JP2005129605A - 配線基板及びそれを用いた半導体パッケージ - Google Patents

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Abstract

【課題】チップの電極パッドでの入出力の配列にかかわらず外部接続端子での入出力を任意に配置する。
【解決手段】配線基板13において、電極パッド17aは配線パターン19a及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19cに接続され、電極パッド17bは配線パターン19b及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19bに接続され、電極パッド17cは配線パターン19c及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19aに接続されて、電極パッド17a,17b,17c、インナーリード7a,7b,7c間のワイヤリングの順序が変更されている。配線パターン19dには2個のチップ側パッド21d−1,21d−2及び1個のリード側パッド23dが設けられ、配線パターン19dにより、電極パッド21d−1と21d−2が短絡され、共通のインナーリード7dに導かれている。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体パッケージに内蔵される配線基板及びそれを用いた半導体パッケージに関するものである。本発明の配線基板及び半導体パッケージはリードフレームタイプ及びインターポーザタイプのいずれにも適用できる。
半導体チップ(以下単にチップともいう)の製造工程の微細化に伴い、チップサイズは縮小の一途を辿っている。加えて、これらをパッケージングするための部材は、技術的な課題もあり、追随が厳しい状況である。
例えば、リードフレームはその加工限界から最小のインナーリードピッチが決まっている。さらに、チップとリードフレームを電気的に接続する手段として現在最も広く用いられている金線等のボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディング方式において、モールド時のワイヤー流れや、ワイヤー同士の接触などの不具合を考慮して、最大ワイヤー長さに制限がある。今後、チップがさらに小さくなると、超微細加工されたリードフレームの開発や金線の開発にコストがかかり、製造コストの上昇を防ぐためにモールド工程などの後続工程での品質を下げざるを得ないなどの問題を招く虞れがある。このような事態はBGA(ball grid array)などのインターポーザタイプの半導体パッケージにおいても同じである。
また、ワイヤー長さが長いことに起因する不具合を防止する方法として、チップの電極パッドとリードの組ごとに配線パターンを備えた配線基板を用い、その配線パターンを介して、チップの電極パッドとリードを電気的に接続する従来技術がある(例えば特許文献1参照。)。特許文献1では、絶縁性樹脂の表面に矩形枠状の配線基板を取り付けたリードフレームを用い、チップの電極パッドと配線パターンのチップ側の配線パッドをボンディングワイヤーにより接続し、配線パターンのリード側の配線パッドとインナーリードを別のボンディングワイヤーにより接続している。
特開平7−297384号公報 特開2002−368184号公報
チップの電極パッドとリードの組ごとに配線パターンを備えた従来の配線基板では、隣り合う配線パターンが互いに絶縁され、配線パターンによりチップの電極パッドの配列が外部接続端子につながる電極近傍にそのまま配置されており、中継的な役割を果たしているだけである。したがって、配列された複数の外部接続端子での入出力の種類を変更する場合、その変更に合わせてチップの電極パッドでの入出力の種類も変更する必要があり、チップの設計変更をしなければならないという問題があった。
また、チップに複数のGND(接地電位)電極パッドが設けられている場合、それらの電極パッドは別々の外部接続端子に接続されていた。
本発明は、チップの電極パッドでの入出力の配列にかかわらず、外部接続端子での入出力を任意に配列できる配線基板及びそれを用いた半導体パッケージを提供することを目的とするものである。
本発明の配線基板は、半導体パッケージに内蔵され、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつものであって、再配線機能を有するものである。ここで再配線は、ワイヤリングの順序の変更と複数の電極パッドの短絡を含む。
本発明の配線基板において、上記配線パターンは、基板の一表面にのみ形成されていてもよいし、基板の両面に形成されていてもよい。
