御システム(図示せず)の制御の元で、P側制御ワード入力バス40からのデジタル入力に応答して、PSPC源U2にデジタル信号を供給して、入力信号VAの立ち下がり時間に対する出力信号VADの立ち下がり遅延時間の調整を制御する。次いで、PSPC源U2は、ライン36上でバッファ回路U1に供給される電流を発生する。この電流の可変振幅が、PSラッチU3からのデジタル立ち下がり遅延制御信号に応じて、出力信号VADの立ち下がり遅延時間を制御する。
The latch U3 supplies a digital signal to the PSPC source U2 in response to a digital input from the P-side control
ラッチU5は、コンピュータ制御システム(図示せず)の制御の元で、N側制御ワード入力バス50からのデジタル入力に応答して、NSPC源U4にデジタル信号を供給して、入力信号VAの立ち上がり時間に対する出力信号VADの立ち上がり遅延時間の調整を制御する。次いで、NSPC源U4は、ライン38上でバッファ回路U1に供給される電流を発生する。この電流の可変振幅が、NSラッチU5からのデジタル立ち上がり遅延制御信号に応じて、出力信号VADの立ち上がり遅延時間を制御する。
The latch U5 supplies a digital signal to the NSPC source U4 in response to a digital input from the N-side control
このため、入力信号VAの立ち下がりおよび立ち上がり時間に対する出力信号VADの立ち下がり遅延時間および立ち上がり遅延時間は、独立して制御される。 For this reason, the fall delay time and rise delay time of the output signal VAD with respect to the fall and rise times of the input signal VA are controlled independently.
バッファU1、PSPC源U2、PSラッチU3、NSPC源U4、およびNSラッチU5を含む全てのサブ回路に、接続ノードを介して、ライン31によって、電圧VCC(正の電圧)を有する電源が接続されている。電源の接地または基準電位(0V)は、バッファU1、PSPC源U2、PSラッチU3、NSPC源U4、およびNSラッチU5を含む全てのサブ回路に、接続ノードを介してライン32によって接続されている。
A power supply having a voltage VCC (positive voltage) is connected to all sub-circuits including the buffer U1, the PSPC source U2, the PS latch U3, the NSPC source U4, and the NS latch U5 through a connection node via a
P側制御ワードは、デジタル信号として、バスライン40上でPSラッチU3に供給され、書き込み信号はライン66上でこれに供給される。バスライン40上のP側制御ワードおよびライン66上の書き込み信号は、システム・コントローラ(図示せず)によって、PSラッチU3に供給される。システム・コントローラは、マイクロプロセッサ、位相検出器、マイクロコントローラ、またはグリッチ検出器とすることができ、当業者には充分に理解されよう。
The P-side control word is supplied as a digital signal to the PS latch U3 on the
PSラッチU3は、ライン41、42、43上で、デジタル切り替え信号PL1、・・・、PLn−1、PLnの集合をPSPC源U2に供給する。これは、U2によってU1バッファ入力ライン36に接続されて、バッファU1にアナログ電流を供給する。US2を介してU1バッファ入力ライン36に至るアナログ電流は、ライン40上のP側制御ワードの関数として変動し、これはP側ラッチU3によって登録されている。
The PS latch U3 supplies a set of digital switching signals PL1,..., PLn−1, PLn to the PSPC source U2 on the
N側制御ワードは、デジタル信号として、バスライン50上でNSラッチU5に供給され、書き込み信号はライン76上でこれに供給される。バスライン50上のN側制御ワードおよびライン76上の書き込み信号は、システム・コントローラ(図示せず)によって供給される。システム・コントローラは、マイクロプロセッサ、位相検出器、マイクロコントローラ、またはグリッチ検出器とすることができ、当業者には充分に理解されよう。
The N-side control word is supplied as a digital signal to the NS latch U5 on the
NSラッチU5は、ライン51、52、53上で、デジタル切り替え信NL1、・・・、NLn−1、NLnの集合をNSPC源U4に供給し、これは、ライン38によってバッファU1にアナログ電流を供給する。ライン38を通過するアナログ電流は、ライン50上のN側制御ワードの関数として変動し、これはN側ラッチU5によって登録されている。
NS latch U5 provides a set of digital switching signals NL1,..., NLn-1, NLn on
入力信号VAは、ライン12’を介してバッファU1に接続され、ライン12’からPSラッチU3へのライン46に、また、ライン12’からNSラッチU5へのライン56に接続されている。バッファU1は、ライン39上に出力信号VADを供給する。
Input signal VA is connected to buffer U1 via line 12 ', connected to line 46 from line 12' to PS latch U3, and to line 56 from line 12 'to NS latch U5. Buffer U1 provides an output signal VAD on
1.バッファ回路
図3を参照すると、バッファ回路U1は、2つのインバータI1およびI2ならびにコンデンサCから成る。第1のインバータI1は、その入力がライン12’上の入力信号VAを受信し、更に、その出力をノード37に供給するように接続されている。PSPC源U2からのライン36およびNSPC源38からのライン38は、第1のインバータI1に接続する。
1. Buffer Circuit Referring to FIG. 3, the buffer circuit U1 includes two inverters I1 and I2 and a capacitor C. The first inverter I 1 is connected so that its input receives the input signal VA on
コンデンサCの一方の端子は、第1のインバータI1の出力および第2のインバータI2の入力に、ノード/ライン37を介して接続されている。コンデンサCの他方の端子は、ノード/ライン32を介して基準電位(0V)に接続されている。
One terminal of the capacitor C is connected to the output of the first inverter I1 and the input of the second inverter I2 via the node /
