JP2005150166A - 極細線のワイヤボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 極細線の更なる細線化や高強度化が可能となり、半導体装置の組立て時の歩留まりの向上、半導体装置の更なる小型化及び薄型化が可能なワイヤボンディング方法を提供する。
【解決手段】 極細線の先端部を半導体素子上の電極パッドと接合する第1ボンディング工程と、電極パッドをリード端子と接続するために必要な長さの極細線を引き出す工程と、引き出された極細線1´とリード端子4とをステッチ接合によって結線する第2ボンディング工程とを含むワイヤボンディング方法において、前記極細線としてAu極細線1´を用い、しかも前記第2ボンディング工程を、該Au極細線1´の表層近傍のみを選択的に加熱し(好ましくは、アーク放電8により)、表層近傍の酸化膜の還元をした後、その表層部をリード端子4へステッチ接合することにより行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【選択図】 図2
【解決手段】 極細線の先端部を半導体素子上の電極パッドと接合する第1ボンディング工程と、電極パッドをリード端子と接続するために必要な長さの極細線を引き出す工程と、引き出された極細線1´とリード端子4とをステッチ接合によって結線する第2ボンディング工程とを含むワイヤボンディング方法において、前記極細線としてAu極細線1´を用い、しかも前記第2ボンディング工程を、該Au極細線1´の表層近傍のみを選択的に加熱し(好ましくは、アーク放電8により)、表層近傍の酸化膜の還元をした後、その表層部をリード端子4へステッチ接合することにより行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
【選択図】 図2
Description
本発明は、極細線のワイヤボンディング方法に関し、特にリードフレームのリード幅が微細な場合でも良好なステッチ接合が得られる第2ボンディング工程を含むワイヤボンディング方法に関する。
従来よりICやトランジスタなどの半導体装置の組立てにおいては、金属細線の先端部を半導体素子上の電極パッドと接合し(第1ボンディング)、次いで電極パッドとリード端子との接合に必要な長さの金属細線をツールから引き出し、引き出した金属細線をリード端子とステッチ接合する(第2ボンディング)ことにより行なわれている。この金属細線とリードフレームのリード端子とのワイヤボンディングにおける第2ボンディング方法は、超音波や熱によるステッチ接合が一般的である。
図1の(a)〜(e)に従来のワイヤボンディング方法の各工程を示す。
先ず、図1の(a)に示すようにキャピラリー6に金属細線1を通し、その先端にボール5を形成させた後、該ボール5をキャピラリー6を用いて、例えば半導体素子2上の電極パッド3に圧着する(第1ボンディング)。次に図1の(b)に示すようにキャピラリー6から金属細線1を引き出し、図1の(c)及び(d)に示すように例えばリード端子4に向かって最終的な接続状態における形状となるように、キャピラリー6を移動する。さらに図1の(e)に示すようにキャピラリー6の先端でリード端子4上に金属細線1を圧着する(第2ボンディング)。そしてクランパ7により金属細線1をはさんで引っ張り、金属細線1を切断する。
先ず、図1の(a)に示すようにキャピラリー6に金属細線1を通し、その先端にボール5を形成させた後、該ボール5をキャピラリー6を用いて、例えば半導体素子2上の電極パッド3に圧着する(第1ボンディング)。次に図1の(b)に示すようにキャピラリー6から金属細線1を引き出し、図1の(c)及び(d)に示すように例えばリード端子4に向かって最終的な接続状態における形状となるように、キャピラリー6を移動する。さらに図1の(e)に示すようにキャピラリー6の先端でリード端子4上に金属細線1を圧着する(第2ボンディング)。そしてクランパ7により金属細線1をはさんで引っ張り、金属細線1を切断する。
前記第2ボンディングのステッチ接合は、前記したようにキャピラリーとよばれるツールの先端面で金属細線を押圧することによってボンディングされるが、この第2ボンディングは、金属細線が押圧された時にワイヤ形状の変形が容易な極細線ほど接合性が良く、逆に、高強度を有する極細線はワイヤ強度が強いためワイヤ変形が容易でなく、良好なステッチ接合の面積が得られないという問題があった。