本発明の半導体パッケージは、複数の電極パッドをもつ1個以上の半導体チップと、外部接続端子につながる電極と、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつ配線基板を備え、ボンディングワイヤーにより上記電極パッド及び上記外部接続端子につながる電極と上記配線パターンが接続されているであって、上記配線基板として本発明の配線基板を備え、電極パッド、外部接続端子間の接続の再配線が行なわれているものである。
本発明の半導体パッケージにおいて、上記電極パッドの一部は上記配線パターンを介さずにボンディングワイヤーにより上記外部接続端子につながる電極に直接接続されているようにしてもよい。
また、複数の半導体チップを備えているようにしてもよい。その場合、複数の半導体チップのすべての電極パッドは、ボンディングワイヤーにより上記配線パターン又は上記外部接続端子につながる電極に接続されている例を挙げることができる。
本発明の半導体パッケージの一例として、リードフレームタイプの半導体パッケージであり、上記外部接続端子はアウターリードであり、上記外部接続端子につながる電極はインナーリードである例を挙げることができる。
本発明の半導体パッケージの他の例として、インターポーザタイプの半導体パッケージであり、上記外部接続端子はボール端子であり、上記外部接続端子につながる電極はインターポーザに形成された導電性の電極パターンである例を挙げることができる。
本発明の配線基板では、半導体パッケージに内蔵され、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもち、再配線機能により、ワイヤリングの順序の変更もしくは複数の電極パッドの短絡又はその両方を行なうようにしたので、チップの電極パッドでの入出力の配列にかかわらず、外部接続端子での入出力を任意に配列できる。
本発明の配線基板において、上記配線パターンは基板の一表面にのみ形成されていているようにすれば、配線基板を安価に製造することができる。
また、上記配線パターンは基板の両面に形成されているようにすれば、設計の自由性を向上させることができる。さらに、基板の両面に配線パターンが形成されている配線基板は安価に製造することができる。
本発明の半導体パッケージでは、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつ配線基板として本発明の配線基板を備え、電極パッド、外部接続端子間の接続の再配線が行なわれているようにしたので、チップの電極パッドでの入出力の配列にかかわらず、外部接続端子での入出力を任意に配列でき、チップサイズや複数チップ搭載パッケージ、端子配列指定などの要因に妨げられることなくパッケージングでき、開発期間の短縮、従来技術の活用、開発費用の低減などに大きな効果がある。
本発明の半導体パッケージにおいて、上記電極パッドの一部は上記配線パターンを介さずにボンディングワイヤーにより上記外部接続端子につながる電極に直接接続されているようにすれば、例えばチップの1辺の電極パッドをすべて外部接続端子に直接接続することにより、その直接接続されている領域近傍では配線基板の配線パターンを設ける必要はないので、配線基板のサイズを小さくすることができ、半導体パッケージ全体のサイズを小さくすることができる。
ところで、昨今、機能が異なる半導体チップ、すなわち製造プロセス方式が異なる複数のIC(integrated circuit)、例えばメモリICとロジックICなどを単一のパッケージに実装する機会が増えている。理由は、プロセス方式が異なるICを1チップ化するには、相当な開発期間と費用がかかる上に、1チップ化した複数機能の各々の特性について個別のチップとは同等の特性が得られないためである。しかし、複数のチップを搭載する場合、各チップにおける電極パッドの入出力の配列を考慮する必要があった。特に、例えば特許文献2に記載されているように、複数のチップの電極パッド間がボンディングワイヤーにより直接接続されている場合、一方のチップの電極パッドの入出力配置が変更されたときには他方のチップの電極パッドの入出力配置も変更しなければならないという問題があった。
本発明のパッケージにおいて、複数の半導体チップを備えている場合、本発明の配線基板により電極パッド、外部接続端子につながる電極間の配線を再配線することができるので、どのような種類のチップの組み合わせにも電極パッド自体の配置及び入出力配置を設計変更することなく対応でき、1パッケージ化することができる。
さらに、複数の半導体チップのすべての電極パッドは、ボンディングワイヤーにより上記配線パターン又は上記外部接続端子につながる電極に接続されているようにすれば、複数のチップの電極パッド間が配線基板の配線パターンを介して接続されている場合であって、いずれかのチップの電極パッドの入出力配置が変更されるときでも、配線基板の再配線機能により、他のチップの電極パッドの入出力配置を変更することなく、配線パターンを介して複数のチップの電極パッド間を接続することができる。
また、従来のリードフレームタイプのパッケージでは、その構造上、リードの配置をチップのパッド配置に合わせる必要があった。
