JP2005142258A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly form solvent content resin on a semiconductor device in a manufacturing method of the device, with which substantially the device is molded with molded resin, after solvent content resin has been applied to the device where a pair of heatsinks are arranged on both faces of a semiconductor chip. <P>SOLUTION: A method includes processes, wherein solvent content resin is dried by heating the device 100 by using a thermostatic oven and a drier to eliminate a temperature slope between a pair of heatsinks 20 and 30, after a process of applying a solvent content resin prior to the process of performing molding by molded resin 60. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、発熱素子の両面に放熱板を配設してなる装置を用意し、この装置のほぼ全体をモールド樹脂でモールドする半導体装置の製造方法に関し、特に、装置をモールドする前に、放熱板とモールド樹脂との接着力を向上させるための溶剤含有型樹脂を装置に塗布するようにした製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device in which a heat sink is provided on both sides of a heat generating element, and the entire device is molded with a mold resin. In particular, the heat dissipation is performed before the device is molded. The present invention relates to a manufacturing method in which a solvent-containing resin for improving the adhesive force between a plate and a mold resin is applied to an apparatus.

従来より、発熱素子とこの発熱素子の両面から放熱するための一対の放熱板とを備える装置を用意し、当該装置のほぼ全体をモールド樹脂でモールドするようにした半導体装置の製造方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。   Conventionally, a method of manufacturing a semiconductor device has been proposed in which a device including a heat generating element and a pair of heat radiating plates for radiating heat from both sides of the heat generating element is prepared, and almost the entire device is molded with a mold resin. (For example, refer to Patent Document 1).

この製造方法では、上記装置を用意した後モールド樹脂でモールドする前に、この装置の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂を塗布することにより、金属体である放熱板とモールド樹脂との接着力を向上させるようにしている。   In this manufacturing method, after preparing the above device and before molding with a mold resin, by applying a solvent-containing resin containing a solvent to the surface of this device, a heat sink and a mold resin, which are metal bodies, To improve the adhesive strength.

図４は、従来の一般的な、溶剤含有型樹脂の塗布方法を示す概略断面図である。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a conventional general method for applying a solvent-containing resin.

図４に示される装置１００では、発熱素子１０の下面には接合材５０を介して第１の放熱板としての下側ヒートシンク２０が接合され、発熱素子１０の上面には、接合材５０、ヒートシンクブロック４０、接合材５０を介して第２の放熱板としての上側ヒートシンク３０が接合されている。   In the apparatus 100 shown in FIG. 4, a lower heat sink 20 as a first heat radiating plate is bonded to the lower surface of the heating element 10 via a bonding material 50, and the bonding material 50 and the heat sink are bonded to the upper surface of the heating element 10. The upper heat sink 30 as the second heat radiating plate is joined via the block 40 and the joining material 50.

そして、この装置１００に対して、溶剤含有型樹脂９０を塗布する。溶剤含有型樹脂９０としては、たとえば、ポリアミド等の樹脂にアルコール等の溶剤を含有させたものが採用される。   Then, a solvent-containing resin 90 is applied to the device 100. As the solvent-containing resin 90, for example, a resin such as polyamide containing a solvent such as alcohol is employed.

この溶剤含有型樹脂９０の塗布方法としては、たとえば装置１００の溶剤含有型樹脂９０へのディッピングにより行ったり、溶剤含有型樹脂９０をディスペンサのノズルから滴下もしくは噴霧したりする方法を採用することができる。   As a method for applying the solvent-containing resin 90, for example, a method of dipping the solvent-containing resin 90 of the apparatus 100 or a method of dropping or spraying the solvent-containing resin 90 from a dispenser nozzle may be employed. it can.

そして、溶剤含有型樹脂９０が塗布された装置１００を加熱して、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行う。   Then, the device 100 coated with the solvent-containing resin 90 is heated to dry the solvent-containing resin 90.

具体的には、下側ヒートシンク２０を下方にし、上側ヒートシンク３０を上方にして、加熱部材としての熱板２００の上に、この装置１００を搭載することによって、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行うものである。
特開２００３−１１００６４号公報 Specifically, the solvent-containing resin 90 is dried by mounting the apparatus 100 on a hot plate 200 as a heating member with the lower heat sink 20 facing downward and the upper heat sink 30 facing upward. Is.
JP 2003-110064 A

しかしながら、従来では、上記図４に示されるように、下側ヒートシンク２０を下方に位置させた状態にて、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行っていたが、上側ヒートシンク３０が下側ヒートシンク２０の上に存在した状態で加熱が行われるため、以下のような問題が生じる。   However, conventionally, as shown in FIG. 4, the solvent-containing resin 90 is dried in a state where the lower heat sink 20 is positioned below. Since heating is performed in the state of being present above, the following problems occur.

一つは、従来の下側ヒートシンク２０を熱板２００で加熱する方法では、上側ヒートシンク３０は金属体を伝わる熱と雰囲気熱とによって主に加熱される。しかし、この場合、下側ヒートシンク２０と上側ヒートシンク３０とで温度差が生じ、溶剤含有型樹脂９０が一様に形成されない場合がある。   One is a conventional method in which the lower heat sink 20 is heated by the hot plate 200, and the upper heat sink 30 is mainly heated by heat transmitted through the metal body and atmospheric heat. However, in this case, a temperature difference occurs between the lower heat sink 20 and the upper heat sink 30, and the solvent-containing resin 90 may not be formed uniformly.

もう一つは、従来の方法では、上側ヒートシンク３０において溶剤含有型樹脂９０が塗布された下面が重力方向を向いているため、液体状の溶剤含有型樹脂９０が、図４中の矢印に示されるように、下方へ流れたり落下したりする。それにより、溶剤含有型樹脂９０が一様に形成されない場合がある。   The other is that in the conventional method, since the lower surface of the upper heat sink 30 on which the solvent-containing resin 90 is applied faces the direction of gravity, the liquid solvent-containing resin 90 is indicated by an arrow in FIG. Flow down or fall as shown. Thereby, the solvent-containing resin 90 may not be uniformly formed.

このように、溶剤含有型樹脂９０が一様に形成されない場合、その後、装置１００をモールド樹脂でモールドしたときに、モールド樹脂とヒートシンクとの接着力が確保できず、モールド樹脂の剥離が生じる可能性がある。そして、このような剥離は、モールド樹脂のクラック、果てには、ワイヤボンディングのクラック等につながり、装置１００の機能不良に至ることとなる。   As described above, when the solvent-containing resin 90 is not formed uniformly, when the device 100 is molded with a mold resin, the adhesive force between the mold resin and the heat sink cannot be secured, and the mold resin may be peeled off. There is sex. Such peeling results in cracks in the mold resin, eventually wire cracks, and the like, leading to a malfunction of the device 100.