一方、半導体装置の一層の高集積化および小型化などの要請から、接続すべき外部接続電極の密度が飛躍的に高まりつつあり、これに伴って極細線の間隙や線径は微細化され、かつ、ステッチ接合部の面積は狭小化している。特にAl電極間隔が60μm以下の半導体装置では使用するキャピラリーの先端形状が細くなり、ステッチ接合させるリードフレームのリード幅が微小化し、またリードフレームの厚みが薄くなるため、これまでのワイヤ形状の変形が容易な極細線が使用できなくなっている。さらに半導体デバイスのファイン化に伴い、ワイヤ線径が細線化されている。ワイヤの細線化は、物理的にワイヤ強度が低下するため、モールド時のワイヤ流れが問題となる。よって従来より、更に高強度化したワイヤが使用されるが、第2ボンディングにおける接合性低下が懸念されている。
このため従来の第2ボンディング方法は、特開平11−87395号公報(特許文献1)に記載されているように極細線の第2ボンディング位置との接合予定部位を選択的に加熱した後、ボンディングしたり、特開平9−283551号公報(特許文献2)に記載されているように第2ボンディングの圧着点に対応する極細線の一部分を圧着する前に再結晶化するために加熱したり、特開平7−183323号公報(特許文献3)に記載されているように極細線の被接合部との間にアークを発生させるための専用電極を設け、接合前にこの専用電極と被接合部との間を不活性ガス雰囲気にすると共に両者間に電圧を印加してアークを発生させ、その直後にボンディングしたり、あるいは、特公平1−32655公報(特許文献4)に記載されているようにリードポストに極細線を第2ボンディングする時にツールと載置台との間に電流を流して極細線をリードポストにボンディングしたりする方法が知られている。
しかしながら、これらの第2ボンディング方法はいずれも接合予定部位の金属の極細線全体を加熱するため、その部位の極細線の芯まで軟化して接合面積が大きくなってしまう結果、ステッチ接合させるリードフレームのリード幅が微小化した場合には、これまでと同様に極細線が使用できなくなるという問題があった。
本発明者等、前記従来の問題点を解決すべく、接合予定部位の極細線全体を加熱せずに超音波だけでステッチ接合しようとすることも試みたが、接合時間が一桁近く多くかかるうえ、接合強度が良好な場合があったりそうでない場合があったりして、安定した接合強度のものが得られなかった。
そこで本発明者等は、この原因を鋭意検討したところ、金はほとんど酸化されることはないが、この酸化膜は、純度99.99重量%以上の高純度の金や高純度の銅でも表面偏析(添加元素や不純物元素が内部よりも表層に集中して析出する現象をいい、表層の添加元素等の分布がかたよっている現象をいうのではない。・・・「熱処理」、第41巻第1号、社団法人 日本熱処理技術協会、平成13年2月28日発行、第16〜22頁を参照)によって数%のオーダーで表層数十nmの範囲にまだらに存在する。特にCaを3〜50ppm含有する99.99重量%以上の高純度の金である場合には、CaOがAuの表面に出たりAuの内部に入ったりして不規則に動きまわる結果、酸化膜の出現する位置が特定できないという問題があった。
そのため極細線の表面層を酸処理や電解処理などによっていわゆる一皮むくことも考えられるが、そうすると極細線のボンディング特性が劣化してしまうという結果になる。
本発明の目的は、前記諸問題を解決した極細線のワイヤボンディング方法を提供することである。
即ち、本発明の目的は、接合予定部位の極細線全体を加熱せずに極細線の表層の数十nmだけを加熱することによって、接合予定部位の極細線全体を軟化しないため、極細線全体の硬さを維持し、しかもリードフレームのリード幅が微小化してもファインピッチ実装することができるワイヤボンディング方法を提供することである。
即ち、本発明の目的は、接合予定部位の極細線全体を加熱せずに極細線の表層の数十nmだけを加熱することによって、接合予定部位の極細線全体を軟化しないため、極細線全体の硬さを維持し、しかもリードフレームのリード幅が微小化してもファインピッチ実装することができるワイヤボンディング方法を提供することである。
また、本発明の他の目的は、これまで加熱による軟化が困難であった高強度極細線や低伸び率の極細線の表面偏析した表層近傍だけを加熱することによって、ステッチ接合することができるワイヤボンディング方法を提供することである。
本発明によれば、下記(a)〜(f)が提供される。
(a)極細線の先端部を半導体素子上の電極パッドと接合する第1ボンディング工程と、電極パッドをリード端子と接続するために必要な長さの極細線を引き出す工程と、引き出された極細線とリード端子とをステッチ接合によって結線する第2ボンディング工程とを含むワイヤボンディング方法において、前記極細線としてAu極細線を用い、しかも前記第2ボンディング工程を、該Au極細線の表層近傍のみを選択的に加熱し、表層近傍の酸化膜の還元をした後、その表層部をリード端子へステッチ接合することにより行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
