JP2005148390A

JP2005148390A - 光周波数コム発生器並びに光変調器

Info

Publication number: JP2005148390A
Application number: JP2003385450A
Authority: JP
Inventors: Motonobu Korogi; 元伸興梠; Kazuhiro Imai; 一宏今井; Wideiyatomoko Banban; ウイディヤトモコバンバン
Original assignee: Optical Comb Institute Inc
Current assignee: Optical Comb Institute Inc
Priority date: 2003-11-14
Filing date: 2003-11-14
Publication date: 2005-06-09
Anticipated expiration: 2023-11-14
Also published as: JP3891977B2

Abstract

【課題】光共振器内を共振する光につき簡単な構成で往復変調を施すことにより、位相変調に必要な電力を増加させることなく、変調効率を改善する。
【解決手段】所定の周波数の変調信号を発振し、互いに平行な入射側反射膜１４及び出射側反射膜１５から構成され、入射側反射膜１４を介して入射された光を往路方向又は復路方向へ伝搬させることにより共振させ、入射側反射膜１４と出射側反射膜１５との間に配され、供給された上記変調信号に応じて上記共振された光の位相を変調し、入射された光の周波数を中心としたサイドバンドを上記変調信号の周波数の間隔で生成し、往路方向又は復路方向へ伝搬する各光の位相を変調する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光周波数コム発生器並びに光変調器に関し、光通信、光ＣＴ、光周波数標準器など多波長でコヒーレンス性の高い標準光源、又は、各波長間のコヒーレンス性も利用できる光源を必要とする分野に適用される。

光周波数を高精度に測定する場合には、測定する光を他の光と干渉させ、発生する光ビート周波数の電気信号を検出するヘテロダイン検波を行う。このヘテロダイン検波において測定可能な光の帯域は、検波系に使用される受光素子の帯域に制限され、概ね数十ＧＨｚ程度である。

一方、近年の光エレクトロニクスの発展に伴い、周波数多重通信のための光制御や、広範囲に分布する吸収線の周波数測定を行うため、光の測定可能帯域を更に拡大する必要がある。

かかる測定可能帯域の拡大化の要請に応えるべく、従来において光周波数コム発生器（例えば、特許文献１参照。）を用いた広帯域なヘテロダイン検波系が提案されている。この光周波数コム発生器は、周波数軸上で等間隔に配置された櫛状のサイドバンドを広帯域にわたり発生させるものであり、このサイドバンドの周波数安定度は、入射光の周波数安定度とほぼ同等である。この生成したサイドバンドと被測定光をヘテロダイン検波することにより、数ＴＨｚに亘る広帯域なヘテロダイン検波系を構築することが可能となる。

図６は、この従来における光周波数コム発生器３の原理的な構造を示している。

この光周波数コム発生器３は、光位相変調器３１と、この光位相変調器３１を介して互いに対向するように設置された反射鏡３２,３３を備える光共振器１００が使用されている。

この光共振器１００は、反射鏡３２を介して僅かな透過率で入射した光Ｌｉｎを、反射鏡３２，３３間で共振させ、その一部の光Ｌｏｕｔを反射鏡３３を介して出射させる。光位相変調器３１は、電界を印加することにより屈折率が変化する光位相変調のための電気光学結晶からなり、この光共振器１００を通過する光に対して、電極３６に印加される周波数ｆｍの電気信号に応じて位相変調をかける。

この光周波数コム発生器３において、光が光共振器１００内を往復する時間に同期した電気信号を電極３６から光位相変調器３１へ駆動入力することにより、光位相変調器３１を１回だけ通過する場合に比べ、数十倍以上の深い位相変調をかけることが可能となる。これにより、高次のサイドバンドを数百本生成することができ、隣接したサイドバンドの周波数間隔ｆｍは全て入力された電気信号の周波数ｆｍと同等になる。

また、従来における光周波数コム発生器は、上述のバルク型に限定されるものではない。例えば図７に示すように、導波路を用いた導波路型光周波数コム発生器２００にも適用可能である。

この導波路型光周波数コム発生器２０は、導波路型光変調器２００から構成される。導波路型光変調器２００は、基板２０１と、導波路２０２と、電極２０３と、入射側反射膜２０４と、出射側反射膜２０５と、発振器２０６とを備える。

