JP2005123441A - Semiconductor chip grinding apparatus and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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伴安 平野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor chip grinding apparatus and a manufacturing method of the same for realizing the grinding of a rear surface by the single body of a reliable and stable semiconductor chip by protecting an element forming surface. <P>SOLUTION: A tray 11 is constituted so as to have equal tapered surfaces 11T at its 4 edges, and to respectively contact with only an edge part on the side of the element forming surface 12A of the semiconductor chip 12. A chip fixed mask 13 is positioned and fixed onto the tray 11. Each semiconductor chip 12 is housed in the opening frame 131 of the chip fixed mask 13. Thus, the semiconductor chip 12 makes its edge on the side of the element forming surface 12A contact with the tapered surface 11T of the tray 11, and exposes the side of a grinding surface 12B. A rotary grinding machine 14 grinds the grinding surface 12B of the semiconductor chip 12 to work the semiconductor chip 12 to a desired thickness. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体装置製造技術に係り、特にウェハ状態で研削した半導体チップの厚さを調整する半導体チップ研削装置及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technique, and more particularly to a semiconductor chip grinding apparatus and a semiconductor device manufacturing method for adjusting the thickness of a semiconductor chip ground in a wafer state.

半導体チップの薄型化は、実装される機器の要求に伴って進められてきた。一般的には半導体集積回路形成等ウェハプロセスを終えたウェハ状態での裏面研削となる。しかしながら、研削後のウェハ面内での厚さ寸法ばらつきが実装に影響が出る懸念があった。また、ウェハ状態での研削で要求厚より大きいままダイシング工程に入りチップ化されると、そのチップは再利用できず、廃棄される。   Thinning of semiconductor chips has been promoted along with the demands of devices to be mounted. Generally, the back surface grinding is performed in the wafer state after the completion of the wafer process such as semiconductor integrated circuit formation. However, there is a concern that variations in thickness within the wafer surface after grinding may affect mounting. In addition, if the wafer is ground and enters the dicing process while being larger than the required thickness, the chip cannot be reused and is discarded.

上記問題を解決するため、半導体チップの裏面研削を行う技術が開示されている。これにより、ウェハの周辺部に位置する半導体チップの研削不均一性をなくし、チップの薄型化を精度よく行う(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−319558号公報(3〜5頁、図1,図2)
In order to solve the above problem, a technique for performing back surface grinding of a semiconductor chip is disclosed. As a result, the non-uniformity of grinding of the semiconductor chip located in the peripheral portion of the wafer is eliminated, and the chip is thinned accurately (see, for example, Patent Document 1).
JP 2002-319558 (pages 3 to 5, FIGS. 1 and 2)

しかしながら、半導体チップの裏面研削はチップの固定方法が難しい。[特許文献1]においても、半導体チップの素子形成面に接触、吸着され研削工具面により加圧される。このため、素子形成面のキズ付き、また、素子形成面への圧迫が悪影響を及ぼす懸念がある。   However, the backside grinding of the semiconductor chip is difficult to fix the chip. In [Patent Document 1] as well, it is brought into contact with and adsorbed to the element forming surface of the semiconductor chip and is pressed by the grinding tool surface. For this reason, there is a concern that the element formation surface may be scratched or the element formation surface may be adversely affected.

本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、素子形成面を保護し、より信頼性を伴う安定した半導体チップ単体での裏面研削を実現する半導体チップ研削装置及びその製造方法を提供しようとするものである。   The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and provides a semiconductor chip grinding apparatus that protects an element formation surface and realizes stable backside grinding with a more reliable semiconductor chip alone and a method for manufacturing the same. It is something to be offered.

本発明に係る半導体チップ研削装置は、複数の半導体チップの素子形成面側がそれぞれその縁部分のみを接触させるテーパー面を有するトレイと、前記トレイ上に設けられ前記各半導体チップの大きさに応じた開口枠を有して前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む。   The semiconductor chip grinding apparatus according to the present invention includes a tray having a taper surface on which the element formation surface side of a plurality of semiconductor chips is in contact with only the edge portion, and the size of each semiconductor chip provided on the tray. A chip fixing mask that has an opening frame and exposes the grinding surface side of each semiconductor chip; and a rotary grinding machine that contacts the grinding surface side of each semiconductor chip.

上記本発明に係る半導体チップ研削装置によれば、トレイはテーパー面を有して複数の半導体チップの素子形成面側それぞれの縁部分のみと接触する。各半導体チップの位置決め固定は、チップ固定マスクと共に達成される。これにより、半導体チップの素子形成面側には研削時の圧力は直接的に与えられることなく、個々の半導体チップにおける固定の安定性を得る。   According to the semiconductor chip grinding apparatus of the present invention, the tray has a tapered surface and contacts only the edge portions on the element formation surface side of the plurality of semiconductor chips. Positioning and fixing of each semiconductor chip is achieved together with a chip fixing mask. As a result, the pressure at the time of grinding is not directly applied to the element forming surface side of the semiconductor chip, and the fixing stability of each semiconductor chip is obtained.

本発明に係る半導体チップ研削装置は、複数の半導体チップの素子形成面側それぞれの周辺部分のみを接触させる段差を有するトレイと、前記トレイ上に設けられ前記各半導体チップの大きさに応じた開口枠を有して前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む。   A semiconductor chip grinding apparatus according to the present invention includes a tray having a step for contacting only a peripheral portion on each of the element formation surfaces of a plurality of semiconductor chips, and an opening provided on the tray according to the size of each semiconductor chip. A chip fixing mask having a frame to expose the grinding surface side of each semiconductor chip; and a rotary grinding machine contacting the grinding surface side of each semiconductor chip.

上記本発明に係る半導体チップ研削装置によれば、トレイは段差を有して複数の半導体チップの素子形成面側それぞれの周辺部分のみと接触する。各半導体チップの位置決め固定は、チップ固定マスクと共に達成される。これにより、半導体チップの素子形成面側には研削時の圧力は直接的に与えられることなく、個々の半導体チップにおける固定の安定性を得る。   According to the semiconductor chip grinding apparatus according to the present invention, the tray has a step and comes into contact with only the peripheral portions on the element formation surface side of the plurality of semiconductor chips. Positioning and fixing of each semiconductor chip is achieved together with a chip fixing mask. As a result, the pressure at the time of grinding is not directly applied to the element forming surface side of the semiconductor chip, and the fixing stability of each semiconductor chip is obtained.

本発明に係る半導体チップ研削装置は、複数の半導体チップそれぞれの大きさに応じた開口枠を有すると共に各半導体チップの素子形成面側それぞれの周辺部分を接触させる段差を有し、前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、前記チップ固定マスクが搭載され複数の半導体チップの素子形成面側がそれぞれ対向するトレイと、前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む。   A semiconductor chip grinding apparatus according to the present invention has an opening frame corresponding to the size of each of a plurality of semiconductor chips, and has a step for contacting each peripheral portion on the element forming surface side of each semiconductor chip. A chip fixing mask for exposing the grinding surface side, a tray on which the chip fixing mask is mounted and on which the element formation surface sides of the plurality of semiconductor chips face each other, a rotary grinding machine that contacts the grinding surface side of each semiconductor chip, including.

上記本発明に係る半導体チップ研削装置によれば、チップ固定マスクは段差を有して複数の半導体チップの素子形成面側それぞれの周辺部分と接触する。トレイは各半導体チップの素子形成面側を密閉、保護する形態となる。各半導体チップの位置決め固定は、チップ固定マスク及びトレイによる。半導体チップの素子形成面側には研削時の圧力は直接的に与えられることなく、個々の半導体チップにおける固定の安定性を得る。   According to the semiconductor chip grinding apparatus of the present invention, the chip fixing mask has a step and comes into contact with the peripheral portions on the element formation surface side of the plurality of semiconductor chips. The tray is configured to seal and protect the element formation surface side of each semiconductor chip. Each semiconductor chip is positioned and fixed by a chip fixing mask and a tray. The pressure at the time of grinding is not directly applied to the element forming surface side of the semiconductor chip, and the fixing stability of each semiconductor chip is obtained.

