JP2005118831A - Laser beam machine - Google Patents
Laser beam machine Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005118831A JP2005118831A JP2003357790A JP2003357790A JP2005118831A JP 2005118831 A JP2005118831 A JP 2005118831A JP 2003357790 A JP2003357790 A JP 2003357790A JP 2003357790 A JP2003357790 A JP 2003357790A JP 2005118831 A JP2005118831 A JP 2005118831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- mask
- laser
- light
- light quantity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明はレーザ加工機に係り、特に被加工基板(ワーク)に微小な孔加工(バイアホール加工)する場合に加工された孔の開口率(孔入口と孔出口との比)を改善するように構成されたレーザ加工機に関する。 The present invention relates to a laser beam machine, and in particular, to improve the aperture ratio (ratio of hole inlet to hole outlet) of a hole processed when processing a minute hole (via hole processing) on a substrate to be processed (workpiece). The present invention relates to a laser beam machine configured as described above.
近年、電子機器の小形化、高密度実装化に伴う、プリント配線基板の高密度化の要求に応えて、複数のプリント配線基板を積層した多層プリント配線基板の開発が進められている。このような多層プリント配線基板では、上下に積層されたプリント配線基板間で導電層(銅箔)同士を電気的に接続する方法として、プリント配線基板の絶縁層(通常、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のポリマー)に、下層の導電層に達するバイアホール(via hole)と呼ばれる孔を形成し、その孔の内部に導電メッキを施す方法が採られている。 In recent years, in response to the demand for higher density of printed wiring boards accompanying downsizing of electronic devices and higher density mounting, development of multilayer printed wiring boards in which a plurality of printed wiring boards are laminated has been promoted. In such a multilayer printed wiring board, as a method of electrically connecting conductive layers (copper foils) between printed wiring boards stacked one above the other, an insulating layer of the printed wiring board (usually polyimide, epoxy resin, etc.) In this polymer, a hole called a via hole reaching the lower conductive layer is formed, and a conductive plating is applied to the inside of the hole.
このようなバイアホールを形成する加工機として、レーザ加工機が利用されており、例えば、CO2 ガスレーザ発振器でパルス状のレーザビームが使用される。 As a processing machine for forming such a via hole, a laser processing machine is used. For example, a pulsed laser beam is used in a CO 2 gas laser oscillator.
レーザ発生源としてCO2 ガスレーザ発振器から出射されたパルス状のレーザビームは、レーザビーム量無段階調整機構に入射されて光量が調整され、イメージングレンズによりワークの加工点に集束される。上記レーザビーム量無段階調整機構は、絞り機構とこれを駆動するステッピングモータとを含んでおり、カメラの絞り機構のような原理で、レーザビームの一部制限して切り出すことで入射するレーザの光量を調整する(例えば、特許文献1参照)。 A pulsed laser beam emitted from a CO 2 gas laser oscillator as a laser generation source is incident on a laser beam amount stepless adjustment mechanism, the amount of light is adjusted, and is focused on a workpiece processing point by an imaging lens. The laser beam amount stepless adjustment mechanism includes a diaphragm mechanism and a stepping motor that drives the diaphragm mechanism. Based on a principle similar to that of a camera diaphragm mechanism, the laser beam quantity stepless adjustment mechanism controls a part of the laser beam to cut out the incident laser. The amount of light is adjusted (see, for example, Patent Document 1).
さらに、レーザビーム量無段階調整機構からのレーザビームは、均一光学系(入射用集光レンズ、カライド反射鏡)を介してワークに照射される。均一光学系では、入射用集光レンズによりカライド反射鏡に入射させ、カライド反射鏡ではその内部での多重反射を利用してレーザビームのエネルギー強度分布を均一にする。尚、レーザビームの光強度分布(ビームプロファイル)を制御する制御技術としては、例えば、ホモジナイザなどがある。 Further, the laser beam from the laser beam amount stepless adjustment mechanism is irradiated onto the workpiece via a uniform optical system (incident condensing lens, kaleidoreflector). In the uniform optical system, the incident condensing lens makes the light incident on the kaleidoreflector, and the kaleidoreflector uses the multiple reflection inside thereof to make the energy intensity distribution of the laser beam uniform. As a control technique for controlling the light intensity distribution (beam profile) of the laser beam, for example, there is a homogenizer.
