JP2005134013A - Device and method for manufacturing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、ペーストの塗布によって構造物が形成される基板の製造装置および方法に関する。 The present invention relates to a substrate manufacturing apparatus and method in which a structure is formed by applying a paste.
プラズマディスプレイパネル(PDP)の基板や蛍光表示管(VFD)の陽極基板,プラズマアドレスド液晶表示装置(PALC)のプラズマスイッチング基板,フィールドエミッション表示装置(FED)用基板,エレクトロルミネッセンス(EL)用基板等の表示デバイス用基板、厚膜配線基板,サーマルプリンタヘッドやイメージセンサの電子デバイス用基板等は、ガラス板やセラミックス板等のプレート上に各種ペーストが所要のパターンに塗布されて厚膜のペースト層が形成され、その後、この厚膜ペーストが熱処理されて各種構造物が形成されることにより製造される。 Plasma display panel (PDP) substrate, fluorescent display tube (VFD) anode substrate, plasma addressed liquid crystal display (PALC) plasma switching substrate, field emission display (FED) substrate, electroluminescence (EL) substrate Substrates for display devices, such as thick film wiring boards, electronic devices for thermal printer heads and image sensors, etc., are coated with various pastes on a plate such as a glass plate or a ceramic plate in a required pattern. The layers are formed, and then the thick film paste is heat-treated to form various structures.
図1は、このような基板の従来の製造装置を示す概略構成図である。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a conventional manufacturing apparatus for such a substrate.
この図1の従来の製造装置は、乾燥炉1内において赤外線の照射を行うことによって基板Pに形成された厚膜ペーストの乾燥を行うものであり、乾燥炉1には、三つの乾燥エリア1A,1B,1Cが基板Pの搬送路に沿って設けられていて、各乾燥エリア1A,1B,1Cの天井部に、ヒータ1Aa,1Ba,1Caが取り付けられているとともに、ダンパ1Ab,1Bb,1Cbおよびフィルタ1Ac,1Bc,1Ccを介して給気ダクト2が接続されている。
The conventional manufacturing apparatus of FIG. 1 performs drying of a thick film paste formed on a substrate P by irradiating infrared rays in a
そして、この乾燥炉1内における基板Pの搬送は、乾燥炉1の床面上に配置された固定ビーム3とウォーキングビーム4による、所謂、ウォーキングビーム方式によって行われるようになっている。
The transport of the substrate P in the
すなわち、基板Pは、上昇位置にあるウォーキングビーム4の搬送ピン4Aによって持ち上げられた状態で搬送方向(図の右から左方向)に移動され、ウォーキングビーム4が下降することによって、ウォーキングビーム4の搬送ピン4A上から固定ビーム3の固定ピン3A上に載置されて支持される。
That is, the substrate P is moved in the transport direction (from the right to the left in the figure) while being lifted by the
このようにして、基板Pは、乾燥炉1の三つの乾燥エリア1A,1B,1C内を順次移動されながら、それぞれヒータ1Aa,1Ba,1Caから照射される中赤外線と、給気ダクト2からそれぞれダンパ1Ab,1Bb,1Cbおよびフィルタ1Ac,1Bc,1Ccを介して乾燥炉1内に吹き出されて乾燥炉1の下方から排気される空気とによって、その表面に塗布されている厚膜のペーストが乾燥されるようになっている(例えば、特許文献1参照)。
In this way, the substrate P is sequentially moved through the three
しかしながら、上記のような構成の従来の基板製造装置は、乾燥用の空気が、基板Pの厚膜ペーストが塗布されている面に向けて上方から吹き付けられた後、乾燥炉1の下方から排気される構成であるために、基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接空気が当たってしまい、これによって、空気の当たりむらによって乾燥むらが発生したり、厚膜ペーストの表面乾燥が促進されてしまうことによってペースト内部の溶媒が外部に放出され難くなり、かえって乾燥時間が長くなってしまうという問題を有している。
However, in the conventional substrate manufacturing apparatus having the above-described configuration, the drying air is blown from above toward the surface of the substrate P on which the thick film paste is applied, and then exhausted from below the
さらに、上記従来の基板製造装置は、基板Pの乾燥炉1内における搬送をウォーキングビーム方式によって行っているために、固定ビーム3の搬送ピン3Aやウォーキングビーム4の搬送ピン4Aが基板Pに対して局所的に接触されて、その接触部分に温度差が発生し、このために、この固定ビーム3やウォーキングビーム4に接触しない部分との間に乾燥むらが発生してしまうという問題を有している。
Furthermore, since the conventional substrate manufacturing apparatus transports the substrate P in the
さらにまた、上記従来の基板製造装置は、基板Pの厚膜ペーストが塗布されている面に上方から直接に赤外線が照射されるようになっているので、この赤外線の放射照度に僅かなむらが発生した場合でも、乾燥むらが発生するという問題を有している。 Furthermore, since the conventional substrate manufacturing apparatus is configured such that the surface of the substrate P to which the thick film paste is applied is directly irradiated with infrared rays from above, there is a slight variation in the irradiance of the infrared rays. Even if it occurs, there is a problem that uneven drying occurs.
そして、このような赤外線の放射照度の違いによる乾燥むらの発生を防止するためには、面状のヒータを隙間無く配置して、その各々のヒータの駆動制御を精密に行って行く必要があるが、このために、製造コストが上昇してしまうという問題が発生する。 In order to prevent the occurrence of uneven drying due to the difference in infrared irradiance, it is necessary to dispose the planar heaters without any gaps and precisely control the drive of each heater. However, this causes a problem that the manufacturing cost increases.
この発明は、上記のような従来の基板製造装置が有している問題点の少なくとも一つを解決することをその解決課題の一つとしているものである。 One object of the present invention is to solve at least one of the problems of the conventional substrate manufacturing apparatus as described above.