そこで、本発明は上記問題に鑑み、発熱素子の両面に一対の放熱板を配設してなる装置に対して、溶剤含有型樹脂を塗布した後、当該装置のほぼ全体をモールド樹脂でモールドするようにした半導体装置の製造方法において、装置に対して溶剤含有型樹脂を一様に形成できるようにすることを目的とする。   Therefore, in view of the above problems, the present invention applies a solvent-containing resin to a device in which a pair of heat sinks are disposed on both sides of a heating element, and then molds almost the entire device with a mold resin. An object of the method for manufacturing a semiconductor device is to allow a solvent-containing resin to be uniformly formed on the device.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、発熱素子（１０）とこの発熱素子（１０）の両面から放熱するための一対の放熱板（２０、３０）とを備える装置（１００）を用意し、装置（１００）の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程と、しかる後、装置（１００）のほぼ全体をモールド樹脂（６０）でモールドする工程とを有する半導体装置の製造方法において、溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程の後であってモールド樹脂（６０）でモールドする工程の前に、一対の放熱板（２０、３０）の間で温度勾配をなくすように、装置（１００）を加熱することにより、溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥を行うことを特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, there is provided an apparatus (100) comprising a heat generating element (10) and a pair of heat radiating plates (20, 30) for radiating heat from both surfaces of the heat generating element (10). ) And applying a solvent-containing resin (90) containing a solvent to the surface of the device (100), and thereafter, almost the entire device (100) is molded with the mold resin (60). In the method of manufacturing a semiconductor device having a step, after the step of applying the solvent-containing resin (90) and before the step of molding with the mold resin (60), the pair of heat sinks (20, 30) The apparatus is characterized in that the solvent-containing resin (90) is dried by heating the apparatus (100) so as to eliminate the temperature gradient.

それによれば、一対の放熱板（２０、３０）の間で温度勾配をなくすように、装置（１００）を加熱することにより、溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥を行うために、両放熱板（２０、３０）の温度差を極力無くすことができる。   According to it, in order to dry the solvent-containing resin (90) by heating the device (100) so as to eliminate the temperature gradient between the pair of heat sinks (20, 30), both heat sinks The temperature difference of (20, 30) can be eliminated as much as possible.

よって、本発明によれば、装置（１００）に対して、溶剤含有型樹脂（９０）を一様に形成することができる。   Therefore, according to the present invention, the solvent-containing resin (90) can be uniformly formed on the device (100).

ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、装置（１００）の加熱は、恒温槽内で行うことを特徴としている。   Here, the invention described in claim 2 is characterized in that, in the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, the apparatus (100) is heated in a thermostatic chamber.

また、請求項３に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、装置（１００）の加熱は、一対の放熱板（２０、３０）の両方に、加熱部材を接触させることにより行うことを特徴としている。   According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the first aspect, the heating of the device (100) causes the heating member to contact both of the pair of heat sinks (20, 30). It is characterized by that.

また、請求項４に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、装置（１００）の加熱は、ドライヤーを用いて行うことを特徴としている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the first aspect, the apparatus (100) is heated using a dryer.

さらに、請求項５に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、装置（１００）の加熱は、モールド樹脂（６０）でモールドする工程に用いられる金型内に装置（１００）を設置し、金型を均一に加熱することにより行うことを特徴としている。   Furthermore, in the invention according to claim 5, in the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, the heating of the device (100) is performed in the mold (used in the step of molding with the mold resin (60)). 100) and is performed by heating the mold uniformly.

請求項６に記載の発明では、発熱素子（１０）と、この発熱素子（１０）の両面から放熱するための一対の放熱板（２０、３０）とを備える装置（１００）を用意し、装置（１００）の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程と、しかる後、装置（１００）のほぼ全体をモールド樹脂（９０）でモールドする工程とを有する半導体装置の製造方法において、溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程の後であってモールド樹脂（６０）でモールドする工程の前に、一対の放熱板（２０、３０）の間で交互に上下関係が逆転するように、装置（１００）を回転させながら溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥を行うことを特徴としている。   In the invention according to claim 6, there is provided a device (100) comprising a heating element (10) and a pair of heat radiation plates (20, 30) for radiating heat from both sides of the heating element (10). A semiconductor device comprising a step of applying a solvent-containing resin (90) containing a solvent on the surface of (100), and then a step of molding substantially the entire device (100) with a mold resin (90). In this manufacturing method, after the step of applying the solvent-containing resin (90) and before the step of molding with the mold resin (60), the vertical relationship between the pair of heat sinks (20, 30) alternately The solvent-containing resin (90) is dried while rotating the apparatus (100) so as to reverse.

それによれば、一対の放熱板（２０、３０）の間で交互に上下関係が逆転するように、装置（１００）を回転させながら溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥を行うために、重力によって両放熱板（２０、３０）の間で一方側から他方側へ溶剤含有型樹脂（９０）が流れたり、落下したりするのを極力抑制することができる。   According to this, in order to dry the solvent-containing resin (90) while rotating the device (100) so that the vertical relationship is alternately reversed between the pair of heat sinks (20, 30), the gravity-containing resin It is possible to suppress the solvent-containing resin (90) from flowing from one side to the other side between the heat radiating plates (20, 30) or dropping as much as possible.

よって、本発明によれば、装置（１００）に対して、溶剤含有型樹脂（９０）を一様に形成することができる。   Therefore, according to the present invention, the solvent-containing resin (90) can be uniformly formed on the device (100).

ここで、請求項７に記載の発明では、請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、装置（１００）の回転を、恒温槽内で装置（１００）を加熱しながら行うことを特徴としている。   Here, in the invention described in claim 7, in the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, the rotation of the device (100) is performed while heating the device (100) in a thermostat. Yes.

それによれば、溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥時間をより短縮することができるため、好ましい。   Accordingly, the drying time of the solvent-containing resin (90) can be further shortened, which is preferable.

また、請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程の前に、装置（１００）の予熱を行うことを特徴としている。   According to an eighth aspect of the present invention, in the semiconductor device manufacturing method according to the first to seventh aspects, the apparatus (100) is preheated before the step of applying the solvent-containing resin (90). It is characterized by doing.

それによれば、装置（１００）が温まった状態で溶剤含有型樹脂（９０）の塗布が行われるため、溶剤含有型樹脂（９０）の濡れ性が向上し、溶剤含有型樹脂（９０）を一様に形成することに対して好ましい。   According to this, since the application of the solvent-containing resin (90) is performed in a state where the apparatus (100) is warmed, the wettability of the solvent-containing resin (90) is improved, and the solvent-containing resin (90) is reduced. It is preferable to form in this way.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置Ｓ１の概略断面構成を示す図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of a semiconductor device S1 according to an embodiment of the present invention.

