JP2005150172A

JP2005150172A - Tape carrier for tab and its manufacturing method

Info

Publication number: JP2005150172A
Application number: JP2003381882A
Authority: JP
Inventors: Kei Nakamura; 圭中村; Toshiki Naito; 俊樹内藤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2003-11-12
Filing date: 2003-11-12
Publication date: 2005-06-09

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape carrier for a TAB capable of realizing a high-density wiring, attaining weight saving and thinning while improving dimensional accuracy and positional accuracy in the case of transport, mounting and bonding in the tape carrier for the TAB. <P>SOLUTION: In the tape carrier 1 for the TAB, a conductor pattern 7 in which the pitches of each wiring 8 are 60 μm or less, and reinforcing layers 4 arranged at both side edges in the cross direction of insulating layers 2 and composed of a stainless foil along the longitudinal direction of the insulating layers 2 are formed on the surfaces of the insulating layers 2. In the tape carrier 1 for the TAB, the strength of the tape carrier 1 can be reinforced sufficiently in the case of the transport, the mounting and the bonding while the insulating layers 2 can be formed thinly. Since the reinforcing layers 4 are formed on the surfaces of the insulating layers 2, an electronic part can be mounted by an FC system while supporting the rear surfaces of the insulating layers 2 by planes. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ＴＡＢ用テープキャリアおよびその製造方法、詳しくは、ＴＡＢ法によって、電子部品を実装するためのＴＡＢ用テープキャリア、および、その製造方法に関する。 The present invention relates to a TAB tape carrier and a manufacturing method thereof, and more particularly to a TAB tape carrier for mounting an electronic component by the TAB method and a manufacturing method thereof.

ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子などからなる電子部品を実装するために広く用いられている。 The TAB tape carrier is widely used for mounting electronic components made of semiconductor elements or the like by a TAB (Tape Automated Bonding) method.

このようなＴＡＢ用テープキャリアは、近年、電子機器の軽量化、薄型化および小型化の要求に伴って、軽薄短小化がますます要求されている。 In recent years, such TAB tape carriers are increasingly required to be lighter, thinner, and smaller with the demands for weight reduction, thickness reduction, and size reduction of electronic devices.

一方、このようなＴＡＢ用テープキャリアは、通常、その幅方向両側縁部において長手方向に沿って所定間隔を隔てて複数形成される送り孔に、スプロケットを噛み合わせて、所定のテンションが加わる状態で搬送されるため、過度に薄く形成すると、搬送時に、送り孔が破損したり、電子部品の実装時およびボンディング時に位置ずれを生じる。 On the other hand, such a TAB tape carrier is usually in a state in which a predetermined tension is applied by engaging a sprocket with a plurality of feed holes formed at predetermined intervals along the longitudinal direction at both side edges in the width direction. Therefore, if it is formed too thin, the feed hole may be damaged during transportation, or misalignment may occur during mounting and bonding of electronic components.

そのため、例えば、導体パターンが形成される絶縁フィルムの幅方向両側縁部に、銅箔を設けて補強することが提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３参照。）。 Therefore, for example, it has been proposed to reinforce by providing copper foil on both side edges in the width direction of the insulating film on which the conductor pattern is formed (see, for example, Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3). .

また、近年、導体パターンの微細化が強く要求されており、電子部品の実装方式として、従来のＩＬＢ（インナーリードボンディング）方式に加えて、ＦＣ（フリップチップボンディング）方式が増加している。ＦＣ方式では、ＴＡＢ用テープキャリアを、その裏面から吸着して、その表面に電子部品を実装するようにしている。 In recent years, there has been a strong demand for miniaturization of conductor patterns, and in addition to the conventional ILB (inner lead bonding) method, the FC (flip chip bonding) method is increasing as a mounting method for electronic components. In the FC system, a TAB tape carrier is adsorbed from the back surface, and an electronic component is mounted on the front surface.

特開平５−２９３９４号公報JP-A-5-29394 特開２０００−３３２０６２号公報JP 2000-332062 A 特開２０００−３４０６１７号公報JP 2000-340617 A

しかし、近年、軽薄短小化の要求、および、導体パターンの微細化や高密度化の要求がより一層高まっており、そのような要求に対応するためには、銅箔による補強効果では十分でなく、より一層、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることが必要となってきている。 However, in recent years, there has been an increasing demand for lighter, thinner and smaller conductors, as well as demands for finer and higher density conductor patterns, and the reinforcing effect of copper foil is not sufficient to meet such demands. Further, it is necessary to improve the dimensional accuracy and position accuracy during transport, mounting, and bonding.

また、ＴＡＢ用テープキャリアの両側縁部において、裏面に銅箔を設けて補強すると、ＦＣ方式により電子部品を実装する場合に、その補強部分が段差となって平面で吸着することが困難となり、電子部品の実装に位置ずれを生じるおそれがある。 In addition, if both sides of the TAB tape carrier are reinforced by providing copper foil on the back surface, when mounting electronic components by the FC method, it becomes difficult for the reinforced portion to become a step and suck on the plane, There is a risk of misalignment in mounting electronic components.

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ用テープキャリアにおいて、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができながら、軽量化、薄型化を図りつつ、高密度配線を実現することのできるＴＡＢ用テープキャリア、および、その製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to improve the dimensional accuracy and position accuracy during transport, mounting, and bonding in a TAB tape carrier. An object of the present invention is to provide a TAB tape carrier capable of realizing high-density wiring while reducing weight and thickness, and a method for manufacturing the same.

上記の目的を達成するため、本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、絶縁層の表面に、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線からなる導体パターンと、前記絶縁層の幅方向両側縁部に配置され、前記絶縁層の長手方向に沿うステンレス箔からなる補強層とが形成されており、前記各配線のピッチが、６０μｍ以下であることを特徴としている。 In order to achieve the above object, a TAB tape carrier of the present invention includes a conductor pattern composed of a plurality of wirings arranged at predetermined intervals on the surface of an insulating layer, and both side edges in the width direction of the insulating layer. And a reinforcing layer made of a stainless steel foil along the longitudinal direction of the insulating layer, and the pitch of each wiring is 60 μm or less.