第1の発明(請求項1に記載の発明)による基板製造装置は、上記目的を達成するために、基板上に塗布されたペーストを熱処理炉内において熱処理することによって所要の構造物が形成された基板を製造する基板製造装置であって、前記基板を熱処理炉内において搬送する搬送部材と、この搬送部材によって搬送される基板に対して遠赤外線を照射する加熱部材と、前記熱処理炉内に空気を供給する給気部材とを備え、前記給気部材が、熱処理炉内に空気を吹き出す給気口と、この給気口が位置し搬送部材によって形成される搬送路に対してほぼ平行な平面内に配置された排気口を有していることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the substrate manufacturing apparatus according to the first invention (the invention described in claim 1) forms a required structure by heat-treating the paste applied on the substrate in a heat treatment furnace. A substrate manufacturing apparatus for manufacturing a substrate, a transport member for transporting the substrate in a heat treatment furnace, a heating member for irradiating far infrared rays to the substrate transported by the transport member, and the heat treatment furnace An air supply member for supplying air, and the air supply member is substantially parallel to an air supply port for blowing air into the heat treatment furnace and a conveyance path where the air supply port is located and formed by the conveyance member. It has the exhaust port arrange | positioned in a plane, It is characterized by the above-mentioned.
さらに、第2の発明(請求項12に記載の発明)による基板製造装置は、前記目的を達成するために、基板上に塗布されたペーストを熱処理炉内において熱処理することによって所要の構造物が形成された基板を製造する基板製造装置であって、前記基板を熱処理炉内において搬送する搬送部材と、この搬送部材によって搬送される基板に対して遠赤外線を照射する加熱部材と、前記熱処理炉内に空気を供給する給気部材とを備え、前記搬送部材が、この搬送部材によって形成される搬送路の幅方向において連続する外周面を有する複数のローラ部材が搬送路の搬送方向に並設されることによって構成されていることを特徴としている。 Furthermore, the substrate manufacturing apparatus according to the second invention (the invention according to claim 12) has the required structure by heat-treating the paste applied on the substrate in a heat treatment furnace in order to achieve the object. A substrate manufacturing apparatus for manufacturing a formed substrate, a transport member for transporting the substrate in a heat treatment furnace, a heating member for irradiating far infrared rays to the substrate transported by the transport member, and the heat treatment furnace A plurality of roller members having an outer peripheral surface that is continuous in the width direction of the conveyance path formed by the conveyance member, and is arranged in parallel in the conveyance direction of the conveyance path. It is characterized by being configured.
さらに、第3の発明(請求項16に記載の発明)による基板製造方法は、前記目的を達成するために、基板上に塗布されたペーストを熱処理炉内において熱処理することによって所要の構造物が形成された基板を製造する基板製造方法であって、前記熱処理炉内において、基板に対して加熱部材から遠赤外線を照射する工程時に、給気口から熱処理炉内に空気を吹き出して、この空気を、基板に対してほぼ平行で給気口が位置する平面内に配置された排気口から排気することを特徴としている。 Furthermore, in the substrate manufacturing method according to the third invention (the invention described in claim 16), in order to achieve the above object, a required structure is obtained by heat-treating the paste applied on the substrate in a heat treatment furnace. A substrate manufacturing method for manufacturing a formed substrate, wherein in the heat treatment furnace, air is blown into a heat treatment furnace from an air supply port during a step of irradiating far infrared rays from a heating member onto the substrate. Is exhausted from an exhaust port disposed in a plane substantially parallel to the substrate and where the air supply port is located.
さらに、第4の発明(請求項29に記載の発明)による基板製造装置は、前記目的を達成するために、基板上に塗布されたペーストを熱処理炉内において熱処理することによって所要の構造物が形成された基板を製造する基板製造方法であって、前記熱処理炉内において、基板を、搬送路の幅方向において連続する外周面を有し搬送方向に並設された複数のローラ部材によって搬送することを特徴としている。 Furthermore, in order to achieve the above object, the substrate manufacturing apparatus according to the fourth invention (the invention described in claim 29) heats the paste applied on the substrate in a heat treatment furnace to obtain a required structure. A substrate manufacturing method for manufacturing a formed substrate, wherein the substrate is transported by a plurality of roller members having an outer peripheral surface continuous in a width direction of a transport path and arranged in parallel in the transport direction in the heat treatment furnace. It is characterized by that.
この発明による基板製造装置は、所要の構造物を形成するためにペーストが塗布された基板を熱処理炉内において搬送する搬送ローラと、この搬送ローラによって搬送される基板に対して遠赤外線を照射するヒータと、熱処理炉内に空気を吹き出す給気口と、この給気口が位置し搬送ローラによって形成される搬送路に対してほぼ平行な平面内に配置された排気口とを備えている実施形態を、発明を実施するための最良の形態としているものである。 A substrate manufacturing apparatus according to the present invention irradiates a far-infrared ray on a transport roller that transports a substrate coated with a paste in a heat treatment furnace to form a required structure, and a substrate transported by the transport roller. Implementation comprising a heater, an air supply port for blowing air into the heat treatment furnace, and an exhaust port disposed in a plane substantially parallel to the transport path in which the air supply port is located and formed by the transport rollers The mode is the best mode for carrying out the invention.
そして、この実施形態による基板製造装置によって、熱処理炉内において、基板に対してヒータから遠赤外線を照射する工程時に、給気口から熱処理炉内に空気を吹き出して、この空気を、基板に対してほぼ平行で給気口が位置する平面内に配置された排気口から排気する基板製造方法が実施される。 Then, by the substrate manufacturing apparatus according to this embodiment, in the process of irradiating far infrared rays from the heater to the substrate in the heat treatment furnace, air is blown out from the air supply port into the heat treatment furnace, and the air is blown to the substrate. A substrate manufacturing method is performed in which the air is exhausted from an exhaust port disposed in a plane that is substantially parallel and has an air supply port.