基板２０１は、例えば引き上げ法により育成された３〜４インチ径のＬｉＮｂＯ_３やＧａＡｓ等の大型結晶をウェハ状に切り出したものである。この切り出した基板２０１上に導波路２０２層をエピタキシャル成長させるため、通常、機械研磨や化学研磨等の処理を施す。

導波路２０２は、光を伝搬させるために配されたものであり、導波路２０２を構成する層の屈折率は、基板等の他層よりも高く設定されている。導波路２０２に入射した光は、導波路２０２の境界面で全反射しながら伝搬する。

電極２０３は、例えばＡｌやＣｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属材料からなり、外部から供給された周波数ｆｍの電気信号を導波路２０２に駆動入力する。また、導波路における光の伝搬方向と変調電界の進行方向は同一となる。

入射側反射膜２０４及び出射側反射膜２０５は、導波路２０２に入射した光を共振させるため設けられたものであり、導波路２０２を通過する光を往復反射させることにより共振させる。発振器２０６は、電極２０３に接続され、周波数ｆｍの電気信号を供給する。

入射側反射膜２０４は、導波路型光変調器２００の光入射側に配され、図示しない光源から周波数ν_１の光が入射される。また、この入射側反射膜２０４は、出射側反射膜２０５により反射されて、かつ導波路２０２を通過した光を反射する。
出射側反射膜２０５は、導波路型光変調器２００の光出射側に配され、導波路２０２を通過した光を反射する。またこの出射側反射膜２０５は、導波路２０２を通過した光を一定の割合で外部に出射する。

上述の構成からなる導波路型光周波数コム発生器２０において、光が導波路２０２内を往復する時間に同期した電気信号を電極２０３から導波路型光変調器２００へ駆動入力とすることにより、光位相変調器１１１を１回だけ通過する場合に比べ、数十倍以上の深い位相変調をかけることが可能となる。これにより、バルク型光周波数コム発生器１０と同様に、広帯域にわたるサイドバンドを有する光周波数コムを生成することができ、隣接したサイドバンドの周波数間隔は、全て入力された電気信号の周波数ｆｍと同等になる。

特開２００３−２０２６０９号公報。

しかしながら、上記従来の導波路型光周波数コム発生器２０では、その構造に基づく制約により、内部を共振する光のうち図７に示す往路方向へ伝搬する光のみしか位相変調をかけることができない。このため、往路方向へ伝搬する光に加えて復路方向へ伝搬する光について位相変調を施す場合（以下、往復変調という。）と比較して変調効率がいきおい低くなるという問題点があった。

また、往復変調と同様の変調度を得るためには、電極２０３から導波路２０２へ駆動入力する電気信号の強度を増加させなければならず、位相変調時において多大な印加電圧が必要になる。必要な電力が増加すれば、電極２０３を含む駆動回路にかかる負担は大きくなり、上述したヘテロダイン検波系全体の大型化やそれに基づくコスト上昇を招く。更に、この印加電圧の増大は、導波路型光周波数コム発生器２０自体の故障の要因ともなり得る。

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、光共振器内を共振する光につき簡単な構成で往復変調を施すことにより、位相変調に必要な電力を増加させることなく、変調効率を改善させることができる光周波数コム発生器並びに光変調器を提供することにある。

本発明を適用した光周波数コム発生器は、上述した問題点を解決するために、所定の周波数の変調信号を発振する発振手段と、互いに平行な入射側反射鏡及び出射側反射鏡から構成され、入射側反射鏡を介して入射された光を往路方向又は復路方向へ伝搬させることにより共振させる共振手段と、上記入射側反射鏡と上記出射側反射鏡との間に配され、上記発振手段から供給された上記変調信号に応じて上記共振手段において共振された光の位相を変調し、上記入射された光の周波数を中心としたサイドバンドを上記変調信号の周波数の間隔で生成する光変調手段とを備え、上記光変調手段は、上記往路方向又は復路方向へ伝搬する各光の位相を変調する。