(b)前記Au極細線の材質が純度99.99重量%以上の高純度の金であることを特徴とする前記(a)に記載のワイヤボンディング方法。
(c)前記Au極細線の材質が少なくともCaを3〜50ppm、Beを0.5〜30ppm、Snを3〜50ppm、又はInを3〜50ppmの内のいずれか1種以上含有する純度99.99重量%以上の高純度の金であることを特徴とする前記(a)又は(b)に記載のワイヤボンディング方法。
(d)前記Au極細線の伸び率が1〜5%であることを特徴とする前記(a)〜(c)のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
(e)前記選択的な加熱による酸化膜の還元手段がアーク放電であることを特徴とする前記(a)〜(d)のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
(f)前記選択的な加熱による酸化膜の還元を還元性雰囲気で行うことを特徴とする前記(a)〜(e)のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
(a)極細線の先端部を半導体素子上の電極パッドと接合する第1ボンディング工程と、電極パッドをリード端子と接続するために必要な長さの極細線を引き出す工程と、引き出された極細線とリード端子とをステッチ接合によって結線する第2ボンディング工程とを含むワイヤボンディング方法において、前記極細線としてAu極細線を用い、しかも前記第2ボンディング工程を、該Au極細線の表層近傍のみを選択的に加熱し、表層近傍の酸化膜の還元をした後、その表層部をリード端子へステッチ接合することにより行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
(b)前記Au極細線の材質が純度99.99重量%以上の高純度の金であることを特徴とする前記(a)に記載のワイヤボンディング方法。
(c)前記Au極細線の材質が少なくともCaを3〜50ppm、Beを0.5〜30ppm、Snを3〜50ppm、又はInを3〜50ppmの内のいずれか1種以上含有する純度99.99重量%以上の高純度の金であることを特徴とする前記(a)又は(b)に記載のワイヤボンディング方法。
(d)前記Au極細線の伸び率が1〜5%であることを特徴とする前記(a)〜(c)のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
(e)前記選択的な加熱による酸化膜の還元手段がアーク放電であることを特徴とする前記(a)〜(d)のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
(f)前記選択的な加熱による酸化膜の還元を還元性雰囲気で行うことを特徴とする前記(a)〜(e)のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
本発明の極細線のワイヤボンディング方法によれば、高強度の極細線や低伸び率の極細線を使用しても、第2ボンディング工程においてステッチ接合不良が発生することがない。また、ファインピッチ実装が容易に達成できる。このため、極細線の更なる細線化や高強度化が可能になり、半導体装置の組立て時における歩留まりの向上が図れ、半導体装置の更なる小型化及び薄型化が可能である。
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、ワイヤボンディング方法において、金属細線として化学的、物理的に安定で、かつ電気的特性に優れている点で金を用い、しかも半導体装置の高集積化、小型化の要請から、該金の極細線を用いるが、Au極細線中の添加元素ないし不純物元素は細線化工程中の熱処理などによって表面偏析し、極細線の表層の数十nmだけに濃縮されて現れ、大気中の酸素と結びついて酸化膜を形成していることがわかった。添加元素ないし不純物元素の酸化物は大気中の酸素とくっつきやすいもの(酸化膜の表層に析出しやすいもの)やAu原子とくっつきやすいもの(酸化膜の最下層に析出しやすいもの)がある。また、酸化膜は元素の種類や量によって強固なものであったりなかったりするので、本発明においてはその第2ボンディング工程において、酸化膜、特に強固な酸化膜であってもAu極細線の表層近傍のみを加熱することによってボンディング前にこれらの酸化膜を除去しておくことを特徴とするものである。
ここでAu極細線の表面近傍とは、ワイヤ径に対してワイヤ表面から5%以内の範囲のものを示す。
ここでAu極細線の表面近傍とは、ワイヤ径に対してワイヤ表面から5%以内の範囲のものを示す。