図4に詳細に示す第2のインバータI2は、シュミット・トリガ(Schmitt trigger)回路であり、その入力はノード/ライン37に接続され、その出力は出力ライン39に接続されて、出力信号VADを供給する。更に、第2のインバータI2は、ライン31によって電源電圧VCCおよび、ライン32を介して基準電位(0V)に接続されている。
The second inverter I2 shown in detail in FIG. 4 is a Schmitt trigger circuit, whose input is connected to the node /
図3を参照すると、第1のインバータI1は、PFET PAおよびNFET NAから成るFETデバイスのCMOS対を含む。これらのソース・ドレイン回路は直列に接続され、これらのドレインはノード37において接続されている。PFET PAのソース端子は、ライン36を介してPSPC源U2に接続されている。NFET NAのソース端子は、ライン38を介してNSPC源U4に接続されている。
Referring to FIG. 3, the first inverter I1 includes a CMOS pair of FET devices consisting of PFET PA and NFET NA. These source / drain circuits are connected in series, and these drains are connected at a
ライン12’上の入力信号が論理ハイから論理ローに遷移すると、インバータI1において、PFET PAがオンし、NFET NAがオフする。PFET PAがオンすると、アナログ電流がライン36から流れる。ライン36を流れるアナログ電流は、バスライン40上のP側デジタル制御ワードの関数として変動し、PFET PAのソース/ドレイン回路を介してノード37に流れ、基準電位に対して入力容量Cを充電する。換言すると、コンデンサCまたは第2のインバータI2の入力容量を充電する電流は、ライン36を流れるソース電流であり、これは(上述のように)、図5に示すように、PSPC源U2に接続されている。
When the input signal on line 12 'transitions from logic high to logic low, in inverter I1, PFET PA is turned on and NFET NA is turned off. When PFET PA is turned on, an analog current flows from
充電電流が大きい場合、容量Cを介したノード37上の電圧は急速に増大し、第2のインバータI2の出力は論理ハイから論理ローに早期に変化する。このため、出力信号VADの立ち下がりの遅延時間は短い。一方、充電電流が小さい場合、容量Cを介したノード37上の電圧はゆっくりと増大し、第2のインバータI2の出力VADは論理ハイから論理ローに遅い時期に変化する。このため、出力信号VADの立ち下がりの遅延時間は長い。
When the charging current is large, the voltage on the
入力信号VAが論理ローから論理ハイに遷移すると、インバータI1において、PFET PAはオフになり、NFET NAはオンになる。NFET NAがオンすると、アナログ電流が、コンデンサCからノード37およびライン38を介してバッファU1とNSPC U4との間を流れる。アナログ電流は、バスライン50上のデジタルN側制御ワードの関数として変動し、アナログ・シンク電流がライン38を流れる結果として、第2のインバータI2の入力において入力容量Cを放電し、これは(上述のように)、図7に示すように、NSPC源U4に接続されている。
When the input signal VA transitions from logic low to logic high, in the inverter I1, PFET PA is turned off and NFET NA is turned on. When NFET NA is turned on, analog current flows from capacitor C via
放電電流が大きい場合、容量C上の電圧は急速に降下し、第2のインバータI2の出力VADは論理ローから論理ハイに早期に変化し、出力信号VADの立ち上がりの遅延時間は短い。放電電流が小さい場合、容量C上の電圧はゆっくりと降下し、第2のインバータI2の出力は論理ローから論理ハイに遅い時期に変化し、出力信号VADの立ち上がりの遅延時間は長い。 When the discharge current is large, the voltage on the capacitor C drops rapidly, the output VAD of the second inverter I2 changes from logic low to logic high early, and the rise delay time of the output signal VAD is short. When the discharge current is small, the voltage on the capacitor C drops slowly, the output of the second inverter I2 changes from logic low to logic high at a later time, and the rise delay time of the output signal VAD is long.
第2のインバータI2に対する入力容量Cは、図3に示すように、別個のコンデンサCとすることができる。あるいは、入力容量Cは、第1のインバータI1の出力回路および第2のインバータI2の入力回路の寄生容量から成るものとすることができる。 The input capacitance C for the second inverter I2 can be a separate capacitor C as shown in FIG. Alternatively, the input capacitance C can be composed of the parasitic capacitance of the output circuit of the first inverter I1 and the input circuit of the second inverter I2.
PSPC源U2が立ち下がり遅延時間を決定し、NSPC源U4が立ち上がり遅延時間を決定することは明らかである。上述のように、PSPC源U2およびNSPC源U4は別個に制御されるので、立ち下がり遅延時間および立ち上がり遅延時間は、独立して設定することができる。 Obviously, PSPC source U2 determines the fall delay time and NSPC source U4 determines the rise delay time. As described above, since the PSPC source U2 and the NSPC source U4 are controlled separately, the falling delay time and the rising delay time can be set independently.
