JP2005122202A - Resin composition and cured product thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition which can be developed with water, has good pattern accuracy, ensures little residue of organic matter after heat baking and forms a resistive pattern excellent in adhesion, etc., and to provide a cured product thereof. <P>SOLUTION: The resin composition comprises a polymer (A) of a specific structure obtained using a compound of formula (1) as starting material, a diluent (B), a photopolymerization initiator (C) and one or more (D) selected from metal powders, metal oxides or glass. The cured product thereof is also provided. In formula, R<SB>1</SB>is H or methyl; R<SB>2</SB>is H or alkyl; and n is an integer of 2-10. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明はプラズマディスプレイ、電子部品等に用いる抵抗体パターン、導体回路パターン又は螢光体パターンあるいは隔壁等の製造工程において好適に用いられ、紫外線による露光、弱アルカリ水溶液又は水による現像後に400〜1000℃で焼成することにより電流を安定的に流す為の良好な抵抗体パターン、優れた導電性を有する回路パターン、螢光体パターンあるいは隔壁等を形成する樹脂組成物及びその硬化物に関する。   The present invention is suitably used in the production process of resistor patterns, conductor circuit patterns or phosphor patterns or partition walls used for plasma displays, electronic parts, etc., and is 400 to 1000 after exposure with ultraviolet light, development with weak alkaline aqueous solution or water. The present invention relates to a resin composition that forms a good resistor pattern, a circuit pattern having excellent conductivity, a phosphor pattern, a partition wall, and the like, and a cured product thereof.

従来、プラズマディスプレー用の抵抗体、螢光体及び隔壁、あるいは回路用導体は、抵抗体ペースト(抵抗体をペースト状にした物)、螢光体ペースト(螢光体をペースト状にした物)、隔壁ペースト(隔壁用物質をペースト状にした物)及び導体ペースト(銅粉、銀粉等の導電物質をペースト状にした物)をスクリーン印刷等によりパターンを印刷し、次いで焼成する事により抵抗体パターン、螢光体パターン及び隔壁パターン、あるいは導体回路パターンを形成するものが知られている。しかし、これらは近年の抵抗体パターン、螢光体パターン、隔壁パターン、あるいは導体回路パターンの高密度化、細線パターン化には対応できない。
特開平06−228442号公報
Conventionally, plasma display resistors, phosphors and barriers, or circuit conductors are resistor pastes (resistor pastes), phosphor pastes (phosphor pastes) Resistors by printing a pattern by screen printing etc., followed by firing a partition paste (a product obtained by pasting a partition material) and a conductive paste (a paste made of a conductive material such as copper powder or silver powder) A pattern, a phosphor pattern, a partition pattern, or a conductor circuit pattern is known. However, these cannot cope with the recent increase in density and thin line pattern of resistor patterns, phosphor patterns, barrier rib patterns, or conductor circuit patterns.
Japanese Patent Laid-Open No. 06-228442

本発明は、上記の欠点を改良し、細密なパターン作成が可能で紫外線で硬化後、弱アルカリ水溶液(例えば、1%炭酸ソーダ水溶液等)又は水で現像し、抵抗体パターン、螢光体パターン、隔壁パターンあるいは導体回路パターンを形成する樹脂組成物及びその硬化物を提供する。   The present invention improves the above-mentioned drawbacks, enables fine pattern formation, is cured with ultraviolet light, and then developed with a weak alkaline aqueous solution (for example, 1% sodium carbonate aqueous solution) or water to form a resistor pattern and a phosphor pattern. A resin composition for forming a partition wall pattern or a conductor circuit pattern and a cured product thereof are provided.