本発明において用いるAu極細線は、純度99.99重量%以上の高純度の金を用いることが好ましい。添加元素ないし不純物元素としては、Ca、Be、Mg、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Se、Sr、Y、Nb、Pd、Ag、In、Sn、Sbおよび希土類金属元素等が挙げられる。比較的安定しているものとしては、Caを3〜50pm、Beを0.5〜30ppm、Snを3〜50ppm、又はInを3〜50ppmの内のいずれか1種以上を含有する純度99.99重量%以上の高純度の金が好ましい。
また、本発明において用いるAu極細線は、その伸び率が1〜5%のものが好ましい。該伸び率が1%未満のものはワイヤが硬すぎて、満足するアニール効果が得られないという問題を有し、一方5%より大きいものは軟化しすぎて、つぶれ幅が大きくなるという問題を有する。
本発明の第2ボンディング工程における、ボンディング前に行う前記酸化膜を還元するための加熱手段としては、アーク放電、スパッタリング、還元ガス炎、レーザ光等がある。この内アーク放電によるものが放電エネルギーの安定化、微小での放電性に優れる点で好ましい。特にPt電極によるアーク放電によれば、接合予定部位の極細線の表層近傍のみが軟化でき極細線全体が軟化しないため、リードフレームのリード幅が微小化しても簡単にファインピッチ実装することができる。また、Ptは酸素と化合しないので、WよりもPt専用電極を用いればボンディング時の雰囲気中から酸素を完全に除去することができる。本発明において、アーク放電による加熱は、ワイヤ径の2倍のボールを作成した場合の条件の1/4〜1/2程度でよい。
本発明において「還元」というのは、Au極細線の表面にある酸化物層を取り除くことをいい、熱エネルギーによってこの酸化物層が酸化物粒子群となって純Auマトリックス中に分散する結果Au極細線の表面上の酸化物が取り除かれることも含まれる。
本発明において「還元」というのは、Au極細線の表面にある酸化物層を取り除くことをいい、熱エネルギーによってこの酸化物層が酸化物粒子群となって純Auマトリックス中に分散する結果Au極細線の表面上の酸化物が取り除かれることも含まれる。
本発明の第2ボンディング工程におけるアーク放電により加熱する際の第2ボンディング工程部分の拡大図を図2に示す。
図2において、キャピラリー6から引き出されたAu極細線1′と該Au極細線1のリード端子4の被接合部との間にアーク放電8を発生されるための専用電極9を設け、第2ボンディング直前に、該専用電極9により該Au極細線の表面近傍のみに対して選択的にアーク放電8を発生させ、該Au極細線1′の表面近傍のみの酸化膜を還元し、次いでリード端子4とステップ接合する。
図2において、キャピラリー6から引き出されたAu極細線1′と該Au極細線1のリード端子4の被接合部との間にアーク放電8を発生されるための専用電極9を設け、第2ボンディング直前に、該専用電極9により該Au極細線の表面近傍のみに対して選択的にアーク放電8を発生させ、該Au極細線1′の表面近傍のみの酸化膜を還元し、次いでリード端子4とステップ接合する。
他の加熱手段としてのスパッタリングは、水素トーチを用いる方法があり、また還元ガス炎を用いる方法は、ガスとしてH2を用いる方法がある。
上記酸化膜還元のための加熱は、還元性雰囲気で行えば、更に効率良くこれらの酸化膜が除去できることを見出した。
上記加熱を還元性雰囲気とするには、アルゴンや窒素などの不活性ガスに1〜5%の水素を混合させた雰囲気にすればよい。
上記加熱を還元性雰囲気とするには、アルゴンや窒素などの不活性ガスに1〜5%の水素を混合させた雰囲気にすればよい。
実施例1〜5
純度99.999重量%の高純度の金に添加元素を所定量だけ添加し(表中、「A」はCaを5ppmかつGeを20ppm、「B」はCaを5ppmかつBeを10ppm、及び「C」はCaを20ppmかつSnを20ppm添加したもの。)、真空溶解炉で溶解鋳造し、インゴットを得た。このインゴットを溝ロール加工し、次いで伸線機を用いて冷間加工および必要に応じた約200〜700℃での中間熱処理を施し、最終線径が20μmのところで約200〜700℃で最終熱処理し、表1に示すとおりの機械的特性を調整した。これらの極細線を用いて、キャピラリーに通し、ボンダー付近のトーチ電源によって該Au極細線の先端に直径がワイヤ径の1.5〜2.0倍のボールを形成させ、該ボールをキャピラリーを用いて電極パッドに圧着した。次にキャピラリーからAu極細線をループ長さ分引き出しながら、リード端子の上までキャピラリーを移動させた。次いで、Ptの専用電極を用いて接合直前にアーク条件:初期ボール作製条件の1/10〜1/2でAu極細線に対してアーク放電し、表面近傍のみを加熱されて酸化膜を還元し、キャピラリー先端でリード端子上に圧着させた。