図4は、第2のインバータI2の概略回路図の好適な実施形態の詳細を示し、これは、シュミット・トリガ構成に接続された、PMOS FETデバイスPB、PC、およびPD、ならびにNMOS FETデバイスNB、NC、およびNDを含む。第2のインバータI2は、正のフィードバックのため、インバータの出力信号VADの立ち上がり時間および立ち下がり時間を短縮することができる。ノード/ライン37は、第2のインバータI2に対する入力として機能し、ノード/ライン61を介して、PMOS FET PBおよびPCのゲートならびにNMOS FET NBおよびNCのゲートに接続する。
FIG. 4 shows details of a preferred embodiment of the schematic circuit diagram of the second inverter I2, which is connected to the Schmitt trigger configuration, PMOS FET devices PB, PC and PD, and NMOS FET device NB. , NC, and ND. Since the second inverter I2 is positive feedback, the rise time and fall time of the output signal VAD of the inverter can be shortened. Node /
電源電圧VCCは、ライン31を介してノード/ライン66に接続され、これによって、PMOS FET PBのソースおよびNMOS FET NDのドレインに接続する。基準電位0Vは、ライン32を介してノードおよびライン65に接続され、これは、NMOS FET NCのソースおよびPMOS FET PDのドレインに接続する。
The power supply voltage VCC is connected to the node /
PMOS FET PBおよびPCならびにNMOS FET NBおよびNCのソース/ドレイン回路は、ノード66(VCC)とノード65(0V)との間で、この順序で直列に接続されている。PMOS FET PBのドレインは、ノードおよびライン62を介して、PMOS FET PDおよびPCのソースに接続されている。NMOS FET NCのドレインは、ノードおよびライン63を介して、NMOS FET NBおよびNDのソースに接続されている。PMOS FET PCおよびNMOS FET NBのドレインは、ノードおよびライン64ならびに出力ライン39を介して、出力信号VADの端子およびPMOS FET PDおよびNMOS FET NDのゲートに接続されている。
The source / drain circuits of the PMOS FETs PB and PC and the NMOS FETs NB and NC are connected in series in this order between the node 66 (VCC) and the node 65 (0 V). The drain of PMOS FET PB is connected to the sources of PMOS FET PD and PC via a node and
2.P側プログラマブル電流(PSPC)源U2
図5は、図2のPSPC源U2の概略回路図である。これは、P型電流ミラーであり、PFラッチU3からのライン41〜43上のデジタル入力信号を、出力ライン36を介してアナログ電流に変換する。電流ミラーの主要部分は、固定電流源IP、および、ミラーされる電流を供給する最初のPMOS FET P0を含む。PMOS FET P0のソースは、ライン/ノード71を介して、電源電圧VCCへのライン31に接続されている。PMOS FET P0のドレインおよびゲートは、ノード/ライン72および固定電流源IPの上端に相互接続されている。固定電流源IPの下端は、ライン32を介して電源の基準電位(0V)端子に接続されている。
2. P-side programmable current (PSPC) source U2
FIG. 5 is a schematic circuit diagram of the PSPC source U2 of FIG. This is a P-type current mirror that converts the digital input signal on lines 41-43 from the PF latch U3 into an analog current via the
P型電流ミラーの補助的な部分は、プログラマブル電流源を備えたPMOS FETフィンガP1、・・・、Pn−1、Pnの集合を含む。これらは、PSラッチU3からライン41、42、43上で各デジタル切り替え信号PL1、・・・、PLn−1、PNを受信するように接続されたスイッチ回路によって切り替えられる。P型電流ミラーの補助的部分は、更に、デフォルトPFET PDを含む。PMOS FET P0、切り替えられたPMOS FET P1、・・・、Pn−n、Pn、およびPMOSデフォルトFET PDは、同じチャネル長を有するが、全て異なるチャネル幅を有する。フィンガP1、・・・、Pn−1の各々を介したアナログ電流は、固定電流源IPを介した電流と、PMOS FET P0のチャネル幅に対する特定のフィンガにおけるPMOS FETのチャネル幅の比との積である。
The auxiliary part of the P-type current mirror includes a set of PMOS FET fingers P1,..., Pn-1, Pn with programmable current sources. These are switched by a switch circuit connected to receive the respective digital switching signals PL1,..., PLn-1, PN on
スイッチ回路は、インバータIP1、・・・、IPn−1、IPnの集合を備え、PMOS FET P1_1、P1_2、・・・、Pn−1_1、Pn−1_2、Pn_1、およびPn_2の対応する直列接続対が、ライン41、42、43上の信号PL1、PLn−1、PLnに応答して、フィンガP1、・・・Pn−1、Pnの各々をオンまたはオフする。PMOS FET P1_1およびP1_2、PFET Pn−1_1およびPFET Pn−1_2、PFET Pn_1およびPFET Pn_2は、直列対として接続され、それらのソース/ドレイン回路は直列に接続されている。上方のPMOS FET P1_1、Pn−1_1、およびPn_1のソースは、ライン/ノード71およびライン31を介して電源VCCに接続されている。PFET P1_2、Pn−1_2、およびPn_2のドレインは、ライン/ノード72を介して、PMOS FETP0のゲートおよび電流源IPの上端に接続されている。PMOS FET P1、Pn−1、Pnのドレインは、ライン/ノード79および出力ライン36を介して、バッファU1に接続されている。
The switch circuit comprises a set of inverters IP1,..., IPn-1, IPn, and corresponding series connected pairs of PMOS FETs P1_1, P1_2,..., Pn-1_1, Pn-1_2, Pn_1, and Pn_2. In response to signals PL1, PLn-1, PLn on
