JP2005142603A

JP2005142603A - Tape carrier for tab

Info

Publication number: JP2005142603A
Application number: JP2005057696A
Authority: JP
Inventors: Toshiki Naito; 俊樹内藤; Hiroshi Yamazaki; 博司山崎; Toshihiko Omote; 利彦表
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2005-03-02
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2005-06-02

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape carrier for TAB which can be improved in dimensional accuracy and positional accuracy at transporting, mounting, and bonding and, in addition, with which inner leads can be wired at high density while the weight and thickness of the carrier are reduced. <P>SOLUTION: On the surface of an insulating layer 2, a conductor pattern 7 composed of a plurality of wiring 8 containing inner leads 9 arranged in pitches of ≤60 μm and arranged at prescribed intervals is formed. On the rear surface of the insulating layer 2, reinforcing layers 4 composed of stainless steel foil are formed along the lengthwise direction of the insulating layer 2 on both end edges of the rear surface of the layer 2 in the widthwise direction. In addition, a mounting area 6 for mounting an electronic component is provided on the surface of the insulating layer 2 and the inner leads 9 are disposed on the insulating layer 2 in the mounting area 6. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ＴＡＢ用テープキャリア、詳しくは、ＴＡＢ法によって、電子部品を実装するためのＴＡＢ用テープキャリアに関する。 The present invention relates to a TAB tape carrier, and more particularly to a TAB tape carrier for mounting electronic components by the TAB method.

ＴＡＢ用テープキャリアは、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）法によって、半導体素子などからなる電子部品を実装するために広く用いられている。
このようなＴＡＢ用テープキャリアは、近年、電子機器の軽量化、薄型化および小型化の要求に伴って、軽薄短小化がますます要求されている。
一方、このようなＴＡＢ用テープキャリアは、通常、その幅方向両端部において長手方向に沿って形成される送り孔に、スプロケットを噛み合わせて、所定のテンションが加わる状態で搬送されるため、過度に薄く形成すると、搬送時に、送り孔が破損したり、電子部品の実装時およびボンディング時に位置ずれを生じる。 The TAB tape carrier is widely used for mounting electronic components made of semiconductor elements or the like by a TAB (Tape Automated Bonding) method.
In recent years, such TAB tape carriers are increasingly required to be lighter, thinner, and smaller with the demands for weight reduction, thickness reduction, and size reduction of electronic devices.
On the other hand, such a TAB tape carrier is usually transported in a state where a sprocket is engaged with feed holes formed along the longitudinal direction at both ends in the width direction and a predetermined tension is applied. If the thickness is too small, the feed hole may be damaged during transportation, or misalignment may occur during mounting and bonding of electronic components.

そのため、例えば、特開平５−２９３９４号公報、特開２０００−３３２０６２号公報、特開２０００−３４０６１７号公報などでは、導体パターンが形成される絶縁フィルムの裏面に、銅箔を設けて補強することが提案されている。
特開平５−２９３９４号公報特開２０００−３３２０６２号公報特開２０００−３４０６１７号公報 Therefore, for example, in JP-A-5-29394, JP-A-2000-330262, and JP-A-2000-340617, a copper foil is provided on the back surface of the insulating film on which the conductor pattern is formed to reinforce. Has been proposed.
JP-A-5-29394 JP 2000-332062 A JP 2000-340617 A

しかし、近年、軽薄短小化の要求、および、導体パターンの微細化や高密度化の要求がより一層高まっており、そのような要求に対応するためには、銅箔による補強効果では十分でなく、より一層、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることが必要となってきている。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ＴＡＢ用テープキャリアにおいて、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができながら、軽量化、薄型化を図りつつ、インナリードの高密度配線を実現することのできるＴＡＢ用テープキャリアを提供することにある。 However, in recent years, there has been an increasing demand for lighter, thinner and smaller conductors, as well as demands for finer and higher density conductor patterns, and the reinforcing effect of copper foil is not sufficient to meet such demands. Further, it is necessary to improve the dimensional accuracy and position accuracy during transport, mounting, and bonding.
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to improve the dimensional accuracy and position accuracy during transport, mounting, and bonding in a TAB tape carrier. An object of the present invention is to provide a TAB tape carrier capable of realizing inner lead high-density wiring while reducing weight and thickness.

上記の目的を達成するため、本発明のＴＡＢ用テープキャリアは、絶縁層の表面には、インナリードを含む、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線からなる導体パターンが形成されており、前記絶縁層の裏面には、その幅方向両端縁部において、前記絶縁層の長手方向に沿ってステンレス箔からなる補強層が形成されており、前記絶縁層の表面には、電子部品を実装するための実装エリアが設けられており、前記インナリードが、前記実装エリア内において、前記絶縁層の上に配置されていることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the TAB tape carrier of the present invention is formed with a conductor pattern including a plurality of wires arranged at predetermined intervals on the surface of the insulating layer, including inner leads. The back surface of the insulating layer is formed with a reinforcing layer made of stainless steel foil along the longitudinal direction of the insulating layer at both edges in the width direction, and an electronic component is mounted on the surface of the insulating layer. There is provided a mounting area, and the inner lead is disposed on the insulating layer in the mounting area.

