JP2005150213A - 電気回路及び基準電圧発生回路 - Google Patents

Abstract

【課題】 高温でもトランジスタのジャンクションリークに依存しない安定した電気回路や基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】 電気回路は、電界効果トランジスタと、そのソースとグラウンドの間に直列に接続された複数の抵抗体とからなるフィードバック回路と、フィードバック回路の前に位置する回路とからなる。前に位置する回路からの信号が複数の抵抗体を接続する接続点に入力され、第１の電界効果トランジスタのゲートが前に位置する回路へ信号を出力する。また、基準電圧発生回路は、負または正の温度係数の電圧を出力する第１の電圧源回路と、前記のフィードバック回路と、正または負の温度係数を有する電圧を発生し、フィードバック回路の出力と加算し、温度係数を持たない電圧を出力する第２の電圧源回路とからなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基準電圧、電圧比較器の温度補償回路、温度検出回路、温度計、リニアな温度特性を持つ抵抗体と組み合わせた電流源などに利用可能な電圧発生回路に関する。また、本発明は、アナログ回路などに用いられる基準電圧源回路に関する。

電圧発生回路は、基準電圧、電圧比較器の温度補償回路、温度センサー、リニアな温度特性を持つ抵抗体と組み合わせた電流源などに利用されている。また、温度特性に優れた基準電圧発生回路は、種々の回路に使用されている。

基準電圧発生回路は、ゲートの仕事関数の差の原理を用いたものがある。特開２００１-２８４４６４号公報の図２２に記載された基準電圧発生回路では、正の温度係数を有する電圧Ｖｎｎと負の温度係数を有する電圧Ｖｐｎを加算して、温度変化に対して安定な基準電圧Ｖｒｅｆを発生させている。

図７は、上述の従来の基準電圧発生回路を示す。この基準電圧発生回路は、ｎ型チャンネル電界効果トランジスタＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４，Ｍ１５と抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２から構成される。ｎ型トランジスタＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板のｐウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しい。また、ｎ型トランジスタＭ１１は、高濃度ｎ型ゲートを持ち、ｎ型トランジスタＭ１２は、高濃度ｐ型ゲートを持ち、これらのチャンネル幅Ｗとチャンネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは互いに等しい。また、ｎ型トランジスタＭ１３は、高濃度ｎ型ゲートを持ち、ｎ型トランジスタＭ１４は、低濃度ｐ型ゲートを持ち、これらのチャンネル幅Ｗとチャンネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは互いに等しい。

フィードバック回路では、ｎ型トランジスタＭ１５と抵抗体Ｒ１１，Ｒ１２は、直列に接続されており、ｎ型トランジスタＭ１５と抵抗体Ｒ１１の接続点であるノードＶ１１でｎ型トランジスタＭ１２のゲートと結線され、ｎ型トランジスタＭ１５のゲートがｎ型トランジスタＭ１１のゲートに結線している。

ｎ型トランジスタＭ１１は、ゲートとソースの結線により定電流源となり、ｎ型トランジスタＭ１１とＭ１２を直列に接続しているので、これらの異種導電型を持つトランジスタＭ１１とＭ１２に同一の電流が流れる。このため、ｎ型トランジスタＭ１２のソース−ゲート間電圧が、Ｖｐｎとなる。よって、
Ｖ１１＝Ｖｐｎ
Ｖ１２＝Ｒ１２／(Ｒ１１＋Ｒ１２)＊Ｖｐｎ
となる。また、ｎ型トランジスタＭ１４は、ゲートとソースの結線により定電流源となり、ｎ型トランジスタＭ１３とＭ１４を直列に接続しているので、これらの同一導電型で不純物濃度のみ異なるｎ型トランジスタＭ１３とＭ１４に同一の電流が流れる。このため、ｎ型トランジスタＭ１３のソース−ゲート間電圧が−Ｖｎｎとなる。ｎ型トランジスタＭ１３のゲートにはＶ１２が入力しているので、ｎ型トランジスタＭ１３のソース電位Ｖ１３（＝基準電圧Ｖｒｅｆ）は、次のようになる。
Ｖ１３＝Ｖ１２−(−Ｖｎｎ)＝Ｒ１２／(Ｒ１１＋Ｒ１２)＊Ｖｐｎ＋Ｖｎｎ
ここで、Ｖｎｎは正の温度係数を有する電圧であり、Ｖｐｎは負の温度係数を有する電圧である。
特開２００１-２８４４６４号公報