この実施形態による基板製造装置によれば、熱処理炉内において、ペーストが塗布された基板に対してヒータから遠赤外線が照射されることにより熱処理が行われる際に、給気口から熱処理炉内に空気が吹き出され、この熱処理炉内に吹き出された空気が、排気口から外部に排出される。 According to the substrate manufacturing apparatus according to this embodiment, when heat treatment is performed by irradiating a far-infrared ray from the heater to the substrate on which the paste has been applied in the heat treatment furnace, the air supply port enters the heat treatment furnace. Air is blown out, and the air blown into the heat treatment furnace is discharged to the outside through the exhaust port.
そして、このとき、排気口が、基板に対してほぼ平行で給気口が位置する平面内に配置されていることによって、給気口から排気口に向けて基板に対してほぼ平行な空気流が形成される。 At this time, since the exhaust port is arranged in a plane substantially parallel to the substrate and the air supply port is positioned, an air flow substantially parallel to the substrate from the air supply port toward the exhaust port is provided. Is formed.
これによって、給気口から吹き出される空気が基板に塗布されているペーストに直接吹き付けられることがなく、従来のように、熱処理炉内に吹き出される空気が基板に直接吹き付けられて熱処理むらが発生したり、ペーストの表面乾燥によって熱処理時間が延長されるなどの問題が解消されて、基板の表面全体に亘って均一な熱処理を行うことが出来るとともに、その熱処理時間の短縮を図ることが出来るようになる。 As a result, the air blown out from the air supply port is not blown directly onto the paste applied to the substrate, and the air blown into the heat treatment furnace is blown directly onto the substrate as in the conventional case, thereby causing unevenness in heat treatment. It is possible to solve the problems such as generation and prolonged heat treatment time due to the surface drying of the paste, so that uniform heat treatment can be performed over the entire surface of the substrate and the heat treatment time can be shortened. It becomes like this.
なお、この発明は、プラズマディスプレイパネルの表面に厚膜ペーストによって誘電体層や蛍光体層,隔壁が形成される前面基板や背面基板の製造のみならず、蛍光表示管(VFD)の陽極基板,プラズマアドレスド液晶表示装置(PALC)のプラズマスイッチング基板,フィールドエミッション表示装置(FED)用基板,エレクトロルミネッセンス(EL)用基板等の表示デバイス用基板、厚膜配線基板,サーマルプリンタヘッドやイメージセンサの電子デバイス用基板等の各種基板の製造に適用することが可能である。 The present invention is not limited to the manufacture of front substrates and rear substrates in which a dielectric layer, a phosphor layer, and barrier ribs are formed on the surface of a plasma display panel using a thick film paste, as well as an anode substrate for a fluorescent display tube (VFD), Plasma addressed liquid crystal display (PALC) plasma switching substrates, field emission display (FED) substrates, electroluminescence (EL) substrates and other display device substrates, thick film wiring substrates, thermal printer heads and image sensors The present invention can be applied to the manufacture of various substrates such as electronic device substrates.
図2は、この発明による基板製造装置の実施形態における第1の実施例を示している。 FIG. 2 shows a first example of the embodiment of the substrate manufacturing apparatus according to the present invention.
この図2は、基板製造装置の熱処理炉10内の配置構成を、搬送路が紙面に対して直角向きに延びる位置において示した概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an arrangement configuration in the
この図2において、熱処理炉10内の床面(図示せず)の上方位置に、搬送ローラ11が、その回転軸11Aが基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図2の左右方向)に水平に延びるように配置されている。
In FIG. 2, the
この搬送ローラ11によって形成される搬送路の上方の熱処理炉10の天井部に、遠赤外線の照射を行うヒータ12が、そのヒータ面が搬送ローラ11上を搬送される基板Pに対して平行になるように取り付けられている。
A
そして、搬送ローラ11によって形成される搬送路と直交する方向において、ヒータ12の中央に位置する部分に、給気口13が設けられ、この給気口13にFFU(ファン・フィルタ・ユニット)14を介して図示しない給気ダクトが接続されている。
An
さらに、搬送ローラ11によって形成される搬送路と直交する方向(幅方向)において、ヒータ12の両側位置(図2の左および右側位置)に、それぞれ図示しない排気ポンプに接続された排気口15A,15Bが設けられている。
Further, in a direction (width direction) orthogonal to the conveyance path formed by the
上記基板製造装置は、熱処理炉10内に搬入された基板Pを、搬送ローラ11の駆動によって、搬送路上をその搬送方向(図2において紙面と垂直方向)に搬送する。
The substrate manufacturing apparatus transports the substrate P carried into the
基板Pは、厚膜のペーストが塗布された面を上側にして搬送ローラ11上に支持されており、この搬送ローラ11によって搬送される基板Pに対して上方から、ヒータ12によって遠赤外線の照射が行われる。
The substrate P is supported on the
これと同時に、図示しない給気ダクトから供給される空気が、FFU14を介して給気口13から熱処理炉10内に吹き出される。
At the same time, air supplied from an air supply duct (not shown) is blown out from the
そして、この給気口13から吹き出された空気は、ヒータ12の両側に配置された排気口15A,15Bからそれぞれ図示しない排気ポンプによって吸引されて外部に排気され、これによって、給気口13からそれぞれの排気口15A,15Bの方向に、ヒータ12のヒータ面に沿った左右の空気流が形成される。
Then, the air blown out from the
このように、熱処理炉10内において、給気口13から吹き出される空気が、ヒータ12のヒータ面と平行に流れることによって、基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接吹き付けられることがない。
Thus, in the
このとき、給気口13からの空気の吹き出し量が、必要最小限に絞られることによって、給気口13から吹き出される空気が基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接接触するのがさらに防止されるとともに、排気口15A,15Bからの排気量を、給気口13から吹き出される空気量に、少なくとも、基板Pの熱処理によって厚膜ペーストから排出される溶媒の排出量を加えた量とすることにより、確実に溶媒の排出を行って、基板Pの熱処理時間を短縮することが出来るとともに、厚膜ペーストから排出された溶媒が熱処理炉10内に付着するのが防止される。
At this time, the amount of air blown from the
以上のように、上記基板製造装置によれば、従来のような、熱処理炉内に吹き出される空気が基板Pの厚膜ペーストに直接吹き付けられることによる熱処理むらの発生や、表面乾燥による熱処理時間の延長などの問題が解消されて、例えば基板Pに数十μm以上の厚膜ペーストが形成されている場合でも、基板Pの表面全体に亘って均一な熱処理を行うことが出来るとともに、その熱処理時間の短縮を図ることが出来るようになる。 As described above, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, heat generation unevenness caused by direct blowing of air blown into the heat treatment furnace directly onto the thick film paste of the substrate P, or heat treatment time due to surface drying, as in the past. For example, even when a thick paste of several tens of μm or more is formed on the substrate P, the uniform heat treatment can be performed over the entire surface of the substrate P, and the heat treatment can be performed. Time can be shortened.
