JP2001077043A

JP2001077043A - 不純物拡散装置

Info

Publication number: JP2001077043A
Application number: JP25050099A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Matsuo; 佳幸松尾
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-09-03
Filing date: 1999-09-03
Publication date: 2001-03-23

Abstract

(57)【要約】【課題】拡散炉の排気口付近に不純物が液化して付着
しないようにする。【解決手段】縦型拡散炉２１の反応管２２内には、上
部に設けられるノズル２６から、不純物バブラ２７を通
過して拡散用の不純物を含むキャリアガスが導入され
る。反応管２２内に収納される複数枚の半導体ウエハ２
３は、ヒータ２８で加熱され、導入された不純物が表面
から内部に拡散する。不純物が残留しているキャリアガ
スは、不純物の露点以上の温度の位置に設けられる排気
口３０から排気される。排気口３０の周辺では、不純物
の露点以上の温度となるので、不純物は液化することな
く排気口３０を通過し、排気管３１から排出される。排
気管３１は、排気口３０の近傍で下方に曲がっているの
で、内部で不純物が液化しても、排気口３０から反応管
２２内へは逆流しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを加
熱して、半導体中でドナーやアクセプタとなる不純物を
拡散させる不純物拡散装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、図３および図４に示すような
不純物拡散装置を用いて、半導体ウエハに対する不純物
拡散工程が行われている。不純物拡散工程では、半導体
ウエハの表面からドナーやアクセプタとなる不純物を拡
散させ、半導体集積回路や個別の半導体素子として必要
な各種の領域や電極を形成させている。

【０００３】図３は、従来からの縦型拡散炉１の概略的
な構成を示す。軸線がほぼ鉛直方向となるように立たせ
た状態で設置される石英製の反応管２内には、複数の半
導体ウエハ３が収容される。半導体ウエハ３は、ほぼ水
平な姿勢で、間隔をあけて収容治具４で保持される。収
容治具４で保持される半導体ウエハ３は、反応管２の底
部から出し入れすることができる。反応管２の底部に
は、ボート５が配置され、収容治具４を支持する。反応
管２の上部には、ノズル６が設けられ、不純物バブラ７
を通って不純物を多く含むようになっている反応ガスを
反応管２内に導入する。半導体ウエハ３は、反応管２の
外部に設けられるヒータ８によって加熱される。反応管
２の底部側の炉口部９の比較的低温の部分には、排気口
１０が設けられ、反応管２内に導入された反応ガスの排
気を行う。

【０００４】図４は、図３に示す縦型拡散炉１とともに
多く用いられている横型拡散炉１１の概略的な構成を示
す。横型拡散炉１１では、石英製の反応管１２を、軸線
がほぼ水平となるように寝かせた状態で使用する。複数
の半導体ウエハ１３は、収容治具１４に、ほぼ鉛直な姿
勢で、相互間で一定の間隔をあけるような状態で保持さ
れる。収容治具１４に保持される半導体ウエハ１３は、
反応管１２の開口部を閉じる蓋１５を外して、反応管１
２内に出し入れすることができる。反応管１２の軸線方
向の一端側には、ノズル１６が設けられ、不純物バブラ
１７を通過して不純物を多く含む反応ガスを反応管１２
内に導入することができる。反応管１２の周囲には、ヒ
ータ１８が設けられ、反応管１２内に収容した半導体ウ
エハ１３を加熱することができる。反応管１２の蓋１５
側の炉口部１９には、ノズル１６から導入される反応ガ
スを排気するための排気口２０が設けられる。

【０００５】図３や図４に示す従来の縦型拡散炉１や横
型拡散炉１１では、半導体ウエハ３，１３を６００℃以
上に加熱する。排気口１０，２０は、炉口部９，１９で
１００〜３００℃程度となる比較的低温の部分に設けら
れている。排気口１０，２０から排気される反応ガス中
には、不純物バブラ７，１７で混入した不純物のうち、
半導体ウエハ３，１３内に拡散しなかった不純物が含ま
れる。この残留している不純物は、液化して、炉口部
９，１９付近の反応管２，１２の内壁面などに付着して
しまう。この状態で縦型拡散炉１や横型拡散炉１１を使
用し続けていると、さらに液化した不純物が増え、液だ
れを起こして炉口部９，１９付近の金属製の機構部分や
カバーや筺体等を腐食させてしまう。

