JP2005109166A - Method and device for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、処理液を用いて基板を処理する方法および装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a method and apparatus for processing a substrate using a processing liquid. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, and the like. .
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。たとえば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルとが備えられていて、スピンチャックによって基板が回転されつつ、その回転している基板の表面に処理液ノズルから処理液が供給されることにより、基板の表面の全域に処理液が行き渡って、基板の表面に対する処理液を用いた処理が達成される。 In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a process using a processing liquid is performed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel. For example, in a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one, a spin chuck that rotates while holding the substrate horizontally, and a processing liquid nozzle that supplies a processing liquid to the surface of the substrate held by the spin chuck With the substrate being rotated by the spin chuck, the processing liquid is supplied to the entire surface of the substrate by supplying the processing liquid from the processing liquid nozzle to the surface of the rotating substrate, A treatment using a treatment liquid for the surface of the substrate is achieved.
処理液ノズルには、処理液配管が接続されており、この処理液配管から処理液が供給されるようになっている。処理液配管の途中部には、処理液配管内の処理液の流通を制御するための処理液バルブが介装されている。処理液バルブを開成すると、処理液配管から処理液ノズルに処理液が流れ込み、その処理液が処理液ノズルから吐出されて基板の表面に供給される。処理液バルブを閉成すると、処理液配管内の処理液の流通が阻止されて、処理液配管から処理液ノズルへの処理液の供給が停止されることにより、処理液ノズルからの処理液の吐出が停止される。 A processing liquid pipe is connected to the processing liquid nozzle, and the processing liquid is supplied from the processing liquid pipe. A treatment liquid valve for controlling the flow of the treatment liquid in the treatment liquid pipe is interposed in the middle of the treatment liquid pipe. When the processing liquid valve is opened, the processing liquid flows from the processing liquid pipe to the processing liquid nozzle, and the processing liquid is discharged from the processing liquid nozzle and supplied to the surface of the substrate. When the processing liquid valve is closed, the flow of the processing liquid in the processing liquid pipe is blocked, and the supply of the processing liquid from the processing liquid pipe to the processing liquid nozzle is stopped. Discharge is stopped.
処理液バルブを閉成している間、処理液配管の処理液バルブよりも処理液ノズル側には処理液が流入しないから、処理液バルブと処理液ノズルの先端との間に処理液が残った状態になる。この処理液配管内に残った処理液は、時間が経つにつれて劣化していく。たとえば、基板の表面から不要となったレジスト膜を剥離する処理には、一定の液温に温度調節されたSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)が処理液として用いられるが、このSPMが処理液配管内に残った状態で放置されると、その処理液配管内に残ったSPMの化学的性質および液温が時間の経過に伴って劣化(低下)する。また、基板の表面を純水で水洗する処理では、処理液配管内に純水が残った状態で放置されると、その処理液配管内に残った純水中にバクテリアなどの雑菌が発生するおそれがある。このように劣化した処理液が処理液配管内に溜まっていると、次の基板の処理時に、処理液配管内の劣化した処理液が処理液ノズルを介して基板に供給されることによって、処理不良(たとえば、レジスト膜の剥離むら)を生じたり、基板の汚染を招いたりするおそれがある。 While the processing liquid valve is closed, no processing liquid flows into the processing liquid nozzle side of the processing liquid valve in the processing liquid piping, so that the processing liquid remains between the processing liquid valve and the tip of the processing liquid nozzle. It becomes a state. The treatment liquid remaining in the treatment liquid piping deteriorates with time. For example, SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) whose temperature is adjusted to a constant liquid temperature is used as a processing liquid for the process of removing the resist film that is no longer necessary from the surface of the substrate. If this SPM is left in a state where it remains in the processing liquid pipe, the chemical properties and liquid temperature of the SPM remaining in the processing liquid pipe deteriorate (decrease) over time. In addition, in the process of washing the surface of the substrate with pure water, if the pure water remains in the processing liquid piping, bacteria and other germs are generated in the pure water remaining in the processing liquid piping. There is a fear. When the deteriorated processing liquid is accumulated in the processing liquid piping, the processing liquid deteriorated in the processing liquid piping is supplied to the substrate through the processing liquid nozzle when the next substrate is processed. There is a risk of causing a defect (for example, uneven peeling of the resist film) or causing contamination of the substrate.