P側ラッチU3からのライン41上の第1の入力PL1は、第1のスイッチ回路のノード73に接続し、これは、PMOS FET P1_2のゲートおよび、出力をPMOS FET P1_1のゲートに供給するインバータIP1の入力に接続する。PSラッチU3からのライン42上のn−1番目の入力PLn−1は、n−1番目のスイッチ回路のノード75に接続し、これはPMOS FET Pn−1_2のゲートおよび、出力をPMOS FET Pn−1_1のゲートに供給するインバータIPn−1の入力に接続する。PSラッチU3からのライン43上のn番目の入力PLnは、n番目のスイッチ回路のノード77に接続し、これはPMOS FET Pn_2のゲートおよび、出力をPMOS FET Pn_1のゲートに供給するインバータIPnの入力に接続する。
The first input PL1 on
例えば、PSラッチU3からのPL1ライン41上の制御信号が論理ローである場合、第1のスイッチ回路において、PMOS FET P1_1はオフになり、PMOS FET P1_2はオンになって、PMOS FET P1をオンさせ、このため、PMOS FET P1を介してミラーされた電流はオンになり、電流が、電圧源VCCから、ライン31、ノード71、フィンガP1のソース/ドレイン、およびノード79を介して流れることができ、ライン36を介して電流の出力流がバッファU1に供給される。一方、PL1ライン41上の制御信号が論理ハイである場合、PMOS FET P1_1はオンになり、PMOS FET P1_2はオフになり、そのため、PMOS FET P1はオフになるので、ミラーされた電流は、フィンガP1のソース/ドレイン回路を介して、ライン79およびライン36を経て、バッファU1に供給されない(すなわち流れない)。
For example, if the control signal on the
PMOS FET PDは、デフォルトのフィンガであり、そのゲート電極にスイッチ回路は接続されていない。バッファU1のPMOS FET PAがオンされると、PMOS FET PDは常に充電電流を供給し、そのため、全てのプログラマブル・フィンガがオフされると、PMOS FET PDは、ライン/ノード79を介して、ライン36を経て、バッファU1に充電電流を供給する。全てのインバータ(IP1、・・・、IPn−1、IPn)は、電源VCCおよび0Vによって電力供給される。
The PMOS FET PD is a default finger, and no switch circuit is connected to its gate electrode. When the FET FET PA of the buffer U1 is turned on, the PMOS FET PD always supplies charging current, so when all the programmable fingers are turned off, the PMOS FET PD is connected to the line via the line /
3.P側(PS)ラッチU3
図6は、図2のPSラッチU3の概略回路図である。PSラッチU3は、「n」個のD型レジスタPD1、・・、PDn−1、PDnの集合から成る。D型レジスタまたはDレジスタは、デジタル回路において極めてよく知られたユニットである。かかるレジスタは、2つの入力、すなわちDおよびCLKを有する。CLK入力にパルスを印加すると、入力D上の論理ステータスが、レジスタ出力Qに読み込まれる。D型レジスタのデータ端子は、バスライン40において個別のラインPCW1、・・・PCWn−1、PCDWnに接続され、これは、P側制御ワードのビットを、レジスタPD1、・・・、PDn−1、PDnの各々に接続する。レジスタPD1、・・・、PDn−1、PDnの補足出力−Qは、P側PSPC源U2に対してライン41〜43上でデジタル制御信号PL1、・・・、PLn−1、PLnを供給する。
3. P side (PS) latch U3
FIG. 6 is a schematic circuit diagram of the PS latch U3 of FIG. The PS latch U3 includes a set of “n” D-type registers PD1,..., PDn−1, PDn. D registers or D registers are very well known units in digital circuits. Such a register has two inputs, D and CLK. When a pulse is applied to the CLK input, the logic status on input D is read into register output Q. The data terminal of the D-type register is connected to the individual lines PCW1,... PCWn-1, PCDWn in the
バスライン40上のP側制御ワードを、ライン66上の書き込み信号によって書き込む場合、(ライン66上の「書き込み」信号によって、AND45を介して、ライン/ノード44を経てレジスタPD1、・・・、PDn−1、PDnのCLK入力に接続するノードに接続された)フィンガP1、Pn−1、Pnの制御信号の論理ステータスを変化させることができる。例えば、ラインPCW1上のビットが論理ハイであり、レジスタPD1に書き込まれると、PLライン41は論理ローであり、P側PSPC源U2のフィンガP1をオンする。しかしながら、ラインPCW1上のビットが論理ローであり、レジスタPD1に書き込まれると、PL1ライン41は論理ハイであり、これはPSPC源U2のフィンガP1をオフにする。
When the P-side control word on the
ANDゲート45は、保護を提供するので重要であり、AND45に対するライン46上の入力信号VAが論理ハイである場合(バッファU1の第1のインバータI1のPMOS FET PAがオフされるので)、ライン66上の「書き込み」信号は、P側制御ワードの新しいステータスを、レジスタPD1、・・・、PDn−1、PDnに書き込んで、フィンガP1、P1n−1、Pnの論理ステータスを変更することができる。
The AND
この保護機能によって、入力信号VAの入力パルスの各立ち下がりの遅延時間のタイミングが予想可能かつ制御可能であることが保証される。この機能によって、遅延ユニットは、オン・ラインおよびリアル・タイムの双方で高速システムのタイミングを調整することが可能となる。 This protection function ensures that the timing of the delay time of each falling edge of the input pulse of the input signal VA is predictable and controllable. This feature allows the delay unit to adjust the timing of high speed systems both on-line and in real time.
