JP2005136238A - Light emitting diode array device and light emitting diode printer using it - Google Patents

Light emitting diode array device and light emitting diode printer using it Download PDF

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Katsunobu Kitada
勝信 北田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode array device that can be joined stably to an external driving circuit through very simple joining work, and to provide a light emitting diode (LED) printer using the device. <P>SOLUTION: In the light emitting diode array device, a plurality of light emitting diodes 10 are arranged on a high resistance substrate 1. The device is composed of individual electrodes 4 commonly connected to the light emitting diodes of the same group composed of N pieces light emitting diodes, and common electrodes 50 connected to prescribed light emitting diodes of different groups. The high resistance substrate 1 has a common electrode forming area C and an individual electrode forming area S on both sides of the arranging area L of the light emitting diodes. In the individual electrode forming area S, individual electrode-side connection pads 11 are formed as extended from the individual electrodes 4 and common electrode-side connection pads 12 connected to first common electrodes 5. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、本発明は発光ダイオードアレイ装置、及びページプリンタ用感光ドラムの露光用光源などに用いられる発光ダイオードプリンタ（以下、単にＬＥＤプリンタという）に関するものである。   The present invention relates to a light-emitting diode array (hereinafter simply referred to as an LED printer) used for a light-emitting diode array device and an exposure light source for a photosensitive drum for a page printer.

通常、発光ダイオードアレイ装置の発光ダイオードの構造として、高抵抗基板の内部に一導電型半導体層、逆導電型導体層を形成すべく、ドープ材料を拡散処理して形成する構造（例えば特開平１１−４０８４２号）と、高抵抗基板上に、一導電型半導体層、逆導電型導体層をそれぞれ成膜して形成する構造（メサ型）が知られている。   Usually, as a structure of a light emitting diode of a light emitting diode array device, a structure in which a doping material is diffused to form a one-conductivity type semiconductor layer and a reverse-conductivity type conductor layer inside a high-resistance substrate (for example, Japanese Patent Laid-Open No. Hei 11). -40842) and a structure (mesa type) in which a one-conductivity-type semiconductor layer and a reverse-conductivity-type conductor layer are respectively formed on a high-resistance substrate are known.

例えば、このメサ型構造の発光ダイオードアレイ装置に関して、特開２００１−３２００８８号（特許文献１）が提案されている。その構造を図１１〜図１３に示す。   For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-320088 (Patent Document 1) has been proposed regarding this mesa type light emitting diode array device. The structure is shown in FIGS.

図１１は、発光ダイオードの部分断面図、図１２は高抵抗基板上での電極配線の状況、特に下部側の電極配線の状況を示す概略平面図であり、図１３は電極配線の状況、特に上部側の電極配線の状況を示す概略平面図である。   FIG. 11 is a partial cross-sectional view of a light emitting diode, FIG. 12 is a schematic plan view showing the state of electrode wiring on a high-resistance substrate, particularly the state of electrode wiring on the lower side, and FIG. It is a schematic plan view which shows the condition of the electrode wiring of an upper side.

図１１において、１２１は高抵抗基板であり、例えば半導体基板である。１２２は一導電型半導体層、１２３は逆導電型半導体層、１２４は個別電極、１２５は共通電極である。   In FIG. 11, 121 is a high resistance substrate, for example, a semiconductor substrate. 122 is a one-conductivity-type semiconductor layer, 123 is a reverse-conductivity-type semiconductor layer, 124 is an individual electrode, and 125 is a common electrode.

例えば、一導電型半導体層１２２は、バッファ層１２２ａ、オーミックコンタクト層１２２ｂ、電子注入層１２２ｃで構成される。また、逆導電型半導体層１２３は、発光層１２３ａ、クラッド層１２３ｂおよびオーミックコンタクト層１２３ｃで構成される。   For example, the one conductivity type semiconductor layer 122 includes a buffer layer 122a, an ohmic contact layer 122b, and an electron injection layer 122c. The reverse conductivity type semiconductor layer 123 includes a light emitting layer 123a, a cladding layer 123b, and an ohmic contact layer 123c.

高抵抗基板１２１上に、一導電型半導体層１２２と逆導電型半導体層１２３とから成る発光ダイオードを設けるに当たり、一導電型半導体層１２２よりも逆導電型半導体層１２３を小面積と成すとともに、この一導電型半導体層１２２の露出部（オーミックコンタクト層１２２ｂ）に共通電極１２５が接続されている。また、逆導電型半導体層２３のオーミックコンタクト層１２３ｃに個別電極1２４が接続されている。なお、符号1２６は、窒化シリコン膜、ポリイミドなどから成る絶縁膜である。   In providing a light emitting diode composed of the one-conductivity-type semiconductor layer 122 and the reverse-conductivity-type semiconductor layer 123 on the high-resistance substrate 121, the reverse-conductivity-type semiconductor layer 123 has a smaller area than the one-conductivity-type semiconductor layer 122. The common electrode 125 is connected to the exposed portion (the ohmic contact layer 122b) of the one conductivity type semiconductor layer 122. The individual electrode 124 is connected to the ohmic contact layer 123 c of the reverse conductivity type semiconductor layer 23. Reference numeral 126 denotes an insulating film made of a silicon nitride film, polyimide, or the like.

また、図１２に示すように発光ダイオードは、その配列方向にそって複数配列形成、平面視上、複数の発光ダイオードがアレイ状に配置されている。図では説明を簡略化のため、左端の３２の発光ダイオード素子が配列されている状態を例示している。そして、各発光ダイオードの駆動にあたっては、1つの発光素子群の構成する素子数Nを例えば８として取り扱っている。すなわち、図１２では、左側から１番目から８番目の発光ダイオード素子を群１に、９番目から１６番目の発光ダイオード素子を群２、・・・・とし、全体として群１〜群M（図では、M=４までの一部を図示している）を有して構成される。   In addition, as shown in FIG. 12, the light emitting diodes are arranged in a plurality of light emitting diodes along the arrangement direction, and the light emitting diodes are arranged in an array in plan view. In the figure, for the sake of simplification of explanation, a state in which 32 light emitting diode elements at the left end are arranged is illustrated. In driving each light emitting diode, the number N of elements constituting one light emitting element group is handled as, for example, 8. That is, in FIG. 12, the first to eighth light-emitting diode elements from the left are group 1 and the ninth to sixteenth light-emitting diode elements are group 2,. In FIG. 3, a part up to M = 4 is illustrated).

また、各発光ダイオードの一導電型半導体層１２２には、共通電極１２５が接続されている。この共通電極1２５は、高抵抗基板１２１上に形成した絶縁膜１２６上に形成され逆導電型半導体層１２３には、個別電極１２４が接続されている。この個別電極１２４は、高抵抗基板１２１上においては、共通電極１２５と同様に絶縁膜１２６を介して形成されている。   A common electrode 125 is connected to the one-conductive semiconductor layer 122 of each light emitting diode. The common electrode 125 is formed on the insulating film 126 formed on the high-resistance substrate 121, and the individual electrode 124 is connected to the reverse conductivity type semiconductor layer 123. The individual electrodes 124 are formed on the high resistance substrate 121 through the insulating film 126 in the same manner as the common electrode 125.

この共通電極１２５は、図１２に示すように、絶縁膜１２６上に概略コ字状形状の下地側に位置する第１の共通電極１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５d、１２５ｅ、１２５ｆ、１２５ｇ、１２５hと、図１３に示すように、第１の共通電極１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５d、１２５ｅ、１２５ｆ、１２５ｇ、１２５ｈを被覆された第２の絶縁膜１２７上にアレイ状の配列方向と平行に断続的に形成された上側の第２の共通電極１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ、１２８ｅ、１２８ｆ、１２８ｇ、１２８ｈとで構成されている。   As shown in FIG. 12, the common electrode 125 includes first common electrodes 125 a, 125 b, 125 c, 125 d, 125 e, 125 f, 125 g, and 125 h located on the insulating film 126 on the base side having a substantially U shape. As shown in FIG. 13, on the second insulating film 127 covered with the first common electrodes 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f, 125g, and 125h, intermittently in parallel with the array direction of the array. The upper second common electrodes 128a, 128b, 128c, 128d, 128e, 128f, 128g, and 128h are formed.

ここで、共通電極１２５のうち、コ字状の下地側の第１の共通電極は、隣接する１２つの群の所定発光素子どうしを接続するように形成されている。たとえば、この第１の共通電極１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ、１２５ｆ、１２５ｇ、１２５ｈどうしが交差していように配慮されており、最外周に位置する電極１２５ａは、群１（群３）の第１の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第８番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、外周より２番目に位置する電極１２５ｂは、群１（群３）の第２の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第７番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、外周より３番目に位置する電極１２５ｃは、群１（群３）の第３の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第６番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、外周より４番目に位置する電極１２５ｄは、群１（群３）の第４の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第５番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、外周より５番目に位置する電極１２５ｅは、群１（群３）の第５の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第４番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、
外周より６番目に位置する電極１２５ｆは、群１（群３）の第６の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第３番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、
外周より７番目に位置する電極１２５ｇは、群１（群３）の第７の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第１２番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成され、
最内周に位置する電極１２５ｈは、群１（群３）の第８の番目の発光ダイオードと群２（群４）の第１番目の発光ダイオードとを接続するように概略コ字状に形成されている。すなわち、１２ｎ−１番目の群に属する所定の発光ダイオードは、１２×ｎ番目（ｎ＝１・・・Ｎ／１２）の群に属する所定の発光ダイオードに接続している。 Here, among the common electrodes 125, the first common electrode on the U-shaped base side is formed so as to connect the predetermined light emitting elements of twelve adjacent groups. For example, the first common electrodes 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f, 125g, and 125h are taken into consideration so that the electrodes 125a located on the outermost periphery are group 1 (group 3). The electrode 125b, which is formed in a substantially U-shape so as to connect the first light-emitting diode and the eighth light-emitting diode of group 2 (group 4), is located second from the outer periphery. The electrode 125c, which is formed in a substantially U shape so as to connect the second light emitting diode of group 3) and the seventh light emitting diode of group 2 (group 4), is positioned third from the outer periphery, An electrode that is formed in a generally U shape so as to connect the third light emitting diode of group 1 (group 3) and the sixth light emitting diode of group 2 (group 4), and is positioned fourth from the outer periphery. 125d is group 1 (group ) And the fifth light emitting diode of group 2 (group 4) are formed in a substantially U-shape, and the electrode 125e located fifth from the outer periphery is formed of group 1 The fifth light emitting diode of (Group 3) and the fourth light emitting diode of Group 2 (Group 4) are connected in a generally U shape,
The electrode 125f located sixth from the outer periphery is substantially U-shaped so as to connect the sixth light emitting diode of group 1 (group 3) and the third light emitting diode of group 2 (group 4). Formed,
The electrode 125g located seventh from the outer periphery is substantially U-shaped so as to connect the seventh light emitting diode of group 1 (group 3) and the twelfth light emitting diode of group 2 (group 4). Formed,
The innermost electrode 125h is formed in a substantially U shape so as to connect the eighth light-emitting diode of group 1 (group 3) and the first light-emitting diode of group 2 (group 4). Has been. That is, the predetermined light-emitting diodes belonging to the 12n-1th group are connected to the predetermined light-emitting diodes belonging to the 12 × n-th (n = 1... N / 12) group.

これに対して、個別電極１２４は、同一群に属する発光素子の逆導電型半導体層１２３に共通的に接続している。また、この個別電極１２４には、それぞれ下地側の接続パッド１２４ａを有している。   On the other hand, the individual electrode 124 is commonly connected to the reverse conductivity type semiconductor layer 123 of the light emitting elements belonging to the same group. Each individual electrode 124 has a base-side connection pad 124a.

図１３は、図１２に示す発光ダイオードアレイ部分を除く領域上に、絶縁層１２７を被着形成し、該絶縁層１２７上に形成された電極を示している。この絶縁層１２７上に共通電極１２５を構成する複数の第２の共通電極１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ、１２８ｅ、１２８ｆ、１２８ｇ、１２８ｈが形成されている。この第２の共通電極１２８ａ、１２８ｂ、１２８ｃ、１２８ｄ、１２８ｅ、１２８ｆ、１２８ｇは、１群目からＮ番目の群を互いに接続するために作用する。   FIG. 13 shows an electrode formed on the insulating layer 127 by depositing an insulating layer 127 on a region excluding the light emitting diode array portion shown in FIG. On the insulating layer 127, a plurality of second common electrodes 128a, 128b, 128c, 128d, 128e, 128f, 128g, and 128h constituting the common electrode 125 are formed. The second common electrodes 128a, 128b, 128c, 128d, 128e, 128f, and 128g act to connect the Nth group from the first group to each other.

