JP2005139048A - アンモニア水製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体製造装置などに併設しやすいように、小型で、連続的に供給可能な、高純度のアンモニア水を製造する装置を提供する。
【解決手段】 アンモニア供給口（12）、高純度水供給口（22）、アンモニア水排出口（32）、貯留槽（41）、アンモニア濃度測定器（52）、冷却器（61）及びポンプ（71）が、循環管路（2）に具備され、（12）、（22）、（32）のそれぞれの近傍に弁（11）、弁（21）及び弁（31）が具備され、（12）から供給されるアンモニアと（22）から供給される高純度水とが循環しながらアンモニア水を製造し、（32）からアンモニア水を必要とする機器に排出するアンモニア水製造装置（1）であって、
アンモニア濃度を所望の濃度になるように、少なくとも１つの弁を制御することのできるコントローラ（51）を有するアンモニア水製造装置。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体基板などの洗浄剤として好適な高純度のアンモニア水を製造する装置に関する。

半導体の基板洗浄用として用いられる高純度のアンモニア水は、その性質上、高度に清浄なものでなければならず、このような高純度のアンモニア水を製造する装置としては、例えば、特許文献１に高純度アンモニアを高純度水で希釈するアンモニア水製造装置が開示されている。具体的には、気体圧送システムによりアンモニア水を循環させ、高純度のアンモニア水を製造する装置である。

特開平８−３３７４１６号公報（請求項１及び図１）

最近、高純度アンモニア水を連続的に半導体製造装置に供給するために、高純度アンモニア水製造装置を半導体製造装置に併設することが求められるようになってきた。
しかしながら、特許文献１に記載の高純度アンモニア水製造装置は、気体圧送システムを具備していることから、装置が大型化し、半導体製造装置に併設することが困難であった。
本発明の目的は、半導体製造装置などに併設しやすいように、小型で、連続的に供給可能な、高純度のアンモニア水を製造する装置を提供することである。

本発明は、下記（12）、（22）、（32）、（41）、（52）、（61）及び（71）が、循環管路（2）に具備され、該循環管路（2）では、（12）から供給されるアンモニアと（22）から供給される水とが循環しながらアンモニア水を製造し、該循環管路（2）の（32）からアンモニア水を必要とする機器にアンモニア水を排出するアンモニア水製造装置であって、
（12）の近傍に（11）が具備され、（22）の近傍に（21）が具備され、（32）の近傍に（31）が具備され、（11）、（21）及び（31）から選ばれる少なくとも１つの弁はコントローラ（51）によって制御することができ、
（52）から得られるアンモニア濃度のデータに基づいて、（32）から排出されるアンモニア水のアンモニア濃度を所望の濃度になるように、（51）が該弁を制御し得るアンモニア水製造装置である。
（11）アンモニア供給弁
（12）アンモニア供給口
（21）高純度水供給弁
（22）高純度水供給口
（31）アンモニア水排出弁
（32）アンモニア水排出口
（41）貯留槽
（51）アンモニア濃度用コントローラ
（52）アンモニア濃度測定器
（61）冷却器
（71）ポンプ

本発明は、アンモニア水を必要とする機器に、高純度のアンモニア水を連続的に製造し、供給し得る装置を提供することができる。また、本発明のアンモニア水製造装置は小型の装置であることから、半導体製造装置などに併設することが容易である。

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で用いられるアンモニアは、高精度フィルターを用いてアンモニア中の鉄、ナトリウム、銅などの金属分などの不純物を除去して得られたアンモニアである。具体的には、例えば、住友化学工業株式会社、三菱ガス化学工業株式会社、昭和電工株式会社などからそれぞれ半導体用高純度アンモニアとして市販され、ボンベあるいはローリーの形態で入手可能なアンモニアを直接、後述するアンモニア供給口（12）に導入すればよい。

本発明で用いられる高純度水は、いわゆる超純水と呼ばれる水などであり、具体的には、比抵抗が１８ＭΩ／ｃｍ以上の水である。
高純度水は、通常、イオン交換樹脂を透過した水をさらに高精度フィルターで不純物を除去して得られ、後述する高純度水供給口（22）に供給すればよい。

以下、本発明のアンモニア水製造装置（1）を実施の一態様である図１に基づいて説明する。（ ）内の番号は図１の番号に対応する。なお、図１においては、循環管路内(2)の流体は左回り（反時計回り）で記載されている。

