JP2005136394A - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
絶縁性基板上形成される半導体装置、代表的には光センサ、太陽電池、又は薄膜トランジスタを用いた回路において、配線基板への実装強度を向上させることが可能であり、且つ配線基板への高密度搭載が可能な構造の半導体装置及びその作製方法を提案する。
【解決手段】
本発明は、絶縁性を有する基板上に半導体素子が形成された半導体装置であって、該半導体装置の側面に凹部を有し、該凹部において、前記半導体素子と電気的に接続されている導電膜が形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【選択図】 図1
Description
本実施形態では、プラスチック基板に形成され、側面に凹部を有する光セン サについて、図1を用いて説明する。
ここでは、受光部で検出した電流を増幅する回路を有する光センサについて図2を用いて説明する。なお、ここでは、増幅回路を構成する素子として薄膜トランジスタ(以下、TFT(Thin Film Transistor)と示す。)を用いたものを示すが、これに限定されるものではなく、演算増幅器(オペアンプ)等を用いることができる。
次に、第2実施形態における光センサの駆動回路の一例を図3を用いて示す。本実施形態では、光センサは増幅回路としてカレントミレラー回路を用いている。
本実施形態では、第1実施形態乃至第3実施形態で示される光センサの作製工程を、図4を用いて示す。
本実施形態では、第1実施形態乃至第4実施形態で形成された光センサを配線基板へ搭載する方法について図5を用いて説明する。
Claims (19)
- 凹部を側面に有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、絶縁性を有する基板上に形成される半導体素子、及び前記半導体素子と電気的に接続される導電膜を有し、前記導電膜は、前記凹部に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 凹部を側面に有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、絶縁性を有する基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子に接続する電極端子、及び前記電極端子に接続する接続端子を有し、前記凹部において前記接続端子が前記絶縁性を有する基板及び前記半導体素子に接していることを特徴とする半導体装置。 - 凹部を側面に有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、絶縁性を有する基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子を覆う絶縁膜、及び前記半導体素子と電気的に接続される導電膜を有し、前記導電膜は、前記凹部に形成されており、且つ前記絶縁性を有する基板及び前記絶縁膜の側面を覆っていることを特徴とする半導体装置。 - 凹部を側面に有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、絶縁性を有する基板上に形成される半導体素子、前記半導体素子に接続される電極端子、前記半導体素子及び前記電極端子を覆う絶縁膜、及び前記絶縁膜を介して前記電極端子に接続する接続端子を有し、前記凹部において前記接続端子が前記絶縁性を有する基板、前記半導体素子、及び前記絶縁膜の側面に接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項3において、前記導電膜は前記半導体素子を覆う絶縁膜の側面及び前記側面に隣接する面上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2又は請求項4において、前記接続端子は前記半導体素子を覆う絶縁膜の側面及び前記側面に隣接する面上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記絶縁性を有する基板の面積と前記半導体素子が形成される面積とが概略一致していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記凹部は曲面又は平面を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記凹部は曲面及び平面を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記半導体素子は、半導体薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか一項において、前記導電膜又は前記接続端子は、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウム、銀、スズ、白金、又は金から選ばれた一元素、又は該元素を含む合金で形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項11のいずれか一項において、前記絶縁性を有する基板は、耐熱性を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項12のいずれか一項において、前記絶縁性を有する基板は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項13のいずれか一項において、前記絶縁性を有する基板は、プラスチック、ガラス、又は有機樹脂で形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、又はダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項14のいずれか一項において、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ及びダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項16のいずれか一項において、前記半導体装置は、光センサ、光電変換装置、太陽電池、又は薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁性を有する基板上に半導体素子を形成した後、前記基板の所望の領域に開口部を形成し、該開口部に前記半導体素子と電気的に接続する導電膜を形成した後、前記基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項18において、前記基板にレーザ光を照射して前記開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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