JP2005136417A - 拡散システムおよびこれに用いるプレミキサー、メインチャンバー、廃ガス排気システム - Google Patents
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Abstract
【課題】混合ガスの濃度を短時間内に安定化させ、拡散工程を経たウェーハの冷却速度を効率的に調節でき、廃ガスを安定的に排出できる拡散システムを提供する。
【解決手段】 ウェーハに拡散層を形成させる拡散システムにおいて、ドーピングガスを生成させるバブラー20と、バブラー20で生成されたドーピングガス及び反応ガスを適正温度で予熱及び混合させるプレミキサー30と、プレミキサー30で供給された混合ガスとウェーハとの反応が起きるメインチャンバー40と、メインチャンバー40の排気口及びウェーハ入出用ドア部44を外部と遮断させるバッファケース50と、メインチャンバー40内の反応が終わった後に廃ガスを外部に排出させる廃ガス排気システムと、を含むことを特徴とする拡散システム。これにより、高応答性及び丈夫さがいずれも確保された拡散システムを提供できる。
【選択図】図1B
【解決手段】 ウェーハに拡散層を形成させる拡散システムにおいて、ドーピングガスを生成させるバブラー20と、バブラー20で生成されたドーピングガス及び反応ガスを適正温度で予熱及び混合させるプレミキサー30と、プレミキサー30で供給された混合ガスとウェーハとの反応が起きるメインチャンバー40と、メインチャンバー40の排気口及びウェーハ入出用ドア部44を外部と遮断させるバッファケース50と、メインチャンバー40内の反応が終わった後に廃ガスを外部に排出させる廃ガス排気システムと、を含むことを特徴とする拡散システム。これにより、高応答性及び丈夫さがいずれも確保された拡散システムを提供できる。
【選択図】図1B
Description
本発明は、拡散システムに係り、より詳細には極めて薄いドーピング層を形成するための混合ガスの速い濃度安定性、高温から低温への冷却速度調節部を具備して高速応答性を持ち、安定したガスフローを保証するフローシステムを具備して安定性を持つ拡散システムに関する。
半導体素子にドーピングされる物質は、拡散係数の大きさ、高溶度、酸化層のマスク効果などを考慮して選択される。結合された原子は、拡散過程でドーピングしようとする物質と分離されても、ウェーハにドーピングされうる他のドーピング不純物原子として作用してはならず、ウェーハ表面にエッチングできない物質を生成してはならない。また、高純度を維持せねばならず、反復工程が行われてもウェーハにドーピングされる濃度は再現性がなければならない。一般的にドーピング物質は酸素、水素またはハロゲン元素である塩素、臭素などと結合された状態で存在し、固体、液体及び気体の3類型に区分される。
このようなドーピングのための拡散システムは、拡散管、加熱器、ボート及び不純物供給システムなどを含んでいる。また、ウェーハ及び製作しようとする素子の種類によって、密封管システム、開放管システム、箱型システム、ペイント・オン・システム及び急速熱工程システムに区分される。
従来の拡散システムは、極めて薄い(100nm以下)ドーピング層、すなわち熱エネルギー拡散のための不純物注入層を形成させるために必要な高速応答性及び耐環境性をいずれも満たせない短所がある。すなわち、ナノメータサイズの薄いドーピング層を形成させるためには混合ガスの濃度が速く安定化されねばならず、ドーピング工程を経たウェーハの冷却速度が精密に調整される高速応答性が保証されねばならない。そして、供給される混合ガスのフロー安定性及び工程後に排出される廃ガスの排気安定性を保証するフローシステムとそれぞれの装置との連結部品間の緊密な構造が確保されねばならない。しかし、従来の拡散システムはそれらすべてをシステム的に満たせない問題点がある。
本発明は前記従来技術の問題点を解決するためのものであり、混合ガスの濃度を短時間内に安定化させ、拡散工程を経たウェーハの冷却速度を効率的に調節でき、廃ガスを安定的に排出できる拡散システムおよびこれに用いるプレミキサー、メインチャンバー、廃ガス排気システムを提供することを目的とする。
本発明は前記目的を達成するために、ウェーハに拡散層を形成させる拡散システムにおいて、ドーピングガスを生成させるバブラーと、前記バブラーで生成されたドーピングガス及び反応ガスを適正温度で予熱及び混合させるプレミキサーと、前記プレミキサーで供給された混合ガスとウェーハとの反応が起きるメインチャンバーと、前記メインチャンバーの排気口及び前記ウェーハ入出用ドア部を外部と遮断させるバッファケースと、前記メインチャンバー内の反応が終わった後に廃ガスを外部に排出させる廃ガス排気システムと、を含む拡散システムを提供する。