本発明は、一般式(1)

Figure 2005122202
[式中、Rは水素又はメチル基、Rは水素又はC1〜C5のアルキル基であり、nは2〜10の整数である]で表されるエチレン性不飽和単量体及び/又はグリセロールモノ(メタ)アクリレート(a)30重量%以上、(a)成分以外の(a)成分と共重合可能なエチレン性不飽和単量体(b)70重量%以下を重合させて得られる重合体(A)、希釈剤(B)、光重合開始剤(C)、金属粉、金属酸化物又はガラスの中から選択される1種又は2種以上(D)を含有する事を特徴とする樹脂組成物、特に抵抗体パターン用樹脂組成物、導体回路パターン用樹脂組成物、螢光体パターン用樹脂組成物、隔壁パターン用樹脂組成物及びその硬化物に関する。 The present invention relates to a general formula (1)
Figure 2005122202
[Wherein R 1 is hydrogen or a methyl group, R 2 is hydrogen or a C1-C5 alkyl group, and n is an integer of 2-10] and / or Weight obtained by polymerizing glycerol mono (meth) acrylate (a) 30% by weight or more and ethylenically unsaturated monomer (b) 70% by weight or less copolymerizable with component (a) other than component (a) 1 type or 2 types or more (D) selected from coalescence (A), a diluent (B), a photoinitiator (C), a metal powder, a metal oxide, or glass are characterized by the above-mentioned The present invention relates to a resin composition, in particular, a resistor pattern resin composition, a conductor circuit pattern resin composition, a phosphor pattern resin composition, a partition wall pattern resin composition, and a cured product thereof.

本発明の樹脂組成物は、パターンを形成したフィルムを通して選択的に紫外線により露光し、未露光部分を現像することによる抵抗体、螢光体、隔壁あるいは導体回路のパターン形成において、現像性に優れ、現像後のパターン精度が良好で、低温にて焼成しても有機物の残存が少なく、密着性に優れている。   The resin composition of the present invention is excellent in developability in pattern formation of resistors, phosphors, barrier ribs or conductor circuits by selectively exposing with ultraviolet rays through a film having a pattern formed and developing an unexposed portion. The pattern accuracy after development is good, and even when baked at a low temperature, the organic matter remains little and the adhesion is excellent.

以下、本発明を詳細に説明する。本発明で用いる重合体(A)は、公知の重合方法、例えば、溶液重合やエマルジョン重合等によって得られる溶液重合を用いる場合について説明すれば、上記(a)及び(b)成分からなるエチレン性不飽和単量体混合物を適用な有機溶剤中で重合開始剤を添加して窒素気流下に好ましくは50℃〜100℃で加熱攪拌する方法によって重合させる。前記有機溶剤としては、例えば、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、2−ブタノール、ヘキサノール、エチレングリコール等のアルコール類、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類、カルビトール、ブチルカルビトール等のカルビトール類、プロピレングリコールメチルエーテル等のプロピレングリコールアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールメチルエーテル等のポリプロピレングリコールアルキルエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルアセテート等の酢酸エステル類、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸エステル類、ジアルキルグリコールエーテル類等が挙げられる。これらの有機溶剤は単独又は混合して用いることができる。   Hereinafter, the present invention will be described in detail. The polymer (A) used in the present invention will be described in the case of using a known polymerization method, for example, solution polymerization obtained by solution polymerization or emulsion polymerization. The unsaturated monomer mixture is polymerized by adding a polymerization initiator in an applicable organic solvent and heating and stirring the mixture in a nitrogen stream, preferably at 50 ° C to 100 ° C. Examples of the organic solvent include alcohols such as ethanol, propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, 2-butanol, hexanol, and ethylene glycol; ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. Cellosolves such as cellosolve and butylcellosolve, carbitols such as carbitol and butylcarbitol, propylene glycol alkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, polypropylene glycol alkyl ethers such as dipropylene glycol methyl ether, ethyl acetate, acetic acid Acetates such as butyl, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl acetate, lactates such as ethyl lactate and butyl lactate, Alkyl glycol ethers. These organic solvents can be used alone or in combination.

重合開始剤としては、例えば、過酸化ベンゾイル等の過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物を用いることかできる。   As the polymerization initiator, for example, a peroxide such as benzoyl peroxide or an azo compound such as azobisisobutyronitrile can be used.

