JP2005136056A - 半導体装置の製造方法およびその検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子11の表面上に配列された素子電極に相当する領域を選択的に除去して、素子電極の一部を露出させた開口部を有する第1絶縁層14を半導体素子上に形成する工程と、第1絶縁層11の開口部において素子電極と電気的に接続された金属配線19、20を第1絶縁層14上に形成する工程と、金属配線19、20上および側面に複数のプローブ25を接触させて電気特性を検査する工程と、金属配線19、20の一部を露出させた開口部を有する第2絶縁層を第1絶縁層14上および金属配線19、20上に形成する工程と、第2絶縁層の開口部から露出した金属配線上に外部金属端子を形成する工程とを含む。
【選択図】図3
Description
11 半導体素子
12 パッシベーション膜
13 素子電極
14 第1絶縁層
15 薄膜金属層
16 メッキレジスト(第1金属配線形成)
17 厚膜金属層
18 メッキレジスト(第2金属配線形成)
19 第1金属配線
20 第2金属配線
21 第2絶縁層
22 外部金属端子
23 封止型
24 スクライブライン
25 検査プローブ
100 半導体装置
101 半導体素子
102 パッシベーション膜
103 素子電極
104 第1絶縁層
105 薄膜金属層
106 メッキレジスト(第1金属配線形成)
107 厚膜金属層
108 メッキレジスト(第2金属配線形成)
109 第1金属配線
110 第2金属配線
111 第2絶縁層
112 外部金属端子
113 封止型
114 スクライブライン
115 検査プローブ
116 検査プローブによる素子電極103上の傷
Claims (4)
- 半導体素子の表面上に配列された素子電極に相当する領域を選択的に除去して、前記素子電極の一部を露出させた開口部を有する第1絶縁層を前記半導体素子上に形成する工程と、前記第1絶縁層の前記開口部において前記素子電極と電気的に接続された金属配線を前記第1絶縁層上に形成する工程と、前記金属配線を介して電気特性を検査する工程と、前記金属配線の一部を露出させた開口部を有する第2絶縁層を前記第1絶縁層上および前記金属配線上に形成する工程と、前記第2絶縁層の前記開口部から露出した前記金属配線上に外部金属端子を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
- 金属配線を介して電気特性を検査する工程において、複数のプローブを前記金属配線の上面および側面の少なくとも一方に接触させて検査する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 拡散工程後の製造工程中の半導体装置の検査方法であって、前記拡散工程後の半導体素子の表面上に配列された素子電極に開口部を有するように第1絶縁層を前記半導体素子上に形成する工程、および前記第1絶縁層の開口部において前記素子電極と電気的に接続された金属配線を前記第1絶縁層上に形成する工程の後、
前記金属配線を介して電気特性検査を実施することを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 電気特性検査において、複数のプローブを金属配線の上面および側面の少なくとも一方に接触させて検査する請求項3記載の半導体装置の検査方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003368853A JP2005136056A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 半導体装置の製造方法およびその検査方法 |
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JP2003368853A JP2005136056A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 半導体装置の製造方法およびその検査方法 |
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JP (1) | JP2005136056A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8241926B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-08-14 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit test method |
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2003
- 2003-10-29 JP JP2003368853A patent/JP2005136056A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8241926B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-08-14 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit test method |
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