JP2005167054A - ボンディング方法 - Google Patents

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Abstract


【課題】パッケージのチップ等がオーバーハング状態に形成された部分にワイヤボンダやバンプボンダをする場合、予め定めたワイヤ長さのループを正確に形成するようなボンディング方法を提供することにある。
【解決手段】ワイヤを保持したキャピラリ10を動作モードにより下降させ、チップ20のボンディング部22にキャピラリ10のタッチが検出されると、キャピラリを荷重モードに切り換えて設定荷重印加によりワイヤの先端部をボンディング部に溶着させ、その後キャピラリへの荷重印加を前記設定荷重よりも軽荷重に切り換えて前記設定荷重の印加により下方に撓んでいたチップを元の位置に戻し、次ぎに動作モードにてキャピラリを予め設定された量だけ上昇させるようにした。
【選択図】 図2

Description

本発明は、マルチ・チップ・パケージ(MCP)やシステム・イン・パッケージ(SIP)などでチップ等(以下、単にチップということがある。)がオーバーハング状態に形成され、そのボンディング部にワイヤボンダやバンプボンダをするときに、チップに撓みが発生するようなボンディング対象物に対するボンディング方法に関するものである。
チップ等がオーバーハング状態に形成されたパッケージ(以下、ワークということがある。)の場合でも、従来から、ボンディング部にワイヤボンダやバンプボンダをするとき、オーバーハングがない場合と同様、図示せぬ二次元方向に移動可能なXYテーブル上に載置されたボンディングツール(以下、キャピラリという。)を図5(a)〜(c)及び図6のフローチャートに示すような工程によって行われている。
通常、先ずキャピラリ10をZ軸(垂直軸)上のある所定の高さまで高速で降下させ、その地点を過ぎると、降下速度を減じて図6のステップS1に示すように、目的とするチップ20のボンディング部22に対してのZ軸サーチ動作を開始する。
キャピラリ10が、図5(a)に示すように、チップ20のボンディング部22に接触すると、すなわちワークタッチ(キャピラリがボンディング対象物であるワークに接触したこと)が検出されると(ステップS2)、キャピラリ10の下降動作は停止する。
次ぎに、キャピラリ10の中に挿通されているワイヤ(図示を省略)の先端部をボンディング部22に溶着(ボンディング)させるため、キャピラリ10にボンディング荷重が印加される(ステップS3)。必要とする場合には、ステップS4に示すようにキャピラリ10に超音波を伝達してワイヤの先端部に超音波を印加することも併用される。
そのときの、パッケージ100の状態を図5(b)に示す。キャピラリ10のボンディング荷重によって、チップ20のボンディング部22は図に示すように撓み量hだけ撓んでいる。ワイヤの溶着が終了した後、キャピラリ10に対し予め計算して設定された量HだけZ軸上昇が行われる(ステップS5,S6)。図形的には図5(c)に示すようになる。
この量Hは、ワイヤボンダの場合のループを形成するときの第1ボンディング部のワイヤの立ち上がり部分になり、またバンプボンダの場合にも同様にループの立ち上がり部分としてバンプボンダの大きさを決める部分となる。
以上の工程によるキャピラリ10のZ軸座標位置の動きとキャピラリ10に荷重印加を行った時の状態の位置とを時間軸によって表したものを図7に示す。
図7に示すように、キャピラリ10に荷重印加したときは、チップ20が下方に撓んでキャピラリ10の先端部がその分下がっていることがわかる。
なお、続いて行われる工程は、ここでは省略する。
上述したボンディングの工程で、ワークタッチを検出する方法としては、キャピラリの位置を近接センサでセンシングする方法やあるいはキャピラリを揺動させるボンディングアームにエンコーダを設置して制御部からのキャピラリの指令位置データとエンコーダからの現在位置データとの関係からワークタッチを検出する方法などがある(特許文献1参照)。
特許第2950724号公報
ところで、パッケージ100のチップ20がオーバーハング状態に形成された部分にワイヤボンダやバンプボンダをする場合、図5(b)に示すように、チップが撓んでしまうが、キャピラリをその撓んだ位置から所定の量、例えばH=40μm上昇させるとすると、撓んだ撓み量h=10μmとした場合に、実際のキャピラリの上昇はチップ20が撓まない状態の位置から30μm上昇したことになり、ワイヤは30μm繰り出されたことになる。
例えば、ボンディング部としてバンプが有り、その位置にループを形成したバンプボンダを行う場合に、チップ20が撓まない場合には図8(a)に示すように、ワイヤループの立ち上がり長さが40μmとなるが、撓む場合には図8(b)に示すように、30μmとなって、異なるループ形状となり問題の生じる可能性がある。
同様に、ワイヤボンダの場合にも、第1ボンディング位置においてワイヤの立ち上がり高さが予め定めた高さと異なると、ワイヤリングしていく際に問題が生じる場合がある。
本発明の課題は、パッケージのチップがオーバーハング状態に形成された部分にワイヤボンダやバンプボンダをする場合、予め定めたワイヤ長さのループを正確に形成するようなボンディング方法を提供することにある。
上記課題を解決するために請求項1記載の発明は、チップ等がオーバーハング状態に形成され、該チップ等のボンディング部にワイヤボンダあるいはバンプボンダをするときにチップ等に撓みが生じる場合のボンディング方法であって、ワイヤを保持したボンディングツールを動作モードにより下降させ、チップ等のボンディング部にボンディングツールのタッチしたことが検出されると、ボンディングツールを荷重モードに切り換えて設定荷重印加によりワイヤの先端部をボンディング部に溶着させ、その後ボンディングツールへの荷重印加を前記設定荷重よりも軽荷重に切り換えて前記設定荷重の印加により下方に撓んでいたチップ等を元の位置に戻し、次ぎに動作モードにてボンディングツールを予め設定された量だけ上昇させるようにしたことを特徴としている。
また、請求項2記載の発明は、チップ等がオーバーハング状態に形成され、チップ等のボンディング部にワイヤボンダあるいはバンプボンダをする際にチップ等に撓みを生じる場合のボンディング方法であって、