上記それぞれ本発明に係る半導体チップ研削装置において、次のようないずれかの特徴を有することで、よりいっそうのチップ研削の安定性に寄与する。
前記トレイは、前記各半導体チップの素子形成面側にガス圧力を供給する通気口を有する。
前記トレイは、前記各半導体チップの素子形成面側に空気圧を供給する通気口を有する。
前記トレイは、前記各半導体チップの素子形成面側にゲル化部材を供給する経路を有する。
前記トレイは、前記各半導体チップを支持する粘着部材を配する。
前記トレイまたは前記チップ固定マスクは、少なくとも一部が薄膜で覆われている。
前記チップ固定マスクは前記各半導体チップの研削面と同等の材質である。
Each of the semiconductor chip grinding apparatuses according to the present invention has any one of the following features, thereby contributing to further stability of chip grinding.
The tray has a vent for supplying gas pressure to the element formation surface side of each semiconductor chip.
The tray has a vent for supplying air pressure to the element forming surface side of each semiconductor chip.
The tray has a path for supplying a gelling member to the element formation surface side of each semiconductor chip.
The tray is provided with an adhesive member that supports the semiconductor chips.
The tray or the chip fixing mask is at least partially covered with a thin film.
The chip fixing mask is made of the same material as the ground surface of each semiconductor chip.

本発明に係る半導体チップ研削装置は、それぞれ半導体チップの素子形成面側が対向する複数の半導体チップのトレイと、前記トレイ上に設けられる粘着部材と、前記各半導体チップの大きさに応じた開口枠を有して前記各半導体チップの素子形成面側を前記トレイの粘着部材に接触させると共に前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む。   A semiconductor chip grinding apparatus according to the present invention includes a plurality of semiconductor chip trays each facing the element formation surface side of the semiconductor chip, an adhesive member provided on the tray, and an opening frame corresponding to the size of each semiconductor chip. A chip fixing mask for contacting the element forming surface side of each semiconductor chip with the adhesive member of the tray and exposing the grinding surface side of each semiconductor chip; and contacting the grinding surface side of each semiconductor chip A rotary grinder.

上記本発明に係る半導体チップ研削装置によれば、それぞれ半導体チップの素子形成面側は、トレイに設けられた粘着部材によって保護される。各半導体チップの位置決め固定は、チップ固定マスクと共に達成される。これにより、半導体チップの素子形成面側は粘着部材がクッションとなり、研削時の圧力は直接的に与えられることはない。このような構成から、個々の半導体チップにおける固定の安定性を得る。
なお、本発明に係る半導体チップ研削装置において、前記チップ固定マスクは、前記各半導体チップの素子形成面側周辺部と接触する段差を有する。このような特徴を有することで、よりいっそうのチップ研削の安定性に寄与する。
According to the semiconductor chip grinding apparatus of the present invention, the element forming surface side of each semiconductor chip is protected by the adhesive member provided on the tray. Positioning and fixing of each semiconductor chip is achieved together with a chip fixing mask. Thereby, the adhesive member serves as a cushion on the element forming surface side of the semiconductor chip, and pressure during grinding is not directly applied. From such a configuration, fixing stability in each semiconductor chip is obtained.
In the semiconductor chip grinding apparatus according to the present invention, the chip fixing mask has a step that comes into contact with an element forming surface side peripheral portion of each semiconductor chip. By having such a feature, it contributes to further stability of chip grinding.

本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップの大きさに応じた開口枠を有するチップ固定マスクを所定のトレイ上に位置決め固定する工程と、前記チップ固定マスクの開口枠に前記複数の半導体チップを、それぞれ素子形成面側が前記トレイに対向するように収納し、それぞれ研削面側を露出させる工程と、前記複数の半導体チップの研削面側に回転研削盤を接触させ、前記複数の半導体チップを研削する工程と、を含む。   The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of positioning and fixing a chip fixing mask having an opening frame corresponding to the size of a plurality of semiconductor chips on a predetermined tray, and the plurality of the fixing frames on the opening frame of the chip fixing mask. Each of the semiconductor chips is stored such that the element formation surface side faces the tray, and the grinding surface side is exposed, and a rotary grinder is brought into contact with the grinding surface side of the plurality of semiconductor chips, Grinding the semiconductor chip.

上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、トレイ上に位置決め固定されたチップ固定マスクの開口枠にそれぞれ複数の半導体チップを、素子形成面側をトレイに対向させるように収納し、研削面側を研削する。すなわち、チップ固定マスクによって個々の半導体チップにおける固定、研削の安定性が得られる。   According to the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a plurality of semiconductor chips are respectively stored in an opening frame of a chip fixing mask positioned and fixed on the tray so that the element forming surface side faces the tray and ground. Grind the surface side. That is, the stability of fixing and grinding in each semiconductor chip can be obtained by the chip fixing mask.

なお、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、よりよい研削の安定性を得るために次のような特徴を有する。
前記トレイから前記複数の半導体チップそれぞれの素子形成面側に研削時の圧力と均衡を保つための圧力制御手段が与えられることを特徴とする。
前記トレイの所定箇所に少なくとも前記半導体チップそれぞれの素子形成面側が密着される粘着部材を配する工程をさらに含む。
The semiconductor device manufacturing method according to the present invention has the following characteristics in order to obtain better grinding stability.
Pressure control means for maintaining a balance with the pressure during grinding is provided from the tray to the element forming surface side of each of the plurality of semiconductor chips.
The method further includes a step of arranging an adhesive member at least at the element forming surface side of each of the semiconductor chips at a predetermined position of the tray.

本発明に係る半導体の製造方法は、所定のトレイ上に着脱可能な粘着シートを装着する工程と、複数の半導体チップそれぞれの大きさに応じた開口枠を有すると共にそれぞれ前記半導体チップそれぞれの縁部近傍と接触する段差を有するチップ固定マスクを前記トレイの粘着シート上に位置決め固定する工程と、前記チップ固定マスクに前記複数の半導体チップを、それぞれ素子形成面側が前記段差または前記粘着シートに接触するように収納し、前記チップ固定マスクからそれぞれ前記複数の半導体チップの研削面側を露出させる工程と、前記複数の半導体チップの研削面側に回転研削盤を接触させ、前記複数の半導体チップを研削する工程と、を含む。   The semiconductor manufacturing method according to the present invention includes a step of mounting a removable adhesive sheet on a predetermined tray, an opening frame corresponding to each size of the plurality of semiconductor chips, and an edge of each of the semiconductor chips. A step of positioning and fixing a chip fixing mask having a step in contact with the vicinity on the adhesive sheet of the tray, and a plurality of semiconductor chips on the chip fixing mask, the element formation surface side of which contacts the step or the adhesive sheet, respectively. And exposing the grinding surface side of the plurality of semiconductor chips from the chip fixing mask, and contacting the rotary grinding machine to the grinding surface side of the plurality of semiconductor chips to grind the plurality of semiconductor chips. And a step of performing.

上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、各半導体チップの位置決め固定は、チップ固定マスクとトレイ上の粘着シートにより安定する。半導体チップの素子形成面側は粘着シートにより保護される。素子形成面側のクッションにもなり、研削時の圧力は直接的に与えられることはない。このような構成から、個々の半導体チップにおける固定、研削の安定性を得る。   According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, the positioning and fixing of each semiconductor chip is stabilized by the chip fixing mask and the adhesive sheet on the tray. The element forming surface side of the semiconductor chip is protected by an adhesive sheet. It also serves as a cushion on the element forming surface side, and pressure during grinding is not directly applied. From such a configuration, the stability of fixing and grinding in each semiconductor chip is obtained.