アンモニア水製造装置（1）に記載されたアンモニア供給口（12）とは、ボンベやローリーなどに充填されたアンモニアを、本発明の循環管路（2）に供給する供給口である。
アンモニア供給口（12）は、通常、循環管路（2）内であって、後述する高純度水供給口（22）の下流で、冷却器（61）の上流に設置される。中でもアンモニア供給口（12）と冷却器（61）とは近接していることが好ましい。循環管路（2）内の前記位置にアンモニア供給口（12）を設置することにより、循環管路（2）内の流体とアンモニアとが混合する際に生じる発熱に伴う温度上昇を抑制することができる。
アンモニア供給口（12）は、Ｔ字型の継手として循環管路（2）に接続されていてもよいが、スタティックミキサーなどの混合機能を持った供給口であると、循環管路内の流体とアンモニアが速やかに混合され、本装置が小型化されることから好ましい。

アンモニア供給口（12）の近傍、好ましくはアンモニアが流入する配管に、アンモニア供給弁（11）が設置される。アンモニア供給弁（11）としては、例えば、ニードル弁などのガス流量可変弁が用いられ、後述するアンモニア濃度用コントローラ（51）から送られるアンモニア濃度のデータによってアンモニアガスの供給量を制御し得るアンモニア供給弁が好適である。
アンモニアガスの供給量としては、通常、１〜１００ｋｇ／ｈｒ程度であり、好ましくは、５〜５０ｋｇ／ｈｒ程度である。アンモニアの供給量が１ｋｇ／ｈｒ以上であると供給量の制御が容易であることから好ましく、アンモニアの供給量が１００ｋｇ／ｈｒ以下であると、本発明の装置（1）が小型化できることから好ましい。
アンモニア供給弁（11）を正確に作動させるために、アンモニア供給口（12）の近傍にはアンモニア供給量測定器（13）が設置されていてもよく、通常、アンモニア供給口（12）のアンモニアガスの流入する側に設置される。具体的には、インテグラルオリフィス流量計や超音波式ガス流量計などのガス流量測定器によってアンモニアの流量が測定される。もちろん、測定器（13）で測定されたアンモニアガスの供給量のデータを後述するアンモニア濃度用コントローラ（51）に送り、アンモニア供給弁（11）の制御に供してもよい（図示せず）。

高純度水供給口（22）とは、高純度水を本発明の循環管路（2）に供給する供給口である。
高純度水供給口（22）は、通常、循環管路（2）内であって、後述するアンモニア水排出口（32）とアンモニア供給口（12）との間に設置される。つまり、循環管路（2）内の流体は、（32）→（22）→（12）の順で流れることを意味する。
高純度水供給口（22）は、Ｔ字型の継手として循環管路（2）に接続されていてもよく、スタティックミキサーなどの混合機能を持った供給口が好適に用いられる。

高純度水供給口（22）の近傍、好ましくは高純度水の流入する配管には高純度水供給弁（21）が設置される。高純度水供給口（22）としては、例えば、ダイアフラム弁やニードル弁などの液体流量可変弁などが用いられ、アンモニア濃度用コントローラ（51）から送られるアンモニア濃度のデータによって高純度水の供給量を制御される高純度水供給弁が好適である。
高純度水の供給量としては、通常、１〜５００ｋｇ／ｈｒ程度であり、好ましくは、１０〜２００ｋｇ／ｈｒ程度である。高純度水の供給量が１ｋｇ／ｈｒ以上であると供給量の制御が容易であることから好ましく、高純度水の供給量が５００ｋｇ／ｈｒ以下であると、本発明の装置（1）が小型化できることから好ましい。
高純度水供給弁（21）を正確に作動させるために、高純度水供給口（22）の近傍には高純度水供給量測定器（23）が設置されていてもよく、通常、高純度水供給口（22）の高純度水の供給側に設置される。具体的には、超音波式流量計などの流量測定器によって高純度水の流量が測定される。もちろん、測定器（23）で測定された高純度水の供給量のデータを後述するアンモニア濃度用コントローラ（51）に電気信号などのデータとして送り、高純度水供給弁（21）の制御に供してもよい（図示せず）。

アンモニア水排出口（32）とは、循環管路（2）で製造されたアンモニア水を半導体製造装置などの高純度アンモニア水を必要とする機器に供給する排出口である。
アンモニア水排出口（32）は、通常、循環管路（2）内であって、アンモニア供給口（12）と高純度水供給口（22）の間に設置される。つまり、循環管路（2）内の流体は、（12）→（32）→（22）の順で流れることを意味する。前記位置にあると、アンモニア濃度が定常状態を維持しやすいことから好ましい。
中でも、アンモニア水排出口（32）は、冷却器（61）と貯留槽（41）の間に設置すると、アンモニア水の温度の制御が容易であることから好ましい。