(a)成分としては、一般式(1)で表されるエチレン性不飽和単量体、例えば、ジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート等のポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシテトラエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート等のアルコキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらのエチレン性不飽和単量体及びグリセロールモノ(メタ)アクリレートは単独若しくは組み合わせて用いることができる。   As the component (a), an ethylenically unsaturated monomer represented by the general formula (1), for example, diethylene glycol mono (meth) acrylate, triethylene glycol mono (meth) acrylate, tetraethylene glycol mono (meth) acrylate Examples include polyethylene glycol mono (meth) acrylate such as methoxydiethylene glycol mono (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol mono (meth) acrylate, and alkoxy polyethylene glycol (meth) acrylate such as methoxytetraethylene glycol mono (meth) acrylate. . These ethylenically unsaturated monomers and glycerol mono (meth) acrylate can be used alone or in combination.

(a)成分は、本発明の重合体(A)成分の水溶性を良好にする目的で重合体(A)に使用する不飽和単量体全量に対して30重量%以上特に好ましくは50重量%以上を配合することが望ましい。重合体(A)の分子量は10000〜200000が望ましい。   Component (a) is 30% by weight or more, particularly preferably 50% by weight based on the total amount of unsaturated monomers used in the polymer (A) for the purpose of improving the water solubility of the polymer (A) component of the present invention. % Or more is desirable. The molecular weight of the polymer (A) is preferably 10,000 to 200,000.

(b)成分の具体例としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、スチレン等を挙げることができる。   Specific examples of the component (b) include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, ( Examples include meth) acrylic acid, (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, and styrene.

本発明では希釈剤(B)を使用する。
(B)成分の具体例としては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールモノ(メタ)アクリレート、カルビトール(メタ)アクリレート、アクリロイルモルホリン、水酸基含有(メタ)アクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールモノ(メタ)アクリレート等)と多塩基酸無水物(例えば、無コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等)の反応物であるハーフエステル、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンポリエトキシトリ(メタ)アクリレート、グリセリンポリプロポキシトリ(メタ)アクリレート、ヒドロキシビバリン酸ネオペングリコールのε−カプロラクトン付加物のジ(メタ)アクリレート(例えば、日本化薬(株)製、KAYARAD HX−220、HX−62等)、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールとε−カプロラクトンの反応物のポリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレート、モノ又はポリグリシジル化合物(例えば、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、ポリエチレングリコール、ジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、グリセリンポリグリシジルエーテル、グリセリンポリエトキシポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリエトキシポリグリシジルエーテル等)と(メタ)アクリル酸の反応物であるエポキシ(メタ)アクリレート、等の反応性希釈剤(B−1)、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレグリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エチレングリコールモノアリールエーテル類、ポリエチレングリコールモノアリールエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、酢酸エステル、酢酸ブチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンジルアルコール等の芳香族炭化水素類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、ソルベントナフサ等の有機溶剤類(B−2)等を挙げることができる。
In the present invention, the diluent (B) is used.
Specific examples of the component (B) include, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 1,4-butanediol mono (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, and acryloyl. Morpholine, hydroxyl group-containing (meth) acrylate (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 1,4-butanediol mono (meth) acrylate, etc.) and polybasic acid anhydride (for example, Succinic acid, maleic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, etc.) half-ester, polyethylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tri Methylolup Pantri (meth) acrylate, trimethylolpropane polyethoxytri (meth) acrylate, glycerin polypropoxytri (meth) acrylate, and di (meth) acrylate of ε-caprolactone adduct of neopent glycol hydroxybivalate (eg Nippon Kayaku) KAYARAD HX-220, HX-62, etc.), pentaerythritol tetra (meth) acrylate, reaction product of dipentaerythritol and ε-caprolactone, poly (meth) acrylate, dipentaerythritol poly (meth) acrylate Mono- or polyglycidyl compounds (for example, butyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, polyethylene glycol, diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, 1,6- Hexanediol diglycidyl ether, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, glycerin polyglycidyl ether, glycerin polyethoxypolyglycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, trimethylolpropane polyethoxypolyglycidyl ether) and (meth) acrylic acid Reactive diluent (B-1) such as epoxy (meth) acrylate as a reactant, ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, ethylene glycol monoaryl ethers, polyethylene Glycol monoaryl ethers, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, acetate esters, acetate acetate Esters such as toluene, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzyl alcohol, propylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ethylene carbonate, propylene carbonate, γ- Examples thereof include organic solvents (B-2) such as butyrolactone and solvent naphtha.