また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記絶縁層の厚みが、５０μｍ以下であることが好適である。 In the TAB tape carrier of the present invention, it is preferable that the insulating layer has a thickness of 50 μm or less.

また、本発明は、補強層と絶縁層とを積層する工程、積層された前記補強層および前記絶縁層の幅方向両側縁部に、前記補強層および前記絶縁層の厚さ方向を貫通する孔を、長手方向において所定間隔を隔てて複数形成する工程、前記補強層における前記孔が形成された部分を残して、前記絶縁層における導体パターンが形成される部分が露出するように、前記補強層を除去する工程、前記補強層が除去された部分の前記絶縁層に、導体パターンを形成する工程を備えている、ＴＡＢ用テープキャリアの製造方法を含んでいる。 Further, the present invention provides a step of laminating a reinforcing layer and an insulating layer, a hole penetrating through the thickness direction of the reinforcing layer and the insulating layer at both side edges in the width direction of the laminated reinforcing layer and the insulating layer. The reinforcing layer so as to expose a portion of the insulating layer where the conductor pattern is formed, leaving a portion where the hole is formed in the reinforcing layer. And a method of manufacturing a TAB tape carrier, comprising a step of forming a conductor pattern on the insulating layer where the reinforcing layer has been removed.

本発明のＴＡＢ用テープキャリアによれば、絶縁層の幅方向両側縁部に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層が形成されているので、絶縁層を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時における寸法精度や位置精度を向上させることができる。そのため、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターンにおける各配線のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。 According to the TAB tape carrier of the present invention, since the reinforcing layer made of stainless steel foil stronger than the copper foil is formed at both side edges in the width direction of the insulating layer, the insulating layer can be formed thin. However, it is possible to improve dimensional accuracy and positional accuracy during conveyance, mounting, and bonding. Therefore, it is possible to reliably mount the electronic component in the high-density wiring in which the pitch of each wiring in the conductor pattern is 60 μm or less while reducing the weight and the thickness.

また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアによれば、絶縁層の表面に補強層が形成されているので、絶縁層の裏面を平面で支持しながら、電子部品を実装することができる。そのため、ＦＣ方式により電子部品を精度よく実装することができる。 Further, according to the TAB tape carrier of the present invention, since the reinforcing layer is formed on the surface of the insulating layer, it is possible to mount the electronic component while supporting the back surface of the insulating layer with a flat surface. Therefore, the electronic component can be mounted with high accuracy by the FC method.

また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法によれば、積層された補強層および絶縁層の厚さ方向を貫通させて孔を形成した後、絶縁層における導体パターンの形成部分が露出するように補強層を除去し、その補強層が除去された部分の絶縁層に導体パターンを形成する。つまり、補強層を形成した後に、補強層とは別途導体パターンを形成する。そのため、補強層と導体パターンとを、互いに異なる材料で独立して、簡易かつ効率的に形成することができる。その結果、例えば、補強層を、補強効果の高いステンレス箔から形成する一方、導体パターンを、パターン形成容易な銅箔から形成することができながら、簡易かつ効率的に、ＴＡＢ用テープキャリアを製造することができる。 In addition, according to the method for manufacturing a TAB tape carrier of the present invention, after forming the hole through the thickness direction of the laminated reinforcing layer and insulating layer, the conductive pattern forming portion in the insulating layer is exposed. Then, the reinforcing layer is removed, and a conductor pattern is formed on the insulating layer where the reinforcing layer is removed. That is, after forming the reinforcing layer, a conductor pattern is formed separately from the reinforcing layer. Therefore, the reinforcing layer and the conductor pattern can be easily and efficiently formed independently of different materials. As a result, for example, a TAB tape carrier can be easily and efficiently manufactured while a reinforcing layer is formed from a stainless steel foil having a high reinforcing effect and a conductor pattern can be formed from a copper foil that can be easily formed. can do.

図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。 1 is a partial plan view showing an embodiment of the TAB tape carrier of the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the TAB tape carrier shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a TAB tape shown in FIG. It is a partial bottom view of a carrier.

図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状の絶縁層２（図３参照）に、電子部品（図示せず）を実装するための実装部３と、絶縁層２を補強するための補強層４と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とを備えている。 In FIG. 1, the TAB tape carrier 1 includes a mounting portion 3 for mounting an electronic component (not shown) on a tape-like insulating layer 2 (see FIG. 3) continuously extending in the longitudinal direction, and an insulating portion. A reinforcing layer 4 for reinforcing the layer 2 and a transport unit 5 for transporting the TAB tape carrier 1 are provided.

実装部３は、絶縁層２において、絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに所定間隔を隔てて連続するように、複数設けられている。各実装部３は、図２に示すように、略矩形状をなし、その中央が電子部品（図示せず）を実装（載置）するための略矩形状の実装エリア６とされている。また、実装エリア６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。 The mounting portion 3 is continuous in the insulating layer 2 at a predetermined interval in the longitudinal direction of the insulating layer 2 (same as the longitudinal direction of the TAB tape carrier 1, hereinafter simply referred to as the longitudinal direction). A plurality of them are provided. As shown in FIG. 2, each mounting portion 3 has a substantially rectangular shape, and its center is a substantially rectangular mounting area 6 for mounting (mounting) an electronic component (not shown). Conductive patterns 7 are formed on both sides of the mounting area 6 in the longitudinal direction.

この導体パターン７は、絶縁層２の表面に形成されており、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を連続して一体的に備えている。 The conductor pattern 7 is formed on the surface of the insulating layer 2 and is composed of a plurality of wirings 8 arranged at a predetermined interval from each other. Each wiring 8 is connected to the inner lead 9, the outer lead 10 and the relay lead 11. And integrated.