この図１に示すように、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、発熱素子としての半導体チップ１０と、第１の放熱板（第１の金属体）としての下側ヒートシンク２０と、第２の放熱板（第２の金属体）としての上側ヒートシンク３０と、ヒートシンクブロック４０と、これらの間に介在する接合材５０と、これらをモールドする樹脂６０とを備えて構成されている。   As shown in FIG. 1, the semiconductor device S1 of the present embodiment is broadly divided into a semiconductor chip 10 as a heating element, a lower heat sink 20 as a first heat radiating plate (first metal body), The upper heat sink 30 as the second heat radiating plate (second metal body), the heat sink block 40, the bonding material 50 interposed therebetween, and the resin 60 for molding them are configured.

この構成の場合、半導体チップ１０の下面と下側ヒートシンク２０の上面との間は、接合材である例えばはんだ５０によって接合されている。そして、半導体チップ１０の上面とヒートシンクブロック４０の下面との間も、接合材である例えばはんだ５０によって接合されている。   In the case of this configuration, the lower surface of the semiconductor chip 10 and the upper surface of the lower heat sink 20 are joined by, for example, a solder 50 that is a joining material. The upper surface of the semiconductor chip 10 and the lower surface of the heat sink block 40 are also bonded together by, for example, solder 50 that is a bonding material.

さらに、ヒートシンクブロック４０の上面と上側ヒートシンク３０の下面との間も、接合材である例えばはんだ５０によって接合されている。なお、接合材５０としては、はんだ以外にも、たとえば導電性接着剤等であってもよい。   Further, the upper surface of the heat sink block 40 and the lower surface of the upper heat sink 30 are also bonded by, for example, solder 50 which is a bonding material. In addition to the solder, the bonding material 50 may be, for example, a conductive adhesive.

これにより、上記構成においては、半導体チップ１０の上面では、接合材５０、ヒートシンクブロック４０、接合材５０および上側ヒートシンク３０を介して放熱が行われ、半導体チップ１０の下面では、接合材５０から下側ヒートシンク２０を介して放熱が行われる構成となっている。   Thus, in the above configuration, heat is radiated on the upper surface of the semiconductor chip 10 via the bonding material 50, the heat sink block 40, the bonding material 50 and the upper heat sink 30, and on the lower surface of the semiconductor chip 10 from the bonding material 50. Heat is dissipated through the side heat sink 20.

なお、発熱素子１０としては、特に限定されるものではないが、本実施形態において発熱素子として用いられている上記半導体チップ１０は、たとえばＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やサイリスタ等のパワー半導体素子から構成されている。   The heating element 10 is not particularly limited, but the semiconductor chip 10 used as the heating element in this embodiment is a power semiconductor element such as an IGBT (insulated gate bipolar transistor) or a thyristor. It is composed of

この場合、半導体チップ１０のデバイス構造を、トレンチゲートタイプとすることが好ましい。もちろん、半導体チップ１０としては、他のタイプのデバイス構造を用いるように構成しても良い。また、上記半導体チップ１０の形状は、たとえば矩形状の薄板状とすることができる。   In this case, the device structure of the semiconductor chip 10 is preferably a trench gate type. Of course, the semiconductor chip 10 may be configured to use another type of device structure. The shape of the semiconductor chip 10 can be, for example, a rectangular thin plate.

また、下側ヒートシンク２０、上側ヒートシンク３０およびヒートシンクブロック４０は、たとえば銅合金もしくはアルミ合金等の熱伝導性および電気伝導性の良い金属で構成されている。また、ヒートシンクブロック４０としては、それ以外にも一般的な鉄合金を用いてもよい。   The lower heat sink 20, the upper heat sink 30, and the heat sink block 40 are made of a metal having good thermal conductivity and electrical conductivity, such as a copper alloy or an aluminum alloy. Further, as the heat sink block 40, other general iron alloys may be used.

この構成の場合、下側ヒートシンク２０および上側ヒートシンク３０は、半導体チップ１０の図示しない各主電極（たとえば、コレクタ電極やエミッタ電極等）に接合材であるはんだ５０を介して電気的にも接続されている。   In the case of this configuration, the lower heat sink 20 and the upper heat sink 30 are also electrically connected to each main electrode (not shown) of the semiconductor chip 10 (for example, a collector electrode and an emitter electrode) via a solder 50 as a bonding material. ing.

また、下側ヒートシンク２０は、たとえば、全体としてほぼ長方形状の板材とすることができる。また、この下側ヒートシンク２０には、端子部２１が図１中の右方へ向けて延びるように突設されている。   Further, the lower heat sink 20 can be a substantially rectangular plate as a whole, for example. Further, the lower heat sink 20 is provided with a terminal portion 21 protruding so as to extend rightward in FIG.

さらに、上側ヒートシンク３０も、たとえば、全体としてほぼ長方形状の板材で構成されており、この上側ヒートシンク３０の端子部３１が図１中の右方へ向けて延びるように突設されている。   Furthermore, the upper heat sink 30 is also composed of, for example, a substantially rectangular plate as a whole, and a terminal portion 31 of the upper heat sink 30 is provided so as to extend rightward in FIG.

ここで、下側ヒートシンク２０の端子部２１および上側ヒートシンク３０の端子部３１は、それぞれ半導体装置Ｓ１における外部配線部材等との接続を行うために設けられているものである。   Here, the terminal portion 21 of the lower heat sink 20 and the terminal portion 31 of the upper heat sink 30 are respectively provided for connection to an external wiring member or the like in the semiconductor device S1.

つまり、上側ヒートシンク３０および下側ヒートシンク２０は、それぞれ、電極と放熱体とを兼ねるものであって、半導体装置Ｓ１において半導体チップ１０からの放熱を行う機能を有するとともに半導体チップ１０の電極としての機能も有する。   That is, each of the upper heat sink 30 and the lower heat sink 20 serves as both an electrode and a radiator, and has a function of radiating heat from the semiconductor chip 10 in the semiconductor device S1 and also functions as an electrode of the semiconductor chip 10. Also have.

また、ヒートシンクブロック４０は、たとえば、半導体チップ１０よりも１回り小さい程度の大きさの矩形状の板材とすることができる。   The heat sink block 40 may be a rectangular plate having a size that is slightly smaller than the semiconductor chip 10, for example.