すなわち、最も外側に形成される直線状の複数の第２の共通電極１２８ａは、各群に跨がって最外周側に形成された複数の第１の共通電極１２５ａどうしを接続するものである。また、さらに内側に形成される直線状の第２の共通電極１２８ｂは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｂどうしを接続するものであり、さらに内側に形成される直線状の第２の共通電極１２８ｃは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｃどうしを接続するものであり、さらに内側に形成される直線状の第２の共通電極１２８ｄは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｄどうしを接続するものであり、さらに内側に形成される直線状の第２の共通電極１２８ｅは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｅどうしを接続するものであり、さらに内側に形成される直線状の第２の共通電極１２８ｆは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｆどうしを接続するものであり、さらに内側に形成される直線状の第１２の共通電極１２８ｇは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｇどうしを接続するものである。   That is, the plurality of linear second common electrodes 128a formed on the outermost side are connected to the plurality of first common electrodes 125a formed on the outermost peripheral side across the groups. . Further, the linear second common electrode 128b formed on the inner side connects the first common electrodes 125b formed across the groups, and is further formed on the inner side. The second common electrode 128c having a shape connects the first common electrodes 125c formed across the respective groups, and the second common electrode 128d having a linear shape formed on the inner side is also connected to the second common electrode 128c. The first common electrodes 125d formed over the groups are connected to each other, and the linear second common electrode 128e formed on the inner side is formed over the groups. The first common electrodes 125e connected to each other are connected to each other, and the linear second common electrode 128f formed on the inner side is connected to the first common electrodes 125f formed across the groups. Connecting the inside and further Common electrode 128g of the linear first 12 formed is used to connect was what first common electrode 125g formed straddling each group.

また、最も内側に形成される直線状の第１２の共通電極１２８ｈは、各群に跨がって形成された第１の共通電極１２５ｈどうしを接続するものである。   In addition, the twelfth linear common electrode 128h formed on the innermost side connects the first common electrodes 125h formed across the groups.

そして、各第２の共通電極１２８ａ〜１２８ｈの長さは、それぞれ相違しており，この相違によって形成された空白領域には、共通電極１２５の接続パッドが形成されている。図１３では、第２の共通電極１２８ａ及び第２の共通電極１２８ｂに接続する２つの外部接続パッド１２９が形成されているものの、図１３には現れない右側の領域に第２の共通電極１２８ｃ〜１２８ｈに接続する接続パッド１２９が形成されている。   The lengths of the second common electrodes 128a to 128h are different from each other, and a connection pad for the common electrode 125 is formed in a blank region formed by the difference. In FIG. 13, although two external connection pads 129 connected to the second common electrode 128 a and the second common electrode 128 b are formed, the second common electrode 128 c to the right region that does not appear in FIG. 13 are formed. A connection pad 129 connected to 128h is formed.

また、個別電極１２４側には、上述の下地側接続パッド１２４ａに接続する個別側接続パッド１２４ｂが形成されている。   Further, on the individual electrode 124 side, an individual side connection pad 124b connected to the above-mentioned base side connection pad 124a is formed.

この第１の共通電極１２５ａ〜１２５ｈ及び第２の共通電極１２８ａ〜１２８ｈの電気的な接続及び個別電極１２４の下地側接続パッドと上側接続パッドとの接続は、絶縁層１２７の形成にあたり、絶縁層１２７の厚み方向に形成した開口を介して接続される。具体的には、第２の共通電極１２８ａ〜１２８ｈの両端部が位置する領域に、開口が形成されている。
特開２００１−３２００８８号 The electrical connection between the first common electrodes 125a to 125h and the second common electrodes 128a to 128h and the connection between the base-side connection pad and the upper connection pad of the individual electrode 124 are the same as the formation of the insulating layer 127. It connects through the opening formed in the 127 thickness direction. Specifically, openings are formed in regions where both ends of the second common electrodes 128a to 128h are located.
JP 2001-320088 A

しかしながら、発光ダイオードの動作においては、この所定の共通電極１２５と個別電極１２４とに所定電流を供給して行われる。発光ダイオードアレイにおいては、共通電極１２５そのものの構造が非常に複雑となってしまう。そして、共通電極１２５側の接続部が多いため接続部分での抵抗のバラツキが大きく、その結果発光バラツキを誘発する問題があった。例えば、図１３において、第２の共通電極１２８ａに接続する外部接続パッドから、群１〜群４の所定共通電極１２５には、少なくとも１個所の接続部分を介して接続されるが、群５、群６の所定共通電極１２５に接続するまでには、３個所の接続部を経ることになり、群７、群８の所定共通電極１２５には、５個所の接続部が必要になる。   However, the operation of the light emitting diode is performed by supplying a predetermined current to the predetermined common electrode 125 and the individual electrode 124. In the light emitting diode array, the structure of the common electrode 125 itself becomes very complicated. And since there are many connection parts on the common electrode 125 side, there is a large variation in resistance at the connection part, and as a result, there is a problem of inducing a variation in light emission. For example, in FIG. 13, the external connection pad connected to the second common electrode 128a is connected to the predetermined common electrode 125 of groups 1 to 4 through at least one connection portion. The connection to the predetermined common electrode 125 of the group 6 passes through three connection portions, and the predetermined common electrode 125 of the group 7 and the group 8 requires five connection portions.

このため、所定接続パッド１２９から、それに接続する所定発光ダイオードの共通電極１２５までの接続部分の個数が、各発光素子群によって相違するため、発光バラツキの原因となっていた。   For this reason, the number of connection portions from the predetermined connection pad 129 to the common electrode 125 of the predetermined light emitting diode connected to the predetermined connection pad 129 differs depending on each light emitting element group.

また、発光ダイオードが配列された領域を挟んで、第２の共通電極１２８ａ〜１２８ｈに接続する接続パッド１２９・・は、図面の上部側の共通電極形成領域に形成されおり、また、個別電極１２４に接続する接続パッド１３０ｂは、図面の下部側の個別電極形成領域に形成されている。   Further, the connection pads 129... Connected to the second common electrodes 128a to 128h across the region where the light emitting diodes are arranged are formed in the common electrode formation region on the upper side of the drawing, and the individual electrode 124 is formed. The connection pad 130b connected to is formed in the individual electrode formation region on the lower side of the drawing.

この接続パッド１２９、１３０ｂは、グランド電位または駆動信号が供給される駆動回路（グランド電位も広義には駆動回路に相当）にワイヤボンデンィグなどによって接続されている。このように、発光ダイオードの配列領域を挟んで、接続パッド１２９と、接続パッド１３０ｂとが、異なる領域に形成されていることから、外部の駆動回路と接続するためのワイヤボンティングの長さやボンディング条件が相違してしまい、接合作業が複雑になってしまう発光ダイオードアレイ装置であった。   The connection pads 129 and 130b are connected by wire bonding or the like to a driving circuit to which a ground potential or a driving signal is supplied (a ground potential is also equivalent to a driving circuit in a broad sense). In this manner, since the connection pad 129 and the connection pad 130b are formed in different regions across the light emitting diode arrangement region, the length of wire bonding for bonding to an external drive circuit or bonding This is a light emitting diode array device in which the conditions are different and the joining work becomes complicated.

本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、外部の駆動回路との接合作業が非常に簡単となり、発光ダイオードアレイ装置と駆動回路との接合が安定に接続することができる発光ダイオードアレイを提供するものである。   The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to make the joining operation with an external drive circuit very simple, and the junction between the light emitting diode array device and the drive circuit is stably connected. The present invention provides a light emitting diode array that can be used.

さらに、別の目的は、駆動回路との接続を安定化した発光ダイオードアレイ装置を用いて、安定した動作で、高品位な画像を形成できるＬＥＤプリンタを提供することにある。   Furthermore, another object is to provide an LED printer that can form a high-quality image with a stable operation by using a light-emitting diode array device in which a connection with a driving circuit is stabilized.

本発明は、高抵抗基板上に複数の一導電型半導体層と逆導電型半導体層を設け、且つ該一導電型半導体層に共通電極を、逆導電型半導体層に個別電極を接続した発光ダイオードを複数個配列するとともに、前記複数の配列された発光ダイオードのうち、Ｎ個の発光ダイオードを発光素子群として、Ｍ群から構成される発光ダイオードアレイと、同一の発光素子群内の発光ダイオードの逆導電型半導体層に共通に接続する個別電極と、異なる群に属する所定の発光ダイオードの一導電型半導体層に接続する共通電極とからなる発光ダイオードアレイ装置において、
前記高抵抗基板は、発光ダイオードの配列領域を挟んで共通電極形成領域と、個別電極形成領域を有するとともに、
前記共通電極形成領域には、発光ダイオードの配列方向に概略平行に延びるＮ個の第１の共通電極と、前記所定第１の共通電極と前記発光素子群のいずれか１つの発光ダイオードとを接続する第２の共通電極とが形成されているとともに、
前記個別電極形成領域には、前記各発光ダイオードに接続する個別電極と、該個別電極から延出する個別電極側接続パッドと、前記第１の共通電極に接続する共通電極側接続パッドとが形成されていることを特徴とする。 The present invention provides a light emitting diode in which a plurality of one-conductivity-type semiconductor layers and reverse-conductivity-type semiconductor layers are provided on a high-resistance substrate, a common electrode is connected to the one-conductivity-type semiconductor layer, and individual electrodes are connected to the reverse-conductivity-type semiconductor layer. A plurality of light emitting diodes are arranged, and among the plurality of light emitting diodes arranged, N light emitting diodes are used as light emitting element groups, and a light emitting diode array composed of M groups and light emitting diodes in the same light emitting element group are arranged. In a light-emitting diode array device comprising an individual electrode commonly connected to a reverse conductivity type semiconductor layer and a common electrode connected to one conductivity type semiconductor layer of a predetermined light-emitting diode belonging to a different group,
The high-resistance substrate has a common electrode formation region and an individual electrode formation region across an array region of light emitting diodes,
In the common electrode formation region, N first common electrodes extending substantially parallel to the arrangement direction of the light emitting diodes, and the predetermined first common electrode and any one light emitting diode of the light emitting element group are connected. And a second common electrode to be formed,
In the individual electrode forming region, an individual electrode connected to each light emitting diode, an individual electrode side connection pad extending from the individual electrode, and a common electrode side connection pad connected to the first common electrode are formed. It is characterized by being.

また、前記第１の共通電極と前記共通電極側接続パッドとは、隣接する発光素子群との境界部分に形成された引出し配線を介して互いに接続されていることを特徴とする。   Further, the first common electrode and the common electrode side connection pad are connected to each other through a lead wiring formed at a boundary portion between adjacent light emitting element groups.

また、第１の共通電極上には、該第１の共通電極の一部を露出するようにして被着された絶縁膜が形成されているとともに、前記第２の共通電極、引出し配線は、該絶縁膜上に、前記第１の共通電極の露出部に接続するようにして形成されていることを特徴とする。   In addition, an insulating film is formed on the first common electrode so as to expose a part of the first common electrode, and the second common electrode and the lead wiring are The insulating film is formed so as to be connected to the exposed portion of the first common electrode.

さらに、上述の発光ダイオードアレイ装置と、該発光ダイオードアレイ装置の駆動を制御する駆動回路と、ページプリンタ用感光ドラムとを少なくとも有し、前記駆動回路によって発光動作する発光ダイオードアレイ装置の光を、前記ページプリンタ用感光ドラムの露光用光源に用いて、該ドラム表面に画像を形成するＬＥＤプリンタである。   Further, the light emitting diode array device described above, a drive circuit that controls driving of the light emitting diode array device, and a photosensitive drum for page printer, at least, the light of the light emitting diode array device that performs light emission operation by the drive circuit, The LED printer is used as an exposure light source for the photosensitive drum for the page printer and forms an image on the drum surface.

本発明では、複数の配列された発光ダイオードのうち、所定数の発光ダイオードを一群として、複数群から構成される発光ダイオードアレイと、同一の群内の発光ダイオードの一導電型半導体層に個別電極を接続し、異なる群に属する所定番目に配置された発光ダイオードの逆導電型半導体層に共通電極に接続した発光ダイオードアレイ装置である。   In the present invention, among a plurality of arranged light emitting diodes, a predetermined number of light emitting diodes are grouped, a light emitting diode array composed of a plurality of groups, and an individual electrode on one conductive semiconductor layer of the light emitting diodes in the same group Are connected to a common electrode in a reverse conductivity type semiconductor layer of a light emitting diode arranged in a predetermined position belonging to a different group.