また、本発明のＴＡＢ用テープキャリアでは、前記インナリードのピッチが、６０μｍ以下であることが好適である。 In the TAB tape carrier of the present invention, it is preferable that the pitch of the inner leads is 60 μm or less.

本発明のＴＡＢ用テープキャリアによれば、絶縁層の裏面に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層が形成されているので、絶縁層を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時における寸法精度や位置精度を向上させることができる。そのため、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターンにおけるインナリードの高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。 According to the TAB tape carrier of the present invention, since the reinforcing layer made of stainless steel foil stronger than the copper foil is formed on the back surface of the insulating layer, the insulating layer can be formed thinly while being transported. Dimensional accuracy and positional accuracy during mounting and bonding can be improved. Therefore, it is possible to securely mount the electronic component in the inner lead high-density wiring in the conductor pattern while reducing the weight and thickness.

図１は、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図、図２は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図、図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。
図１において、このＴＡＢ用テープキャリア１は、長手方向に連続して延びるテープ状の絶縁層２に、電子部品（図示せず。）を実装するための実装部３と、絶縁層２を補強するための補強層４（図３参照）と、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するための搬送部５とを備えている。 1 is a partial plan view showing an embodiment of the TAB tape carrier of the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the TAB tape carrier shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a TAB tape shown in FIG. It is a partial bottom view of a carrier.
In FIG. 1, a TAB tape carrier 1 includes a mounting portion 3 for mounting an electronic component (not shown) on a tape-like insulating layer 2 continuously extending in the longitudinal direction, and the insulating layer 2 is reinforced. For this purpose, a reinforcing layer 4 (see FIG. 3) and a transport unit 5 for transporting the TAB tape carrier 1 are provided.

実装部３は、絶縁層２において、絶縁層２の長手方向（ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向と同じ、以下、単に長手方向という場合がある。）において、互いに所定間隔を隔てて連続するように、複数設けられている。各実装部３は、図２に示すように、略矩形状をなし、その中央が電子部品（図示せず。）を実装（載置）するための略矩形状の実装エリア６とされている。また、実装エリア６の長手方向両側には、導体パターン７がそれぞれ形成されている。 The mounting portion 3 is continuous in the insulating layer 2 at a predetermined interval in the longitudinal direction of the insulating layer 2 (same as the longitudinal direction of the TAB tape carrier 1, hereinafter simply referred to as the longitudinal direction). A plurality of them are provided. As shown in FIG. 2, each mounting portion 3 has a substantially rectangular shape, and the center thereof is a substantially rectangular mounting area 6 for mounting (mounting) an electronic component (not shown). . Conductive patterns 7 are formed on both sides of the mounting area 6 in the longitudinal direction.

この導体パターン７は、絶縁層２の表面に形成されており、互いに所定間隔を隔てて配置される複数の配線８からなり、各配線８は、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１を連続して一体的に備えている。
各インナリード９は、実装エリア６内に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔ててＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向（長手方向と直交する方向、以下、単に幅方向という場合がある。）において並列するように、絶縁層２の上に配置されている。各インナリード９のピッチ（すなわち、１つのインナリード９の幅と、２つのインナリード９間の幅（間隔）との合計の長さ）ＩＰが、６０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下で、通常、１０μｍ以上に設定されている。このように、各インナリード９のピッチＩＰを、６０μｍ以下に設定することにより、高密度配線を実現することができる。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、後述するように、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、このような高密度配線が可能とされている。 The conductor pattern 7 is formed on the surface of the insulating layer 2 and is composed of a plurality of wirings 8 arranged at a predetermined interval from each other. Each wiring 8 is connected to the inner lead 9, the outer lead 10 and the relay lead 11. And integrated.
Each inner lead 9 faces the mounting area 6, extends along the longitudinal direction, and is spaced apart from each other by a predetermined distance in the width direction of the TAB tape carrier 1 (a direction perpendicular to the longitudinal direction, hereinafter simply referred to as a width direction). In other words, the insulating layer 2 is arranged in parallel. The pitch of each inner lead 9 (that is, the total length of the width of one inner lead 9 and the width (interval) between two inner leads 9) IP is 60 μm or less, preferably 50 μm or less. It is set to 10 μm or more. Thus, by setting the pitch IP of each inner lead 9 to 60 μm or less, high-density wiring can be realized. In the TAB tape carrier 1, since a stiff stainless steel foil is used as the reinforcing layer 4 as described later, such high-density wiring is possible.