光重合開始剤(C)の具体例としては、例えば、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−1−ブタノン、4−ベンゾイル−4′−メチルジフェニルスルフィド、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、ミヒラーズケトン、ベンジルジメチルケタノール、2−エチルアンスラキノン等を挙げることができる。又、これら光重合開始剤(B)の促進剤としての光重合促進剤(例えば、N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル等のアミン類)を併用することもできる。   Specific examples of the photopolymerization initiator (C) include 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, isopropylthioxanthone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane. -1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl sulfide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide , Michler's ketone, benzyldimethylketanol, 2-ethylanthraquinone and the like. Further, a photopolymerization accelerator (for example, amines such as N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester) as a promoter of these photopolymerization initiators (B) is used in combination. You can also

金属粉、金属酸化物又はガラス(D)の具体例としては、例えば、好ましくは粒径が10μm以下である酸化ルテニウム、酸化イットリウム、酸化ユーロピウム、酸化サマリウム、酸セリウム、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、等の金属酸化物あるいは混合物、銅粉、銀粉、パラジュウム粉、銀とパラジュウムの混合粉、表面処理された金粉、ランタン、セリウム、サマリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、エルビウム、マテニウム、イットリウム、スカンジウム等の金属粉あるいは混合物、ガラス粉、ガラスビーズ等を挙げることができる。これらが有する特性により、抵抗体用組成物、導体回路用組成物、螢光体用組成物,隔壁用組成物等に応用することができる。   Specific examples of the metal powder, metal oxide, or glass (D) include, for example, ruthenium oxide, yttrium oxide, europium oxide, samarium oxide, cerium oxide, lanthanum oxide, praseodymium oxide, oxidation, preferably having a particle size of 10 μm or less. Metal oxide or mixture of neodymium, gadolinium oxide, terbium oxide, dysprosium oxide, holmium oxide, erbium oxide, thulium oxide, etc., copper powder, silver powder, palladium powder, mixed powder of silver and palladium, surface-treated gold powder, lanthanum , Cerium, samarium, praseodymium, neodymium, promethium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, thulium, erbium, matenium, yttrium, scandium, etc., metal powder, glass powder, glass bi Can be exemplified's like. Due to the characteristics of these, it can be applied to a composition for a resistor, a composition for a conductor circuit, a composition for a phosphor, a composition for a partition, and the like.

本発明の樹脂組成物は(A)、(B)、(C)及び(D)の各成分を溶解、混合、混練することにより調製することができる。本発明の樹脂組成物中、各成分の使用割合は以下のようにすることができる(%は重量%)。(A)+(B−1)+(C)の合計した使用量は組成物に対して5〜60%が好ましく、特に好ましくは10〜50%である。(D)成分は、組成物中、45〜95%が好ましく、特に好ましくは50〜90%である。(A)+(B−1)+(C)の合計量の中に占める各成分の好ましい使用量は以下の通りとなる。すなわち(A)成分の使用量は、30〜90%、(B−1)成分の使用量は、5〜65%、(C)成分の使用量は、5〜30%である。有機溶剤(B−2)の使用量は、本発明の組成物を使用するために適当な粘度調整等の目的のために任意の割合で使用することができる。   The resin composition of the present invention can be prepared by dissolving, mixing and kneading the components (A), (B), (C) and (D). In the resin composition of the present invention, the proportion of each component used can be as follows (% is% by weight). The total amount of (A) + (B-1) + (C) used is preferably from 5 to 60%, particularly preferably from 10 to 50%, based on the composition. The component (D) is preferably 45 to 95%, particularly preferably 50 to 90%, in the composition. The preferable usage amount of each component in the total amount of (A) + (B-1) + (C) is as follows. That is, the amount of component (A) used is 30 to 90%, the amount of component (B-1) used is 5 to 65%, and the amount of component (C) used is 5 to 30%. The usage-amount of an organic solvent (B-2) can be used in arbitrary ratios for the objectives, such as viscosity adjustment suitable for using the composition of this invention.