【０００６】特開平４−１８０６２０には、基本的には
図３に示す縦型拡散炉１と同様な縦型拡散炉で、炉口部
９に相当する部分を加熱する炉口部加熱治具を設け、炉
口部９に到達した反応ガスおよび不純物を一定温度に保
ち、液化することなく気体状態で排気口１０に相当する
部分から外部に排出し、炉口部分への不純物の付着によ
る悪影響を防止する構成が開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】図３に示す縦型拡散炉
１や図４に示す横型拡散炉１１では、反応ガスの排気口
１０，２０が炉口部９，１９付近の比較的低温の部分に
設置されている。そのため、炉口部９，１９付近の反応
管２，１２の内壁面に、不純物が液化して付着してしま
い、液だれを起こして金属部分を腐食させてしまう。ま
た、半導体ウエハ３，１３を反応管２，１２内から取出
しする際に、付着した不純物が再蒸発し、半導体ウエハ
３，１３の表面に付着したり、装置全体を汚したりする
原因ともなってしまう。また、液だれを起こす前に反応
管２，１２の洗浄等を行う必要があり、手間と時間がか
かって、不純物拡散装置としての稼働率が悪くなり、処
理能力も低下してしまう。

【０００８】特開平４−１８０６２０の先行技術では、
炉口部分を加熱して不純物などの付着を防いでいる。し
かしながら、従来比較的低温であった炉口部分を高温に
加熱するので、炉口部分に設ける機構部品などの耐熱性
が要求され、周囲に熱が逃げ易い部分を加熱するので、
熱エネルギの損失も大きくなる。

【０００９】本発明の目的は、簡単な構成で排気口周辺
への不純物の液化付着を防ぐことができる不純物拡散装
置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
を収容する拡散炉内に、不純物を含む反応ガスを導入
し、加熱して不純物を半導体ウエハの表面から拡散させ
る不純物拡散装置において、該反応ガスの該拡散炉から
の排気口は、該不純物が液化しない温度の位置に設けら
れることを特徴とする不純物拡散装置である。

【００１１】本発明に従えば、不純物拡散装置の拡散炉
内には、半導体ウエハが収容され、不純物を含む反応ガ
スが導入され、加熱されて不純物が半導体ウエハの表面
から拡散される。拡散炉からの反応ガスの排気口は、不
純物が液化しない温度の位置に設けられるので、排気口
の周辺に不純物が液化して付着し、液だれなどが生じる
のを防ぐことができる。排気口を設ける位置を高温の位
置にする簡単な構成で、不純物の液化付着を有効に防止
することができる。これによって、液だれを起こす前に
反応管の洗浄等を行う必要もなくなり、そのための手間
や時間を省き、また不純物拡散装置の処理能力の低下も
防ぐことができる。

【００１２】また本発明で、前記拡散炉は、前記排気口
よりも低温となる位置に、反応性を有しない非反応性ガ
スを導入するための導入口を備えることを特徴とする。

【００１３】本発明に従えば、排気口よりも低温となる
位置に設けられる導入口から反応性を有しない非反応性
ガスを拡散炉内に導入するので、排気口から低温側には
反応ガスが流れ込まないようにして、拡散炉内の比較的
低温の部分で反応ガス中の不純物が液化して付着するの
を防ぐことができる。

【００１４】また本発明は、前記非反応性ガスを、前記
不純物の露点以上の温度に加熱するヒータを備えること
を特徴とする。

【００１５】本発明に従えば、拡散炉内に導入される非
反応性ガスは、不純物の露点以上の温度にヒータによっ
て加熱されているので、拡散炉内の排気口よりも低温側
の部分に反応ガスが流れ込んでも、反応ガス中の不純物
が液化して拡散炉の内壁面などに付着するのを防ぐこと
ができる。

【００１６】また本発明で、前記非反応性ガスは、窒素
ガスであることを特徴とする。本発明に従えば、非反応
性ガスとして窒素ガスを用いるので、大気中に排気する
ことが容易であり、非反応性ガスの導入に伴うコストの
増加を抑えることができる。

【００１７】また本発明で、前記反応ガスの排気口は、
前記半導体ウエハの収容位置よりも下方に設けられるこ
とを特徴とする。

【００１８】本発明に従えば、反応ガスの排気口は半導
体ウエハの収容位置よりも下方に設けられるので、拡散
炉内に導入された反応ガスが半導体ウエハの周囲を有効
に満たしてから排出させることができる。