そこで、劣化した処理液が次の基板の処理に用いられるのを防止するために、処理対象の基板への処理液の供給に先立って、処理液バルブを開いて、処理液配管内に残っている劣化した処理液を処理液ノズルから基板の存在していない空間に吐出させる、いわゆる処理液のプリディスペンスが行われている(たとえば、特許文献1参照)。
プリディスペンスによって処理液ノズルから吐出される劣化した処理液は、基板の処理に再利用できないために捨てざるを得ない。このため、プリディスペンスを行うと、処理液の消費量が増大し、ひいてはランニングコストが上昇するという新たな問題を生じる。とくに、基板の処理にSPMのような高価な処理液を用いる場合、プリディスペンスによってランニングコストが大幅に上昇する。 The deteriorated processing liquid discharged from the processing liquid nozzle by pre-dispensing cannot be reused for processing the substrate, and must be discarded. For this reason, when pre-dispensing is performed, the consumption of the processing liquid increases, and as a result, a new problem arises that the running cost increases. In particular, when an expensive processing liquid such as SPM is used for substrate processing, the pre-dispensing significantly increases the running cost.
また、枚葉式の基板処理装置の中には、処理液を受けるためのカップ内にスピンチャックが配置されていて、基板に対して処理液を供給するときには、処理液ノズルをスピンチャックの上方に設定された処理位置に配置し、処理液の供給が終了すると、その処理位置からカップ外に設定された待機位置に処理液ノズルを移動させるようにしたものがある。このような構成の装置では、別の問題として、処理液バルブの閉成後に処理液配管内に処理液が残っていると、処理液ノズルを処理位置から待機位置まで移動させる際に、処理液配管内に残っている処理液が処理液ノズルからカップの外に落ちて、カップの外が処理液によって汚染されるという問題もある。 Further, in a single wafer processing apparatus, a spin chuck is disposed in a cup for receiving a processing liquid, and when supplying the processing liquid to the substrate, the processing liquid nozzle is placed above the spin chuck. When the supply of the processing liquid is completed, the processing liquid nozzle is moved from the processing position to a standby position set outside the cup. In the apparatus having such a configuration, as another problem, when the processing liquid remains in the processing liquid pipe after the processing liquid valve is closed, the processing liquid nozzle is moved from the processing position to the standby position. There is also a problem that the processing liquid remaining in the pipe falls from the processing liquid nozzle to the outside of the cup and the outside of the cup is contaminated by the processing liquid.
そこで、この発明の目的は、プリディスペンスを省略することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、ノズルから処理液が漏れ出てカップ外に落ちることによるカップ外の汚染を防止できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can omit pre-dispensing.
Another object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of preventing contamination outside the cup due to the processing liquid leaking from the nozzle and falling outside the cup.
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)の処理のための処理液をノズル(3)から吐出させる処理液吐出工程と、この処理液吐出工程の末期に、上記ノズルに処理液を供給するための処理液配管(5,61)に気体を供給して、その処理液配管内の処理液を上記ノズルから押し出す処理液押出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。 The invention described in claim 1 for achieving the above object includes a processing liquid discharging step of discharging a processing liquid for processing the substrate (W) from the nozzle (3), and at the end of the processing liquid discharging step. A process liquid extrusion step of supplying a gas to the process liquid pipe (5, 61) for supplying the process liquid to the nozzle and pushing out the process liquid in the process liquid pipe from the nozzle. A substrate processing method.
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
請求項1記載の方法によれば、処理液吐出工程の末期に処理液配管内に気体が供給されて、処理液配管内の処理液がノズルから押し出されるから、処理液吐出工程の終了後に、処理液配管内に処理液が残っていることがない。よって、プリディスペンスを行わなくても、基板に劣化(処理能力が低下)した処理液が供給されることがない。
In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to the method of claim 1, gas is supplied into the processing liquid pipe at the end of the processing liquid discharge process, and the processing liquid in the processing liquid pipe is pushed out from the nozzle. There is no processing liquid remaining in the processing liquid piping. Therefore, even if pre-dispensing is not performed, the processing liquid deteriorated (processing capacity is reduced) is not supplied to the substrate.