アンモニア水排出口（32）の近傍にはアンモニア水排出弁（31）が設置され、通常、アンモニア水排出口（32）と高純度アンモニア水を必要とする機器との間に設置される。アンモニア水排出弁（31）としては、例えば、ダイアフラム弁やニードル弁などの液体流量可変弁などが挙げられる。アンモニア水排出弁（31）の制御方法としては、例えば、貯留槽(41)に具備される界面検知器(42)が所望の界面高さ以上であり、アンモニア濃度測定器（52）によって、循環管路(2)内のアンモニア濃度が所望の濃度に達すれば、手動又は電気信号によってアンモニア水を必要とする機器にアンモニア水を供給するように制御される。また、ガスの供給量を制御する方法などが挙げられる。
アンモニア水の排出量としては、通常、１〜５００ｋｇ／ｈｒ程度であり、好ましくは、１０〜２００ｋｇ／ｈｒ程度である。アンモニア水の排出量が１ｋｇ／ｈｒ以上であると排出量の制御が容易であることから好ましく、アンモニア水の排出量が５００ｋｇ／ｈｒ以下であると、本発明の装置（1）が小型化できることから好ましい。
アンモニア水排出弁（31）を正確に作動させるために、アンモニア水排出口（32）の近傍にはアンモニア水排出量測定器（33）が設置されていてもよく、通常、アンモニア水排出口（32）の高純度アンモニア水を必要とする機器への排出される配管に設置される。アンモニア水排出量測定器（33）としては、例えば、超音波式流量計などの流量測定器によって高純度アンモニア水の排出量が測定される（図示せず）。

アンモニア水排出口（32）からアンモニア水を取り出す方法としては、例えば、（ア）貯留槽（41）にさらに界面検知器（42）を具備させ、該界面検知器（42）に基づいて貯留槽（41）が空にならないようにアンモニア水排出弁（31）を制御する方法、（イ）アンモニア水排出口（32）とアンモニア水を使用する機器にポンプを設けてアンモニア水を供給する方法などが挙げられるが、中でも、（ア）の方法が、取り出し用のポンプや加圧装置を具備することがなく、容易にアンモニア水を取り出すことができることから好ましい（図１）。
アンモニア水排出口（32）の近傍には、高純度アンモニア水を必要とする機器に接続されていない排出口（34、以下、アンモニア水逃がし口（34）と表記する場合がある）が設置されていてもよい。貯留槽（41）が一杯になった場合、アンモニア水逃がし口（34）から循環管路（2）内のアンモニア水を本装置から排出させることができる。

アンモニア水排出口（32）とアンモニア水を必要とする機器との間には、フィルターを設置することが好ましい。フィルターは、不純物を除去して高純度のアンモニア水を供給し得ることから設置することが好ましい。フィルターとしては、通常、必要とするアンモニア水の純度に応じた等級のインラインフィルターを選定する。具体的には、０．１μｍ以上の大きさの粒子を取り除くフィルターが、中でも０．０５μｍ以上の大きさの粒子を取り除くことが可能であるものが好ましい。
さらに、アンモニア水の使用量が変動する場合にアンモニア水が過不足なく供給するために、あるいは、複数のアンモニア水排出口に一定量のアンモニア水を容易に供給するために、アンモニア水排出口（32）とアンモニア水を必要とする機器との間には、貯留槽（41）とは異なるアンモニア水貯留タンクを設置してもよいが、本アンモニア水製造装置を小型化するためには、該貯留タンクを省略することが推奨される。

アンモニア濃度測定器（52）は、アンモニア水排出口（32）から排出されるアンモニア濃度を測定する機器であり、循環管路（2）内であって、アンモニア水排出口（32）の近傍、好ましくは、貯留槽（41）とアンモニア水排出口（32）の間に設置される。つまり、循環管路（2）内の流体は、好ましくは、（32）→（52）→（41）の順に流れている。
アンモニア濃度測定器（52）で検出されたアンモニア濃度は、例えば、電気信号などに変えられてアンモニア濃度用コントローラ（51）に送られる。アンモニア濃度が所望の濃度範囲であると、アンモニア水排出弁（31）にアンモニア濃度用コントローラ（51）からアンモニア水を排出させる旨の信号が送られ、所望の濃度範囲でない場合は、アンモニア水の排出を停止する旨の信号が送られる。また、アンモニア濃度が所望の濃度範囲であっても、その濃度範囲から外れる傾向をアンモニア濃度測定器（52）が検出した場合には、その検出データを受け取ったアンモニア濃度用コントローラ（51）はアンモニア供給弁(11)及び／又は高純度水供給弁(21)の供給量を適宜、制御する。
アンモニア水排出口（32）から排出されるアンモニア水のアンモニア濃度としては、通常、０重量％よりも高く、４０重量％以下程度であり、好ましくは５〜３０重量％程度である。