上記それぞれ本発明に係る半導体装置の製造方法において、より好ましい実施態様として、前記チップ固定マスクは、前記回転研削盤により前記複数の半導体チップの研削面と共に研削されることを特徴とする。なお、チップ固定マスクは、半導体チップの研削部と同一の材質であることが好ましい。   In each of the semiconductor device manufacturing methods according to the present invention, as a more preferred embodiment, the chip fixing mask is ground together with the grinding surfaces of the plurality of semiconductor chips by the rotary grinding machine. The chip fixing mask is preferably made of the same material as the grinding part of the semiconductor chip.

上記それぞれ本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体チップは、ウェハ状態における段階でウェハ研削工程を経ていることを特徴とする。ウェハ研削工程である程度研削した後に、チップ研削で最終厚を出すことが考えられる。また、ウェハ研削工程で厚さを間違えた場合や部分的に規定範囲外の厚さとなってしまった個々の半導体チップの救済に用いられることも考えられる。   In each of the semiconductor device manufacturing methods according to the present invention, the semiconductor chip is subjected to a wafer grinding step in a wafer state. It is conceivable that the final thickness is obtained by chip grinding after grinding to some extent in the wafer grinding process. In addition, it may be used for relief of individual semiconductor chips that have been mistaken in thickness in the wafer grinding process or partially have a thickness outside the specified range.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図である。また、図2(a)〜(d)は、それぞれ図1中の破線で囲んだトレイの一部分に関する応用例を示す上面図である。
トレイ11は、四辺同等なテーパー面11Tを有し、それぞれ半導体チップ12の素子形成面12A側の縁部分のみと接触するように構成されている。トレイ11は、図示しない支持台等に取り付けられる。チップ固定マスク13は、各半導体チップ12の大きさに応じた開口枠131を有する。チップ固定マスク13は、トレイ11上に位置決め固定されている。各半導体チップ12は、チップ固定マスク13の開口枠131に収納される。これにより、半導体チップ12は、その素子形成面12A側の縁部分をトレイ11のテーパー面11Tに接触させると共に、研削面12B側を露出させる。回転研削盤14は、研削砥石等を含み、半導体チップ12の研削面12Bを研削し、半導体チップ12を所望の厚さに加工する。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a semiconductor chip grinding apparatus according to a first embodiment of the present invention. 2A to 2D are top views showing application examples relating to a part of the tray surrounded by a broken line in FIG.
The tray 11 has a tapered surface 11T that is equivalent to four sides, and is configured to contact only the edge portion of the semiconductor chip 12 on the element forming surface 12A side. The tray 11 is attached to a support base (not shown). The chip fixing mask 13 has an opening frame 131 corresponding to the size of each semiconductor chip 12. The chip fixing mask 13 is positioned and fixed on the tray 11. Each semiconductor chip 12 is accommodated in the opening frame 131 of the chip fixing mask 13. Thereby, the semiconductor chip 12 makes the edge part by the side of the element formation surface 12A contact the taper surface 11T of the tray 11, and exposes the grinding surface 12B side. The rotary grinding machine 14 includes a grinding wheel or the like, grinds the grinding surface 12B of the semiconductor chip 12, and processes the semiconductor chip 12 to a desired thickness.

トレイ11は、精度の出易い金属部材で構成することが考えられる。チップ固定マスク13は、半導体チップ12と同等の材質であることが考えられる。例えば半導体チップ12がシリコンチップの場合、チップ固定マスク13はシリコンで構成される。半導体チップ12と共にチップ固定マスク13も所望のレベルに研削される。図では、研削される前から各半導体チップ12の研削面12Bがチップ固定マスク13から突出している状態を示しているが、この限りではない。チップ固定マスク13と同一面レベルにより近い状態や、チップ固定マスク13より厚みが小さいことも考えられる。その他、チップ固定マスク13は半導体チップ12とは別の材質を用い、積極的には研削しない手法が考えられる。また、チップ固定マスク13の開口枠131側部に図示しないが保護用の薄膜を配してもよい。   It is conceivable that the tray 11 is made of a metal member that is easily accurate. It is conceivable that the chip fixing mask 13 is made of the same material as the semiconductor chip 12. For example, when the semiconductor chip 12 is a silicon chip, the chip fixing mask 13 is made of silicon. The chip fixing mask 13 together with the semiconductor chip 12 is ground to a desired level. Although the figure shows a state in which the grinding surface 12B of each semiconductor chip 12 protrudes from the chip fixing mask 13 before grinding, this is not restrictive. A state closer to the same surface level as the chip fixing mask 13 or a thickness smaller than the chip fixing mask 13 may be considered. In addition, the chip fixing mask 13 may be made of a material different from that of the semiconductor chip 12 and not actively ground. Although not shown, a protective thin film may be disposed on the side of the opening frame 131 of the chip fixing mask 13.

トレイ11のテーパー面11Tは、半導体チップ12との密着性を高めるための樹脂性または粘着性を有するような薄膜21がコーティングされているとなおよい(図2(a))。   The taper surface 11T of the tray 11 is more preferably coated with a thin film 21 having a resin property or an adhesive property for improving the adhesion to the semiconductor chip 12 (FIG. 2A).

また、トレイ11の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側にガス圧力、または空気圧を供給する通気口22を有していてもよい(図2(b))。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとるための圧力供給をする。圧力制御には、不活性ガスやある程度クリーン度が保たれた空気が用いられる。薄膜21を用いる場合、粘着性を有するような薄膜が好ましい。   Further, the bottom of the tray 11 may have a vent hole 22 for supplying gas pressure or air pressure to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 2B). As a result, pressure is supplied to support suction of the semiconductor chip 12 and balance pressure during grinding. For the pressure control, an inert gas or air having a certain degree of cleanliness is used. When using the thin film 21, the thin film which has adhesiveness is preferable.

また、トレイ11の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着にゲル化部材23を供給するようにしてもよい(図2(c))。ゲル化部材23は、トレイ11の底部の経路24を介して供給される。ある程度半導体チップ12との密着性もあり、付き離れもよい材料を用いる。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとるための圧力供給も兼ねる。   Further, the gelling member 23 may be supplied to the bottom of the tray 11 for protection and adhesion on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 2C). The gelling member 23 is supplied via a path 24 at the bottom of the tray 11. A material that has a certain degree of adhesion to the semiconductor chip 12 and is easily attached and detached is used. This also serves as a pressure supply for suction support of the semiconductor chip 12 and pressure balance during grinding.

また、トレイ11の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着に粘着部材25を配するようにしてもよい(図2(d))。粘着部材25は、半導体チップ12との付き離れもよい材料を用いることが望ましい。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとる。   In addition, an adhesive member 25 may be disposed on the bottom of the tray 11 for protection and close contact on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 2D). The adhesive member 25 is desirably made of a material that can be easily separated from the semiconductor chip 12. As a result, the pressure balance during suction support and grinding of the semiconductor chip 12 is achieved.

上記実施形態の構成によれば、トレイ11はテーパー面11Tを有して複数の半導体チップ12の素子形成面12A側それぞれの縁部分のみと接触する。各半導体チップ12の位置決め固定は、チップ固定マスク13と共に達成される。また、トレイ11において付加される半導体チップ12研削時のバランスを考慮した工夫が用いられる。これにより、半導体チップ12の素子形成面12A側には研削時、その圧力は直接的に与えられることなく、個々の半導体チップ12における固定の安定性、信頼性を得ることができる。   According to the configuration of the above embodiment, the tray 11 has the tapered surface 11T and contacts only the respective edge portions on the element forming surface 12A side of the plurality of semiconductor chips 12. The positioning and fixing of each semiconductor chip 12 is achieved together with the chip fixing mask 13. Further, a device taking into account the balance when grinding the semiconductor chip 12 added in the tray 11 is used. Thereby, the stability and reliability of fixation in each semiconductor chip 12 can be obtained without directly applying pressure to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 during grinding.