ところで、上述の基準電圧発生回路では、以下に説明するように、高温になって、ｐｎジャンクションの逆方向リークが発生すると、トランジスタのドレイン−基板電流が増加するという問題があった。以下にこれについて説明する。

図７の基準電圧発生回路において、ｎ型トランジスタＭ１１とＭ１２で構成される第１段目は、これらのトランジスタを直列に接続しているので、ｎ型トランジスタＭ１１のドレイン−基板電流とｎ型トランジスタＭ１２のドレイン−基板電流は同じであり、ｎ型トランジスタＭ１２のソース−ゲート間電圧Ｖｐｎは、高温になってもｐｎジャンクションリークの影響を受けない。ｎ型トランジスタＭ１３とＭ１４で構成される第３段目も同様である。

しかし、第２段目のフィードバック回路を構成するｎ型トランジスタＭ１５は、図２に示すゲート電圧（Ｖｇ）−ソース電流（Ｉｓ）特性を持つ（ただし、Ｒ＝Ｒ１＋Ｒ２）。図２の曲線１は、室温での特性を示し、曲線２は高温での特性を示す。高温でのジャンクションリークにより、ｎ型トランジスタＭ１５のドレイン−基板電流が増加すると、ｎ型トランジスタＭ１５は、基板電位をソース電位と等しくしてあるため、増加したドレイン−基板電流が基板−ソース電流として加算される。一方、ｎ型トランジスタＭ１５は、Ｒ１１，Ｒ１２とＶｐｎで決まる一定電流値＝Ｖｐｎ／(Ｒ１１＋Ｒ１２)を保とうとするため、ジャンクションリークにより増加した基板−ソース電流分だけｎ型トランジスタＭ１５自体のソース電流が減少する。そのために、ｎ型トランジスタＭ１５のゲート電圧はＶｇ１からＶｇ２に低下する。以上より、ｎ型トランジスタＭ１５のゲート電圧で与えられるｎ型トランジスタＭ１２のドレイン電圧Ｖｄは、室温と高温では以下のようになる。
室温でのＶｄ： Ｖｄ１＝Ｖｇ１＋Ｖｐｎ
高温でのＶｄ： Ｖｄ２＝Ｖｇ２＋Ｖｐｎ
すなわち、高温では常温より（Ｖｇ２−Ｖｇ１）だけ低いドレイン電圧となる。

図８に、ｎ型トランジスタＭ１２のドレイン電圧（Ｖｄ）−ドレイン電流（Ｉｄ）特性を示す。Ｖｇ＝Ｖｐｎのとき、室温でのｎ型トランジスタＭ１２のドレイン電圧ＶｄはＶｄ１なので、飽和領域にあり、定電流源であるｎ型トランジスタＭ１１で決められる電流値Ｉｄ１を流す。しかし、高温になると、ｎ型トランジスタＭ１２のドレイン電圧ＶｄはＶｄ２になり、線形領域に移り、本来の電流値であるＩｄ１ではなく、Ｉｄ１より少ない電流値であるＩｄ２しか流せなくなる。しかし、定電流源であるｎ型トランジスタＭ１１で決められるドレイン電流はＩｄ１であるから、ｎ型トランジスタＭ１２はゲート電圧を上昇させて、Ｉｄ１を流そうとする。その結果、ｎ型トランジスタＭ１２のゲート電圧Ｖｇは、ΔＶｐｎだけ上昇し、
Ｖｇ＝Ｖｐｎ＋ΔＶｐｎ
となり、正しいフィードバックができなくなる。

また、ｎ型トランジスタＭ１２のゲート電圧Ｖｇは、ノードＶ１１であるので、基準電圧Ｖｒｅｆもｎ型トランジスタＭ１２のゲート電圧Ｖｇの上昇の影響を受け、次のようになる。
Ｖｒｅｆ＝Ｒ１２／(Ｒ１１＋Ｒ１２)＊(Ｖｐｎ＋ΔＶｐｎ)＋Ｖｎｎ
このため、高温での基準電圧Ｖｒｅｆの上昇を起こしていた。

本発明の目的は、高温でもトランジスタのジャンクションリークに依存しない安定した電気回路を提供することである。

本発明の他の目的は、高温でもトランジスタのジャンクションリークに依存しない安定した基準電圧発生回路を提供することである。

本発明に係る電気回路は、第１の電界効果トランジスタと、第１の電界効果トランジスタのソースとグラウンドの間に直列に接続された複数の抵抗体とからなるフィードバック回路と、フィードバック回路の前に位置する回路とからなる。前に位置する回路からの信号が複数の抵抗体を接続する接続点に入力され、第１の電界効果トランジスタのゲートが前に位置する回路へ信号を出力する。