そして、均一光学系によりエネルギー強度分布を均一にされたレーザビームは、ガルバノスキャナによる走査系により振られ、X−Yステージ上の被加工基板(ワーク)に照射される。 Then, the laser beam whose energy intensity distribution is made uniform by the uniform optical system is shaken by a scanning system using a galvano scanner, and is irradiated onto a substrate to be processed (work) on an XY stage.
被加工基板には、レーザビームの断面形状を成形するためのマスクが設けられており、グリーンシート上に加工形状と同形状の孔を有するマスクを設置し、レーザビームがマスクを通過することで、所望の孔の径に成形される。
しかしながら、上記のようなマスクイメージ法を用いたレーザ加工機では、レーザビームの光強度分布がガウシアン状(つりがね状)の場合、レーザビームの軸心の光強度分布(ビームプロファイル)が最も強くなり、レーザビームの外周の光強度が弱くなり、固定マスクの孔径によりレーザビームのビーム径を規制しても、固定マスクを通過したレーザビームの軸心付近の光強度分布が最も強い状態は変わらないため、孔加工(バイアホール加工)された孔の内周がテーパ状になってしまい、孔加工の開口率の改善に限界があるという問題があった。 However, in the laser processing machine using the mask image method as described above, when the light intensity distribution of the laser beam is Gaussian (hanging), the light intensity distribution (beam profile) at the axis of the laser beam is the most. Even if the laser beam diameter is regulated by the hole diameter of the fixed mask, the light intensity distribution near the axis of the laser beam that has passed through the fixed mask is the strongest. Since there is no change, the inner circumference of the hole processed (via hole processing) becomes tapered, and there is a problem that there is a limit in improving the aperture ratio of the hole processing.
そこで、本発明は上記課題を解決したレーザ加工機を提供することを目的とする。 Then, an object of this invention is to provide the laser processing machine which solved the said subject.
請求項1記載の発明は、レーザ発振器と、該レーザ発振器からのレーザビームの光量を調整する光量調整手段と、該光量調整手段からのレーザビームをワークの加工位置に導く光学系とを有するレーザ加工機において、
前記光量調整手段に、前記ワークに照射されるレーザビームの強度分布を任意のパターンに制御するように光量を制御する光量制御手段を設けたことを特徴とする。
The invention according to claim 1 is a laser having a laser oscillator, a light amount adjusting means for adjusting a light amount of a laser beam from the laser oscillator, and an optical system for guiding the laser beam from the light amount adjusting means to a processing position of a workpiece. In the processing machine,
The light quantity adjusting means is provided with light quantity control means for controlling the light quantity so as to control the intensity distribution of the laser beam applied to the workpiece in an arbitrary pattern.
請求項2記載の発明は、前記光量制御手段が、前記レーザビームの光軸が回転中心となるように回転可能に設けられ、前記レーザビームの一部を通過させるように形成された開口を有する回転マスクと、該回転マスクを回転駆動する回転駆動手段と、を備えており、前記回転マスクの回転により前記ワークに照射されるレーザビームの強度分布を制御することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, the light amount control means includes an opening that is rotatably provided so that an optical axis of the laser beam is a center of rotation, and is formed so as to pass a part of the laser beam. A rotating mask and a rotation driving means for rotating the rotating mask are provided, and the intensity distribution of the laser beam applied to the workpiece is controlled by the rotation of the rotating mask.
