JP2005150270A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体レーザ素子の出力光を光ファイバに光学的に結合した半導体レーザモジュールにおいてトラッキングエラーの小さいものを提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも半導体レーザ素子1、光ファイバ3、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子2により構成される半導体レーザモジュール4において、前記半導体レーザ素子1のトラッキングエラー温度依存性を減少させるように前記半導体レーザ素子1の出力光が前記光ファイバ3に結合されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 少なくとも半導体レーザ素子1、光ファイバ3、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子2により構成される半導体レーザモジュール4において、前記半導体レーザ素子1のトラッキングエラー温度依存性を減少させるように前記半導体レーザ素子1の出力光が前記光ファイバ3に結合されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体レーザ素子の出力光を光ファイバに光学的に結合した半導体レーザモジュールに関するものである。
半導体レーザ素子の出力光を信号光源、励起用光源等として用いるために、半導体レーザ素子の出力光を光ファイバの一端に光学的に結合し、その他端から出射される光を利用することがある。
具体的には、図1に示したような、半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3が組み込まれた半導体レーザモジュール4を使用する方法が知られている。半導体レーザモジュール4は半導体レーザ素子1の前端面(出射面)5から出射される出力光を、光学素子2により集光し、前記前端面5と相対する光ファイバ3の一端に結合させる。
光学素子2は上記作用を持たせるために、主としてレンズが用いられ、必要に応じて、光ファイバ3からの戻り光を阻止するためのアイソレータ、光路を変更するためのプリズム等が組み込まれる。
なお、半導体レーザモジュール4の組み立て時においては、半導体レーザ素子1の前端面5から出射される出力光を最大限に利用するため、光学素子2、光ファイバ3は、半導体レーザ素子1の前端面5からの出力光の光ファイバ3への結合効率が最大になるように配置される(特許文献1、2を参照。)。
光ファイバ3を経て出力される半導体レーザモジュール4の出力光は、これを信号光源、励起用光源等として用いるために、環境温度の変化に対して、出力が一定であることが求められている。半導体レーザモジュール4の出力光の出力を一定にするためには、半導体レーザ素子1の前端面5から出射される出力光を一定にする必要がある。
半導体レーザ素子1の駆動方法には2種類あり、1つは、光出力一定駆動(APC:Auto Power Control)、もう1つは電流一定駆動(ACC:Auto Current Control)である。
半導体レーザ素子1の駆動方法には2種類あり、1つは、光出力一定駆動(APC:Auto Power Control)、もう1つは電流一定駆動(ACC:Auto Current Control)である。
APCは、例えば半導体レーザ素子1の後端面6からの出力光を受光素子7で受光し、その電流値(モニタ電流値Im)が一定になるように半導体レーザ素子1を駆動する方法である。この方法は、後端面6からの光出力値Prに対する前端面5からの光出力値Pfの割合Pf/Prが環境温度によって変化しないという仮定に基づいている。
しかしながら、実際の半導体レーザ素子、特に分布帰還型(DFB:Distributed Feedback)レーザ素子においては、後端面6からの光出力値Prに対する前端面5からの光出力値Pfの割合Pf/Prは半導体レーザ素子の環境温度によって変化する。したがって、環境温度の変化に対して、APCで所定のモニタ電流値Imになるように、すなわち、DFBレーザ素子においては後端面6からの光出力値Prが一定となるように駆動電流を調整しても、前端面5からの光出力値Pfは変化することになる。
ここで、所定のモニタ電流値Imにおいて、室温を基準にしたときの前端面5からの光出力値Pfの変化率をトラッキングエラーTEと呼び、以下の(1)式で定義される。
なお、半導体レーザ素子の環境温度とは、半導体レーザモジュールの周囲の大気の温度を言う。
ここで、所定のモニタ電流値Imにおいて、室温を基準にしたときの前端面5からの光出力値Pfの変化率をトラッキングエラーTEと呼び、以下の(1)式で定義される。
なお、半導体レーザ素子の環境温度とは、半導体レーザモジュールの周囲の大気の温度を言う。
例えば、環境温度が室温よりも高くなると、後端面6からの光出力値Prに対する前端面5からの光出力値Pfの割合Pf/Prが大きくなるような半導体レーザ素子1の場合を考える。このとき、半導体レーザ素子1の前端面5からの出力光の光ファイバ3への結合効率が最大になるように半導体レーザ素子1の出力光を光ファイバ3に光学的に結合した場合、半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、APCで駆動電流を調整しても前端面5からの光出力値Pfが大きくなり、図2に示すように半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーが大きくなってしまうという問題があった。特に、この問題は半導体レーザモジュールに温度調整機能がない場合はより顕著になる。また、環境温度が室温よりも高くなった場合に、後端面6からの光出力値Prに対する前端面5からの光出力値Pfの割合Pf/Prが小さくなるような半導体レーザ素子1の場合にも同様の問題がある。