そこで、本発明の半導体パッケージをリードフレームタイプの半導体パッケージに適用すれば、チップの電極パッド、インナーリード間の接続を再配線することができるので、チップの電極パッドの配置がどんな場合であっても、配線基板上で所定の順序に再配線し、リードに導くことができる。
本発明の半導体パッケージをインターポーザタイプの半導体パッケージに適用すれば、チップの電極パッド、インターポーザの電極パターン間の接続を再配線することができるので、インターポーザにおいて多層配線による複雑な配線構造を用いなくても、配線基板上で電極パッドの電位を所望の電極パターンに対応する位置に導くことにより、チップの電極パッド、インターポーザの電極パターン間を適切に接続することができる。
図1は、本発明の配線基板を備えたパッケージの一実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のA−A位置での断面図である。図2は図1(A)の一点鎖線円部分の拡大図である。
パッケージ1は中央部に配置されたダイパッド3と、ダイパッド3の周囲に配置された複数のリード5を備えている。リード5は、ダイパッド3近傍に配置され、封止樹脂11により封止されるインナーリード(外部接続端子につながる電極)7と、封止樹脂11から突出し、ガルウィング形状に折り曲げられたアウターリード(外部接続端子)9により構成されている。
ダイパッド3上に接着剤層(図示は省略)を介して配線基板13が搭載されている。配線基板13上に接着剤層(図示は省略)を介してチップ15が搭載されている。チップ15の上面(配線基板11とは反対側の面)に複数の電極パッド17が形成されている。
配線基板13の上面(チップ15が搭載されている面)に複数の導電性の配線パターン19が形成されている。配線パターン19には電極パッド17の近傍に配置されたチップ側パッド21とインナーリード7の近傍に配置されたリード側パッド23が設けられている。
対応する電極パッド17とチップ側パッド21、及び対応するリード側パッド23とインナーリード7はそれぞれボンディングワイヤー25により電気的に接続されている。
ダイパッド3、インナーリード9、配線基板13、チップ15及びボンディングワイヤー25は封止樹脂11により封止されている。
チップ15の一辺の近傍に、電極パッド17a,17b,17cが配列されており、電極パッド17a,17b,17cに対向してインナーリード7a,7b,7cが配置されている。配線基板13において、電極パッド17a,17b,17cとインナーリード7a,7b,7cの間の領域に配線パターン19a,19b,19cが設けられている。
配線パターン19aのチップ側パッド21aは電極パッド17a近傍に配置され、リード側パッド23aはインナーリード7c近傍に配置されている。配線パターン19bのチップ側パッド21bは電極パッド17b近傍に配置され、リード側パッド23bはインナーリード7b近傍に配置されている。配線パターン19cのチップ側パッド21cは電極パッド17c近傍に配置され、リード側パッド23cはインナーリード7a近傍に配置されている。
電極パッド17aはボンディングワイヤー25、配線パターン19a及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19cに接続され、電極パッド17bはボンディングワイヤー25、配線パターン19b及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19bに接続され、電極パッド17cはボンディングワイヤー25、配線パターン19c及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19aに接続されている。
これにより、電極パッド17aでの信号はインナーリード7cで入出力され、電極パッド17cでの信号はインナーリード7aで入出力される。すなわち、配線パターン19a,19b,19cにより、電極パッド17a,17b,17c、インナーリード7a,7b,7c間のワイヤリングの順序が変更されて再配線がなされている。
このように、本発明の配線基板13によれば、チップ15の電極パッド17での入出力の配列にかかわらず、リード5での入出力を任意に配列できる。
さらに配線基板13において、配線パターン19dには2個のチップ側パッド21d−1,21d−2及び1個のリード側パッド23dが設けられている。チップ側パッド21d−1はチップ15の角部分近傍に設けられた電極パッド17d−1近傍に配置され、チップ側パッド21d−2は電極パッド17d−1とは対角に位置する角部分近傍に設けられた電極パッド17d−2近傍に配置され、リード側パッド23dはインナーリード7d近傍に配置されている。
電極パッド17d−1とチップ側パッド21d−1、電極パッド17d−2とチップ側パッド21d−2、インナーリード7dとリード側パッド23dはボンディングワイヤー25によりそれぞれ接続されている。配線パターン19dにより、電極パッド21d−1と21d−2が短絡され、共通のインナーリード7dに導かれている。