また本発明を適用した光変調器は、上述した問題点を解決するために、入射すべき光を偏光方向に応じて分離する分離手段と、上記分離された各光の偏光方向を揃える偏光制御手段と、所定の周波数の変調信号を発振する発振手段と、互いに平行な反射鏡から構成され、上記偏光制御手段から互いに異なる角度で何れか一の反射鏡を介して入射された光を往路方向又は復路方向へ伝搬させることにより共振させる共振手段と、上記発振手段から供給された上記変調信号に応じて上記共振手段において共振された光の位相を変調する光変調手段とを備える。

本発明を適用した光周波数コム発生器並びに光変調器では、導波路を往路方向へ伝搬する光のみならず、復路方向へ伝搬する光についても位相変調を施すことができるため変調効率を増加させることができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明を適用した光周波数コム発生器１の構成を示す図である。この光周波数コム発生器１は、導波路型光変調器２から構成される。導波路型光変調器２は、基板１１と、基板１１上に形成されてなり伝搬する光の位相を変調する導波路１２と、変調電界の方向が光の伝搬方向に対して略垂直になるように導波路１２の上面に設けられた電極１３と、導波路１２を介して互いに対向するように設置された入射側反射膜１４並びに出射側反射膜１５と、電極１３の一端側に配設され、周波数ｆｍの変調信号を発振する発振器１６と、電極１３の他端側に配設されてなる移相器１８、反射器１９とを備えている。

基板１１は、例えば引き上げ法により育成された３〜４インチ径のＬｉＮｂＯ_３やＧａＡｓ等の大型結晶をウェハ状に切り出したものである。この切り出した基板１１上に導波路１２層をエピタキシャル成長させるため、通常、機械研磨や化学研磨等の処理を施す。

導波路１２は、光を伝搬させるために配されたものであり、導波路１２を構成する層の屈折率は、基板等の他層よりも高く設定されている。導波路１２に入射した光は、導波路１２の境界面で全反射しながら伝搬する。この導波路１２は、屈折率が電界に比例して変化するポッケルス効果や、屈折率が電界の自乗に比例して変化するカー効果等の物理現象を利用し、通過する光の変調を行う。

電極１３は、例えばＴｉやＰｔ、Ａｕ等の金属材料からなり、外部から供給された周波数ｆｍの変調信号を導波路１２に駆動入力する。この電極１３に対して、発振器１６から供給される周波数ｆｍの変調信号により、導波路１２内を伝搬する光に位相変調がかけられる。

入射側反射膜１４並びに出射側反射膜１５は、導波路１２に入射した光を図１に示す往路方向又は復路方向へ伝搬させることにより共振させる。入射側反射膜１４は、導波路１２の光入射側に配され、この外部から供給される光がこの入射側反射膜１４を介して入射される。出射側反射膜１５は、導波路１２の光出射側に配され、導波路１２内部を伝搬した一部の光を外部へ出射させる。

反射器１９は、発振器１６より発振された変調信号を反射させる。また移相器１８は、反射された変調信号の位相を調整する。

次に本発明を適用した光周波数コム発生器１における電極１３の構成につき更に詳細に説明する。

図２は、電極１３の上面図である。この図２に示すように、電極１３は、発振器１６が設けられた一端側から、移相器１８、反射器１９が設けられている他端側に至るまでコ字状の形状で構成されている。この電極１３を高周波の変調信号のいわゆる伝送路として考えたとき、角部分１３ａ,ｂにおいていわゆる直角曲がり部が存在すると、変調信号の波長依存性により伝送特性が著しく悪化してしまう。このため、直角曲がり部が生じないように、角部分１３ａ,ｂを丸めるようにしてもよい。

このような形状からなる電極１３に対して発振器１６より発振された周波数ｆｍの変調信号を供給すると、当該変調信号は、電極１３を往路方向へ伝搬することになり、導波路１２内を往路方向へ伝搬する光につき位相を変調させることができる。電極１３上を往路方向へ伝搬した変調信号は、そのまま反射器１９を反射し、移相器１８により位相調整された上で、今度は電極１３を復路方向へ伝搬することになる。これにより、導波路１２内を復路方向へ伝搬する光につき位相変調させることができる。ちなみに、この移相器１８により調整される位相は、導波路１２内を復路方向へ伝搬する光につき施される位相変調が、往路方向へ伝搬する光に対する移相変調と同様になるようにしてもよい。

即ち、本発明を適用した光周波数コム発生器１では、導波路１２を往路方向へ伝搬する光のみならず、復路方向へ伝搬する光についても位相変調を施すことができるため変調効率を増加させることができる。

