JP2005167247A - 基板を準備する方法、測定方法、デバイス製造方法、リソグラフィ装置、コンピュータ・プログラム、及び基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のマーカが、基板の結晶軸に対するある角度範囲で基板上のレジストに印刷される。マーカは、異方性エッチング・プロセスを使用して基板にエッチングされ、マーカは、エッチングの後でそれらの見掛けの位置が結晶軸に対するそれらの方位に依拠するようなものである。マーカの見掛けの位置が測定され、かつこれから結晶軸の方位が得られる。
【選択図】図5
Description
前記複数の位置合わせマーカの位置を測定すること、
前記所定の位置から前記位置合わせマーカの測定された位置の偏差を決定すること、
前記偏差から前記複数の位置合わせマーカに対する前記結晶軸の方位を決定することを含む。
基板を提供するステップと、
照明システムを使用して放射の投影ビームを提供するステップと、
投影ビームにその断面にパターンを与えるためにパターン形成手段を使用するステップと、
基板の標的部分上に放射のパターン形成されたビームを投影するステップとを含み、
前記投影の間、投影されたパターンに対する前記基板の方位は、上述された方法によって決定された結晶軸の方位を示す情報を参照することによって、少なくとも部分的に決定されることを特徴とする。
放射(例えば、UV放射又はDUV放射)の投影ビームPBを提供するための照明システム(照明器)ILと、
パターン形成手段(例えば、マスク)MAを支持し、かつアイテムPLに対してパターン形成手段を正確に配置するための第1の配置手段PMに接続された、第1の支持構造体(例えば、マスク・テーブル)MTと、
基板(例えば、レジスト被覆されたウェハ)Wを保持し、かつアイテムPLに対して基板を正確に配置するための第2の配置手段PWに接続された、基板テーブル(例えば、ウェハ・テーブル)WTと、
基板Wの標的部分C(例えば、1つ又は複数のダイを備える)上に、パターン形成手段MAによる投影ビームPBに与えられるパターンを像形成するための投影システム(例えば、屈折投影レンズ)PLを備える。
1.ステップ・モードにおいて、投影ビームに与えられる全体パターンが、1回毎標的部分C上に投影される(すなわち、単一の静的露光)間に、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、本質的に静止されたままである。基板テーブルWTは、次に、異なる標的部分Cが露光することができるように、X及び/又はY方向にシフトされる。ステップ・モードにおいて、露光領域の最大サイズが、単一の静的露光で像形成される標的部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードにおいて、投影ビームに与えられるパターンが、標的部分C上に投影される(すなわち、単一の動的露光)間に、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、同期して走査される。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの拡大(縮小)及び画像反転特性によって決定される。スキャン・モードにおいて、露光領域の最大サイズは、単一の動的露光における標的部分の幅(非走査方向における)を制限し、一方、走査移動の長さは、標的部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.他のモードにおいて、マスク・テーブルMTは、プログラム可能なパターン形成手段を本質的に静的に保持したままであり、基板テーブルWTは、投影ビームに与えられるパターンが標的部分C上に投影される間に、移動され又は走査される。このモードにおいて、一般に、パルス放射源が用いられ、プログラム可能なパターン形成手段は、基板テーブルWTの各移動の後又は走査中の連続する放射パルスの間で、必要があれば更新される。操作のこのモードは、上記されるようなプログラム可能なミラー・アレイなどの、プログラム可能なパターン形成手段を使用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (15)
- 基板を準備する方法であって、
前記基板の表面上に、それぞれ所定の位置に複数の位置合わせマーカを設けることを含み、前記位置合わせマーカの中の異なる位置合わせマーカは前記基板の結晶軸に対する異なる方位を有し、前記位置合わせマーカの形態はそれら位置合わせマーカの見掛けの位置が前記結晶軸に対するそれらの方位に依拠している方法。 - 前記位置合わせマーカの前記方位が(5×10−6)°から4°の範囲の量だけ互いに異なる請求項1に記載の方法。
- 前記複数の位置合わせマーカが前記結晶軸の垂直方位の両側で0.5°から2°の範囲に及ぶ方位を有する請求項1又は2に記載の方法。
- 前記位置合わせマーカを提供することが異方性エッチング・プロセスを使用して前記基板に前記前記位置合わせマーカをエッチングすることを含む請求項1から3までのいずれか一項に記載の方法。
- 基板の結晶構造の方位を決定する方法であって、前記基板は前記基板上にそれぞれ所定の位置に複数の位置合わせマーカが設けられ、前記位置合わせマーカの中の異なる位置合わせマーカは前記基板の結晶軸に対する異なる方位を有し、前記方法は、
前記複数の位置合わせマーカの位置を測定すること、
前記所定の位置から前記位置合わせマーカの測定された位置の偏差を決定すること、
前記偏差から前記複数の位置合わせマーカに対する前記結晶軸の方位を決定することを含む方法。 - 前記基板及び/又は同一の結晶から切り出された他の基板上に、前記決定された方位を示す情報であるマーカを形成することをさらに含む請求項5に記載の方法。
- 前記決定された方位を表すデータベースへのエントリをすることをさらに含む請求項5又は6に記載の方法。
- デバイス製造方法であって、
基板を提供するステップと、
照明システムを使用して放射の投影ビームを提供するステップと、
前記投影ビームにその断面にパターンを与えるためのパターン形成手段を使用するステップと、
前記基板の標的部分上に放射の前記パターン形成されたビームを投影するステップを含み、
前記投影の間、前記投影されたパターンに対する前記基板の方位が、請求項5から7までのいずれか一項の方法によって決定された結晶軸の前記方位を示す情報を参照することによって、少なくとも部分的に決定されることを特徴とする方法。 - 前記投影が前記基板の第1の側上に向けられ、前記基板がそれぞれ所定の位置に複数の位置合わせマーカを前記基板の第2の側上に備え、前記位置合わせマーカの中の異なる位置合わせマーカは前記基板の結晶軸に対する異なる方位を有する請求項8に記載の方法。
- 前記投影が第1の基板に向けられ、前記結晶軸の方位を示す前記情報が第2の基板の測定値から導き出され、前記第1及び第2の基板が同じ単一の結晶から切り出される請求項8に記載の方法。
- 前記位置合わせマーカが格子、格子のグループ、シェブロン、ボックスからなるグループから選択される請求項1から10までのいずれか一項に記載の方法。
- 各前記位置合わせマーカが対照を成す背景上に複数の小さな要素を有する少なくとも1つの領域を備える請求項1から11までのいずれか一項に記載の方法。
- リソグラフィ装置であって、
放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームにその断面にパターンを与えるように作用するパターン形成手段を支持する支持構造体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の標的部分上にパターン形成されたビームを投影するための投影システムと、
前記基板の位置合わせマークの位置を測定する位置合わせシステムを備え、
制御手段が、請求項5から10までのいずれか一項に記載の方法を実行するために、前記装置を制御することを特徴とするリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置で実行されるとき、前記装置に、請求項5から10までのいずれか一項に記載の方法を実行させるように指示するプログラム・コード手段を備えるコンピュータ・プログラム。
- それぞれ所定の位置に複数の位置合わせマーカをその上に有する基板であって、前記位置合わせマーカの中の異なる位置合わせマーカは前記基板の結晶軸に対する異なる方位を有し、前記位置合わせマーカの形態が、それら位置合わせマーカの見掛けの位置が前記結晶軸に対するそれらの方位に依拠するような形態である基板。
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