また、請求項2に記載のように、上記処理液押出工程を上記ノズルから上記処理液配管内の処理液を押し出して吐出される気体が処理対象の基板に当たり得る状態で行うことにより、ノズルから押し出される処理液を基板に供給することができる。よって、プリディスペンスの手法とは異なり、ノズルから押し出される処理液を基板の処理に寄与させることができ、処理液が無駄に捨てられることによる処理液の浪費をなくすことができる。しかも、ノズルから押し出される処理液は劣化していないから、ノズルから押し出される処理液を基板に供給しても、基板間における処理のばらつきや基板の処理不良を生じるおそれがない。
Further, as described in
請求項3記載の発明は、上記処理液押出工程は、上記ノズルから上記処理液配管内の処理液を押し出して吐出される気体が、処理対象の基板を保持するための基板保持手段(2)を取り囲んで設けられたカップ(4)内に供給され得る状態で行われることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理方法である。
この方法によれば、ノズルから押し出される処理液はカップ内に供給されるから、カップ外が処理液によって汚染されるおそれがない。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate holding means (2) for holding the substrate to be processed by the gas discharged by pushing out the processing liquid in the processing liquid piping from the nozzle. 3. The substrate processing method according to claim 1, wherein the substrate processing method is performed in a state where the liquid can be supplied into a cup (4) provided surrounding the substrate.
According to this method, since the processing liquid pushed out from the nozzle is supplied into the cup, there is no possibility that the outside of the cup is contaminated by the processing liquid.
よって、上記処理液押出工程と並行して、上記ノズルを上記基板保持手段の上方に設定された処理位置から上記カップ外に設定された待機位置まで移動させるノズル移動工程がさらに含まれる場合であっても、待機位置に戻されるノズルから処理液が漏れ出てカップ外に落ちることによる汚染を防止できる。
請求項4記載の発明は、上記処理液押出工程は、上記処理液配管から上記ノズルへの処理液の供給が停止された後、上記処理液配管内の処理液が上記ノズルから押し出されて、上記処理液配管内に供給される気体が上記ノズルから吐出されるまでの期間にわたって行われることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法である。
Therefore, in parallel with the processing liquid extrusion step, there is a case where a nozzle moving step for moving the nozzle from a processing position set above the substrate holding means to a standby position set outside the cup is further included. However, it is possible to prevent contamination due to the processing liquid leaking from the nozzle returned to the standby position and falling out of the cup.
In the invention according to claim 4, in the treatment liquid extrusion step, after the supply of the treatment liquid from the treatment liquid pipe to the nozzle is stopped, the treatment liquid in the treatment liquid pipe is pushed out from the nozzle, 4. The substrate processing method according to claim 1, wherein the substrate processing method is performed over a period until the gas supplied into the processing liquid pipe is discharged from the nozzle.
この方法のように、処理液押出工程を処理液配管内に供給される気体がノズルから吐出されるまで行うことにより、処理液配管内の処理液を、処理液配管内に残すことなくノズルから押し出すことができる。
請求項5記載の発明は、基板(W)の処理のための処理液を吐出するノズル(3)と、このノズルに供給される処理液が流通する処理液配管(5,61)と、この処理液配管内に気体を供給する気体供給手段(64,641,613)と、上記処理液配管から上記ノズルへの処理液の供給が停止された後、上記気体供給手段を制御して上記処理液配管内に上記気体を供給させる気体供給制御手段(100)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
As in this method, the processing liquid extrusion process is performed until the gas supplied into the processing liquid pipe is discharged from the nozzle, so that the processing liquid in the processing liquid pipe is not left in the processing liquid pipe from the nozzle. Can be extruded.
The invention according to
この構成によれば、処理液配管からノズルへの処理液の供給停止後、処理液配管内に気体供給手段から気体が供給される。これによって、処理液配管内に滞留している処理液をノズルから押し出すことができ、処理液配管内に処理液が滞留したまま放置されることを防止できる。よって、プリディスペンスを行わなくても、基板に劣化(処理能力が低下)した処理液が供給されることがない。 According to this configuration, after the supply of the processing liquid from the processing liquid pipe to the nozzle is stopped, the gas is supplied from the gas supply means into the processing liquid pipe. Thereby, the processing liquid staying in the processing liquid pipe can be pushed out from the nozzle, and the processing liquid can be prevented from being left in the processing liquid pipe. Therefore, even if pre-dispensing is not performed, the processing liquid deteriorated (processing capacity is reduced) is not supplied to the substrate.