また上述の構成からなる光周波数コム発生器１において、光が導波路１２内を往復する時間に同期した電気信号を電極１３から駆動入力とすることにより、導波路１２を１回だけ通過する場合に比べ、数十倍以上の深い位相変調をかけることが可能となる。これにより、広帯域にわたるサイドバンドを有する光周波数コムを生成することができ、隣接したサイドバンドの周波数間隔は、全て入力された電気信号の周波数ｆｍと同等になる。

また、この光周波数コム発生器１は、光を狭小な導波路１２に押し込めて変調させることができるため、変調指数を大きくすることができ、バルク型の光周波数コム発生器と比較して発生するサイドバンド数やサイドバンドの光量を多くすることができる。

なお、本発明を適用した光周波数コム発生器１における移相器１８では、反射器１９より反射される変調信号の位相を以下に説明するように調整してもよい。

図２に示すように、電極１３における角部分１３ａから出射側反射膜１５までの長さをΔｌとし、また導波路１２における群屈折率をｎ_ｇとするとき、光が角部分１３ａから導波路１２に沿って伝搬して出射側反射膜１５を反射し、再び角部分１３ａへ戻ってくるまでの時間ｔは、以下の式１で表される。
ｔ＝２ｎ_ｇΔｌ／ｃ（ｃ：光速）・・・・・・・・式１
ここで、変調周波数をω_ｍとするとき、以下の式２
ω_ｍ＋θ＝２ｍπ （ｍ＝０,１,２,・・・・）・・・・式２
を満たすように移相器１８を調整することにより、θを変化させると、復路方向へ伝搬する変調信号の位相が、導波路１２内を復路方向へ伝搬する光の位相と一致することになる。即ち、この移相器１８は、変調信号の位相につき、以下の式３を満たすように調整する。
θ＝２ｍπ−２ｎ_ｇｋ_０Δｌ（但しｋ_０＝ω_ｍ／ｃ）・・・・式３
このように、移相器１８により調整される変調信号の位相を電極１３の形状、変調信号の周波数ｆｍ、並びに導波路１２の群屈折率ｎ_ｇに応じて調整することにより、これを光の位相に高精度に合わせ込むことができる。

このため、光周波数コム発生器１では、導波路１２を往路方向へ伝搬する光のみならず、復路方向へ伝搬する光についても高効率に位相変調を施すことができるため変調効率を最大２倍近くまで増加させることができる。また、電極１３へ印加する電圧を上げることなく、変調効率を効果的に向上させることができるため、消費電力を削減でき、光周波数コム発生器１を配設するヘテロダイン検波系自体をスリムにすることができ、コストを大幅に削減することができる。

なお、本発明を適用した光周波数コム発生器１は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、以下の図３に示すＬ字状の電極を有する光周波数コム発生器７に適用してもよい。この光周波数コム発生器７において、光周波数コム発生器１と同一の構成については、同一番号を付して説明を省略する。

この光周波数コム発生器７は、図３の上面図に示すように、変調電界の方向が光の伝搬方向に対して略垂直になるように導波路１２の上面に設けられた電極７３と、導波路１２を介して互いに対向するように設置された入射側反射膜１４並びに出射側反射膜１５と、電極７３の一端側に配設され、周波数ｆｍの変調信号を発振する発振器１６とを備えている。

電極７３は、他端から供給された変調信号を反射させるための切断点７３ａが設けられている。

このような形状からなる電極７３に対して発振器１６より発振された周波数ｆｍの変調信号を供給すると、当該変調信号は、電極７３上を往路方向へ伝搬することになり、導波路１２内を往路方向へ伝搬する光につき位相を変調させることができる。この電極７３上を往路方向へ伝搬した変調信号は、切断点７３ａを反射して今度は復路方向へ伝搬することになる。これにより導波路１２内を復路方向へ伝搬する光につき位相を変調することができ、光周波数コム発生器１と同様に変調効率を向上させることができる。特にこの光周波数コム発生器７では、移相器や反射器１９を配設する必要がないことから、変調信号の損失を抑えることができる点において有利である。

