JP2005117071A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得るドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマ20を発生するための反応ガスが導入される真空容器1と、プラズマを含む装置系のインピーダンス、プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧およびカソード電極にかかる自己バイアス電圧のうちの少なくとも1つの物理量を測定する測定回路7〜9と、測定回路による測定値を予め用意されたデータと比較し、放電プラズマを用いた処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは真空容器内部の洗浄時期を検知する検知回路13とを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマ20を発生するための反応ガスが導入される真空容器1と、プラズマを含む装置系のインピーダンス、プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧およびカソード電極にかかる自己バイアス電圧のうちの少なくとも1つの物理量を測定する測定回路7〜9と、測定回路による測定値を予め用意されたデータと比較し、放電プラズマを用いた処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは真空容器内部の洗浄時期を検知する検知回路13とを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造装置に係り、特に放電プラズマを用いて半導体基板を処理する装置に関するもので、例えば高周波電源を用いたRIE(反応性イオンエッチング)装置に使用される。
半導体装置の製造工程で使用されるドライエッチング装置においては、表面に任意のマスクパターンが形成された処理基板を真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入するとともに放電プラズマを発生させ、反応性イオンにより処理基板をエッチング加工する。
この際、一般的には、反応性イオンと処理基板の被エッチング層との反応により、蒸気圧の高い反応生成物が生成され、この反応生成物は排気されるが、真空容器内の圧力、反応ガスの種類、流量および反応性イオンのエネルギー量によって被エッチング膜との反応速度や反応生成物の種類が異なってくる。
ところで、放電プラズマを用いて半導体基板を処理する装置において、処理状況の経時変化の発生の有無および経時変化が発生した場合の度合いを最も明確に確認する手段の一つに、高アスペクト比を有する形状による検証がある。
そこで、高アスペクト比を有する形状としては、コンタクトホール、ビアホール、トレンチ等が挙げられるが、代表例として、例えばDRAMにおけるメモリセルのトレンチキャパシタ用のトレンチの形成工程にドライエッチング装置を使用した場合について、従来の問題点を説明する。
図8(a)、(b)は、トレンチキャパシタ用のトレンチの形成工程における基板の断面構造を示す。
まず、図8(a)に示すように、処理基板であるSi基板14上にTEOS膜15を成膜し、パターン加工を行ってマスクパターンを形成することにより処理基板のサンプルを形成する。
次に、マグネトロンRIE装置による半導体基板のロット処理毎後に、図8(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ約100/10/70sccmを導入し、圧力約200mT、高周波電源の出力が約1000Wの条件で放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工する。
これにより、図8(b)に示すように、Si基板14にトレンチキャパシタ用のトレンチが形成される。ここで、θはトレンチ上部のテーパ角、dはトレンチの下部径である。
図9は、従来のRIE装置による処理基板の処理ロット数とトレンチの下部径の関係を示す。
図9から、処理基板の処理枚数が増えてくると、トレンチの下部径が細ってくる傾向が見られることがわかる。これは、処理基板の処理枚数が増えてくると、トレンチの上部テーパ角が次第に付いていくことが一つの要因である。
この理由は明らかではないが次のような現象が起こっているものと予想される。
トレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際しては、反応生成物として主にSiBrx 、SiBry Oz 、SiFα、等が生成され、その多くは排気されるが、その一部は真空容器内の低温部に付着したり、再びプラズマ中で再分解し蒸気圧の低い物質となり真空容器内に付着したりする。
これらの付着物(デポ)は主にSiO2 系のものと予想されるが、これらのデポが堆積し、膜を形成すると、その膜からの脱ガスやプラズマに晒されて再分解等が発生する。そのため、真空容器内における雰囲気中の実際の各プロセスガスの流量は設定した流量と異なり、目的とする形状やレートが得られなくなる。
このように、トレンチの下部径は真空容器内のデポ膜の状況と密接に関係するので、デポ膜の状況を把握できれば真空容器内の洗浄時期を明確にすることができるが、外部から真空容器内の表面状況等を把握することは不可能である。