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)の表面(上面)にSPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸過酸化水素水)を処理液として供給して、そのウエハWの表面から不要になったレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を行う枚葉式の装置であり、隔壁で区画された処理室1内に、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック2と、このスピンチャック2に保持されたウエハWの表面にSPMを供給するためのノズル3と、ウエハWから流下または飛散するSPMなどを受け取るためのカップ4とを備えている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus treats SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) on the surface (upper surface) of a silicon semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”), which is an example of a substrate. Is a single wafer type apparatus that performs a resist stripping process for stripping a resist film that is no longer needed from the surface of the wafer W. The wafer W is placed almost horizontally in a processing chamber 1 partitioned by a partition wall. A
スピンチャック2は、たとえば、複数個の挟持部材21でウエハWを挟持することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持することができ、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することによって、その保持したウエハWをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる。
スピンチャック2の側方には、旋回軸31が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、ノズル3は、その旋回軸31の上端部からほぼ水平に延びたノズルアーム32の先端部に取り付けられている。旋回軸31は、その中心軸線まわりに回転可能に設けられていて、旋回軸31を回転させることにより、ノズル3をスピンチャック2に保持されたウエハWの上方に配置したり、カップ4の外側に設定された待機位置に配置したりすることができる。また、旋回軸31を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、スピンチャック2に保持されたウエハWの上方でノズルアーム32を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック2に保持されたウエハWの表面上で、ノズル3からのSPMの供給位置をスキャン(移動)させることができる。
The
On the side of the
ノズル3には、耐薬液性および耐熱性に優れたPFA(perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer)製の処理液配管5の先端が接続されている。処理液配管5の他端は、処理室1外へ延びており、処理室1に隣接して設けられた流体ボックス6内に配置されたミキシングバルブ61に接続されている。
ミキシングバルブ61は、硫酸ポート611、過酸化水素水ポート612および窒素ガスポート613の3つの入力ポートを有している。これらの硫酸ポート611、過酸化水素水ポート612および窒素ガスポート613には、それぞれ、硫酸供給源からの一定温度(たとえば、80℃)に温度調節された硫酸を供給するための硫酸配管62、過酸化水素水供給源からの過酸化水素水を供給するための過酸化水素水配管63および窒素ガス供給源からの窒素ガスを供給するための窒素ガス配管64が接続されている。
Connected to the
The mixing
硫酸配管62の途中部には、ミキシングバルブ61への硫酸の供給/停止を切り換えるための硫酸バルブ621と、硫酸配管62を流れる硫酸の流量を検出するための硫酸流量計622とが、硫酸の流通方向上流側からこの順に介装されている。また、硫酸配管62には、硫酸の流通方向に関して硫酸バルブ621よりも上流側の分岐点において、硫酸帰還路65が分岐接続されており、硫酸バルブ621が閉じられている期間は、硫酸配管62を流れてくる硫酸が硫酸帰還路65を通って硫酸供給源に戻されるようになっている。これにより、硫酸バルブ621が閉じられている期間には、硫酸供給源、硫酸配管62および硫酸帰還路65からなる硫酸循環路を一定温度に温度調節された硫酸が循環し、硫酸配管62の硫酸バルブ621の下流側の部分に硫酸が滞ることがないので、硫酸バルブ621の開成直後から一定温度に温度調節された硫酸をミキシングバルブ61に供給することができる。