前記の電気回路において、前に位置する回路は、たとえば、負または正の温度係数を有する電圧を出力する第１の電圧源回路である。

前記の電気回路において、好ましくは、複数の抵抗体が、レーザによる抵抗値のトリミング調節が可能な構造を備える。

前記の電気回路において、負の温度係数を有する電圧を出力する第１の電圧源回路が、たとえば、異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成される。

前記の電気回路において、正の温度係数を有する電圧を出力する第１の電圧源回路が、たとえば、同一導電型で不純物濃度の異なるゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成される。

本発明に係る基準電圧発生回路は、負または正の温度係数の電圧を出力する第１の電圧源回路と、第１の電界効果トランジスタと、第１の電界効果トランジスタのソースとグラウンドの間に直列に接続された複数の抵抗体とからなるフィードバック回路と、第１の電圧源回路とは符号の異なる温度係数を有する電圧を発生し、フィードバック回路から負または正の温度係数の電圧を入力して、温度係数を持たない電圧を出力する第２の電圧源回路とからなる。

前記の基準電圧発生回路において、好ましくは、複数の抵抗体が、レーザによる抵抗値のトリミング調節が可能な構造を備える。

前記の基準電圧発生回路において、負の温度係数を有する電圧を出力する第１または第２の電圧源回路が、たとえば、異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成される。

前記の基準電圧発生回路において、正の温度係数を有する電圧を出力する第１または第２の電圧源回路が、たとえば、同一導電型で不純物濃度の異なるゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成される。

高温でもジャンクションリークに依存しない安定した電気回路を得ることができる。
また、その電気回路を用いて安定した基準電圧発生回路を得ることができる。

以下、添付の図面を参照して発明の実施の形態を説明する。なお、図において同じ参照記号は同じまたは同等のものを示す。

発明の第１の実施の形態に係る電圧発生回路は、ゲートの仕事関数の差の原理を応用した電圧源回路を用いている。図１は、第１の実施形態の電圧発生回路を示す。この電圧発生回路はｎ型基板の上に構築しており、フィードバック回路（第２段）２０と、負の温度係数を有する電圧を出力する第１の電源回路（第１段）１０とからなる。

図１の電圧発生回路において、フィードバック回路２０では、ｎ型トランジスタＭ５と抵抗体Ｒ３、Ｒ１、Ｒ２が電源電圧ＶｃｃとグランドＧＮＤの間に直列に接続されている。抵抗体Ｒ１と抵抗体Ｒ３の接続点がノードＶ１である。なお、抵抗体Ｒ１、Ｒ２は、図４に示す回路と対応させるため別々の抵抗体として表わしている。

次に、第１の電圧源回路１０では、ｎ型トランジスタＭ１、Ｍ２が電源電圧ＶｃｃとグランドＧＮＤの間に直列に接続されている。ｎ型トランジスタＭ１、Ｍ２は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板のｐウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しい。また、ｎ型トランジスタＭ１は、高濃度ｎ型ゲートを持ち、ｎ型トランジスタＭ２は、高濃度ｐ型ゲートを持つ。また、これらのチャンネル幅Ｗとチャンネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは互いに等しい。これらのゲートの導電型のみ異なるｎ型トランジスタＭ１とＭ２が直列に接続されている。ｎ型トランジスタＭ１は、ゲートとソースを結線して定電流源となる。ｎ型トランジスタＭ２のゲートは、フィードバック回路のノードＶ１と接続している。