各インナリード９は、実装エリア６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）において並列するように配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、６０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下で、通常、１０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード９のピッチＩＰを、６０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、後述するように、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、このような高密度配線が可能とされている。 Each inner lead 9 faces the mounting area 6, extends along the longitudinal direction, and is spaced apart from each other by a predetermined distance in the width direction of the TAB tape carrier 1 (a direction perpendicular to the longitudinal direction, hereinafter simply referred to as a width direction). Are arranged in parallel. The pitch of each inner lead 9 (that is, the total length of the width of one inner lead 9 and the width (interval) between two inner leads 9) IP is 60 μm or less, preferably 50 μm or less. It is set to 10 μm or more. Thus, by setting the pitch IP of each inner lead 9 to 60 μm or less, high-density wiring can be realized. In the TAB tape carrier 1, since a stiff stainless steel foil is used as the reinforcing layer 4 as described later, such high-density wiring is possible.

また、各インナリード９の幅は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍに設定されている。 The width of each inner lead 9 is set to 5 to 50 μm, preferably 10 to 40 μm, and the width (interval) between the two inner leads 9 is set to 5 to 50 μm, preferably 10 to 40 μm.

各アウタリード１０は、実装部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅に設定されていてもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定されていてもよい。 Each outer lead 10 faces both ends in the longitudinal direction of the mounting portion 3, extends along the longitudinal direction, and is arranged so as to be juxtaposed in the width direction at a predetermined interval. The pitch of each outer lead 10 (that is, the total length of the width of one outer lead 10 and the width (interval) between two outer leads 10) OP is, for example, 100 with respect to the pitch IP of each inner lead 9. It is set to about ~ 1000%. That is, the pitch OP of each outer lead 10 may be set wider than the pitch IP of each inner lead 9, and is set to be substantially the same width as the pitch IP of each inner lead 9. Also good.

各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、ピッチの狭い各インナリード９側からピッチの広い各アウタリード１０側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。 Each relay lead 11 relays each inner lead 9 and each outer lead 10 so that each inner lead 9 and each outer lead 10 are continuous, and each outer lead having a wide pitch from the side of each inner lead 9 having a narrow pitch. It is arrange | positioned so that it may spread radially in the longitudinal direction toward 10 side.

また、各中継リード１１が配置されるエリアには、ソルダレジストなどの絶縁体からなる被覆層１２が設けられている。すなわち、被覆層１２は、実装エリア６を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。 In the area where each relay lead 11 is disposed, a coating layer 12 made of an insulator such as solder resist is provided. That is, the covering layer 12 is formed in a substantially rectangular frame shape so as to surround the mounting area 6, and is provided so as to cover all the relay leads 11.

なお、各配線８は、後述するように、錫めっき層１９（図５（ｊ）参照）によって被覆されていることが好ましい。 In addition, it is preferable that each wiring 8 is coat | covered with the tin plating layer 19 (refer FIG.5 (j)) so that it may mention later.

補強層４は、絶縁層２の表面において、各実装部３の形成部分が開口部１８となるような、各実装部３の形成部分を除くすべてのエリアに設けられている。より具体的には、補強層４は、ステンレス箔からなり、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って連続して設けられる搬送部補強部１３と、長手方向において互いに所定間隔を隔てて配置される各実装部３の間において、幅方向に沿って設けられる実装部間補強部１４とが一体的に連続して形成されている。搬送部補強部１３を形成することで、搬送時の強度の向上を図ることができる。また、実装部間補強部１４を形成することで、実装時などの取り扱い性の向上を図ることができる。 The reinforcing layer 4 is provided in all areas except the formation part of each mounting part 3 so that the formation part of each mounting part 3 becomes the opening 18 on the surface of the insulating layer 2. More specifically, the reinforcing layer 4 is made of a stainless steel foil, and at the both side edge portions in the width direction of the TAB tape carrier 1, the conveying portion reinforcing portion 13 provided continuously along the longitudinal direction and the longitudinal direction. Between each mounting part 3 arrange | positioned at predetermined intervals, the reinforcement part 14 between mounting parts provided along the width direction is integrally formed continuously. By forming the conveyance part reinforcement part 13, the improvement in the intensity | strength at the time of conveyance can be aimed at. Further, by forming the inter-mounting portion reinforcing portion 14, it is possible to improve the handleability during mounting or the like.

なお、各搬送部補強部１３の幅方向長さＬ１は、例えば、５〜１５ｍｍ、好ましくは、５〜１０ｍｍに設定され、実装部間補強部１４の長手方向長さＬ２が、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、１〜５ｍｍに設定されている。 In addition, the width direction length L1 of each conveyance part reinforcement part 13 is set to 5-15 mm, for example, Preferably, it is set to 5-10 mm, and the longitudinal direction length L2 of the reinforcement part 14 between mounting parts is, for example, 1- It is set to 10 mm, preferably 1 to 5 mm.

なお、この補強層４の開口部１８は、実装部３よりもやや大きい相似形状（矩形状）で、各実装部３に対向して、補強層４が開口されることにより形成されている。 The opening 18 of the reinforcing layer 4 has a similar shape (rectangular shape) slightly larger than the mounting portion 3 and is formed by opening the reinforcing layer 4 so as to face each mounting portion 3.

搬送部５は、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部の搬送部補強部１３において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部５には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１５が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１５は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（絶縁層２および補強層４を貫通する）ように、略矩形状に穿孔形成されている。 The conveyance part 5 is provided along the longitudinal direction in the conveyance part reinforcement part 13 of the width direction both-sides edge part of the tape carrier 1 for TAB. A plurality of feed holes 15 for meshing with a sprocket or the like for transporting the TAB tape carrier 1 are formed in each transport section 5 so as to face each other in the width direction. Each feed hole 15 is formed in a substantially rectangular shape so as to penetrate the TAB tape carrier 1 (through the insulating layer 2 and the reinforcing layer 4) at equal intervals in the longitudinal direction of the TAB tape carrier 1. Has been.

なお、各送り孔１５は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍ角孔に穿孔され、各送り孔１５の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。 Each feed hole 15 is, for example, a 1.981 × 1.981 mm square hole, and the spacing between the feed holes 15 is set to 4.75 mm, for example.