図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図である。図4(a)〜(d)は、それぞれ図3中の破線で囲んだトレイの一部分に関する応用例を示す上面図である。前記第1実施形態と同様の箇所には図1で用いた同一の符号を付して説明する。
トレイ31は、四辺に一様な段差31Sを有してそれぞれ半導体チップ12の素子形成面12A側の周縁部分のみと接触するように構成されている。トレイ31は、図示しない支持台等に取り付けられる。チップ固定マスク13は、各半導体チップ12の大きさに応じた開口枠131を有する。チップ固定マスク13は、トレイ31上に位置決め固定されている。各半導体チップ12は、チップ固定マスク13の開口枠131に収納される。これにより、半導体チップ12は、その素子形成面12A側の周縁部分をトレイ31の段差31Sに接触させると共に、研削面12B側を露出させる。回転研削盤14は、半導体チップ12の研削面12Bを研削し、半導体チップ12を所望の厚さに加工する。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part of a semiconductor chip grinding apparatus according to the second embodiment of the present invention. 4A to 4D are top views showing application examples relating to a part of the tray surrounded by a broken line in FIG. The same parts as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals used in FIG.
The tray 31 has a uniform step 31S on four sides and is configured to contact only the peripheral portion of the semiconductor chip 12 on the element forming surface 12A side. The tray 31 is attached to a support base (not shown). The chip fixing mask 13 has an opening frame 131 corresponding to the size of each semiconductor chip 12. The chip fixing mask 13 is positioned and fixed on the tray 31. Each semiconductor chip 12 is accommodated in the opening frame 131 of the chip fixing mask 13. Thereby, the semiconductor chip 12 brings the peripheral portion on the element forming surface 12A side into contact with the step 31S of the tray 31 and exposes the grinding surface 12B side. The rotary grinding machine 14 grinds the grinding surface 12B of the semiconductor chip 12 and processes the semiconductor chip 12 to a desired thickness.

トレイ31は、金属部材で構成されることが考えられるが、精度がでれば樹脂部材等他の物質で構成してもよい。チップ固定マスク13は、前記第1実施形態と同様である。すなわち、半導体チップ12と同等の材質であることが考えられる。図では、研削される前から各半導体チップ12の研削面12Bがチップ固定マスク13から突出している状態を示しているが、この限りではない。チップ固定マスク13と同一面レベルにより近い状態や、チップ固定マスク13より厚みが小さいことも考えられる。その他、チップ固定マスク13は半導体チップ12とは別の材質を用い、積極的には研削しない手法が考えられる。また、チップ固定マスク13の開口枠131側部に図示しないが保護用の薄膜を配してもよい。   The tray 31 may be composed of a metal member, but may be composed of another substance such as a resin member as long as accuracy is achieved. The chip fixing mask 13 is the same as that in the first embodiment. That is, it can be considered that the material is the same as that of the semiconductor chip 12. Although the figure shows a state in which the grinding surface 12B of each semiconductor chip 12 protrudes from the chip fixing mask 13 before grinding, this is not restrictive. A state closer to the same surface level as the chip fixing mask 13 or a thickness smaller than the chip fixing mask 13 may be considered. In addition, the chip fixing mask 13 may be made of a material different from that of the semiconductor chip 12 and not actively ground. Although not shown, a protective thin film may be disposed on the side of the opening frame 131 of the chip fixing mask 13.

トレイ31の段差31Sは、半導体チップ12との密着性を高めるための樹脂性または粘着性を有するような薄膜41がコーティングされているとなおよい(図4(a))。   The step 31S of the tray 31 is more preferably coated with a thin film 41 having a resin property or an adhesive property for enhancing the adhesion to the semiconductor chip 12 (FIG. 4A).

また、トレイ31の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側にガス圧力、または空気圧を供給する通気口42を有していてもよい(図4(b))。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとるための圧力供給をする。圧力制御には、不活性ガスやある程度クリーン度が保たれた空気が用いられる。薄膜41を用いる場合、粘着性を有するような薄膜が好ましい。   Further, the bottom of the tray 31 may have a vent 42 for supplying gas pressure or air pressure to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 4B). As a result, pressure is supplied to support suction of the semiconductor chip 12 and balance pressure during grinding. For the pressure control, an inert gas or air having a certain degree of cleanliness is used. When using the thin film 41, the thin film which has adhesiveness is preferable.

また、トレイ31の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着にゲル化部材43を供給するようにしてもよい(図4(c))。ゲル化部材43は、トレイ11の底部の経路44を介して供給される。ある程度半導体チップ12との密着性もあり、付き離れもよい材料を用いる。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとるための圧力供給も兼ねる。   Further, the gelling member 43 may be supplied to the bottom of the tray 31 for protection and adhesion on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 4C). The gelling member 43 is supplied via a path 44 at the bottom of the tray 11. A material that has a certain degree of adhesion to the semiconductor chip 12 and is easily attached and detached is used. This also serves as a pressure supply for suction support of the semiconductor chip 12 and pressure balance during grinding.

また、トレイ31の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着に粘着部材45を配するようにしてもよい(図4(d))。粘着部材45は、半導体チップ12との付き離れもよい材料を用いることが望ましい。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとる。   In addition, an adhesive member 45 may be disposed on the bottom of the tray 31 for protection and close contact on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 4D). The adhesive member 45 is desirably made of a material that can be easily separated from the semiconductor chip 12. As a result, the pressure balance during suction support and grinding of the semiconductor chip 12 is achieved.

上記実施形態の構成によれば、トレイ31は段差31Sを有して複数の半導体チップ12の素子形成面12A側それぞれの周辺部分のみと接触する。各半導体チップ12の位置決め固定は、チップ固定マスク13と共に達成される。また、トレイ11において付加される半導体チップ12研削時のバランスを考慮した工夫が用いられる。これにより、半導体チップ12の素子形成面12A側には研削時、その圧力は直接的に与えられることなく、個々の半導体チップ12における固定の安定性、信頼性を得ることができる。   According to the configuration of the above embodiment, the tray 31 has the step 31S and contacts only the peripheral portions on the element forming surface 12A side of the plurality of semiconductor chips 12 respectively. The positioning and fixing of each semiconductor chip 12 is achieved together with the chip fixing mask 13. Further, a device taking into account the balance when grinding the semiconductor chip 12 added in the tray 11 is used. Thereby, the stability and reliability of fixation in each semiconductor chip 12 can be obtained without directly applying pressure to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 during grinding.

図5は、本発明の第3実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図である。図6(a)〜(c)は、それぞれ図5中の破線で囲んだトレイの一部分に関する応用例を示す上面図である。前記第1実施形態と同様の箇所には図1で用いた同一の符号を付して説明する。
チップ固定マスク53は、各半導体チップ12の大きさに応じた開口枠531を有すると共に各半導体チップ12の素子形成面12A側それぞれの周辺部分を接触させる段差53Sを有する。チップ固定マスク53は、トレイ51上に搭載され位置決めされる。トレイ51は図示しない支持台等に取り付けられる。これにより、半導体チップ12の素子形成面12A側はトレイ51と対向し、半導体チップ12の研削面12B側はチップ固定マスク53から露出する。回転研削盤14は、半導体チップ12の研削面12Bを研削し、半導体チップ12を所望の厚さに加工する。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a main part of a semiconductor chip grinding apparatus according to the third embodiment of the present invention. 6A to 6C are top views showing application examples relating to a part of the tray surrounded by a broken line in FIG. The same parts as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals used in FIG.
The chip fixing mask 53 has an opening frame 531 corresponding to the size of each semiconductor chip 12 and a step 53S that contacts each peripheral portion of each semiconductor chip 12 on the element forming surface 12A side. The chip fixing mask 53 is mounted and positioned on the tray 51. The tray 51 is attached to a support base (not shown). Thereby, the element forming surface 12 </ b> A side of the semiconductor chip 12 faces the tray 51, and the ground surface 12 </ b> B side of the semiconductor chip 12 is exposed from the chip fixing mask 53. The rotary grinding machine 14 grinds the grinding surface 12B of the semiconductor chip 12 and processes the semiconductor chip 12 to a desired thickness.