本発明の樹脂組成物には、その性能を阻害しない範囲で、レベリング剤、消泡剤、重合禁止剤、ワックス類、非反応性ポリマー(例えば、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールと多塩基酸又はその無水酸との反応物であるポリエステル、アクリルポリマー等)、その他等を使用することもできる。   The resin composition of the present invention includes a leveling agent, an antifoaming agent, a polymerization inhibitor, a wax, a non-reactive polymer (for example, polyethylene glycol, polyethylene glycol and a polybasic acid, or an anhydrous acid thereof as long as the performance is not impaired. Polyester, acrylic polymer, etc., which are a reaction product with an acid, etc., etc. can also be used.

本発明の樹脂組成物は、前述のように抵抗体用組成物、螢光体用樹脂組成物、隔壁用樹脂組成物、導体回路用樹脂組成物として用いることができ、これらは、スクリーン印刷、カーテンフローコート、スプレーコート等の方法により、各種基板(例えば、ガラス、セラミック等)上の全面に塗布される。塗布後、必要に応じて遠赤外線又は温風により50〜250℃程度のプリベークされ有機溶剤が除去され、次にパターニングしたい部分だけ紫外線を通すようにしたネガマスクを用いて紫外線を露光した。紫外線の露光量としては100〜5000mJ/cmが好ましい。次に希アルカリ水溶液(例えば、1.5%炭酸ソーダ水溶液、1%苛性メーダ水溶液等)又は水の現像液を用いスプレーなどの手段で現像を行い次いで例えば、400〜1000℃で焼成しパターンを形成する。 As described above, the resin composition of the present invention can be used as a resistor composition, a phosphor resin composition, a partition resin composition, and a conductor circuit resin composition. It is applied on the entire surface of various substrates (for example, glass, ceramic, etc.) by a method such as curtain flow coating or spray coating. After coating, if necessary, the organic solvent was removed by pre-baking at about 50 to 250 ° C. with far infrared rays or warm air, and then ultraviolet rays were exposed using a negative mask in which only the portion to be patterned was allowed to pass ultraviolet rays. The exposure amount of ultraviolet rays is preferably 100 to 5000 mJ / cm 2 . Next, using a dilute alkaline aqueous solution (for example, 1.5% sodium carbonate aqueous solution, 1% caustic aqueous solution) or a water developer, development is performed by means such as spraying, followed by baking at 400 to 1000 ° C. for example. Form.

以下、実施例1〜4により本発明を説明する。例中、部とは重量部を表す。表1に示す組成にしたがって抵抗体用樹脂組成物を調製した。得られた樹脂組成物を150メッシュのポリエステル製スクリーンを用いてガラス基板上の全面に膜厚35μm(乾燥膜厚)で塗布し、80℃で30分プリベークした後、ネガフィルムを接触させ超高圧水銀灯により150mJ/cm照射し、次いで未露光部を水(40℃)を用いてスプレー圧2kg/cmで2分間現像した。現像後、空気中で700℃で15分間焼成し抵抗体パターンを形成した。パターン中の残存樹脂分、現像性、現像後のパターンの状態、焼成後のガラス基板との密着性を評価した。 The present invention will be described below with reference to Examples 1 to 4. In the examples, parts represent parts by weight. Resistor resin compositions were prepared according to the compositions shown in Table 1. The obtained resin composition was applied to the entire surface of the glass substrate with a 150 mesh polyester screen with a film thickness of 35 μm (dry film thickness), pre-baked at 80 ° C. for 30 minutes, and then contacted with a negative film to obtain an ultrahigh pressure. 150 mJ / cm 2 was irradiated with a mercury lamp, and the unexposed area was developed with water (40 ° C.) at a spray pressure of 2 kg / cm 2 for 2 minutes. After development, the resist pattern was formed by baking in air at 700 ° C. for 15 minutes. Residual resin content in the pattern, developability, the state of the pattern after development, and adhesion to the glass substrate after firing were evaluated.

