JP2005129605A - 配線基板及びそれを用いた半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線基板13において、電極パッド17aは配線パターン19a及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19cに接続され、電極パッド17bは配線パターン19b及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19bに接続され、電極パッド17cは配線パターン19c及びボンディングワイヤー25を介してインナーリード19aに接続されて、電極パッド17a,17b,17c、インナーリード7a,7b,7c間のワイヤリングの順序が変更されている。配線パターン19dには2個のチップ側パッド21d−1,21d−2及び1個のリード側パッド23dが設けられ、配線パターン19dにより、電極パッド21d−1と21d−2が短絡され、共通のインナーリード7dに導かれている。
【選択図】図1
Description
また、チップに複数のGND(接地電位)電極パッドが設けられている場合、それらの電極パッドは別々の外部接続端子に接続されていた。
また、上記配線パターンは基板の両面に形成されているようにすれば、設計の自由性を向上させることができる。さらに、基板の両面に配線パターンが形成されている配線基板は安価に製造することができる。
さらに、複数の半導体チップのすべての電極パッドは、ボンディングワイヤーにより上記配線パターン又は上記外部接続端子につながる電極に接続されているようにすれば、複数のチップの電極パッド間が配線基板の配線パターンを介して接続されている場合であって、いずれかのチップの電極パッドの入出力配置が変更されるときでも、配線基板の再配線機能により、他のチップの電極パッドの入出力配置を変更することなく、配線パターンを介して複数のチップの電極パッド間を接続することができる。
そこで、本発明の半導体パッケージをリードフレームタイプの半導体パッケージに適用すれば、チップの電極パッド、インナーリード間の接続を再配線することができるので、チップの電極パッドの配置がどんな場合であっても、配線基板上で所定の順序に再配線し、リードに導くことができる。
パッケージ1は中央部に配置されたダイパッド3と、ダイパッド3の周囲に配置された複数のリード5を備えている。リード5は、ダイパッド3近傍に配置され、封止樹脂11により封止されるインナーリード(外部接続端子につながる電極)7と、封止樹脂11から突出し、ガルウィング形状に折り曲げられたアウターリード(外部接続端子)9により構成されている。
配線基板13の上面(チップ15が搭載されている面)に複数の導電性の配線パターン19が形成されている。配線パターン19には電極パッド17の近傍に配置されたチップ側パッド21とインナーリード7の近傍に配置されたリード側パッド23が設けられている。
ダイパッド3、インナーリード9、配線基板13、チップ15及びボンディングワイヤー25は封止樹脂11により封止されている。
このように、本発明の配線基板13によれば、チップ15の電極パッド17での入出力の配列にかかわらず、リード5での入出力を任意に配列できる。
また、配線基板13のように、配線パターン19が基板の一表面にのみ形成されていているものは安価に製造することができる。
ダイパッド3上に接着剤層(図示は省略)を介して搭載された配線基板29上に接着剤層(図示は省略)を介してチップ15が搭載されている。配線基板29の上面(チップ15が搭載されている面)に、配線パターン19a,19b,19c,19d,19eを含む配線パターン19が形成されている。図1に示した実施例と同様に、配線パターン19a,19b,19c,19d,19eによりワイヤリングの順序が変更され、複数の電極パッド17が短絡されて再配線がなされている。
ダイパッド3上に接着剤層(図示は省略)を介して搭載された配線基板33上に接着剤層(図示は省略)を介して2個のチップ15a,15bが搭載されている。配線基板33の上面(チップ15a,15bが搭載されている面)に複数の配線パターン19が形成されている。
このように、本発明の配線基板によれば、電極パッドを任意のリードに導くことができる。
また、この実施例ではチップ15a,15bの電極パッドの全部が配線パターン19又はインナーリード7に接続されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数のチップの電極パッド間がボンディングワイヤーにより直接接続されている領域を備えていてもよい。
配線基板41は絶縁性の接着剤層43を介してダイパッド3上に搭載されている。配線基板41の上面(ダイパッド3とは反対側の面)に接着剤層(図示は省略)を介してチップ15が搭載されている。
配線パターン19cのチップ側パッド21cはスルーホールを介して裏面配線パターン45cの一端に接続され、裏面配線パターン45cの他端はスルーホールを介して配線パターン19cのリード側パッド23cに接続されている。
配線パターン19dのチップ側パッド21d−2はスルーホールを介して裏面配線パターン45dの一端に接続され、裏面配線パターン45dの他端はスルーホールを介して配線パターン19dのチップ側パッド21d−1に接続されている。
配線パターン19eのチップ側パッド21e−1はスルーホールを介して裏面配線パターン45eの一端に接続され、裏面配線パターン45eの他端はスルーホールを介して配線パターン19eのチップ側パッド21e−2に接続されている。
パッケージ47はインターポーザ49、配線基板51、チップ15、ボンディングワイヤー25、封止樹脂11及びボール端子(外部接続端子)53により構成されている。図8(A)において封止樹脂11の図示は省略されている。
インターポーザ49の上面、配線基板51、チップ15及びボンディングワイヤー25は封止樹脂11により封止されている。