ここで、ヒートシンクブロック４０は、半導体チップ１０と上側ヒートシンク３０とを熱的および電気的に接続するとともに、半導体チップ１０から後述するボンディングワイヤ８０を引き出す際の当該ワイヤ８０の高さを確保する等のために、半導体チップ１０と上側ヒートシンク３０との間の高さを確保する役割を有している。   Here, the heat sink block 40 thermally and electrically connects the semiconductor chip 10 and the upper heat sink 30, and secures the height of the wire 80 when a bonding wire 80 described later is pulled out from the semiconductor chip 10. Therefore, it has a role of ensuring the height between the semiconductor chip 10 and the upper heat sink 30.

なお、可能であるならば、このヒートシンクブロック４０は存在しないものであってもよい。   If possible, the heat sink block 40 may not exist.

さらに、図１に示されるように、一対のヒートシンク２０、３０の隙間、並びに、半導体チップ１０およびヒートシンクブロック４０の周囲部分には、樹脂６０が充填封止されている。   Further, as shown in FIG. 1, a resin 60 is filled and sealed in the gap between the pair of heat sinks 20 and 30 and the peripheral portions of the semiconductor chip 10 and the heat sink block 40.

この樹脂６０はたとえばエポキシ樹脂等の通常のモールド材料を採用することができる。また、ヒートシンク２０、３０等を樹脂６０でモールドするにあたっては、上下型からなる成形型（図示しない）を使用し、トランスファーモールド法によって容易に行うことができる。   For this resin 60, a normal molding material such as an epoxy resin can be employed. In addition, when the heat sinks 20, 30 and the like are molded with the resin 60, a mold (not shown) composed of upper and lower molds is used and can be easily performed by a transfer molding method.

また、樹脂６０内において、半導体チップ１０とリードフレーム７０とは、上記ワイヤ８０によって結線され、電気的に接続されている。このワイヤ８０はワイヤボンディング等により形成され、金やアルミ等からなるものである。   In the resin 60, the semiconductor chip 10 and the lead frame 70 are connected by the wire 80 and are electrically connected. The wire 80 is formed by wire bonding or the like and is made of gold, aluminum, or the like.

次に、上記した構成の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図１に加えて図２も参照して、簡単に説明する。図２は、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法を説明するための概略断面図である。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device S1 having the above configuration will be briefly described with reference to FIG. 2 in addition to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the semiconductor device S1 of the present embodiment.

まず、下側ヒートシンク２０の上面に、半導体チップ１０とヒートシンクブロック４０をはんだ付けする工程を実行する。   First, a process of soldering the semiconductor chip 10 and the heat sink block 40 to the upper surface of the lower heat sink 20 is executed.

この場合、下側ヒートシンク２０の上面に、たとえば、はんだ箔を介して半導体チップ１０を積層するとともに、この半導体チップ１０の上にはんだ箔を介してヒートシンクブロック４０を積層する。この後、加熱装置（リフロー装置）によって上記はんだ箔を溶融させてから、硬化させる。   In this case, for example, the semiconductor chip 10 is stacked on the upper surface of the lower heat sink 20 via a solder foil, and the heat sink block 40 is stacked on the semiconductor chip 10 via the solder foil. Thereafter, the solder foil is melted by a heating device (reflow device) and then cured.

続いて、半導体チップ１０の制御電極（例えばゲートパッド等）とリードフレーム７０とをワイヤボンディングする工程を実行する。これにより、ワイヤ８０によって半導体チップ１０の制御電極とリードフレーム７０とが結線され電気的に接続される。   Subsequently, a process of wire bonding the control electrode (eg, gate pad) of the semiconductor chip 10 and the lead frame 70 is performed. Thus, the control electrode of the semiconductor chip 10 and the lead frame 70 are connected and electrically connected by the wire 80.

次いで、ヒートシンクブロック４０の上に上側ヒートシンク３０をはんだ付けする工程を実行する。この場合、ヒートシンクブロック４０の上にはんだ箔を介して上側ヒートシンク３０を載せる。そして、加熱装置によって上記はんだ箔を溶融させてから、硬化させる。   Next, a process of soldering the upper heat sink 30 on the heat sink block 40 is performed. In this case, the upper heat sink 30 is placed on the heat sink block 40 via a solder foil. Then, the solder foil is melted by a heating device and then cured.

こうして溶融したはんだ箔が硬化すれば、硬化したはんだ５０が接合材５０として構成されることになる。そして、この接合材５０を介して、下側ヒートシンク２０、半導体チップ１０、ヒートシンクブロック４０、上側ヒートシンク３０間の接合および電気的・熱的接続が完了する。   When the melted solder foil is cured, the cured solder 50 is configured as the bonding material 50. The bonding and electrical / thermal connection among the lower heat sink 20, the semiconductor chip 10, the heat sink block 40, and the upper heat sink 30 are completed via the bonding material 50.

なお、接合材５０として導電性接着剤を用いた場合にも、上記工程において、はんだを導電性接着剤に置き換え、導電性接着剤の塗布や硬化を行うことにより、下側ヒートシンク２０、半導体チップ１０、ヒートシンクブロック４０、上側ヒートシンク３０間の接合および電気的・熱的接続を実現することができる。   Even when a conductive adhesive is used as the bonding material 50, the lower heat sink 20 and the semiconductor chip can be obtained by replacing the solder with a conductive adhesive and applying and curing the conductive adhesive in the above process. 10, bonding between the heat sink block 40 and the upper heat sink 30 and electrical / thermal connection can be realized.

ここまでの状態が、図２（ａ）に示されており、この図２（ａ）に示されるものが、半導体チップ（発熱素子）１０とこの半導体チップ１０の両面から放熱するための一対の放熱板２０、３０とを備える装置１００として構成されている。   The state up to this point is shown in FIG. 2A, and the one shown in FIG. 2A is a pair of semiconductor chip (heat generating element) 10 and a pair for radiating heat from both sides of the semiconductor chip 10. It is comprised as the apparatus 100 provided with the heat sinks 20 and 30. FIG.

次に、図２（ｂ）に示されるように、装置１００の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂９０を塗布する工程を行う。なお、図２（ｂ）では、溶剤含有型樹脂９０の厚さはデフォルメしてある。   Next, as shown in FIG. 2B, a step of applying a solvent-containing resin 90 containing a solvent to the surface of the apparatus 100 is performed. In FIG. 2B, the thickness of the solvent-containing resin 90 is deformed.