冷却器（61）は、アンモニアが水に混合する際に生じる発熱を除去する装置であり、その冷却能力は、循環管路（2）の流量や、循環管路（2）の大きさによっても異なるが、通常、アンモニア水排出口（32）から排出されるアンモニア水を０〜６０℃程度、好ましくは１０〜４０℃程度に調整し得る能力である。０℃以上に調整されることにより、水およびアンモニア水いずれも氷結することがなく、６０℃以下に調整されることにより、供給するアンモニア水の臭気を抑えることができる。具体的にはプレート式熱交換器、多管式熱交換器等が例示され、中でも接液部が被覆材料で被覆し得る多管式熱交換器が好ましい。ここで被覆材料としては、グラスライニング用のガラス材料、ポリエチレン、フッ素樹脂などの合成樹脂材料などが挙げられる。被覆材料としては中でもフッ素樹脂が好ましい。フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニールエーテル共重合体（PFA）やポリテトラフルオロエチレン（PTFE）などが挙げられる。

冷却器（61）は、通常、アンモニア供給口（12）とアンモニア水排出口（32）との間に設置される。
なお、冷却器（61）の冷却能力の自動制御方法としては、例えば、アンモニア供給量測定器（13）及び高純度水供給量測定器（23）から得られるデータに基づいて、アンモニアと水との混合によって生じる発熱量を計算し、冷却器（61）の冷却能力を自動制御する方法；循環管路（2）に該管路内の流体の温度を測定する温度測定器（62）が具備されており、該測定器から得られるデータに基づいて、温度用コントローラ（53）が冷却器（61）の冷却能力を自動制御する方法などが挙げられる。中でも、温度測定器（62）が循環管路（2）内の冷却器（61）とアンモニア水排出口（32）との間に設置され（図１）、該測定器から得られる信号に基づいて、温度用コントローラ（53）が冷却器（61）の冷却能力を自動制御する装置が、制御が容易であることから好ましい。

ポンプ（71）としては、製造される高純度アンモニア水に金属などの不純物を混入させないために、通常、接液部が被覆材料で被覆されたポンプが用いられる。被覆材料としては中でもフッ素樹脂が好ましい。
ポンプとしては、マグネットタイプなどが推奨される。
循環管路（2）に循環される高純度アンモニア水の循環量、すなわちポンプ（71）の吐出量は、高純度アンモニア水を必要とする機器の所望量によって任意に設定されるが、通常、１００〜２００００Ｌ／ｈｒ程度である。１００Ｌ／ｈｒ以上であると、アンモニア水のアンモニア濃度や温度の制御が容易になることから好ましく、１００００Ｌ／ｈｒ以下であると、本装置を小型化し得ることから、好ましい。
ポンプ（71）は、循環管路内の流体を円滑に循環せしめる位置にあり、通常、循環管路（2）の最低部に設置され、好ましくは、アンモニア供給口（12）と高純度水供給口（22）の間に設置することが好ましい。つまり、循環管路（2）内の流体は、好ましくは、（22）→（71）→（12）の順に流れている。

貯留槽（41）は、循環管路内で生じるガスを除去したり、高純度アンモニアや高純度水の供給量を変化させた時の循環管路内の液量調整を容易に行うために設置される。貯留槽（41）の容量としては、通常、１Ｌ以上であり、かつ、ポンプ（71）の１時間の吐出量以下である。好ましくは、ポンプ（71）の１時間の吐出量の半分以下であり、具体的には、１〜１００Ｌ程度である。貯留槽（41）の容量が、１Ｌ以上であると発生したガスを効率的にパージでき、本装置を小型化し得ることから好ましい。
また、冷却器が貯留槽（41）を冷却するような形式であってもよいが、装置の小型化の観点からは、本装置としては、循環管路(2)内に設置される冷却器(61)のみ設置された装置が好ましい。