そこで、トレンチキャパシタ用のトレンチの下部径のスペック値が0.1μmである現状では、図9のデータに基づいて、8ロット毎に真空容器を大気開放し、手作業によるクリーニングを行っているが、この方法が最適であるか否かは不明である。
上記したように従来の半導体装置製造用のドライエッチング装置は、外部から真空容器内の表面状況等を把握することは不可能であり、例えばトレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化を把握することは不可能であり、真空容器内の適切な洗浄時期を判定できないという問題があった。
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、例えばトレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化や真空容器内の表面状況等を外部から把握することが可能になり、真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制し得る半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
第1の発明の半導体装置の製造装置は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記プラズマを含む装置系のインピーダンスを測定する測定手段と、前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段とを具備することを特徴とする。
第2の発明の半導体装置の製造装置は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧を測定する測定手段と、前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段とを具備することを特徴とする。
第3の発明の半導体装置の製造装置は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧を測定する測定手段と、前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段とを具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造装置によれば、例えばトレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化や真空容器内の表面状況等を外部から把握することが可能になり、真空容器内の適切な洗浄時期を判定したり、処理基板の加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は、本発明の半導体装置の製造装置の第1の実施の形態に係るドライエッチング装置の一例としてマグネトロンRIE装置とその周辺回路を示す。
図1において、10は装置本体であり、6は高周波電源(マグネトロン)である。装置本体10は、処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマ20を発生するための反応ガスが導入される真空反応容器1と、前記高周波電源6の出力と負荷側とのインピーダンスの整合をとるためのインピーダンス整合回路(マッチング・コントローラ)2を含む。上記マッチング・コントローラ2において、3は第1の可変コンデンサ、4は第2の可変コンデンサ、5はインダクタンスである。
さらに、7は前記プラズマ20にかかる高周波信号のピーク間電圧Vppを測定するためのVpp測定回路、8は前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧Vdcを測定するためのVdc測定回路である。9は前記プラズマ20を含む装置系のインピーダンスを測定するためのインピーダンス測定回路である。
11はプロセスガスの流量を制御するためのプロセスガス制御回路、12は高周波電源の出力を制御するための高周波電源制御回路である。
13は前記各測定回路の出力(測定値)に基づいて前記プロセスガス制御回路11あるいは高周波電源制御回路12を制御することによって、インピーダンスZ・高周波電力ピーク間電圧Vpp・自己バイアス電圧Vdcを制御するためのZ・Vpp・Vdc制御回路である。
この場合、上記Z・Vpp・Vdc制御回路13は、前記各測定回路の出力(測定値)を予め用意されたデータと比較し、前記処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは前記真空容器の内部の洗浄時期を検知する検知機能も有する。
なお、前記マッチング・コントローラ2は、高周波電源6から見て、マッチング・コントローラ2およびそれより先(真空反応容器1側)の「プラズマを含めたチャンバー(反応容器)系」においてモニター対象となる物理量としてのインピーダンスの合計が50Ωになるように動作する。例えば、「プラズマを含めたチャンバー系」のインピーダンスが30Ωであれば、マッチング・コントローラ2自体のインピーダンスが20Ωになるように動作する。これにより、「プラズマを含めたチャンバー系」のインピーダンスをモニターした結果に基づいて処理基板の加工の形状を制御することが可能になる。