本発明において、前記バブラーは、その内部にドーピング物質を含んでいる容器本体と、前記ドーピング物質を移送するキャリアガス吸気チューブと、前記キャリアガスに移送されるドーピング物質を移送するドーピングガス移送チューブと、前記容器本体内部の圧力を測定して所定圧力になるように調節する圧力レギュレーターと、前記バブラー内の圧力が所定圧力を超えた場合、バイパス弁により前記バブラー内のガスを排出させるバイパスチューブと、を含む。
本発明において、前記プレミキサーは、前記プレミキサー容器本体と、前記バブラーで生成されたドーピングガス及び前記ドーピングガスと反応する反応ガスを移送する一つ以上のガス移送チューブと、前記プレミキサー容器本体内の混合ガスをメインチャンバーに供給するガス供給チューブと、前記プレミキサーの温度を調節する加熱部と、を含むことを特徴とする。
本発明において、前記ドーピングガス移送チューブは前記プレミキサー容器本体内部に延設されてガスを噴射することを特徴とする。
本発明において、前記プレミキサー容器本体において混合ガス供給チューブにガスを排出する部位は、前記容器本体角部の渦流を防止するためにテーパーまたはコーン状に形成されたことが望ましい。
本発明において、前記混合ガス供給チューブの直径は前記ガス移送チューブの直径の1.7倍以上であることが望ましい。
本発明において、前記メインチャンバーは、前記メインチャンバーの一側部に形成されて雰囲気ガスを噴出する雰囲気ガスノズル部と、前記雰囲気ガスノズル部の雰囲気ガス噴射方向と重なるようにドーピングガスを含む混合ガスを噴射する混合ガス噴射ノズル部と、ウェーハが出入りするドア部と、ウェーハとの反応後に残留する廃ガスを外部に排出する排気口と、を含むことを特徴とする。
本発明において、前記混合ガスノズル部は、前記プレミキサーからメインチャンバー内部に延びた混合ガス供給チューブの端部に形成されたバックノズルである。
本発明において、前記雰囲気ガスノズル部と連結されて前記メインチャンバー内に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガスチューブの一側部に連結され、前記雰囲気ガスチューブに反応ガスを供給する反応ガスチューブをさらに含むことが望ましい。
本発明において、前記ドア部は石英及び黒鉛が順次に積層された二重断熱構造であることが望ましい。
本発明において、前記バッファケースは前記メインチャンバーのドア部及び排気口を外部から遮断する密閉構造を持ち、前記ドア部及び前記排気口と連結された排気チューブに冷却用ガスを噴出するシャワーノズルが形成されたことが望ましい。
本発明において、前記廃ガス排気システムは前記高温の廃ガスによる排気チューブの弛みを防止し、前記廃ガスを冷却する支持システムと、前記廃ガスを最終的に外部に排出するスクラバーと、を含む。
本発明において、前記支持システムは前記排気チューブの熱膨張による弛みを防止するために前記排気チューブを半径方向に支持するバネ支持部と、前記排気チューブの軸方向熱膨張を回避し、表面積を広げて前記廃ガスを冷却させるベローズと、を含む。
また本発明では、ウェーハとガスとの反応が起きるメインチャンバーにドーピングガスを含む混合ガスを供給するプレミキサーにおいて、プレミキサー容器本体と、前記ドーピングガス及び前記ドーピングガスと反応するガスが供給される一つ以上のガス移送チューブと、前記プレミキサー容器本体内の混合ガスをメインチャンバーに供給する混合ガス供給チューブと、前記プレミキサーの温度を調節するプレミキサー加熱部と、を含むことを特徴とするプレミキサーを提供する。
また本発明では、ウェーハとガスとの反応が起きるシステムのメインチャンバーにおいて、前記メインチャンバーの一側部に形成されて雰囲気ガスを噴出する雰囲気ガスノズル部と、前記雰囲気ガスノズル部の雰囲気ガス噴射方向と重なるようにドーピングガスを含む混合ガスを噴射する混合ガス噴射ノズル部と、ウェーハが出入りするドア部と、ウェーハと反応後に残留する廃ガスを外部に排出する排気口と、を含むことを特徴とする拡散システムのメインチャンバーを提供する。
また本発明では、ウェーハとガスとの反応が起きた後、メインチャンバー内に残留する廃ガスを排気する廃ガス排気システムにおいて、前記メインチャンバーの排気口を通じて排出される廃ガスが移動する排気チューブと、高温の廃ガスによる前記排気チューブの弛みを防止し、廃ガスを冷却する支持システムと、その端部に連結された真空ポンプにより廃ガスを最終的に外部に排出するスクラバーと、を含むことを特徴とする廃ガス排気システムを提供する。