【００１９】また本発明で、前記拡散炉は、軸線がほぼ
鉛直となるように設置される反応管内に、ほぼ水平な姿
勢の半導体ウエハを複数枚収容し、該反応管の上部に設
置するノズルから前記反応ガスを導入し、該反応管の外
部から加熱する縦型拡散炉であることを特徴とする。

【００２０】本発明に従えば、縦型拡散炉内で上部に設
置されるノズルから導入される反応ガスを複数枚の半導
体ウエハの周囲に流通させ、反応ガスに含まれる不純物
を半導体ウエハの表面から拡散させて、不純物が液化し
ない温度の位置に設けられる排気口から反応ガスを排出
させることができる。

【００２１】また本発明で、前記反応ガスの排気口に
は、該排気口近傍で下方に曲がる形状の排気管が接続さ
れることを特徴とする。

【００２２】本発明に従えば、排気口近傍で下方に曲が
る形状の排気管が反応ガスの排気口に接続されるので、
排気管内で液化した不純物が排気口から拡散炉内に逆流
するのを防ぐことができる。

【００２３】また本発明で、前記拡散炉は、軸線がほぼ
水平となるように設置される反応管内に、ほぼ鉛直な姿
勢の半導体ウエハを複数枚収容し、該反応管の軸線方向
の一端側に設置するノズルから前記反応ガスを導入し、
該反応管の外部から加熱する横型拡散炉であることを特
徴とする。

【００２４】本発明に従えば、横型拡散炉の反応管の軸
線方向の一端側に設置するノズルから反応管内に導入さ
れた不純物を含む反応ガスを、複数枚収容される半導体
ウエハの周囲に充分に流通させ、反応管の軸線方向の他
端側で不純物が液化する温度よりも高い温度の位置に設
けられる排気口から反応ガスを排気し、排気口付近への
液化付着を防ぐことができる。

【００２５】また本発明で、前記反応ガスの排気口は、
前記反応管の下側に設けられることを特徴とする。

【００２６】本発明に従えば、反応ガスの排気口は、反
応管の下側に設けられるので、軸線方向の一端側に設け
られるノズルから導入される反応ガスを半導体ウエハの
周囲に充分に流通させたあとで排気する際に、排気管内
などに液化して付着しても、逆流して反応管内に戻るの
を防ぐことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態の
不純物拡散装置として、縦型拡散炉２１の概略的な構成
を示す。縦型拡散炉２１としての基本的な構成は、図３
に示す従来の縦型拡散炉１と同様である。すなわち、石
英製の反応管２２は、軸線がほぼ垂直な姿勢となるよう
に立設され、内部に複数枚のシリコンなどの半導体ウエ
ハ２３を収容する。複数枚の半導体ウエハ２３は、ほぼ
水平な姿勢で、一定の間隔をあけて収容治具２４に収容
され、ボート２５によって支持される。反応管２２の上
部には、ノズル２６が設けられ、不純物バブラ２７を通
過した反応ガスを反応管２２内に導入することができ
る。ノズル２６からは、酸素（Ｏ₂）ガスおよび窒素
（Ｎ₂）ガスから成るキャリアガスを不純物バブラ２７
内に吹き込み、不純物バブラ２７内に貯留されるオキシ
塩化リン（ＰＯＣｌ₃）のような半導体中に拡散される
不純物を含む液体中に吹き込まれ、バブルを発生させて
キャリアガス中に反応物であるオキシ塩化リンの蒸気を
多く混入させ、ノズル２６から反応管２２内に導入す
る。

【００２８】半導体ウエハ２３は、反応管２２の外部に
配置されるヒータ２８によって加熱され、６００℃〜１
０００℃程度の高温に保たれる。キャリアガス中には酸
素ガスが混入されているので、オキシ塩化リンは分解
し、半導体ウエハ２３の表面には五酸化リン（Ｐ₂Ｏ₅）
が付着する。半導体ウエハ２３の表面に付着した五酸化
リンが拡散源となり、半導体ウエハ２３の内部にはリン
（Ｐ）が拡散して進入し、半導体中でドナー不純物とな
り、半導体としての導電型式をｎ型にすることができ
る。

【００２９】半導体ウエハ２３の導電型式をｐ型にする
ためには、アクセプタ不純物として、たとえばホウ素
（Ｂ）を拡散する。ホウ素は、三臭化ホウ素（ＢＢ
ｒ₃）を液体拡散源として用い、窒素ガスを三臭化ホウ
素の溶液の上方に通過させるだけで、反応ガスを得るこ
とができる。このような装置を、図１の不純物バブラ２
７の代わりに用いれば、アクセプタ不純物であるホウ素
を含む反応ガスを縦型拡散炉２１内に導入することがで
きる。このときヒータ２８による加熱温度は、９００℃
〜１２００℃程度に高める。