また、このＴＡＢ用テープキャリア１は、図３に示すように、絶縁層２の裏面には、補強層４などが設けられておらず、平坦状に形成されている。 In addition, as shown in FIG. 3, the TAB tape carrier 1 is formed flat on the back surface of the insulating layer 2 without the reinforcing layer 4 or the like.

次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法を、図４および図５を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the TAB tape carrier 1 will be described with reference to FIGS.

この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４には、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレスには、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７、ＳＵＳ４３０など種々の種類があるが、いずれのステンレスも、特に制限されることなく用いることができる。また、その厚さが、３〜１００μｍ、さらには、５〜３０μｍ、とりわけ、８〜２０μｍのものが好ましく用いられる。このようなステンレス箔は、実際には、その幅が、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍ程度の長尺なテープ状のものが用意される。 In this method, first, a reinforcing layer 4 is prepared as shown in FIG. Stainless steel foil is used for the reinforcing layer 4. There are various types of stainless steel such as SUS301, SUS304, SUS305, SUS309, SUS310, SUS316, SUS317, SUS321, SUS347, and SUS430 based on AISI (American Iron and Steel Institute) standards. Can also be used without particular limitation. Moreover, the thing whose thickness is 3-100 micrometers, Furthermore, 5-30 micrometers, Especially 8-20 micrometers is used preferably. Such a stainless steel foil is actually prepared in the form of a long tape having a width of about 100 to 1000 mm, preferably about 150 to 400 mm.

なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１の形態について示しているが、通常は、ステンレス箔の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。 4 and 5 show the form of one row of TAB tape carriers 1, but normally, after forming a plurality of rows of TAB tape carriers 1 in the width direction of the stainless steel foil, Slit for each row.

例えば、幅２５０ｍｍのステンレス箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、幅３００ｍｍのステンレス箔では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製することができる。 For example, four rows of TAB tape carriers 1 with a width of 48 mm can be produced simultaneously with a stainless steel foil with a width of 250 mm, and four rows of TAB tape carriers 1 with a width of 70 mm can be produced simultaneously with a stainless steel foil with a width of 300 mm.

次いで、図４（ｂ）に示すように、その補強層４の上に絶縁層２を積層形成する。絶縁層２を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。 Next, as shown in FIG. 4B, the insulating layer 2 is laminated on the reinforcing layer 4. As the insulator forming the insulating layer 2, for example, a synthetic resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polyether nitrile resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate resin, or a polyvinyl chloride resin is used. Preferably, a polyimide resin is used.

そして、補強層４の上に絶縁層２を形成するには、例えば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させればよい。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解することによって調製することができる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法を、適宜用いることができる。そして、適宜加熱することによって乾燥させた後、例えば、２００〜４５０℃で加熱硬化させることにより、補強層４の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層２が形成される。 In order to form the insulating layer 2 on the reinforcing layer 4, for example, a resin solution may be applied on the reinforcing layer 4 and heated and cured after drying. The resin solution can be prepared by dissolving the above-described resin in an organic solvent or the like. As the resin solution, for example, a polyamic acid resin solution that is a precursor of a polyimide resin is used. For the application of the resin, a known application method such as a doctor blade method or a spin coating method can be appropriately used. And after making it dry by heating suitably, the insulating layer 2 which consists of a flexible resin film is formed on the reinforcement layer 4 by making it harden | cure at 200-450 degreeC, for example.

また、絶縁層２は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して補強層４に貼着することによって、形成することもできる。 Moreover, the insulating layer 2 can also be formed by sticking the resin film previously formed in the film form to the reinforcement layer 4 via an adhesive agent.

さらに、絶縁層２は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、補強層４の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。 Furthermore, the insulating layer 2 can also be formed as a predetermined pattern by applying a solution of a photosensitive resin such as a photosensitive polyamic acid resin on the reinforcing layer 4 and exposing and developing.

このようにして形成される絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、絶縁層４の厚みを、このように薄く形成することができる。 The thickness of the insulating layer 2 thus formed is, for example, 50 μm or less, preferably 30 μm or less, more preferably 15 μm or less, and usually 3 μm or more. In this TAB tape carrier 1, since a stiff stainless steel foil is used as the reinforcing layer 4, the insulating layer 4 can be formed in such a thin thickness.

次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように（図４（ｃ）は、図４（ｂ）と上下方向を逆に示している。）、積層された補強層４および絶縁層２の幅方向両側縁部において、補強層４および絶縁層２の厚さ方向を貫通させて、上記した送り孔１５を、長手方向において所定間隔を隔てて複数形成する。送り孔１５の形成は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。 Next, in this method, as shown in FIG. 4C (FIG. 4C shows the up and down direction opposite to FIG. 4B), the laminated reinforcing layer 4 and insulating layer 2 are stacked. A plurality of feed holes 15 are formed at predetermined intervals in the longitudinal direction by penetrating the thickness direction of the reinforcing layer 4 and the insulating layer 2 at both side edges in the width direction. The feed hole 15 can be formed by using a known processing method such as drilling, laser processing, punching processing, etching, or the like, and preferably punching processing is used.

次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、補強層１２における送り孔１５が形成された搬送部補強部１３および実装部補強部１４を残して、絶縁層２における導体パターン７が形成される各実装部３が露出する開口部１８が形成されるように、補強層４を除去する。 Next, in this method, as shown in FIG. 4 (d), the conductor pattern 7 in the insulating layer 2 is left, leaving the transport portion reinforcing portion 13 and the mounting portion reinforcing portion 14 in which the feed holes 15 in the reinforcing layer 12 are formed. The reinforcing layer 4 is removed so as to form the opening 18 through which each mounting part 3 to be formed is exposed.