全てのD型レジスタ(PD1、・・・、PDn−1、PDn)およびANDゲート45は、電源VCCおよび0Vによって電力供給される。(D型レジスタ上の接続31および32を消去してください)。
All D-type registers (PD1,..., PDn-1, PDn) and the AND
4.N側プログラマブル電流(NSPC)源U4
図7は、図2のNSPC源U4の概略回路図である。これは、N型電流ミラーであり、NSラッチU5からのライン51〜53上のデジタル入力信号を、出力ライン38を介してアナログ電流に変換する。電流ミラーの主要部分は、固定電流源IN、および、ミラーされる電流を供給する最初のNMOS FET N0を含む。NMOS FET P0のソースは、ライン/ノード81を介して、基準電位(0V)へのライン32に接続されている。NMOS FET N0のドレインおよびゲートは、ノード/ライン82および固定電流源INの下端に相互接続されている。固定電流源INの上端は、ライン31を介して、電源電圧VCCの端子に接続されている。
4). N-side programmable current (NSPC) source U4
FIG. 7 is a schematic circuit diagram of the NSPC source U4 of FIG. This is an N-type current mirror that converts the digital input signal on lines 51-53 from NS latch U5 into an analog current via
図7に示すNSPC源U4は、N型電流ミラーである。電流ミラーの主要部分は、固定電流源INおよびPMOS FET N0である。電流ミラーU4の補助的部分は、切り替えられたNMOS FETフィンガN1、・・・Nn−1、Nnの集合およびデフォルトNMOS FET NDである。NFET N0、N1、・・・、Nn−1、Nn、NDは、同じチャネル長を有するが、異なるチャネル幅を有し、各フィンガを介した電流は、固定電流源INを介する電流と、PMOS FET N0のチャネル幅に対する特定のフィンガにおけるNMOS FETのチャネル幅の比との積である。 The NSPC source U4 shown in FIG. 7 is an N-type current mirror. The main parts of the current mirror are a fixed current source IN and a PMOS FET N0. The auxiliary parts of the current mirror U4 are the switched NMOS FET fingers N1,... Nn−1, the set of Nn and the default NMOS FET ND. NFETs N0, N1,..., Nn-1, Nn, ND have the same channel length but different channel widths, and the current through each finger is equal to the current through the fixed current source IN and the PMOS. The product of the ratio of the channel width of the NMOS FET at a particular finger to the channel width of the FET N0.
IN1、・・・INn−1、INnのインバータ、NMOS FET N1_1、N1_2、・・・Nn−1_1、Nn−1_2、Nn_1、Nn_2を用いて、フィンガの各々をオンまたはオフにする。例えば、NSラッチU5からのNL1ライン51上の制御信号が論理ハイである場合、NMOS FETN1_1はオフになり、NMOS FET N1_2はオンになるので、NMOS FET N1はオフになり、NMOS FET N1を介したミラー電流はオンになる。NL1ライン51上の制御信号が論理ローである場合、NMOS FET N1_1はオンになり、NMOS FET N1_2はオフになり、NMOS FET N1はオフになり、このため、ミラーされた電流は、フィンガN1から、NSPC源U4のフィンガのソース/ドレインを介して、ライン89および38を経て、バッファU1に供給されない(すなわち流れない)。
Each of the fingers is turned on or off by using IN1,... INn-1, INn inverters, NMOS FETs N1_1, N1_2,... Nn-1_1, Nn-1_2, Nn_1, Nn_2. For example, if the control signal on the
NMOS FET NDは、デフォルトのフィンガであり、ゲートにスイッチ回路は存在しない。バッファU1のNMOS FET NAがオンされると、NMOS FET NDは常に放電電流を供給し、このため、全てのプログラマブル・フィンガがオフすると、NMOS FET NDは放電電流を供給する。全てのインバータ(IN1、・・・、INn−1、INn)は、電源VCCおよび基準電位(0V)を通る接続によって電力供給される。 The NMOS FET ND is a default finger and there is no switch circuit at the gate. When the NMOS FET NA of the buffer U1 is turned on, the NMOS FET ND always supplies a discharge current. Therefore, when all the programmable fingers are turned off, the NMOS FET ND supplies a discharge current. All inverters (IN1,..., INn-1, INn) are powered by connections through the power supply VCC and the reference potential (0V).
5.N側(NS)ラッチU5
図8に示すNSラッチU5は、D型レジスタND1、・・・、DNn−1、NDnの集合から成り、レジスタのデータ端子は、N側制御ワードNCW1、・・・、NCWn−1、NCWnのビットに接続されている。レジスタND1、・・・、NDn−1、NDnの出力は、NSPC源U4に対するライン51〜53上のデジタル制御信号NL1、・・・、NLn−1、NLnを供給する。レジスタND1、・・・、NDn−1、NDnのCLK入力に接続されているノードおよびライン54にAND55を介して送信されるライン76上の「書き込み」信号によって、バスライン50上の制御ワードをレジスタND1、・・・、NDn−1、NDnに書き込む場合、レジスタNL1、NLn−1、NLnの制御信号の論理ステータスを変更することができる。
5). N side (NS) latch U5
The NS latch U5 shown in FIG. 8 is composed of a set of D-type registers ND1,..., DNn-1, and NDn, and the data terminals of the registers have N-side control words NCW1, ..., NCWn-1, NCWn. Connected to the bit. The outputs of registers ND1, ..., NDn-1, NDn provide digital control signals NL1, ..., NLn-1, NLn on lines 51-53 to NSPC source U4. The control word on the
例えば、P側制御バスライン50からのラインNCW1上の制御ワードビットが論理ハイであり、レジスタND1に書き込まれると、NL1ライン51上の制御信号は論理ハイであり、NSPC源U4のフィンガN1をオンする。NCW1のビットが論理ローであり、レジスタND1に書き込まれる場合、NL1は論理ローであり、NSPC源U4のフィンガN1をオフにする。
For example, if the control word bit on line NCW1 from the P-side
インバータ57およびANDゲート55の組み合わせによって、重要な保護が提供される。入力信号VAが論理ローである場合にのみ、バッファU1のNMOS FET NAはオフになり、信号「書き込み」が、レジスタND1、・・・、NDn−1、NDnにN側制御ワードの新しいステータスを書き込んで、ラインNL1、・・・、NLn−1、NLn上の論理ステータスを変更することができる。
The combination of
この保護機能によって、入力信号VAの入力パルスの各立ち上がりの遅延時間が予想可能かつ制御可能であることが保証される。この機能によって、遅延ユニットは、オン・ラインおよびリアル・タイムの双方で高速システムのタイミングを調整することが可能となる。 This protection function ensures that the delay time of each rising edge of the input pulse of the input signal VA is predictable and controllable. This feature allows the delay unit to adjust the timing of high speed systems both on-line and in real time.