図3は、この発明による基板製造装置の実施形態における第2の実施例を示している。 FIG. 3 shows a second example of the embodiment of the substrate manufacturing apparatus according to the present invention.
この図3は、基板製造装置の熱処理炉20内の配置構成を、搬送路が紙面に対して直角向きに延びる位置において示した概略構成図である。
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an arrangement configuration in the
この図3において、熱処理炉20内の床面(図示せず)の上方位置に、搬送ローラ11が、その回転軸11Aが基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図3の左右方向)に水平に延びるように配置されている。
In FIG. 3, the
なお、これらの構成は、上述した第1実施例の構成と同様であり、同一の符号が付されている。 These configurations are the same as those of the first embodiment described above, and are denoted by the same reference numerals.
搬送ローラ11によって形成される搬送路の上方の熱処理炉20の天井部に、遠赤外線の照射を行うヒータ22が、そのヒータ面が搬送ローラ11上を搬送される基板Pに対して平行になるように取り付けられている。
A heater 22 that performs far-infrared irradiation on the ceiling of the
そして、搬送ローラ11によって形成される搬送路と直交する方向において、ヒータ22の一方の側方部(この例においては、図3の左側側方部)に、吹き出し方向をヒータ22のヒータ面と平行な方向に向けられた給気口23が設けられ、この給気口23に図示しないFFUを介して給気ダクトが接続されている。
Then, in the direction perpendicular to the conveyance path formed by the
さらに、ヒータ22の反対側の側方部(この例においては、図3の右側側方部)に、図示しない排気ポンプに接続された排気口25が設けられている。
Further, an
上記基板製造装置は、熱処理炉20内に搬入された基板Pを、搬送ローラ11の駆動によって、搬送路上をその搬送方向(図3において紙面と垂直方向)に搬送する。
The substrate manufacturing apparatus transports the substrate P carried into the
基板Pは、厚膜のペーストが塗布された面を上側にして搬送ローラ11上に支持されており、この搬送ローラ11によって搬送される基板Pに対して上方から、ヒータ22によって遠赤外線の照射が行われる。
The substrate P is supported on the
これと同時に、図示しない給気ダクトから供給される空気が、給気口23から熱処理炉20内に吹き出される。
At the same time, air supplied from an air supply duct (not shown) is blown out from the
そして、この給気口23から吹き出された空気は、排気口25から図示しない排気ポンプによって吸引されて外部に排気され、これによって、給気口23から排気口25の方向に、ヒータ22のヒータ面に沿った空気流が形成される。
The air blown out from the
このように、熱処理炉20内に空気が、給気口23からヒータ22のヒータ面と平行な方向に吹き出されて、ヒータ22のヒータ面と平行に流れることにより、基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接吹き付けられることがない。
In this manner, air is blown into the
このとき、給気口23からの空気の吹き出し量が、必要最小限に絞られることによって、給気口23から吹き出される空気が基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接接触するのがさらに防止されるとともに、排気口25からの排気量を、給気口23から吹き出される空気量に、少なくとも、基板Pの熱処理によって厚膜ペーストから排出される溶媒の排出量を加えた量とすることにより、確実に溶媒の排出を行って、基板Pの熱処理時間を短縮することが出来るとともに、厚膜ペーストから排出された溶媒が熱処理炉20内に付着するのが防止される。
At this time, the amount of air blown out from the
以上のように、上記基板製造装置によれば、従来のような、熱処理炉内に吹き出される空気が基板Pの厚膜ペーストに直接吹き付けられることによる熱処理むらの発生や、表面乾燥による熱処理時間の延長などの問題が解消されて、例えば基板Pに数十μm以上の厚膜ペーストが形成されている場合でも、基板Pの表面全体に亘って均一な熱処理を行うことが出来るとともに、その熱処理時間の短縮を図ることが出来るようになる。 As described above, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, heat generation unevenness caused by direct blowing of air blown into the heat treatment furnace directly onto the thick film paste of the substrate P, or heat treatment time due to surface drying, as in the past. For example, even when a thick paste of several tens of μm or more is formed on the substrate P, the uniform heat treatment can be performed over the entire surface of the substrate P, and the heat treatment can be performed. Time can be shortened.
図4は、この発明による基板製造装置の実施形態における第3の実施例を示している。 FIG. 4 shows a third example of the embodiment of the substrate manufacturing apparatus according to the present invention.