請求項3記載の発明は、前記回転マスクが、前記開口の開口面積を任意の大きさに設定されるように形成されたことを特徴とする。 The invention according to claim 3 is characterized in that the rotary mask is formed such that an opening area of the opening is set to an arbitrary size.
請求項4記載の発明は、前記回転マスクが、前記開口が任意の形状となるように形成されたことを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, the rotary mask is formed so that the opening has an arbitrary shape.
請求項5記載の発明は、前記回転マスクが、複数の孔または複数のスリットからなる開口を有し、前記複数の孔または前記複数のスリットの配置数を任意に設定したことを特徴とする。 The invention according to claim 5 is characterized in that the rotary mask has openings composed of a plurality of holes or a plurality of slits, and the number of the plurality of holes or the plurality of slits is arbitrarily set.
請求項6記載の発明は、前記光量制御手段が前記回転マスクを交換可能に収納される収納部を有し、前記開口が異なるパターンに形成された複数の回転マスクの中から任意の回転マスクを前記収納部に選択的に装着されることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, the light quantity control means has a storage portion in which the rotary mask is stored in a replaceable manner, and an arbitrary rotary mask is selected from a plurality of rotary masks formed with different openings. It is selectively attached to the storage part.
請求項1記載の発明によれば、ワークに照射されるレーザビームの強度分布を任意のパターンに制御するように光量を制御することにより、ワークに照射されるレーザビームの光強度分布(ビームプロファイル)が均一になるように光量を制御することができ、レーザ照射した孔加工の内周面の開口率を向上させることができる。 According to the first aspect of the present invention, the light intensity distribution (beam profile) of the laser beam irradiated onto the workpiece is controlled by controlling the light amount so as to control the intensity distribution of the laser beam irradiated onto the workpiece into an arbitrary pattern. ) Can be controlled to be uniform, and the aperture ratio of the inner peripheral surface of the hole processed by laser irradiation can be improved.
請求項2記載の発明によれば、レーザビームの一部を通過させるように形成された開口を有する回転マスクをレーザビームの光軸が回転中心となるように回転させることにより、レーザビームの光強度分布が均一になるように光量を制御することができ、レーザ照射した孔加工の内周面の開口率を向上させることができる。 According to the second aspect of the present invention, the rotation of the rotary mask having an opening formed so as to allow a part of the laser beam to pass is rotated so that the optical axis of the laser beam becomes the center of rotation. The amount of light can be controlled so that the intensity distribution is uniform, and the aperture ratio of the inner peripheral surface of the hole processed by laser irradiation can be improved.
請求項3記載の発明によれば、開口の開口面積が任意の大きさに設定されるため、回転マスクの開口面積の大きさによってレーザビームの光強度分布が均一になるように光量を制御することができ、レーザ照射した孔加工の内周面の開口率を向上させることができる。 According to the invention described in claim 3, since the opening area of the opening is set to an arbitrary size, the amount of light is controlled so that the light intensity distribution of the laser beam becomes uniform according to the size of the opening area of the rotary mask. It is possible to improve the aperture ratio of the inner peripheral surface of the hole processed by laser irradiation.
請求項4記載の発明によれば、開口の形状が任意の大きさに設定されるため、回転マスクの開口面積の大きさによってレーザビームの光強度分布が均一になるように光量を制御することができ、レーザ照射した孔加工の内周面の開口率を向上させることができる。 According to the fourth aspect of the invention, since the shape of the opening is set to an arbitrary size, the amount of light is controlled so that the light intensity distribution of the laser beam becomes uniform according to the size of the opening area of the rotary mask. It is possible to improve the aperture ratio of the inner peripheral surface of the hole processed by laser irradiation.