また、配線パターン19eには2個のチップ側パッド21e−1,21e−2及び1個のリード側パッド23dが設けられている。チップ15の角部分近傍に設けられた電極パッド17e−1とチップ側パッド21e−1、電極パッド17e−1とは対角に位置する角部分近傍に設けられた電極パッド17e−2とチップ側パッド21e−2、インナーリード7eとリード側パッド23eがボンディングワイヤー25によりそれぞれ接続されている。配線パターン19eにより、電極パッド21e−1と21e−2が短絡され、共通のインナーリード7eに導かれている。
このように、配線パターン19d,19eにより複数の電極パッド17d−1と17d−2、17e−1と17e−2を短絡して共通のインナーリード7d,7eにそれぞれ導くことにより、短絡しない場合に比べてパッケージ1のリード5の本数を減少させることができる。
パッケージ1では、配線基板13により、電極パッド17、リード9間の接続の再配線が行なわれているようにしたので、チップ15の電極パッド17での入出力の配列にかかわらず、リード9での入出力を任意に配列でき、チップサイズや端子配列指定などの要因に妨げられることなくパッケージングでき、開発期間の短縮、従来技術の活用、開発費用の低減などに大きな効果がある。
また、配線基板13のように、配線パターン19が基板の一表面にのみ形成されていているものは安価に製造することができる。
この実施例では2個の電極パッド17を配線パターン19により短絡しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、3個以上の電極パッドを配線パターンにより短絡するようにしてもよい。また、短絡した電極パッドをリード5に必ずしも導く必要はなく、配線基板上で複数のパッドを単に短絡するだけであってもよい。
また、この実施例では、配線パターン19aにより電極パッド17aの入出力を電極パッド17aが配置されているチップ13の辺に対向して設けられたインナーリード9cに導いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、配線パターンにより、電極パッドの入出力を電極パッドが配置されているチップの辺とは異なる辺に対向して設けられたインナーリード、例えば電極パッドが配置されているチップの辺とは反対側の辺に対向して設けられたインナーリードに導くことも可能である。
図3は、本発明の配線基板を備えたパッケージの他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のB−B位置での断面図である。図1と同じ役割を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
パッケージ27は、ダイパッド3、リード9、配線基板29、チップ15、ボンディングワイヤー25及び封止樹脂11により構成されている。
ダイパッド3上に接着剤層(図示は省略)を介して搭載された配線基板29上に接着剤層(図示は省略)を介してチップ15が搭載されている。配線基板29の上面(チップ15が搭載されている面)に、配線パターン19a,19b,19c,19d,19eを含む配線パターン19が形成されている。図1に示した実施例と同様に、配線パターン19a,19b,19c,19d,19eによりワイヤリングの順序が変更され、複数の電極パッド17が短絡されて再配線がなされている。
配線基板29において、チップ15の同じ辺に配置された電極パッド17f,17g,17hに対応する配線パターン19は設けられていない。電極パッド17f,17g,17hは、ボンディングワイヤー25により、電極パッド17f,17g,17h近傍に配置されたインナーリード7f,7g,7hに配線パターン19を介さずに直接接続されている。
配線基板29では、電極パッド17f,17g,17hに対応する配線パターン19は設けられていないので、図1に示した配線基板13に比べてサイズを小さくすることができ、ひいてはパッケージ27のサイズを図1に示したパッケージ1に比べて小さくすることができる。
図4は、本発明の配線基板を備えたパッケージのさらに他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のC−C位置での断面図である。図5は図4(A)の一点鎖線円部分の拡大図である。図1及び図3と同じ役割を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
パッケージ31は、ダイパッド3、リード9、配線基板33、チップ15a,15b、ボンディングワイヤー25及び封止樹脂11により構成されている。
ダイパッド3上に接着剤層(図示は省略)を介して搭載された配線基板33上に接着剤層(図示は省略)を介して2個のチップ15a,15bが搭載されている。配線基板33の上面(チップ15a,15bが搭載されている面)に複数の配線パターン19が形成されている。