トレイ51は、金属部材、樹脂部材等の各種の構成が考えられる。チップ固定マスク53は、半導体チップ12と同等の材質であることが考えられる。図では、各半導体チップ12の研削面12Bがチップ固定マスク13と同一面レベルになっている状態を示しているが、この限りではない。各半導体チップ12がチップ固定マスク53と異なるレベル、つまり、チップ固定マスク53より厚みが大きいもしくは小さいことも考えられる。その他、チップ固定マスク53は半導体チップ12とは別の材質を用い、積極的には研削しない手法が考えられる。また、チップ固定マスク53の段差53Sに保護用または密着用としての薄膜61を配してもよい。薄膜61は粘着性があってもよい。   The tray 51 may have various configurations such as a metal member and a resin member. It is conceivable that the chip fixing mask 53 is made of the same material as the semiconductor chip 12. In the figure, the ground surface 12B of each semiconductor chip 12 is in the same level as the chip fixing mask 13, but this is not restrictive. It is conceivable that each semiconductor chip 12 has a level different from that of the chip fixing mask 53, that is, the thickness is larger or smaller than the chip fixing mask 53. In addition, the chip fixing mask 53 may be made of a material different from that of the semiconductor chip 12 and not actively ground. Further, a thin film 61 for protection or adhesion may be disposed on the step 53S of the chip fixing mask 53. The thin film 61 may be sticky.

トレイ51の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側にガス圧力、または空気圧を供給する通気口62を有していてもよい(図6(a))。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとるための圧力供給をする。圧力制御には、不活性ガスやある程度クリーン度が保たれた空気が用いられる。   The bottom of the tray 51 may have a vent 62 for supplying gas pressure or air pressure to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 6A). As a result, pressure is supplied to support suction of the semiconductor chip 12 and balance pressure during grinding. For the pressure control, an inert gas or air having a certain degree of cleanliness is used.

また、トレイ51の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着にゲル化部材63を供給するようにしてもよい(図6(b))。ゲル化部材63は、トレイ11の底部の経路64を介して供給される。ある程度半導体チップ12との密着性もあり、付き離れもよい材料を用いる。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとるための圧力供給も兼ねる。   Alternatively, the gelling member 63 may be supplied to the bottom of the tray 51 for protection and close contact on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 6B). The gelling member 63 is supplied via a path 64 at the bottom of the tray 11. A material that has a certain degree of adhesion to the semiconductor chip 12 and is easily attached and detached is used. This also serves as a pressure supply for suction support of the semiconductor chip 12 and pressure balance during grinding.

また、トレイ51の底部には半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着に粘着部材65を配するようにしてもよい(図6(c))。粘着部材65は、半導体チップ12との付き離れもよい材料を用いることが望ましい。これにより、半導体チップ12の吸引支持や研削時の圧力バランスをとる。   Further, an adhesive member 65 may be disposed on the bottom of the tray 51 for protection and adhesion on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 (FIG. 6C). The adhesive member 65 is preferably made of a material that can be easily separated from the semiconductor chip 12. As a result, the pressure balance during suction support and grinding of the semiconductor chip 12 is achieved.

上記実施形態の構成によれば、チップ固定マスク53は段差53Sを有して複数の半導体チップ12の素子形成面12A側それぞれの周辺部分と接触する。トレイ51は、各半導体チップ12の素子形成面12A側を密閉、保護する形態となる。各半導体チップ12の位置決め固定は、チップ固定マスク13及びトレイ51により達成される。また、トレイ51において付加される半導体チップ12研削時のバランスを考慮した工夫が用いられる。これにより、半導体チップ12の素子形成面12A側には研削時、その圧力は直接的に与えられることなく、個々の半導体チップ12における固定の安定性、信頼性を得ることができる。   According to the configuration of the above-described embodiment, the chip fixing mask 53 has the step 53S and comes into contact with the peripheral portions on the element forming surface 12A side of the plurality of semiconductor chips 12 respectively. The tray 51 is configured to seal and protect the element formation surface 12A side of each semiconductor chip 12. The positioning and fixing of each semiconductor chip 12 is achieved by the chip fixing mask 13 and the tray 51. Further, a device taking into account the balance when grinding the semiconductor chip 12 added in the tray 51 is used. Thereby, the stability and reliability of fixation in each semiconductor chip 12 can be obtained without directly applying pressure to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 during grinding.

図7は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す流れ図であり、前記第1実施形態から第3実施形態に共通する半導体チップの研削工程に関する。処理S11では、複数の半導体チップの大きさに応じた開口枠を有するチップ固定マスクを所定のトレイ上に位置決め固定する。チップ固定マスク、トレイは、前記各実施形態で示したいずれかの構成が用いられる。処理S12では、チップ固定マスクの開口枠に複数の半導体チップを、それぞれ素子形成面側がトレイに対向するように収納する。この際、前記図2、図4、図6各図いずれかに示すようなチップの安定した固定がなされる。すなわち、トレイから複数の半導体チップそれぞれの素子形成面側に研削時の圧力と均衡を保つための圧力制御手段が与えられる。処理S13では、複数の半導体チップの研削面側に回転研削盤を接触させ、半導体チップを研削する。   FIG. 7 is a flowchart showing the main part of the semiconductor device manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention, and relates to a semiconductor chip grinding process common to the first to third embodiments. In step S11, a chip fixing mask having an opening frame corresponding to the size of a plurality of semiconductor chips is positioned and fixed on a predetermined tray. Any of the configurations shown in the above embodiments is used for the chip fixing mask and the tray. In step S12, a plurality of semiconductor chips are stored in the opening frame of the chip fixing mask so that the element formation surface faces the tray. At this time, the chip is stably fixed as shown in any of FIGS. 2, 4, and 6. That is, a pressure control means for maintaining a balance with the pressure at the time of grinding is provided from the tray to the element forming surface side of each of the plurality of semiconductor chips. In process S13, a rotary grinder is brought into contact with the grinding surface side of the plurality of semiconductor chips to grind the semiconductor chips.

上記実施形態の方法によれば、トレイ上に位置決め固定されたチップ固定マスクの開口枠にそれぞれ複数の半導体チップを、素子形成面側をトレイに対向させるように収納し、研削面側を研削する。すなわち、チップ固定マスクによって個々の半導体チップにおける固定、研削の安定性が得られる。また、このような半導体チップは、ウェハ状態における段階ですでにウェハ研削工程を経ていることが考えられる。すなわち、ウェハ研削工程である程度研削した後に、上記実施形態の方法によるチップ研削で最終厚を出すことが考えられる。また、ウェハ研削工程で厚さを間違えた場合や部分的に規定範囲外の厚さとなってしまった個々の半導体チップの救済に用いられることも考えられる。   According to the method of the above embodiment, a plurality of semiconductor chips are respectively stored in the opening frame of the chip fixing mask positioned and fixed on the tray so that the element formation surface side faces the tray, and the grinding surface side is ground. . That is, the stability of fixing and grinding in each semiconductor chip can be obtained by the chip fixing mask. Further, it is considered that such a semiconductor chip has already undergone a wafer grinding process at the stage in the wafer state. That is, it is conceivable that after grinding to some extent in the wafer grinding process, the final thickness is obtained by chip grinding by the method of the above embodiment. In addition, it may be used for relief of individual semiconductor chips that have been mistaken in thickness in the wafer grinding process or partially have a thickness outside the specified range.

図8は、例えば前記図3を代表してチップ研削装置における研削の最終状態を示す構成図である。チップ固定マスク13は、半導体チップ12と共に研削され、研削面12Bと同一平坦化面にされる。他の図1や図5に関しても例示しないが同様である。その他、図示しないが、チップ固定マスク13を積極的には半導体チップ12と共に研削しない方法も考えられる。その際、チップ固定マスク13は研削のストッパー検出になり得る。   FIG. 8 is a block diagram showing the final state of grinding in a chip grinding apparatus, for example, representative of FIG. The chip fixing mask 13 is ground together with the semiconductor chip 12 so as to have the same flat surface as the ground surface 12B. Although not illustrated with respect to other FIG. 1 and FIG. In addition, although not shown, a method in which the chip fixing mask 13 is not actively ground together with the semiconductor chip 12 is also conceivable. At that time, the chip fixing mask 13 can be a stopper for grinding.