ワイヤを保持したボンディングツールを動作モードにより下降させ、チップ等のボンディング部にボンディングツールのタッチしたことが検出されるとその垂直方向であるZ軸座標を記憶すると共に、ボンディングツールを荷重モードに切り換えて設定荷重印加によりワイヤの先端部をボンディング部に溶着させ、その後ボンディングツールを前記記憶させたZ軸座標まで移動させ、次ぎに動作モードにてボンディングツールを予め設定された量だけ上昇させるようにしたことを特徴としている。
本発明によれば、パッケージのオーバーハングした状態のチップ等にボンディングツールにより荷重印加してボンディングする場合、ボンディング中に撓んでいたチップ等を元の状態に戻してからツールのZ軸上昇量を計算するため、チップの撓み量に関係なくZ軸上昇量が安定し、ループ形成・バンプ形成時におけるボンディング品質の安定性の向上を図ることができる。
以下、本発明に係るボンディング方法の実施の形態について説明する。なお、背景技術の項で説明した部材と同一又は相当する部分には同一符号を付して説明する。
図1、2、4を参照しながら、第一の実施の形態について説明する。
図示せぬ二次元方向に移動可能なXYテーブル上に載置されているキャピラリ10を、Z軸(垂直軸)上で所定の高さまで高速で降下させ、その地点を過ぎると、降下速度を減じて図2のステップS11に示すように目的とするボンディング部に対してのZ軸サーチ動作を開始する。
キャピラリ10が、図1(a)に示すように、パッケージ100のチップ20のボンディング部22に接触すると、すなわちワークタッチが検出されると(ステップS12)、キャピラリ10の下降動作は停止する。
次ぎに、キャピラリ10の中に挿通されているワイヤ(図示を省略)の先端部をボンディング部22に溶着(ボンディング)させるため、キャピラリ10にボンディング荷重が印加される(ステップS13)。
必要とする場合には、ステップS14に示すようにキャピラリ10に超音波を伝達してワイヤの先端部に超音波を印加することも併用される。そのときの、パッケージ100の状態を図1(b)に示す。キャピラリ10のボンディング荷重によって、チップ20ボンディング部22は図に示すように撓み量hだけ下方に撓んでいる。
超音波の印加が終了すると(ステップS15)、キャピラリ10に対する荷重を任意の値に軽減するとともに(ステップ16)、所定の撓み戻り時間をおく(ステップ17)。
この軽減する任意の荷重の値は、チップ20の撓みが元の状態に戻る値とし、撓み戻り時間も実際の状態を見て任意に設定する。
軽荷重にしたときのパッケージ100の状態を図1(c)に示す。
チップ20の撓みが元の状態に戻った後、キャピラリ10に対し予め計算して設定された量HだけZ軸上昇が行われる(ステップS18,S19)。図形的には図1(d)に示すようになる。
図4は、以上の工程によるキャピラリ10のZ軸座標位置を時間軸によって表したものである。
図4に示すように、キャピラリ10に荷重印加したときは、チップ20のボンディング部22が下方に撓んでキャピラリ10の先端部がその分下がり、超音波の印加が終了後、キャピラリの荷重を軽減すると、チップ20の撓みが取れて元の状態に戻ることがわかる。
なお、続いて行われる工程は、ここでも省略する。
次ぎに、図1、3、4を参照して、本発明の第二の実施の形態について説明する。
先ず、キャピラリ10を、Z軸(垂直軸)上で所定の高さまで高速で降下させ、その地点を過ぎると、降下速度を減じて図3のステップS21に示すように目的とするボンディング部に対してのZ軸サーチ動作を開始する。
キャピラリ10が、図1(a)に示すように、チップ20のボンディング部22に接触すると、すなわちワークタッチが検出されると(ステップS22)、キャピラリ10の下降動作は停止する。このとき、図示を省略した制御部にてワークタッチ検出時のキャピラリ10のZ軸座標を記憶する(ステップ23)。
次ぎに、キャピラリ10の中に挿通されているワイヤ(図示を省略)の先端部をボンディング部22に溶着(ボンディング)するため、キャピラリ10にボンディング荷重が印加される(ステップS24)。必要とする場合には、ステップS25に示すようにキャピラリ10に超音波を伝達してワイヤの先端部に超音波を印加することも併用される。そのときの、パッケージ100の状態を図1(b)に示す。キャピラリ10のボンディング荷重によって、チップ20ボンディング部22は図に示すように撓み量hだけ撓んでいる。
超音波の印加が終了すると(ステップS26)、キャピラリ10をステップ23で記憶したZ軸座標まで戻す(ステップ27)。このため、撓んでいたチップ20は元の状態に戻る。このときのパッケージ100の状態を図1(c)に示す。
チップ20の撓みが元の状態に戻った後、キャピラリ10に対し予め計算して設定された量HだけZ軸上昇が行われる(ステップS28,S29)。そのときにパッケージ100の状態を図1(d)に示す。
以上の工程を、キャピラリ10のZ軸座標位置の動きとキャピラリ10に荷重印加を行った時の状態の位置及びその後の動作位置を時間軸で表したものが図4である。
図4に示すように、キャピラリ10に荷重印加したときは、チップ20のボンディング部22が下方に撓んでキャピラリ10の先端部がその分下がり、超音波の印加が終了後、キャピラリ10をワークタッチした時点のZ軸座標に戻すと、チップ20の撓みが取れて元の状態に戻ることがわかる。
なお、この例でも、続いて行われる工程を省略する。
本発明は、チップ等がオーバーハング状態に形成されたパッケージで、チップ等にワイヤボンダやバンプボンダをするときにチップ等に撓みが生じるような場合に、その不具合を是正するのに好適であり、半導体装置の製造装置のソフトとして利用可能性がある。
本発明に係るボンディング方法の実施の形態によるパッケージとボンディングツールとの位置関係を示す図である。 本発明に係るボンディング方法の第一の実施の形態を示すフローチャートである。 本発明に係るボンディング方法の第二の実施の形態を示すフローチャートである。 本発明に係るボンディング方法を実施した際のキャピラリの移動軌跡を時間軸によって表した図である。 従来のボンディング方法によるパッケージとボンディングツールとの位置関係を示す図である。 従来のボンディング方法を示すフローチャートである。 従来のボンディング方法を実施した際のキャピラリの移動軌跡を時間軸によって表した図である。 従来のボンディング方法による問題点を説明する図である。
符号の説明
10 キャピラリ
20 チップ
22 ボンディング部
100 パッケージ(ワーク)
h 撓み量
H ボンディングツールのZ軸上昇量