【００３０】縦型拡散炉２１の反応管２２内に収容され
る半導体ウエハ２３は、収容治具２４に収容した状態
で、反応管２２の下部の炉口部２９から外部に排出し、
また新たに収容治具２４に収容した半導体ウエハ２３
を、反応管２２内部に挿入することができる。炉口部２
９には、収容治具２４の出し入れに必要な各種機構も設
けられ、反応管２２内部では比較的低温、たとえば１０
０〜３００℃程度になっている。本実施形態では、この
ような比較的低温の炉口部２９には排気口３０を設けず
に、反応管２２内でより温度が高い位置に排気口３０を
設ける。排気口３０が設けられる位置では、反応管２２
内の温度は約５００℃となっており、リンやホウ素など
を含む不純物、たとえば五酸化リンや三酸化ホウ素が液
化する温度よりも高温であり、排気口３０の周囲に不純
物が液化して付着しないようにすることができる。

【００３１】排気口３０が設けられている位置は、縦型
拡散炉２１の反応管２２で、炉口部２９よりは上部側で
あり、半導体ウエハ２３の収容位置よりは下方の位置と
する。ヒータ２８は、収容治具２４に収容されているす
べての半導体ウエハ２３に対して、できるだけ均一な温
度で加熱することができるように配置されている。した
がって、排気口３０を設ける位置を、半導体ウエハ２３
の収容治具２４の位置に近付ければ、排気口３０での温
度を、不純物が液化して付着しないような高温の位置に
設けることができる。排気口３０から反応ガスを外気に
導く排気管３１は、排気口３０の近傍で下方に曲げられ
ている。これによって、排気管３１内で冷却され、液化
された反応ガス中の不純物が、排気口３０から反応管２
２内に逆流して戻るのを防ぐことができる。

【００３２】本実施形態の縦型拡散炉２１では、比較的
低温となる炉口部２９よりも排気口３０の方が上部に設
けられている。排気口３０を比較的高温の位置に設ける
だけでは、不純物を含む反応ガスが比較的低温の炉口部
２９に流れ込み、不純物が液化して炉口部２９の周辺に
付着することを充分に防ぐことができない。そこで、炉
口部２９の下方に窒素ノズル３２を設け、炉口部２９側
から窒素ガスを反応管２２内に導入するようにしてい
る。好ましくは窒素ノズル３２から導入される窒素ガス
は、ヒータ３３によって不純物の露点以上の温度に加熱
されていることが好ましい。加熱された窒素ガスは、炉
口部２９内に流入している不純物を含む反応ガスを加熱
し、五酸化リンなどの液化付着を防ぐことができる。

【００３３】図１の縦型拡散炉２１は、炉口部２９から
複数の半導体ウエハ２３を収容した治具２４を出し入れ
することができる。炉口部２９から収容治具２４を出し
入れするようなときには、キャリアガスバルブ３４を開
放して、キャリアガスを多めに流し、挿入された収容治
具２４に収容されている半導体ウエハ２３の周囲の酸素
濃度を低下させておく。半導体ウエハ２３が反応管２２
内に収容されると、キャリアガスバルブ３４の開度を小
さくし、または完全に閉じるようにし、不活性ガスバル
ブ３５をあける。窒素ガスなどの不活性ガスが不純物バ
ブラ２７内に吹き込まれ、不純物を多く含む反応ガスが
発生し、不純物バブル３６を開ければノズル２６から反
応管２２内に導入させることができる。不純物バブラ２
７内には、たとえば前述のようなオキシ塩化リンなどの
不純物液３７が貯留され、バブルの発生によって気化し
て、不活性ガス中に混入する。反応ガス中に残留した不
純物が比較的低温の炉口部２９に付着しないように、窒
素ノズル３２からヒータ３３によって加熱された窒素ガ
スを反応管２２内に導入する際の流量は、窒素ガスバブ
ル３８を開閉して調整することができる。