請求項5記載の発明によれば、回転マスクに複数の孔または複数のスリットの配置数を任意に設けたため、回転マスクに設けられた複数の孔または複数のスリットの分布パターンを選択することにより、レーザビームの光強度分布が均一になるように光量を制御することができ、レーザ照射した孔加工の内周面の開口率を向上させることができる。 According to the fifth aspect of the present invention, since the arrangement number of the plurality of holes or the plurality of slits is arbitrarily provided in the rotating mask, the distribution pattern of the plurality of holes or the plurality of slits provided in the rotating mask is selected. The amount of light can be controlled so that the light intensity distribution of the laser beam becomes uniform, and the aperture ratio of the inner peripheral surface of the hole processing irradiated with the laser can be improved.
請求項6記載の発明によれば、開口が異なるパターンに形成された複数の回転マスクの中から任意の回転マスクを選択的に装着するため、加工条件に応じた回転マスクを使用してレーザ照射した孔加工の内周面の開口率を向上させることができる。 According to the invention described in claim 6, in order to selectively mount an arbitrary rotating mask among a plurality of rotating masks formed in patterns with different openings, laser irradiation is performed using a rotating mask according to processing conditions. The aperture ratio of the inner peripheral surface of the drilled hole can be improved.
以下、図面と共に本発明の一実施例について説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は本発明になるレーザ加工機の一実施例を示す構成図である。
図1に示されるように、レーザ加工機10は、レーザ発振器12と、レーザ発振器12から出射されたレーザビーム13を反射させる反射ミラー14,16,18と、イメージングレンズ19と、反射ミラー16と反射ミラー18との間に設けられた光量調整ユニット20と、反射ミラー18からの反射光が照射される被加工基板(ワーク)21をXY方向に移動させるXYステージ22と、光量調整ユニット20を制御する制御装置23とから構成されている。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a laser beam machine according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the laser processing machine 10 includes a
光量調整ユニット20は、レーザビーム13の光路に位置するように設けられた光量制御手段としての回転マスク24と、回転マスク24を回転自在、且つ交換可能に支持する支持機構26と、回転マスク24を回転駆動するモータ(回転駆動手段)28とから構成されている。光量調整ユニット20は、後述するように回転マスク24を回転させることでレーザビーム13の光強度分布がガウシアン状(つりがね状)から矩形状になるように光量を制限することで、光強度分布をビーム径で均一化するである。また、モータ28は、制御装置23により回転数を制御されており、レーザ発振器12からレーザビームが出射されるのに同期して回転駆動される。
The light
回転マスク24の回転数は、レーザビームの周波数や出力などの条件に応じて設定されており、制御装置23からの制御信号により任意の回転数に制御される。
The rotational speed of the
また、回転マスク24は、回転しながらレーザビームの光量を調整するものであり、後述するように、開口面積及び開口パターンの差違によりレーザビームの光量を任意の値に変えることができる。従って、開口面積及び開口パターンの異なる複数の回転マスク24を予め用意し、加工条件に応じて任意の回転マスク24を選択して光量調整ユニット20に装着する。これにより、レーザビームの光量を任意の値に調整することが可能になる。
The
図2は光量調整ユニット20を軸線方向からみた正面図である。図3は光量調整ユニット20の開閉ドア40を開いて回転マスク24を交換する操作を説明するための正面図である。
図2に示されるように、回転マスク24は、リング状に形成されたフレーム30の端面にディスク32を固着したものである。そして、ディスク32の回転中心には、微小な光量制御部34が設けられている。光量制御部34は、レーザビーム13のビーム径よりも小径であり、例えば、銅板製のディスク32に後述するような任意のパターンがエッチング加工されたものである。