Claims (2)

  1. チップ等がオーバーハング状態に形成され、該チップ等のボンディング部にワイヤボンダあるいはバンプボンダをするときにチップ等に撓みが生じる場合のボンディング方法であって、
    ワイヤを保持したボンディングツールを動作モードにより下降させ、チップ等のボンディング部にボンディングツールのタッチしたことが検出されると、ボンディングツールを荷重モードに切り換えて設定荷重印加によりワイヤの先端部をボンディング部に溶着させ、その後ボンディングツールへの荷重印加を前記設定荷重よりも軽荷重に切り換えて前記設定荷重の印加により下方に撓んでいたチップ等を元の位置に戻し、次ぎに動作モードにてボンディングツールを予め設定された量だけ上昇させるようにしたことを特徴とするボンディング方法。
  2. チップ等がオーバーハング状態に形成され、該チップ等のボンディング部にワイヤボンダあるいはバンプボンダをする際にチップ等に撓みを生じる場合のボンディング方法であって、
    ワイヤを保持したボンディングツールを動作モードにより下降させ、チップ等のボンディング部にボンディングツールのタッチしたことが検出されるとその垂直方向であるZ軸座標を記憶すると共に、ボンディングツールを荷重モードに切り換えて設定荷重印加によりワイヤの先端部をボンディング部に溶着させ、その後ボンディングツールを前記記憶させたZ軸座標まで移動させ、次ぎに動作モードにてボンディングツールを予め設定された量だけ上昇させるようにしたことを特徴とするボンディング方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303168A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sharp Takaya Denshi Kogyo Kk ワイヤボンディング方法及び装置
WO2010029790A1 (ja) * 2008-09-10 2010-03-18 株式会社新川 ボンディング方法、ボンディング装置及び製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303168A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sharp Takaya Denshi Kogyo Kk ワイヤボンディング方法及び装置
WO2010029790A1 (ja) * 2008-09-10 2010-03-18 株式会社新川 ボンディング方法、ボンディング装置及び製造方法
TWI387026B (zh) * 2008-09-10 2013-02-21 Shinkawa Kk A bonding method, a bonding apparatus, and a manufacturing method thereof
US8540135B2 (en) 2008-09-10 2013-09-24 Shinkawa Ltd. Bonding method, bonding apparatus, and manufacturing method of semiconductor device using the same
CN102150250B (zh) * 2008-09-10 2013-11-20 株式会社新川 焊接方法,焊接装置以及制造方法

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