(1)実施例1
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図6(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ約100/10/70sccmを導入し、圧力約200mT、高周波電源の出力Wが約1000Wの条件で放電プラズマ20を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。これにより、図8(b)に示すように、Si基板14にトレンチキャパシタ用のトレンチが形成される。
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図6(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ約100/10/70sccmを導入し、圧力約200mT、高周波電源の出力Wが約1000Wの条件で放電プラズマ20を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。これにより、図8(b)に示すように、Si基板14にトレンチキャパシタ用のトレンチが形成される。
この際、ドライエッチング装置による処理基板の処理ロット数とトレンチの下部径dとの関係を調べた。また、処理ロット数と真空反応室内部の電極に印加される高周波信号のピーク間電圧Vppとの関係を調べた。これらの結果を図2(a)に示す。
また、上記したような調査を、同じマスクパターン、同じエッチング条件下で数回行い、その時の高周波信号のピーク間電圧Vppとトレンチの下部径dとの関係を調べた結果を図2(b)に示す。
図2(a)および図2(b)から、トレンチの下部径dと高周波信号のピーク間電圧Vppとに相関関係があり、Vpp測定回路7によりVppを測定することによってトレンチの下部径dをほぼ特定することができることが分かる。
上記したようにトレンチの下部径dと高周波信号のピーク間電圧Vppとに相関関係がある理由は明らかではないが、次のように考えられる。
即ち、何らかの要因でトレンチの形状が細ると、エッチングされるべき処理基板であるSi基板の開口面積が減少する。主な反応生成物はSiBrx 、SiBry Oz 、SiFα等と予想されるので、被エッチング物質のSiの量が減少すると、当然に反応生成物の発生量も減少する。そのため、イオンと反応生成物との衝突頻度が減少し、プラズマ20を含めた装置系のインピーダンスZも小さくなる。また、ここで、高周波電源の出力をWで表わすと、W=Vpp2 /Zが成り立つ。この場合、Wは一定(本例では約1000W)であるので、Vppも減少すると予想される。
また、処理基板を保持したカソード電極にかかる自己バイアスVdcと高周波信号のピーク間電圧Vppとの間には、VdcはVpp/2にほぼ等しいという関係が一般的に成り立つので、Vdc測定回路8によりVdcを測定することによっても、前記Vppの測定と同様にトレンチの下部径dを特定することが可能であることが容易に予想される。
上記実施例1のドライエッチング装置によれば、前記各測定回路7、8、9の出力(測定値)を予め用意されたデータと比較し、処理基板に対する加工特性の経時変化あるいは真空容器の内部の洗浄時期を検知する検知手段を具備するので、トレンチキャパシタ用のトレンチの加工に際して処理基板の処理枚数に依存するトレンチの下部径の経時変化を外部から把握することが可能になり、真空容器内の表面状況等を間接的に外部から把握することが可能になり、この真空容器内の適切な洗浄時期を判定することが可能になる。
また、上記実施例1のドライエッチング装置によれば、Vpp測定回路7によりVppを測定した値、あるいは、Vdc測定回路8によりVdcを測定した値に基づいてZ・Vpp・Vdc制御回路13によって高周波電源制御回路12を制御することによって、インピーダンスZ・高周波電力ピーク間電圧Vpp・自己バイアス電圧Vdcを制御することにより、前記測定値を所望の一定値に保持することにより、処理基板の加工の形状制御も可能となる
(2)実施例2
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図6(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ約100/10/70sccmを導入し、圧力約200mTの条件で、高周波電源の出力(RF−Power)を印加して放電プラズマ20を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
(2)実施例2
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図6(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ約100/10/70sccmを導入し、圧力約200mTの条件で、高周波電源の出力(RF−Power)を印加して放電プラズマ20を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