本発明によれば、ドーピング層の形成のための高応答性及び丈夫さをいずれも満足させる拡散システムを提供できる。すなわち、高応答性はガスの混合時間を最小化するバックノズル部位及び適正温度にあらかじめ反応ガスを加熱するプレミキサーによって具現される。そして、丈夫さはバブラーの安定性を保証する電気的レギュレーター及び機械的なバイパス弁を採用することによって得られる。また、反応後に廃ガスのリークを防止して適正温度の冷却率を設定するバッファケース、廃ガスを処理する支持システム及びスクラバーにより全体的な安定性が保証される。これにより、本発明による拡散システムは極めて薄い拡散層などを効果的に形成できる。
以下、図面を参照して本発明による拡散システムについてさらに詳細に説明する。本発明の構成を示した図面は、説明のために誇張されて示されている。
図1Aは、本発明による拡散システムのフロー及びウェーハ出入り方向を示す図面であり、図1Bは、本発明による拡散システムの全体構成を概略的に示す図面である。本発明による拡散システムは大きく拡散前処理部、メインチャンバー及び拡散後処理部に分けられる。
拡散前処理部はドーピングガスを生成させるバブラー20、生成されたガスを適正温度であらかじめ混合させて予熱するプレミキサー30及び前記予熱されたガスをメインチャンバー内で雰囲気ガスと均一に混合するバックノズル35を含む。メインチャンバー40では前記ドーピングガスが雰囲気ガスのフローにより均一に混合されてウェーハと反応し、前記反応前後にウェーハが前記メインチャンバー40に含まれたドア46を通じて出入りする。前記拡散後処理部は、ウェーハ及び拡散工程後にメインチャンバー40から排出される廃ガスを冷却させるバッファケース50、高温の廃ガスを安定的に外部に排気する支持システム60及び廃ガスを安全に処理するスクラバー70を含む。したがって、ドーピングガスの生成及びウェーハとの反応後に外部に排出される経路順序はバブラー20、プレミキサー30、バックノズル35、メインチャンバー40、バッファケース50、支持システム60及びスクラバー70などになる。
図2は、本発明による拡散前処理部でウェーハと反応するドーピングガスを生成させるバブラー20を概略的に示す図面である。本発明によるバブラー20はMFC(Mass Flow Controller)28、インバルブ24、アウトバルブ25などの基本的な要素以外にバイパス弁26と圧力レギュレーター27をさらに含んでいる。
図2を参照すれば、本発明による拡散システムのバブラー20は、ドーピング物質22が含まれた本体容器21に連結された3本のチューブ23a、23b及び23cを含む。前記3本のチューブ23a、23b及び23cには、運搬気体の役割をする窒素などを本体容器21の内部に移送するインバルブ24が付着された吸気チューブ23aと、前記本体容器21の内部でドーピングさせようとする物質22をアウトバルブ25によりプレミキサー30に移送する移送チューブ23bとがある。また、本体容器21の内部の圧力が適正数値以上になる場合、内部のガスをバイパス弁26により外部に放出させるチューブ23cを含む。そして、前記バブラー20の本体容器21内部の圧力を測定する圧力調節用レギュレーター27が設置されている。
本発明による拡散システムのバブラー20は二重計測により安定性を図ることを特徴とするが、これを詳細に説明すれば次の通りである。まず、本体容器21内部の圧力が一定数値を超えれば、圧力レギュレーター27でその圧力を測定し、外部の制御器(図示せず)はそれによりインバルブ24を電気的に遮断させる。そして、もし圧力が非正常的に高まる場合、前記バイパス弁23cを開けて機械的に前記本体容器21内部のガスを外部に放出してスクラバー70で処理する。すなわち、前記二重計測により本体容器21内の予想できぬ異常圧力上昇現象を防止する。初期設定時に前記バイパス弁26の基準排出圧力は前記圧力レギュレーター27の基準圧力より高く設定して調整できる。また、本発明による拡散システムのバブラー20の本体容器21はアイソレーションボックス29内に位置させ、外部との接触を遮断させて安定性を図る。
このように前記圧力レギュレーター27及びバイパス弁26により適切に調節された圧力のガスは、アウトバルブ25及び移送チューブ23bを通じてプレミキサー30に移動する。この時、前記バブラー20とプレミキサー30間の距離を最小化させて管路抵抗を減らすことが望ましい。管路抵抗は距離に比例して移動管の(半径)3に反比例する。したがって、前記バブラー20と前記プレミキサー30間の距離はできるだけ近く形成させることが望ましい。