FIG. 2 is a front view of the light
As shown in FIG. 2, the
支持機構26は、円筒形状のハウジング(収納部)36の内周に4個のガイドローラ38a〜38dが90度間隔で設けられている。回転マスク24は、フレーム30の外周がガイドローラ38a〜38dの環状溝39に嵌合することで軸方向の位置を規制されると共に、半径方向の位置も規制される。これにより、回転マスク24の回転中心に設けられた光量制御部34は、レーザビーム13の光路に回転可能に保持される。
In the
また、ハウジング36の外周には、回転マスク24を交換する際に開閉される開閉ドア40が設けられている。開閉ドア40は、回動支点となる一端40aが蝶番42により回動可能に支持され、他端40bがハウジング36の外周に設けられたバックル44により締結される。
An opening / closing
さらに、開閉ドア40の内周には、ガイドローラ38aが回転自在に支持されており、開閉ドア40の外周には、取っ手46が設けられている。従って、バックル44を外し、取っ手46を把持して開閉ドア40を開くと、図3に示されるように、ガイドローラ38aが回転マスク24から離間して回転マスク24を交換することができる。回転マスク24は、4個のガイドローラ38a〜38dのうちガイドローラ38aが離間することでフレーム30に対する保持力が解除され、半径方向の拘束力が除去される。
Further, a
これで、ハウジング36に収納されていた回転マスク24をガイドローラ38b〜38dから引き抜くことが可能になり、且つ、別の回転マスク24を挿入することが可能になる。
Thus, the
ハウジング36の内周には、ガイドローラ38cを回転駆動するモータ28が設けられている。そして、モータ28の回転駆動力は、ガイドローラ38cを介して回転マスク24に伝達される。
A
ここで、光量制御部34の構成について説明する。
図4は光量制御部34を拡大して示す正面図である。
Here, the configuration of the light
FIG. 4 is an enlarged front view showing the light
図4に示されるように、銅板にエッチング加工された光量制御部34は、レーザビーム13のビーム径より小径な円形部50の内側に葉形状の遮光部48(481〜488)を放射状に配し、例えば、8葉の遮光部48(481〜488)が45度間隔で設けられている。そして、遮光部48(481〜488)間には、2辺が円弧状に凹まされた三角形状の開口52(521〜528)が形成されている。光量制御部34は、回転中心がレーザビーム13の中心と一致するように、保持されるため、円形部50の内径がマスク径となる。
As shown in FIG. 4, the light
また、8葉の遮光部48(481〜488)間に形成された開口52(521〜528)は、中心側の開口幅が小さく、外周側ほど開口幅が大きくなるように形成されている。そのため、開口52(521〜528)を通過するレーザビーム13の光量は、中心側ほど制限量が多くなり、外周側ほど制限量が少なくなる。
The opening 52 (52 1 to 52 8) formed between the 8 leaf shielding portion 48 (48 1 to 48 8) has a smaller opening width of the center side, formed so that the opening width increases as the outer peripheral side Has been. Therefore, the amount of light of the
尚、本実施例では、8つの遮光部48が放射状に配置された場合を図示したが、遮光部48の配置数は、これに限らず、加工条件に応じて8つ以上の任意の数を配置するように設定しても良い。さらに、開口52(521〜528)の開口面積は、任意の大きさに設定するように形成されている。また、開口52(521〜528)の形状は、任意の形状(曲線)に設定するように形成されている。 In the present embodiment, the case where the eight light shielding portions 48 are arranged radially is illustrated, but the number of the light shielding portions 48 is not limited to this, and an arbitrary number of eight or more may be selected according to the processing conditions. You may set so that it may arrange. Furthermore, the opening area of the openings 52 (52 1 to 52 8 ) is formed to be set to an arbitrary size. Moreover, the shape of the opening 52 (52 1 to 52 8 ) is formed to be set to an arbitrary shape (curve).