共通電極は、発光ダイオードの配列方向に概略平行に延びる第１の共通電極及び該第１の共通電極の一部から各異なる群に属する同一番目に配置された発光ダイオードの逆導電型半導体層に接続する第２の共通電極とから構成されている。そして、第１の共通電極に接続する共通電極側接続パッド及び個別電極に接続する個別電極側接続パッドがそれぞれ、個別電極形成領域に配置されている。   The common electrode includes a first common electrode extending substantially parallel to the arrangement direction of the light emitting diodes, and a reverse conductive semiconductor layer of the light emitting diodes disposed in the same order belonging to different groups from a part of the first common electrode. And a second common electrode to be connected. A common electrode side connection pad connected to the first common electrode and an individual electrode side connection pad connected to the individual electrode are arranged in the individual electrode formation region.

この第１の共通電極についていえば、発光ダイオードに直接接続することがなく、金属−半導体のオーミック接触性を全く考慮することなく、その材料を配線抵抗のみを考慮して選択することができる。また、この第1の共通電極は、複数の発光ダイオードアレイの配列方向に略平行に延び、しかも、実質的には発光ダイオードの配列されている略幅に渡って形成されている。しかも、この第１の共通電極は、高抵抗基板の表面に形成された第１の絶縁膜を介して形成されることになり、非常に導体長が長い電極であっても，その形成を平坦な表面に形成するができ、第１の共通電極を安定、均一に形成することができる。   Regarding the first common electrode, the material can be selected in consideration of only the wiring resistance without being directly connected to the light emitting diode and without considering the ohmic contact property of the metal-semiconductor. The first common electrode extends substantially in parallel to the arrangement direction of the plurality of light emitting diode arrays, and is formed substantially over the substantially width in which the light emitting diodes are arranged. In addition, the first common electrode is formed via the first insulating film formed on the surface of the high resistance substrate, and even if the electrode has a very long conductor length, the formation is flat. The first common electrode can be formed stably and uniformly.

このため、第１の共通電極は材料からしても、また、構造からしても、複数の第１の共通電極をすべて同じ状態で形成できるため、安定した導体膜であり、且つ電極抵抗も大きくなることがない。これにより、第１の共通電極の抵抗バラツキを有効に抑えることができ、発光ダイオードの安定した発光動作を行うことができる。   Therefore, even if the first common electrode is made of a material or a structure, the plurality of first common electrodes can all be formed in the same state, so that the first common electrode is a stable conductor film and has an electrode resistance. It will not grow. Thereby, the resistance variation of the 1st common electrode can be suppressed effectively, and the stable light emission operation of a light emitting diode can be performed.

しかし、発光ダイオードから第１の共通電極への接続は、各群のいずれの発光ダイオードについても、第２の共通電極から第１の共通電極への１個所の接続のみ行われるため、全体として接続部を数も減少させることができる。   However, the connection from the light emitting diode to the first common electrode is made as a whole because only one connection from the second common electrode to the first common electrode is performed for any light emitting diode in each group. The number of parts can be reduced.

従って、各共通電極における電極抵抗のバラツキを小さくでき、発光ダイオードでの発光バラツキを改善できる。また、共通電極を電極が要求される抵抗特性と、半導体と接続する金属−半導体のオーミック接触性とを両立させることができ、また、導体長さの長い第１の共通電極を低抵抗とすることも容易となり、これによっても、発光ダイオードでの発光バラツキを改善できる。   Therefore, variation in electrode resistance in each common electrode can be reduced, and variation in light emission in the light emitting diode can be improved. In addition, it is possible to achieve both the resistance characteristics of the common electrode required for the electrode and the ohmic contact property of the metal-semiconductor connected to the semiconductor, and the first common electrode having a long conductor length has a low resistance. This also makes it possible to improve the light emission variation in the light emitting diode.

さらに、上述のように共通電極側接続パッドは、発光ダイオードの配列領域を挟んで設けられる個別共通電極形成領域に、個別電極側接続パッドに並んで形成されている。即ち、共通電極が形成された共通電極形成領域から個別電極形成領域に、発光素子群との境界部分に形成された引出し電極によって接続されている。   Furthermore, as described above, the common electrode side connection pad is formed in the individual common electrode formation region provided across the array region of the light emitting diodes, alongside the individual electrode side connection pad. That is, the common electrode formation region where the common electrode is formed is connected to the individual electrode formation region by the extraction electrode formed at the boundary portion with the light emitting element group.

これにより、外部の駆動回路との接続、例えばボンディングワイヤの融着接合が、高抵抗基板の一方端部側である個別電極形成領域のみで行われるため、その接合作業が非常に簡単となり、発光ダイオードアレイ装置と駆動回路との接合が安定する。   As a result, connection with an external drive circuit, for example, fusion bonding of bonding wires, is performed only in the individual electrode formation region on one end side of the high-resistance substrate, so that the bonding operation becomes very simple and light emission The junction between the diode array device and the drive circuit is stabilized.

これは、ボンィングワイヤに限らず、例えば接続パッドに銀粉末を含有する導電性ペーストを塗布して、この銀バンプと外部の駆動回路とを接続する場合においても、上述の導電性ペーストの塗布が高抵抗基板の一方端部側である個別電極形成領域のみで行われるので、その接合作業が非常に簡単となる。   This is not limited to bonding wires. For example, even when a conductive paste containing silver powder is applied to a connection pad and this silver bump is connected to an external drive circuit, the above-described conductive paste is applied. Is performed only in the individual electrode forming region on one end side of the high-resistance substrate, so that the joining operation becomes very simple.

また、このような発光ダイオードアレイ装置を安定した接合状態で駆動回路に接続して、発光制御して発光動作させることにより、ページプリンタ用感光ドラムにバラツキの少ない露光用光源となり、その結果、該ドラム表面に安定した画像を形成することができ、高い品位の印字が可能となる。   In addition, by connecting such a light emitting diode array device to a drive circuit in a stable bonding state and performing light emission operation by controlling light emission, the photosensitive drum for page printer becomes an exposure light source with less variation. A stable image can be formed on the drum surface, and high-quality printing becomes possible.

以下、本発明の発光ダイオードアレイ装置を図面に基づき詳細に説明する。   Hereinafter, a light emitting diode array device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１〜図３は本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の一実施形態を示し、図１は本発明の横断面図であり、図２は、発光ダイオード（発光素子部）の要部拡大の断面図であり、図３は発光ダイオードアレイ装置の平面である。なお、図４は第１の共通電極と第２の共通電極との関係を明瞭にした平面図である。 1 to 3 show one embodiment of a light-emitting diode array device according to the present invention, FIG. 1 is a cross-sectional view of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the light-emitting diode (light-emitting element portion). FIG. 3 is a plan view of the light emitting diode array device. FIG. 4 is a plan view illustrating the relationship between the first common electrode and the second common electrode.

図において、１は高抵抗基板であり、１０は発光ダイオード素子であり、２は発光ダイオード１０を構成する一導電型半導体層であり、３は発光ダイオード１０を構成する逆導電型半導体層であり、４は個別電極であり、５０は共通電極であり、５は第１の共通電極であり、６は第２の共通電極であり、７は高抵抗基板１の表面に形成された第１の絶縁膜であり、８は第１の共通電極５上に被着された第２の絶縁膜であり、本発明でいう絶縁膜とはこの第２の絶縁膜８を指す。   In the figure, 1 is a high-resistance substrate, 10 is a light-emitting diode element, 2 is a one-conductivity-type semiconductor layer constituting the light-emitting diode 10, and 3 is a reverse-conductivity-type semiconductor layer constituting the light-emitting diode 10. 4 is an individual electrode, 50 is a common electrode, 5 is a first common electrode, 6 is a second common electrode, and 7 is a first electrode formed on the surface of the high-resistance substrate 1. An insulating film 8 is a second insulating film deposited on the first common electrode 5, and the insulating film referred to in the present invention refers to the second insulating film 8.

高抵抗基板１は、たとえばシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板やサファイア（Ａｌ2Ｏ3）などの単結晶絶縁基板である。例えば、単結晶半導体基板の場合においては、（１００）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板などが好適に用いられる。サファイアの場合においては、Ｃ面基板が好適である。 The high resistance substrate 1 is, for example, a single crystal semiconductor substrate such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs), or a single crystal insulating substrate such as sapphire (Al 2 O 3 ). For example, in the case of a single crystal semiconductor substrate, a substrate with the (100) plane turned off by 2 to 7 ° in the <011> direction is preferably used. In the case of sapphire, a C-plane substrate is preferred.

この高抵抗基板１上の表面中央部領域に、複数の発光ダイオード１０が１列に複数配列されて形成されている。また、基板１上には、この発光ダイオード１０が配列された領域Ｌを挟んで、主に個別電極が形成される個別電極形成領域Ｓと、主に共通電極が形成される共通電極形成領域Ｃを有している。   A plurality of light emitting diodes 10 are arranged in a row in the central region on the surface of the high resistance substrate 1. In addition, on the substrate 1, across the region L where the light emitting diodes 10 are arranged, an individual electrode formation region S in which individual electrodes are mainly formed, and a common electrode formation region C in which common electrodes are mainly formed. have.

この発光ダイオードの主要部分の構成は、一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３から構成されている。   The main part of the light emitting diode is composed of a one-conductivity-type semiconductor layer 2 and a reverse-conductivity-type semiconductor layer 3.

一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃで構成される。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μｍ程度の厚みに形成され、電子の注入層２ｃは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ層２ａとオーミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素などで形成され、電子の注入層２ｃはアルミニウムガリウム砒素などで形成される。また、オーミックコンタクト層２ｂはシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、電子の注入層２ｃはシリコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。 The one conductivity type semiconductor layer 2 includes a buffer layer 2a, an ohmic contact layer 2b, and an electron injection layer 2c. The buffer layer 2a is formed to a thickness of about 2 to 4 μm, the ohmic contact layer 2b is formed to a thickness of about 0.1 to 1.0 μm, and the electron injection layer 2c is formed to a thickness of about 0.2 to 0.4 μm. It is formed. The buffer layer 2a and the ohmic contact layer 2b are formed of gallium arsenide or the like, and the electron injection layer 2c is formed of aluminum gallium arsenide or the like. The ohmic contact layer 2b contains about 1 × 10 16 to 10 19 atoms / cm 3 of one conductivity type semiconductor impurity such as silicon, and the electron injection layer 2c contains 1 × 10 16 one conductivity type semiconductor impurity such as silicon. About 10 19 atoms / cm 3 .

バッファ層２ａは高抵抗基板１と半導体層との格子定数の不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設けるものであり、半導体不純物を含有させる必要はない。   The buffer layer 2a is provided in order to prevent misfit dislocations based on lattice constant mismatch between the high resistance substrate 1 and the semiconductor layer, and does not need to contain semiconductor impurities.

この一導電型半導体層２のオーミックコンタクト層２ｂには、共通電極５０が接続される。   A common electrode 50 is connected to the ohmic contact layer 2 b of the one conductivity type semiconductor layer 2.

また、逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２のクラッド層３ｂおよび第２のオーミックコンタクト層３ｃで構成される。   The reverse conductivity type semiconductor layer 3 includes a light emitting layer 3a, a second cladding layer 3b, and a second ohmic contact layer 3c.

発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層３ｃは膜厚ｄ＞（０．１５μｍ−オーミックコンタクト層膜厚）程度の厚みに形成される。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂはアルミニウムガリウム砒素などから成り、第２のオーミックコンタクト層３ｃはガリウム砒素などから成る。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは、電子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、第２のオーミックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を１×１０19〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。 The light emitting layer 3a and the second cladding layer 3b are formed to a thickness of about 0.2 to 0.4 μm, and the ohmic contact layer 3c is formed to a thickness of about thickness d> (0.15 μm−ohmic contact layer thickness). Is done. The light emitting layer 3a and the second cladding layer 3b are made of aluminum gallium arsenide or the like, and the second ohmic contact layer 3c is made of gallium arsenide or the like. The light emitting layer 3a and the second cladding layer 3b have different mixed crystal ratios of aluminum arsenide (AlAs) and gallium arsenide (GaAs) in consideration of the electron confinement effect and the light extraction effect. The light emitting layer 3a and the second cladding layer 3b contain about 1 × 10 16 to 10 21 atoms / cm 3 of a reverse conductivity type semiconductor impurity such as zinc (Zn), and the second ohmic contact layer 3c is a reverse layer of zinc or the like. About 1 × 10 19 to 10 21 atoms / cm 3 of conductive semiconductor impurities are contained.

この逆導電型半導体層３の第２のオーミックコンタクト層３ｃには、個別電極４が接続される。   The individual electrode 4 is connected to the second ohmic contact layer 3 c of the reverse conductivity type semiconductor layer 3.