A
過酸化水素水配管63の途中部には、ミキシングバルブ61への過酸化水素水の供給/停止を切り換えるための過酸化水素水バルブ631と、過酸化水素水配管63を流れる過酸化水素水の流量を検出するための過酸化水素水流量計632とが、過酸化水素水の流通方向上流側からこの順に介装されている。また、過酸化水素水配管63には、過酸化水素水の流通方向に関して過酸化水素水バルブ631よりも上流側の分岐点において、過酸化水素水帰還路66が分岐接続されており、過酸化水素水バルブ631が閉じられている期間は、過酸化水素水配管63を流れてくる過酸化水素水が過酸化水素水帰還路66を通って過酸化水素水供給源に戻されるようになっている。これにより、過酸化水素水バルブ631が閉じられている期間には、過酸化水素水供給源、過酸化水素水配管63および過酸化水素水帰還路66からなる過酸化水素水循環路を過酸化水素水が循環し、過酸化水素水配管63の過酸化水素水バルブ631の下流側の部分に過酸化水素水が滞ることが防止されている。なお、この実施形態では、過酸化水素水は温度調節されておらず、過酸化水素水配管63には室温(約25℃)程度の過酸化水素水が流れる。
In the middle of the hydrogen
窒素ガス配管64の途中部には、ミキシングバルブ61への窒素ガスの供給/停止を切り換えるための窒素ガスバルブ641が介装されている。
硫酸バルブ621および過酸化水素水バルブ631が開かれるとともに、ミキシングバルブ61の硫酸ポート611および過酸化水素水ポート612が開かれると、硫酸配管62および過酸化水素水配管63からそれぞれ硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブ61に流入し、このミキシングバルブ61で硫酸と過酸化水素水とが合流することによって、硫酸および過酸化水素水の混合液が作成される。この作成された硫酸および過酸化水素水の混合液は、ミキシングバルブ61から処理液配管5に流出し、処理液配管5をノズル3に向けて流れる。
A
When the
ミキシングバルブ61では、硫酸配管62からの硫酸と過酸化水素水配管63からの過酸化水素水とが単に合流するだけであり、ミキシングバルブ61から処理液配管5に流出する混合液は、硫酸と過酸化水素水とが十分に混ざり合ったSPMには至っていない。そこで、処理液配管5には、その処理液配管5を流れる硫酸および過酸化水素水の混合液を撹拌してSPMを生成するための撹拌フィン付流通管51が介装されている。
In the mixing
撹拌フィン付流通管51は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ180度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を90度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「MXシリーズ:インラインミキサー」を用いることができる。撹拌フィン付流通管51では、硫酸および過酸化水素水の混合液が十分に撹拌されることにより、硫酸と過酸化水素水との化学反応(H2SO4+H2O2→H2SO5+H2O)が生じて、強い酸化力を有するH2SO5を含むSPMが生成される。その際、化学反応による発熱(反応熱)を生じ、この発熱によって、SPMの液温は、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜を良好に剥離可能な高温度(たとえば、80℃以上)まで確実に昇温する。
The stirring fin-equipped
撹拌フィン付流通管51は、ノズルアーム32に取り付けられることによって処理室1内に設けられている。より具体的には、図2に示すように、ノズルアーム32の上面には、取付台511が固定されており、撹拌フィン付流通管51は、流体流通方向の下流側が上流側よりも低くなるように傾斜をつけた状態で取付台511に取り付けられている。また、ノズルアーム32の先端部には、ブラケット321が固定されており、このブラケット321にノズル3が取り付けられている。ノズル3は、く字状に屈曲した管状のストレートノズルであって、先端の吐出口を鉛直下方に向けた状態で取り付けられており、ノズル3の流体流通方向(SPM流通方向)上流側の端部と撹拌フィン付流通管51の流体流通方向下流側の端部との間の配管長Lは、たとえば、50〜100mm程度に設計されている。
The
これにより、撹拌フィン付流通管51で生成される高温度のSPMは、その液温が低下することなくノズル3に供給される。よって、スピンチャック2に保持されているウエハWに高温度のSPMを供給することができ、ウエハWの表面から不要なレジスト膜を残すことなく良好に剥離して除去することができる。
図1を再び参照して、カップ4の底面には、カップ4内の雰囲気を排気するためのPFA製の排気配管71と、カップ4に受け取られたSPMなどの廃液(ウエハWの処理に用いられた後に廃棄されるべき処理液)を排出するためのPFA製の廃液配管72とが接続されている。
Thereby, high temperature SPM produced | generated with the
Referring again to FIG. 1, a