配線基板33のチップ15a、15b間の領域に、チップ15aの電極パッド17a−1,17a−2,17a−3とチップ15bの電極パッド17b−1,17b−2,17b−3を再配線して接続するための3本の配線パターン19−1,19−2,19−3が形成されている。配線パターン19−1は電極パッド17a−1近傍にパッド35−1と電極パッド17b−3近傍にパッド37−1を備えている。配線パターン19−2は電極パッド17a−2近傍にパッド35−2と電極パッド17b−2近傍にパッド37−2を備えている。配線パターン19−3は電極パッド17a−3近傍にパッド35−3と電極パッド17b−1近傍にパッド37−3を備えている。
電極パッド17a−1とパッド35−1、電極パッド17a−2とパッド35−2、電極パッド17a−3とパッド35−3はボンディングワイヤー25により接続されている。電極パッド17b−1とパッド37−3、電極パッド17b−2とパッド37−2、電極パッド17b−3とパッド37−1はボンディングワイヤー25により接続されている。これにより、チップ15aの電極パッド17a−1とチップ15bの電極パッド17b−3は配線パターン19−1及びボンディングワイヤー25を介して接続され、チップ15aの電極パッド17a−2とチップ15bの電極パッド17b−2は配線パターン19−2及びボンディングワイヤー25を介して接続され、チップ15aの電極パッド17a−3とチップ15bの電極パッド17b−3は配線パターン19−3及びボンディングワイヤー25を介して接続され、対向する電極パッド17a−1,17a−2,17a−3、電極パッド17b−1,17b−2,17b−3間の接続においてワイヤリングの順序が変更されて再配線されている。
配線基板33により、チップ15a,15bの電極パッド17間の接続においてワイヤリングの順序を変更することができるので、複数のチップを1個のパッケージに搭載する場合であっても例えばチップの電極パッドでの入出力の順序、チップ間接続パッド数、専用チップの設計、チップ搭載方向の制約などのチップ間接続に関する問題をなくすことができる。
さらに、この実施例では、チップ15bの電極パッド、リード間の接続について、配線パターン19iにより電極パッド17iをチップ15bの電極パッド17iが配置されている辺とは異なる辺に対応して配置されたインナーリード7jに導いている。また、配線パターン19jにより電極パッド17jをチップ15bの電極パッド17jが配置されている辺とは異なる辺に対応して配置されたインナーリードiに導いている。これにより、チップ15bの電極パッド17、インナーリード7間のワイヤリングの順序を変更している。
このように、本発明の配線基板によれば、電極パッドを任意のリードに導くことができる。
さらに、この実施例では、チップ15a,15bのそれぞれについて、図1、図3に示した実施例と同様に、電極パッド17d−1,17d−2が配線パターン19dにより短絡され、共通のインナーリード7dに導かれ、電極パッド17e−1,17e−2が配線パターン19eにより短絡され、共通のインナーリード7eに導かれている。これにより、リード5の本数が短絡しない場合に比べて少なくされている。
この実施例では、配線基板33は、2個のチップ15a,15bの電極パッド間のワイヤリングの順序の変更、チップ15bチップ15bの電極パッド17、インナーリード7間のワイヤリングの順序を変更、及び複数の電極パッドの短絡を行なっているが、本発明の配線基板はこれらのすべての再配線機能を備えている必要はなく、必要に応じて、これらのうち少なくとも1個の再配線機能を備えていればよい。
また、この実施例では、配線パターンにより、同じチップの2個の電極パッドを短絡して共通のリードに導いているが、本発明の配線基板はこれに限定されるものではなく、一方のチップの1個又は複数個の電極パッドと他方のチップの1個又は複数個の電極パッドを短絡して共通のリードに導いてもよい。一方のチップの1個又は複数個の電極パッドと他方のチップの1個又は複数個の電極パッドを単に短絡するだけであってもよい。
また、この実施例のパッケージでは2個のチップ15a,15bを搭載しているが、本発明の配線基板及びパッケージが適用されるパッケージはこれに限定されるものではなく、3個以上のチップを搭載したパッケージにも適用することができる。
また、この実施例ではチップ15a,15bの電極パッドの全部が配線パターン19又はインナーリード7に接続されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数のチップの電極パッド間がボンディングワイヤーにより直接接続されている領域を備えていてもよい。
図6は、本発明の配線基板を備えたパッケージのさらに他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のD−D位置での断面図である。図7は図6(A)の一点鎖線円部分の拡大図である。図1と同じ役割を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