この図4は、基板製造装置の熱処理炉30内の配置構成を、搬送路が紙面と平行に延びる位置において示した概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing the arrangement configuration in the
この図4において、熱処理炉30内の床面(図示せず)の上方位置に、搬送ローラ31が、その回転軸31Aが基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図4の紙面に対して垂直向き)に水平に延びるように配置されている。
4, in a position above a floor surface (not shown) in the
搬送ローラ31によって形成される搬送路の上方の熱処理炉30の天井部に、遠赤外線の照射を行うヒータ32が、そのヒータ面が搬送ローラ31上を搬送される基板Pに対して平行になるように取り付けられている。
A
そして、搬送ローラ31によって形成される搬送路の搬送方向において、ヒータ32の下流側(この例においては、図4の左側)位置に、吹き出し方向をヒータ32のヒータ面と平行な方向に向けられた給気口33が設けられ、この給気口33に図示しないFFUを介して給気ダクトが接続されている。
Then, in the transport direction of the transport path formed by the
さらに、ヒータ32の上流側(この例においては、図4の右側)に、図示しない排気ポンプに接続された排気口35が設けられている。
Further, an
上記基板製造装置は、熱処理炉30内に搬入された基板Pを、搬送ローラ31の駆動によって、搬送路上をその搬送方向(図3において右から左方向)に搬送する。
The substrate manufacturing apparatus transports the substrate P carried into the
基板Pは、厚膜のペーストが塗布された面を上側にして搬送ローラ31上に支持されており、この搬送ローラ31によって搬送される基板Pに対して上方から、ヒータ32によって遠赤外線の照射が行われる。
The substrate P is supported on the
これと同時に、図示しない給気ダクトから供給される空気が、給気口33から熱処理炉30内に吹き出される。
At the same time, air supplied from an air supply duct (not shown) is blown out from the
そして、この給気口33から吹き出された空気は、排気口35から図示しない排気ポンプによって吸引されて外部に排気され、これによって、給気口33から排気口35の方向に、ヒータ32のヒータ面に沿って搬送路の下流側から上流側に流れる空気流が形成される。
The air blown out from the
このように、熱処理炉30内に空気が、給気口33からヒータ32のヒータ面と平行な方向に吹き出されて、ヒータ32のヒータ面と平行に流れることにより、基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接吹き付けられることがない。
Thus, air is applied to the substrate P by being blown into the
このとき、給気口33からの空気の吹き出し量が、必要最小限に絞られることによって、給気口33から吹き出される空気が基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接接触するのがさらに防止されるとともに、排気口35からの排気量を、給気口33から吹き出される空気量に、少なくとも、基板Pの熱処理によって厚膜ペーストから排出される溶媒の排出量を加えた量とすることにより、確実に溶媒の排出を行って、基板Pの熱処理時間を短縮することが出来るとともに、厚膜ペーストから排出された溶媒が熱処理炉30内に付着するのが防止される。
At this time, the amount of air blown from the
以上のように、上記基板製造装置によれば、従来のような、熱処理炉内に吹き出される空気が基板Pの厚膜ペーストに直接吹き付けられることによる熱処理むらの発生や、表面乾燥による熱処理時間の延長などの問題が解消されて、例えば基板Pに数十μm以上の厚膜ペーストが形成されている場合でも、基板Pの表面全体に亘って均一な熱処理を行うことが出来るとともに、その熱処理時間の短縮を図ることが出来るようになる。 As described above, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, heat generation unevenness caused by direct blowing of air blown into the heat treatment furnace directly onto the thick film paste of the substrate P, or heat treatment time due to surface drying, as in the past. For example, even when a thick paste of several tens of μm or more is formed on the substrate P, the uniform heat treatment can be performed over the entire surface of the substrate P, and the heat treatment can be performed. Time can be shortened.
図5および6は、この発明による基板製造装置の実施形態における第4の実施例を示している。 5 and 6 show a fourth example of the embodiment of the substrate manufacturing apparatus according to the present invention.
この図5は、基板製造装置の熱処理炉40内の配置構成を、搬送路が紙面に対して直角向きに延びる位置において示した概略構成図であり、図6は、この熱処理炉40内の搬送路を形成する搬送ローラの配置を示す平面図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing the arrangement configuration in the
この図5および6において、熱処理炉40内の床面(図示せず)の上方位置に、搬送ローラ41が、その回転軸41Aが基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図5および6の左右方向)に水平に延びるように配置されている。
5 and 6, the
この搬送ローラ41は、そのローラ面が搬送路の幅方向(基板Pの搬送方向と水平向きに直交する方向)に亘って連続するシャフト形状に成形されていて、基板Pに対してその幅方向の全域に亘って接触するようになっている。
The
この搬送ローラ41によって形成される搬送路の上方の熱処理炉40の天井部に、遠赤外線の照射を行うヒータ12が、そのヒータ面が搬送ローラ41上を搬送される基板Pに対して平行になるように取り付けられている。
A
そして、搬送ローラ41によって形成される搬送路と直交する方向において、ヒータ12の中央に位置する部分に、給気口13が設けられ、この給気口13にFFU14を介して図示しない給気ダクトが接続されている。
An
さらに、搬送ローラ41によって形成される搬送路と直交する方向において、ヒータ12の両側位置(図5の左および右側位置)に、それぞれ図示しない排気ポンプに接続された排気口15A,15Bが設けられている。
Further,
なお、このヒータ12およびヒータ12,給気口13,FFU14,排気口15A,15Bの構成については、前述した第1実施例の場合と同様であり、同一の符号が付されている。
The configurations of the
上記基板製造装置は、熱処理炉40内に搬入された基板Pを、搬送ローラ41の駆動によって、搬送路上をその搬送方向(図5において紙面と垂直方向,図6において上方向)に搬送する。
The substrate manufacturing apparatus transports the substrate P carried into the
基板Pは、厚膜のペーストが塗布された面を上側にして搬送ローラ41上に支持されており、この搬送ローラ41によって搬送される基板Pに対して上方から、ヒータ12によって遠赤外線の照射が行われる。
The substrate P is supported on the
これと同時に、図示しない給気ダクトから供給される空気が、FFU14を介して給気口13から熱処理炉40内に吹き出される。
At the same time, air supplied from an air supply duct (not shown) is blown out from the
そして、この給気口13から吹き出された空気は、ヒータ12の両側に配置された排気口15A,15Bからそれぞれ図示しない排気ポンプによって吸引されて外部に排気され、これによって、給気口13からそれぞれの排気口15A,15Bの方向に、ヒータ12のヒータ面に沿った左右の空気流が形成される。
Then, the air blown out from the
このように、熱処理炉40内において、給気口13から吹き出される空気が、ヒータ12のヒータ面と平行に流れることによって、基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接吹き付けられることがない。
Thus, in the
そして、このような熱処理が行われる際に、基板Pに対してその幅方向(基板Pの搬送方向に対して直交する方向)の全域に亘って搬送ローラ41のローラ面が接触されており、さらに、搬送ローラ41の回転に伴う基板Pの搬送方向への移動によって、搬送ローラ41のローラ面が、基板Pの全面に均等に接触されて行く。
When such a heat treatment is performed, the roller surface of the
以上のように、上記基板製造装置によれば、熱処理炉内に吹き出される空気が基板Pの厚膜ペーストに直接吹き付けられることによる熱処理むらの発生や、表面乾燥による熱処理時間の延長などの従来の問題点が解消されるとともに、従来のようなウォーキングビーム方式によって基板Pの搬送を行う場合と比較して、基板Pが熱処理炉40内を搬送される際に、搬送搬送ローラ41のローラ面が基板Pの全面に均等に接触されることによって、熱処理炉40内における熱処理の際に基板Pに局所的に温度差が発生するのが防止され、これによって、例えば基板Pに数十μm以上の厚膜ペーストが形成されている場合でも、基板Pの全面に亘って均一な熱処理を行うことが出来るようになる。
As described above, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, heat treatment unevenness due to the air blown into the heat treatment furnace being directly blown onto the thick film paste of the substrate P, and heat treatment time extension due to surface drying, etc. When the substrate P is transported in the
なお、上記においては、基板製造装置が、第1実施例の場合と同じヒータと給気口,排気口の構成を備えている例について説明を行ったが、ヒータと給気口,排気口を第2または第3実施例の場合と同様の構成にしても良い。 In the above description, an example in which the substrate manufacturing apparatus has the same heater, air supply port, and exhaust port configuration as in the first embodiment has been described. The same configuration as in the second or third embodiment may be used.