図9は、本発明の第5実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図である。前記第1実施形態と同様の箇所には図1で用いた同一の符号を付して説明する。
トレイ71は、比較的厚めの粘着シート72を介してそれぞれ半導体チップ12の素子形成面12A側と対向する。トレイ71は、図示しない支持台等に取り付けられる。チップ固定マスク73は、各半導体チップ12の大きさに応じた開口枠731を有する。チップ固定マスク73は、トレイ71上に粘着シート72を介して位置決め固定されている。各半導体チップ12は、チップ固定マスク73の開口枠731に収納される。これにより、半導体チップ12は、その素子形成面12A側をトレイ11の粘着シート72に密着させると共に、研削面12B側を露出させる。回転研削盤14は、半導体チップ12の研削面12Bを研削し、半導体チップ12を所望の厚さに加工する。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part of a semiconductor chip grinding apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. The same parts as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals used in FIG.
The tray 71 is opposed to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 via a relatively thick adhesive sheet 72, respectively. The tray 71 is attached to a support base (not shown). The chip fixing mask 73 has an opening frame 731 corresponding to the size of each semiconductor chip 12. The chip fixing mask 73 is positioned and fixed on the tray 71 via an adhesive sheet 72. Each semiconductor chip 12 is accommodated in the opening frame 731 of the chip fixing mask 73. Thereby, the semiconductor chip 12 brings the element forming surface 12A side into close contact with the adhesive sheet 72 of the tray 11 and exposes the ground surface 12B side. The rotary grinding machine 14 grinds the grinding surface 12B of the semiconductor chip 12 and processes the semiconductor chip 12 to a desired thickness.

トレイ71は、金属部材や樹脂部材等で構成されることが考えられる。チップ固定マスク73は、前記第1実施形態と同様である。すなわち、半導体チップ12と同等の材質であることが考えられる。その他、問題なければ半導体チップ12とは別の材質を用いることも考えられる。また、チップ固定マスク73の開口枠731側部に図示しないが保護用の薄膜を配してもよい。   It is conceivable that the tray 71 is composed of a metal member, a resin member, or the like. The chip fixing mask 73 is the same as that in the first embodiment. That is, it can be considered that the material is the same as that of the semiconductor chip 12. In addition, if there is no problem, it is possible to use a material different from the semiconductor chip 12. Although not shown, a protective thin film may be disposed on the side of the opening frame 731 of the chip fixing mask 73.

上記実施形態の構成によれば、トレイ31上の粘着シート72は、半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着に寄与する。粘着シート72は、半導体チップ12やチップ固定マスク73との付き離れがよい材料を用いることが望ましい。これにより、半導体チップ12の素子形成面12A側には研削時、その圧力は粘着シート72を介して吸収され、直接的に与えられることはない。この結果、個々の半導体チップ12における固定の安定性、信頼性を得ることができる。   According to the configuration of the above embodiment, the pressure-sensitive adhesive sheet 72 on the tray 31 contributes to protection and adhesion of the semiconductor chip 12 on the element forming surface 12A side. The pressure-sensitive adhesive sheet 72 is desirably made of a material that can be easily separated from the semiconductor chip 12 and the chip fixing mask 73. As a result, the pressure is absorbed by the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 through the adhesive sheet 72 during grinding and is not directly applied. As a result, fixing stability and reliability in each semiconductor chip 12 can be obtained.

図10は、本発明の第6実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図である。前記第5実施形態と同様の箇所には図9で用いた同一の符号を付して説明する。
トレイ71は、比較的厚めの粘着シート72を介してそれぞれ半導体チップ12の素子形成面12A側と対向する。トレイ71は、図示しない支持台等に取り付けられる。チップ固定マスク83は、各半導体チップ12の大きさに応じた開口枠831を有すると共に四辺に一様な段差83Sを有してそれぞれ半導体チップ12の素子形成面12A側の周縁部分と接触するように構成されている。チップ固定マスク83は、トレイ71上に粘着シート72を介して位置決め固定されている。各半導体チップ12は、チップ固定マスク83の開口枠831に収納され、その周辺部が確実に固定される。これにより、半導体チップ12は、その素子形成面12A側を、その周縁部分を除いてトレイ71の粘着シート72に密着させると共に、研削面12B側を露出させる。回転研削盤14は、半導体チップ12の研削面12Bを研削し、半導体チップ12を所望の厚さに加工する。
FIG. 10 is a cross-sectional view of a main part of a semiconductor chip grinding apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. The same parts as those in the fifth embodiment will be described with the same reference numerals used in FIG.
The tray 71 is opposed to the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12 via a relatively thick adhesive sheet 72, respectively. The tray 71 is attached to a support base (not shown). The chip fixing mask 83 has an opening frame 831 corresponding to the size of each semiconductor chip 12 and has a uniform step 83S on four sides so as to come into contact with the peripheral portion of the semiconductor chip 12 on the element forming surface 12A side. It is configured. The chip fixing mask 83 is positioned and fixed on the tray 71 via an adhesive sheet 72. Each semiconductor chip 12 is housed in the opening frame 831 of the chip fixing mask 83, and its peripheral part is fixed securely. As a result, the semiconductor chip 12 has its element forming surface 12A side in close contact with the adhesive sheet 72 of the tray 71 excluding its peripheral portion, and the ground surface 12B side is exposed. The rotary grinding machine 14 grinds the grinding surface 12B of the semiconductor chip 12 and processes the semiconductor chip 12 to a desired thickness.

上記実施形態の構成によれば、トレイ31上の粘着シート72は、半導体チップ12の素子形成面12A側の保護、密着に寄与する。粘着シート72は、半導体チップ12やチップ固定マスク83との付き離れがよい材料を用いることが望ましい。また、チップ固定マスク83は、各半導体チップ12の素子形成面12A側周辺部に接触し、より安定した固定が実現される。これにより、半導体チップ12の素子形成面12A側には研削時、その圧力は粘着シート72を介して吸収され、直接的に与えられることはない。この結果、個々の半導体チップ12における固定の安定性、信頼性を得ることができる。   According to the configuration of the above embodiment, the pressure-sensitive adhesive sheet 72 on the tray 31 contributes to protection and adhesion on the element forming surface 12A side of the semiconductor chip 12. The pressure-sensitive adhesive sheet 72 is desirably made of a material that can be easily separated from the semiconductor chip 12 and the chip fixing mask 83. Further, the chip fixing mask 83 is in contact with the peripheral part of the semiconductor chip 12 on the element forming surface 12A side, and more stable fixing is realized. Thereby, the pressure is absorbed through the adhesive sheet 72 to the element forming surface 12 </ b> A side of the semiconductor chip 12 and is not directly applied. As a result, fixing stability and reliability in each semiconductor chip 12 can be obtained.

図11は、本発明の第7実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す流れ図であり、前記第4実施形態または第5実施形態を用いた半導体チップの研削工程に関する。処理S21では、所定のトレイ上に着脱可能な粘着シートを装着する。次いで処理S22では、チップ固定マスクをトレイの粘着シート上に位置決め固定する。次に、処理S23では、チップ固定マスクの開口枠に複数の半導体チップを、それぞれ素子形成面側がチップ固定マスクの段差またはトレイの粘着シートに接触するように収納する。これにより、チップの安定した固定がなされる。処理S24では、複数の半導体チップの研削面側に回転研削盤を接触させ、半導体チップを研削する。   FIG. 11 is a flowchart showing the main part of the semiconductor device manufacturing method according to the seventh embodiment of the present invention, and relates to a semiconductor chip grinding process using the fourth embodiment or the fifth embodiment. In process S21, a removable adhesive sheet is mounted on a predetermined tray. Next, in step S22, the chip fixing mask is positioned and fixed on the adhesive sheet of the tray. Next, in process S23, a plurality of semiconductor chips are stored in the opening frame of the chip fixing mask so that the element forming surface side is in contact with the step of the chip fixing mask or the adhesive sheet of the tray. As a result, the chip is stably fixed. In process S24, a rotary grinding machine is brought into contact with the grinding surface side of the plurality of semiconductor chips to grind the semiconductor chips.