図5はレーザビーム13の光強度分布を示すグラフである。
図5に示されるように、レーザビーム13の光強度分布(ビームプロファイル)は、グラフIで示すようにガウシアン状(つりがね状)のガウス分布(正規分布)となる。レーザビーム13が光量制御部34を通過する過程で円形部50によりマスク径の外側の低レベル領域がカットされる。
FIG. 5 is a graph showing the light intensity distribution of the
As shown in FIG. 5, the light intensity distribution (beam profile) of the
図6は回転する光量制御部34を通過した光強度分布を示すグラフである。
図6に示されるように、回転する光量制御部34を通過した光強度分布(ビームプロファイル)は、グラフIIに示されるように、ビームの中心部分が遮光部48(481〜488)によってカットされ、且つ円形部50によりマスク径の外側の低レベル領域がカットされて矩形状となる。また、8葉の遮光部48(481〜488)が中心から放射状に設けられているので、ビームの中心部分は、半径方向に略同一の光強度になり、すなわち、光強度分布(ビームプロファイル)が均一化されるように制御される。
FIG. 6 is a graph showing the light intensity distribution that has passed through the rotating light
As shown in FIG. 6, the light intensity distribution (beam profile) that has passed through the rotating light
これにより、被加工基板(ワーク)に孔加工する際、光量制御部34を通過したレーザビームにより加工された孔の内周面がテーパ状にならず、殆ど垂直な内周面が貫通することになり、加工された孔の開口率を向上させることができる。よって、例えば、回路基板を孔加工する際、基板に形成された導電パターンにダメージを与えることが防止され、より精密な孔加工を高精度に行える。
As a result, when drilling holes in the substrate to be processed (work), the inner peripheral surface of the hole processed by the laser beam that has passed through the light
図7は光量制御部の別の実施例を拡大して示す正面図である。
図7に示されるように、光量制御部60は、円形に形成された複数の小孔62(621〜62n)と、複数の小孔62(621〜62n)を除く遮光部64とから構成されている。そして、複数の小孔62(621〜62n)は、マスク径の内側に設けられている。複数の小孔62(621〜62n)は、レーザビームが通過する開口であり、遮光部64が光の通過を制限して光量を調整する。尚、図7では、光量制御部60の一部を拡大して小孔62(621〜62n)を図示しているが、光量制御部60では小孔62(621〜62n)が全周に設けられている。
FIG. 7 is an enlarged front view showing another embodiment of the light quantity control unit.
As shown in FIG. 7, the light
また、光量制御部60では、複数の小孔62(621〜62n)の配置数が半径方向の領域66a〜66cによって異なり、中心部分の領域66aでの小孔62の数が少なく、小孔62の間隔が大きい。そして、領域64bでの小孔62の数は、領域66aよりも多く、小孔62の間隔は領域66aよりも小さい。また、領域66cでの小孔62の数は、領域64bよりもさらに多く、小孔62の間隔は領域66bよりも小さい。
Further, in the light
このように、複数の小孔62(621〜62n)は、光量制御部60の中心側ほど小孔62が少なく、光量制御部60の外周側ほど小孔62が密集するように設けられている。そのため、光量制御部60の中心側ほど遮光部64の面積が大きく、光量制御部60の外周側ほど遮光部64の面積が小さくなる。
As described above, the plurality of small holes 62 (62 1 to 62 n ) are provided such that the number of small holes 62 is smaller toward the center of the light
尚、本実施例では、複数の小孔62(621〜62n)を設けた場合を説明したが、小孔62の形状は、円形に限るものでは無く、例えば、長孔形状に形成された複数のスリット孔(図示せず)を設け、複数のスリット孔の配置数や配置パターンを任意に設定することも可能である。 In the present embodiment, the case where a plurality of small holes 62 (62 1 to 62 n ) are provided has been described. However, the shape of the small holes 62 is not limited to a circle, and is, for example, a long hole shape. It is also possible to provide a plurality of slit holes (not shown) and arbitrarily set the number and arrangement pattern of the plurality of slit holes.