純度99.999重量%の高純度の金に添加元素を所定量だけ添加し(表中、「A」はCaを5ppmかつGeを20ppm、「B」はCaを5ppmかつBeを10ppm、及び「C」はCaを20ppmかつSnを20ppm添加したもの。)、真空溶解炉で溶解鋳造し、インゴットを得た。このインゴットを溝ロール加工し、次いで伸線機を用いて冷間加工および必要に応じた約200〜700℃での中間熱処理を施し、最終線径が20μmのところで約200〜700℃で最終熱処理し、表1に示すとおりの機械的特性を調整した。これらの極細線を用いて、キャピラリーに通し、ボンダー付近のトーチ電源によって該Au極細線の先端に直径がワイヤ径の1.5〜2.0倍のボールを形成させ、該ボールをキャピラリーを用いて電極パッドに圧着した。次にキャピラリーからAu極細線をループ長さ分引き出しながら、リード端子の上までキャピラリーを移動させた。次いで、Ptの専用電極を用いて接合直前にアーク条件:初期ボール作製条件の1/10〜1/2でAu極細線に対してアーク放電し、表面近傍のみを加熱されて酸化膜を還元し、キャピラリー先端でリード端子上に圧着させた。
比較例1〜5
比較例1、2、5は実施例1、2、5において、ワイヤ径25μm、40mA、0.6msでボール作成条件の2/3〜3/4程度の放電をすることによりAu極細線をアニール効果の深さの割合がそれぞれ、50%、100%、50%のものを用いた。また、比較例3、4は実施例3、4においてアーク放電を行わないAu極細線を用いた。すなわち、各Au極細線を常温の王水に数秒間浸漬したものを用いた。
比較例1、2、5は実施例1、2、5において、ワイヤ径25μm、40mA、0.6msでボール作成条件の2/3〜3/4程度の放電をすることによりAu極細線をアニール効果の深さの割合がそれぞれ、50%、100%、50%のものを用いた。また、比較例3、4は実施例3、4においてアーク放電を行わないAu極細線を用いた。すなわち、各Au極細線を常温の王水に数秒間浸漬したものを用いた。
表1に示すAu極細線の物性の測定方法及び第2ボンディングの評価方法は、下記のとおりである。
(1)「機械的特性」は、オリエンテック社製のテンシロン引張試験機(UTM−II)を用いて引張速度が毎分10mm、標点距離が100mm、25℃の大気雰囲気で測定した。
(2)「ピールテスト」は、ボンディング試料のファーストネック部を切断し、Au極細線を垂直方向へ引張って測定した。測定機はDAGE社製の万能ボンドテスター(BT−2400)を用いて引張速度が毎秒250μmにて測定した。
(3)「強度判定」は、Au極細線の強度がワイヤ強度に対するピール強度比が50%以上のものを○、40以上50%未満のものを△、そして40%未満のものを×とした。
(4)「ボンディング性」は、30万回連続して第2ボンディングを行った時のボンダーの停止やループ形成の良否を目視にてカウントし、ボンダーの停止回数が0.05%未満かつループ形成時の異常発生率が0.05%未満のものを○とし、ボンダーの停止回数が0.1%未満またはループ形成時の異常発生率が0.1%未満のものを△とし、ボンダーの停止回数が0.1%以上またはループ形成時の異常発生率が0.1%以上のものを×とした。
(5)「ワイヤ径に対する接合部分の大きさ」は、キャピラリーによって圧着されたワイヤ(Au極細線)の大きさを元のワイヤ径に対する百分率で測定した。
(6)「ワイヤ径に占めるアニール効果」は、加熱・還元処理されたAu極細線の長手方向断面におけるAu極細線の直径に占めるアニール効果の深さの割合を調べた。なお、アニール効果はキャピラリーの先端面でAu極細線を圧潰したときのAu極細線の元の線径からの減少率で測定した。
(1)「機械的特性」は、オリエンテック社製のテンシロン引張試験機(UTM−II)を用いて引張速度が毎分10mm、標点距離が100mm、25℃の大気雰囲気で測定した。
(2)「ピールテスト」は、ボンディング試料のファーストネック部を切断し、Au極細線を垂直方向へ引張って測定した。測定機はDAGE社製の万能ボンドテスター(BT−2400)を用いて引張速度が毎秒250μmにて測定した。
(3)「強度判定」は、Au極細線の強度がワイヤ強度に対するピール強度比が50%以上のものを○、40以上50%未満のものを△、そして40%未満のものを×とした。
(4)「ボンディング性」は、30万回連続して第2ボンディングを行った時のボンダーの停止やループ形成の良否を目視にてカウントし、ボンダーの停止回数が0.05%未満かつループ形成時の異常発生率が0.05%未満のものを○とし、ボンダーの停止回数が0.1%未満またはループ形成時の異常発生率が0.1%未満のものを△とし、ボンダーの停止回数が0.1%以上またはループ形成時の異常発生率が0.1%以上のものを×とした。