次に、この電圧発生回路の動作を説明する。ｎ型トランジスタＭ１は、ゲートとソースの結線により定電流源となり、また、２つのｎ型トランジスタＭ１、Ｍ２が直列に接続されている。このため、これらの異種導電型を持つトランジスタＭ１、Ｍ２に同一の電流が流れて、ｎ型トランジスタＭ２のソース−ゲート間電圧がＶｐｎとなる。よって、ノードＶ１の電圧をＶ１で表わすと
Ｖ１＝Ｖｐｎ
このとき、ｎ型トランジスタＭ５のＶｇ−Ｉｓ特性は、図２に示す特性を示す（ただし、Ｒ＝Ｒ３＋Ｒ１＋Ｒ２）。抵抗体Ｒ３、Ｒ１、Ｒ２による抵抗分割のため、室温と高温でのｎ型トランジスタＭ２のドレイン電圧Ｖｄ１、Ｖｄ２は、以下のようになる。なお式においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３は抵抗値を表わす。
室温でのＶｄ： Ｖｄ１＝Ｖｇ１＋(１＋Ｒ３／(Ｒ１＋Ｒ２))＊Ｖｐｎ
高温でのＶｄ： Ｖｄ２＝Ｖｇ２＋(１＋Ｒ３／(Ｒ１＋Ｒ２))＊Ｖｐｎ
ここに、Ｖｇ１とＶｇ２はそれぞれ室温と高温でのゲート電圧を示す。このように、ドレイン電圧Ｖｄ１、Ｖｄ２はＶｇ１、Ｖｇ２よりＲ３／(Ｒ１＋Ｒ２)＊Ｖｐｎだけ高くなる。

図３に、ｎ型トランジスタＭ２のＶｄ−Ｉｄ特性を示す。Ｖｇ＝Ｖｐｎのとき、ｎ型トランジスタＭ２のドレイン電圧Ｖｄは、室温でのＶｄ１、高温でのＶｄ２ともに飽和領域にあり、定電流源であるｎ型トランジスタＭ１で決められる電流値Ｉｄ１を流す。したがって、ｎ型トランジスタＭ２のゲート電圧Ｖｇの上昇は起こらない。このため、高温でも安定したＶｐｎを得ることができる。これにより、フィードバック回路は、高温でもジャンクションリークに依存しない安定した電圧Ｖ１を出力する。同様に、抵抗体Ｒ１，Ｒ２の間のノードＶ２から出力する場合も高温でもジャンクションリークに依存しない安定した電圧Ｖ１２を出力する。こうして、安定したフィードバック動作ができる。

なお、第１の実施形態では、第１の電圧源回路１０として負の温度特性を有する電圧を出力する電圧源回路を用いたが、第１の電圧源回路が正の温度特性を有する電圧源回路であっても同様である。

上述の電圧発生回路では、電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのソースとグラウンドの間に直列に接続された複数の抵抗体とからなるフィードバック回路を用いるが、その前段の回路は、負または正の温度特性を有する電圧を出力する電圧源回路である。しかし、フィードバック回路の前段の回路は、一般には、電圧源回路でなくてもよい。ここで、前段の回路からの信号が複数の抵抗体を接続する接続点に入力され、電界効果トランジスタのゲートが前に位置する回路へ信号を出力する。

図４は、第２の実施形態の基準電圧発生回路を示す。この基準電圧発生回路はｎ型基板の上に構築しており、負の温度係数を有する電圧を出力する第１の電源回路１０と、フィードバック回路２０と、正の温度係数を有する電圧を出力する第２の電源回路３０とからなる。第１の電源回路１０とフィードバック回路２０とは図１に示した電圧発生回路と同様の構成を備える。

まず、フィードバック回路２０は、電源電圧ＶｃｃとグランドＧＮＤの間に直列に接続されたｎ型トランジスタＭ５と抵抗体Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３とからなる。抵抗体Ｒ１，Ｒ３の接続点がノードＶ１であり、抵抗体Ｒ１，Ｒ２の接続点がノードＶ２である。

次に、第１の電圧源回路１０は、電源電圧ＶｃｃとグランドＧＮＤの間に直列に接続されたｎ型トランジスタＭ１，Ｍ２からなる。ｎ型トランジスタＭ１，Ｍ２は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板のｐウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しい。また、ｎ型トランジスタＭ１は、高濃度ｎ型ゲートを持ち、ｎ型トランジスタＭ２は、高濃度ｐ型ゲートを持ち、また、これらのチャンネル幅Ｗとチャンネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは互いに等しい。このゲートの導電型のみ異なるｎ型トランジスタＭ１とＭ２は、直列に接続され、ｎ型トランジスタＭ１は、ゲートとソースを結線して定電流源となり、ｎ型トランジスタＭ２は、フィードバック回路のノードＶ１と接続している。