本実施形態では、溶剤含有型樹脂９０としては、ヒートシンク２０、３０やリードフレーム７０、ワイヤ８０などの金属部分とモールド樹脂６０との接着性の向上を可能とする樹脂として、−ＯＨ基、アミノ基、グリシジル基等の官能基を持つ樹脂が用いられる。具体的に、そのような樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、シランカップリング剤等が挙げられる。   In this embodiment, as the solvent-containing resin 90, as a resin that can improve the adhesion between the metal parts such as the heat sinks 20 and 30, the lead frame 70, and the wire 80 and the mold resin 60, —OH group, amino A resin having a functional group such as a glycidyl group is used. Specifically, examples of such a resin include polyimide, polyamide, and silane coupling agent.

そして、溶剤含有型樹脂９０に含有される溶剤としては、アルコールやアセトン等の有機溶剤等を用いることができる。溶剤含有型樹脂９０の組成は、塗布性を考慮して、たとえば溶剤含有率が８５％〜９７％のものを用いることができる。   And as a solvent contained in the solvent containing resin 90, organic solvents, such as alcohol and acetone, etc. can be used. The composition of the solvent-containing resin 90 can be, for example, one having a solvent content of 85% to 97% in consideration of applicability.

この溶剤含有型樹脂９０の塗布方法としては、たとえば装置１００を溶剤含有型樹脂９０中にディッピングする方法や、溶剤含有型樹脂９０をディスペンサのノズルから滴下または噴霧する方法等を採用することができる。   As a method for applying the solvent-containing resin 90, for example, a method of dipping the device 100 into the solvent-containing resin 90, a method of dropping or spraying the solvent-containing resin 90 from a nozzle of a dispenser, or the like can be employed. .

また、望ましくは、溶剤含有型樹脂９０を塗布する工程の前に、装置１００の予熱を行うことが好ましい。これは、この予熱を行うことにより、装置１００が温まった状態で溶剤含有型樹脂９０の塗布が行われるため、溶剤含有型樹脂９０の濡れ性が向上し、溶剤含有型樹脂９０を、より一様に形成しやすくなるためである。   Desirably, it is preferable to preheat the apparatus 100 before the step of applying the solvent-containing resin 90. This is because the preheating is performed so that the solvent-containing resin 90 is applied in a state where the apparatus 100 is warmed, so that the wettability of the solvent-containing resin 90 is improved, and the solvent-containing resin 90 is more completely removed. This is because it becomes easier to form.

具体的に、予熱の温度としては、常温よりも高く且つ後述する溶剤含有型樹脂９０の乾燥工程の温度よりも低い温度とすることができる。たとえば予熱の温度としては、４０℃〜５０℃程度とすることができる。   Specifically, the preheating temperature may be higher than normal temperature and lower than the temperature in the drying step of the solvent-containing resin 90 described later. For example, the preheating temperature can be about 40 ° C. to 50 ° C.

こうして、装置１００の表面に溶剤含有型樹脂９０を塗布した後、次に、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行い、溶剤含有型樹脂９０中の溶剤を除去する。本実施形態では、この溶剤含有型樹脂９０の乾燥工程において、装置１００に対して、溶剤含有型樹脂９０を一様に形成できるように工夫を施している。   Thus, after the solvent-containing resin 90 is applied to the surface of the apparatus 100, the solvent-containing resin 90 is then dried, and the solvent in the solvent-containing resin 90 is removed. In the present embodiment, in the drying process of the solvent-containing resin 90, the device 100 is devised so that the solvent-containing resin 90 can be uniformly formed.

上述したように、従来の乾燥では（上記図４参照）、下側ヒートシンク２０を加熱部材としての熱板２００で加熱する方法を採用していたため、下側ヒートシンク２０と上側ヒートシンク３０とで温度差が生じ、溶剤含有型樹脂９０が一様に形成されない場合があった。   As described above, in the conventional drying (see FIG. 4 above), the method of heating the lower heat sink 20 with the hot plate 200 as a heating member has been adopted, and therefore, the temperature difference between the lower heat sink 20 and the upper heat sink 30. In some cases, the solvent-containing resin 90 was not uniformly formed.

本実施形態では、この両ヒートシンク２０、３０間の温度差の問題に着目し、これを改善する一つの方法として、一対の放熱板の間すなわち上側ヒートシンク３０と下側ヒートシンク２０とで温度勾配をなくすように、装置１００を加熱する方法を採用することができる。   In this embodiment, paying attention to the problem of the temperature difference between the two heat sinks 20 and 30, as one method for improving this, the temperature gradient between the pair of heat sinks, that is, the upper heat sink 30 and the lower heat sink 20 is eliminated. In addition, a method of heating the device 100 can be employed.

具体的に、本実施形態においては、この装置１００の加熱は、恒温槽内で行ったり、ドライヤーを用いて行うようにすればよい。それによれば、装置１００周囲の雰囲気全体を均一な加熱温度にすることができる。   Specifically, in the present embodiment, heating of the apparatus 100 may be performed in a thermostatic bath or using a dryer. Accordingly, the entire atmosphere around the device 100 can be set to a uniform heating temperature.

また、この装置１００の加熱は、一対の放熱板２０、３０の両方に加熱部材を接触させることにより行ってもよい。つまり、上側ヒートシンク３０と下側ヒートシンク２０との両方に、加熱部材として上記した熱板２００（上記図４参照）を接触させ、一対の熱板で装置１００を挟み込むようにして加熱を行う。   Moreover, you may heat this apparatus 100 by making a heating member contact both of a pair of heat sinks 20 and 30. FIG. That is, the heating plate 200 (see FIG. 4) as a heating member is brought into contact with both the upper heat sink 30 and the lower heat sink 20, and the apparatus 100 is sandwiched between the pair of heating plates to perform heating.

また、装置１００の加熱は、モールド樹脂６０でモールドする工程に用いられる金型内に装置を設置し、この金型を均一に加熱することにより行ってもよい。それによれば、一対のヒートシンク（放熱板）２０、３０の両方に加熱部材を接触させる加熱方法と同様に、両ヒートシンク２０、３０を均一に加熱することができる。   The apparatus 100 may be heated by installing the apparatus in a mold used in the step of molding with the mold resin 60 and heating the mold uniformly. According to this, both the heat sinks 20 and 30 can be uniformly heated, similarly to the heating method in which the heating member is brought into contact with both of the pair of heat sinks (heat radiating plates) 20 and 30.

上記した種々の具体的な加熱方法によれば、下側ヒートシンク２０のみに熱板２００を接触させて加熱する従来の方法に比べて、上側ヒートシンク３０と下側ヒートシンク２０とで温度勾配をなくすことができる。   According to the various specific heating methods described above, the temperature gradient between the upper heat sink 30 and the lower heat sink 20 is eliminated as compared with the conventional method in which the hot plate 200 is brought into contact with the lower heat sink 20 and heated. Can do.