パッケージ39は、ダイパッド3、リード9、配線基板41、チップ15、ボンディングワイヤー25及び封止樹脂11により構成されている。
配線基板41は絶縁性の接着剤層43を介してダイパッド3上に搭載されている。配線基板41の上面(ダイパッド3とは反対側の面)に接着剤層(図示は省略)を介してチップ15が搭載されている。
配線基板41には上面に配線パターン19が形成され、裏面(ダイパッド3側の面)に裏面配線パターン45a,45c,45d,45eが形成されている。裏面配線パターン45a,45c,45d,45eは接着剤層43によりダイパッド3とは絶縁されている。
配線パターン19aのチップ側パッド21aは配線基板41に形成されたスルーホールを介して裏面配線パターン45aの一端に接続され、裏面配線パターン45aの他端はスルーホールを介して配線パターン19aのリード側パッド23aに接続されている。
配線パターン19cのチップ側パッド21cはスルーホールを介して裏面配線パターン45cの一端に接続され、裏面配線パターン45cの他端はスルーホールを介して配線パターン19cのリード側パッド23cに接続されている。
配線パターン19dのチップ側パッド21d−2はスルーホールを介して裏面配線パターン45dの一端に接続され、裏面配線パターン45dの他端はスルーホールを介して配線パターン19dのチップ側パッド21d−1に接続されている。
配線パターン19eのチップ側パッド21e−1はスルーホールを介して裏面配線パターン45eの一端に接続され、裏面配線パターン45eの他端はスルーホールを介して配線パターン19eのチップ側パッド21e−2に接続されている。
この実施例では、配線基板41の表面の配線パターン19及び裏面配線パターン45a,45c,45d,45eを用いてワイヤリングの順序の変更及び複数の電極パッドの短絡を行なっている。配線基板41の上面及び裏面に配線パターンを形成することにより、配線パターンを上面と裏面で交差させることができるので、配線基板41の設計の自由性を向上させることができる。また、このような配線基板は安価に製造することができる。
上記の実施例では本発明の配線基板をリードフレームタイプのパッケージに適用しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、BGAなどのインターポーザタイプのパッケージにも適用することができる。図8を参照してその実施例を説明する。
図8は、本発明の配線基板を備えたパッケージのさらに他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のE−E位置での断面図、(C)は(A)のF−F位置での断面図である。
パッケージ47はインターポーザ49、配線基板51、チップ15、ボンディングワイヤー25、封止樹脂11及びボール端子(外部接続端子)53により構成されている。図8(A)において封止樹脂11の図示は省略されている。
インターポーザ47の上面に配線基板51が接着剤層(図示は省略)を介して搭載されている。さらにインターポーザ47の上面には複数の導電性の電極パターン(外部接続端子につながる電極)55が形成されている。インターポーザ47には、電極パターン55のボール端子53に対応する部分にスルーホール57が形成されている。スルーホール57内にインターポーザ47の裏面から突出してボール端子53が搭載されている。
配線基板51の上面(チップ15が搭載されている面)に複数の導電性の配線パターン59が形成されている。配線パターン59にはチップ15の電極パッド17の近傍に配置されたチップ側パッド61とインターポーザ47の電極パターン55の近傍に配置された電極パターン側パッド63が設けられている。
対応する電極パッド17とチップ側パッド61、及び対応する電極パターン側パッド63と電極パターン55はそれぞれボンディングワイヤー25により電気的に接続されている。
インターポーザ49の上面、配線基板51、チップ15及びボンディングワイヤー25は封止樹脂11により封止されている。
配線基板51において、配線パターン59aのチップ側パッド61a、電極パターン側パッド63aは電極パッド17a、電極パターン55cの近傍に配置され、配線パターン59bのチップ側パッド61b、電極パターン側パッド63bは電極パッド17b、電極パターン55b近傍に配置され、配線パターン59cのチップ側パッド61c、電極パターン側パッド63cは電極パッド17c、電極パターン55a近傍に配置されている。
そして、電極パッド17aはボンディングワイヤー25、配線パターン59a及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード59cに接続され、電極パッド17bはボンディングワイヤー25、配線パターン59b及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード59bに接続され、電極パッド17cはボンディングワイヤー25、配線パターン59c及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード59aに接続されている。