廃液配管72の先端には、廃液配管72を流れてくる廃液を流体ボックス6内に設けられた希釈タンク8に導くためのPFA製の高濃度廃液導入管73と、廃液配管72を流れてくる廃液を処理室1の下方に設けられた気液分離タンク9に導くための一般廃液導入管74とが分岐して接続されている。そして、高濃度廃液導入管73と一般廃液導入管74との分岐点には、廃液配管72を流れてくる廃液の導入先を高濃度廃液導入管73(希釈タンク8)と一般廃液導入管74(気液分離タンク9)とに切り替えるための廃液切替バルブ75が介装されている。
At the front end of the
希釈タンク8は、PFA材料を用いて、気液分離タンク9よりもかなり小さなサイズに形成されている。希釈タンク8には、高濃度廃液導入管73から導入される廃液(高濃度廃液)を希釈および冷却するための冷却水が、希釈タンク用冷却水バルブ81および希釈タンク用冷却水配管82を介して供給されるようになっている。希釈タンク用冷却水バルブ81は、スローリーク機能付きのバルブであり、この希釈タンク用冷却水バルブ81を開いた状態では、希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に所定の大流量で冷却水が供給され、希釈タンク用冷却水バルブ81を閉じた状態であっても、希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に所定の微小流量(上記所定の大流量よりも小さな流量)で冷却水が供給される。
The
希釈タンク8の底面には、希釈廃液オーバフロー配管83が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管83の一端は、希釈タンク8内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管83の他端は、たとえば、この基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。これにより、希釈タンク8内に希釈廃液オーバフロー配管83の一端の高さ(上記所定高さ)まで液体を貯留させることができ、その高さを超えて希釈廃液オーバフロー配管83に流れ込む液体を廃液ユーティリティラインへと排出することができる。
A dilution waste
気液分離タンク9は、平面視において処理室1とほぼ同じサイズに形成されている。気液分離タンク9には、一般廃液導入管74から廃液(低濃度廃液)が導入される以外に、排気配管71を通してカップ4内から排気される雰囲気が導入されるようになっている。また、気液分離タンク9には、一般廃液導入管74から導入される廃液を希釈および冷却するための冷却水が、気液分離タンク用冷却水バルブ91および気液分離タンク用冷却水配管92を介して供給されるようになっている。気液分離タンク用冷却水バルブ91は、スローリーク機能付きのバルブであり、この気液分離タンク用冷却水バルブ91を開いた状態では、気液分離タンク用冷却水配管92から気液分離タンク9に所定の大流量で冷却水が供給され、気液分離タンク用冷却水バルブ91を閉じた状態であっても、気液分離タンク用冷却水配管92から気液分離タンク9に所定の微小流量(上記所定の大流量よりも小さな流量)で冷却水が供給される。
The gas-liquid separation tank 9 is formed in substantially the same size as the processing chamber 1 in plan view. In addition to the introduction of the waste liquid (low concentration waste liquid) from the general waste
気液分離タンク9の底面には、一般廃液オーバフロー配管93が挿通されている。この一般廃液オーバフロー配管93の一端は、気液分離タンク9内の所定高さの位置で開放されており、一般廃液オーバフロー配管93の他端は、たとえば、この基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。これにより、気液分離タンク9内に一般廃液オーバフロー配管93の一端の高さ(上記所定高さ)まで液体を貯留させることができ、その高さを超えて一般廃液オーバフロー配管93に流れ込む液体を廃液ユーティリティラインへと排出することができる。
A general waste
気液分離タンク9の底面にはさらに、気液分離タンク9内の雰囲気を吸引して排出するための排気吸引管94が挿通されている。排気吸引管94の一端は、気液分離タンク9内の一般廃液オーバフロー配管93の一端よりも高い位置で開放されており、排気吸引管94の他端は、常時駆動されている負圧源(図示せず)に接続されている。これにより、気液分離タンク9内は常に負圧に保たれて、カップ4内の雰囲気を排気配管71を通して気液分離タンク9内に吸い込み、さらに気液分離タンク9から排気吸引管94を通して排気することができる。また、気液分離タンク9内の雰囲気が常に排気されているから、気液分離タンク9内に貯留された液体の気化物を含む雰囲気が一般廃液導入管74および廃液配管72または排気配管71を通ってカップ4内に流入(逆流)するおそれがない。
Further, an
また、希釈タンク8内には、希釈タンク8に貯留されている液体の液温を検出するための希釈廃液温度センサ84が設けられており、気液分離タンク9内には、気液分離タンク9に貯留されている液体の液温を検出するための一般廃液温度センサ95が設けられている。