また、各インナリード９の幅は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍ、２つのインナリード９間の幅（間隔）は、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍに設定されている。
各アウタリード１０は、実装部３における長手方向両端部に臨み、長手方向に沿って延び、互いに所定間隔を隔てて幅方向において並列するように配置されている。各アウタリード１０のピッチ（すなわち、１つのアウタリード１０の幅と、２つのアウタリード１０間の幅（間隔）との合計の長さ）ＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、例えば、１００〜１０００％程度に設定されている。すなわち、各アウタリード１０のピッチＯＰは、各インナリード９のピッチＩＰに対して、広幅に設定されていてもよく、また、各インナリード９のピッチＩＰと実質的に同幅で設定されていてもよい。 The width of each inner lead 9 is set to 5 to 50 μm, preferably 10 to 40 μm, and the width (interval) between the two inner leads 9 is set to 5 to 50 μm, preferably 10 to 40 μm.
Each outer lead 10 faces both ends in the longitudinal direction of the mounting portion 3, extends along the longitudinal direction, and is arranged so as to be juxtaposed in the width direction at a predetermined interval. The pitch of each outer lead 10 (that is, the total length of the width of one outer lead 10 and the width (interval) between two outer leads 10) OP is, for example, 100 with respect to the pitch IP of each inner lead 9. It is set to about ~ 1000%. That is, the pitch OP of each outer lead 10 may be set wider than the pitch IP of each inner lead 9, and is set to be substantially the same width as the pitch IP of each inner lead 9. Also good.

各中継リード１１は、各インナリード９と各アウタリード１０とが連続するように、各インナリード９と各アウタリード１０とを中継しており、ピッチの狭い各インナリード９側からピッチの広い各アウタリード１０側に向かって、長手方向において、放射状に広がるように配置されている。
また、各中継リード１１が配置されるエリアには、ソルダレジストなどの絶縁層１２が設けられている。すなわち、ソルダレジストなどの絶縁層１２は、実装エリア６を囲むようにして、略矩形枠状に形成されており、すべての中継リード１１を覆うように設けられている。 Each relay lead 11 relays each inner lead 9 and each outer lead 10 so that each inner lead 9 and each outer lead 10 are continuous, and each outer lead having a wide pitch from the side of each inner lead 9 having a narrow pitch. It is arrange | positioned so that it may spread radially in the longitudinal direction toward 10 side.
In addition, an insulating layer 12 such as a solder resist is provided in an area where each relay lead 11 is disposed. That is, the insulating layer 12 such as a solder resist is formed in a substantially rectangular frame shape so as to surround the mounting area 6, and is provided so as to cover all the relay leads 11.

なお、インナリード９およびアウタリード１０は、後述するように、ニッケルめっき層や金めっき層によって適宜被覆されていることが好ましい。
補強層４は、図３に示すように、絶縁層２の裏面において、絶縁層２における各実装部３が形成される位置が開口部１８となるような、各実装部３との対向位置を除くすべてのエリアに設けられている。より具体的には、補強層４は、ステンレス箔からなり、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って連続して設けられる搬送部補強部１３と、長手方向において互いに所定間隔を隔てて配置される各実装部３の間において、幅方向に沿って設けられる実装部間補強部１４とが一体的に連続して形成されている。搬送部補強部１３を形成することで、搬送時の強度の向上を図ることができる。また、実装部間補強部１４を形成することで、実装時などの取り扱い性の向上を図ることができる。 The inner lead 9 and the outer lead 10 are preferably appropriately covered with a nickel plating layer or a gold plating layer as will be described later.
As shown in FIG. 3, the reinforcing layer 4 has a position facing the mounting portions 3 on the back surface of the insulating layer 2 so that the positions where the mounting portions 3 are formed in the insulating layer 2 are openings 18. It is provided in all areas except. More specifically, the reinforcing layer 4 is made of a stainless steel foil, and at the both side edge portions in the width direction of the TAB tape carrier 1, the conveying portion reinforcing portion 13 provided continuously along the longitudinal direction and the longitudinal direction. Between each mounting part 3 arrange | positioned at predetermined intervals, the reinforcement part 14 between mounting parts provided along the width direction is integrally formed continuously. By forming the conveyance part reinforcement part 13, the improvement in the intensity | strength at the time of conveyance can be aimed at. Further, by forming the inter-mounting portion reinforcing portion 14, it is possible to improve the handleability during mounting or the like.

なお、各搬送部補強部１３の幅方向長さＬ１は、例えば、５〜１５ｍｍ、好ましくは、５〜１０ｍｍに設定され、実装部間補強部１４の長手方向長さＬ２が、例えば、１〜１０ｍｍ、好ましくは、１〜５ｍｍに設定されている。
搬送部５は、図１に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って設けられている。各搬送部５には、このＴＡＢ用テープキャリア１を搬送するために、スプロケットなどと噛み合わせるための複数の送り孔１５が、それぞれ幅方向において対向するように形成されている。各送り孔１５は、ＴＡＢ用テープキャリア１の長手方向において、等間隔毎に、ＴＡＢ用テープキャリア１を貫通する（絶縁層２および補強層４を貫通する）ように、略矩形状に穿孔形成されている。 In addition, the width direction length L1 of each conveyance part reinforcement part 13 is set to 5-15 mm, for example, Preferably, it is set to 5-10 mm, and the longitudinal direction length L2 of the reinforcement part 14 between mounting parts is, for example, 1- It is set to 10 mm, preferably 1 to 5 mm.
As shown in FIG. 1, the transport unit 5 is provided along the longitudinal direction at both side edges in the width direction of the TAB tape carrier 1. A plurality of feed holes 15 for meshing with a sprocket or the like for transporting the TAB tape carrier 1 are formed in each transport section 5 so as to face each other in the width direction. Each feed hole 15 is formed in a substantially rectangular shape so as to penetrate the TAB tape carrier 1 (through the insulating layer 2 and the reinforcing layer 4) at equal intervals in the longitudinal direction of the TAB tape carrier 1. Has been.