図3は、本発明による拡散システムのプレミキサー30を示す図面である。本発明による拡散システムのプレミキサー30は、バブラー20などと連結された移送チューブ23b及びメインチャンバー40にガスを供給するガス供給チューブ32と、前記プレミキサー30の温度を調節する加熱部34とを含む。本発明によるプレミキサー30は、メインチャンバー40で使われるガスを前記バブラー20から供給された後、これを所定の温度及び組成に調節して前記メインチャンバーに輸送する役割をする。この時、前記プレミキサー30には、前記メインチャンバー40内に供給されるガスの状態をメインチャンバー40内の工程温度と類似にするために加熱部34をさらに具備する。
ここで、本発明による拡散システムのプレミキサー30は、前記バブラー20により移送されたガスを含む供給ガスを停滞させずにメインチャンバー40に供給するために移送チューブ31a、31b、31cをプレミキサー30の中心部まで延長させて反応させる。また、移送チューブ31a、31b、31cの直径に比べて供給チューブ32の直径が2.5倍以上になるように形成し、移送されたガスが停滞せずに供給チューブ32に抜け出すようにする。
ガスが管路内で停滞せずに移動するための最小条件は下記式1の通りである。ここで出入りするガスの質量流量は同一であると仮定する。そして、バブラー20からプレミキサー30にガスを供給する管を含んでプレミキサー30に移送されるガスチューブを3つ設置した場合を仮定する。
3di2=Do2 …式1
ここで、diはガスをプレミキサー30に移送する移送チューブ31a、31b、31cの直径を意味し、Doは反応ガスをメインチャンバーに供給する供給チューブ32の直径を意味する。したがって、移送チューブ31a、31b、31cが3つで供給チューブ32が1つである場合、Doはdiの約1.7倍でなければならない。もし、それぞれの移送チューブ31a、31b、31cから導入されるガスの質量流量が相異なればDoはそれより大きくなければならない。したがって、供給チューブ32の直径が移送チューブ31a、31b、31cの直径より最小1.7倍以上大きくなければならず、さらに望ましくは2倍以上大きいことが望ましい。そして、移送チューブ31a、31b、31cの直径をさらに小さくすることがガスの逆流を防止するのにさらに有利である。
ここで、diはガスをプレミキサー30に移送する移送チューブ31a、31b、31cの直径を意味し、Doは反応ガスをメインチャンバーに供給する供給チューブ32の直径を意味する。したがって、移送チューブ31a、31b、31cが3つで供給チューブ32が1つである場合、Doはdiの約1.7倍でなければならない。もし、それぞれの移送チューブ31a、31b、31cから導入されるガスの質量流量が相異なればDoはそれより大きくなければならない。したがって、供給チューブ32の直径が移送チューブ31a、31b、31cの直径より最小1.7倍以上大きくなければならず、さらに望ましくは2倍以上大きいことが望ましい。そして、移送チューブ31a、31b、31cの直径をさらに小さくすることがガスの逆流を防止するのにさらに有利である。
そして、プレミキサー30からメインチャンバーにガスが抜け出す供給チューブ32と近いプレミキサー30の本体部位33の形状をテーパーまたはコーン状に製作して一般的な容器の角部位で発生できる渦流を予防する。このような方法によって本発明による拡散システムでは、前記バブラー20から供給された気体がプレミキサー30で停滞されずにメインチャンバーに供給される。もちろん、気体は自体の比熱により所定温度に到達するまでプレミキサー30内部で他のガスと反応せねばならない。したがって、プレミキサー30の容器本体も所望の工程に合せてその大きさを調節せねばならないが、全体的に小さいのが望ましい。
前記バブラー20から移送されたガスはプレミキサー30で混合されて所定の反応を起こす。そして、プレミキサー30の外部を取り囲んでいる加熱部34によりメインチャンバーの工程温度に近づくように加熱される。例えば、メインチャンバー内の工程温度が約800℃ないし1100℃ならばプレミキサーは約500℃ないし800℃程度に予熱されて、前記工程温度は制御器により既設定された値に自動的に温度調節される。
図4は、本発明による拡散システムにおいて、プレミキサー30とメインチャンバー40の一部及びその連結部品を示す断面図である。図4を参照すれば、プレミキサー30からメインチャンバー40に反応ガスを供給する供給チューブ32では、メインチャンバー40内に全体的な濃度の均一化を図るためにバックノズル35を導入する。
これを詳細に説明すれば、メインチャンバー40内に装着されたウェーハの上部には前記供給チューブ32によりプレミキサー30から供給されるガスがドーピングされる。この場合、所望の厚さの拡散層を得るためには、ウェーハが混合ガスにより露出される工程時間及びメインチャンバー40内部の混合ガス濃度が精密に調整されねばならない。