図3は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置はさらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置100を備えている。
Further, a dilution waste
FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus further includes a
制御装置100には、希釈廃液温度センサ84および一般廃液温度センサ95などの各種センサ類からの検出信号が入力されるようになっている。また、制御装置100には、スピンチャック2に回転駆動力を入力するためのチャック駆動機構22、旋回軸31にノズルアーム32の揺動駆動力を入力するためのアーム駆動機構33、ミキシングバルブ61、硫酸バルブ621、過酸化水素水バルブ631、窒素ガスバルブ641、廃液切替バルブ75、希釈タンク用冷却水バルブ81および気液分離タンク用冷却水バルブ91などが制御対象として接続されている。
Detection signals from various sensors such as the diluted waste
制御装置100は、予め作成されたプログラムに従って、各種センサ類からの入力信号に基づいて、チャック駆動機構22、アーム駆動機構33および廃液切替バルブ75を制御し、また、ミキシングバルブ61の各ポート611〜613、硫酸バルブ621、過酸化水素水バルブ631、窒素ガスバルブ641、希釈タンク用冷却水バルブ81および気液分離タンク用冷却水バルブ91の開閉を制御する。これにより、ノズル3からSPMを吐出させて、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜を剥離するSPM供給工程、SPMによるレジスト膜剥離後のウエハWの表面に純水を供給して、ウエハWに付着したSPMを純水で洗い流すリンス工程、およびリンス工程後のウエハWを高速回転させて乾燥させるスピンドライ工程など、レジスト剥離処理に含まれる各工程が実施される。
The
図4は、SPM吐出工程について説明するためのフローチャートである。処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示せず)によって搬入されてきて、その搬送ロボットからスピンチャック2に受け渡される。スピンチャック2にウエハWが保持されると、スピンチャック2によってウエハWが所定の回転速度で回転される(ステップS1)。また、ノズルアーム32が旋回されて、ノズル3がカップ4の外側に設定された待機位置からスピンチャック2に保持されたウエハWの上方に配置される(ステップS2)。
FIG. 4 is a flowchart for explaining the SPM discharge process. The wafer W to be processed is carried in by a transfer robot (not shown) and delivered from the transfer robot to the
つづいて、ミキシングバルブ61の硫酸ポート611および過酸化水素水ポート612が開かれるとともに、硫酸バルブ621および過酸化水素水バルブ631が開かれる(ステップS3)。硫酸配管62および過酸化水素水配管63からミキシングバルブ61にそれぞれ流入する硫酸および過酸化水素水は、ミキシングバルブ61で合流して、硫酸および過酸化水素水の混合液となって処理液配管5を流れる。そして、撹拌フィン付流通管51を通過する際に十分に撹拌されることによって、強い酸化力を有するH2SO5を含む高温のSPMとなってノズル3に供給され、ノズル3からスピンチャック2によって回転されているウエハWの表面に供給される。
Subsequently, the
その一方で、ノズルアーム32の揺動が開始されて(ステップS4)、ノズルアーム32が所定の角度範囲内で繰り返し揺動される。このノズルアーム32の揺動によって、ノズル3からの高温のSPMが導かれるウエハWの表面上の供給位置が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ繰り返しスキャンされる。また、ウエハWの表面に供給されたSPMは、ウエハWの回転による遠心力を受けて、その供給位置からウエハWの周縁に向けて、ウエハWの表面上を拡がりつつ流れる。これによって、ウエハWの表面全域にSPMがむらなく行き渡り、ウエハWの表面に形成されているレジスト膜がSPMに含まれるH2SO5の強い酸化力によって剥離される。
On the other hand, the swing of the
ミキシングバルブ61の硫酸ポート611および過酸化水素水ポート612、硫酸バルブ621ならびに過酸化水素水バルブ631が開かれてから所定のSPM供給時間が経過すると(ステップS5のYES)、ミキシングバルブ61の硫酸ポート611および過酸化水素水ポート612が閉じられるとともに、硫酸バルブ621および過酸化水素水バルブ631が閉じられて(ステップS6)、ミキシングバルブ61への硫酸および過酸化水素水の供給が停止される。ミキシングバルブ61への硫酸および過酸化水素水の供給停止に応答して、処理液配管5内の硫酸および過酸化水素水の混合液の流通が停止し、硫酸および過酸化水素水の供給停止後のミキシングバルブ61および処理液配管5内に硫酸および過酸化水素水の混合液が滞留した状態となる。