全てのD型レジスタ(ND1、・・・、NDn−1、NDn)およびANDゲート55およびインバータ57は、電源VCCおよび基準電位(0V)によって電力供給される。
All the D-type registers (ND1,..., NDn-1, NDn), the AND
本発明について、上述の具体的な実施形態に関連付けて説明したが、本発明は特許請求の範囲の精神および範囲内で変更して実施し得ること、すなわち、本発明の精神および範囲から逸脱することなく形態および詳細において変更を行い得ることは、当業者には認められよう。従って、全てのかかる変更は、本発明の範囲内であり、本発明は、特許請求の範囲の主題を包含する。 While the invention has been described in connection with the specific embodiments described above, the invention can be practiced with modification within the spirit and scope of the appended claims, i.e., depart from the spirit and scope of the invention. Those skilled in the art will recognize that changes may be made in form and detail without any changes. Accordingly, all such modifications are within the scope of this invention and this invention includes the subject matter of the claims.
Claims (20)
バッファ入力信号を受信するように構成されたバッファ回路を設けるステップであって、前記バッファ入力信号は入力信号立ち下がり時間で立ち下がり、前記バッファ入力信号は入力信号立ち上がり時間で立ち上がる、ステップと、
前記バッファ回路が、出力信号立ち下がり時間で立ち下がりバッファ出力信号を供給し、出力信号立ち上がり時間で立ち上がりバッファ出力信号を供給するステップと、
可変立ち下がり時間制御入力を供給するステップと、
可変立ち上がり時間制御入力を供給するステップと、
前記立ち下がり時間制御入力の関数として、前記バッファ回路に対する可変立ち下がり時間プログラマブル制御源(FTPCS)信号をプログラミングするためのFTPCSを設けるステップと、
前記立ち上がり時間制御入力の関数として、前記バッファ回路に対する可変立ち上がり時間プログラマブル制御源(RTPCS)信号をプログラミングするためのRTPCSを設けるステップと、
前記バッファ回路が、前記可変FTPCS信号の関数として、前記入力信号立ち下がり時間と前記出力信号立ち下がり時間との間の立ち下がり時間遅延を前記バッファ出力信号に与える、ステップと、
前記バッファ回路が、前記可変RTPCS信号の関数として、前記入力信号立ち上がり時間と前記出力信号立ち上がり時間との間の立ち上がり時間遅延を前記バッファ出力信号に与える、ステップと、
を備える、方法。 A method for providing programming of a dual edge programmable delay unit comprising:
Providing a buffer circuit configured to receive a buffer input signal, the buffer input signal falling at an input signal fall time, and the buffer input signal rising at an input signal rise time;
The buffer circuit provides a falling buffer output signal at an output signal fall time and a rising buffer output signal at an output signal rise time;
Providing a variable fall time control input;
Providing a variable rise time control input;
Providing an FTPCS for programming a variable fall time programmable control source (FTPCS) signal to the buffer circuit as a function of the fall time control input;
Providing an RTPCS for programming a variable rise time programmable control source (RTPCS) signal to the buffer circuit as a function of the rise time control input;
The buffer circuit provides the buffer output signal with a fall time delay between the input signal fall time and the output signal fall time as a function of the variable FTPCS signal;
The buffer circuit provides the buffer output signal with a rise time delay between the input signal rise time and the output signal rise time as a function of the variable RTPCS signal;
A method comprising:
前記バッファ入力信号を中間ノードを介して受信する入力を有するように前記第1のインバータを設けるステップと、
第2のインバータ入力に対する入力に応答して前記バッファ出力信号を発生するように第2のインバータ出力を設けるステップと、
前記第2のインバータ入力に接続された第1のインバータ出力を有するように前記第1のインバータを設けるステップと、
前記入力信号が論理ハイから論理ローに遷移して前記立ち下がり時間遅延を開始させる場合、前記FTPCSに応答するように前記第1のインバータを設けるステップと、
前記入力信号が論理ローから論理ハイに遷移して前記立ち上がり時間遅延を開始させる場合、前記第2のRTPCSに応答するように前記第1のインバータを設けるステップと、
前記立ち下がり時間遅延の終了時に前記立ち下がりバッファ出力信号を開始し、立ち上がり時間遅延の終了時に前記立ち上がりバッファ出力信号を開始するように前記第2のインバータのトリガを発生するステップと、
を含む、請求項1に記載の方法。 Providing the buffer circuit with a first inverter and a second inverter;
Providing the first inverter to have an input for receiving the buffer input signal via an intermediate node;
Providing a second inverter output to generate the buffer output signal in response to an input to a second inverter input;
Providing the first inverter to have a first inverter output connected to the second inverter input;
Providing the first inverter to respond to the FTPCS when the input signal transitions from a logic high to a logic low to initiate the fall time delay;
Providing the first inverter to respond to the second RTPCS when the input signal transitions from a logic low to a logic high to initiate the rise time delay;
Generating a trigger for the second inverter to start the falling buffer output signal at the end of the fall time delay and to start the rising buffer output signal at the end of the rise time delay;
The method of claim 1 comprising:
前記第2のインバータとしてシュミット・トリガ回路を設けるステップと、
を含む、請求項3に記載の方法。 Connecting a capacitor between the node and a reference potential;
Providing a Schmitt trigger circuit as the second inverter;
The method of claim 3 comprising:
a.前記入力信号が論理ハイから論理ローに遷移した場合に前記FTPCSからの出力電流に応答し、
b.前記入力信号が論理ローから論理ハイに遷移した場合に前記RTPCSを介した出力電流に応答する、
ように設けられるステップを含む、請求項3に記載の方法。 The buffer control circuit;
a. Responsive to the output current from the FTPCS when the input signal transitions from logic high to logic low;
b. Responding to the output current through the RTPCS when the input signal transitions from a logic low to a logic high;
The method of claim 3, comprising steps provided as follows.