ここで、溶剤含有型樹脂９０の乾燥工程における上記加熱方法では、溶剤を十分に飛ばすために２段階の温度条件を踏むことが好ましい。具体的には、第１段階では、４０℃〜１００℃程度の温度とし、第２段階では、１００℃〜１８０℃程度の温度とすることが望ましい。   Here, in the heating method in the drying step of the solvent-containing resin 90, it is preferable to follow a two-stage temperature condition in order to sufficiently remove the solvent. Specifically, it is desirable that the temperature is about 40 ° C. to 100 ° C. in the first stage and the temperature is about 100 ° C. to 180 ° C. in the second stage.

また、上述したように、従来の方法（上記図４参照）では、上側ヒートシンク３０において溶剤含有型樹脂９０が塗布された下面が重力方向を向いているため、液体状の溶剤含有型樹脂９０が下方へ流れたり落下したりする。それにより、溶剤含有型樹脂９０が一様に形成されない場合があった。   In addition, as described above, in the conventional method (see FIG. 4 above), the lower surface of the upper heat sink 30 on which the solvent-containing resin 90 is applied faces the direction of gravity. It flows downward or falls. As a result, the solvent-containing resin 90 may not be formed uniformly.

そこで、この重力の影響の問題に着目し、これを改善する一つの方法として、本実施形態では、溶剤含有型樹脂９０の乾燥方法として、一対のヒートシンク２０、３０の間で交互に上下関係が逆転するように、装置１００を回転させながら溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行う方法を採用することもできる。   Therefore, paying attention to the problem of the influence of gravity, as one method for improving this, in this embodiment, as a method for drying the solvent-containing resin 90, the vertical relationship between the pair of heat sinks 20 and 30 is alternated. A method of drying the solvent-containing resin 90 while rotating the apparatus 100 so as to reverse the direction can also be adopted.

それによれば、従来のように重力によって上側ヒートシンク３０から下側ヒートシンク２０側へ溶剤含有型樹脂９０が流れたり、落下したりするのを、本実施形態では極力抑制することができる。   According to this, it is possible to suppress the solvent-containing resin 90 from flowing from the upper heat sink 30 to the lower heat sink 20 side or dropping due to gravity in the present embodiment as much as possible.

また、この装置１００の回転を行うにあたっては、恒温槽内で装置１００を加熱しながら行うようにしてもよい。それによれば、溶剤含有型樹脂９０の乾燥時間をより短縮することができるため、好ましい。   Moreover, when rotating this apparatus 100, you may make it carry out, heating the apparatus 100 within a thermostat. This is preferable because the drying time of the solvent-containing resin 90 can be further shortened.

このようにして、溶剤含有型樹脂９０の乾燥工程を行った後、装置１００のほぼ全体をモールド樹脂６０でモールドする樹脂モールド工程を行う。   Thus, after performing the drying process of the solvent-containing resin 90, a resin molding process is performed in which almost the entire apparatus 100 is molded with the molding resin 60.

具体的には、図示しない金型を使用してトランスファーモールド法により、上下のヒートシンク２０、３０の隙間及び外周部に樹脂６０を充填する。これにより、上記図１に示されるように、上下のヒートシンク２０、３０の隙間及び外周部等に、モールド樹脂６０が充填封止される。   Specifically, the resin 60 is filled in the gaps and the outer periphery of the upper and lower heat sinks 20 and 30 by transfer molding using a mold (not shown). As a result, as shown in FIG. 1 above, the mold resin 60 is filled and sealed in the gaps and outer peripheral portions of the upper and lower heat sinks 20 and 30.

そして、モールド樹脂６０が硬化した後、上記金型内からモールドされた装置１００を取り出せば、半導体装置Ｓ１が完成する。   Then, after the molding resin 60 is cured, the molded device 100 is taken out from the mold, and the semiconductor device S1 is completed.

なお、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、上記構成の場合、下側ヒートシンク２０の下面および上側ヒートシンク３０の上面が、それぞれ露出するようにモールド樹脂６０にてモールドされている。これにより、上下のヒートシンク２０、３０の放熱性が高められている。   In the semiconductor device S1 of this embodiment, in the case of the above configuration, the lower surface of the lower heat sink 20 and the upper surface of the upper heat sink 30 are molded with the mold resin 60 so as to be exposed. Thereby, the heat dissipation of the upper and lower heat sinks 20 and 30 is enhanced.

ところで、本実施形態によれば、半導体チップ（発熱素子）１０とこの半導体チップ１０の両面から放熱するための一対のヒートシンク（放熱板）２０、３０とを備える装置１００を用意し、装置１００の表面に溶剤含有型樹脂９０を塗布する樹脂塗布工程と、しかる後、装置１００のほぼ全体をモールド樹脂６０でモールドする樹脂モールド工程とを有する半導体装置の製造方法において、樹脂塗布工程と樹脂モールド工程との間に、一対のヒートシンク２０、３０の間で温度勾配をなくすように、装置１００を加熱することにより、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。   By the way, according to the present embodiment, an apparatus 100 including a semiconductor chip (heat generating element) 10 and a pair of heat sinks (heat radiating plates) 20 and 30 for radiating heat from both surfaces of the semiconductor chip 10 is prepared. In a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a resin application step of applying a solvent-containing resin 90 on the surface, and then a resin molding step of molding almost the entire device 100 with a mold resin 60, the resin application step and the resin mold step The solvent-containing resin 90 is dried by heating the apparatus 100 so as to eliminate the temperature gradient between the pair of heat sinks 20 and 30. A method is provided.

それによれば、一対のヒートシンク２０、３０の間で温度勾配をなくすように、装置１００を加熱することにより、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行うために、両ヒートシンク２０、３０の温度差を極力無くすことができる。   According to this, in order to dry the solvent-containing resin 90 by heating the apparatus 100 so as to eliminate the temperature gradient between the pair of heat sinks 20 and 30, the temperature difference between the heat sinks 20 and 30 is reduced as much as possible. It can be lost.

そして、本実施形態では、恒温槽やドライヤーや金型、あるいは、一対の熱板を用いることにより、一対のヒートシンク２０、３０の間で温度勾配をなくすように、装置１００を加熱することができる。   In this embodiment, the apparatus 100 can be heated so as to eliminate the temperature gradient between the pair of heat sinks 20 and 30 by using a thermostatic bath, a dryer, a mold, or a pair of hot plates. .

よって、本製造方法によれば、半導体チップ１０の両面を一対のヒートシンク２０、３０で挟み込んでなる装置１００に対して、溶剤含有型樹脂９０を一様に形成することができる。   Therefore, according to this manufacturing method, the solvent-containing resin 90 can be uniformly formed on the device 100 in which both surfaces of the semiconductor chip 10 are sandwiched between the pair of heat sinks 20 and 30.