なお、各送り孔１５は、例えば、１．９８１×１．９８１ｍｍ角孔に穿孔され、各送り孔１５の間隔は、例えば、４．７５ｍｍに設定されている。
次に、このＴＡＢ用テープキャリア１の製造方法を、図４および図５を参照して説明する。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、補強層４を用意する。補強層４には、ステンレス箔が用いられる。なお、ステンレスには、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づいて、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０５、ＳＵＳ３０９、ＳＵＳ３１０、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３２１、ＳＵＳ３４７など種々の種類があるが、いずれのステンレスも、特に制限されることなく用いることができる。また、その厚さが、３〜１００μｍ、さらには、５〜３０μｍ、とりわけ、８〜２０μｍのものが好ましく用いられる。このようなステンレス箔は、実際には、その幅が、１００〜１０００ｍｍ、好ましくは、１５０〜４００ｍｍ程度の長尺なテープ状のものが用意される。 Each feed hole 15 is, for example, a 1.981 × 1.981 mm square hole, and the spacing between the feed holes 15 is set to 4.75 mm, for example.
Next, a method for manufacturing the TAB tape carrier 1 will be described with reference to FIGS.
In this method, first, a reinforcing layer 4 is prepared as shown in FIG. Stainless steel foil is used for the reinforcing layer 4. There are various types of stainless steel such as SUS301, SUS304, SUS305, SUS309, SUS310, SUS316, SUS317, SUS321, and SUS347 based on AISI (American Iron and Steel Institute) standards. It can be used without particular limitation. Moreover, the thing whose thickness is 3-100 micrometers, Furthermore, 5-30 micrometers, Especially 8-20 micrometers is used preferably. Such a stainless steel foil is actually prepared in the form of a long tape having a width of about 100 to 1000 mm, preferably about 150 to 400 mm.

なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリア１の形態について示しているが、通常は、ステンレス箔の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする。
例えば、幅２５０ｍｍのステンレス箔では、幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列、幅３００ｍｍのステンレス箔では、幅７０ｍｍのＴＡＢ用テープキャリア１を４列同時に作製することができる。 4 and 5 show the form of one row of TAB tape carriers 1, but normally, after forming a plurality of rows of TAB tape carriers 1 in the width direction of the stainless steel foil, Slit for each row.
For example, four rows of TAB tape carriers 1 with a width of 48 mm can be produced simultaneously with a stainless steel foil with a width of 250 mm, and four rows of TAB tape carriers 1 with a width of 70 mm can be produced simultaneously with a stainless steel foil with a width of 300 mm.

次いで、図４（ｂ）に示すように、その補強層４の上に絶縁層２を形成する。絶縁層２を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。 Next, as shown in FIG. 4B, the insulating layer 2 is formed on the reinforcing layer 4. As the insulator forming the insulating layer 2, for example, a synthetic resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polyether nitrile resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate resin, or a polyvinyl chloride resin is used. Preferably, a polyimide resin is used.

そして、補強層４の上に絶縁層２を形成するには、例えば、樹脂溶液を補強層４の上に塗布し、乾燥後に加熱硬化させればよい。樹脂溶液は、上記した樹脂を、有機溶媒などに溶解することによって調製することができる。樹脂溶液としては、例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸樹脂の溶液などが用いられる。また、樹脂の塗布は、ドクターブレード法、スピンコート法などの公知の塗布方法を、適宜用いることができる。そして、適宜加熱することによって乾燥させた後、例えば、２００〜６００℃で加熱硬化させることにより、補強層４の上に、可撓性を有する樹脂フィルムからなる絶縁層２が形成される。 In order to form the insulating layer 2 on the reinforcing layer 4, for example, a resin solution may be applied on the reinforcing layer 4 and heated and cured after drying. The resin solution can be prepared by dissolving the above-described resin in an organic solvent or the like. As the resin solution, for example, a polyamic acid resin solution which is a polyimide precursor is used. For the application of the resin, a known application method such as a doctor blade method or a spin coating method can be appropriately used. And after making it dry by heating suitably, the insulating layer 2 which consists of a resin film which has flexibility is formed on the reinforcement layer 4 by making it heat-harden at 200-600 degreeC, for example.