補強層４の除去は、補強層４における各実装部３を形成する部分（つまり、開口部１８）を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）などの公知の方法によって、開口形成すればよい。例えば、エッチングするには、開口部１８以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去すればよい。 The removal of the reinforcing layer 4 is performed by opening a portion of the reinforcing layer 4 that forms each mounting portion 3 (that is, the opening 18) by a known method such as drilling, punching, or wet etching (chemical etching). What is necessary is just to form. For example, for etching, the portions other than the opening 18 may be covered with an etching resist, and after etching using a known etching solution such as a ferric chloride solution, the etching resist may be removed.

その後、この方法では、補強層４が除去された各開口部１８の実装部３における絶縁層２の表面に、導体パターン７を上記した配線回路パターンとして形成する。導体パターン７を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン７の形成は、特に制限されることなく、絶縁層２の表面に、導体パターン７を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線回路パターンとして形成すればよい。 Thereafter, in this method, the conductor pattern 7 is formed as the above-described wiring circuit pattern on the surface of the insulating layer 2 in the mounting portion 3 of each opening 18 from which the reinforcing layer 4 has been removed. As a conductor for forming the conductor pattern 7, for example, copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used, and copper is preferably used. The formation of the conductor pattern 7 is not particularly limited, and the conductor pattern 7 is formed on the surface of the insulating layer 2 by a known patterning method such as a subtractive method, an additive method, or a semi-additive method. What is necessary is just to form as a wired circuit pattern.

サブトラクティブ法では、まず、各実装部３における絶縁層２の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、上記した配線回路パターンに対応するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去すればよい。 In the subtractive method, first, a conductor layer is laminated on the entire surface of the insulating layer 2 in each mounting part 3 through an adhesive layer as necessary, and then the above-described wiring circuit pattern is formed on the conductor layer. A corresponding etching resist is formed, the conductor layer is etched using this etching resist as a resist, and then the etching resist is removed.

また、アディティブ法では、まず、各実装部３における絶縁層２の表面に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、各実装部３における絶縁層２におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにすればよい。 In the additive method, first, a plating resist is formed on the surface of the insulating layer 2 in each mounting portion 3 in a pattern opposite to the wiring circuit pattern described above, and then the plating resist in the insulating layer 2 in each mounting portion 3 is formed. The conductor pattern 7 may be formed as the above-described wiring circuit pattern on the surface that is not formed by plating, and then the plating resist may be removed.

また、セミアディティブ法では、まず、各実装部３における絶縁層２の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにすればよい。 In the semi-additive method, first, a conductive thin film is formed on the insulating layer 2 in each mounting portion 3, and then a plating resist having a pattern opposite to the above-described wiring circuit pattern is formed on the underlying layer. After forming, the conductor pattern 7 is formed as a wiring circuit pattern by plating on the surface on which the plating resist in the base is not formed, and then the plating resist and the base on which the plating resist is laminated are removed. You just have to do it.

これらのパターンニング法のうちでは、図４（ｅ）〜図５（ｉ）に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。 Among these patterning methods, the semi-additive method is preferably used as shown in FIGS. 4 (e) to 5 (i).

すなわち、セミアディティブ法では、まず、図４（ｅ）に示すように、各実装部３における絶縁層２の全面に、下地１６となる導体の薄膜を形成する。下地１６の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地１６となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、各実装部３における絶縁層２の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成することが好ましい。なお、下地１６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように、設定することが好ましい。なお、この下地１６は、補強層４の全面にも形成される。 That is, in the semi-additive method, first, as shown in FIG. 4E, a thin film of a conductor serving as a base 16 is formed on the entire surface of the insulating layer 2 in each mounting portion 3. For the formation of the base 16, a vacuum vapor deposition method, in particular, a sputter vapor deposition method is preferably used. The conductor serving as the base 16 is preferably made of chromium or copper. More specifically, for example, it is preferable to sequentially form a chromium thin film and a copper thin film on the entire surface of the insulating layer 2 in each mounting portion 3 by a sputtering deposition method. In forming the base 16, it is preferable to set the thickness of the chromium thin film to be 100 to 600 mm and the thickness of the copper thin film to be 500 to 2000 mm, for example. The base 16 is also formed on the entire surface of the reinforcing layer 4.

そして、この方法では、図５（ｆ）に示すように、下地１６の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。なお、このめっきレジスト１７は、補強層４の全面にも形成する。 In this method, as shown in FIG. 5F, a plating resist 17 having a pattern opposite to the above-described wiring circuit pattern is formed on the base 16. The plating resist 17 may be formed as a predetermined resist pattern by a known method using, for example, a dry film resist. The plating resist 17 is also formed on the entire surface of the reinforcing layer 4.

次いで、図５（ｇ）に示すように、下地１６におけるめっきレジスト１７が形成されていない部分に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。 Next, as shown in FIG. 5G, the conductor pattern 7 is formed as a wiring circuit pattern described above by plating on the portion of the base 16 where the plating resist 17 is not formed. The plating may be either electrolytic plating or electroless plating, but electrolytic plating is preferably used, and among them, electrolytic copper plating is preferably used.

そして、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｉ）に示すように、めっきレジスト１７が形成されていた部分の下地１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、各実装部３における絶縁層２の表面に、導体パターン７が、上記したように、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１が連続して一体的に形成される配線８の配線回路パターンとして形成される。 Then, as shown in FIG. 5 (h), after removing the plating resist 17 by a known etching method such as chemical etching (wet etching) or peeling, as shown in FIG. 5 (i), the plating resist 17 is removed. Similarly, the base 16 of the portion where the 17 is formed is removed by a known etching method such as chemical etching (wet etching). As a result, the conductor pattern 7 is formed on the surface of the insulating layer 2 in each mounting portion 3 as described above, and the wiring circuit of the wiring 8 in which the inner lead 9, the outer lead 10, and the relay lead 11 are continuously and integrally formed. Formed as a pattern.

このようにして形成される導体パターン７の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。 Thus, the thickness of the conductor pattern 7 formed is 3-50 micrometers, for example, Preferably, it is 5-25 micrometers.

