JP2005109401A - レーザモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
レーザモジュールおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005109401A JP2005109401A JP2003344390A JP2003344390A JP2005109401A JP 2005109401 A JP2005109401 A JP 2005109401A JP 2003344390 A JP2003344390 A JP 2003344390A JP 2003344390 A JP2003344390 A JP 2003344390A JP 2005109401 A JP2005109401 A JP 2005109401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser module
- compound
- optical component
- adhesive composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/0222—Gas-filled housings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4296—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with sources of high radiant energy, e.g. high power lasers, high temperature light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02235—Getter material for absorbing contamination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
【解決手段】 350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する半導体レーザLD7を気密封止部材40、41で封止したレーザモジュールにおいて、封止体積中の有機系接着剤の使用量を1.0g/ml以下とすることにより、脱気処理を行って接着剤からのアウトガス成分の飽和濃度を1000ppm未満とする。また、気密封止部材40、41内の少なくとも一つの光学部品(例えばコリメータレンズ17)とそれを固定する固定部材(例えばコリメータレンズホルダ44)との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を、接着厚さが0.05μm以上5μm以下となるように挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより光学部品17を固定部材44に固定する。【選択図】 図3
Description
350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する半導体レーザと、
内部に固形有機物から発生した有機ガス成分の濃度が1000ppm未満である封止雰囲気で満たされた封止空間を備え、該空間内に前記半導体レーザを気密封止した気密封止部材とを含み、
前記気密封止部材内の少なくとも一つの光学部品とそれを固定する固定部材との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより前記光学部品が前記固定部材に固定されていることを特徴とするものである。
350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する複数の半導体レーザ、1本の光ファイバー、および前記複数の半導体レーザの各々から出射したレーザビームを集光し前記光ファイバーに結合させる集光光学系を備えた合波レーザと、
内部に固形有機物から発生した有機ガス成分の濃度が1000ppm未満である封止雰囲気で満たされた封止空間を備え、該空間内に前記半導体レーザ、前記光ファイバーの結合側部位、および前記集光光学系を気密封止した気密封止部材とを含み、
前記気密封止部材内の少なくとも一つの光学部品とそれを固定する固定部材との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより前記光学部品が前記固定部材に固定されていることを特徴とするものである。
350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する半導体レーザを気密封止部材内部の封止空間内に収納すると共に、封止体積中の固形有機物の含有量を1g/ml以下とし、
前記気密封止部材内の少なくとも一つの光学部品とそれを固定する固定部材との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより前記光学部品を前記固定部材に固定し、
前記空間を、固形有機物から発生した有機ガス成分の濃度が1000ppm未満になるまで脱気処理し、
該脱気処理後に、前記空間内に前記半導体レーザを気密封止することを特徴とするものである。
本実施の形態に係るレーザモジュールは、図1に示す合波レーザ光源を備えている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック10上に配列固定された複数(例えば、7個)のチップ状の横マルチモードのGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD4,LD5,LD6,およびLD7と、GaN系半導体レーザLD1〜LD7の各々に対応して設けられたコリメータレンズ11,12,13,14,15,16,および17と、1つの集光レンズ20と、1本のマルチモード光ファイバ30と、から構成されている。
次に、上記レーザモジュールの動作について説明する。合波レーザ光源を構成するGaN系半導体レーザLD1〜LD7の各々から発散光状態で出射したレーザビームB1,B2,B3,B4,B5,B6,およびB7の各々は、対応するコリメータレンズ11〜17によって平行光化される。平行光とされたレーザビームB1〜B7は、集光レンズ20によって集光され、マルチモード光ファイバ30のコア30aの入射端面に収束する。
11〜17 コリメータレンズ
20 集光レンズ
30 マルチモード光ファイバ
30a コア
40 パッケージ
41 パッケージ蓋
44 コリメータレンズホルダ
45 集光レンズホルダ
LD1〜LD7 GaN系半導体レーザ
Claims (12)
- 350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する半導体レーザと、
内部に固形有機物から発生した有機ガス成分の濃度が1000ppm未満である封止雰囲気で満たされた封止空間を備え、該空間内に前記半導体レーザを気密封止した気密封止部材とを含み、
前記気密封止部材内の少なくとも一つの光学部品とそれを固定する固定部材との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより前記光学部品が前記固定部材に固定されていることを特徴とするレーザモジュール。 - 350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する複数の半導体レーザ、1本の光ファイバー、および前記複数の半導体レーザの各々から出射したレーザビームを集光し前記光ファイバーに結合させる集光光学系を備えた合波レーザと、
内部に固形有機物から発生した有機ガス成分の濃度が1000ppm未満である封止雰囲気で満たされた封止空間を備え、該空間内に前記半導体レーザ、前記光ファイバーの結合側部位、および前記集光光学系を気密封止した気密封止部材とを含み、
