JP2005142526A - 大きな有機半導体結晶を有するデバイスおよび該デバイスを作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面を含んだ誘電体層であって、前記表面の一部が露出した芳香族基を有する誘電体層と;前記表面の前記部分上に重なり、接触している有機半導体組成物を含んだ多結晶半導体層であって、前記有機半導体組成物が鎖状部分を含んだ化合物を含み、鎖状部分が共役チオフェン基またはフェニル基を含み、かつ鎖状部分の両端にアルキル連鎖を含む多結晶半導体層とを含んだ半導体装置。
【選択図】図3
Description
作製する方法を提供する。
トランジスタIの製造では、6PTTP6の2つの層を順次付着させ、第2層の塗布の前に第1層からo−キシレンを蒸発させておいた。トランジスタIIの製造では、6PTTP6の4層を順次付着させ、初めの3層の各々から次の層を塗布する前に、o−キシレンを蒸発させておいた。トランジスタIIIの製造では、o−キシレン5ml中に6PTTP6 3mgを用いて、o−キシレン中の6PTTP6半導体の濃度を50%だけ相対的に増加し、6PTTP6を1層だけ塗布した。トランジスタIVは、トランジスタIIの製造に使用したのと同様に製造した。
トランジスタIに関しては、図5は、ドレイン/ソース電流(Ids(A))対ドレイン/ソース電圧(Vds(V))をプロットしたグラフを示す。図6はまたトランジスタIに関連した、ドレイン/ソース電流の平方根(SQRT(Id))対ゲート電圧(Vg(V))をプロットしたグラフを示す。トランジスタIIに関しては、図7はIds(A)対Vds(V)をプロットしたグラフを示す。図8はまたトランジスタIIに関連したSQRT(Id)対Vg(V)をプロットしたグラフを示す。トランジスタIIIに関しては、図9はIds(A)対Vds(V)をプロットしたグラフを示す。図10はまたトランジスタIIIに関連したSQRT(Id)対Vg(V)をプロットしたグラフを示す。トランジスタIVに関しては、図11はIds(A)対Vds(V)をプロットしたグラフを示す。図12はまたトランジスタIVに関連したSQRT(Id)対Vg(V)をプロットしたグラフを示す。
直接測定することができるので、トランジスタの特性決定に対して、移動度が通常最も重要なパラメータとみなされる。オン/オフ比は通常第2の最も重要なパラメータとみなされる。トランジスタIからIVの測定はすべて、ヒューレットパッカード(Hewlett Packard)4155 A半導体パラメータ分析器で行った。トランジスタIからIV中の誘電体層の静電容量は、ヒューレットパッカードインダクタンス/静電容量/抵抗計に付属するプローブにより印加された電流で直接測定した。W/L比は光学顕微鏡を用いて測定した。勾配範囲は、SQRT(Id)対VG(V)をプロットした、図6、8、10および12に示されたグラフ中のカーブの選択された電圧範囲にわたる勾配の範囲である。これらの勾配範囲、および以下の式(1)で、トランジスタの移動度を決定することができる。
Ids=W/2L×Ciμ(VG−VT)2 (1)
本発明はそれが従う特許請求の範囲と矛盾することなく他の環境に適切に適用されることを理解されたい。
Claims (10)
- 表面を含んだ誘電体層であって、前記表面の一部が露出した芳香族基を有する誘電体層と、
前記表面の前記部分上に重なり、接触している有機半導体組成物を含んだ多結晶半導体層であって、前記有機半導体組成物が鎖状部分を含んだ化合物を含み、鎖状部分が共役チオフェン基またはフェニル基を含み、かつ鎖状部分の両端にアルキル連鎖を含む多結晶半導体層と
を含んだ半導体装置。 - 前記部分のそれぞれが、平均して少なくとも約3個の共役芳香族環を含んだ、請求項1に記載の半導体装置。
- アルキル鎖が平均して約3〜約12個の間の炭素原子を含んだ、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記誘電体層が前駆物質組成物から形成されており、前記前駆物質組成物が少なくとも約1.52の屈折率を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記多結晶半導体層が、少なくとも約0.1cm2/ボルト・秒の移動度を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- さらに
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極とを含み、
前記ソース電極およびドレイン電極が離間して前記半導体層のチャネル部分と導電的に接触しており、前記ゲート電極が前記チャネル部分の導電率を制御するように配置されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 半導体組成物が、5,5’−ビス(4−n−ヘキシルフェニル)−2,2’−ビチオフェン;5,5’’−ビス(4−nヘキシルフェニル)−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン;5,5’’’−ビス(4−n−ヘキシルフェニル)2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’−クアテルチオフェン;1,4−ビス[5−(4−n−ヘキシルフェニル)−2−チエニル]ベンゼン;2,5−ビス[4(4’−ヘキシルフェニル)フェニル]チオフェン;5,5’’’−ビス(4−n−ヘキシル)−2,2’:5’,2’’:5’’;2’’’−クアテルチオフェン;5,5’’’’ビス(4−n−ヘキシル)−2,2’:5’,2’’:5’’,2’’’:5’’’,2’’’’−ペンタチオフェン;1,4−ビス[(5−n−ヘキシル)−2,2’ビチエニル]ベンゼン;2,6−ビス(5−ヘキシルチエン−2−イル)ナフタレン;および混合物からなる群から選択されるメンバーを含む、請求項2に記載の半導体装置。
- 表面を含んだ誘電体層であって、前記表面の一部が露出した芳香族基を有する誘電体層を提供する工程と、
前記表面の前記部分上に重なり、接触している有機半導体組成物を含んだ多結晶半導体層であって、前記有機半導体組成物が鎖状部分を含んだ化合物を含み、鎖状部分が共役チオフェン基またはフェニル基を含み、かつ鎖状部分の両端にアルキル連鎖を含む多結晶半導体層を提供する工程と
を含んだ半導体装置を作製する方法。 - 多結晶半導体層を設ける前記工程が、
前記有機半導体組成物の溶媒中の溶液を提供する工程と、
前記有機半導体組成物のための溶媒蒸気を含んだ雰囲気を提供する工程と、
前記雰囲気の存在下で前記溶液を前記誘電体層の前記部分に塗布する工程と、
前記塗布した溶液から前記溶媒を蒸発させる工程と
を含む請求項8に記載の方法。 - 表面を含んだ誘電体層であって、前記表面の一部が露出した芳香族基を有する誘電体層と、
前記表面の前記部分上に重なり、接触している有機半導体組成物を含んだ多結晶半導体層であって、前記有機半導体組成物が鎖状部分を含んだ化合物を含み、鎖状部分が共役チオフェン基またはフェニル基を含み、かつ鎖状部分の両端にアルキル連鎖を含む多結晶半導体層と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極とを含み、
前記ソース電極およびドレイン電極が離間して前記半導体層のチャネル部分と導電的に接触しており、前記ゲート電極が前記チャネル部分の導電率を制御するように配置されている集積回路。
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