次いで、図５（ｊ）に示すように、各配線８の上面を、錫めっき層１９によって被覆する。錫めっき層１９の形成は、例えば、錫めっきにより形成すればよい。 Next, as shown in FIG. 5 (j), the upper surface of each wiring 8 is covered with a tin plating layer 19. The tin plating layer 19 may be formed by tin plating, for example.

その後、図５（ｋ）に示すように、被覆層１２を、各配線８の中継リード１１が被覆されるように、実装エリア６を囲むようにして形成する。被覆層１２は、耐熱性レジストからなるソルダレジストなどを用いて、公知の方法により、上記した所定のパターンで形成すればよい。 Thereafter, as shown in FIG. 5K, the covering layer 12 is formed so as to surround the mounting area 6 so as to cover the relay lead 11 of each wiring 8. The covering layer 12 may be formed in the above-described predetermined pattern by a known method using a solder resist made of a heat resistant resist.

なお、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部を、図４（ｃ）に示す補強層４を除去する工程において、開口部１８の形成とともに、補強層４を除去することにより、形成しておくことが好ましい。 In the case where a plurality of rows of TAB tape carriers 1 are simultaneously produced in the width direction of the reinforcing layer 4 and slits are made for each row, the slit portions between the TAB tape carriers 1 are shown in FIG. In the step of removing the reinforcing layer 4, it is preferable that the reinforcing layer 4 be formed by removing the reinforcing layer 4 together with the formation of the opening 18.

その後、図示しないが、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、各スリット部を境界として、１列ごとにスリットする。 Thereafter, although not shown, when a plurality of rows of TAB tape carriers 1 are produced in the width direction of the reinforcing layer 4, slits are made for each row with each slit portion as a boundary.

このような方法によれば、補強層４および絶縁層２の厚さ方向を貫通させて送り孔１５を形成した後、各開口部１８が形成されるように補強層４を除去し、各開口部１８の絶縁層２の表面に導体パターン７を形成する。つまり、補強層４を形成した後に、補強層４とは別途導体パターン７を形成するので、補強層４と導体パターン７とを、互いに異なる材料で独立して、簡易かつ効率的に形成することができる。その結果、補強層４を、補強効果の高いステンレス箔から形成する一方、導体パターン７を、パターン形成容易な銅箔から形成することができながら、簡易かつ効率的に、ＴＡＢ用テープキャリア１を製造することができる。 According to such a method, after forming the feed hole 15 through the thickness direction of the reinforcing layer 4 and the insulating layer 2, the reinforcing layer 4 is removed so that each opening 18 is formed. Conductive pattern 7 is formed on the surface of insulating layer 2 of portion 18. That is, since the conductive pattern 7 is formed separately from the reinforcing layer 4 after the reinforcing layer 4 is formed, the reinforcing layer 4 and the conductive pattern 7 can be easily and efficiently formed independently of different materials. Can do. As a result, while the reinforcing layer 4 is formed from a stainless steel foil having a high reinforcing effect, the conductor pattern 7 can be formed from a copper foil that is easy to form a pattern, the TAB tape carrier 1 can be easily and efficiently formed. Can be manufactured.

そして、このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１は、絶縁層２の幅方向両側縁部に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる搬送部補強部１３が形成されているので、絶縁層２を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時において、ＴＡＢ用テープキャリア１の強度を十分に補強することができる。そのため、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができ、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターン７における各インナリード９のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。 The TAB tape carrier 1 obtained in this manner is formed with the conveyance portion reinforcing portions 13 made of stainless steel foil stronger than the copper foil on both side edges in the width direction of the insulating layer 2. While the layer 2 can be formed thin, the strength of the TAB tape carrier 1 can be sufficiently reinforced during transport, mounting, and bonding. Therefore, it is possible to improve the dimensional accuracy and position accuracy during conveyance, mounting and bonding, and achieve high-density wiring in which the pitch of each inner lead 9 in the conductor pattern 7 is 60 μm or less while reducing the weight and thickness. In this case, it is possible to reliably mount the electronic component.

しかも、このＴＡＢ用テープキャリア１によれば、絶縁層２の表面に補強層４が形成されているので、絶縁層２の裏面を平面で支持しながら、実装エリア６に電子部品（図示せず）を実装することができる。そのため、ＦＣ方式による電子部品の実装において、裏面を吸着して、ＴＡＢ用テープキャリア１を確実に固定しつつ、精度のよいボンディングを実現することができる。 Moreover, according to the TAB tape carrier 1, since the reinforcing layer 4 is formed on the surface of the insulating layer 2, an electronic component (not shown) is mounted on the mounting area 6 while supporting the back surface of the insulating layer 2 with a flat surface. ) Can be implemented. Therefore, in mounting electronic parts by the FC method, it is possible to realize accurate bonding while adsorbing the back surface and securely fixing the TAB tape carrier 1.

なお、以上の説明では、補強層４を、絶縁層２の表面において、各実装部３の形成部分を除くすべてのエリアに設けたが、補強層４は、その目的および用途において、例えば、実装部補強部１４を形成せずに、搬送部補強部１３のみを形成してもよい。 In the above description, the reinforcing layer 4 is provided in all areas except the portion where the mounting portions 3 are formed on the surface of the insulating layer 2. Instead of forming the part reinforcing part 14, only the conveying part reinforcing part 13 may be formed.

また、上記した製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。 In addition, the above-described manufacturing method can be industrially manufactured by a known method such as a roll-to-roll method.

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples.

実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４、幅２５０ｍｍ）を補強層として用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させることにより、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。 Example 1
A 20 μm thick stainless steel foil (SUS304, width 250 mm) is prepared as a reinforcing layer (see FIG. 4 (a)), a polyamic acid resin solution is applied, dried, and heat cured to obtain a 25μm thick polyimide. An insulating layer made of resin was formed (see FIG. 4B).

なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリアの形態について示しているが、この実施例１では、幅２５０ｍｍのステンレス箔に幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。 FIGS. 4 and 5 show the form of one row of TAB tape carriers. In Example 1, four rows of TAB tape carriers having a width of 48 mm were simultaneously formed on a stainless steel foil having a width of 250 mm. .