また、高抵抗基板１の共通電極形成領域Ｃ及び個別電極形成領域Ｓの大部分の領域には、第１の絶縁膜７が形成されている。   A first insulating film 7 is formed in most of the common electrode formation region C and the individual electrode formation region S of the high resistance substrate 1.

第１の絶縁膜７は、酸化シリコンや窒化シリコンなどが例示できる。基板材料がシリコンである場合、基板表面の熱酸化処理により形成できる。また、その他の基板材料の場合に、シランガス（ＳｉＨ4）や必要に応じてアンモニアガス（ＮＨ3）を用いてプラズマＣＶＤ法などによって被着形成する。 Examples of the first insulating film 7 include silicon oxide and silicon nitride. When the substrate material is silicon, it can be formed by thermal oxidation treatment of the substrate surface. In the case of other substrate materials, deposition is performed by a plasma CVD method using silane gas (SiH 4 ) or, if necessary, ammonia gas (NH 3 ).

共通電極５０を構成する第１の共通電極５は、高抵抗基板１の共通電極側領域Ｃの第１の絶縁膜７上に形成される。この第１の共通電極５は、発光ダイオード１０の配列方向に略平行に形成され、その長さは、実質的には、発光ダイオード１０の配列の幅と同等の長さを有している。また、この第１の共通電極は、発光ダイオード１０の駆動の単位である発光素子群を構成する発光ダイオードの構成数（Ｎ）と同一の数だけ形成される。   The first common electrode 5 constituting the common electrode 50 is formed on the first insulating film 7 in the common electrode side region C of the high resistance substrate 1. The first common electrode 5 is formed substantially parallel to the arrangement direction of the light emitting diodes 10, and the length thereof is substantially equal to the width of the arrangement of the light emitting diodes 10. Further, the first common electrode is formed in the same number as the number (N) of the light emitting diodes constituting the light emitting element group which is a unit for driving the light emitting diode 10.

第１の共通電極５は、高抵抗基板１上に形成した平坦な面を有する第１の絶縁膜７上に、例えば、下地導体膜としてＣｒを１５０Å以上形成した後、アルミニウム／金などの順次積層た多層構成などが例示できる。その厚みが例えば１μｍである。なお、下地導体膜を省略して金／クロム（Ａｕ／Ｃｒ）、アルミニウム／クロム（Ａｌ／Ｃｒ）の多層層構造であってもよい。   The first common electrode 5 is formed on the first insulating film 7 having a flat surface formed on the high-resistance substrate 1, for example, by forming 150 nm or more of Cr as a base conductor film, and then sequentially forming aluminum / gold or the like. A laminated multilayer structure can be exemplified. The thickness is, for example, 1 μm. The base conductor film may be omitted, and a multilayer structure of gold / chromium (Au / Cr) or aluminum / chromium (Al / Cr) may be used.

この第１の共通電極５は、発光ダイオード１０の配列幅にわたり、比較的長く形成されているものの、その下面には、平坦な高抵抗基板１の表面に形成された第１の絶縁膜に形成される。即ち、基板の複雑な構造や導体膜がない状態でないため、第１の絶縁膜７の表面が非常に平坦化された表面となり、この平坦な表面に第１の共通電極５を形成されるため、複数の第１の共通電極５において構造的に均一化を図ることができる。また、材料も金を含む非常に良好な導電材料を用いているため、その抵抗のバラツキも抑えることができる。   Although the first common electrode 5 is formed to be relatively long over the arrangement width of the light emitting diodes 10, the first common electrode 5 is formed on the lower surface of the first insulating film formed on the surface of the flat high-resistance substrate 1. Is done. That is, since there is no complicated structure of the substrate and no conductor film, the surface of the first insulating film 7 becomes a very flat surface, and the first common electrode 5 is formed on this flat surface. Further, the plurality of first common electrodes 5 can be structurally uniform. Further, since a very good conductive material including gold is used as the material, variation in resistance can be suppressed.

第２の絶縁膜８は、共通電極形成領域Ｃ、個別電極形成領域Ｓの一部、さらには、発光ダイオードの一部に形成されるものであり、例えば透明な材料で構成される。具体的には、ポリイミド合成樹脂、感光性樹脂、窒化シリコン、酸化シリコン、ポリイミドシリコンなどから成る材料などが例示できる。この第2の絶縁膜8の厚みは２０００〜２００００Å程度に形成する。   The second insulating film 8 is formed on the common electrode forming region C, a part of the individual electrode forming region S, and further on a part of the light emitting diode, and is made of, for example, a transparent material. Specific examples include materials made of polyimide synthetic resin, photosensitive resin, silicon nitride, silicon oxide, polyimide silicon, and the like. The thickness of the second insulating film 8 is about 2000 to 20000 mm.

この第２の絶縁膜８は、発光ダイオード１０において、少なくともオーミックコンタクト層２ｂ、３ｃを露出するように形成され、さらに、共通電極形成領域Ｃには、２種類の開口（コンタクトホール９、１０）が形成されている。   The second insulating film 8 is formed in the light emitting diode 10 so as to expose at least the ohmic contact layers 2b and 3c. Further, two types of openings (contact holes 9, 10) are formed in the common electrode formation region C. Is formed.

コンタクトホール９は、発光ダイオードのオーミックコンタクト層２ｂと第１の共通電極５を接続する第２の共通電極６が、安定して所定第１の共通電極５に接続するように形成されるものであり、例えば、所定第１の共通電極５の一部を露出するように形成されている。   The contact hole 9 is formed so that the second common electrode 6 that connects the ohmic contact layer 2 b of the light emitting diode and the first common electrode 5 is stably connected to the predetermined first common electrode 5. For example, it is formed so that a part of the predetermined first common electrode 5 is exposed.

また，コンタクホール１０は、共通電極側接続パッド１２と所定第１の共通電極５を接続する引出し電極１３が、安定して所定第１の共通電極５に接続するように形成されるものである。   The contact hole 10 is formed such that the extraction electrode 13 that connects the common electrode side connection pad 12 and the predetermined first common electrode 5 is stably connected to the predetermined first common electrode 5. .

このような第２の絶縁膜８は、例えば高抵抗基板１の上面に、第２の絶縁膜８となるポリイミド合成樹脂、感光性樹脂、窒化シリコン、酸化シリコン、ポリイミドシリコンなどを被着形成し、その後フォトグラフィ技術を利用して、コンタクトホール９、１０や一導電型半導体層２のオーミックコンタクト層２ｂ、逆導電型半導体層３のオーミックコンタクト層３ｃが露出すようにエッチング処理されて形成されるものである。 Such a second insulating film 8 is formed by depositing, for example, a polyimide synthetic resin, a photosensitive resin, silicon nitride, silicon oxide, polyimide silicon, or the like, which will be the second insulating film 8, on the upper surface of the high resistance substrate 1. Then, using the photolithography technique, the contact holes 9 and 10, the ohmic contact layer 2 b of the one conductivity type semiconductor layer 2, and the ohmic contact layer 3 c of the reverse conductivity type semiconductor layer 3 are etched and formed. Is.

ここで、コンタクトホール９は、１つの発光素子群の幅に対応する領域に、Ｎ個の第１の共通電極５を順次露出するように形成されている。図３においては、最も右側（右側かち奇数番目）の発光素子群に対応するＮ個のコンタクトホール９は、右肩下がりに配列されて形成され、右から２番目（右から偶数番目）の発光素子群に対応するＮ個のコンタクトホール９は、右肩上がりに配列されて形成されている。その結果、第２番目の発光素子群と、第３番目の発光素子群と範囲に対応する共通電極形成領域Ｃには、比較的広い第２の絶縁膜の領域が形成されることになる。   Here, the contact hole 9 is formed so as to sequentially expose the N first common electrodes 5 in a region corresponding to the width of one light emitting element group. In FIG. 3, N contact holes 9 corresponding to the rightmost (odd number on the right side) light emitting element group are formed so as to be inclined downward to the right, and the second light emission from the right (even number from the right). N contact holes 9 corresponding to the element group are formed so as to rise to the right. As a result, a relatively wide second insulating film region is formed in the second light emitting element group and the common electrode forming region C corresponding to the third light emitting element group and the range.

コンタクトホール１０は、Ｍ群の発光素子群の幅（アレイの全幅）に対応する領域に、Ｎ個の第１の共通電極５のいずれかを露出するように形成されている。図３においては、右側から１番目の発光素子群と右側から２番目の発光素子群との間に、右側から２数番目の発光素子群と右側から３番目の発光素子群との間に、・・・にそれぞれ形成されている。   The contact hole 10 is formed so as to expose one of the N first common electrodes 5 in a region corresponding to the width of the M light emitting element group (the entire width of the array). In FIG. 3, between the first light emitting element group from the right side and the second light emitting element group from the right side, between the second several light emitting element groups from the right side and the third light emitting element group from the right side, Are formed respectively.

また、高抵抗基板１の個別電極形成領域Ｓには、複数の個別電極４が形成されている１つの個別電極４は、１つの発光素子群を成す例えば８つ個の発光素子に共通的に接続するように、例えば櫛形状に形成される。即ち、個別電極４は、発光素子群の数Ｍに対応する数だけ形成されている。この個別電極４は、第２の絶縁膜８上に形成され、発光ダイオード１０の逆導電型半導体層３ｃに接続される。   In addition, in the individual electrode forming region S of the high resistance substrate 1, one individual electrode 4 in which a plurality of individual electrodes 4 are formed is common to, for example, eight light emitting elements forming one light emitting element group. For example, it is formed in a comb shape so as to be connected. That is, the individual electrodes 4 are formed in a number corresponding to the number M of light emitting element groups. The individual electrode 4 is formed on the second insulating film 8 and connected to the reverse conductivity type semiconductor layer 3 c of the light emitting diode 10.

また、各個別電極４は、個別電極側接続パッド１１を有している。また、個別電極側接続パッド１１も第２の絶縁膜８に形成されている。なお、個別電極側接続パッド１１と外部駆動回路との接続手法によっては、第２の絶縁膜８が除外されて第１の絶縁膜７上に形成してもよい。   Each individual electrode 4 has an individual electrode side connection pad 11. The individual electrode side connection pads 11 are also formed on the second insulating film 8. Depending on the connection method between the individual electrode side connection pad 11 and the external drive circuit, the second insulating film 8 may be excluded and formed on the first insulating film 7.

高抵抗基板１の共通電極形成領域Ｃには、複数の第２の共通電極６が形成されている。１つの第２の共通電極６は、１つの発光ダイオードの一導電型半導体層２のオーミックコンタクト層２ｂから所定のコンタクホール９から露出する第１の共通電極５を接続するために形成されている。即ち、第１の共通電極５は、発光ダイオード１０の配列方向に平行に延びているが、第２の共通電極６は、それと直交する方向に形成されている。   A plurality of second common electrodes 6 are formed in the common electrode formation region C of the high resistance substrate 1. One second common electrode 6 is formed to connect the first common electrode 5 exposed from a predetermined contact hole 9 from the ohmic contact layer 2b of the one-conductive semiconductor layer 2 of one light emitting diode. . That is, the first common electrode 5 extends in parallel with the arrangement direction of the light emitting diodes 10, but the second common electrode 6 is formed in a direction orthogonal to the first common electrode 5.

これより、発光素子群を構成するＮ個の発光ダイオード１０は、それぞれ異なる第１の共通電極５に接続することになる。   Thus, the N light emitting diodes 10 constituting the light emitting element group are connected to different first common electrodes 5.

また、各第１の共通電極５には、それぞれ１つの共通電極側接続パッド１２に接続されている。この共通電極側接続パッド１２は、例えば個別電極形成領域Ｓ側に形成されている。そして、この共通電極側接続パッド１２と所定の第１の共通電極５は、引出し電極１３によってコンタクトホール１０を介して接続されている。なお、共通電極側接続パッド１２も第２の絶縁膜８に形成されているが、虚通電極側接続パッド１２と外部の駆動回路との接続手法によっては、第２の絶縁膜８が除外されて第１の絶縁膜７上に形成してもよい。   Each first common electrode 5 is connected to one common electrode side connection pad 12. The common electrode side connection pad 12 is formed, for example, on the individual electrode formation region S side. The common electrode side connection pad 12 and the predetermined first common electrode 5 are connected via the contact hole 10 by the lead electrode 13. Although the common electrode side connection pad 12 is also formed in the second insulating film 8, the second insulating film 8 is excluded depending on the connection method between the virtual electrode side connection pad 12 and an external drive circuit. It may be formed on the first insulating film 7.