(重合体(A)の合成例)
合成例1
グリセロールメタクリレート70部、メチルメタクエレート30部、カルビトールアセテート100部、ベンゾイルパーオキサイド3部を加え、窒素気流下に加熱し、75℃において5時間重合を行ない、50%重合体(A−1)溶液を得た。重合体(A−1)の平均分子量は約10万であった。
(Synthesis example of polymer (A))
Synthesis example 1
70 parts of glycerol methacrylate, 30 parts of methyl methacrylate, 100 parts of carbitol acetate and 3 parts of benzoyl peroxide were added, heated in a nitrogen stream, polymerized at 75 ° C. for 5 hours, and 50% polymer (A-1 ) A solution was obtained. The average molecular weight of the polymer (A-1) was about 100,000.

合成例2
テトラエチレングリコールモノメタクリレート50部、グリシジルメタクリレート25部、メチルメタクリレート25部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部、アゾビスイソブチロニトリル2部を加え、窒素気流下に加熱し、75℃において5時間重合を行ない、50%重合体(A−2)溶液を得た。重合体(A−2)の平均分子量は約5万であった。
Synthesis example 2
Add 50 parts of tetraethylene glycol monomethacrylate, 25 parts of glycidyl methacrylate, 25 parts of methyl methacrylate, 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate and 2 parts of azobisisobutyronitrile, heat in a nitrogen stream, and polymerize at 75 ° C. for 5 hours. And a 50% polymer (A-2) solution was obtained. The average molecular weight of the polymer (A-2) was about 50,000.

合成例3
メトキシテトラエチレングリコールモノメタクリレート70部、メチルメタクリレート30部、カルビトールアセテート100部、ベンゾイルパーオキサイド3部を加え、窒素気流下に加熱し、75℃で5時間重合を行ない、50%重合体(A−3)溶液を得た。重合体(A−3)の平均分子量は約15万であった。
Synthesis example 3
70 parts of methoxytetraethylene glycol monomethacrylate, 30 parts of methyl methacrylate, 100 parts of carbitol acetate and 3 parts of benzoyl peroxide are added, heated under a nitrogen stream, polymerized at 75 ° C. for 5 hours, and 50% polymer (A -3) A solution was obtained. The average molecular weight of the polymer (A-3) was about 150,000.

表1
実 施 例
1 2 3 4
合成例1で得た重合体(A−1) 16 12
合成例2で得た重合体(A−2) 16
合成例3で得た重合体(A−3) 14
テトラエチレングリコールジグリシジル
エーテルのジアクリレート 2 2 11 8
KAYARAD PEG400DA *1 7 5
KAYARAD DPHA *2 2 2
KAYACURE DETX−S *3 2 2 2 2
KAYACURE EPA *4 2 2 2 2
酸化ルテニウム粉末 30 30 30 30
ガラスビーズ 30 30 30 30
プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート 37 37 39 38
残存有機物(wt%) 0.2 0.3 0.1 0.15
現像性 ○ ○ ○ ○
現像後のパターンの状態 ○ ○ ○ ○
密着性 ○ ○ ○ ○
Table 1
Example
1 2 3 4
Polymer (A-1) obtained in Synthesis Example 1 16 12
Polymer (A-2) obtained in Synthesis Example 2 16
Polymer (A-3) obtained in Synthesis Example 3 14
Diacrylate of tetraethylene glycol diglycidyl ether 2 2 11 8
KAYARAD PEG400DA * 1 7 5
KAYARAD DPHA * 2 2 2
KAYACURE DETX-S * 3 2 2 2 2
KAYACURE EPA * 4 2 2 2 2
Ruthenium oxide powder 30 30 30 30
Glass beads 30 30 30 30
Propylene glycol monomethyl ether acetate 37 37 39 38
Residual organic matter (wt%) 0.2 0.3 0.1 0.15
Developability ○ ○ ○ ○
Pattern status after development ○ ○ ○ ○
Adhesiveness ○ ○ ○ ○