貯留槽（41）は、循環管路（2）が小さくとも、循環管路内にガス溜が生成してしまうことを防止するために、通常、貯留槽（41）の界面が循環管路の最上部よりも上部となるように設置される。
また、貯留槽（41）は、通常、アンモニア水排出口（32）と高純度水供給口（22）の間に設置される。つまり、循環管路（2）内の流体は、好ましくは、（32）→（41）→（22）の順に流れている。中でも、アンモニア濃度測定器（52）と高純度水供給口（22）の間に設置されることが好ましい。
なお、貯留槽（41）は、不純物混入を防ぐために、窒素などの不活性ガス雰囲気下にすることが好ましい。

貯留槽（41）には界面検知器（42）が具備され、該界面検知器（42）によってアンモニア水排出弁（31）する方法を前記に示したが、さらに、該界面検知器（42）よりも高い界面高さが検知されると、アンモニア供給弁（11）及び高純度水供給弁（21）に対して、アンモニア及び水の供給を停止する旨の信号が送ることができるようにしてやってもよい（図示せず）。このようにすれば、アンモニア水の排出を停止すれば、貯留槽（41）からアンモニア水があふれる前に自動的にアンモニア及び水の供給を停止することができる。

循環管路（2）の配管は、通常、外径が６Ａ〜８０Ａ程度であり、好ましくは１５Ａ〜６０Ａ程度である。６Ａ以上であると工業的な量のアンモニア水を供給することが可能であり、８０Ａ以下であると、アンモニア水製造装置として小型化される傾向があり、しかもアンモニア濃度を一定に制御することが容易である傾向があることから好ましい。
循環管路の長さは、前記（12）、（22）、（32）、（41）、（52）、（61）及び（71）が具備されるのに十分な長さであり、中でも、半導体洗浄装置などのアンモニア水を必要とする機器に併設し得る程度に小型化されることが好ましい。具体的には、（12）、（22）、（32）、（41）、（51）、（52）、（61）及び（71）を除く循環管路（2）の長さとしては、１ｍ〜２０ｍ程度、好ましくは５ｍ〜１０ｍ程度である。
循環管路の内部は、配管に由来する金属不純物の混入を防ぐため、通常、前記のポンプ（71）で例示されたようなフッ素樹脂で被覆されている配管を用いる。

アンモニア水の製造方法を以下に例示する。尚、本実施例によって、本発明が限定されるものではない。
アンモニア水製造装置（1）は、循環管路（2、太線矢印、５０Ａ、全長７ｍ）に、スタティックミキサー（12、アンモニア供給口でもある）、Ｔ字型継手（22、高純度水供給口）、Ｔ字型継手（32、アンモニア水排出口）、２０Ｌ貯留槽（41）、アンモニア濃度測定器（52）、接液部がフッ素樹脂で被覆された多管式冷却器（61、2.2ｍ^２）、温度測定器（62）及び接液部がフッ素樹脂で被覆されたマグネットタイプのポンプ（71、１２０Ｌ/分、０．２ＭＰａ）が図１の如く、具備される。
また、アンモニア濃度用コントローラ（51）、温度用コントローラ（53）、アンモニア供給弁（11）、高純度水供給弁（21）、アンモニア水排出弁（31）、アンモニア水逃がし口（34）、フィルター（81）が循環管路（2）に対して図１のように設置される。
アンモニア濃度用コントローラ（51）はアンモニア供給弁（11）、高純度水供給弁（21）及びアンモニア濃度測定器（52）は破線の信号線（破線で図示、無線でも電線でもよい）で連結されており、（52）で検出されるアンモニア濃度が所望の濃度になるように、（51）は（11）及び／又は（21）にアンモニア及び／又は水の供給量を設定する。
（53）は、（61）と（62）に信号線（破線で図示）で連結されており、（62）の温度データに基づいて、（61）の冷却能力を制御する。
界面検知器（42）は（41）の１０Ｌ程度に相当する界面高さを検知し得るように具備され、この界面高さに達すると、アンモニア水排出弁（31）にアンモニア水を必要とする機器にアンモニア水を供給してもよい旨の信号が送られるようになっている。