また、この引出し電極１３は、各発光素子群との境界部分の間隙に、第２の絶縁膜８上に形成されている。これにより、共通電極形成領域Ｃに形成されたコンタクトホール１０と個別電極形成領域Ｓに形成された共通電極側接続パッド１２とが引出し電極１３が接続されている。    Further, the extraction electrode 13 is formed on the second insulating film 8 in a gap at a boundary portion with each light emitting element group. As a result, the lead electrode 13 is connected to the contact hole 10 formed in the common electrode formation region C and the common electrode side connection pad 12 formed in the individual electrode formation region S.

この第２の共通電極６や個別電極４は、オーミックコンタクト層２ｂ、３ｃに接触する電極である。このため、金／金・ゲルマニウム／クロム（Ａｕ／ＡｕＧｅ／Ｃｒ）などのから成る多層構造となっており、その厚み１μｍ程度以下に形成される。なお、この多層構造の材料を熱処理を加えて、Geを半導体層に拡散処理している。   The second common electrode 6 and the individual electrode 4 are electrodes that are in contact with the ohmic contact layers 2b and 3c. For this reason, it has a multilayer structure made of gold / gold / germanium / chromium (Au / AuGe / Cr) or the like, and is formed with a thickness of about 1 μm or less. Note that this multilayer material is subjected to heat treatment to diffuse Ge into the semiconductor layer.

なお、引出し電極１３は、第２の共通電極６、個別電極４と同一工程で形成することが望ましいが、金属−半導体オーミック接触性を考慮することなく、良導電体材料を用いて構わない。また、接続パッド１１、１２の上面にも、引出し電極１３と同一の良導電体材料を被着形成してもよい。   The extraction electrode 13 is preferably formed in the same process as the second common electrode 6 and the individual electrode 4, but a good conductor material may be used without considering metal-semiconductor ohmic contact. Further, the same conductive material as that of the extraction electrode 13 may be deposited on the upper surfaces of the connection pads 11 and 12.

以上の構成した発光ダイオードアレイ装置では、高抵抗基板１の共通電極形成領域Ｃでは、高抵抗基板１上に第１の絶縁膜７が形成され、さらに、第１の共通電極５が形成され、さらに、第１の共通電極５上には第２の絶縁膜８が形成されおり、第２の絶縁膜８を介して第２の共通電極６または引出し電極１３が形成ささている構造である。   In the light emitting diode array device configured as described above, in the common electrode formation region C of the high resistance substrate 1, the first insulating film 7 is formed on the high resistance substrate 1, and the first common electrode 5 is further formed. Further, a second insulating film 8 is formed on the first common electrode 5, and the second common electrode 6 or the extraction electrode 13 is formed via the second insulating film 8.

また、高抵抗基板１の個別電極形成領域Ｓでは、高抵抗基板１上に第１の絶縁膜７、第２の絶縁膜８が形成されており、この第２の絶縁膜８上に個別電極４、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２、引出し電極１３が形成されている。なお、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２の直下においては、第２の絶縁膜８を省略してもよい。   In the individual electrode formation region S of the high resistance substrate 1, the first insulating film 7 and the second insulating film 8 are formed on the high resistance substrate 1, and the individual electrodes are formed on the second insulating film 8. 4, an individual electrode side connection pad 11, a common electrode side connection pad 12, and a lead electrode 13 are formed. Note that the second insulating film 8 may be omitted immediately below the individual electrode side connection pad 11 and the common electrode side connection pad 12.

次に、図３、図４を用いて、発光ダイオードアレイ装置の電極及び接続パッド構造を詳細に説明する。   Next, the electrode and connection pad structure of the light-emitting diode array device will be described in detail with reference to FIGS.

上述の構成の発光ダイオードは、複数アレイ状に配置され、例えば、隣接するＮ個（図３、図４では８個）の発光ダイオード（素子）が１つの群として取り扱われる。図３、図４では、右側からは第１の群から第４群までの３２（８素子×４群）素子が示されているが、全体としては、Ｍ群の発光素子群を有している。   The light emitting diodes having the above-described configuration are arranged in a plurality of arrays, and for example, adjacent N light emitting diodes (elements in FIG. 3 and FIG. 4) are handled as one group. 3 and 4, 32 (8 elements × 4 groups) elements from the first group to the fourth group are shown from the right side, but as a whole, there are M light emitting element groups. Yes.

図３、図４に示す高抵抗基板１の図の下側領域である個別電極形成領域Ｓには、１つの発光素子群を成す８つ個の発光素子に共通的に接続するように、例えば櫛形状の個別電極４が形成されている。そして、この櫛状の個別電極４には個別電極側接続パッド１１が１つ形成さている。なお、隣接する群も個別電極４の構成は同様となっている。   For example, the individual electrode forming region S, which is the lower region of the high resistance substrate 1 shown in FIGS. 3 and 4, is commonly connected to eight light emitting elements forming one light emitting element group. Comb-shaped individual electrodes 4 are formed. The comb-like individual electrode 4 is provided with one individual electrode-side connection pad 11. In addition, the structure of the individual electrode 4 is the same also in the adjacent group.

つぎに、共通電極５０について言えば、第１の共通電極５と第２の共通電極６とか構成されているが、図４に示すように、第１の共通電極５は、発光ダイオードの配列方向と平行に延びるように形成されている。第１の共通電極５は、例えば発光素子群の群数Ｍに係わらず、１つの発光素子群を構成する発光ダイオード１０の数Ｎ（図ではＮ＝８）に相当する数だけ形成されている。この例では第１の共通電極５は８つの電極で構成されている。また、第２の共通電極６は、各発光ダイオードと第１の共通電極５とを接続するものであり、各発光ダイオードから第１の共通電極５のいずれかに接続するように発光ダイオードの配列方向と直交する方向に延びて形成されている。そして、第２の共通電極６の一端は１つの発光タダイオードの一導電型半導体層２のオーミックコンタクト層２ｂに重畳接続し、他端はコンタクトホール９を介して所定第１の共通電極５の一部に重畳接続する。即ち、第２の共通電極６は発光素子群１つから素子数Ｎ（例ではＮ＝８）だけ延びており、全体として、Ｎ素子×Ｍ群だけ形成されている。   Next, as for the common electrode 50, the first common electrode 5 and the second common electrode 6 are configured. As shown in FIG. 4, the first common electrode 5 is arranged in the arrangement direction of the light emitting diodes. Are formed so as to extend in parallel with each other. The first common electrode 5 is formed in a number corresponding to the number N (N = 8 in the figure) of the light emitting diodes 10 constituting one light emitting element group, for example, regardless of the number M of light emitting element groups. . In this example, the first common electrode 5 is composed of eight electrodes. The second common electrode 6 connects each light emitting diode and the first common electrode 5, and the light emitting diode array is connected so as to connect from each light emitting diode to one of the first common electrodes 5. It extends in a direction perpendicular to the direction. One end of the second common electrode 6 is overlapped with the ohmic contact layer 2b of the one-conductive semiconductor layer 2 of one light emitting diode, and the other end of the second common electrode 6 is connected to the predetermined first common electrode 5 through the contact hole 9. Connect to some parts. That is, the second common electrode 6 extends from one light emitting element group by the number N of elements (N = 8 in the example), and is formed as N elements × M groups as a whole.

ここで、第１の共通電極５に関しては、例えば８つの第１の共通電極を区別するためには、発光ダイオードアレイに近い側から符号５ａ、５ｂ、５ｃ・・５ｈ（例では１発光素子群が８素子で構成されているためＮ＝８、最終符号は５ｈとなる）で示す。また、第２の共通電極６に関しては、例えば最も右側の発光素子群を構成する発光ダイオードで、第１の共通電極５ａに接続する第２の共通電極を符号６１ａ、そのコンタンクトホール９１ａ、第１の共通電極５ｂに接続する第２の共通電極を符号６１ｂ、そのコンタンクトホール９１ｂ、・・・・・第１の共通電極５ｈに接続する第２の共通電極を符号６１ｈ、そのコンタンクトホール９１ｈと示し、右側から２番目の発光素子群を構成する発光ダイオード１０で第１の共通電極５ａに接続する第２の共通電極を符号６２ａ、そのコンタンクトホール９２ａ、第１の共通電極５ｂに接続する第２の共通電極を符号６２ｂ、そのコンタンクトホール９２ｂ、・・・・・第１の共通電極５ｈに接続する第２の共通電極を符号６２ｈ、そのコンタンクトホール９２ｈと示す。   Here, with respect to the first common electrode 5, for example, in order to distinguish eight first common electrodes, reference numerals 5a, 5b, 5c,... 5h (in the example, one light emitting element group) from the side closer to the light emitting diode array. Is composed of 8 elements, N = 8 and the final code is 5h). For the second common electrode 6, for example, a light-emitting diode that constitutes the rightmost light-emitting element group, the second common electrode connected to the first common electrode 5a is denoted by reference numeral 61a, its contant hole 91a, The second common electrode connected to one common electrode 5b is denoted by reference numeral 61b, its contact hole 91b,..., The second common electrode connected to the first common electrode 5h is denoted by reference numeral 61h, and its contact hole. The second common electrode connected to the first common electrode 5a by the light-emitting diode 10 constituting the second light-emitting element group from the right side is denoted by reference numeral 62a, its contact hole 92a, and the first common electrode 5b. The second common electrode to be connected is denoted by reference numeral 62b, its contact hole 92b,..., The second common electrode connected to the first common electrode 5h is denoted by reference numeral 62h, its contour Kutohoru 92h to show.

この図３、図４で、右側から第１番目、３番目、５番目・・・（奇数番目）の発光素子群の発光ダイオードで、第２の共通電極を介して第１の共通電極５ａに接続する発光ダイオードは、発光素子群中最も右側に形成されものであり、第１の共通電極５ｈに接続する発光ダイオードは、発光素子群中最も左側に形成されものであり、右側から第２番目、４番目、６番目・・・（偶数番目）発光素子群の発光ダイオードで、第２の共通電極を介して第１の共通電極５ａに接続する発光ダイオードは、発光素子群中最も左側に形成されものであり、第１の共通電極５ｈに接続する発光ダイオードは、発光素子群中最も右側に形成されものであり、奇数番目の発光素子群と偶数番目の発光素子群と対象に配置されている。   3 and 4, the first, third, fifth,... (Odd-numbered) light-emitting diodes from the right side are connected to the first common electrode 5a via the second common electrode. The light emitting diode to be connected is formed on the rightmost side in the light emitting element group, and the light emitting diode connected to the first common electrode 5h is formed on the leftmost side in the light emitting element group, and is second from the right side. The light-emitting diodes of the fourth, sixth,... (Even-numbered) light-emitting element groups that are connected to the first common electrode 5a via the second common electrode are formed on the leftmost side in the light-emitting element group. The light-emitting diode connected to the first common electrode 5h is formed on the rightmost side in the light-emitting element group, and is arranged for the odd-numbered light-emitting element group and the even-numbered light-emitting element group. Yes.

また、第１の共通電極５ａの一部は、共通電極側接続パッド１２ａに接続されており、第１の共通電極５ｂの一部は共通電極側接続パッド１２ｂに接続されており、・・・第１の共通電極５ｈの一部は共通電極側接続パッド１２ｈに接続されている。   Further, a part of the first common electrode 5a is connected to the common electrode side connection pad 12a, a part of the first common electrode 5b is connected to the common electrode side connection pad 12b,... A part of the first common electrode 5h is connected to the common electrode side connection pad 12h.

具体的には、図３、図4では第１の共通電極５ａに接続する共通電極側接続パッド１２ａは、第１番目の発光素子群と第２番目の発光素子群との境界部分を介して、個別電極形成領域Ｓ側に延び、個別電極側接続パッド１１に並設されている。また、第１の共通電極５ｂに接続する共通電極側接続パッド１２ｂは、第２番目の発光素子群と第３番目の発光素子群との境界部分を介して、個別電極形成領域Ｓ側に延び、個別電極側接続パッド１１に並設されている。このとき、第１の共通電極５ａと共通電極側接続パッド１２ａとは、コンタンクホール１０ａ、引出し電極１３を介して行われる。同様に、第１の共通電極５ｂ〜５ｈと共通電極側接続パッド１２ｂ〜１２ｈとは、コンタンクホール１０ｂ〜１０ｈ、引出し電極１３を介して行われる。   Specifically, in FIG. 3 and FIG. 4, the common electrode side connection pad 12a connected to the first common electrode 5a is interposed through the boundary portion between the first light emitting element group and the second light emitting element group. , Extending to the individual electrode formation region S side and arranged in parallel to the individual electrode side connection pads 11. In addition, the common electrode side connection pad 12b connected to the first common electrode 5b extends to the individual electrode formation region S side via a boundary portion between the second light emitting element group and the third light emitting element group. The individual electrode side connection pads 11 are arranged in parallel. At this time, the first common electrode 5 a and the common electrode side connection pad 12 a are performed via the contact hole 10 a and the extraction electrode 13. Similarly, the first common electrodes 5 b to 5 h and the common electrode side connection pads 12 b to 12 h are performed through the contact holes 10 b to 10 h and the extraction electrode 13.