これにより、電極パッド17aでの信号は電極パターン55cに入出力され、電極パッド17cでの信号は電極パターン55aに入出力される。すなわち、配線パターン59a,59b,59cにより、電極パッド17a,17b,17c、電極パターン55a,7b,7c間のワイヤリングの順序が変更されて再配線がなされている。
このように、本発明の配線基板51によれば、インターポーザタイプのパッケージ47においても、チップ15の電極パッド17での入出力の配列にかかわらず、ボール端子53での入出力を任意に配列できる。
さらに配線基板51において、配線パターン59dには2個のチップ側パッド61d−1,61d−2及び1個の電極パターン側パッド63dが設けられている。チップ側パッド61d−1、チップ側パッド61d−2は電極パッド17d−1、17d−2近傍に配置され、電極パターン側パッド63dは電極パターン55d近傍に配置されている。電極パッド17d−1とチップ側パッド61d−1、電極パッド17d−2とチップ側パッド61d−2、電極パターン55dと電極パターン側パッド63dはボンディングワイヤー25によりそれぞれ接続されている。配線パターン59dにより、電極パッド61d−1と61d−2が短絡され、共通の電極パターン55dに導かれている。
また、配線パターン59eには2個のチップ側パッド61e−1,61e−2及び1個の電極パターン側パッド63dが設けられており、電極パッド17e−1とチップ側パッド61e−1、電極パッド17e−2とチップ側パッド61e−2、電極パターン55eと電極パターン側パッド63eがボンディングワイヤー25によりそれぞれ接続されている。配線パターン59eにより、電極パッド61e−1と61e−2が短絡され、共通の電極パターン55eに導かれている。
このように、配線パターン59d,59eにより複数の電極パッド17d−1と17d−2、及び17e−1と17e−2を短絡して共通の電極パターン55d,7eに導くことにより、短絡しない場合に比べてパッケージ47のボール端子53の数を減少させることができる。
このように、本発明の配線基板51によれば、インターポーザタイプのパッケージ47であっても、配線基板51により、電極パッド17、リード9間の接続の再配線を行なうことができ、チップ15の電極パッド17での入出力の配列にかかわらず、リード9での入出力を任意に配列でき、チップサイズや端子配列指定などの要因に妨げられることなくパッケージングでき、開発期間の短縮、従来技術の活用、開発費用の低減などに大きな効果がある。
この実施例では2個の電極パッド17を配線パターン59により短絡しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、3個以上の電極パッドを配線パターンにより短絡するようにしてもよい。また、短絡した電極パッドを電極パターン55に必ずしも導く必要はなく、配線基板上で複数のパッドを単に短絡するだけであってもよい。
また、配線パターン59のチップ側パッド61及び電極パターン側パッド63の配置はこの実施例に限定されるものではなく、電極パッドを所望の電極パターンに導くことが可能である。
また、この実施例ではすべての電極パッド17をボンディングワイヤー25を介して配線パターン59のいずれかのチップ側パッド61に接続しているが、本発明のインターポーザタイプのパッケージはこれに限定されるものではなく、図3を参照して説明したリードフレームタイプのパッケージの実施例と同様に、1又は複数のチップの電極パッドをインターポーザの電極パターンにボンディングワイヤーを介して直接接続するようにしてもよい。これにより、配線基板における配線パターン形成面積を縮小して配線基板のサイズ、ひいてはパッケージのサイズを小さくすることができる。
また、この実施例では1個のチップのみを搭載しているが、本発明のインターポーザタイプのパッケージはこれに限定されるものではなく、図4及び図5を参照して説明したリードフレームタイプのパッケージの実施例と同様に、複数のチップの電極パッドを搭載し、それらのチップの電極パッド間のワイヤリングの順序変更、チップの電極パッドとインターポーザの電極パターン間のワイヤリングの順序変更、もしくは複数個の電極パッドの短絡、又はこれらの組み合わせの再配線機能を備えているようにしてもよい。
また、この実施例では、上面のみに配線パターン59をもつ配線基板51を備えているが、本発明のインターポーザタイプのパッケージはこれに限定されるものではなく、図6及び図7を参照して説明したリードフレームタイプのパッケージの実施例と同様に、上面及び裏面に配線パターンをもつ配線基板を用いるようにしてもよい。
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