図7および8は、この発明による基板製造装置の実施形態における第5の実施例を示している。 7 and 8 show a fifth example of the embodiment of the substrate manufacturing apparatus according to the present invention.
この図7は、基板製造装置の熱処理炉50内の配置構成を、搬送路が紙面に対して直角向きに延びる位置において示した概略構成図であり、図8は、この熱処理炉50内の搬送路を上方から見た平面図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing the arrangement configuration in the
この図7および8において、熱処理炉50内の床面(図示せず)の上方位置に、搬送ローラ51が、その回転軸51Aが基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図7および8の左右方向)に水平に延びるとともに、搬送方向に等間隔に配置されている。
7 and 8, the
この搬送ローラ51の取付位置と熱処理炉50の床面との間の高さ位置で、搬送方向に等間隔に配置されている搬送ローラ51の間の各部分に対向するそれぞれの位置に、複数の面状のヒータ52が、そのヒータ面を上向きにした状態で、基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図7および8の左右方向)に水平に配列されている。
At a height position between the mounting position of the
搬送ローラ51によって形成される搬送路の上方の熱処理炉50の天井部には、搬送ローラ51によって形成される搬送路と直交する方向において搬送路の中央部分に対向する位置に、給気口53が設けられ、この給気口53にFFU54を介して図示しない給気ダクトが接続されている。
In the ceiling portion of the
さらに、搬送ローラ51によって形成される搬送路の両側位置(図7の左および右側位置)に対向する位置に、それぞれ図示しない排気ポンプに接続された排気口55A,55Bが設けられている。
Further,
上記基板製造装置は、熱処理炉50内に搬入された基板Pを、搬送ローラ51の駆動によって、搬送路上をその搬送方向(図7において紙面と垂直方向,図8において上方向)に搬送する。
The substrate manufacturing apparatus transports the substrate P carried into the
基板Pは、厚膜のペーストが塗布された面を上側にして搬送ローラ51上に支持されており、この搬送ローラ51によって搬送される基板Pに対して下方から、ヒータ52によって遠赤外線の照射が行われる。
The substrate P is supported on the
これと同時に、図示しない給気ダクトから供給される空気が、FFU54を介して給気口53から熱処理炉50内に吹き出される。
At the same time, air supplied from an air supply duct (not shown) is blown out from the
そして、この給気口53から吹き出された空気は、ヒータ52の両側に配置された排気口55A,55Bからそれぞれ図示しない排気ポンプによって吸引されて外部に排気され、これによって、給気口53からそれぞれの排気口55A,55Bの方向に、搬送路の搬送面と平行な左右の空気流が形成される。
The air blown out from the
このように、熱処理炉50内において、給気口53から吹き出される空気が、搬送路の搬送面と平行に流れることによって、搬送路上を搬送される基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接吹き付けられることがない。
Thus, in the
以上のように、上記基板製造装置によれば、熱処理炉内に吹き出される空気が基板Pの厚膜ペーストに直接吹き付けられることによる熱処理むらの発生や、表面乾燥による熱処理時間の延長などの従来の問題点が解消されるとともに、厚膜ペーストが塗布されている面を上向きにして搬送路上を搬送される基板Pに対して、搬送ローラ51の下方側に配置されたヒータ52によって下方から遠赤外線の照射が行われるので、厚膜ペーストに対して遠赤外線が間接的に照射されることになり、これによって、ヒータ52による遠赤外線の照射にむら生じる場合でも、その照射むらが緩和されて、従来のように厚膜ペーストに対して遠赤外線が直接照射される場合のような熱処理のむらの発生が抑制される。
As described above, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, heat treatment unevenness due to the air blown into the heat treatment furnace being directly blown onto the thick film paste of the substrate P, and heat treatment time extension due to surface drying, etc. In addition to the above problem, the
そして、このことにより、例えば基板Pに数十μm以上の厚膜ペーストが形成されている場合でも、基板Pの全面に亘って均一な熱処理を行うことが出来るようになる。 As a result, even when, for example, a thick film paste of several tens of μm or more is formed on the substrate P, a uniform heat treatment can be performed over the entire surface of the substrate P.