次いで、送り孔を、補強層および絶縁層の厚さ方向を貫通させるようにして、パンチング加工により穿孔形成した後（図４（ｃ）参照）、補強層における各実装部を形成する部分およびＴＡＢ用テープキャリアを１列ごとに分離するための各スリット部を形成する部分以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、補強層をエッチングし、エッチングレジストを除去することにより、各開口部および各スリット部を形成した（図４（ｄ）参照）。 Next, the feed hole is formed by punching so as to penetrate the reinforcing layer and the insulating layer in the thickness direction (see FIG. 4 (c)), and then the portion for forming each mounting portion in the reinforcing layer and the TAB. Etching the reinforcing layer with ferric chloride solution and removing the etching resist after covering the portions other than the portions for forming the slits for separating the tape carrier for each row with the etching resist Thus, each opening and each slit were formed (see FIG. 4D).

その後、各実装部において露出した絶縁層の表面および補強層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの下地を形成した（図４（ｅ）参照）。次いで、めっきレジストを、下地の表面に、配線回路パターンの逆パターンとして形成するとともに、補強層の全面に形成した（図５（ｆ）参照）。 Thereafter, a chromium thin film and a copper thin film were sequentially formed on the surface of the insulating layer and the surface of the reinforcing layer exposed in each mounting portion by a sputtering vapor deposition method, thereby forming a base having a thickness of 2000 mm (FIG. 4E). reference). Next, a plating resist was formed on the entire surface of the reinforcing layer as a reverse pattern of the wiring circuit pattern on the surface of the base (see FIG. 5F).

次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、２．５Ａ／ｄｍ^２で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｇ）参照）。 Next, this is immersed in an electrolytic copper sulfate plating solution, and electrolytic copper plating is performed at 2.5 A / dm ² for about 20 minutes on a portion where the plating resist is not formed on the base, thereby a conductor having a thickness of 10 μm. A pattern was formed (see FIG. 5G).

なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。 The conductor pattern was formed as a plurality of wiring patterns that are arranged at a predetermined interval from each other and in which inner leads, outer leads, and relay leads are formed continuously and integrally. The inner lead pitch was 30 μm, and the outer lead pitch was 100 μm.

次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｈ）参照）、めっきレジストが形成されていた下地を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｉ）参照）。 Next, after removing the plating resist by chemical etching (see FIG. 5H), the base on which the plating resist was formed was similarly removed by chemical etching. (See FIG. 5 (i)).

その後、各配線の上面を、錫めっきにより、錫めっき層を形成することにより被覆した後（図５（ｊ）参照）、被覆層を、耐熱性レジストにより、各配線の中継リードが被覆されるように、実装エリアを囲むようにして形成した（図５（ｋ）参照）。 Then, after covering the upper surface of each wiring by forming a tin plating layer by tin plating (see FIG. 5 (j)), the covering layer is covered with a heat resistant resist to cover the relay lead of each wiring. Thus, it was formed so as to surround the mounting area (see FIG. 5 (k)).

その後、４列のＴＡＢ用テープキャリアを、スリット部を境界として、１列ごとにスリットすることにより、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。 Then, the TAB tape carrier was obtained by slitting four rows of TAB tape carriers for each row with the slit portion as a boundary.

比較例１
厚さ１８μｍの銅箔からなる導体層が、厚さ２５μｍのポリイミド樹脂フィルムに積層されている片面基材を用意し（図６（ａ）参照：図６では、図４および図５に示す部材と同一の部材には、同一の符号を付している。また、図６において、符号２１は導体層を、符号２２はエッチングレジストを示す。）、送り孔を、導体層および絶縁層の厚さ方向を貫通させるようにして、パンチング加工により穿孔形成した（図６（ｂ）参照）。 Comparative Example 1
A single-sided base material in which a conductor layer made of a copper foil having a thickness of 18 μm is laminated on a polyimide resin film having a thickness of 25 μm is prepared (see FIG. 6A: FIG. 6 shows members shown in FIGS. 4 and 5) 6, the reference numeral 21 denotes a conductor layer, and the reference numeral 22 denotes an etching resist.), The feed hole, the thickness of the conductor layer and the insulating layer. A perforation was formed by punching so as to penetrate in the vertical direction (see FIG. 6B).

なお、図６においては、１列のＴＡＢ用テープキャリアの形態について示しているが、この比較例１では、幅２５０ｍｍの片面基材に幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。 Although FIG. 6 shows the form of one row of TAB tape carriers, in Comparative Example 1, four rows of TAB tape carriers having a width of 48 mm were simultaneously produced on a single-sided substrate having a width of 250 mm.

次いで、絶縁層の表面に、ドライフィルムレジストからなるエッチングレジストを、補強層（搬送部補強部および実装部補強部）、スリット部および導体パターンと、同一パターンで形成し（図６（ｃ）参照）、その後、塩化第二鉄溶液を用いて、導体層をエッチングした後（図６（ｄ）参照）、エッチングレジストを除去することにより（図６（ｅ）参照）、銅箔からなる補強層、スリット部および導体パターンを同時に形成した。 Next, an etching resist made of a dry film resist is formed on the surface of the insulating layer in the same pattern as the reinforcing layer (conveying portion reinforcing portion and mounting portion reinforcing portion), slit portion, and conductor pattern (see FIG. 6C). Then, after etching the conductor layer using a ferric chloride solution (see FIG. 6 (d)), the etching resist is removed (see FIG. 6 (e)), whereby a reinforcing layer made of copper foil The slit part and the conductor pattern were formed simultaneously.

その後、各配線の上面を、錫めっきにより、錫めっき層を形成することにより被覆した後（図６（ｆ）参照）、被覆層を、耐熱性レジストにより、各配線の中継リードが被覆されるように、実装エリアを囲むようにして形成した（図６（ｇ）参照）。 Then, after covering the upper surface of each wiring by forming a tin plating layer by tin plating (see FIG. 6F), the relay layer of each wiring is covered with the heat-resistant resist. Thus, it was formed so as to surround the mounting area (see FIG. 6G).