ACCは、半導体レーザ素子1に流れる電流が一定になるように半導体レーザ素子1を駆動する方法である。この場合、半導体レーザ素子1に流れる電流が一定になるようにしても、環境温度の変化による半導体レーザ素子1の光出力効率が変化する。
すなわち、図3に半導体レーザ素子1の前端面5から出射される光出力Pf(T)の注入電流Iに対する温度特性を示したが、図中のSEで表される光出力効率は、一般的に環境温度Tの上昇とともに低下する。そのため、半導体レーザモジュール4の光出力が変化するという問題がある。
本発明の目的は、半導体レーザ素子の出力光を光ファイバに光学的に結合した、トラッキングエラーの小さい半導体レーザモジュールを提供することにある。
請求項1に係る発明は、少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子のトラッキングエラーの温度依存性を減少させるように前記半導体レーザ素子の出力光が前記光ファイバに結合されていることを特徴とする。
請求項2に係る発明は、少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の光出力効率の温度依存性を減少させるように前記半導体レーザ素子の出力光が前記光ファイバに結合されていることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の環境温度の上昇により、前記半導体レーザ素子の出力光の前記光ファイバへの結合効率が減少することを特徴とする。
請求項4に係る発明は、少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の環境温度の上昇により、前記半導体レーザ素子の出力光の前記光ファイバへの結合効率が増加することを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項1,3,4のいずれかに記載の半導体レーザモジュールにおいて、前記レンズの焦点が前記半導体レーザ素子の前端面と該前端面に相対する光ファイバ端部の間に位置することを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の出射面に相対する前記光ファイバの端部が前記半導体レーザ素子の前端面と前記レンズの焦点の中間に位置することを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体レーザモジュールにおいて、温度調整機能が備えられていないことを特徴とする。
請求項1〜6に係る発明では、トラッキングエラーが小さい半導体レーザモジュールの実現が可能である。また、請求項7に係る発明では一層上記利点の大きな半導体レーザモジュールの実現が可能である。
本発明に係る半導体レーザモジュール4は少なくとも図1に示したように、半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3により構成される。図1のように、半導体レーザモジュール4は半導体レーザ素子1の前端面5から出射される光を、光学素子2により集光し、光ファイバ3の一端に結合させる。そして、光ファイバ3の他端から出射される光を利用する。
光学素子2は上記作用を持たせるために、レンズが用いられ、必要に応じて、光ファイバ3からの戻り光を阻止するためにアイソレータ、光路を変更するためのプリズム等が組み込まれる。ここで、符号6は半導体レーザ素子1の後端面、符号7は半導体レーザ素子1の光出力をモニタするための受光素子である。
本発明に係る半導体レーザモジュールは、トラッキングエラーまたは光出力効率変化の小さいものであり、第一、第二および第三の形態となる。
第一の形態に係る半導体レーザモジュールの特徴は、半導体レーザ素子1のトラッキングエラーの温度依存性を打ち消すように半導体レーザ素子1の出力光が前記光ファイバ3に光学的に結合されている。
すなわち、既に説明したように半導体レーザ素子1はトラッキングエラーの温度依存性を固有に有しており、(1)式のように表され、一般的に正の係数がある。したがって、この特性を打ち消すように半導体レーザ素子1の出力光を前記光ファイバ3に光学的に結合することにより、半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーを小さくすることができる。
かかる作用は、半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を減少させるようにすることにより実現できる。すなわち、Pf(T)は温度上昇により増加するが、このときに半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を減少させるようにすると、光ファイバ3の他端から出射される正味の光出力の変化を温度上昇前と比較して小さくすることができ、半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーを小さくすることができる。
半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を減少させるための具体的な態様として、図4に示したように、レンズ8の焦点Fが半導体レーザ素子1の前端面5とその前端面5に相対する光ファイバ3端部の間に位置するようにする。