図8は回転する光量制御部60を通過した光強度分布を示すグラフである。
図8に示されるように、回転する光量制御部60を通過した光強度分布(ビームプロファイル)は、グラフIIIに示されるように、ビームの中心部分が遮光部64によってカットされ、且つ円形部50によりマスク径の外側の低レベル領域がカットされて逆U字形状となる。また、光量制御部60の中心側ほど小孔62が少ないので、ビームの中心部分は、半径方向に略同一の光強度になり、すなわち、光強度分布(ビームプロファイル)が均一化されるように制御される。
FIG. 8 is a graph showing the light intensity distribution that has passed through the rotating light
As shown in FIG. 8, in the light intensity distribution (beam profile) that has passed through the rotating light
これにより、被加工基板(ワーク)に孔加工する際、光量制御部60を通過したレーザビームにより加工された孔の内周面がテーパ状にならず、殆ど垂直な内周面が貫通することになり、加工された孔の開口率を向上させることができる。よって、例えば、回路基板を孔加工する際、基板に形成された導電パターンにダメージを与えることが防止され、より精密な孔加工を高精度に行える。
As a result, when drilling holes in the substrate to be processed (work), the inner peripheral surface of the hole processed by the laser beam that has passed through the light
図9は光量制御部の他の実施例を拡大して示す正面図である。
図9に示されるように、光量制御部70は、孔径の異なる複数の小孔72,74,76と、複数の小孔72,74,76を除く遮光部78とから構成されている。そして、複数の小孔72,74,76は、マスク径の内側に設けられている。複数の小孔72,74,76は、レーザビームが通過する開口であり、遮光部78が光の通過を制限して光量を調整する。尚、図9では、光量制御部70の一部を拡大して複数の小孔72,74,76を図示しているが、光量制御部70では複数の小孔72,74,76が全周に設けられている。
FIG. 9 is an enlarged front view showing another embodiment of the light quantity control unit.
As shown in FIG. 9, the light
また、光量制御部70では、複数の小孔72,74,76の配置数が半径方向の領域78a〜78cによって異なり、中心部分の領域80aでの小孔72の数が少なく、且つ小孔62の孔径が最も小さい。そして、領域80bでの小孔74の数は、領域80aよりも多く、小孔74の孔径は小孔72よりも大きい。また、領域78cでの小孔76の数は、領域80bよりもさらに多く、小孔76の孔径は小孔74よりも大きい。
In the light
回転する上記光量制御部70を通過するレーザビームの光量は、上記実施例2と同様に光強度分布(ビームプロファイル)が均一化されるように制御される。
The light amount of the laser beam passing through the rotating light
光量制御部の開口としては、上記実施例の光量制御部34,60,70のような開口形状及び配置パターンに限るものではなく、他の形状及び他の配置パターンとしても良いのは勿論である。
The opening of the light quantity control unit is not limited to the opening shape and arrangement pattern as in the light
10 レーザ加工機
12 レーザ発振器
13 レーザビーム
20 光量調整ユニット
21 被加工基板
23 制御装置
24 回転マスク
26 支持機構
28 モータ
30 フレーム
32 ディスク
34,60,70 光量制御部
36 ハウジング
38a〜38d ガイドローラ
40 開閉ドア
48(481〜488),64 遮光部
52(521〜528) 開口
62(621〜62n),72,74,76 小孔
66a〜66c,80a〜80c 領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10
Claims (6)
該レーザ発振器からのレーザビームの光量を調整する光量調整手段と、
該光量調整手段からのレーザビームをワークの加工位置に導く光学系とを有するレーザ加工機において、
前記光量調整手段に、前記ワークに照射されるレーザビームの強度分布を任意のパターンに制御するように光量を制御する光量制御手段を設けたことを特徴とするレーザ加工機。 A laser oscillator;
A light amount adjusting means for adjusting a light amount of a laser beam from the laser oscillator;
In a laser processing machine having an optical system for guiding a laser beam from the light amount adjusting means to a processing position of a workpiece,
A laser processing machine, wherein the light quantity adjusting means is provided with a light quantity control means for controlling a light quantity so as to control an intensity distribution of a laser beam applied to the workpiece into an arbitrary pattern.