前記気密封止部材内の少なくとも一つの光学部品とそれを固定する固定部材との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより前記光学部品が前記固定部材に固定されていることを特徴とするレーザモジュール。 - 気密封止前の封止体積中の固形有機物の含有量を1g/ml以下としたことを特徴とする請求項1または2記載のレーザモジュール。
- 前記固形有機物から発生した有機ガス成分が、分子量が70以上または沸点が70℃以上の有機ガス成分であることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載のレーザモジュール。
- 前記固形有機物から発生した有機ガス成分が、ケイ素原子、リン原子、およびイオウ原子の少なくとも1種を含有する化合物を含むことを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載のレーザモジュール。
- 前記封止雰囲気が酸素を1ppm以上100ppm以下の濃度で含む不活性ガスであることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載のレーザモジュール。
- 前記接着性組成物がシランカップリング剤を含有することを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載のレーザモジュール。
- 前記接着性組成物が0.1μm以上1.0μm以下の平均直径を有する球状シリカ粒子を含有することを特徴とする請求項1から7いずれか1項記載のレーザモジュール。
- 前記固定部材が金属製部材からなり、前記光学部品が無機透明部材からなることを特徴とする請求項1から8いずれか1項記載のレーザモジュール。
- 350〜450nmの波長範囲のレーザ光を出射する半導体レーザを気密封止部材内部の封止空間内に収納すると共に、封止体積中の固形有機物の含有量を1g/ml以下とし、
前記気密封止部材内の少なくとも一つの光学部品とそれを固定する固定部材との間に、エポキシ基を有する脂環式エポキシ化合物、オキセタニル基を有する化合物、および、触媒量のオニウム塩光反応開始剤を含有する接着性組成物を挿入した後、活性エネルギー線により硬化させることにより前記光学部品を前記固定部材に固定し、
前記空間を、固形有機物から発生した有機ガス成分の濃度が1000ppm未満になるまで脱気処理し、
該脱気処理後に、前記空間内に前記半導体レーザを気密封止することを特徴とするレーザモジュールの製造方法。 - 前記接着性組成物が、室温における粘度が10mPa・s 以上1,000mPa・s 以下であって、被着体との接触角が40度以下であることを特徴とする請求項11記載のレーザモジュールの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003344390A JP2005109401A (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | レーザモジュールおよびその製造方法 |
CNB2004100857374A CN100492078C (zh) | 2003-10-02 | 2004-09-30 | 激光器模块及其制造方法 |
TW093129760A TWI258905B (en) | 2003-10-02 | 2004-10-01 | Laser module and process for manufacturing the same |
US10/954,246 US7369581B2 (en) | 2003-10-02 | 2004-10-01 | Laser module and method of manufacture thereof |
KR1020040078417A KR20050033031A (ko) | 2003-10-02 | 2004-10-01 | 레이저 모듈 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003344390A JP2005109401A (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | レーザモジュールおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005109401A true JP2005109401A (ja) | 2005-04-21 |
Family
ID=34386310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003344390A Pending JP2005109401A (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | レーザモジュールおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7369581B2 (ja) |
JP (1) | JP2005109401A (ja) |
KR (1) | KR20050033031A (ja) |
CN (1) | CN100492078C (ja) |
TW (1) | TWI258905B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344727A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sharp Corp | レーザ装置の製造方法 |
JP2008287014A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光導波路 |
JP2010232370A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レンズ、半導体レーザモジュール、および光学デバイスの製造方法 |
JP2011249355A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060108672A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Brennan John M | Die bonded device and method for transistor packages |
US7663747B2 (en) * | 2006-04-27 | 2010-02-16 | Metrosol, Inc. | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument |
US7622310B2 (en) * | 2006-04-27 | 2009-11-24 | Metrosol, Inc. | Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument |
JP2009224397A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Sharp Corp | 発光装置およびこれを利用した照明装置、表示装置 |
JP5473534B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-04-16 | 三菱電機株式会社 | 光源装置 |
CN102121662B (zh) * | 2011-01-24 | 2013-04-17 | 广州市雅江光电设备有限公司 | 一种用于能够成像的灯具的多颗led灯珠合光聚光方法 |
US9411220B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-08-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser light source apparatus and image display apparatus therewith |
CN110050009B (zh) | 2016-12-09 | 2022-05-03 | 株式会社Lg化学 | 封装组合物 |