また、絶縁層２は、予めフィルム状に形成された樹脂フィルムを、接着剤を介して補強層４に貼着することによって、形成することもできる。
さらに、絶縁層２は、例えば、感光性ポリアミック酸樹脂などの感光性樹脂の溶液を、補強層４の上に塗布し、露光および現像することにより、所定のパターンとして形成することもできる。 Moreover, the insulating layer 2 can also be formed by sticking the resin film previously formed in the film form to the reinforcement layer 4 through an adhesive agent.
Furthermore, the insulating layer 2 can also be formed as a predetermined pattern by applying a solution of a photosensitive resin such as a photosensitive polyamic acid resin on the reinforcing layer 4 and exposing and developing.

このようにして形成される絶縁層２の厚みは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、１５μｍ以下、通常、３μｍ以上である。なお、このＴＡＢ用テープキャリア１では、補強層４として腰の強いステンレス箔が用いられているので、絶縁層４の厚みを、このように薄く形成することができる。
次いで、この方法では、この絶縁層２の表面に、導体パターン７を、上記した配線回路パターンとして形成する。導体パターン７を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン７の形成は、特に制限されることなく、絶縁層２の表面に、導体パターン７を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、上記した配線回路パターンとして形成すればよい。 The thickness of the insulating layer 2 thus formed is, for example, 50 μm or less, preferably 30 μm or less, more preferably 15 μm or less, and usually 3 μm or more. In this TAB tape carrier 1, since a stiff stainless steel foil is used as the reinforcing layer 4, the insulating layer 4 can be formed in such a thin thickness.
Next, in this method, the conductor pattern 7 is formed on the surface of the insulating layer 2 as the above-described wiring circuit pattern. As a conductor for forming the conductor pattern 7, for example, copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof is used, and copper is preferably used. The formation of the conductor pattern 7 is not particularly limited, and the conductor pattern 7 is formed on the surface of the insulating layer 2 by a known patterning method such as a subtractive method, an additive method, or a semi-additive method. What is necessary is just to form as a wired circuit pattern.

サブトラクティブ法では、まず、絶縁層２の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、上記した配線回路パターンに対応するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去すればよい。
また、アディティブ法では、まず、絶縁層２の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、絶縁層２におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにすればよい。 In the subtractive method, a conductor layer is first laminated on the entire surface of the insulating layer 2 with an adhesive layer if necessary, and then an etching resist corresponding to the above-described wiring circuit pattern is formed on the conductor layer. The conductive layer is formed using this etching resist as a resist, and then the etching resist is removed.
In the additive method, first, a plating resist is formed on the insulating layer 2 in a pattern opposite to the above-described wiring circuit pattern, and then the surface of the insulating layer 2 on which the plating resist is not formed is plated. The conductor pattern 7 may be formed as the above-described wiring circuit pattern, and then the plating resist may be removed.

また、セミアディティブ法では、まず、絶縁層２の上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにすればよい。 In the semi-additive method, first, a conductive thin film as a base is formed on the insulating layer 2, and then a plating resist is formed on the base in a pattern opposite to the wiring circuit pattern described above. If the conductor pattern 7 is formed as the above-described wiring circuit pattern by plating on the surface on which the plating resist is not formed on the base, and then the base on which the plating resist and the plating resist are laminated is removed. Good.

これらのパターンニング法のうちでは、図４（ｃ）〜図５（ｈ）に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。
すなわち、セミアディティブ法では、まず、図４（ｃ）に示すように、絶縁層２の全面に、下地１６となる導体の薄膜を形成する。下地１６の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地１６となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、絶縁層２の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次に形成することが好ましい。なお、下地１６の形成においては、例えば、クロム薄膜の厚さが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚さが、５００〜２０００Åとなるように設定することが好ましい。 Among these patterning methods, the semi-additive method is preferably used as shown in FIGS. 4 (c) to 5 (h).
That is, in the semi-additive method, first, as shown in FIG. 4C, a thin film of a conductor serving as the base 16 is formed on the entire surface of the insulating layer 2. For the formation of the base 16, a vacuum vapor deposition method, in particular, a sputter vapor deposition method is preferably used. The conductor serving as the base 16 is preferably made of chromium or copper. More specifically, for example, it is preferable to sequentially form a chromium thin film and a copper thin film on the entire surface of the insulating layer 2 by sputtering deposition. In forming the base 16, for example, it is preferable to set the thickness of the chromium thin film to 100 to 600 mm and the thickness of the copper thin film to 500 to 2000 mm.

次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ＴＡＢ用テープキャリア１の幅方向両側縁部において、長手方向に沿って、上記した複数の送り孔１５を、補強層４、絶縁層２および下地１６の厚さ方向を貫通するように穿孔形成する。送り孔１５の穿孔形成は、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工、パンチング加工、エッチングなどの公知の加工方法を用いることができ、好ましくは、パンチング加工が用いられる。 Next, in this method, as shown in FIG. 4 (d), the plurality of feed holes 15 are formed along the longitudinal direction at the both side edges in the width direction of the TAB tape carrier 1. 2 and the base 16 are perforated so as to penetrate the thickness direction. For forming the feed hole 15, for example, a known processing method such as drilling, laser processing, punching, or etching can be used. Preferably, punching is used.