また、溶剤含有型樹脂９０を一様に形成するためには、溶剤含有型樹脂９０の溶剤含有率を高くして溶剤含有型樹脂９０の濡れ性を高めることが考えられる。しかし、この場合、溶剤が飛ぶまでの時間がかかるため、溶剤含有型樹脂９０が一様に形成されない可能性がある。   In order to form the solvent-containing resin 90 uniformly, it is conceivable to increase the solvent content of the solvent-containing resin 90 to increase the wettability of the solvent-containing resin 90. However, in this case, since it takes time for the solvent to fly, the solvent-containing resin 90 may not be uniformly formed.

しかし、本実施形態によれば、両ヒートシンク２０、３０間の温度勾配を無くすような加熱を行うことで、上記図４に示したような従来の溶剤含有型樹脂の乾燥方法に比べて、乾燥時間を短くすることができる。   However, according to the present embodiment, by performing heating so as to eliminate the temperature gradient between the two heat sinks 20 and 30, the drying is performed as compared with the conventional solvent-containing resin drying method as shown in FIG. Time can be shortened.

そのため、本実施形態では、溶剤含有型樹脂９０として溶剤含有率の高いものを採用することが可能になり、本実施形態の製造方法は、溶剤含有型樹脂９０の一様形成のためには、より好ましいものであるといえる。   Therefore, in the present embodiment, it is possible to adopt a solvent-containing resin 90 having a high solvent content, and the manufacturing method of the present embodiment is used for uniform formation of the solvent-containing resin 90. It can be said that it is more preferable.

また、本実施形態によれば、上記装置１００を用意し、装置１００の表面に溶剤含有型樹脂９０を塗布する樹脂塗布工程と、しかる後、装置１００のほぼ全体をモールド樹脂９０でモールドする樹脂モールド工程とを有する半導体装置の製造方法において、樹脂塗布工程と樹脂モールド工程との間に、一対のヒートシンク２０、３０の間で交互に上下関係が逆転するように、装置１００を回転させながら溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。   Further, according to the present embodiment, the apparatus 100 is prepared, and a resin application step of applying the solvent-containing resin 90 to the surface of the apparatus 100, and thereafter, a resin that molds almost the entire apparatus 100 with the mold resin 90. In a method for manufacturing a semiconductor device having a molding step, a solvent is rotated while rotating the device 100 so that the vertical relationship is alternately reversed between the pair of heat sinks 20 and 30 between the resin coating step and the resin molding step. A method for manufacturing a semiconductor device is provided, wherein the containing resin 90 is dried.

それによれば、一対のヒートシンク２０、３０の間で交互に上下関係が逆転するように、装置１００を回転させながら溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行うために、重力によって両ヒートシンク２０、３０の間で一方側から他方側へ溶剤含有型樹脂９０が流れたり、落下したりするのを極力抑制することができる。   According to this, in order to dry the solvent-containing resin 90 while rotating the apparatus 100 so that the vertical relationship is alternately reversed between the pair of heat sinks 20, 30, between the heat sinks 20, 30 by gravity. Thus, the solvent-containing resin 90 can be prevented from flowing or dropping from one side to the other side as much as possible.

よって、本製造方法によれば、半導体チップ１０の両面を一対のヒートシンク２０、３０で挟み込んでなる装置１００に対して、溶剤含有型樹脂９０を一様に形成することができる。   Therefore, according to this manufacturing method, the solvent-containing resin 90 can be uniformly formed on the device 100 in which both surfaces of the semiconductor chip 10 are sandwiched between the pair of heat sinks 20 and 30.

もちろん、上述したように、この装置１００の回転を、恒温槽内で装置１００を加熱しながら行えば、溶剤含有型樹脂９０の乾燥時間を、従来よりも短縮することができるため、好ましい。   Of course, as described above, it is preferable to rotate the apparatus 100 while heating the apparatus 100 in a thermostat because the drying time of the solvent-containing resin 90 can be shortened compared to the conventional case.

なお、上述したように、本実施形態では、好ましい形態として、溶剤含有型樹脂９０を塗布する工程の前に、装置１００の予熱を行うようにすることによって、溶剤含有型樹脂９０の濡れ性を向上させ、溶剤含有型樹脂９０をよりいっそう一様に形成できるようにしている。   As described above, in the present embodiment, as a preferred embodiment, the wettability of the solvent-containing resin 90 is improved by preheating the apparatus 100 before the step of applying the solvent-containing resin 90. The solvent-containing resin 90 can be formed more uniformly.

このように、本実施形態の製造方法では、溶剤含有型樹脂９０の乾燥工程において、装置１００に対して、溶剤含有型樹脂９０を一様に形成できる方法を採用している。   As described above, in the manufacturing method of the present embodiment, a method in which the solvent-containing resin 90 can be uniformly formed on the apparatus 100 in the drying process of the solvent-containing resin 90 is employed.

ここで、実際に、本実施形態の乾燥方法を適用した場合と、従来の熱板を用いた乾燥方法を適用した場合（上記図４参照）とについて、顕微鏡等によって溶剤含有型樹脂９０の塗布面の観察を行った。   Here, when the drying method of the present embodiment is actually applied and when the conventional drying method using a hot plate is applied (see FIG. 4 above), the solvent-containing resin 90 is applied by a microscope or the like. The surface was observed.

その結果、本実施形態では、上下のヒートシンク２０、３０ともに塗布面において、溶剤含有型樹脂９０が均一に形成できていたのに対し、従来の方法では、特に上側ヒートシンク３０の塗布面において、溶剤含有型樹脂９０が存在しない領域があったりするなど、不均一な形成状態であることが確認された。   As a result, in the present embodiment, the solvent-containing resin 90 can be uniformly formed on the application surface of both the upper and lower heat sinks 20 and 30, whereas in the conventional method, the solvent is particularly applied on the application surface of the upper heat sink 30. It was confirmed that the formation state was not uniform, for example, there was a region where the inclusion-type resin 90 did not exist.

また、このような塗布面の違いによって溶剤含有型樹脂９０の接着力が確保できないことが推測される。そこで、本実施形態と従来とについて、溶剤含有型樹脂９０の接着力を調査した。その結果を図３に示す。   Further, it is presumed that the adhesive force of the solvent-containing resin 90 cannot be secured due to such a difference in the application surface. Therefore, the adhesive strength of the solvent-containing resin 90 was investigated for the present embodiment and the conventional one. The result is shown in FIG.