JP6847221B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2021-03-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 密封材組成物 |
CN110710011B (zh) | 2017-05-24 | 2022-04-12 | 株式会社Lg化学 | 有机电子器件 |
CN112825411A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-05-21 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 激光器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11302622A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 変色性光硬化型接着剤組成物及び接着方法 |
JP2000133736A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置 |
JP2001177166A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光デバイス及びその製造方法 |
JP2002202442A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 合波レーザー光源および露光装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6404786B1 (en) | 1997-08-25 | 2002-06-11 | Sony Corporation | Laser beam generating apparatus |
US7110425B2 (en) * | 2002-04-03 | 2006-09-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser module and production process thereof |
-
2003
- 2003-10-02 JP JP2003344390A patent/JP2005109401A/ja active Pending
-
2004
- 2004-09-30 CN CNB2004100857374A patent/CN100492078C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-01 US US10/954,246 patent/US7369581B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-01 KR KR1020040078417A patent/KR20050033031A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-10-01 TW TW093129760A patent/TWI258905B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11302622A (ja) * | 1998-04-16 | 1999-11-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 変色性光硬化型接着剤組成物及び接着方法 |
JP2000133736A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置 |
JP2001177166A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光デバイス及びその製造方法 |
JP2002202442A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 合波レーザー光源および露光装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344727A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sharp Corp | レーザ装置の製造方法 |
JP2008287014A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光導波路 |
JP2010232370A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レンズ、半導体レーザモジュール、および光学デバイスの製造方法 |
JP2011249355A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI258905B (en) | 2006-07-21 |
CN100492078C (zh) | 2009-05-27 |
TW200515658A (en) | 2005-05-01 |
US20050072943A1 (en) | 2005-04-07 |
US7369581B2 (en) | 2008-05-06 |
KR20050033031A (ko) | 2005-04-08 |
CN1604411A (zh) | 2005-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101093026B1 (ko) | 레이저 모듈 | |
JP2005109401A (ja) | レーザモジュールおよびその製造方法 | |
JP4810911B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂フィルム、光導波路、光・電気混載配線基板並びに電子デバイス | |
WO2011093219A1 (ja) | 硬化性エポキシ樹脂組成物 | |
KR101093025B1 (ko) | 레이저 모듈 | |
JP2005109402A (ja) | レーザモジュールおよびその製造方法 | |
JP2003298170A (ja) | レーザモジュール及びその製造方法 | |
KR20220038275A (ko) | 유기 el 표시 소자용 봉지제 | |
JP6569454B2 (ja) | 接着剤組成物及び光半導体デバイス | |
JP2005109403A (ja) | レーザモジュールの製造方法 | |
JP2020026475A (ja) | 接着剤組成物及び光半導体デバイス | |
JP4426198B2 (ja) | 紫外線硬化型エポキシ樹脂組成物 | |
JP2019019286A (ja) | 接着剤組成物及び光半導体デバイス | |
JP2019073574A (ja) | 接着剤組成物及び光半導体デバイス | |
JP2001177166A (ja) | 光デバイス及びその製造方法 | |
JP2016094509A (ja) | 光硬化性接着剤組成物及び光半導体デバイス | |
JP6849853B1 (ja) | 接着剤組成物及び光半導体デバイス | |
JP5116730B2 (ja) | 紫外線硬化型エポキシ樹脂組成物 | |
JP2005070556A (ja) | 光導波路、光・電気混載基板、及び光導波路形成用樹脂組成物 | |
JP2015044917A (ja) | 光後硬化性樹脂組成物 | |
JP2022190822A (ja) | 接着用樹脂組成物および光デバイス | |
KR20240070537A (ko) | 경화성 수지 조성물, 코팅층 및 필름 | |
JP2003152248A (ja) | 光デバイス | |
WO2023054563A1 (ja) | 硬化性樹脂組成物、コーティング層、及び、フィルム | |
JP2002118307A (ja) | 光デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060428 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100601 |