ちなみに、この切断点７３ａの位置は、以下に説明するように調整されていてもよい。

図３に示すように、電極７３における切断点７３ａから出射側反射膜１５までの長さをΔｌ_２とし、また導波路１２における群屈折率をｎ_ｇとするとき、光が切断点７３ａから導波路１２に沿って伝搬して出射側反射膜１５を反射し、再び角部分７３ａへ戻ってくるまでの時間ｔ_２は、以下の式４で表される。
ｔ_２＝２ｎ_ｇΔｌ_２／ｃ（ｃ：光速）・・・・・・・・式４
ここで、変調周波数をω_ｍとするとき、以下の式５
ω_ｍｔ_２＝２ｍπ （ｍ＝０,１,２,・・・・）・・・・式５
を満たすとき、復路方向へ伝搬する光は、往路方向と同じ位相で変調されることになる。ここで変調周波数ω_ｍ＝２πｆｍとするとき、長さをΔｌ_２は、以下の式６を満たすように調整される。
Δｌ＝ｍπ／ｎ_ｇｋ_０（但しｋ_０＝ω_ｍ／ｃ）・・・・式６
このように電極７３における切断点７３ａを、変調信号の周波数、並びに導波路１２の群屈折率に応じて調整することにより、高効率な位相変調を施すことが可能となる。

また本発明は、図４に示す光変調器に適用してもよい。この光変調器８は、何れの端面８４,８５を介して光が入射されてもよく、入射された各光は、上述の如くそれぞれ変調されつつ導波路１２内を往路方向又は復路方向へ伝搬し、対向する端面８５,８４を介して外部へ出射する。このため、この光変調器８は、光が入射する端面によらず、伝搬する光の位相のみならず、強度、偏波等についても効率よく変調することが可能となる。

なおこの光変調器８は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、Ｌ字状の電極を有する光周波数コム発生器７の構成をそのまま光変調器として適用してもよい。

また本発明を適用した光周波数コム発生器１は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、例えば図５に示すように、互いに異なる変調信号を１台の光変調器で変調することにより光コムを発生させる光周波数コム発生器４００に対しても適用可能である。

この光周波数コム発生器４００は、導波路型光変調器４０２から構成される。導波路型光変調器４０２は、基板４１１と、基板４１１上に形成されてなり伝搬する光の位相を変調する導波路４１２と、変調電界の方向が光の伝搬方向に対して略垂直になるように導波路４１２の上面に設けられた電極４１３と、導波路４１２を介して互いに対向するように設置された入射側反射膜４１４並びに出射側反射膜４１５と、電極４１３の一端側に配設され、周波数ｆｍ１の変調信号を発振する第１の発振器４１６と、周波数ｆｍ２の変調信号を発振する第２の発振器４１７と、第１の発振器４１６に接続される第１の無反射終端器４１８と、第２の発振器４１７に接続される第２の無反射終端器４１９と、サーキュレータ４２１,４２２とを備えている。

基板４１１,導波路４１２,電極４１３の構成は、基板１１,導波路１２,電極１３と同一の構成であるため、これらの説明を引用することにより説明を省略する。

入射側反射膜４１４並びに出射側反射膜４１５は、上記入射側反射膜１４並びに出射側反射膜１５と同一の構成としてもよいが、低反射率の反射膜等が形成された端面で構成してもよい。この入射側反射膜４１４並びに出射側反射膜４１５は、高反射膜が形成されていない結晶端面として適用してもよく、さらに結晶端面の反射率を低減させるべく無反射コートを施すようにしてもよい。即ち、入射側反射膜４１４並びに出射側反射膜４１５を高反射率の膜として構成されていることは条件とならない。

第１の発振器４１６から発信された周波数ｆｍ１の変調信号は、サーキュレータ４２１を直進した後、そのまま電極４１３上を復路方向へ伝搬し、サーキュレータ４２２２により伝搬方向につき変更された上で第２の無反射終端器４１９へ吸収される。また、第２の発振器４１９から発信された周波数ｆｍ２の変調信号は、サーキュレータ４２２を直進し、そのまま電極４１３上を往路方向へ伝搬し、サーキュレータ４２１により伝搬方向につき変更された上で第１の無反射終端器４１８へ吸収される。

