JP2005115561A - フラッシュrom制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ホストとフラッシュROM間に論理→物理変換テーブルT1と物理→論理変換テーブルT2とを設け、論理→物理変換テーブルT1には、同一論理クラスタアドレス(同一論理アドレス)に対応する物理クラスタ番号(物理アドレス)を記憶し、これをクラスタデータの書換えごとに変更していくとともに、さらに、物理クラスタ番号の変更回数を世代番号として記憶する。世代番号が最大値になると物理→論理変換テーブルT2を参照して対応の物理クラスタ番号を全て無効化する無効化処理を行う。
【選択図】
図7
Description
書き込み時には、次のように4つのフラッシュROMを順番に転送することにより、フラッシュROMの待ち時間の間に他のデータを転送することになり、高速化することができる。
Claims (8)
- フラッシュROMの消去単位がブロック単位であるフラッシュROMとホストとの間に接続されるフラッシュROM制御装置において、
前記ブロック単位よりも小さい所定単位当たりの論理アドレスを物理アドレスに変換するための論理→物理変換テーブルと、
前記所定単位以下の物理アドレスを論理アドレスに変換するための物理→論理変換テーブルと、
ホストからの書込み要求時に、フラッシュROMの未使用単位エリアに書き込むとともに、前記論理→物理変換テーブルと物理→論理変換テーブルの更新を行う制御部とを備え、
前記制御部は、前記論理→物理変換テーブルの更新時に、同一論理アドレスに対する物理アドレスの変更回数を世代番号として前記論理→物理変換テーブルに記憶する処理と、世代番号が所定の最大値になると該最大値になった世代番号の論理アドレスに対応する全ての物理アドレスを前記物理→論理変換テーブルを参照することで抽出してこれを無効化する処理と、前記無効化処理を行ったときに、有効エリアのなくなったブロックを見つけると、そのブロックを消去する処理とを行うことを特徴とするフラッシュROM制御装置。 - 前記各ブロックの有効エリア数、不良有無を記憶するブロックステータステーブルをさらに備え、
前記制御部は、前記ブロックステータステーブルを参照して有効エリアのなくなったブロックを見つけることを特徴とする請求項1記載のラッシュROM制御装置。 - 前記世代番号は、論理アドレス毎に初期値を異ならせたことを特徴とする請求項1記載のフラッシュROM制御装置。
- 前記制御部は、前記世代番号が前記最大値以上になって前記無効化処理が行われると、世代番号を初期値に戻す世代交代処理を行うこと特徴とする請求項1に記載のフラッシュROM制御装置。
- 前記論理→物理変換テーブルは前記物理→論理変換テーブルよりも小さく設定され、ホストに対し、アクセス可能な物理アドレスの大きさを実際の大きさよりも小さくみせることを特徴とする請求項1記載のフラッシュROM制御装置。
- フラッシュROMへの書込み又は読み込み単位が前記ブロック単位よりも小さなページ単位であり、
前記所定単位は、前記ブロック単位以下で且つ前記ページ単位以上の大きさのクラスタ単位である、請求項1に記載のフラッシュROM制御装置。 - ホストからの読み込み又は書込み単位が前記ページ単位以下のセクタ単位であり、前記セクタは、フラッシュROM内において複数のデータ部と各データ部に対応したエラー訂正コードであるECCを含み、
前記セクタは、フラッシュROM内においてデータ部と該データ部に対応するECCとを組にして組毎に記憶され、
前記制御部は、読み込み時において、データ部とECCの組を読み込むときに、同時にそれまでに読み込んでいた他の組のデータ部をホストに転送する制御を行い、これにより高速化することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュROM制御装置。 - 前記制御部は、前記有効エリアのなくなったときに行うブロックの消去処理をしても未使用ブロック数が一定以上にならないときに、ガーベージコレクション処理を行うことを特徴とする請求項1記載のフラッシュROM制御装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007018499A (ja) * | 2005-06-06 | 2007-01-25 | Sony Corp | 記憶装置 |
JP2007048184A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | メモリカード |
JP2008159013A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2008537192A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-09-11 | サンディスク アイエル リミテッド | フラッシュメモリ内でコピー操作を管理する方法 |
JP2009116601A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sony Corp | メモリ装置、メモリ管理方法、およびプログラム |
JP2009217603A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2009252255A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7890550B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory system and garbage collection method thereof |
WO2013025083A2 (ko) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 영남대학교 산학협력단 | 피램에 데이터를 저장하는 전자기기 및 그의 메모리 제어방법 |
JP2013174972A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | メモリシステム、コントローラ、メモリシステムの制御方法 |
KR20160146506A (ko) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 삼성전자주식회사 | 파일 액세스 방법, 컴퓨터, 및 컴퓨터-읽기 가능한 매체에 실행 가능한 소프트웨어 제품 |
JP2017111476A (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 株式会社東芝 | メモリシステムおよび制御方法 |
Families Citing this family (1)
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008537192A (ja) * | 2005-01-31 | 2008-09-11 | サンディスク アイエル リミテッド | フラッシュメモリ内でコピー操作を管理する方法 |
JP2007018499A (ja) * | 2005-06-06 | 2007-01-25 | Sony Corp | 記憶装置 |
US8285916B2 (en) | 2005-06-06 | 2012-10-09 | Sony Corporation | Storage device |
JP2007048184A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Renesas Technology Corp | メモリカード |
US7890550B2 (en) | 2006-11-03 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash memory system and garbage collection method thereof |
JP2008159013A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2009116601A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Sony Corp | メモリ装置、メモリ管理方法、およびプログラム |
JP4535117B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | メモリ装置、メモリ管理方法、およびプログラム |
US8205033B2 (en) | 2007-11-06 | 2012-06-19 | Sony Corporation | Memory device, memory management method, and program |
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JP2009217603A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2009252255A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2013025083A2 (ko) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | 영남대학교 산학협력단 | 피램에 데이터를 저장하는 전자기기 및 그의 메모리 제어방법 |
WO2013025083A3 (ko) * | 2011-08-18 | 2013-05-30 | 영남대학교 산학협력단 | 피램에 데이터를 저장하는 전자기기 및 그의 메모리 제어방법 |
JP2013174972A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | メモリシステム、コントローラ、メモリシステムの制御方法 |
KR20160146506A (ko) * | 2015-06-12 | 2016-12-21 | 삼성전자주식회사 | 파일 액세스 방법, 컴퓨터, 및 컴퓨터-읽기 가능한 매체에 실행 가능한 소프트웨어 제품 |
JP2017004524A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ファイルアクセス提供方法、コンピュータ、及びソフトウェア製品 |
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