最後に、第２の電圧源回路３０は、電源電圧ＶｃｃとグランドＧＮＤの間に直列に接続されたｎ型トランジスタＭ３，Ｍ４からなる。ｎ型トランジスタＭ３，Ｍ４は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板のｐウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しい。また、ｎ型トランジスタＭ３は高濃度ｎ型ゲートを持ち、ｎ型トランジスタＭ４は低濃度ｐ型ゲートを持つ。また、これらのチャンネル幅Ｗとチャンネル長Ｌの比Ｓ＝Ｗ／Ｌは互いに等しい。このゲートの導電型のみ異なるｎ型トランジスタＭ３とＭ４は、直列に接続され、ｎ型トランジスタＭ４は、ゲートとソースを結線して定電流源となり、ｎ型トランジスタＭ３は、フィードバック回路のノードＶ２と接続している。２つのｎ型トランジスタＭ３，Ｍ４の接続点から基準電圧Ｖｒｅｆが出力される。

次に、この基準電圧発生回路の動作を説明する。以下の式においてＲ１，Ｒ２、Ｒ３が対応する抵抗体の抵抗値を表わし、Ｖ１，Ｖ２、Ｖ３が対応するノードでの電圧を表わすことにする。ｎ型トランジスタＭ１は、ゲートとソースの結線により定電流源となり、また、ｎ型トランジスタＭ１，Ｍ２を直列に接続しているので、これらの異種導電型を持つトランジスタＭ１，Ｍ２に同一の電流が流れる。このため、ｎ型トランジスタＭ２のソース−ゲート間電圧がＶｐｎとなる。そこで、
Ｖ１＝Ｖｐｎ
Ｖ２＝Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）＊Ｖｐｎ
また、ｎ型トランジスタＭ４は、ゲートとソースの結線により定電流源となり、ｎ型トランジスタＭ３とＭ４を直列に接続しているので、これらの同一導電型で不純物濃度のみ異なるトランジスタＭ３とＭ４に同一の電流が流れるため、ｎ型トランジスタＭ３のソース−ゲート間電圧が−Ｖｎｎとなる。このとき、ｎ型トランジスタＭ３のゲートにはＶ２が入力しているので、ｎ型トランジスタＭ３のソース電位Ｖ３（＝基準電圧Ｖｒｅｆ）は、次のようになる。
Ｖ３＝Ｖ２−(−Ｖｎｎ)＝Ｒ２／(Ｒ１＋Ｒ２)＊Ｖｐｎ＋Ｖｎｎ
したがって、従来例の図７の回路と同様な基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。ここで、Ｖｎｎは正の温度係数を有する電圧であり、Ｖｐｎは負の温度係数を有する電圧である。

このとき、ｎ型トランジスタＭ２のＶｇ−Ｉｓ特性も、図２に示す特性を示す（ただし、Ｒ＝Ｒ３＋Ｒ１＋Ｒ２）が、抵抗体Ｒ３、Ｒ１、Ｒ２による抵抗分割があるため、室温と高温でのｎ型トランジスタＭ２のドレイン電圧Ｖｄは、以下のようになる。
室温でのＶｄ： Ｖｄ１＝Ｖｇ１＋(１＋Ｒ３／(Ｒ１＋Ｒ２))＊Ｖｐｎ
高温でのＶｄ： Ｖｄ２＝Ｖｇ２＋(１＋Ｒ３／(Ｒ１＋Ｒ２))＊Ｖｐｎ
すなわち、Ｖｇ１、Ｖｇ２よりＲ３／（Ｒ１＋Ｒ２）＊Ｖｐｎだけ高いドレイン電圧となる。

このｎ型トランジスタＭ２のＶｄ−Ｉｄ特性も図３に示すようになる。Ｖｇ＝Ｖｐｎのとき、ｎ型トランジスタＭ２のドレイン電圧Ｖｄは、Ｒ３／（Ｒ１＋Ｒ２）＊Ｖｐｎだけ高くなっているため、室温でのＶｄ１、高温でのＶｄ２ともに飽和領域にあり、定電流源であるｎ型トランジスタＭ１で決められる電流源Ｉｄ１を流す。このため、安定したフィードバック動作ができる。したがって、ｎ型トランジスタＭ２のゲート電圧の上昇は起こらなくなり、高温でも安定した基準電圧Ｖｒｅｆを得ることができる。