図３では、第１の金属体を下側ヒートシンク２０、第２の金属体を上側ヒートシンクとして示してある。図３に示されるように、従来に比べて本実施形態では、上下のヒートシンク２０、３０ともに溶剤含有型樹脂９０の接着力が向上している。   In FIG. 3, the first metal body is shown as the lower heat sink 20, and the second metal body is shown as the upper heat sink. As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the adhesive strength of the solvent-containing resin 90 is improved in both the upper and lower heat sinks 20 and 30 as compared with the conventional case.

下側ヒートシンク２０における接着力の向上については、詳しいメカニズムはわからないが、本実施形態では従来に比べて溶剤含有型樹脂９０の乾燥時間が短縮されるため、乾燥後に形成される溶剤含有型樹脂９０の膜質が従来よりも強固なものになっているのではないかと推測される。   The detailed mechanism for improving the adhesive strength of the lower heat sink 20 is not known, but in this embodiment, the drying time of the solvent-containing resin 90 is shortened as compared with the conventional case, and therefore the solvent-containing resin 90 formed after drying. It is presumed that the film quality is stronger than before.

以上述べてきたように、本発明は、発熱素子１０の両面に一対の放熱板２０、３０を配設してなる装置１００に対して、溶剤含有型樹脂９０を塗布した後、当該装置１００のほぼ全体をモールド樹脂６０でモールドするようにした半導体装置の製造方法において、一対の放熱板２０、３０の間の温度勾配や重力の影響をなくすように、溶剤含有型樹脂９０の乾燥を行うことにより、装置１００に対して溶剤含有型樹脂９０を一様に形成できるようにしたことを要部とするものである。   As described above, in the present invention, after applying the solvent-containing resin 90 to the device 100 in which the pair of heat sinks 20 and 30 are disposed on both surfaces of the heating element 10, In the manufacturing method of a semiconductor device in which almost the whole is molded with the mold resin 60, the solvent-containing resin 90 is dried so as to eliminate the influence of the temperature gradient and gravity between the pair of heat sinks 20 and 30. Thus, the main part is that the solvent-containing resin 90 can be uniformly formed on the apparatus 100.

そして、その他の細部については、上記の実施形態に限定されるものではなく、適宜設計変更することが可能である。   The other details are not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed in design.

本発明の実施形態に係る半導体装置の概略断面構成を示す図である。It is a figure which shows schematic sectional structure of the semiconductor device which concerns on embodiment of this invention. 実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the semiconductor device of embodiment. 実施形態の乾燥方法と従来の乾燥方法とについて溶剤含有型樹脂の接着力を調査した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having investigated the adhesive force of solvent containing type resin about the drying method of embodiment and the conventional drying method. 従来の一般的な溶剤含有型樹脂の塗布方法を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the coating method of the conventional general solvent containing type resin.

符号の説明Explanation of symbols

１０…発熱素子としての半導体チップ、
２０…第１の放熱板としての下側ヒートシンク、
３０…第２の放熱板としての上側ヒートシンク、６０…モールド樹脂、
９０…溶剤含有型樹脂、１００…装置。 10: Semiconductor chip as a heating element,
20 ... Lower heat sink as a first heat sink,
30 ... Upper heat sink as a second heat radiating plate, 60 ... Mold resin,
90 ... Solvent-containing resin, 100 ... apparatus.

Claims (8)

発熱素子（１０）とこの発熱素子（１０）の両面から放熱するための一対の放熱板（２０、３０）とを備える装置（１００）を用意し、
前記装置（１００）の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程と、
しかる後、前記装置（１００）のほぼ全体をモールド樹脂（６０）でモールドする工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程の後であって前記モールド樹脂（６０）でモールドする工程の前に、前記一対の放熱板（２０、３０）の間で温度勾配をなくすように、前記装置（１００）を加熱することにより、前記溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A device (100) comprising a heating element (10) and a pair of heat sinks (20, 30) for radiating heat from both sides of the heating element (10) is prepared,
Applying a solvent-containing resin (90) containing a solvent to the surface of the device (100);
Thereafter, in a method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of molding substantially the entire device (100) with a molding resin (60).
After the step of applying the solvent-containing resin (90) and before the step of molding with the mold resin (60), the temperature gradient between the pair of heat sinks (20, 30) is eliminated. The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the solvent-containing resin (90) is dried by heating the device (100). 前記装置（１００）の加熱は、恒温槽内で行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the heating of the device is performed in a constant temperature bath. 前記装置（１００）の加熱は、前記一対の放熱板（２０、３０）の両方に、加熱部材を接触させることにより行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the heating of the device (100) is performed by bringing a heating member into contact with both of the pair of heat sinks (20, 30). 前記装置（１００）の加熱は、ドライヤーを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the heating of the device is performed using a dryer. 前記装置（１００）の加熱は、モールド樹脂（６０）でモールドする工程に用いられる金型内に前記装置（１００）を設置し、前記金型を均一に加熱することにより行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The apparatus (100) is heated by placing the apparatus (100) in a mold used for a molding step with a mold resin (60) and heating the mold uniformly. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 発熱素子（１０）と、この発熱素子（１０）の両面から放熱するための一対の放熱板（２０、３０）とを備える装置（１００）を用意し、
前記装置（１００）の表面に溶剤を含有してなる溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程と、
しかる後、前記装置（１００）のほぼ全体をモールド樹脂（９０）でモールドする工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程の後であって前記モールド樹脂（６０）でモールドする工程の前に、前記一対の放熱板（２０、３０）の間で交互に上下関係が逆転するように、前記装置（１００）を回転させながら溶剤含有型樹脂（９０）の乾燥を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A device (100) comprising a heating element (10) and a pair of heat sinks (20, 30) for radiating heat from both sides of the heating element (10) is prepared,
Applying a solvent-containing resin (90) containing a solvent to the surface of the device (100);
Thereafter, in a method of manufacturing a semiconductor device, comprising a step of molding substantially the entire device (100) with a molding resin (90).
After the step of applying the solvent-containing resin (90) and before the step of molding with the mold resin (60), the vertical relationship is alternately reversed between the pair of heat sinks (20, 30). Thus, the method for manufacturing a semiconductor device is characterized in that the solvent-containing resin (90) is dried while rotating the device (100). 前記装置（１００）の回転を、恒温槽内で前記装置（１００）を加熱しながら行うことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the rotation of the device (100) is performed while heating the device (100) in a thermostatic chamber. 前記溶剤含有型樹脂（９０）を塗布する工程の前に、前記装置（１００）の予熱を行うことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the device (100) is preheated before the step of applying the solvent-containing resin (90).
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