前記レーザビームの光軸が回転中心となるように回転可能に設けられ、前記レーザビームの一部を通過させるように形成された開口を有する回転マスクと、
該回転マスクを回転駆動する回転駆動手段と、
を備えており、
前記回転マスクの回転により前記ワークに照射されるレーザビームの強度分布を制御することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工機。 The light amount control means includes
A rotary mask that is rotatably provided so that an optical axis of the laser beam is a rotation center, and has an opening formed so as to pass a part of the laser beam;
Rotation driving means for rotating the rotation mask;
With
2. The laser beam machine according to claim 1, wherein an intensity distribution of a laser beam irradiated to the workpiece is controlled by rotation of the rotary mask.
前記複数の孔または前記複数のスリットの配置数を任意に設定したことを特徴とする請求項2記載のレーザ加工機。 The rotating mask has an opening composed of a plurality of holes or a plurality of slits,
The laser processing machine according to claim 2, wherein the number of the plurality of holes or the plurality of slits is arbitrarily set.
前記回転マスクを交換可能に収納される収納部を有し、
前記開口が異なるパターンに形成された複数の回転マスクの中から任意の回転マスクを前記収納部に選択的に装着されることを特徴とする請求項1乃至5何れか記載のレーザ加工機。 The light amount control means includes
A storage portion for storing the rotating mask in a replaceable manner;
6. The laser processing machine according to claim 1, wherein an arbitrary rotary mask is selectively attached to the storage portion from among a plurality of rotary masks formed in different patterns in the openings.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003357790A JP2005118831A (en) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | Laser beam machine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003357790A JP2005118831A (en) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | Laser beam machine |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005118831A true JP2005118831A (en) | 2005-05-12 |
Family
ID=34614580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003357790A Pending JP2005118831A (en) | 2003-10-17 | 2003-10-17 | Laser beam machine |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005118831A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006319198A (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining method for wafer and device thereof |
-
2003
- 2003-10-17 JP JP2003357790A patent/JP2005118831A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006319198A (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining method for wafer and device thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7402774B2 (en) | Flexible scan field | |
US5933218A (en) | Laser beam machining apparatus | |
US20040164060A1 (en) | Hole drilling method and apparatus | |
JP2001287070A (en) | Laser beam homogenization by scanning of beam on mask | |
JP2005502476A (en) | For example, a laser drilling method using a perforated mask | |
CN111496393A (en) | Taper-controllable micro-group hole efficient laser processing method | |
JP2007167957A (en) | Method of forming via hole using laser beam | |
US7897893B2 (en) | Method for drilling holes in a substrate, in particular an electrical circuit substrate, by means of a laser beam | |
KR19980032118A (en) | Processing method of wiring board by laser light and device therefor | |
WO2020013122A1 (en) | Laser machining device, laser machining method, and production method for film-formation mask | |
JP2005118831A (en) | Laser beam machine | |
TWI283893B (en) | System and method for exposing periphery of wafer | |
JP2002120080A (en) | Laser beam machining device | |
EP0575850A2 (en) | Direct laser imaging for three-dimensional circuits and the like | |
JP2001345536A (en) | Method of manufacturing circuit board | |
JPH11254171A (en) | Laser beam machining device for wiring board | |
JPH10286683A (en) | Excimer laser machining equipment and method therefor | |
JPH053153A (en) | Exposing device for unnecessary resist on wafer | |
JPH09308983A (en) | Laser beam machine | |
JP3385504B2 (en) | Laser processing apparatus and irradiation method using laser processing apparatus | |
JP3458760B2 (en) | Processing method of ceramic green sheet | |
JP2006202876A (en) | Laser beam machining method | |
JPH10323788A (en) | Laser processing device | |
JP3312294B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method using multi-axis galvano scanner | |
JP5327135B2 (en) | Edge exposure apparatus and edge exposure method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050913 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060124 |