すなわち、図4における半導体レーザモジュール4の全体の環境温度が上昇することにより、半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3を固定するための図示しないベースが熱膨張し、半導体レーザ素子1の前端面5とレンズ8の間隔、レンズ8と光ファイバ3の端部の間隔が広がる。これにより、光ファイバ3の位置が図4に示した矢印の方向に移動し、焦点Fと光ファイバ3の端部の間隔が広がるので、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率が減少する。
第二の形態に係る半導体レーザモジュールの特徴は、半導体レーザ素子1のトラッキングエラーの温度依存性を打ち消すように半導体レーザ素子1の出力光が前記光ファイバ3に光学的に結合されている。
すなわち、既に説明したように半導体レーザ素子1は(1)式で表されるトラッキングエラーの温度依存性を固有に有しているがこれは、正の係数のものばかりでなく、負の係数を有するものもある。したがって、この特性を打ち消すように半導体レーザ素子1の出力光を前記光ファイバ3に光学的に結合することにより、半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーを小さくすることができる。
かかる作用は、半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を増加させるようにすることにより実現できる。すなわち、Pf(T)は温度上昇により減少するが、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を増加させるようにすると、光ファイバ3の他端から出射される正味の光出力の変化を温度上昇前と比較して小さくすることができ、半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーを小さくすることができる。
半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を増加させるための具体的な態様として、図5に示したように、光ファイバ3の端部が半導体レーザ素子1の前端面5とレンズ8の焦点Fの中間に位置するようにする。
すなわち、図5における半導体レーザモジュール4の全体の環境温度が上昇することにより、半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3を固定するための図示しないベースが熱膨張し、半導体レーザ素子1の前端面5とレンズ8の間隔、レンズ8と光ファイバ3の端部の間隔が広がる。これにより、光ファイバ3の位置が図5に示した矢印の方向に移動し、焦点Fと光ファイバ3の端部の間隔が狭くなるので、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率が増加する。
第三の形態に係る半導体レーザモジュールの特徴は、半導体レーザ素子1の光出力効率の温度依存性を減少させるように半導体レーザ素子1の出力光が前記光ファイバ3に光学的に結合されている。
すなわち、図3において既に説明したように半導体レーザ素子1の光出力効率は環境温度の上昇により減少する特性がある。したがって、この特性を打ち消すように半導体レーザ素子1の出力光を前記光ファイバ3に光学的に結合することにより、半導体レーザモジュール4の光出力変化を小さくすることができる。
かかる作用は、半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を増加させるようにすることにより実現できる。すなわち、図3に示したようにPf(T)は温度上昇により減少するが、このときに半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を増加させるようにすると、光ファイバ3の他端から出射される正味の光出力の変化を小さくすることができる。
半導体レーザ素子1の環境温度の上昇により、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率を増加させるための具体的な態様として、図5に示したように、光ファイバ3の端部が半導体レーザ素子1の前端面5とレンズ8の焦点Fの中間に位置するようにする。
すなわち、図5における半導体レーザモジュール4の全体の環境温度が上昇することにより、半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3を固定するための図示しないベースが熱膨張し、半導体レーザ素子1の前端面5とレンズ8の間隔、レンズ8と光ファイバ3の端部の間隔が広がる。これにより、光ファイバ3の位置が図5に示した矢印の方向に移動し、焦点Fと光ファイバ3の端部の間隔が狭くなるので、半導体レーザ素子1の出力光の光ファイバ3への結合効率が増加する。
上記第一、第二の形態に係る半導体レーザモジュールを作成し、半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーの測定を行なった。なお、この半導体レーザモジュール4には温度調整機能が備えられていない。ここで、半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3を固定するための図示しないベースの材料はSUS430(ステンレス)である。また、半導体レーザ素子1は特開2003−234541号公報の図1に記載されているDFBレーザを利用し、光学素子2は焦点距離5mmの一つの凸レンズからなっている。
第一の形態に係る半導体レーザモジュールでは、図4に示したようにレンズの焦点Fが半導体レーザ素子1の前端面5とその前端面5に相対する光ファイバ3端部の間に位置し、光ファイバ3の端部は、レンズ8の焦点Fよりも0.03mmずらしてある。また、第二の形態に係る半導体レーザモジュールでは、図5に示したように光ファイバ3の端部が半導体レーザ素子1の前端面5とレンズ8の焦点Fの中間に位置し、光ファイバ3の端部は、レンズの焦点Fよりも0.03mmずらしてある。