そして、４列のＴＡＢ用テープキャリアを、スリット部を境界として、１列ごとにスリットすることにより、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。 Then, the TAB tape carrier was obtained by slitting four rows of TAB tape carriers for each row with the slit portion as a boundary.

評価
実施例１および比較例１で得られたＴＡＢ用テープキャリアにおいて、幅方向両端に位置する２つのインナリードの間の距離（両端に位置する各インナリードの幅方向中心間の距離であって、図２において、符号「Ｘ」で示されている。）を測定して、設計寸法と比較した。その結果を下記に示す。なお、測定値は、測定数１０での平均値である。 Evaluation In the TAB tape carrier obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the distance between two inner leads located at both ends in the width direction (the distance between the center in the width direction of each inner lead located at both ends) In FIG. 2, it is indicated by the symbol “X”.) Was measured and compared with the design dimension. The results are shown below. In addition, a measured value is an average value in the number of measurements 10.

設計寸法：２１０００μｍ
実施例１：２１００５μｍ寸法ずれ５μｍ
比較例１：２１０２０μｍ寸法ずれ２０μｍ Design dimension: 21000 μm
Example 1: 21005 μm Dimensional deviation 5 μm
Comparative Example 1: 21020 μm Dimensional deviation 20 μm

本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。It is a partial top view which shows one Embodiment of the tape carrier for TAB of this invention. 図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the TAB tape carrier shown in FIG. 1. 図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。FIG. 3 is a partial bottom view of the TAB tape carrier shown in FIG. 本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図１におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、（ａ）は、補強層を用意する工程、（ｂ）は、補強層の上に絶縁層を積層形成する工程、（ｃ）は、積層された補強層および絶縁層の幅方向両側縁部に送り孔を形成する工程、（ｄ）は、補強層を除去して開口部を形成する工程、（ｅ）は、各実装部の絶縁層および補強層の全面に下地を形成する工程を示す。It is process drawing in the AA 'line cross section in FIG. 1 which shows one Embodiment of the manufacturing method of the tape carrier for TAB of this invention, Comprising: (a) is the process of preparing a reinforcement layer, (b) A step of laminating and forming an insulating layer on the reinforcing layer, (c) forming a feed hole at both side edges in the width direction of the laminated reinforcing layer and the insulating layer, and (d) removing the reinforcing layer. (E) shows a step of forming a base on the entire surface of the insulating layer and the reinforcing layer of each mounting portion. 図４に続いて、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図１におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、（ｆ）は、下地の上にめっきレジストを形成する工程、（ｇ）は、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、導体パターンを形成する工程、（ｈ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｉ）は、めっきレジストが形成されていた下地を除去する工程、（ｊ）は、各配線の上面に錫めっき層を形成する工程、（ｋ）は、被覆層を形成する工程を示す。FIG. 5 is a process diagram in the AA ′ line cross section in FIG. 1 showing an embodiment of the method for producing the TAB tape carrier of the present invention, following FIG. 4, and (f) is a plating resist on the base (G) is a step of forming a conductor pattern by plating on a portion of the base where no plating resist is formed, (h) is a step of removing the plating resist, and (i) is plating. The step of removing the base on which the resist has been formed, (j) shows the step of forming a tin plating layer on the upper surface of each wiring, and (k) shows the step of forming a coating layer. 比較例１のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図４および図５に対応する工程図であって、（ａ）は、片面基材を用意する工程、（ｂ）は、送り孔を形成する工程、（ｃ）は、絶縁層の表面にエッチングレジストを、補強層および導体パターンと同一パターンで形成する工程、（ｄ）は、導体層をエッチングする工程、（ｅ）は、エッチングレジストを除去する工程（ｆ）は、各配線の上面に錫めっき層を形成する工程、（ｇ）は、被覆層を形成する工程を示す。It is process drawing corresponding to FIG.4 and FIG.5 which shows one Embodiment of the manufacturing method of the TAB tape carrier of the comparative example 1, Comprising: (a) is the process of preparing a single-sided base material, (b) (C) is a step of forming an etching resist on the surface of the insulating layer in the same pattern as the reinforcing layer and the conductor pattern, (d) is a step of etching the conductor layer, and (e) is a step of forming the feed hole. The step (f) of removing the etching resist shows a step of forming a tin plating layer on the upper surface of each wiring, and the step (g) shows a step of forming a coating layer.

Explanation of symbols

１ＴＡＢ用テープキャリア
２絶縁層
４補強層
７導体パターン
８配線
１３搬送部補強部
１５送り孔
ＩＰインナリードのピッチ
ＯＰアウタリードのピッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TAB tape carrier 2 Insulation layer 4 Reinforcement layer 7 Conductor pattern 8 Wiring 13 Conveyance part reinforcement part 15 Feed hole IP Inner lead pitch OP Outer lead pitch

Claims

Reinforcement made of a conductive foil made of a plurality of wirings arranged at predetermined intervals on the surface of the insulating layer, and a stainless steel foil arranged at both side edges in the width direction of the insulating layer and along the longitudinal direction of the insulating layer A layer is formed,
A tape carrier for TAB, wherein the pitch of each wiring is 60 μm or less.

2. The TAB tape carrier according to claim 1, wherein the insulating layer has a thickness of 50 μm or less.

Laminating a reinforcing layer and an insulating layer;
A step of forming a plurality of holes penetrating in the thickness direction of the reinforcing layer and the insulating layer at predetermined intervals in the longitudinal direction at both side edges in the width direction of the laminated reinforcing layer and insulating layer;
Removing the reinforcing layer so as to expose a portion of the insulating layer where the conductor pattern is formed, leaving a portion of the reinforcing layer where the hole is formed;
A method for producing a TAB tape carrier, comprising a step of forming a conductor pattern on the insulating layer where the reinforcing layer has been removed.