そして、この方法では、図５（ｅ）に示すように、下地１６の上に、上記した配線回路パターンと逆パターンのめっきレジスト１７を形成する。めっきレジスト１７は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。なお、このめっきレジスト１７は、補強層４の全面にも形成する。
次いで、図５（ｆ）に示すように、下地１６におけるめっきレジスト１７が形成されていない部分に、めっきにより、上記した配線回路パターンとして導体パターン７を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。 In this method, as shown in FIG. 5E, a plating resist 17 having a pattern opposite to the above-described wiring circuit pattern is formed on the base 16. The plating resist 17 may be formed as a predetermined resist pattern by a known method using, for example, a dry film resist. The plating resist 17 is also formed on the entire surface of the reinforcing layer 4.
Next, as shown in FIG. 5F, the conductor pattern 7 is formed as a wiring circuit pattern described above by plating on the portion of the base 16 where the plating resist 17 is not formed. The plating may be either electrolytic plating or electroless plating, but electrolytic plating is preferably used, and among them, electrolytic copper plating is preferably used.

そして、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト１７を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト１７が形成されていた下地１６を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、絶縁層２の上に、導体パターン７が、上記したように、インナリード９、アウタリード１０および中継リード１１が連続して一体的に形成される配線８の配線回路パターンとして形成される。 Then, as shown in FIG. 5 (g), after removing the plating resist 17 by a known etching method such as chemical etching (wet etching) or peeling, as shown in FIG. 5 (h), the plating resist 17 is removed. Similarly, the base 16 on which 17 is formed is removed by a known etching method such as chemical etching (wet etching). As a result, the conductor pattern 7 is formed on the insulating layer 2 as a wiring circuit pattern of the wiring 8 in which the inner lead 9, the outer lead 10, and the relay lead 11 are continuously formed integrally as described above. .

このようにして形成される導体パターン７の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２５μｍである。
次いで、図示しないが、ソルダレジストなどの絶縁層１２を、各配線８の中継リード１１が被覆されるように、実装エリア６を囲むようにして形成した後、各配線８における露出部分、すなわち、インナリード９およびアウタリード１０を、ニッケルめっき層および金めっき層によって被覆する。絶縁層１２の形成は、例えば、感光性のソルダレジストを用いて、上記したパターンとして形成すればよい。また、ニッケルめっき層および金めっき層は、それぞれ、ニッケルめっきおよび金めっきにより形成すればよい。 Thus, the thickness of the conductor pattern 7 formed is 3-50 micrometers, for example, Preferably, it is 5-25 micrometers.
Next, although not shown, an insulating layer 12 such as a solder resist is formed so as to surround the mounting area 6 so as to cover the relay lead 11 of each wiring 8, and then an exposed portion of each wiring 8, that is, an inner lead is formed. 9 and the outer lead 10 are covered with a nickel plating layer and a gold plating layer. The insulating layer 12 may be formed as the above-described pattern using, for example, a photosensitive solder resist. The nickel plating layer and the gold plating layer may be formed by nickel plating and gold plating, respectively.

そして、図５（ｉ）に示すように、補強層４における実装部３と重なる位置に、開口部１８を形成することによって、ＴＡＢ用テープキャリア１を得る。
なお、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を同時に作製した後、１列ごとにスリットする場合は、ＴＡＢ用テープキャリア１間のスリット部の補強層４は、開口部１８と同様に除去しておくことが好ましい。 Then, as shown in FIG. 5 (i), the opening 18 is formed at a position overlapping the mounting portion 3 in the reinforcing layer 4 to obtain the TAB tape carrier 1.
In the case where a plurality of rows of TAB tape carriers 1 are simultaneously formed in the width direction of the reinforcing layer 4 and slits are made for each row, the reinforcing layer 4 in the slit portion between the TAB tape carriers 1 has the opening 18. It is preferable to remove in the same manner as described above.

補強層４に開口部１８を形成するには、補強層４における実装部３に対向する部分を、例えば、ドリル穿孔、パンチ加工、ウエットエッチング（化学エッチング）などの公知の方法によって、開口形成すればよい。例えば、エッチングするには、開口部１８以外をエッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液などの公知のエッチング液を用いて、エッチングした後、エッチングレジストを除去すればよい。その後、補強層４の幅方向に複数列のＴＡＢ用テープキャリア１を作製している場合は、１列ごとにスリットする。 In order to form the opening 18 in the reinforcing layer 4, the opening facing the mounting portion 3 in the reinforcing layer 4 is formed by a known method such as drilling, punching, or wet etching (chemical etching). That's fine. For example, for etching, the portions other than the opening 18 may be covered with an etching resist, and after etching using a known etching solution such as a ferric chloride solution, the etching resist may be removed. Thereafter, when a plurality of TAB tape carriers 1 are produced in the width direction of the reinforcing layer 4, slits are made for each row.