このような接続構造において、各発光素子群に係わらず、各発光タイオードの共通電極５０側においては、第２の共通電極６、コンタンクホール９を介して、所定の第１の共通極５ａ〜５ｈのいずれかに接続し、さらに各第１の共通電極５ａ〜５ｈから１つのコンタンクホール１０ａ〜１０ｈを介して共通電極側接続パッド１２ａ〜１２ｈに接続している。   In such a connection structure, regardless of each light emitting element group, on the common electrode 50 side of each light emitting diode, a predetermined first common electrode 5 a to 5 a is connected via the second common electrode 6 and the contact hole 9. 5h, and further connected to the common electrode side connection pads 12a to 12h from the first common electrodes 5a to 5h via one contact hole 10a to 10h.

このような発光ダイオードアレイ装置は、外部の駆動回路によって、個別電極４と共通電極５０とが同時にと選択された発光ダイオード１０に電圧が印加され、その結果、それに対応する発光ダイオードが発光することになる。   In such a light emitting diode array device, a voltage is applied to the light emitting diode 10 in which the individual electrode 4 and the common electrode 50 are simultaneously selected by an external drive circuit, and as a result, the corresponding light emitting diode emits light. become.

例えば、第１の共通電極５ａに相当する共通電極を選択することにより、発光し得る発光ダイオードは、各発光素子群内で１つの発光ダイオードだけとなる。即ち、図３、図４においては、右側から奇数番目の発光素子群の最も右側の発光ダイオードと、同じく偶数番目の発光素子群の最も左側の発光ダイオードに限られる。   For example, by selecting a common electrode corresponding to the first common electrode 5a, the number of light emitting diodes that can emit light is only one light emitting diode in each light emitting element group. That is, in FIGS. 3 and 4, the rightmost light emitting diode of the odd-numbered light emitting element group from the right side and the leftmost light emitting diode of the even-numbered light emitting element group are limited.

この時、発光素子群に共通的に接続される個別電極４で、どの発光素子群に選択するかによって、選択された発光素子群の上述の発光ダイオード１０に発光に必要な電圧が印加されて発光することになる。   At this time, a voltage necessary for light emission is applied to the light emitting diode 10 of the selected light emitting element group depending on which light emitting element group is selected by the individual electrode 4 commonly connected to the light emitting element group. It will emit light.

このように、第１の共通電極５ａ〜５ｈに相当する共通電極５０のうち、どれの共通電極５０を選択し、個別電極４側でどの発光素子群を選択するかによって、アレイ状に配置された発光ダイオードのうち、どの発光ダイオードを発光させるかを制御できる。   As described above, the common electrodes 50 corresponding to the first common electrodes 5a to 5h are arranged in an array depending on which common electrode 50 is selected and which light emitting element group is selected on the individual electrode 4 side. It is possible to control which of the light emitting diodes emits light.

このように、個別電極４で、発光させるべき対象の発光ダイオードを含む発光素子群を選択し、共通電極５０側の第１の共通電極５ａ〜５ｈを順次選択切り替えてすべての発光ダイオードを独立に制御することができる。   As described above, the light emitting element group including the light emitting diodes to be emitted is selected by the individual electrode 4, and the first common electrodes 5a to 5h on the common electrode 50 side are sequentially selected and switched, and all the light emitting diodes are independently set. Can be controlled.

しかも、発光ダイオードの配列数、即ち、発光されるビット数が６４ｂｉｔ（Ｎ＝８、Ｍ＝８）であっても、１９２ｂｉｔ（Ｎ＝８、Ｍ＝２４）であっても、８つの第１の共通電極で簡単に駆動制御が可能である。この第２の共通電極５の数は、発光素子群を構成する発光ダイオードの数に相当する数で、簡単に発光ダイオードの発光制御が可能である。   Moreover, even if the number of light emitting diodes arranged, that is, the number of emitted bits is 64 bits (N = 8, M = 8) or 192 bits (N = 8, M = 24), The common electrode can easily drive and control. The number of the second common electrodes 5 is the number corresponding to the number of light emitting diodes constituting the light emitting element group, and the light emission control of the light emitting diodes can be easily performed.

なお、この構造は、１系統の駆動回路で発光制御することを前提として説明しているものであり、２系統の駆動回路で制御する場合には、この発光ダイオードアレイ装置を、１つの高抵抗基板１上に並設するようにしても構わない。   This structure is described on the premise that the light emission is controlled by one drive circuit. When the two drive circuits are used, this light-emitting diode array device has one high resistance. It may be arranged side by side on the substrate 1.

このように、本発明の発光ダイオードアレイ装置によれば、複数の発光ダイオードの発生を制御するための個別電極４、共通電極５０の第１の共通電極５、第２の共通電極６とが全く別の構造で形成されており、且つ第１の共通電極５の導体材料と第２の共通電極６とを全く別の材料で構成することができる。例えば第１の共通電極５を、配線抵抗（電極抵抗）を小さくするための構造、材料を容易に選択でき、また、第２の共通電極６を、半導体−金属の接触性を考慮して、また、第１の共通電極５との接続性を考慮して、それぞれの特性が良好にするための構造、材料を選択できる。   As described above, according to the light emitting diode array device of the present invention, the individual electrode 4 for controlling the generation of the plurality of light emitting diodes, the first common electrode 5 of the common electrode 50, and the second common electrode 6 are not at all. The conductor material of the first common electrode 5 and the second common electrode 6 can be made of completely different materials. For example, the structure and material for reducing the wiring resistance (electrode resistance) of the first common electrode 5 can be easily selected, and the second common electrode 6 can be selected in consideration of semiconductor-metal contact. In addition, considering the connectivity with the first common electrode 5, it is possible to select a structure and a material for improving the respective characteristics.

しかも、各発光ダイオード１０から共通電極側接続パッド１２までの接続点、例えばコンタクトホール９、１０の数を、各発光ダイオード１０で均一化することができる。   Moreover, the connection points from each light emitting diode 10 to the common electrode side connection pad 12, for example, the number of contact holes 9, 10 can be made uniform by each light emitting diode 10.

これにより、従来例に示した発光ダイオードアレイ装置に比較して、共通電極側における発光ダイオードから共通電極側接続パッドまでの接続点の数を減少でき、また、目的に応じて導体材料の選択の容易となり、その結果、各発光ダイオードにおける共通電極５の電極抵抗のバラツキが極小化でき、発光バラツキを小さくすることができる。   As a result, the number of connection points from the light emitting diode to the common electrode side connection pad on the common electrode side can be reduced as compared with the light emitting diode array device shown in the conventional example, and the conductor material can be selected according to the purpose. As a result, variation in electrode resistance of the common electrode 5 in each light emitting diode can be minimized, and variation in light emission can be reduced.

また、第１の共通電極５は、発光ダイオードアレイの配列方向に平行に形成され、第２の共通電極６は、各発光ダイオーと第１の共通電極５とを接続するように形成されている。即ち、第２の共通電極６の幅を、実質的に発光ダイオードの幅よりも小さく設計することで、発光ダイオードアレイの配列方向の寸法を極小化することができる。   The first common electrode 5 is formed in parallel with the arrangement direction of the light emitting diode array, and the second common electrode 6 is formed so as to connect each light emitting diode and the first common electrode 5. . That is, by designing the width of the second common electrode 6 to be substantially smaller than the width of the light emitting diode, the dimension in the arrangement direction of the light emitting diode array can be minimized.

さらに、共通電極側接続パッド１２は、発光ダイオード１０の配列領域Ｌを挟んで設けられる個別共通電極形成領域Ｓに形成されている。即ち、共通電極が形成された共通電極形成領域Ｃから個別電極形成領域Ｓに、発光素子群との境界部分に形成された引出し電極１３によって接続され、この個別電極形成領域Ｓには個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２とが並設されている。   Further, the common electrode side connection pad 12 is formed in the individual common electrode formation region S provided with the arrangement region L of the light emitting diodes 10 interposed therebetween. That is, the common electrode formation region C where the common electrode is formed is connected to the individual electrode formation region S by the extraction electrode 13 formed at the boundary portion with the light emitting element group, and this individual electrode formation region S is connected to the individual electrode side. The connection pad 11 and the common electrode side connection pad 12 are juxtaposed.

これにより、外部の駆動回路との接続、例えばボンディングワイヤの融着接合が、高抵抗基板の一方端部側である個別電極形成領域のみで行われるため、その接合作業が非常に簡単となり、発光ダイオードアレイ装置と外部の駆動回路との接合が安定する。   As a result, connection with an external drive circuit, for example, fusion bonding of bonding wires, is performed only in the individual electrode formation region on one end side of the high-resistance substrate, so that the bonding operation becomes very simple and light emission The junction between the diode array device and the external drive circuit is stabilized.

これは、ボンィングワイヤに限らず、例えば接続パッドに銀粉末を含有する導電性ペーストを塗布して、この銀バンプと外部の駆動回路とを接続する場合においても、上述の導電性ペーストの塗布が高抵抗基板の一方端部側である個別電極形成領域のみで行われるので、その接合作業が非常に簡単となる。   This is not limited to bonding wires. For example, even when a conductive paste containing silver powder is applied to a connection pad and this silver bump is connected to an external drive circuit, the above-described conductive paste is applied. Is performed only in the individual electrode forming region on one end side of the high-resistance substrate, so that the joining operation becomes very simple.

また、共通電極を電極が要求される抵抗特性と、半導体と接続する金属−半導体のオーミック接触性とを両立させることができ、また、導体長さの長い第１の共通電極を低抵抗とすることも容易となり、これによっても、発光ダイオードでの発光バラツキを改善できる。   In addition, it is possible to achieve both the resistance characteristics of the common electrode required for the electrode and the ohmic contact property of the metal-semiconductor connected to the semiconductor, and the first common electrode having a long conductor length has a low resistance. This also makes it possible to improve the light emission variation in the light emitting diode.

このよう発光ダイオードアレイ装置は、ＬＥＤプリンタの露光用光源として用いられる。即ち、ＬＥＤプリンタは、その主要部分の構成は、ページプリンタ用感光ドラム、この感光体ドラム上に画像を形成するための露光光源手段である発光ダイオードアレイ装置、このプリントすべき画像情報、感光体ドラムの回転測度に応じて、発光させるべき発光ダイオードの駆動を制御する駆動回路と、ドラムに電荷を印加または除去する手段、トナーを供給する手段、ドラム上に付着するトナーを記録媒体に転写する転写手段、記録媒体に転写したトナーを定着する定着手段、記録媒体を搬送する搬送手段、ドラム上の不要なトナーを除去するクリーニング手段とから構成されている。   Such a light-emitting diode array device is used as an exposure light source for an LED printer. That is, the main part of the LED printer is composed of a photosensitive drum for a page printer, a light emitting diode array device as an exposure light source means for forming an image on the photosensitive drum, image information to be printed, a photosensitive member. A drive circuit that controls the drive of a light emitting diode to emit light according to the rotation measurement of the drum, a means for applying or removing charges to the drum, a means for supplying toner, and a toner adhering to the drum is transferred to a recording medium The image forming apparatus includes a transfer unit, a fixing unit that fixes the toner transferred to the recording medium, a conveying unit that conveys the recording medium, and a cleaning unit that removes unnecessary toner on the drum.

このようなＬＥＤプリンタにおいて、露光光源である発光ダイオードアレイ装置の発光バラツキがすくないため、非常に安定した画像を感光体ドラムに形成することができ、よって、記録媒体に印刷される画像が非常に高品位とすることができる。   In such an LED printer, since the light emitting diode array device, which is an exposure light source, does not vary widely, a very stable image can be formed on the photosensitive drum, and thus the image printed on the recording medium is very High quality can be achieved.

また、このような発光ダイオードアレイ装置を安定した接合状態で駆動回路に接続して、発光制御して発光動作させることにより、その結果、該ドラム表面に安定した画像を形成することができ、高い品位の印字が可能となる。   In addition, by connecting such a light emitting diode array device to a drive circuit in a stable bonding state and performing light emission control by controlling light emission, a stable image can be formed on the drum surface. Quality printing is possible.

次に、図５〜図１０及び図３、図４を用いて発光ダイオードアレイ装置の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the light-emitting diode array device will be described with reference to FIGS. 5 to 10, 3, and 4.