また、比較のため半導体レーザモジュール4の組み立て時に、半導体レーザ素子1の出力光の結合効率が最大になるように半導体レーザ素子1の出力光を光ファイバ3に光学的に結合した従来技術に係る半導体レーザモジュール4のトラッキングエラーの測定も行ない、その結果を図6および図7に示した。その結果、第一の形態および第二の形態に係る半導体レーザモジュールではトラッキングエラーが減少していることが確認された。
本発明に係る半導体レーザモジュール4の半導体レーザ素子1、光学素子2、光ファイバ3を固定するための図示しないベースは、熱膨張係数の大きい材料であるほど、効果が大きい。例えば、SUS301(ステンレス)、銅、真鍮などが挙げられる。
また、より焦点距離の短いレンズ8、例えば非対称レンズなどを用いると、より効果的である。
また、図6および図7のトラッキングエラーの測定の結果に用いられた半導体レーザモジュール4では、最高動作温度が80℃以上、または、最低動作温度が0℃以下の場合において半導体レーザ素子1の出力光の結合効率が最大になるように半導体レーザ素子1の出力光を光ファイバ3に光学的に結合した従来技術に係る半導体レーザモジュール4と比較して顕著な差をみることができる。
1 半導体レーザ素子
2 光学素子
3 光ファイバ
4 半導体レーザモジュール
5 前端面
6 後端面
7 受光素子
8 レンズ
2 光学素子
3 光ファイバ
4 半導体レーザモジュール
5 前端面
6 後端面
7 受光素子
8 レンズ
Claims (7)
- 少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子のトラッキングエラーの温度依存性を減少させるように前記半導体レーザ素子の出力光が前記光ファイバに結合されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
- 少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の光出力効率の温度依存性を減少させるように前記半導体レーザ素子の出力光が前記光ファイバに結合されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。
- 少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の環境温度の上昇により、前記半導体レーザ素子の出力光の前記光ファイバへの結合効率が減少することを特徴とする半導体レーザモジュール。
- 少なくとも半導体レーザ素子、光ファイバ、該半導体レーザ素子の出力光を該光ファイバに光学的に結合するレンズからなる光学素子を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザ素子の環境温度の上昇により、前記半導体レーザ素子の出力光の前記光ファイバへの結合効率が増加することを特徴とする半導体レーザモジュール。
- 前記レンズの焦点が前記半導体レーザ素子の前端面と該前端面に相対する光ファイバ端部の間に位置することを特徴とする請求項1,3,4記載の半導体レーザモジュール。
- 前記半導体レーザ素子の出射面に相対する前記光ファイバの端部が前記半導体レーザ素子の前端面と前記レンズの焦点の中間に位置することを特徴とする請求項1〜4記載の半導体レーザモジュール。
- 請求項1〜6記載の半導体レーザモジュールにおいて温度調整機能が備えられていないことを特徴とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003383319A JP2005150270A (ja) | 2003-11-13 | 2003-11-13 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003383319A JP2005150270A (ja) | 2003-11-13 | 2003-11-13 | 半導体レーザモジュール |
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JP2005150270A true JP2005150270A (ja) | 2005-06-09 |
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JP2003383319A Pending JP2005150270A (ja) | 2003-11-13 | 2003-11-13 | 半導体レーザモジュール |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007025433A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Opnext Japan Inc | 光素子モジュールおよび光送信器 |
JP2010197686A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Fujikura Ltd | 光デバイス及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-11-13 JP JP2003383319A patent/JP2005150270A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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