即ち、この光周波数コム発生器４００における電極４１３では、周波数ｆｍ１の変調信号を復路方向のみに伝搬させ、また周波数ｆｍ２の変調信号を往路方向のみに伝搬させることができる。これは、電極４１３と平行となるように配設された導波路４０２を伝搬する光につき、復路方向のみに伝搬する光を周波数ｆｍ１により、また往路方向のみに伝搬する光を周波数ｆｍ２により変調することができ、ひいては光コムを効率よく生成することができる。

ちなみに、これら変調信号の周波数ｆｍ１と周波数ｆｍ２は同じ周波数であってもよく、また、図５に示すように変調信号の信号源として第１の発振器４１６並びに第２の発振器４１９を別々に設ける場合に限定されるものではなく、例えば１台の信号源からの変調信号を分離することにより生成するようにしてもよい。

ちなみに、本実施例では、光コムを生成する光周波数コム発生器４００を例に挙げて説明をしたが、かかる場合に限定されるものではなく、導波路４１２内を伝搬する光の変調のみを行う導波路型光変調器４０２として適用するようにしてもよいことは勿論である。

本発明を適用した光周波数コム発生器の構成を示す図である。本発明を適用した光周波数コム発生器における電極の構成につき説明するための図である。Ｌ字状の電極を有する光周波数コム発生器の構成につき説明するための図である。光が入射する端面によらず、伝搬する光の位相を効率よく変調することが可能な光周波数コム発生器につき説明するための図である。互いに異なる変調信号を１台の光変調器で変調することにより光コムを発生させる光周波数コム発生器の構成図である。従来における光周波数コム発生器の原理的な構造を示す図である。従来における導波路型光周波数コム発生器の原理的な構造を示す図である。

符号の説明

１光周波数コム発生器、２導波路型光変調器、１１基板、１２導波路、１３電極、１４入射側反射膜、１５出射側反射膜、１６発振器、１８移相器、１９反射器

Claims

所定の周波数の変調信号を発振する発振手段と、
互いに平行な入射側反射鏡及び出射側反射鏡から構成され、入射側反射鏡を介して入射された光を往路方向又は復路方向へ伝搬させることにより共振させる共振手段と、
上記入射側反射鏡と上記出射側反射鏡との間に配され、上記発振手段から供給された上記変調信号に応じて上記共振手段において共振された光の位相を変調し、上記入射された光の周波数を中心としたサイドバンドを上記変調信号の周波数の間隔で生成する光変調手段とを備え、
上記光変調手段は、上記往路方向又は復路方向へ伝搬する各光の位相を変調し、
上記光変調手段は、光を伝搬させる導波路であること
を特徴とする光周波数コム発生器。
上記入射側反射鏡及び上記出射側反射鏡は、上記光変調手段の入射側端面及び／又は出射側端面に形成された反射膜であること
を特徴とする請求項２記載の光周波数コム発生器。
上記光変調手段と平行するように配され、上記発振手段から発振された変調信号を往路方向又は復路方向へ伝搬させるための電極を備え、
上記光変調手段は、上記往路方向又は復路方向へ伝搬する各光の位相を上記電極を往路方向又は復路方向へ伝搬する変調信号に応じて変調すること
を特徴とする請求項２記載の光周波数コム発生器。
上記電極の一端には、他端から供給された変調信号を反射させるための反射器、並びに当該反射された変調信号の位相を調整するための移相器が配設されてなること
を特徴とする請求項４記載の光周波数コム発生器。
上記移相器は、上記反射された変調信号の位相を上記電極の形状、上記変調信号の周波数、並びに上記導波路の群屈折率に応じて調整すること
を特徴とする請求項５記載の光周波数コム発生器。
上記電極の一端は、他端から供給された変調信号を反射させるための切断点が設けられてなること
を特徴とする請求項４記載の光周波数コム発生器。
上記電極における切断点は、上記変調信号の周波数、並びに上記導波路の群屈折率に応じて調整されていること
を特徴とする請求項７記載の光周波数コム発生器。
所定の周波数の変調信号を発振する発振手段と、
何れか一の端面を介して入射された光を往路方向又は復路方向へ伝搬させる光伝搬手段と、
上記端面間に配され、上記発振手段から供給された上記変調信号に応じて上記伝搬する光の位相を変調する光変調手段とを備え、
上記光変調手段は、上記往路方向又は復路方向へ伝搬する各光を変調すること
を特徴とする光変調器。