制御器により既設定された工程時間が過ぎればメインチャンバー40の内部に残留する廃ガスが排気され、ウェーハを移送するパドルローダによりウェーハがメインチャンバー40の外部に移送される。しかし、メインチャンバー40内部の混合ガスの濃度均一化は、単純な弁の操作だけではなすことができない。特に、極めて薄いドーピング層を得るためには、メインチャンバー40内で短時間内に濃度均一化を達成する必要がある。
このためにプレミキサー30からメインチャンバー40内に入る供給チューブ32の出口を、雰囲気ガスが供給されるノズル部41の噴射方向と逆の方向で重ねることが望ましい。すなわち、図4に示したように、雰囲気ガスが供給されるノズル41の噴射方向とドーピング物質を含む混合ガスが排出される方向とを互いに交差させる。これは、メインチャンバー40内部の全体的なガス濃度を短時間内に一定化させるためのものである。
このために、プレミキサー30を通じて加熱及び混合されたガスを雰囲気ガスの主流動に混合させる機能を行うバックノズル35を導入した。このようなバックノズル35を使用することによって、雰囲気ガスによるメインチャンバー40内のガスの主流動の流線を撹乱させずに速く正常流動化させる。これにより、結果的に短時間内にメインチャンバー40内部のガス濃度が均一になることによって極めて薄い拡散層(100nm以下)を得られる。雰囲気ガスは窒素またはアルゴンなどの不活性ガスを使用することが一般的である。
そして、プレミキサー30での混合ガスが所望の濃度に反応しない場合に備えて、雰囲気ガス供給管の一部にさらに他のガス供給チューブ42を連結して必要なガスを前記雰囲気ガスと共に供給可能にする。したがって、メインチャンバー40内の混合ガスの濃度を所望の状態に補完可能になる。
ここで、前記混合ガス供給チューブ32のバックノズル35部位を前記雰囲気ガスノズル部41と正確に対向させる必要はない。前記混合ガス供給チューブ32の移送経路もまたメインチャンバー40の内部でダクト状に折り曲げられるように設定されなくてもよい。ただし、混合ガスが不活性ガスのフローによって層流を形成できるように前記雰囲気ガスノズル部41に対して前記バックノズル35の噴射方向を設定すればよい。
図5Aは、本発明によるメインチャンバー40を示す図面である。図5Aを参照すれば、反応が起きるメインチャンバー40の一側部にはプレミキサー30から混合ガスを供給するバックノズル35が形成されており、前記バックノズル35に対向するメインチャンバー40の一側部には雰囲気ガスノズル41が形成されている。このような供給チューブ32内の雰囲気ガスはそれぞれのチューブ端部にあるバックノズル35を通過してメインチャンバー40に供給される。そして、前記メインチャンバー40の反対側部には、パドルローダ(図示せず)によりウェーハキャリア46が出入りする第1ドア44が形成されている。濃度が調節された混合ガスと反応するウェーハは、ウェーハキャリア46に装着されてパドルローダにより第1ドア44の開閉時に前記メインチャンバー40内外に輸送される。そして、前記第1ドア44が形成されたメインチャンバー40の反対側部には反応を終えた廃ガスを排出させる排気口45が形成されている。また、前記メインチャンバー40は反応時に高温を維持させる加熱部(図4の43)及び冷却させる冷却部(図示せず)を含む。
前記メインチャンバー40に混合ガス及び雰囲気ガスが導入されてメインチャンバー40内の濃度が一定になる過程を、流線をシミュレーションした図5B及び濃度分布をシミュレーションした図5Cに示した。図5Bは、本発明による拡散システムのメインチャンバー40内でプレミキサー30から供給された混合ガスが雰囲気ガスと共に層流を形成させることを経時的に示したものである。図5Cは、混合ガスが雰囲気ガスのフローによってメインチャンバー40内の全体的な濃度均一化をなす過程を流動解析側面で示した図面である。また、図5Dは、経時的にウェーハ装着部位の濃度を測定して示したグラフである。これを参照すれば、プレミキサー30からメインチャンバー40内に供給された混合ガスの濃度分布は約80秒内に安定化され、実際ウェーハ上の濃度分布も初期供給時から約40秒が過ぎた後に一定になることが分かる。
これまでバブラー20、プレミキサー30及びプレミキサー30からメインチャンバー40に混合ガスを供給するバックノズル35などを含む拡散前処理部及びメインチャンバー40について説明した。以下、ウェーハとの反応を経た後、廃ガスを外部に排出するなどの役割をする拡散後処理部についてさらに詳細に説明する。
図6は、本発明による拡散システムにおいて、反応が起きるメインチャンバー40、前記メインチャンバー40を外部から密閉させ、ウェーハが出入りするバッファケース50を示す図面である。