このようにして得られるＴＡＢ用テープキャリア１は、絶縁層２の裏面に、銅箔よりも腰の強いステンレス箔からなる補強層４が形成されているので、絶縁層２を薄く形成することができながら、搬送時、実装時およびボンディング時において、ＴＡＢ用テープキャリア１の強度を十分に補強することができる。そのため、搬送時、実装時およびボンディング時の寸法精度や位置精度を向上させることができ、軽量化、薄型化を図りつつ、導体パターン７における各インナリード９のピッチが６０μｍ以下となる高密度配線において、確実に電子部品を実装することができる。 In the TAB tape carrier 1 obtained in this way, the reinforcing layer 4 made of a stainless steel foil stronger than the copper foil is formed on the back surface of the insulating layer 2, so that the insulating layer 2 can be formed thin. However, the strength of the TAB tape carrier 1 can be sufficiently reinforced during conveyance, mounting, and bonding. Therefore, it is possible to improve the dimensional accuracy and position accuracy during conveyance, mounting and bonding, and achieve high-density wiring in which the pitch of each inner lead 9 in the conductor pattern 7 is 60 μm or less while reducing the weight and thickness. In this case, it is possible to reliably mount the electronic component.

なお、以上の説明では、補強層４を、絶縁層２の裏面において、各実装部３との対向位置を除くすべてのエリアに設けたが、例えば、各実装部３との対向位置に設ければ、熱放散性を向上させることができる。 In the above description, the reinforcing layer 4 is provided in all areas on the back surface of the insulating layer 2 except for the position facing each mounting part 3. For example, the reinforcing layer 4 is provided at a position facing each mounting part 3. In this case, heat dissipation can be improved.

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４、幅２５０ｍｍ）を補強層として用意し（図４（ａ）参照）、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗布し、乾燥後、加熱硬化させることにより、厚さ１２μｍのポリイミド樹脂からなる絶縁層を形成した（図４（ｂ）参照）。次いで、絶縁層の表面に、スパッタ蒸着法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、厚さ２０００Åの下地を形成した（図４（ｃ）参照）。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples.
Example 1
A 20 μm-thick stainless steel foil (SUS304, width 250 mm) is prepared as a reinforcing layer (see FIG. 4A), a polyamic acid resin solution is applied, dried, and heat-cured to obtain a 12 μm-thick polyimide. An insulating layer made of resin was formed (see FIG. 4B). Next, a chromium thin film and a copper thin film were sequentially formed on the surface of the insulating layer by a sputtering vapor deposition method to form a base having a thickness of 2000 mm (see FIG. 4C).

なお、図４および図５においては、１列のＴＡＢ用テープキャリアの形態について示しているが、この実施例１では、幅２５０ｍｍのステンレス箔上に幅４８ｍｍのＴＡＢ用テープキャリアを４列同時に作製した。
その後、送り孔を、補強層、絶縁層および下地の厚さ方向を貫通させるようにして、パンチング加工により穿孔形成した後（図４（ｄ）参照）、めっきレジストを、下地の表面に所定のパターンとして形成するとともに、補強層の全面に形成した（図５（ｅ）参照）。 4 and 5 show the form of one row of TAB tape carriers. In Example 1, four rows of TAB tape carriers having a width of 48 mm are simultaneously formed on a stainless steel foil having a width of 250 mm. did.
After that, the feed hole is formed by punching so as to penetrate the reinforcing layer, the insulating layer, and the base in the thickness direction (see FIG. 4D), and then a plating resist is formed on the surface of the base. While forming as a pattern, it formed in the whole surface of the reinforcement layer (refer FIG.5 (e)).

次いで、これを、電解硫酸銅めっき液中に浸漬して、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、２．５Ａ／ｄｍ²で約２０分間電解銅めっきすることにより、厚さ１０μｍの導体パターンを形成した（図５（ｆ）参照）。
なお、この導体パターンは、互いに所定間隔を隔てて配置され、インナリード、アウタリードおよび中継リードが連続して一体的に形成される複数の配線のパターンとして形成された。また、インナリードのピッチが３０μｍ、アウタリードのピッチが１００μｍであった。 Next, this is immersed in an electrolytic copper sulfate plating solution, and electrolytic copper plating is performed at 2.5 A / dm ² for about 20 minutes on the portion where the plating resist is not formed on the base, thereby a conductor having a thickness of 10 μm. A pattern was formed (see FIG. 5 (f)).
The conductor pattern was formed as a plurality of wiring patterns that are arranged at a predetermined interval from each other and in which inner leads, outer leads, and relay leads are formed continuously and integrally. The inner lead pitch was 30 μm, and the outer lead pitch was 100 μm.

次いで、めっきレジストを化学エッチングによって除去した後（図５（ｇ）参照）、めっきレジストが形成されていた下地を、同じく、化学エッチングにより除去した。（図５（ｈ）参照）。
その後、感光性ソルダレジストを、各配線の中継リードが被覆されるように、実装エリアを囲むようにして形成した後、インナリードおよびアウタリードを、ニッケルめっきおよび金めっきすることにより被覆した。 Next, after removing the plating resist by chemical etching (see FIG. 5G), the base on which the plating resist was formed was also removed by chemical etching. (See FIG. 5 (h)).
Thereafter, a photosensitive solder resist was formed so as to surround the mounting area so as to cover the relay lead of each wiring, and then the inner lead and the outer lead were coated by nickel plating and gold plating.