さらに、基板Pの厚膜ペーストに対して遠赤外線を直接に照射する場合には、熱処理むらの発生を防止するために、例えば、面状のヒータを隙間無く配置して各ヒータを高精度に制御したり、ヒータと基板Pとの間隔を広くする等の対策が必要となるが、上記基板製造装置によれば、面状のヒータを隙間無く配置したり、ヒータと基板Pとの間隔を広くする等の対策が不要となり、ヒータの数やこれらのヒータを制御する制御点の数を削減することによって、省エネルギ化が可能になる。 Furthermore, when directly irradiating far-infrared rays to the thick film paste of the substrate P, for example, in order to prevent the occurrence of unevenness in heat treatment, for example, a planar heater is arranged without gaps so that each heater is highly accurate. It is necessary to take measures such as controlling or widening the distance between the heater and the substrate P. However, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, the planar heater can be arranged without a gap, or the distance between the heater and the substrate P can be increased. Measures such as widening are not necessary, and energy can be saved by reducing the number of heaters and the number of control points for controlling these heaters.
なお、上記においては、基板製造装置の給気口と排気口が第1実施例の場合と同様の配置になっている例について説明を行ったが、この給気口と排気口を第2または第3実施例の場合と同様の配置にしても良い。 In the above description, the example in which the air supply port and the exhaust port of the substrate manufacturing apparatus are arranged in the same manner as in the first embodiment has been described. The same arrangement as in the third embodiment may be used.
図9および10は、この発明による基板製造装置の実施形態における第6の実施例を示している。 9 and 10 show a sixth example of the embodiment of the substrate manufacturing apparatus according to the present invention.
この図9は、基板製造装置の熱処理炉60内の配置構成を、搬送路が紙面に対して直角向きに延びる位置において示した概略構成図であり、図10は、この熱処理炉60内の搬送路を上方から見た平面図である。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing the arrangement configuration in the
この図9および10において、熱処理炉60内の床面(図示せず)の上方位置に、搬送ローラ51が、その回転軸51Aが基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図9および10の左右方向)に水平に延びるとともに、搬送方向に等間隔に配置されている。
9 and 10, the
この搬送ローラ51の取付位置と熱処理炉60の床面との間の高さ位置で、搬送方向に等間隔に配置されている搬送ローラ51の間の各部分にそれぞれ対向する位置に、水平方向に延びる複数のパイプ状のセラミック・ヒータ62が、基板Pの搬送方向に対して直交する向き(図9および10の左右方向)に、等間隔に配置されている。
At the height position between the mounting position of the
この搬送ローラ51によって形成される搬送路の上方の熱処理炉60の天井部には、搬送ローラ51によって形成される搬送路と直交する方向において、搬送路の中央部分に対向する位置に給気口53が設けられ、この給気口53にFFU54を介して図示しない給気ダクトが接続されている。
In the ceiling portion of the
さらに、搬送ローラ51によって形成される搬送路の両側位置(図9の左および右側位置)に対向する位置に、それぞれ図示しない排気ポンプに接続された排気口55A,55Bが設けられている。
Further, exhaust ports 55 </ b> A and 55 </ b> B connected to exhaust pumps (not shown) are provided at positions facing both side positions (left and right positions in FIG. 9) of the conveyance path formed by the
上記基板製造装置は、熱処理炉60内に搬入された基板Pを、搬送ローラ51の駆動によって、搬送路上をその搬送方向(図9において紙面と垂直方向,図10において上方向)に搬送する。
The substrate manufacturing apparatus transports the substrate P carried into the
基板Pは、厚膜のペーストが塗布された面を上側にして搬送ローラ51上に支持されており、この搬送ローラ51によって搬送される基板Pに対して下方から、セラミック・ヒータ62によって遠赤外線の照射が行われる。
The substrate P is supported on the
これと同時に、図示しない給気ダクトから供給される空気が、FFU54を介して給気口53から熱処理炉60内に吹き出される。
At the same time, air supplied from an air supply duct (not shown) is blown out from the
そして、この給気口53から吹き出された空気は、排気口55A,55Bからそれぞれ図示しない排気ポンプによって吸引されて外部に排気され、これによって、給気口53からそれぞれの排気口55A,55Bの方向に、搬送路の搬送面と平行な左右の空気流が形成される。
The air blown out from the
このように、熱処理炉60内において、給気口53から吹き出される空気が、搬送路の搬送面と平行に流れることによって、搬送路上を搬送される基板Pに塗布されている厚膜ペーストに直接吹き付けられることがない。
Thus, in the
以上のように、上記基板製造装置によれば、熱処理炉内に吹き出される空気が基板Pの厚膜ペーストに直接吹き付けられることによる熱処理むらの発生や、表面乾燥による熱処理時間の延長などの問題が解消されるとともに、厚膜ペーストが塗布されている面を上向きにして搬送路上を搬送される基板Pに対して、搬送ローラ51の下方側に配置されたセラミック・ヒータ62によって下方から遠赤外線の照射が行われるので、厚膜ペーストに対して遠赤外線が間接的に照射されることになり、セラミック・ヒータ62による遠赤外線の照射にむらが生じる場合でも、その照射むらが緩和されて、従来のように厚膜ペーストに対して遠赤外線が直接照射される場合のような熱処理のむらの発生が抑制される。
As described above, according to the above-described substrate manufacturing apparatus, problems such as the occurrence of heat treatment unevenness due to the air blown into the heat treatment furnace being directly blown onto the thick film paste of the substrate P, and the extension of the heat treatment time due to surface drying, etc. And the far infrared ray from below by the
そして、このことにより、例えば基板Pに数十μm以上の厚膜ペーストが形成されている場合でも、基板Pの全面に亘って均一な熱処理を行うことが出来るようになる。 As a result, even when, for example, a thick film paste of several tens of μm or more is formed on the substrate P, a uniform heat treatment can be performed over the entire surface of the substrate P.