まず、高純度水が高純度水供給口（22）から循環管路（2）に供給される。水が徐々に循環管路（2）内を満たし、貯留槽（41）に具備された界面検知器（42）により定常運転時より低い、任意の高さに達したことが検知されたら、水の供給を一旦停止する。次いで、アンモニア濃度測定器（52）によりアンモニア濃度を検知しながらアンモニア供給口（12）からアンモニアの供給を開始し、アンモニア濃度が所望の値になるまでアンモニアのみ供給する。所望のアンモニア濃度に達したら、そのアンモニア濃度を維持するようアンモニア濃度用コントローラ（51）でアンモニア供給弁（11）及び／又は高純度水供給弁（21）を制御しながら、貯留槽（41）の液面が前記界面高さになるまでアンモニアと水を同時に供給する。
貯留槽（41）の界面検知器（42）が定常運転に最低必要な高さ以上の任意の高さに達すると、アンモニア濃度が一定のアンモニア水を、アンモニア水を必要とする機器に連続して供給できる状態が完成するので、界面検知器（42）からアンモニア水供給弁（11）にアンモニア水を必要とする機器に所望量のアンモニア水を供給する旨のデータが伝えられ、弁（11）が開いてアンモニア水が所望の供給量で供給される。
何らかの理由でアンモニア濃度が変動した旨の電気信号がアンモニア濃度測定器（52）からアンモニア濃度用コントローラ（51）に送られると、アンモニア濃度用コントローラ（51）は、アンモニア供給弁（11）及び／又は高純度水供給弁（21）に対して、アンモニア濃度が所望の濃度になるように、アンモニア及び／又は高純度水の供給量を制御する。

本発明は、半導体製造装置、医薬品製造装置、農薬製造装置、化粧品製造装置などの工業製品製造装置にアンモニア水を連続的に供給する装置であり、本発明の装置は小型であることから、半導体工場などの半導体製造装置に併設することができる。

本発明の高純度アンモニア製造装置の一実施態様である。

符号の説明

1：アンモニア水製造装置
2：循環管路
3：アンモニア水を必要とする機器
11：アンモニア供給弁
12：アンモニア供給口
13：アンモニア供給量測定器
21：高純度水供給弁
22：高純度水供給口
23：高純度水供給量測定器
31：アンモニア水排出弁
32：アンモニア水排出口
34：アンモニア水逃がし口
41：貯留槽
42：界面検知器
51：アンモニア濃度用コントローラ
52：アンモニア濃度測定器
53：温度用コントローラ
61：冷却器
62：温度測定器
71：ポンプ
81：フィルター

Claims (6)

1. 下記（12）、（22）、（32）、（41）、（52）、（61）及び（71）が、循環管路（2）に具備され、該循環管路（2）では、（12）から供給されるアンモニアと（22）から供給される水とが循環しながらアンモニア水を製造し、該循環管路（2）の（32）からアンモニア水を必要とする機器にアンモニア水を排出するアンモニア水製造装置であって、
   （12）の近傍に（11）が具備され、（22）の近傍に（21）が具備され、（32）の近傍に（31）が具備され、（11）、（21）及び（31）から選ばれる少なくとも１つの弁はコントローラ（51）によって制御することができ、
   （52）から得られるアンモニア濃度のデータに基づいて、（32）から排出されるアンモニア水のアンモニア濃度を所望の濃度になるように、（51）が該弁を制御し得るアンモニア水製造装置。
   （11）アンモニア供給弁
   （12）アンモニア供給口
   （21）高純度水供給弁
   （22）高純度水供給口
   （31）アンモニア水排出弁
   （32）アンモニア水排出口
   （41）貯留槽
   （51）アンモニア濃度用コントローラ
   （52）アンモニア濃度測定器
   （61）冷却器
   （71）ポンプ
2. 循環管路（2）に、さらに循環管路（2）内の流体の温度を測定する温度測定器（62）が具備されており、測定器（62）から得られる信号に基づいて、冷却器（61）の冷却能力を制御するコントローラ（53）を具備していることを特徴とする請求項１に記載のアンモニア水製造装置。
3. 前記（32）とアンモニア水を必要とする機器との間に、フィルターを具備していることを特徴とする請求項１又は２に記載のアンモニア水製造装置。
4. 貯留槽（41）の界面が循環管路（2）の最上部よりも上の位置に具備され、貯留槽（41）にさらに界面検知器（42）が具備されており、該界面検知器（42）に基づいて貯留槽（41）が空にならないようにアンモニア水排出弁（31）を制御することのできる請求項１〜３のいずれかに記載のアンモニア水製造装置。
5. 循環管路（2）内の流れに対して、（12）、（61）、（32）、及び（22）の順に具備されている請求項１〜４のいずれかに記載のアンモニア水製造装置。
6. 循環管路（2）内の流れに対して、（12）、（61）、（32）、（52）、（41）、（22）、及び（71）の順に具備されている請求項１〜４のいずれかに記載のアンモニア水製造装置。

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