そして、補強層における実装部と重なる位置以外を、エッチングレジストによって被覆した後、塩化第二鉄溶液を用いて、補強層をエッチングすることにより開口部およびＴＡＢ用テープキャリア間のスリット部を形成し、その後、エッチングレジストを除去し、スリットすることにより、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。
比較例１
厚さ２０μｍの銅箔を補強層として用いた以外は、実施例１と同様の操作により、ＴＡＢ用テープキャリアを得た。 Then, after covering the portion other than the position where it overlaps the mounting portion in the reinforcing layer with the etching resist, the slit portion between the opening and the TAB tape carrier is formed by etching the reinforcing layer using a ferric chloride solution. Thereafter, the etching resist was removed and slitted to obtain a TAB tape carrier.
Comparative Example 1
A TAB tape carrier was obtained in the same manner as in Example 1, except that a copper foil having a thickness of 20 μm was used as the reinforcing layer.

評価
実施例１および比較例１で得られたＴＡＢ用テープキャリアにおいて、幅方向両端に位置する２つのインナリードの間の距離（両端に位置する各インナリードの幅方向中心間の距離であって、図２において、符号「Ｘ」で示されている。）を測定して、設計寸法と比較した。その結果を下記に示す。なお、測定値は、側定数２０での平均値である。 Evaluation In the TAB tape carrier obtained in Example 1 and Comparative Example 1, the distance between two inner leads located at both ends in the width direction (the distance between the center in the width direction of each inner lead located at both ends) In FIG. 2, it is indicated by the symbol “X”.) Was measured and compared with the design dimension. The results are shown below. The measured value is an average value at the side constant 20.

設計寸法：２１０００μｍ
実施例１：２１００２μｍ寸法ずれ２μｍ
比較例１：２１０２０μｍ寸法ずれ２０μｍ Design dimension: 21000 μm
Example 1: 21002 μm Dimensional deviation 2 μm
Comparative Example 1: 21020 μm Dimensional deviation 20 μm

本発明のＴＡＢ用テープキャリアの一実施形態を示す部分平面図である。It is a partial top view which shows one Embodiment of the tape carrier for TAB of this invention. 図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分拡大平面図である。FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the TAB tape carrier shown in FIG. 1. 図３は、図１に示すＴＡＢ用テープキャリアの部分底面図である。FIG. 3 is a partial bottom view of the TAB tape carrier shown in FIG. 本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図２におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、（ａ）は、補強層を用意する工程、（ｂ）は、補強層の上に絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、絶縁層の全面に下地を形成する工程、（ｄ）は、送り孔を穿孔形成する工程を示す。It is process drawing in the AA 'line cross section in FIG. 2 which shows one Embodiment of the manufacturing method of the tape carrier for TAB of this invention, (a) is a process of preparing a reinforcement layer, (b) A step of forming an insulating layer on the reinforcing layer, (c) showing a step of forming a base on the entire surface of the insulating layer, and (d) showing a step of forming a feed hole. 図４に続いて、本発明のＴＡＢ用テープキャリアの製造方法の一実施形態を示す、図２におけるＡ−Ａ’線断面における工程図であって、（ｅ）は、下地の上にめっきレジストを形成する工程、（ｆ）は、下地におけるめっきレジストが形成されていない部分に、めっきにより、導体パターンを形成する工程、（ｇ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｈ）は、めっきレジストが形成されていた下地を除去する工程、（ｉ）は、補強層における実装部と重なる位置に開口部を形成する工程を示す。FIG. 5 is a process diagram taken along the line AA ′ in FIG. 2 showing an embodiment of the method for producing the TAB tape carrier of the present invention, following FIG. 4, and (e) is a plating resist on the base. (F) is a step of forming a conductor pattern by plating on a portion of the base where no plating resist is formed, (g) is a step of removing the plating resist, and (h) is plating. Step (i) of removing the base on which the resist has been formed shows a step of forming an opening at a position overlapping the mounting portion in the reinforcing layer.

Explanation of symbols

１ＴＡＢ用テープキャリア
２絶縁層
４補強層
６実装エリア
７導体パターン
８配線
９インナリード
ＩＰインナリードのピッチ
ＯＰアウタリードのピッチ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 TAB tape carrier 2 Insulation layer 4 Reinforcement layer 6 Mounting area 7 Conductor pattern 8 Wiring 9 Inner lead IP Inner lead pitch OP Outer lead pitch

Claims

On the surface of the insulating layer, a conductor pattern including a plurality of wirings including inner leads and arranged at a predetermined interval is formed,
On the back surface of the insulating layer, a reinforcing layer made of stainless steel foil is formed along the longitudinal direction of the insulating layer at both end edges in the width direction.
A mounting area for mounting electronic components is provided on the surface of the insulating layer, and the inner lead is disposed on the insulating layer in the mounting area. Tape carrier for TAB.

2. The TAB tape carrier according to claim 1, wherein a pitch of the inner leads is 60 μm or less.