前記メインチャンバー40の一側にはメインチャンバー40から移送されるウェーハキャリア46が出入りする第1ドア44が形成されている。前記メインチャンバー40及びバッファケース50を流通させてウェーハキャリア46を移送する第1ドア44は二重サンドウィッチ構造を持っている。これは、高温のメインチャンバー40内部とバッファケース50間を熱的に遮断する断熱構造を実現するためのものであり、高温耐溶融性に優れた石英と熱伝逹特性に優れた黒鉛とが連続的に積層されている構造で形成させることが望ましい。そして、前記第1ドア44の側面はガラス繊維断熱材で覆ってメインチャンバー40内部とバッファケース50間を熱的に分離する。
工程時の温度が高温であるため、メインチャンバー40から抜け出したウェーハを含むウェーハキャリア46は冷却用サワーノズル51により冷却される。そして、排気口45近くにも排気される高温の廃ガスを冷却させるための冷却用シャワーノズル51が形成されている。この時、前記シャワーノズル51からは窒素やアルゴンのような不活性ガスが噴射されて冷却させることになる。そして、メインチャンバー40から抜け出したウェーハをバッファケース50外部に移送するために第2ドア52がバッファケース50に形成されている。
次に図7を参照して反応が終わった後、廃ガスを排出させる過程についてさらに詳細に説明する。図7は本発明による拡散システムにおいて、廃ガスの排出のための拡散後処理部を示す図面である。
拡散工程、すなわち混合ガスとウェーハとの反応が終了した後には前記反応後の廃ガスをメインチャンバー40から外部に排出させる。この時、排気口45の弁(図示せず)を開けて、雰囲気ガスをメインチャンバー40内部に流しつつポンプ72を作動させれば廃ガスが排出される。このような排気工程を効率的に進めるために本発明では冷却用サワーノズル51、支持システム60及びスクラバー70を含んで廃ガスを効率的に排出させた。
メインチャンバー40内で反応を経た廃ガスは排気口45及び排気チューブ53を通じてメインチャンバーを抜け出す。そして、バッファケース50及び支持システム60を通じて冷却されつつスクラバー70を通じて拡散システムから外部に完全に排出される。この時、メインチャンバー40内部の工程温度は最大1000℃以上になりうるので、必須的に冷却をさせねばならない。前述したように、廃ガスの冷却のために本発明による拡散システムではシャワーノズル51を導入した。
廃ガスは、前記メインチャンバー40から前記バッファケース50を通じて温度が低下し、支持システム60に入る。本発明による支持システム60は、排気チューブ53の軸方向及び半径方向への熱膨脹を回避するための支持構造を持つことを特徴とする。
前記メインチャンバー40から抜け出した支持システム60部位の排気チューブ53内の廃ガスはその温度が約400℃ないし500℃になりうる。したがって、高温の廃ガスにより前記排気チューブ53は軸方向及び半径方向に熱膨張する恐れがある。これによる排気チューブ53の弛みを防止するために排気チューブ53の半径方向に上下両側にバネのような弾性要素を付着し、バネ係数を2倍にしてフロート型支持方式で支持する。また、高温の廃ガスをベローズ62内部を通過させることにより前記ベローズ62がバネのような役割をして軸方向に支持する。ここで、ベローズ62により高温の廃ガスとの接触面積が広げられるので十分に冷却されるようになる。前記ベローズ62の外部に冷却用ファン(図示せず)を設置して冷却効果をさらに高められる。
このような過程を経て反応が終わった廃ガスは、排気チューブ53を経て最終的にスクラバー70端部のポンプを通じて外部に放出される。もちろん、排気される流量は排気弁71及び圧力ゲージ73により適切に調節される。
前記のような過程を経て拡散工程が仕上げられる。このようなそれぞれの工程を各段階別に要約すれば次の通りである。
まず、バブラー20で運搬ガス(例えば、N2)により発生したガスは、圧力レギュレーター27及びバイパス弁26でセットされた適正な圧力以下でアウトバルブ25を通じてプレミキサー30に送られる。
次にプレミキサー30では前記バブラー20から移送されたガスが酸素(または塩素などの作用ガス)と混合され、メインチャンバー40の高温加熱温度による熱影響を最小化するために低温のバブラー20から移送されるガスは適正温度に加熱される。
そして、プレミキサー30で混合加熱されたガスはバックノズル35からメインチャンバー40に噴射され、雰囲気ガス(窒素、アルゴンなど不活性ガス)ノズル41から噴射される雰囲気ガスと混合される。メインチャンバー40内の濃度分布は約80秒以内に全領域で均等になり、実際ウェーハ上での濃度分布もやはり40秒程度過ぎれば均一になる。