上記実施形態の方法によれば、各半導体チップの位置決め固定は、チップ固定マスクとトレイ上の粘着シートにより安定する。半導体チップの素子形成面側は粘着シートにより保護される。素子形成面側のクッションにもなり、研削時の圧力は直接的に与えられることはない。このような構成から、個々の半導体チップにおける固定、研削の安定性を得る。また、このような半導体チップは、ウェハ状態における段階ですでにウェハ研削工程を経ていることが考えられる。すなわち、ウェハ研削工程である程度研削した後に、上記実施形態の方法によるチップ研削で最終厚を出すことが考えられる。また、ウェハ研削工程で厚さを間違えた場合や部分的に規定範囲外の厚さとなってしまった個々の半導体チップの救済に用いられることも考えられる。   According to the method of the above embodiment, the positioning and fixing of each semiconductor chip is stabilized by the chip fixing mask and the adhesive sheet on the tray. The element forming surface side of the semiconductor chip is protected by an adhesive sheet. It also serves as a cushion on the element forming surface side, and pressure during grinding is not directly applied. From such a configuration, the stability of fixing and grinding in each semiconductor chip is obtained. Further, it is considered that such a semiconductor chip has already undergone a wafer grinding process at the stage in the wafer state. That is, it is conceivable that after grinding to some extent in the wafer grinding process, the final thickness is obtained by chip grinding by the method of the above embodiment. In addition, it may be used for relief of individual semiconductor chips that have been mistaken in thickness in the wafer grinding process or partially have a thickness outside the specified range.

図12は、例えば前記図10を代表してチップ研削装置における研削の最終状態を示す構成図である。チップ固定マスク83は、半導体チップ12と共に研削され、研削面12Bと同一平坦化面にされる。他の図9に関しても例示しないが同様である。その他、図示しないが、チップ固定マスク83を積極的には半導体チップ12と共に研削しない方法も考えられる。その際、チップ固定マスク83は研削のストッパー検出になり得る。   FIG. 12 is a block diagram showing the final state of grinding in a chip grinding apparatus, for example, representative of FIG. The chip fixing mask 83 is ground together with the semiconductor chip 12 so as to have the same flat surface as the ground surface 12B. The same applies to the other FIG. 9 although not illustrated. In addition, although not shown, a method in which the chip fixing mask 83 is not actively ground together with the semiconductor chip 12 is also conceivable. At that time, the chip fixing mask 83 can be a stopper for grinding.

以上、各実施形態及び方法に示したように、各種工夫されたトレイとチップ固定マスクによって、チップ研削時、半導体チップの素子形成面側には圧力が直接的に与えられることなく、かつ個々の半導体チップにおける固定の安定性を得ることができる。この結果、
素子形成面を保護し、より信頼性を伴う安定した半導体チップ単体での裏面研削を実現する半導体チップ研削装置及びその製造方法を提供することができる。
As described above, as shown in each embodiment and method, by variously devised trays and chip fixing masks, pressure is not directly applied to the element formation surface side of the semiconductor chip during chip grinding, and Fixing stability in the semiconductor chip can be obtained. As a result,
It is possible to provide a semiconductor chip grinding apparatus that protects an element formation surface and realizes stable backside grinding with a more reliable semiconductor chip alone and a method for manufacturing the same.

第1実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図。Sectional drawing of the principal part of the semiconductor chip grinding apparatus which concerns on 1st Embodiment. それぞれ図1中の破線で囲んだ部分の応用例を示す上面図。The top view which shows the application example of the part enclosed with the broken line in FIG. 1, respectively. 第2実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図。Sectional drawing of the principal part of the semiconductor chip grinding apparatus which concerns on 2nd Embodiment. それぞれ図3中の破線で囲んだ部分の応用例を示す上面図。The top view which shows the application example of the part enclosed with the broken line in FIG. 3, respectively. 第3実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図。Sectional drawing of the principal part of the semiconductor chip grinding apparatus which concerns on 3rd Embodiment. それぞれ図5中の破線で囲んだ部分の応用例を示す上面図。The top view which shows the application example of the part enclosed with the broken line in FIG. 5, respectively. 第4実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す流れ図。9 is a flowchart showing a main part of a method for manufacturing a semiconductor device according to a fourth embodiment. 図3に対応したチップ研削装置における研削の最終状態を示す構成図。The block diagram which shows the final state of grinding in the chip grinding apparatus corresponding to FIG. 第5実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図。Sectional drawing of the principal part of the semiconductor chip grinding apparatus which concerns on 5th Embodiment. 第6実施形態に係る半導体チップ研削装置の要部の断面図。Sectional drawing of the principal part of the semiconductor chip grinding apparatus which concerns on 6th Embodiment. 第7実施形態に係る半導体装置の製造方法の要部を示す流れ図。9 is a flowchart showing a main part of a method for manufacturing a semiconductor device according to a seventh embodiment. 図11に対応したチップ研削装置での研削の最終状態を示す構成図。The block diagram which shows the final state of grinding with the chip grinding apparatus corresponding to FIG.

符号の説明Explanation of symbols

11,31,71…トレイ、11T…テーパー面、12…半導体チップ、12A…半導体チップの素子形成面、12B…半導体チップの研削面、13,53,73,83…チップ固定マスク、131,531,731,831…開口枠、14…回転研削盤、21,41,61…薄膜、22,42,62…通気口、23,43,63…ゲル化部、24,44,64…経路、25,45,65…粘着部材、31S…トレイの段差、53S,83S…チップ固定マスクの段差、72…粘着シート、S11〜S13,S21〜S24…処理ステップ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11, 31, 71 ... Tray, 11T ... Tapered surface, 12 ... Semiconductor chip, 12A ... Semiconductor chip element formation surface, 12B ... Semiconductor chip grinding surface, 13, 53, 73, 83 ... Chip fixing mask, 131, 531 731, 831 ... opening frame, 14 ... rotary grinding machine, 21, 41, 61 ... thin film, 22, 42, 62 ... vent, 23, 43, 63 ... gelled part, 24, 44, 64 ... path, 25 45, 65 ... Adhesive member, 31S ... Tray step, 53S, 83S ... Chip fixing mask step, 72 ... Adhesive sheet, S11-S13, S21-S24 ... Processing steps.