さらに、基板Pの厚膜ペーストに対して遠赤外線を直接に照射する場合には、熱処理むらの発生を防止するためには、例えば、面状のヒータを隙間無く配置して各ヒータを高精度に制御したり、ヒータと基板Pとの間隔を広くする等の対策が必要となるが、上記基板製造装置によれば、面状のヒータを隙間無く配置したり、ヒータと基板Pとの間隔を広くする等の対策が不要となり、パイプ状のヒータの使用やこれらのヒータを制御する制御点の数を削減することによって、省エネルギ化が可能になる。 Furthermore, when directly irradiating far-infrared rays to the thick film paste of the substrate P, in order to prevent the occurrence of unevenness in heat treatment, for example, a planar heater is arranged without gaps so that each heater is highly accurate. However, according to the substrate manufacturing apparatus, the planar heater is arranged without a gap, or the distance between the heater and the substrate P is increased. Therefore, energy saving can be achieved by using pipe-shaped heaters and reducing the number of control points for controlling these heaters.
なお、上記においては、基板製造装置の給気口と排気口が第1実施例の場合と同様の配置になっている例について説明を行ったが、この給気口と排気口を第2または第3実施例の場合と同様の配置にしても良い。 In the above description, the example in which the air supply port and the exhaust port of the substrate manufacturing apparatus are arranged in the same manner as in the first embodiment has been described. The same arrangement as in the third embodiment may be used.
10,20,30,40,50,60 …熱処理炉
11,31,41,51 …搬送ローラ(搬送部材)
11A,31A,41A,51A …回転軸
12,22,32,52 …ヒータ(加熱部材)
62 …セラミック・ヒータ(加熱部材)
13,23,33、53 …給気口
15A,15B,25,35,55A,55B
…排気口
P …基板
10, 20, 30, 40, 50, 60 ...
11A, 31A, 41A, 51A ... rotating
62… Ceramic heater (heating member)
13, 23, 33, 53 ...
… Exhaust port P… Substrate
Claims (32)
前記基板を熱処理炉内において搬送する搬送部材と、この搬送部材によって搬送される基板に対して遠赤外線を照射する加熱部材と、前記熱処理炉内に空気を供給する給気部材とを備え、
前記給気部材が、熱処理炉内に空気を吹き出す給気口と、この給気口が位置し搬送部材によって形成される搬送路に対してほぼ平行な平面内に配置された排気口を有していることを特徴とする基板製造装置。 A substrate manufacturing apparatus for manufacturing a substrate on which a required structure is formed by heat-treating a paste applied on the substrate in a heat treatment furnace,
A transport member that transports the substrate in a heat treatment furnace, a heating member that irradiates far infrared rays to the substrate transported by the transport member, and an air supply member that supplies air into the heat treatment furnace,
The air supply member has an air supply port for blowing air into the heat treatment furnace, and an exhaust port disposed in a plane substantially parallel to the conveyance path where the air supply port is located and formed by the conveyance member. The board | substrate manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記基板を熱処理炉内において搬送する搬送部材と、この搬送部材によって搬送される基板に対して遠赤外線を照射する加熱部材と、前記熱処理炉内に空気を供給する給気部材とを備え、
前記搬送部材が、この搬送部材によって形成される搬送路の幅方向において連続する外周面を有する複数のローラ部材が搬送路の搬送方向に並設されることによって構成されていることを特徴とする基板製造装置。 A substrate manufacturing apparatus for manufacturing a substrate on which a required structure is formed by heat-treating a paste applied on the substrate in a heat treatment furnace,
A transport member that transports the substrate in a heat treatment furnace, a heating member that irradiates far infrared rays to the substrate transported by the transport member, and an air supply member that supplies air into the heat treatment furnace,
The conveyance member is configured by a plurality of roller members having outer peripheral surfaces continuous in the width direction of a conveyance path formed by the conveyance member arranged in parallel in the conveyance direction of the conveyance path. Board manufacturing equipment.
前記熱処理炉内において、基板に対して加熱部材から遠赤外線を照射する工程時に、給気口から熱処理炉内に空気を吹き出して、この空気を、基板に対してほぼ平行で給気口が位置する平面内に配置された排気口から排気することを特徴とする基板製造方法。 A substrate manufacturing method for manufacturing a substrate on which a required structure is formed by heat-treating a paste applied on the substrate in a heat treatment furnace,
In the heat treatment furnace, during the step of irradiating the substrate with far infrared rays from the heating member, air is blown out from the air supply port into the heat treatment furnace, and the air is substantially parallel to the substrate and the air supply port is positioned. A substrate manufacturing method comprising exhausting air from an exhaust port disposed in a plane.
前記熱処理炉内において、基板を、搬送路の幅方向において連続する外周面を有し搬送方向に並設された複数のローラ部材によって搬送することを特徴とする基板製造方法。 A substrate manufacturing method for manufacturing a substrate on which a required structure is formed by heat-treating a paste applied on the substrate in a heat treatment furnace,
In the said heat processing furnace, a board | substrate is conveyed by the several roller member which has the outer peripheral surface continuous in the width direction of a conveyance path, and was arranged in parallel by the conveyance direction.
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JP2009195840A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Kanto Auto Works Ltd | Drying furnace for coating and drying method for coating |
KR101216747B1 (en) * | 2005-08-11 | 2012-12-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Decompression drier |
CN111256461A (en) * | 2020-02-10 | 2020-06-09 | 北京华电光大环境股份有限公司 | Automatic infrared drying furnace of disconnect-type and drying system |
KR20230086427A (en) * | 2021-12-08 | 2023-06-15 | 주식회사 한화 | Double-layer heat treatment furnace |
-
2003
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---|---|---|---|---|
KR101216747B1 (en) * | 2005-08-11 | 2012-12-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Decompression drier |
JP2009195840A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Kanto Auto Works Ltd | Drying furnace for coating and drying method for coating |
CN111256461A (en) * | 2020-02-10 | 2020-06-09 | 北京华电光大环境股份有限公司 | Automatic infrared drying furnace of disconnect-type and drying system |
KR20230086427A (en) * | 2021-12-08 | 2023-06-15 | 주식회사 한화 | Double-layer heat treatment furnace |
KR102686945B1 (en) | 2021-12-08 | 2024-07-22 | 한화모멘텀 주식회사 | Double-layer heat treatment furnace |
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