この際、高周波電源の出力Wを変化させてドライエッチングを行い、高周波信号のピーク間電圧Vppがどのように変化するかについて調べた。また、この際、図8(b)に示したようなトレンチ上部のテーパ角θがどのように変化するかについても調べた。これらの結果を図3(a)および図3(b)に示す。
図3(a)および図3(b)から、高周波電源の出力Wと高周波信号のピーク間電圧Vppおよびトレンチのテーパ角θには一対一の相関関係があり、Wによって制御が可能であることがわかる。
この理由は明らかではないが、W=Vpp2 /Zの関係は一般的に成り立つが、反応生成物の発生量がほぼ一定量である時、Zはほぼ一定であるので、VppはWに比例し、その値も決まってくると予想される。
また、反応生成物の一部がトレンチの側壁に付いて側壁保護膜となり、この側壁保護膜の量によってトレンチ上部のテーパ角θが制御され、側壁保護膜が厚く付くとテーパ角θが寝て付いてくる。
また、VdcはVpp/2にほぼ等しいという関係が一般的に成り立つので、Vppが増加すると、Vdcの増加、そして、反応性イオンの基板への到達エネルギーが増加し、それに伴いトレンチ内の側壁保護膜が削り取られてテーパ角θが立ってくるものと予想される。
上記実施例2のドライエッチング装置によれば、Vppの値をVpp測定回路7により測定し、あるいは、Vdcの値をVdc測定回路8により測定し、この測定結果に基づいて高周波電源制御回路12を制御し、VppあるいはVdcの測定結果がある設定値を保持するように高周波電源の出力Wを任意の値に制御することにより、トレンチの形状を制御することが可能である。
(3)実施例3
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図6(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ導入し、圧力約200mTの条件で、高周波電源の出力(RF−Power)を印加して放電プラズマ20を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図6(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスとしてHBr/O2 /NF3 をそれぞれ導入し、圧力約200mTの条件で、高周波電源の出力(RF−Power)を印加して放電プラズマ20を発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
この際、HBr/NF3 をそれぞれ約100/70sccmを導入し、O2 の流量を変化させてドライエッチングを行い、高周波信号のピーク間電圧Vppがどのように変化するかについて調べた。また、この際、図6(b)に示したようなトレンチ上部のテーパ角θがどのように変化するかについても調べた。これらの結果を図4(a)および図4(b)に示す。
図4(a)および図4(b)から、実施例2と同様に、O2 の流量と高周波信号のピーク間電圧Vppおよびトレンチのテーパ角θには一対一の相関関係があり、O2 の流量によって制御が可能であることがわかる。
この理由は明らかではないが、W=Vpp2 /Zの関係は一般的に成り立つが、O2 の流量の増加によりSiBry Oz 系の反応生成物の発生量が増加するので、前記Zが大きくなる。そのため、この場合、Wはほぼ一定であるので、Vppの値が減少しているものと考えられる。
また、前記インピーダンスZの大きさは反応生成物の量に起因することから、反応生成物を形成するBr、Fを含むHBr等の臭素含有ガスや、NF3 等のフッ素含有ガスを含めたプロセスガスを使用する場合においても、同様な効果が得られることは容易に予想される。
上記実施例3のドライエッチング装置によれば、Vppの値をVpp測定回路7により測定し、あるいは、Vdcの値をVdc測定回路8により測定し、この測定結果に基づいてプロセスガス制御回路11を制御し、VppあるいはVdcの測定結果がある設定値を保持するように各プロセスガス流量を任意の値に制御することにより、トレンチの形状を制御することが可能である。
次に、図1の装置を使用して基板を処理する方法について、図5に示すフローチャートを参照しながら簡単に説明する。
基板処理の開始時に、まず、各プロセスガスの供給および高周波電源の出力を開始させる。
開始後、装置系およびプラズマ20を含めたインピーダンスZ、あるいはプラズマ20にかかる高周波信号のピーク間電圧Vpp、あるいはカソード電極に生じる自己バイアス電圧Vdcのうち、少なくとも一つ以上の物理量をリアルタイムで測定する。
そして、これらの測定値が、任意に設定した値と等しい値であるかどうかをリアルタイムで確認する。測定値が設定値と等しい場合には、プロセスの終了時間と一致した時点で、プロセスガスの供給および高周波電源の出力を停止してプロセスを終了する。
プロセスの終了時間と一致しない場合は、再び測定値が前記Z、Vpp、Vdc等が設定値と等しい値であるかどうかを確認する。
また、前記測定値が設定値と異なる場合には、プロセスガスあるいは高周波電源の出力等のプロセス条件をリアルタイムで調整し、設定値と等しい測定値が得られたかどうかを確認する。この時点で、設定値と等しい測定値が得られない場合、プロセス停止の信号を各プロセス制御回路に送信し、プロセスを強制終了させ、同時に洗浄時期到達の信号を発令する。