【００３４】図２は、本発明の実施の他の形態の不純物
拡散装置としての横型拡散炉４１の概略的な構成を示
す。本実施形態の横型拡散炉４１も、図４に示す従来の
横型拡散炉１１と基本的には同等の構成を有する。すな
わち、石英製の反応管４２は、その軸線がほぼ水平な状
態となるようにして用いられる。反応管４２内には、複
数枚の半導体ウエハ４３が、相互に一定の間隔をあけた
状態で、ほぼ鉛直な姿勢で、収容治具４４に収容され
る。反応管４２の軸線方向の一方側は閉じており、他方
側は開口している。軸線方向の他方側の開口部は、着脱
可能な蓋４５で閉じられ、必要時には蓋４５を開いて半
導体ウエハ４３を収容する収容治具４４を出し入れする
ことができる。

【００３５】反応管４２の軸線方向の一方側には、ノズ
ル４６が設けられ、不純物バブラ４７を通過する反応ガ
スを反応管４２の内部に導入することができる。不純物
バブラ４７は、図１の不純物バブラ２７と同様に、ドナ
ー不純物であるリンを含むオキシ三塩化リンやアクセプ
タ不純物であるホウ素を含む三臭化ホウ素などを用い
る。半導体ウエハ４３に対する加熱は、反応管４２の外
部に設置されるヒータ４８によって行われ、比較的低温
になる炉口部４９よりも高温で、反応ガス中の不純物の
露点以上の温度、たとえば５００℃以上となる位置に排
気口５０が設けられる。排気口５０の位置は、半導体ウ
エハ４３が収容される位置よりは炉口部４９側に設け
る。排気口５０は、反応管４２の下面側に設置し、排気
口５０に接続される排気管５１内で液化した不純物が排
気口５０から反応管４２内に逆流しないようにしてい
る。

【００３６】排気口５０の位置よりも炉口部４９側に
は、窒素ノズル５２を設け、ヒータ５３で不純物の露点
以上の温度に加熱された窒素ガスを反応管４２内に導入
し、反応ガスが排気口５０よりも低温部側に流れ込むの
を防ぐ。反応管４２の軸線方向の一端側のノズル４６か
らは、キャリアガスバルブ５４を開けばキャリアガスが
反応管４２内に導入され、不活性ガスバルブ５５をあけ
て不純物バルブ５６をあければ、不純物液５７中に不活
性ガスが吹き込まれてバブルが生じ、不純物を多く含む
反応ガスがノズル４６から反応管４２内に導入される。
また窒素ノズル５２から導入される窒素ガスの流量は、
窒素ガスバルブ５８で調整することができる。

【００３７】図１および図２の実施形態では、窒素ノズ
ル３２，５２から窒素ガスを導入するようにしているけ
れども、不活性ガスなど、反応性を有しないガスであれ
ば同様に用いることができる。ヒータ３３，５３で加熱
を行わなくても、反応ガスの流れ込みを抑えることがで
きる。ヒータ３３，５３で不純物の露点以上の温度に加
熱しておけば、不純物が液化付着するのを確実に防ぐこ
とができる。

【００３８】不純物拡散炉を図１や図２に示すような構
造とすることによって、半導体ウエハ２３，４３への拡
散源とならなかった不純物の反応物や未反応物が、炉口
部２９，４９付近で液化して付着することを防ぐことが
できる。反応管２２，４２で比較的低温となる炉口部２
９，４９付近での液だれがなくなるので、反応管２２，
４２内部を洗浄する周期を延ばしても装置を腐食させる
ことがなくなり、洗浄の手間や装置停止期間の短縮を図
ることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、反応管内
に導入された反応ガスを排気する排気口を、反応ガスに
含まれる不純物が液化しない温度の位置に設けるので、
簡単な構成で、排気口の周囲への不純物の液化付着を防
ぐことができる。排気口の周囲の反応管の内壁面などに
不純物が液化付着しないので、液だれなどによる金属部
分の腐食を防ぐことができる。また、半導体ウエハの出
し入れ時などに付着した不純物が再蒸発して半導体ウエ
ハなどを汚すこともなく、またその汚れ防止のために反
応管内部を清掃する手間や時間を少なくすることができ
る。さらに、不純物拡散装置の稼働率を高め、生産性を
向上させることができる。

【００４０】また本発明によれば、拡散炉内で排気口よ
りも低温となる位置からは、反応性を有しない非反応性
ガスを導入するので、不純物を含む反応ガスが排気口よ
りも低温側の位置に流れ込むのを抑制することができ
る。

【００４１】また本発明によれば、非反応性ガスを不純
物の露点以上の温度に加熱するので、拡散炉内で排気口
よりも低温側の位置に不純物を含む反応ガスが流れ込ん
でも、不純物の液化を防ぐことができる。ヒータは、拡
散炉ではなく、非反応性ガスを加熱すればよいので、構
成の複雑化やコストの増大を小さな範囲に止め、不純物
の液化付着を有効に防止することができる。