これにより、電極パッド17aでの信号は電極パターン55cに入出力され、電極パッド17cでの信号は電極パターン55aに入出力される。すなわち、配線パターン59a,59b,59cにより、電極パッド17a,17b,17c、電極パターン55a,7b,7c間のワイヤリングの順序が変更されて再配線がなされている。
このように、本発明の配線基板51によれば、インターポーザタイプのパッケージ47においても、チップ15の電極パッド17での入出力の配列にかかわらず、ボール端子53での入出力を任意に配列できる。
また、配線パターン59のチップ側パッド61及び電極パターン側パッド63の配置はこの実施例に限定されるものではなく、電極パッドを所望の電極パターンに導くことが可能である。
3 ダイパッド
5 リード
7 インナーリード
9 アウターリード
11 封止樹脂
13,29,33,41 配線基板
15 チップ
17,17a〜17c,17f〜17j 電極パッド
17d−1,17d−2,17e−1,17e−2 電極パッド
19,19a〜19j 配線パターン
19−1,19−2,19−3 配線パターン
19a−1,19a−2,19a−3 配線パターン
19b−1,19b−2,19b−3 配線パターン
21,21a,21b,21c 配線パターンのチップ側パッド
21d−1,21d−2,21e−1,21e−2 配線パターンのチップ側パッド
23,23a〜23e 配線パターンのリード側パッド
25 ボンディングワイヤー
35−1,35−2,35−3 配線パターンのパッド
37−1,37−2,37−3 配線パターンのパッド
43 接着剤層
45a,45c,45d,45e 裏面配線パターン
47 インターポーザタイプのパッケージ
49 インターポーザ
51 配線基板
53 ボール端子
55 電極パターン
57 スルーホール
59,59a〜59e 配線パターン
61,61a,61b,61c 配線パターンのチップ側パッド
61d−1,61d−2,61e−1,61e−2 配線パターンのチップ側パッド
63,63a〜63e 配線パターンの電極パターン側パッド
Claims (11)
- 半導体パッケージに内蔵され、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつ配線基板において、
再配線機能を有することを特徴とする配線基板。 - 前記再配線機能はワイヤリングの順序の変更を含む請求項1に記載の配線基板。
- 前記再配線機能は複数の前記電極パッドの短絡を含む請求項1又は2に記載の配線基板。
- 前記配線パターンは基板の一表面にのみ形成されている請求項1から3のいずれかに記載の配線基板。
- 前記配線パターンは基板の両面に形成されている請求項1から3のいずれかに記載の配線基板。
- 複数の電極パッドをもつ1個以上の半導体チップと、外部接続端子につながる電極と、ボンディングワイヤーにより半導体チップの電極パッド及び外部接続端子につながる電極と接続される導電性の配線パターンをもつ配線基板を備え、ボンディングワイヤーにより前記電極パッド及び前記外部接続端子につながる電極と前記配線パターンが接続されている半導体パッケージにおいて、
前記配線基板として請求項1から5のいずれかに記載の配線基板を備え、電極パッド、外部接続端子間の接続の再配線が行なわれていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記電極パッドの一部は前記配線パターンを介さずにボンディングワイヤーにより前記外部接続端子につながる電極に直接接続されている請求項6に記載の半導体パッケージ。
- 複数の半導体チップを備えている請求項6又は7に記載の半導体パッケージ。
- 複数の半導体チップのすべての電極パッドは、ボンディングワイヤーにより前記配線パターン又は前記外部接続端子につながる電極に接続されている請求項8に記載の半導体パッケージ。
- リードフレームタイプの半導体パッケージであり、前記外部接続端子はアウターリードであり、前記外部接続端子につながる電極はインナーリードである請求項6から9のいずれかに記載の半導体パッケージ。
- インターポーザタイプの半導体パッケージであり、前記外部接続端子はボール端子であり、前記外部接続端子につながる電極はインターポーザに形成された導電性の電極パターンである請求項6から9のいずれかに記載の半導体パッケージ。
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JP2003361451A JP2005129605A (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 配線基板及びそれを用いた半導体パッケージ |
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JP2008243886A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびそれに用いる中継配線基板 |
KR100922370B1 (ko) | 2007-12-06 | 2009-10-21 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 자재 |
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CN102454878A (zh) * | 2010-10-19 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管模组 |
-
2003
- 2003-10-22 JP JP2003361451A patent/JP2005129605A/ja active Pending
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