Claims (17)

複数の半導体チップの素子形成面側がそれぞれその縁部分のみを接触させるテーパー面を有するトレイと、
前記トレイ上に設けられ前記各半導体チップの大きさに応じた開口枠を有して前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、
前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む半導体チップ研削装置。
A tray having a taper surface with which the element forming surface side of the plurality of semiconductor chips is in contact with only the edge portion, and
A chip fixing mask provided on the tray and having an opening frame corresponding to the size of each semiconductor chip to expose the grinding surface side of each semiconductor chip;
A semiconductor chip grinding apparatus comprising: a rotary grinding machine that contacts a grinding surface side of each semiconductor chip.
複数の半導体チップの素子形成面側それぞれの周辺部分のみを接触させる段差を有するトレイと、
前記トレイ上に設けられ前記各半導体チップの大きさに応じた開口枠を有して前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、
前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む半導体チップ研削装置。
A tray having a step for contacting only the peripheral portion of each of the element formation surfaces of the plurality of semiconductor chips; and
A chip fixing mask provided on the tray and having an opening frame corresponding to the size of each semiconductor chip to expose the grinding surface side of each semiconductor chip;
A semiconductor chip grinding apparatus comprising: a rotary grinding machine that contacts a grinding surface side of each semiconductor chip.
複数の半導体チップそれぞれの大きさに応じた開口枠を有すると共に各半導体チップの素子形成面側それぞれの周辺部分を接触させる段差を有し、前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、
前記チップ固定マスクが搭載され複数の半導体チップの素子形成面側がそれぞれ対向するトレイと、
前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む半導体チップ研削装置。
A chip fixing mask having an opening frame corresponding to the size of each of the plurality of semiconductor chips, and having a step for contacting each peripheral portion on the element forming surface side of each semiconductor chip, and exposing the ground surface side of each semiconductor chip When,
A tray on which the chip fixing mask is mounted and the element formation surface sides of a plurality of semiconductor chips face each other;
A semiconductor chip grinding apparatus comprising: a rotary grinding machine that contacts a grinding surface side of each semiconductor chip.
前記トレイは、前記各半導体チップの素子形成面側にガス圧力を供給する通気口を有する請求項1〜3いずれか一つに記載の半導体チップ研削装置。 4. The semiconductor chip grinding apparatus according to claim 1, wherein the tray has a vent hole that supplies a gas pressure to an element formation surface side of each semiconductor chip. 5. 前記トレイは、前記各半導体チップの素子形成面側に空気圧を供給する通気口を有する請求項1〜3いずれか一つに記載の半導体チップ研削装置。 4. The semiconductor chip grinding apparatus according to claim 1, wherein the tray has a vent hole that supplies air pressure to an element formation surface side of each semiconductor chip. 5. 前記トレイは、前記各半導体チップの素子形成面側にゲル化部材を供給する経路を有する請求項1〜3いずれか一つに記載の半導体チップ研削装置。 The said chip | tip is a semiconductor chip grinding apparatus as described in any one of Claims 1-3 which has the path | route which supplies a gelatinization member to the element formation surface side of each said semiconductor chip. 前記トレイは、前記各半導体チップを支持する粘着部材を配する請求項1〜3いずれか一つに記載の半導体チップ研削装置。 The semiconductor chip grinding apparatus according to claim 1, wherein the tray is provided with an adhesive member that supports the semiconductor chips. 前記トレイまたは前記チップ固定マスクは、少なくとも一部が薄膜で覆われている請求項1〜3いずれか一つに記載の半導体チップ研削装置。 The semiconductor chip grinding apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the tray or the chip fixing mask is covered with a thin film. 前記チップ固定マスクは前記各半導体チップの研削面と同等の材質である請求項1〜8いずれか一つに記載の半導体チップ研削装置。 The semiconductor chip grinding apparatus according to claim 1, wherein the chip fixing mask is made of a material equivalent to a grinding surface of each semiconductor chip. それぞれ半導体チップの素子形成面側が対向する複数の半導体チップのトレイと、
前記トレイ上に設けられる粘着部材と、
前記各半導体チップの大きさに応じた開口枠を有して前記各半導体チップの素子形成面側を前記トレイの粘着部材に接触させると共に前記各半導体チップの研削面側を露出させるチップ固定マスクと、
前記各半導体チップの研削面側に接触する回転研削盤と、を含む半導体チップ研削装置。
A plurality of semiconductor chip trays each facing the element formation surface side of the semiconductor chip;
An adhesive member provided on the tray;
A chip fixing mask having an opening frame corresponding to the size of each semiconductor chip, contacting the element forming surface side of each semiconductor chip with the adhesive member of the tray and exposing the grinding surface side of each semiconductor chip; ,
A semiconductor chip grinding apparatus comprising: a rotary grinding machine that contacts a grinding surface side of each semiconductor chip.
前記チップ固定マスクは、前記各半導体チップの素子形成面側周辺部と接触する段差を有する請求項10記載の半導体チップ研削装置。 11. The semiconductor chip grinding apparatus according to claim 10, wherein the chip fixing mask has a step contacting with an element forming surface side peripheral portion of each semiconductor chip. 複数の半導体チップの大きさに応じた開口枠を有するチップ固定マスクを所定のトレイ上に位置決め固定する工程と、
前記チップ固定マスクの開口枠に前記複数の半導体チップを、それぞれ素子形成面側が前記トレイに対向するように収納し、それぞれ研削面側を露出させる工程と、
前記複数の半導体チップの研削面側に回転研削盤を接触させ、前記複数の半導体チップを研削する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
A step of positioning and fixing a chip fixing mask having an opening frame corresponding to the size of a plurality of semiconductor chips on a predetermined tray;
Storing the plurality of semiconductor chips in the opening frame of the chip fixing mask such that the element forming surface side faces the tray, and exposing the grinding surface side;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: bringing a rotary grinding machine into contact with a grinding surface side of the plurality of semiconductor chips and grinding the plurality of semiconductor chips.
前記トレイから前記複数の半導体チップそれぞれの素子形成面側に研削時の圧力と均衡を保つための圧力制御手段が与えられることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。 13. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein pressure control means for maintaining a balance with the pressure during grinding is provided from the tray to the element formation surface side of each of the plurality of semiconductor chips. 前記トレイの所定箇所に少なくとも前記半導体チップそれぞれの素子形成面側が密着される粘着部材を配する工程をさらに含む請求項12記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12, further comprising a step of arranging an adhesive member at least at which an element formation surface side of each of the semiconductor chips is closely attached to a predetermined portion of the tray. 所定のトレイ上に着脱可能な粘着シートを装着する工程と、
複数の半導体チップそれぞれの大きさに応じた開口枠を有すると共にそれぞれ前記半導体チップそれぞれの縁部近傍と接触する段差を有するチップ固定マスクを前記トレイの粘着シート上に位置決め固定する工程と、
前記チップ固定マスクに前記複数の半導体チップを、それぞれ素子形成面側が前記段差または前記粘着シートに接触するように収納し、前記チップ固定マスクからそれぞれ前記複数の半導体チップの研削面側を露出させる工程と、
前記複数の半導体チップの研削面側に回転研削盤を接触させ、前記複数の半導体チップを研削する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Mounting a removable adhesive sheet on a predetermined tray; and
A step of positioning and fixing a chip fixing mask having an opening frame corresponding to the size of each of the plurality of semiconductor chips and having a step contacting each of the semiconductor chips in the vicinity of the edge thereof on the adhesive sheet of the tray;
Storing the plurality of semiconductor chips in the chip fixing mask such that the element forming surface side is in contact with the step or the adhesive sheet, and exposing the ground surface side of the plurality of semiconductor chips from the chip fixing mask, respectively. When,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: bringing a rotary grinding machine into contact with a grinding surface side of the plurality of semiconductor chips and grinding the plurality of semiconductor chips.
前記チップ固定マスクは、前記回転研削盤により前記複数の半導体チップの研削面と共に研削されることを特徴とする請求項12〜15いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the chip fixing mask is ground together with a ground surface of the plurality of semiconductor chips by the rotary grinding machine. 前記半導体チップは、ウェハ状態における段階でウェハ研削工程を経ていることを特徴とする請求項12〜16いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 12, wherein the semiconductor chip undergoes a wafer grinding process at a stage in a wafer state.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011235395A (en) * 2010-05-11 2011-11-24 Disco Corp Grinding method
FR2993096A1 (en) * 2012-07-03 2014-01-10 Commissariat Energie Atomique DEVICE AND METHOD FOR INDIVIDUAL SUPPORT OF COMPONENTS

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011235395A (en) * 2010-05-11 2011-11-24 Disco Corp Grinding method
FR2993096A1 (en) * 2012-07-03 2014-01-10 Commissariat Energie Atomique DEVICE AND METHOD FOR INDIVIDUAL SUPPORT OF COMPONENTS
EP2682982A3 (en) * 2012-07-03 2015-05-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device and method for supporting individual components
US9455174B2 (en) 2012-07-03 2016-09-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Device and method for individual support of components

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