メインチャンバー40内のウェーハ上に均一に分布された高温のドーピングガスは工程が終わった直後にメインチャンバー40の排気口45に抜け出て支持システム60及びその端部にポンプ72が設置されたスクラバー70を通じて外部に排出される。この時、高温のガスはシャワーノズル51により冷却され、支持システム60のバネ61によって熱膨張による弛みが防止される。
バッファケース50の内部に位置した放射熱及び対流を遮断する黒鉛よりなる二重断熱構造の第1ドア44を開けてパドルローダを用いてウェーハキャリアをメインチャンバー40から脱着させ、バッファケース50の内部で適正温度に冷却させれば拡散工程が完了する。
前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施例の例示として解釈されねばならない。本発明の範囲は説明された実施例によって定められるものではなく特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
本発明は拡散システムに係り、半導体素子のような超小型素子の形成工程において非常に薄いドーピング層の形成時に非常に有効である。
20…バブラー、
30…プレミキサー、
35…バックノズル、
40…メインチャンバー、
44…第1ドア、
46…ウェーハキャリア、
50…バッファケース、
60…支持システム、
70…スクラバー。
30…プレミキサー、
35…バックノズル、
40…メインチャンバー、
44…第1ドア、
46…ウェーハキャリア、
50…バッファケース、
60…支持システム、
70…スクラバー。
Claims (24)
- ウェーハに拡散層を形成させる拡散システムにおいて、
ドーピングガスを生成させるバブラーと、
前記バブラーで生成されたドーピングガス及び反応ガスを適正温度で予熱及び混合させるプレミキサーと、
前記プレミキサーで供給された混合ガスとウェーハとの反応が起きるメインチャンバーと、
前記メインチャンバーの排気口及び前記ウェーハ入出用ドア部を外部と遮断させるバッファケースと、
前記メインチャンバー内の反応が終わった後に廃ガスを外部に排出させる廃ガス排気システムと、を含むことを特徴とする拡散システム。 - 前記バブラーは、
その内部にドーピング物質を含んでいる容器本体と、
前記ドーピング物質を移送するキャリアガス吸気チューブと、
前記キャリアガスに移送されるドーピング物質を移送するドーピングガス移送チューブと、
前記容器本体内部の圧力を測定して所定圧力になるように調節する圧力レギュレーターと、
前記バブラー内の圧力が所定圧力を超えた場合、バイパス弁により前記バブラー内のガスを排出させるバイパスチューブと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の拡散システム。 - 前記プレミキサーは、
前記プレミキサー容器本体と、
前記バブラーで生成されたドーピングガス及び前記ドーピングガスと反応する反応ガスを移送する一つ以上のガス移送チューブと、
前記プレミキサー容器本体内の混合ガスをメインチャンバーに供給するガス供給チューブと、
前記プレミキサーの温度を調節する加熱部と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の拡散システム。 - 前記ガス移送チューブは前記プレミキサー容器本体内部に延設されてガスを噴射することを特徴とする請求項3に記載の拡散システム。
- 前記プレミキサー容器本体において混合ガス供給チューブにガスを排出する部位は、前記容器本体角部の渦流を防止するためにテーパーまたはコーン状に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の拡散システム。
- 前記混合ガス供給チューブの直径は前記ガス移送チューブの直径の1.7倍以上であることを特徴とする請求項3に記載の拡散システム。
- 前記メインチャンバーは、
前記メインチャンバーの一側部に形成されて雰囲気ガスを噴出する雰囲気ガスノズル部と、
前記雰囲気ガスノズル部の雰囲気ガス噴射方向と重なるようにドーピングガスを含む混合ガスを噴射する混合ガス噴射ノズル部と、
ウェーハが出入りするドア部と、
ウェーハとの反応後に残留する廃ガスを外部に排出する排気口と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の拡散システム。 - 前記混合ガスノズル部は、前記プレミキサーからメインチャンバー内部に延びた混合ガス供給チューブの端部に形成されたバックノズルであることを特徴とする請求項7に記載の拡散システム。