まず、図５において、単結晶材料からなる高抵抗基板１を用意するとともに、その全面に第１の絶縁膜７となる絶縁膜７１を形成する。絶縁膜７１は、酸化シリコンや窒化シリコンなどが例示で、基板材料よっては、基板表面を熱酸化処理に形成したり、また、プラズマＣＶＤ法で、シランガス（ＳｉＨ4）や必要に応じてアンモニアガス（ＮＨ3）を用いて被着形成する。 First, in FIG. 5, a high-resistance substrate 1 made of a single crystal material is prepared, and an insulating film 71 to be a first insulating film 7 is formed on the entire surface. The insulating film 71 is exemplified by silicon oxide, silicon nitride or the like. Depending on the substrate material, the surface of the substrate is formed by thermal oxidation, or silane gas (SiH 4 ) or ammonia gas as necessary by plasma CVD. The deposition is performed using (NH 3 ).

つぎに、図６に示すに、発光ダイオード１０が形成される領域Ｌのみを、配列方向に沿って絶縁膜７１をエッチング処理して、共通電極形成領域Ｃ、個別電極形成領域にＳに第１の絶縁膜７を形成する。   Next, as shown in FIG. 6, the insulating film 71 is etched along the arrangement direction only in the region L where the light emitting diode 10 is formed, and the common electrode forming region C and the individual electrode forming region are first S. The insulating film 7 is formed.

つぎに、図７、図８に示すように、高抵抗基板１が露出する配列領域Ｌに、一導電型半導体層２及び逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順次積層して発光ダイオード１０の主要部分を形成する。これより、図２に示すように一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、オーミックコンタクト層２ｂ、電子の注入層２ｃからなり、逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２のクラッド層３ｂおよび第２のオーミックコンタクト層３ｃからなる発光ダイオードの主要部分が形成される。なお、一導電型半導体層２、逆導電型半導体層３を形成する場合、高抵抗基板１を４００〜５００℃に設定して２００〜２０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚みの半導体層２、３を形成する。この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（ＣＨ3）3Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2Ｈ5）3Ｇａ）、アルシン（ＡｓＨ3）、ＴＭＡ（（ＣＨ3）3Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4）、セレン化水素（Ｈ2Ｓｅ）、ＴＭＺ（（ＣＨ3）3Ｚｎ）などが用いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられる。 Next, as shown in FIGS. 7 and 8, the one-conductivity-type semiconductor layer 2 and the reverse-conductivity-type semiconductor layer 3 are sequentially stacked by the MOCVD method or the like in the arrangement region L where the high-resistance substrate 1 is exposed. Forming the main part of Thus, as shown in FIG. 2, the one-conductivity-type semiconductor layer 2 includes a buffer layer 2a, an ohmic contact layer 2b, and an electron injection layer 2c, and the reverse-conductivity-type semiconductor layer 3 includes the light-emitting layer 3a and the second cladding. A main portion of the light emitting diode composed of the layer 3b and the second ohmic contact layer 3c is formed. In the case of forming the one-conductivity-type semiconductor layer 2 and the reverse-conductivity-type semiconductor layer 3, after setting the high resistance substrate 1 to 400 to 500 ° C. and forming an amorphous gallium arsenide film to a thickness of 200 to 2000 mm, The substrate temperature is raised to 700 to 900 ° C. to form semiconductor layers 2 and 3 having a desired thickness. In this case, as source gases, TMG ((CH 3 ) 3 Ga), TEG ((C 2 H 5 ) 3 Ga), arsine (AsH 3 ), TMA ((CH 3 ) 3 Al), TEA ((C 2 H 5 ) 3 Al) and the like are used, and silane (SiH 4 ), hydrogen selenide (H 2 Se), TMZ ((CH 3 ) 3 Zn) and the like are used as the gas for controlling the conductivity type. As the carrier gas, H 2 or the like is used.

そして、隣接する発光ダイオード１０どうしが電気的に分離されるように、一導電型半導体層２、逆導電型半導体層が島状にパターニングされる。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ2Ｆ2ガスを用いたドライエッチングなどで行われる。 Then, the one-conductivity-type semiconductor layer 2 and the reverse-conductivity-type semiconductor layer are patterned in an island shape so that the adjacent light emitting diodes 10 are electrically isolated from each other. This etching is performed by wet etching using a sulfuric acid hydrogen peroxide-based etching solution or dry etching using CCl 2 F 2 gas.

その後、一導電型半導体層２の一端部側の一部が露出し、且つこの一導電型半導体層２の隣接する領域部分が露出するように逆導電型半導体層３が一導電型半導体層２よりも幅狭に形成されるように逆導電型半導体層３をエッチングする。このエッチングも硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェットエッチングやＣＣｌ2Ｆ2ガスを用いたドライエッチングなどでおこなわれる。 Thereafter, the reverse conductivity semiconductor layer 3 is exposed to the one-conductivity-type semiconductor layer 2 so that a part of the one-conductivity-type semiconductor layer 2 on one end side is exposed and an adjacent region portion of the one-conductivity-type semiconductor layer 2 is exposed. The reverse conductivity type semiconductor layer 3 is etched so as to be formed narrower. This etching is also performed by wet etching using a sulfuric acid hydrogen peroxide-based etching solution or dry etching using CCl 2 F 2 gas.

次に、図９に示すように高抵抗基板１の共通電極形成領域Ｃの絶縁膜７上に第１の共通電極５ａ〜５ｈを形成する。具体的にはクロムと金を順次蒸着法やスパッタリング法で多層化された金属膜を形成しパターン化する。この形成にあたっては、パターン化の際にエッチング液が発光ダイオードの主要部分に及ぼす影響を考慮して、リフトオフ法によって形成する。   Next, as shown in FIG. 9, first common electrodes 5 a to 5 h are formed on the insulating film 7 in the common electrode formation region C of the high resistance substrate 1. Specifically, chromium and gold are sequentially patterned by forming a multilayered metal film by vapor deposition or sputtering. In this formation, the lift-off method is used in consideration of the influence of the etching solution on the main part of the light emitting diode during patterning.

つぎに、図１０に示すように第２の絶縁膜８を形成する。この絶縁膜８の形成において、同時に、複数のコンタクトホール９、１０が形成される。具体的には、全体にポリイミド合成樹脂、感光性樹脂、窒化シリコン、酸化シリコン、ポリイミドシリコンなどから成る材料で絶縁膜を厚み２０００〜２００００Å程度に形成する。その後、フォトグラフィ技術を利用して、少なくともコンタクトホール９、１０、一導電型半導体層２のオーミックコンタクト層２ｂ、逆導電型半導体層３のオーミックコンタクト層３ｃが露出すようにエッチング処理しその後レジスト膜を剥離する。   Next, as shown in FIG. 10, a second insulating film 8 is formed. In forming the insulating film 8, a plurality of contact holes 9, 10 are formed at the same time. Specifically, an insulating film is formed to a thickness of about 2000 to 20000 mm with a material made of polyimide synthetic resin, photosensitive resin, silicon nitride, silicon oxide, polyimide silicon, or the like. Thereafter, using a photolithography technique, etching is performed so that at least the contact holes 9 and 10, the ohmic contact layer 2 b of the one-conductivity type semiconductor layer 2, and the ohmic contact layer 3 c of the reverse conductivity type semiconductor layer 3 are exposed. Remove the film.

最後に、図４に示すように、高抵抗基板１の第２の絶縁膜８上に、個別電極４、第２の共通電極６、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２を被着形成する。   Finally, as shown in FIG. 4, the individual electrode 4, the second common electrode 6, the individual electrode side connection pad 11, and the common electrode side connection pad 12 are covered on the second insulating film 8 of the high resistance substrate 1. It is formed.

このうち、第２の共通電極６は、高抵抗基板１の中央付近に配列された発光ダイオードの配列ラインを挟み、一方側、例えば図面の上部側の第２の絶縁膜８に形成され、個別電極４、第２の共通電極６、接続パッド１１、１２は、他方側、例えば図面の下部側の第２の絶縁膜８に形成される。即ち、第２の共通電極６は、発光ダイオードの一導電型半導体層２のオーミックコンタクト層２ｃと、所定の第１の共通電極５が露出するコンタクトホール９に跨がるように形成される。また、第１の共通電極５とこの共通電極５と接続する接続パッド１１とは、コンタンクホール１０から発光素子群で区分される境界部分の間を介して延びる引出し電極１３によって、共通電極側接続パッド１２に接続されている。   Among these, the second common electrode 6 is formed on the second insulating film 8 on one side, for example, the upper side of the drawing, sandwiching the arrangement line of the light emitting diodes arranged in the vicinity of the center of the high-resistance substrate 1, and individually. The electrode 4, the second common electrode 6, and the connection pads 11 and 12 are formed on the second insulating film 8 on the other side, for example, the lower side of the drawing. That is, the second common electrode 6 is formed so as to straddle the ohmic contact layer 2c of the one-conductive semiconductor layer 2 of the light emitting diode and the contact hole 9 where the predetermined first common electrode 5 is exposed. Further, the first common electrode 5 and the connection pad 11 connected to the common electrode 5 are connected to the common electrode side by an extraction electrode 13 extending from the contact hole 10 through a boundary portion divided by the light emitting element group. It is connected to the connection pad 12.

これらの第２の共通電極６、個別電極４とは、半導体−金属接触性を考慮した材料を用いる必要があり、接続パッド１１、１２は半導体−金属接触性を考慮する必要はない。従って、この第２の共通電極６、個別電極４、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２とを同一工程で形成してもよいし、例えば、第２の共通電極６、個別電極４を半導体−金属接触性の良好な材料、良好な層構成で形成し、その後、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２のみを良導電性の材料で形成しても構わない。   For these second common electrode 6 and individual electrode 4, it is necessary to use a material in consideration of semiconductor-metal contact, and connection pads 11, 12 need not take into account semiconductor-metal contact. Therefore, the second common electrode 6, the individual electrode 4, the individual electrode side connection pad 11, and the common electrode side connection pad 12 may be formed in the same process. For example, the second common electrode 6, the individual electrode, 4 may be formed of a material having a good semiconductor-metal contact property and a good layer structure, and then only the individual electrode side connection pad 11 and the common electrode side connection pad 12 may be formed of a highly conductive material.

たとえば、個別電極４、第２の共通電極6、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２を同時に形成する場合に半導体−金属接触性を考慮して、クロムと金ゲルマニウムと金を蒸着法やスパッタリング法で順次積層して、Cr／AuGe／Auの層構成とすればよい。   For example, in the case where the individual electrode 4, the second common electrode 6, the individual electrode side connection pad 11, and the common electrode side connection pad 12 are simultaneously formed, chromium, gold germanium, and gold are deposited in consideration of semiconductor-metal contact. A layer structure of Cr / AuGe / Au may be formed by sequentially laminating by a sputtering method or a sputtering method.

以上のようにして製造された発光ダイオードアレイ装置は、高抵抗基板１上に複数の一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３を被着形成し、且つ該一導電型半導体層２に共通電極５０を、逆導電型半導体層３に個別電極４を接続した発光ダイオード１０を複数個配列するとともに、前記複数の配列された発光ダイオード１０のうち、所定数の発光ダイオード１０を一つの発光素子群として、複数発光素子群から構成される発光ダイオードアレイと、同一の群内の発光ダイオード１０の逆電型半導体層３に個別電極４を接続し、異なる群に属する所定番目に配置された発光ダイオードの一導電型半導体層２に共通電極５０に接続した発光ダイオードアレイ装置である。そして、共通電極５０は、発光ダイオード１０の配列方向に概略平行に延びる第１の共通電極５及び該第１の共通電極５の一部から各異なる群に属する所定の発光ダイオード１０の一導電型半導体層２に接続する第２の共通電極６とから構成される。   In the light emitting diode array device manufactured as described above, a plurality of one-conductivity-type semiconductor layers 2 and opposite-conductivity-type semiconductor layers 3 are formed on a high-resistance substrate 1, and the one-conductivity-type semiconductor layer 2 is formed on the one-conductivity-type semiconductor layer 2. A plurality of light emitting diodes 10 each having the common electrode 50 connected to the individual electrode 4 to the opposite conductivity type semiconductor layer 3 are arranged, and a predetermined number of the light emitting diodes 10 among the plurality of arranged light emitting diodes 10 emit light. As an element group, an individual electrode 4 is connected to a light-emitting diode array composed of a plurality of light-emitting element groups and a reverse-type semiconductor layer 3 of the light-emitting diodes 10 in the same group, and arranged in a predetermined order belonging to different groups. This is a light emitting diode array device connected to a common electrode 50 on one conductive type semiconductor layer 2 of the light emitting diode. The common electrode 50 includes a first common electrode 5 extending substantially parallel to the arrangement direction of the light emitting diodes 10 and a one conductivity type of a predetermined light emitting diode 10 belonging to a different group from a part of the first common electrode 5. The second common electrode 6 is connected to the semiconductor layer 2.