第2の制御ワードを第2のラッチに供給し、このラッチは次いで第2の可変制御信号を前記RTPCSに供給するステップと、
を含む、請求項3に記載の方法。 Providing a first control word to a first latch, which in turn provides a first variable control signal to the FTPCS;
Providing a second control word to a second latch, which then provides a second variable control signal to the RTPCS;
The method of claim 3 comprising:
前記第2のRTPCSにFETフィンガを設けるステップであって、各フィンガは対応するラッチにおいてレジスタからの出力によって制御される、ステップと、
を含む、請求項7に記載の方法。 Providing FET fingers in the FTPCS, each finger being controlled by an output from a register in the first latch; and
Providing FET fingers in the second RTPCS, each finger being controlled by an output from a register in a corresponding latch;
The method of claim 7 comprising:
第1の制御ワードを第1のラッチに供給し、このラッチは次いで第1の可変制御信号を前記第1のFTPCSに供給する、ステップと、
第2の制御ワードを第2のラッチに供給し、このラッチは次いで第2の可変制御信号を前記第2のRTPCSに供給する、ステップと、
前記FTPCSにFETフィンガを設けるステップであって、各フィンガは前記第1のラッチにおいてレジスタからの出力によって制御される、ステップと、
前記RTPCSにFETフィンガを設けるステップであって、各フィンガは対応するラッチにおいてレジスタからの出力によって制御される、ステップと、
を含む、請求項3に記載の方法。 Providing a current mirror circuit in the FTPCS and the RTPCS;
Providing a first control word to a first latch, which then provides a first variable control signal to the first FTPCS;
Providing a second control word to a second latch, which in turn provides a second variable control signal to the second RTPCS;
Providing FET fingers in the FTPCS, each finger being controlled by an output from a register in the first latch; and
Providing FET fingers in the RTPCS, each finger being controlled by an output from a register in a corresponding latch; and
The method of claim 3 comprising:
前記第2のインバータとしてシュミット・トリガ回路を設けるステップと、
を含む、請求項9に記載の方法。 Connecting a capacitor between the node and a reference potential;
Providing a Schmitt trigger circuit as the second inverter;
The method of claim 9, comprising:
第2の制御ワードを第2のラッチに供給し、このラッチは次いで第2の可変制御信号を前記RTPCSに供給する、ステップと、
を含む、請求項9に記載の方法。 Providing a first control word to a first latch, which in turn provides a first variable control signal to the FTPCS;
Providing a second control word to a second latch, which then provides a second variable control signal to the RTPCS;
The method of claim 9, comprising:
前記RTPCSにおいてFETフィンガを設けるステップであって、各フィンガは対応するラッチにおいてレジスタからの出力によって制御される、ステップと、
を含む、請求項13に記載の方法。 Providing FET fingers in the FTPCS, each finger being controlled by an output from a register in the first latch; and
Providing FET fingers in the RTPCS, each finger being controlled by an output from a register in a corresponding latch; and
14. The method of claim 13, comprising:
バッファ制御回路に、信号入力、信号出力、PSPC接続ライン、およびNSPC接続ラインを供給するステップと、
P側プログラマブル電流(PSPC)入力と、前記PSPC接続ラインを介して前記バッファに接続されたPSPC電流ラインとを有するPSPC源を設けるステップと、
N側(NS)制御ワードおよびN側書き込み信号の入力を受信し、前記N側制御ワードの関数であるN側切り替え信号の出力を受信するように構成されたN側ラッチを設けるステップと、
前記NSラッチが、前記N側制御ワードの関数であるN側切り替え信号の出力を供給し、前記N側切り替え信号の出力は前記NSPC源の前記入力に供給される、ステップと、
N側プログラマブル電流(NSPC)源入力と、前記NSPC接続ラインを介して前記バッファに接続されたNSPC電流ラインとを有するNSPC源を設けるステップと、
P側(PS)制御ワードおよびP側書き込み信号の入力を受信し、前記P側制御ワードの関数であるP側切り替え信号の出力を受信するように構成されたP側ラッチを設けるステップと、
前記PSラッチが、前記P側制御ワードの関数であるP側切り替え信号の出力を供給し、前記P側切り替え信号の前記出力は前記PSPC源の前記入力に供給される、ステップと、
を備える、方法。 A method for providing dual edge programming in a programmable delay unit comprising:
Supplying the buffer control circuit with signal input, signal output, PSPC connection line, and NSPC connection line;
Providing a PSPC source having a P-side programmable current (PSPC) input and a PSPC current line connected to the buffer via the PSPC connection line;
Providing an N-side latch configured to receive an input of an N-side (NS) control word and an N-side write signal and receive an output of an N-side switching signal that is a function of the N-side control word;
The NS latch provides an output of an N-side switching signal that is a function of the N-side control word, and an output of the N-side switching signal is provided to the input of the NSPC source;