- 前記雰囲気ガスノズル部と連結されて前記メインチャンバー内に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガスチューブの一側部に連結され、前記雰囲気ガスチューブに反応ガスを供給する反応ガスチューブをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の拡散システム。
- 前記ドア部は石英及び黒鉛が順次に積層された二重断熱構造であることを特徴とする請求項7に記載の拡散システム。
- 前記バッファケースは前記メインチャンバーのドア部及び排気口を外部から遮断する密閉構造を持ち、前記ドア部及び前記排気口と連結された排気チューブに冷却用ガスを噴出するシャワーノズルが形成されたことを特徴とする請求項7に記載の拡散システム。
- 前記廃ガス排気システムは前記高温の廃ガスによる排気チューブの弛みを防止し、前記廃ガスを冷却する支持システムと、
前記廃ガスを最終的に外部に排出するスクラバーと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の拡散システム。 - 前記支持システムは前記排気チューブの熱膨張による弛みを防止するために前記排気チューブを半径方向に支持するバネ支持部と、
前記排気チューブの軸方向熱膨張を回避し、表面積を広げて前記廃ガスを冷却させるベローズと、を含むことを特徴とする請求項12に記載の拡散システム。 - ウェーハとガスとの反応が起きるメインチャンバーにドーピングガスを含む混合ガスを供給するプレミキサーにおいて、
プレミキサー容器本体と、
前記ドーピングガス及び前記ドーピングガスと反応するガスが供給される一つ以上のガス移送チューブと、
前記プレミキサー容器本体内の混合ガスをメインチャンバーに供給する混合ガス供給チューブと、
前記プレミキサーの温度を調節するプレミキサー加熱部と、を含むことを特徴とするプレミキサー。 - 前記ガス移送チューブは、前記プレミキサー容器本体内部に延設されてガスを噴射することを特徴とする請求項14に記載のプレミキサー。
- 前記プレミキサー容器本体の混合ガス供給チューブにガスを排出する部位は、前記容器本体角部の渦流を防止するためにテーパーまたはコーン状に形成させたことを特徴とする請求項14に記載のプレミキサー。
- 前記混合ガス供給チューブの直径は前記ガス移送チューブの直径の1.7倍以上であることを特徴とする請求項14に記載のプレミキサー。
- ウェーハとガスとの反応が起きるシステムのメインチャンバーにおいて、
前記メインチャンバーの一側部に形成されて雰囲気ガスを噴出する雰囲気ガスノズル部と、
前記雰囲気ガスノズル部の雰囲気ガス噴射方向と重なるようにドーピングガスを含む混合ガスを噴射する混合ガス噴射ノズル部と、
ウェーハが出入りするドア部と、
ウェーハと反応後に残留する廃ガスを外部に排出する排気口と、を含むことを特徴とする拡散システムのメインチャンバー。 - 前記混合ガスノズル部は、前記メインチャンバー内部に延びて前記雰囲気ガスノズル部方向に形成された混合ガスチューブの端部に形成されたバックノズルであることを特徴とする請求項18に記載の拡散システムのメインチャンバー。
- 前記雰囲気ガスノズル部により雰囲気ガスを供給する雰囲気ガスチューブと連結されて、前記雰囲気ガスチューブに反応ガスを供給する反応ガスチューブをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の拡散システムのメインチャンバー。
- 前記ドア部は石英及び黒鉛が順次に積層された二重断熱構造であることを特徴とする請求項18に記載の拡散システムのメインチャンバー。
- ウェーハとガスとの反応が起きた後、メインチャンバー内に残留する廃ガスを排気する廃ガス排気システムにおいて、
前記メインチャンバーの排気口を通じて排出される廃ガスが移動する排気チューブと、
高温の廃ガスによる前記排気チューブの弛みを防止し、廃ガスを冷却する支持システムと、
その端部に連結された真空ポンプにより廃ガスを最終的に外部に排出するスクラバーと、を含むことを特徴とする廃ガス排気システム。 - 前記支持システムは前記排気チューブの熱膨張による半径方向の弛みを防止するために前記チューブを軸方向に支持するバネ支持部と、
前記排気チューブの軸方向の熱膨張を回避し、表面積を広げて前記廃ガスを冷却させるベローズと、を含むことを特徴とする請求項22に記載の廃ガス排気システム。 - 前記メインチャンバーの排気口と連結された排気チューブに対して低温の不活性ガスを噴射して排気チューブ内の廃ガスを冷却させるシャワーノズルをさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の廃ガス排気システム。
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