本発明の配線基板を備えたパッケージの一実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のA−A位置での断面図である。 図1(A)の一点鎖線円部分の拡大図である。 本発明の配線基板を備えたパッケージの他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のB−B位置での断面図である。 本発明の配線基板を備えたパッケージのさらに他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のC−C位置での断面図である。 図4(A)の一点鎖線円部分の拡大図である。 本発明の配線基板を備えたパッケージのさらに他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のD−D位置での断面図である。 図6(A)の一点鎖線円部分の拡大図である。 本発明の配線基板を備えたパッケージのさらに他の実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のE−E位置での断面図、(C)は(A)のF−F位置での断面図である。
符号の説明
1,27,31,39 リードフレームタイプのパッケージ
3 ダイパッド
5 リード
7 インナーリード
9 アウターリード
11 封止樹脂
13,29,33,41 配線基板
15 チップ
17,17a〜17c,17f〜17j 電極パッド
17d−1,17d−2,17e−1,17e−2 電極パッド
19,19a〜19j 配線パターン
19−1,19−2,19−3 配線パターン
19a−1,19a−2,19a−3 配線パターン
19b−1,19b−2,19b−3 配線パターン
21,21a,21b,21c 配線パターンのチップ側パッド
21d−1,21d−2,21e−1,21e−2 配線パターンのチップ側パッド
23,23a〜23e 配線パターンのリード側パッド
25 ボンディングワイヤー
35−1,35−2,35−3 配線パターンのパッド
37−1,37−2,37−3 配線パターンのパッド
43 接着剤層
45a,45c,45d,45e 裏面配線パターン
47 インターポーザタイプのパッケージ
49 インターポーザ
51 配線基板
53 ボール端子
55 電極パターン
57 スルーホール
59,59a〜59e 配線パターン
61,61a,61b,61c 配線パターンのチップ側パッド
61d−1,61d−2,61e−1,61e−2 配線パターンのチップ側パッド
63,63a〜63e 配線パターンの電極パターン側パッド

Claims (11)

  1. 半導体パッケージに内蔵され、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつ配線基板において、
    再配線機能を有することを特徴とする配線基板。
  2. 前記再配線機能はワイヤリングの順序の変更を含む請求項1に記載の配線基板。
  3. 前記再配線機能は複数の前記電極パッドの短絡を含む請求項1又は2に記載の配線基板。
  4. 前記配線パターンは基板の一表面にのみ形成されている請求項1から3のいずれかに記載の配線基板。
  5. 前記配線パターンは基板の両面に形成されている請求項1から3のいずれかに記載の配線基板。
  6. 複数の電極パッドをもつ1個以上の半導体チップと、外部接続端子につながる電極と、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつ配線基板を備え、ボンディングワイヤーにより前記電極パッド及び前記外部接続端子につながる電極と前記配線パターンが接続されている半導体パッケージにおいて、
    前記配線基板として請求項1から5のいずれかに記載の配線基板を備え、電極パッド、外部接続端子間の接続の再配線が行なわれていることを特徴とする半導体パッケージ。
  7. 前記電極パッドの一部は前記配線パターンを介さずにボンディングワイヤーにより前記外部接続端子につながる電極に直接接続されている請求項6に記載の半導体パッケージ。
  8. 複数の半導体チップを備えている請求項6又は7に記載の半導体パッケージ。
  9. 複数の半導体チップのすべての電極パッドは、ボンディングワイヤーにより前記配線パターン又は前記外部接続端子につながる電極に接続されている請求項8に記載の半導体パッケージ。
  10. リードフレームタイプの半導体パッケージであり、前記外部接続端子はアウターリードであり、前記外部接続端子につながる電極はインナーリードである請求項6から9のいずれかに記載の半導体パッケージ。
  11. インターポーザタイプの半導体パッケージであり、前記外部接続端子はボール端子であり、前記外部接続端子につながる電極はインターポーザに形成された導電性の電極パターンである請求項6から9のいずれかに記載の半導体パッケージ。
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