(5)「ワイヤ径に対する接合部分の大きさ」は、キャピラリーによって圧着されたワイヤ(Au極細線)の大きさを元のワイヤ径に対する百分率で測定した。
(6)「ワイヤ径に占めるアニール効果」は、加熱・還元処理されたAu極細線の長手方向断面におけるAu極細線の直径に占めるアニール効果の深さの割合を調べた。なお、アニール効果はキャピラリーの先端面でAu極細線を圧潰したときのAu極細線の元の線径からの減少率で測定した。
上記結果から明らかなように、比較例の場合は、接合間隙を十分に確保しなければ満足のいくボンディング効果が得られない(特に比較例3、4)のに対し、実施例のワイヤはいずれも接合間隙が無くても満足のいくボンディング効果が得られることがわかる。
1 金属細線
1′ Au極細線
2 半導体素子
3 電極パッド
4 リード端子
5 ボール
6 キャピラリー
7 クランパ
8 アーク放電
9 専用電極
10 電源
1′ Au極細線
2 半導体素子
3 電極パッド
4 リード端子
5 ボール
6 キャピラリー
7 クランパ
8 アーク放電
9 専用電極
10 電源
Claims (6)
- 極細線の先端部を半導体素子上の電極パッドと接合する第1ボンディング工程と、電極パッドをリード端子と接続するために必要な長さの極細線を引き出す工程と、引き出された極細線とリード端子とをステッチ接合によって結線する第2ボンディング工程とを含むワイヤボンディング方法において、前記極細線としてAu極細線を用い、しかも前記第2ボンディング工程を、該Au極細線の表層近傍のみを選択的に加熱し、表層近傍の酸化膜の還元をした後、その表層部をリード端子へステッチ接合することにより行うことを特徴とするワイヤボンディング方法。
- 前記Au極細線の材質が純度99.99重量%以上の高純度の金であることを特徴とする請求項1に記載のワイヤボンディング方法。
- 前記Au極細線の材質が少なくともCaを3〜50ppm、Beを0.5〜30ppm、Snを3〜50ppm、又はInを3〜50ppmの内のいずれか1種以上を含有する純度99.99重量%以上の高純度の金であることを特徴とする請求項1又は2に記載のワイヤボンディング方法。
- 前記Au極細線の伸び率が1〜5%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
- 前記選択的な加熱による酸化膜の還元手段がアーク放電であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
- 前記選択的な加熱による酸化膜の還元を還元性雰囲気で行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003381679A JP2005150166A (ja) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | 極細線のワイヤボンディング方法 |
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JP2003381679A JP2005150166A (ja) | 2003-11-11 | 2003-11-11 | 極細線のワイヤボンディング方法 |
Publications (1)
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JP2005150166A true JP2005150166A (ja) | 2005-06-09 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2005150166A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112171098A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-01-05 | 苏州大学 | 一种基于微弧放电的连接方法 |
-
2003
- 2003-11-11 JP JP2003381679A patent/JP2005150166A/ja active Pending
Cited By (2)
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CN112171098A (zh) * | 2020-09-22 | 2021-01-05 | 苏州大学 | 一种基于微弧放电的连接方法 |
CN112171098B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-05-20 | 苏州大学 | 一种基于微弧放电的连接方法 |
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