Providing an NSPC source having an N-side programmable current (NSPC) source input and an NSPC current line connected to the buffer via the NSPC connection line;
Providing a P-side latch configured to receive input of a P-side (PS) control word and a P-side write signal and to receive an output of a P-side switching signal that is a function of the P-side control word;
The PS latch provides an output of a P-side switching signal that is a function of the P-side control word, and the output of the P-side switching signal is provided to the input of the PSPC source;
A method comprising:
前記入力信号が論理ハイから論理ローに遷移して前記第1のPSPC源と前記第1の出力との間を接続する場合、前記第1のPSPC源に応答するように前記第1のインバータを設けるステップと、
前記入力信号が論理ローから論理ハイに遷移して前記第2のPSPC源と前記第1の出力との間を接続する場合、前記第2のPSPC源に応答するように前記第1のインバータを設けるステップと、
前記第1のインバータの前記第1の出力を、前記第2のインバータの前記第2の入力に接続されたノードに接続するステップと、
前記第2のインバータが、前記第2のインバータから、前記第2の出力において前記出力信号を供給する、ステップと、
を含む、請求項15に記載の方法。 Providing a first inverter and a second inverter in the buffer circuit, each inverter having an input and an output, the first inverter having a first input and a first output, The second inverter has a second input and a second output; and
When the input signal transitions from a logic high to a logic low to connect the first PSPC source and the first output, the first inverter is responsive to the first PSPC source. Providing steps;
When the input signal transitions from a logic low to a logic high to connect between the second PSPC source and the first output, the first inverter is configured to respond to the second PSPC source. Providing steps;
Connecting the first output of the first inverter to a node connected to the second input of the second inverter;
The second inverter provides the output signal at the second output from the second inverter;
The method of claim 15 comprising:
前記第1のインバータに対する前記入力を、前記PMOS FETおよび前記NMOS FETのゲート電極に接続するステップと、
を含む、請求項15に記載の方法。 Providing a PMOS FET and an NMOS FET in the first inverter, wherein a first end of the source / drain circuit is connected to the output of the first inverter;
Connecting the input to the first inverter to the gate electrodes of the PMOS FET and NMOS FET;
The method of claim 15 comprising:
バッファ入力信号を受信するように構成されたバッファ回路であって、前記バッファ入力信号は入力信号立ち下がり時間で立ち下がり、前記バッファ入力信号は入力信号立ち上がり時間で立ち上がる、バッファ回路と、
前記バッファ回路が、出力信号立ち下がり時間で立ち下がりバッファ出力信号を供給し、出力信号立ち上がり時間で立ち上がりバッファ出力信号を供給し、
可変立ち下がり時間制御入力と、
可変立ち上がり時間制御入力と、
前記立ち下がり時間制御入力の関数として、前記バッファ回路に対する可変立ち下がり時間プログラマブル制御源(FTPCS)信号をプログラミングするためのFTPCSと、
前記立ち上がり時間制御入力の関数として、前記バッファ回路に対する可変立ち上がり時間プログラマブル制御源(RTPCS)信号をプログラミングするためのRTPCSと、
を備え、
前記バッファ回路が、前記可変FTPCS信号の関数として、前記入力信号立ち下がり時間と前記出力信号立ち下がり時間との間の立ち下がり時間遅延を前記バッファ出力信号に与え、
前記バッファ回路が、前記可変RTPCS信号の関数として、前記入力信号立ち上がり時間と前記出力信号立ち上がり時間との間の立ち上がり時間遅延を前記バッファ出力信号に与える、デュアル・エッジ・プログラマブル遅延ユニット。 A dual edge programmable delay circuit,
A buffer circuit configured to receive a buffer input signal, the buffer input signal falling at an input signal fall time, and the buffer input signal rising at an input signal rise time;
The buffer circuit supplies a falling buffer output signal at an output signal falling time, and supplies a rising buffer output signal at an output signal rising time;
Variable fall time control input,
Variable rise time control input,
FTPCS for programming a variable fall time programmable control source (FTPCS) signal for the buffer circuit as a function of the fall time control input;
RTPCS for programming a variable rise time programmable control source (RTPCS) signal for the buffer circuit as a function of the rise time control input;
With
The buffer circuit provides the buffer output signal with a fall time delay between the input signal fall time and the output signal fall time as a function of the variable FTPCS signal;
A dual edge programmable delay unit, wherein the buffer circuit provides the buffer output signal with a rise time delay between the input signal rise time and the output signal rise time as a function of the variable RTPCS signal.
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