ところで、高温でも、ｎ型トランジスタＭ２のドレイン電圧が飽和領域から外れないようにする必要があるが、そのためには、抵抗体Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値を調整すればよい。これらの抵抗値は、製造時に固定してもいい。また、図１の電圧発生回路または図４の基準電圧発生回路の抵抗体Ｒ１〜Ｒ３に対応する箇所を、図５に示すように、抵抗値を調整可能とする構造としてもよい。ここで、複数の抵抗体を直列に接続するとともに、各抵抗体に並列にレーザにより断線可能な構造の導線を設ける。製造の際の拡散、成膜工程の後に、図５に示すＸの場所をレーザで照射して断線させることにより、抵抗値のトリミング調整ができる。

また、この構造では、抵抗体Ｒ１，Ｒ２の抵抗値の比を適当に設定することにより、所望の温度特性を設定できる。すなわち、上に説明した基準電圧の式には、正の温度係数を有する電圧Ｖｎｎと、負の温度係数を有する電圧Ｖｐｎが含まれることからわかるように、適当な抵抗値を設定することにより、温度係数を持たない電圧を出力できる。また、抵抗値を調整することにより温度係数を変化できる。

なお、第２の実施形態では、第１の電圧源回路１０として負の温度特性を有する電圧を出力する電圧源回路を用い、第２の電圧源回路３０として正の温度特性を有する電圧を出力する電圧源回路を用いたが、第１の電圧源回路が正の温度特性を有する電圧源回路であり、第２の電圧源回路が負の温度特性を有する電圧を出力する電圧源回路であっても同様である。

図１と図４に示した回路は、それ自体、電圧発生回路として使用できるが、さらに、他の回路部分に電圧を供給できる。図６に図式的に示すように、図１または図４に示される電圧発生回路４０が発生した電圧が次段の回路５０に供給される。

第１の実施の形態の電圧発生回路の図 Ｉｇ−Ｖｇ特性のグラフ Ｉｄ−Ｖｄ特性のグラフ 第２の実施の形態の基準電圧発生回路の図 抵抗値の調整を説明するための図 応用回路の図 従来の基準電圧発生回路の図 Ｉｄ−Ｖｄ特性のグラフ

符号の説明

１０ 第１の電圧源回路、 ２０ フィードバック回路、 ３０ 第２の電圧源回路、 Ｍ１〜Ｍ５ トランジスタ、 Ｒ１〜Ｒ３ 抵抗体、 Ｖ１〜Ｖ３ ノード。

Claims (9)

1. 第１の電界効果トランジスタと、第１の電界効果トランジスタのソースとグラウンドの間に直列に接続された複数の抵抗体とからなるフィードバック回路と、
   フィードバック回路の前に位置する回路とからなり、
   前に位置する回路からの信号が複数の抵抗体を接続する接続点に入力され、
   第１の電界効果トランジスタのゲートが前に位置する回路へ信号を出力することを特徴とする電気回路。
2. 請求項１に記載された電気回路において、
   前に位置する回路は、負または正の温度係数を有する電圧を出力する第１の電圧源回路であることを特徴とする電気回路。
3. 請求項１に記載された電気回路において、複数の抵抗体が、レーザによる抵抗値のトリミング調節が可能な構造を備えることをを特徴とする電気回路。
4. 請求項２に記載された電気回路において、負の温度係数を有する電圧を出力する第１の電圧源回路が、異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成されることを特徴とする電気回路。
5. 請求項２に記載された電気回路において、正の温度係数を有する電圧を出力する第１の電圧源回路が、同一導電型で不純物濃度の異なるゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成されることを特徴とする電気回路。
6. 負または正の温度係数の電圧を出力する第１の電圧源回路と、
   第１の電界効果トランジスタと、第１の電界効果トランジスタのソースとグラウンドの間に直列に接続された複数の抵抗体とからなるフィードバック回路と、
   第１の電圧源回路とは符号の異なる温度係数を有する電圧を発生し、フィードバック回路から負または正の温度係数の電圧を入力して、温度係数を持たない電圧を出力する第２の電圧源回路と
   からなる基準電圧発生回路。
7. 請求項６に記載された基準電圧発生回路において、複数の抵抗体が、レーザによる抵抗値のトリミング調節が可能な構造を備えることをを特徴とする基準電圧発生回路。
8. 請求項６に記載された基準電圧発生回路において、負の温度係数を有する電圧を出力する第１または第２の電圧源回路が、異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成されることを特徴とする基準電圧発生回路。
9. 請求項６に記載された基準電圧発生回路において、正の温度係数を有する電圧を出力する第１または第２の電圧源回路が、同一導電型で不純物濃度の異なるゲートを持つ複数の電界効果トランジスタから構成されることを特徴とする基準電圧発生回路。
   

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