なお、第１の共通電極５は、高抵抗基板１上に形成した第１の絶縁膜７上に形成され、前記第２の共通電極６と第１の共通電極５との間には、第２の絶縁膜８が介在され、第２の共通電極６の一部が、コンタンクトホール９を介して第１の共通電極５に重畳して接続されている。   The first common electrode 5 is formed on the first insulating film 7 formed on the high-resistance substrate 1, and the second common electrode 6 and the first common electrode 5 have a first common electrode 5 between them. Two insulating films 8 are interposed, and a part of the second common electrode 6 is overlapped and connected to the first common electrode 5 through a contact hole 9.

これにより、第１の共通電極５を、発光素子群を構成する発光ダイオード１０の数に相当する数だけ形成され、各発光ダイオード１０は、第２の共通電極６を介して、所定の第１の共通電極５に接続されている。この第２の共通電極６は、どの発光素子群に属する発光ダイオード１０でありながら、その接続構造は、実質的に同一構造となる。即ち、どの発光ダイオード１０であっても、接続部であるコンタクホール９は１個所のみとなる。これにより、発光ダイオード１０に接続する共通電極５０の構造が非常に簡素化し、接続条件が均一となるため、電極における抵抗のバラツキが小さく、これにより、発光ダイオードの発光バラツキを小さくすることができる。   As a result, the first common electrode 5 is formed in a number corresponding to the number of the light emitting diodes 10 constituting the light emitting element group, and each light emitting diode 10 has a predetermined first through the second common electrode 6. Are connected to the common electrode 5. Although the second common electrode 6 is the light emitting diode 10 belonging to which light emitting element group, the connection structure thereof is substantially the same. That is, in any light emitting diode 10, there is only one contact hole 9 as a connection portion. As a result, the structure of the common electrode 50 connected to the light emitting diode 10 is greatly simplified and the connection conditions are uniform, so that the resistance variation in the electrode is small, and thus the light emission variation of the light emitting diode can be reduced. .

また、第１の共通電極５と第２の共通電極６、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２をそれぞれ別の導体材料で構成できるため、第２の共通電極６、個別電極４では、安定した金属−半導体接触性を考慮した材料を、第１の共通電極５では、良好な導電性を考慮した材料を選択できるため、これによっても、電極抵抗のバラツキが小さくなり、これにより、発光ダイオードの発光バラツキを小さくすることができる。   In addition, since the first common electrode 5, the second common electrode 6, the individual electrode side connection pad 11, and the common electrode side connection pad 12 can be made of different conductor materials, the second common electrode 6 and the individual electrode 4 can be formed. Then, since the material which considered the stable metal-semiconductor contact property can be selected in the 1st common electrode 5, the material which considered favorable electroconductivity can be selected, and also by this, the variation in electrode resistance becomes small, thereby The light emission variation of the light emitting diode can be reduced.

また、第１の共通電極５が高抵抗基板１に形成した第１の絶縁膜７上に形成されている。この絶縁膜７の下部には、基板の凹凸の構造物、他の導体膜の凹凸が一切ない、この絶縁膜７の表面が非常に平坦化することになる。このため、第１の共通電極５を非常に安定した形成できる。これより、第１の共通電極５は構造的にバラツキが少ないものとなる。   The first common electrode 5 is formed on the first insulating film 7 formed on the high resistance substrate 1. Under the insulating film 7, there is no uneven structure of the substrate and no unevenness of the other conductor film, and the surface of the insulating film 7 becomes very flat. For this reason, the 1st common electrode 5 can be formed very stably. As a result, the first common electrode 5 has less structural variation.

また、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２は、発光ダイオードの配列領域を中心に個別電極形成領域Ｓに集中されており、共通電極５０（第１の共通電極５及び第２の共通電極６の接続構造）は、発光ダイオード１０の共通電極形成領域Ｃに集中されている。   The individual electrode side connection pads 11 and the common electrode side connection pads 12 are concentrated in the individual electrode formation region S with the light emitting diode arrangement region as the center, and the common electrode 50 (the first common electrode 5 and the second common electrode 5). The connection structure of the common electrode 6 is concentrated in the common electrode formation region C of the light emitting diode 10.

これにより、外部の駆動回路との接続が一方側の領域のみで行われるため、駆動回路の接続が容易となる。   As a result, since the connection with the external drive circuit is performed only in one region, the drive circuit can be easily connected.

また、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２の下部領域には、従来のように共通電極などが全く配置されていない。従って、この接続パッド１１、１２と駆動回路が形成された回路基板とを接続するにあたり、個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２に半田バンプなどのように半田接合やボンディングワイヤによる接合をおこなっても、熱衝撃や機械的衝撃が個別電極側接続パッド１１、共通電極側接続パッド１２接続パッド１１、１２に印加されても、共通電極や個別電極の接続構造に悪影響を与えることが一切なく、安定した発光動作が可能となる。   Further, in the lower region of the individual electrode side connection pad 11 and the common electrode side connection pad 12, no common electrode or the like is arranged at all as in the conventional case. Therefore, when connecting the connection pads 11 and 12 to the circuit board on which the drive circuit is formed, the individual electrode side connection pad 11 and the common electrode side connection pad 12 are bonded to each other by solder bonding or bonding wires such as solder bumps. Even if thermal shock or mechanical shock is applied to the individual electrode side connection pad 11 and the common electrode side connection pad 12 connection pads 11, 12, the connection structure of the common electrode or individual electrode may be adversely affected. There is no stable light emission operation.

本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a light-emitting diode array device according to the present invention. 本発明に係る発光ダイオードの主要部分の断面図である。It is sectional drawing of the principal part of the light emitting diode which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting diode array device according to the present invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の電極構造を示す平面図である。It is a top view which shows the electrode structure of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の製造方法の一工程の平面図である。It is a top view of 1 process of the manufacturing method of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の製造方法の一工程の平面図である。It is a top view of 1 process of the manufacturing method of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の製造方法の一工程の平面図である。It is a top view of 1 process of the manufacturing method of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の製造方法の一工程の平面図である。It is a top view of 1 process of the manufacturing method of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の製造方法の一工程の平面図である。It is a top view of 1 process of the manufacturing method of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 本発明に係る発光ダイオードアレイ装置の製造方法の一工程の平面図である。It is a top view of 1 process of the manufacturing method of the light emitting diode array apparatus which concerns on this invention. 従来の発光ダイオードアレイ装置の主要部分の断面図である。It is sectional drawing of the principal part of the conventional light emitting diode array apparatus. 従来の発光ダイオードアレイ装置の下部側電極を説明する平面図である。It is a top view explaining the lower side electrode of the conventional light emitting diode array apparatus. 従来の発光ダイオードアレイ装置の上部側電極を説明する平面図である。It is a top view explaining the upper side electrode of the conventional light emitting diode array apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１・・高抵抗基板
１０・・発光ダイオード
２・・・一導電型半導体層
２ａ・・・バッファ層
２ｂ・・オーミックコンタクト層・・・第２の共通電極
２ｃ・・電子の注入層
３・・・逆導電型半導体層
３ａ・・・発光層
３ｂ・・・第２のクラッド層
３ｃ・・・第２のオーミックコンタクト層３・・・個別電極
４・・個別電極
５０・・・共通電極
５・・・第１の共通電極
６・・・第２の共通電極
７・・・第１の絶縁膜
８・・・第２の絶縁膜
９・・・コンタクトホール
１０・・コンタクトホール
１１・・個別電極側接続パッド
１２・・共通電極側接続パッド
１３・・引出し電極 1. High resistance substrate 10 .. Light emitting diode 2... One-conductivity type semiconductor layer 2 a... Buffer layer 2 b .. Ohmic contact layer ... Second common electrode 2 c .. Electron injection layer 3.・ Reverse conductivity type semiconductor layer 3a... Light emitting layer 3b... Second clad layer 3c... Second ohmic contact layer 3. .. First common electrode 6... Second common electrode 7... First insulating film 8... Second insulating film 9 .. Contact hole 10 .. Contact hole 11. Side connection pad 12 .. common electrode side connection pad 13 .. extraction electrode

Claims (4)

高抵抗基板上に複数の一導電型半導体層と逆導電型半導体層を設け、且つ該一導電型半導体層に共通電極を、逆導電型半導体層に個別電極を接続した発光ダイオードを複数個配列するとともに、前記複数の配列された発光ダイオードのうち、Ｎ個の発光ダイオードを発光素子群として、Ｍ群から構成される発光ダイオードアレイと、同一の発光素子群内の発光ダイオードの逆導電型半導体層に共通に接続する個別電極と、異なる群に属する所定の発光ダイオードの一導電型半導体層に接続する共通電極とからなる発光ダイオードアレイ装置において、
前記高抵抗基板は、発光ダイオードの配列領域を挟んで共通電極形成領域と、個別電極形成領域を有するとともに、
前記共通電極形成領域には、発光ダイオードの配列方向に概略平行に延びるＮ個の第１の共通電極と、前記所定第１の共通電極と前記発光素子群のいずれか１つの発光ダイオードとを接続する第２の共通電極とが形成されているとともに、
前記個別電極形成領域には、前記各発光ダイオードに接続する個別電極と、該個別電極から延出する個別電極側接続パッドと、前記第１の共通電極に接続する共通電極側接続パッドとが形成されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ装置。 A plurality of light-emitting diodes, each having a plurality of one-conductivity-type semiconductor layers and reverse-conductivity-type semiconductor layers on a high-resistance substrate, and a common electrode connected to the one-conductivity-type semiconductor layer and individual electrodes connected to the reverse-conductivity-type semiconductor layer In addition, among the plurality of arranged light emitting diodes, N light emitting diodes are used as light emitting element groups, and a light emitting diode array composed of M groups and a reverse conductive semiconductor of light emitting diodes in the same light emitting element group In a light emitting diode array device composed of individual electrodes commonly connected to layers and a common electrode connected to one conductive type semiconductor layer of predetermined light emitting diodes belonging to different groups,
The high-resistance substrate has a common electrode formation region and an individual electrode formation region across an array region of light emitting diodes,
In the common electrode formation region, N first common electrodes extending substantially parallel to the arrangement direction of the light emitting diodes, and the predetermined first common electrode and any one light emitting diode of the light emitting element group are connected. And a second common electrode to be formed,
In the individual electrode forming region, an individual electrode connected to each light emitting diode, an individual electrode side connection pad extending from the individual electrode, and a common electrode side connection pad connected to the first common electrode are formed. A light-emitting diode array device. 前記第１の共通電極と前記共通電極側接続パッドとは、隣接する発光素子群との境界部分に形成された引出し配線を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードアレイ装置。 2. The light emitting device according to claim 1, wherein the first common electrode and the common electrode side connection pad are connected to each other through a lead wiring formed at a boundary portion between adjacent light emitting element groups. Diode array device. 前記第１の共通電極上には、該第１の共通電極の一部を露出するようにして被着された絶縁膜が形成されているとともに、前記第２の共通電極、引出し配線は、該絶縁膜上に、前記第１の共通電極の露出部に接続するようにして形成されていることを特徴とする請求項２記載の発光ダイオードアレイ装置。 An insulating film is formed on the first common electrode so as to expose a part of the first common electrode, and the second common electrode and the lead-out wiring are 3. The light emitting diode array device according to claim 2, wherein the light emitting diode array device is formed on the insulating film so as to be connected to the exposed portion of the first common electrode. 前記請求項１乃至３に記載された発光ダイオードアレイ装置と、該発光ダイオードアレイ装置の駆動を制御する駆動回路と、ページプリンタ用感光ドラムとを少なくとも有し、前記駆動回路によって発光動作する発光ダイオードアレイ装置の光を、前記ページプリンタ用感光ドラムの露光用光源に用いて、該ドラム表面に画像を形成する発光ダイオードプリンタ。

4. A light-emitting diode that has at least a light-emitting diode array device according to claim 1, a drive circuit that controls driving of the light-emitting diode array device, and a photosensitive drum for page printer, and that emits light by the drive circuit. A light emitting diode printer that forms an image on a drum surface using light of an array device as an exposure light source of a photosensitive drum for the page printer.

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102047450B (en) * 2008-05-26 2013-03-13 松下电器产业株式会社 Compound semiconductor light emitting element, illuminating apparatus using compound semiconductor light emitting element, and method for manufacturing compound semiconductor light emitting element

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