*1 KAYARAD PEG400DA:日本化薬(株)製、ポリエチレングリコールジアクリレート
*2 KAYARAD DPHA:日本化薬(株)製、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート混合物
*3 KAYACURE DETX−S:日本化薬(株)製、2,4−ジエチルチオキサントン、光重合開始剤
*4 KAYACURE EPA:日本化薬(株)製、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル
* 1 KAYARAD PEG400DA: Nippon Kayaku Co., Ltd., Polyethylene Glycol Diacrylate * 2 KAYARAD DPHA: Nippon Kayaku Co., Ltd., Dipentaerythritol Penta and Hexaacrylate Mixture * 3 KAYACURE DETX-S: Nippon Kayaku ( 2,4-diethylthioxanthone, photopolymerization initiator * 4 KAYACURE EPA: Nippon Kayaku Co., Ltd., p-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester

(残存有機分):700℃で加熱焼成後の重量減少分を測定。 (Residual organic content): Measured weight loss after baking at 700 ° C.

(現像性):1.5%炭酸ソーダ水溶液、液温40℃でスプレー圧2kg/cmで2分間現像し、以下の様に評価した。
○・・・・完全に現像ができた。
△・・・・わずかに残渣がある。
×・・・・現像されない部分がある。
(Developability): A 1.5% sodium carbonate aqueous solution was developed at a liquid temperature of 40 ° C. for 2 minutes at a spray pressure of 2 kg / cm 2 and evaluated as follows.
○ ···· Complete development.
Δ: There is a slight residue.
× ··· Some parts are not developed.

(現像後のパターンの状態):
○・・・・パターンは正確に維持されている。
△・・・・パターンの幅が細くなっている。
×・・・・パターン部分の一部または、全部剥がれている。
(State of pattern after development):
○ The pattern is maintained accurately.
Δ: The width of the pattern is narrow.
× ··· A part or all of the pattern part is peeled off.

(密着性):セロテープ(登録商標)剥離試験を行なった。
○・・・・全く剥がれがない。
△・・・・極一部剥がれがある。
×・・・・剥がれの部分が多い。
(Adhesion): A cellophane (registered trademark) peel test was performed.
○ ・ ・ ・ ・ No peeling at all.
Δ ···· Partly peeled off.
× ··· There are many peeled parts.

表1の結果から明らかなように、本発明の樹脂組成物及びその硬化物は、現像性に優れ、現像後のパターン精度が良好で、焼成後の有機物の残存が少なく、密着性に優れている。   As is apparent from the results in Table 1, the resin composition of the present invention and the cured product thereof have excellent developability, good pattern accuracy after development, little residual organic matter after baking, and excellent adhesion. Yes.

Claims (2)

一般式(1)
Figure 2005122202
(式中、Rは水素又はメチル基、Rは水素又はC〜Cのアルキル基であり、nは1〜10の整数である)で表されるエチレン性不飽和単量体及び/又はグリセロールモノ(メタ)アクリレート(a)30重量%以上、(a)成分以外の(a)成分と共重合可能なエチレン性不飽和単量体(b)70重量%以下を重合させて得られる重合体(A)、希釈剤(B)、光重合開始剤(C)、金属粉、金属酸化物又はガラスの中から選択される1種又は2種以上(D)(ただし、銀−銅合金粉末を除く)を含有する事を特徴とする螢光体パターン用樹脂組成物。
General formula (1)
Figure 2005122202
(Wherein R 1 is hydrogen or a methyl group, R 2 is hydrogen or a C 1 to C 5 alkyl group, and n is an integer of 1 to 10) and Obtained by polymerizing 30% by weight or more of glycerol mono (meth) acrylate (a) and 70% by weight or less of ethylenically unsaturated monomer (b) copolymerizable with component (a) other than component (a) Selected from polymer (A), diluent (B), photopolymerization initiator (C), metal powder, metal oxide or glass (D) (however, silver-copper A resin composition for a phosphor pattern characterized by containing an alloy powder).
請求項1記載の組成物の硬化物。
A cured product of the composition according to claim 1.
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