【００４２】また本発明によれば、非反応性ガスとして
窒素ガスを用いるので、非反応性ガスの使用によるコス
トの増大を小さな範囲に止め、かつ排気の処理も特に必
要でないようにすることができる。

【００４３】また本発明によれば、反応ガスの排気口は
半導体ウエハの収容位置よりも下方に設けられるので、
拡散炉内に導入された反応ガスが半導体ウエハの周囲で
有効に使用されてから排気することができる。

【００４４】また本発明によれば、縦型拡散炉内で、不
純物の液化付着を防ぎながら、半導体ウエハへの不純物
拡散を効率よく行うことができる。

【００４５】また本発明によれば、排気口から排気管に
流出した反応ガス中から不純物が排気管内に液化して付
着しても、排気管が排気口近傍で下方に曲がる形状を有
しているので、排気口から拡散炉内へ逆流するのを防ぐ
ことができる。

【００４６】また本発明によれば、横型拡散炉内で反応
ガス中の不純物が排気口周辺に液化付着するのを防い
で、半導体ウエハへの不純物拡散を効率よく行うことが
できる。

【００４７】また本発明によれば、横型拡散炉で反応管
の軸線方向の一端側に設けられるノズルから導入される
不純物を含む反応ガスを、複数枚の半導体ウエハの周囲
に流通させて、不純物拡散処理を有効に行い、反応ガス
を反応管の下側に設けられる排気口から排出し、排気管
内で、液化する不純物の逆流を防いで、不純物拡散処理
を効率よく行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態の縦型拡散炉２１の概略
的な構成を示す簡略化した断面図である。

【図２】本発明の実施の他の形態の横型拡散炉４１の概
略的な構成を示す簡略化した断面図である。

【図３】従来からの縦型拡散炉１の概略的な構成を示す
簡略化した断面図である。

【図４】従来からの横型拡散炉１１の概略的な構成を示
す簡略化した断面図である。

【符号の説明】

２１縦型拡散炉２２，４２反応管２３，４３半導体ウエハ２４，４４収容治具２６，４６ノズル２７，４７不純物バブラ２８，３３，４８，５３ヒータ２９，４９炉口部３０，５０排気口３１，５１排気管３２，５２窒素ノズル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハを収容する拡散炉内に、不
純物を含む反応ガスを導入し、加熱して不純物を半導体
ウエハの表面から拡散させる不純物拡散装置において、該反応ガスの該拡散炉からの排気口は、該不純物が液化
しない温度の位置に設けられることを特徴とする不純物
拡散装置。
【請求項２】前記拡散炉は、前記排気口よりも低温と
なる位置に、反応性を有しない非反応性ガスを導入する
ための導入口を備えることを特徴とする請求項１記載の
不純物拡散装置。
【請求項３】前記非反応性ガスを、前記不純物の露点
以上の温度に加熱するヒータを備えることを特徴とする
請求項２記載の不純物拡散装置。
【請求項４】前記非反応性ガスは、窒素ガスであるこ
とを特徴とする請求項２または３記載の不純物拡散装
置。
【請求項５】前記反応ガスの排気口は、前記半導体ウ
エハの収容位置よりも下方に設けられることを特徴とす
る請求項１〜４のいずれかに記載の不純物拡散装置。
【請求項６】前記拡散炉は、軸線がほぼ鉛直となるよ
うに設置される反応管内に、ほぼ水平な姿勢の半導体ウ
エハを複数枚収容し、該反応管の上部に設置するノズル
から前記反応ガスを導入し、該反応管の外部から加熱す
る縦型拡散炉であることを特徴とする請求項１〜５のい
ずれかに記載の不純物拡散装置。
【請求項７】前記反応ガスの排気口には、該排気口近
傍で下方に曲がる形状の排気管が接続されることを特徴
とする請求項６記載の不純物拡散装置。
【請求項８】前記拡散炉は、軸線がほぼ水平となるよ
うに設置される反応管内に、ほぼ鉛直な姿勢の半導体ウ
エハを複数枚収容し、該反応管の軸線方向の一端側に設
置するノズルから前記反応ガスを導入し、該反応管の外
部から加熱する横型拡散炉であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の不純物拡散装置。
【請求項９】前記反応ガスの排気口は、前記反応管の
下側に設けられることを特徴とする請求項８記載の不純
物拡散装置。