このように、Z、Vpp、Vdc等をモニターすることにより、真空容器内部の処理基板の加工特性の経時変化および真空容器内部の洗浄時期を真空容器外部から明確に把握することが可能であり、また、モニターの結果を任意の値に保持制御することで加工の形状制御も可能となり、経時変化を抑制することが可能となる。
(4)実施例4
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図8(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入し、チャンバー内を所定の圧力にし、高周波電源の出力を印加して放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図8(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入し、チャンバー内を所定の圧力にし、高周波電源の出力を印加して放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
表1および図6において、チャンバー内の圧力が小さくなると、テーパー角θが大きくなることが分かる。この理由は次のように考えられる。すなわち、チャンバー内の圧力が小さくなると、イオンの方向性が揃い、イオンとイオン、もしくはイオンと原子などの他粒子との衝突頻度が減少する。そのため、電界によって加速された運動エネルギーが衝突によって失われることが無くなるので、イオンがウェーハに到達した時のエネルギーが増加し、側壁保護膜を削り易くなる効果(高周波電源の出力を増加させた場合と同様な効果)が得られる。
よって、チャンバー内の圧力を所望の一定値に調整保持することにより、テーパー角θを所望の値に制御することが可能になる。
(5)実施例5
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図8(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入し、チャンバー内を所定の圧力にし、ウェーハを所定の温度にし、高周波電源の出力を印加して放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
図1に示したドライエッチング装置による半導体基板のロット処理毎後に、図8(a)に示したような処理基板のサンプルを真空反応室内に設置し、この真空反応室内に反応ガスを導入し、チャンバー内を所定の圧力にし、ウェーハを所定の温度にし、高周波電源の出力を印加して放電プラズマを発生させ、反応性イオンによりサンプルをエッチング加工した。
この際、ウェーハ温度を変化させてドライエッチングを行い、図8(b)に示したようなトレンチ上部のテーパー角θがどのように変化するかについて調べた。これらの結果を表2および図7に示す。
表2および図7において、Back−Heガスの圧力が大きくなると、テーパー角θが小さくなることが分かる。この理由は次のように考えられる。Back−Heガスの圧力を上昇させると、ウェーハ温度が下がり、反応生成物(堆積物、側壁保護膜)の付着量が増加し、テーパー角θを寝かせる効果(前述したO2の流量を増加させた場合と同様な効果)が得られる。
よって、ウェーハ温度を所望の一定値に調整保持することにより、テーパー角θを所望の値に制御することができる。
1…反応真空容器、2…マッチング・コントローラ、3…第1のバリアブルコンデンサ、4…第2のバリアブルコンデンサ、5…インダクタンス、6…高周波電源、7…Vpp測定回路、8…Vdc測定回路、9…インピーダンス測定回路、10…装置本体、11…プロセスガス制御回路、12…高周波電源制御回路、13…Z・Vpp・Vdc制御回路、20…放電プラズマ。
Claims (4)
- 処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、
前記プラズマを含む装置系のインピーダンスを測定する測定手段と、
前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、
前記プラズマにかかる高周波信号のピーク間電圧を測定する測定手段と、
前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 処理基板を保持するカソード電極を収容し、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するための反応ガスが導入される真空容器と、
前記カソード電極にかかる自己バイアス電圧を測定する測定手段と、
前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた場合を検知し、前記真空容器の内部の洗浄時期を知らせる制御手段
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記制御手段は前記測定手段による測定値が予め設定した範囲から外れた際に、リアルタイムにプロセス条件を調整し、調整後も測定値が設定範囲から外れている場合にプロセスの停止信号を送信してプロセスを強制終了させると共に、洗浄時期の到達を示す信号を出すことを特徴とする請求項1乃至3いずれかに記載の半導体装置の製造装置。
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