When a predetermined SPM supply time has elapsed since the
ミキシングバルブ61への硫酸および過酸化水素水の供給停止後、ミキシングバルブ61の窒素ガスポート613が開かれるとともに、窒素ガスバルブ641が開かれて(ステップS7)、窒素ガス配管64からミキシングバルブ61に窒素ガスが供給される。ミキシングバルブ61に供給される窒素ガスは、ミキシングバルブ61から処理液配管5へと流れて、ミキシングバルブ61および処理液配管5内に滞留している硫酸および過酸化水素水の混合液をノズル3に向けて圧送する。こうして処理液配管5内を流れる硫酸および過酸化水素水の混合液は、撹拌フィン付流通管51を通過することによって高温のSPMとなり、ウエハWの上方で往復揺動しているノズルアーム32の先端のノズル3から吐出される。
After the supply of sulfuric acid and hydrogen peroxide water to the mixing
ミキシングバルブ61への窒素ガスの供給が所定のガス圧送時間(ミキシングバルブ641に供給された窒素ガスがノズル3から吐出されるまでの時間、すなわち、ミキシングバルブ61および処理液配管5内に滞留している混合液をすべてノズル3から吐出させるのに十分な時間)にわたって行われると(ステップS8のYES)、ミキシングバルブ61の窒素ガスポート613および窒素ガスバルブ641が閉じられる(ステップS9)。そして、ノズルアーム32が旋回されて、ノズル3がウエハWの上方からカップ4の外側に設定された待機位置へと戻される(ステップS10)。
The supply of nitrogen gas to the mixing
このように、ミキシングバルブ61への硫酸および過酸化水素水の供給停止後、ミキシングバルブ61に窒素ガスが供給されて、ミキシングバルブ61および処理液配管5内に滞留している硫酸および過酸化水素水の混合液がSPMとなってノズル3から押し出される。これにより、ミキシングバルブ61および処理液配管5内に硫酸および過酸化水素水の混合液が滞留したまま放置されることがない。よって、従来の基板処理装置とは異なり、プリディスペンスを行わなくても、ウエハWに劣化(処理能力が低下)したSPMが供給されることがない。また、SPM吐出工程の全期間を通して、ウエハWに対してほぼ一定の処理能力を有するSPMを供給することができるから、ウエハW間における処理のばらつきやウエハWの処理不良を生じるおそれがない。
As described above, after the supply of sulfuric acid and hydrogen peroxide water to the mixing
さらに、ノズル3から押し出されるSPMは、ウエハWの表面に供給されて、ウエハWの表面のレジスト膜の剥離に寄与するから、プリディスペンスの手法とは異なり、高価なSPMが無駄になることがない。
さらにまた、ノズル3がウエハWの上方からカップ4の外側に設定された待機位置に戻される時には、ミキシングバルブ61、処理液配管5およびノズル3内に硫酸および過酸化水素水の混合液またはSPMは残っていないから、そのノズル3の移動の途中で、ノズル3からSPMが漏れ出るといったことがない。よって、カップ4外がSPMによって汚染されるおそれがない。
Further, since the SPM pushed out from the
Furthermore, when the
なお、カップ4外の汚染を防止する観点からは、窒素ガスによってノズル3から押し出されるSPMがウエハWの表面に供給されなくてもよく、たとえば、ノズル3がウエハWの上方からカップ4の外側に設定された待機位置に戻される途中、ノズル3から吐出されるSPMがカップ4内に受け取られる位置にノズル3が存在している間に、ミキシングバルブ61への窒素ガスの供給が行われてもよい。
From the viewpoint of preventing contamination outside the cup 4, the SPM pushed out from the
図5は、SPM吐出工程時に生じる廃液の処理について説明するためのフローチャートである。希釈タンク用冷却水バルブ81はスローリーク機能付きのバルブであって、希釈タンク用冷却水バルブ81が閉じられている間も希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に冷却水が所定の微小流量で供給されているから、SPM吐出工程の開始時点で、希釈タンク8内には、ほぼ冷却水のみを含む液体が所定高さまで貯留されている。
FIG. 5 is a flowchart for explaining processing of the waste liquid generated during the SPM discharge process. The dilution tank cooling
SPM吐出工程が開始されると、廃液切替バルブ75が制御されて、廃液配管72を流れてくる廃液の導入先が希釈タンク8に切り替えられる(ステップT1)。また、希釈タンク用冷却水バルブ81が開かれて(ステップT2)、希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に所定の大流量で冷却水が供給される。
SPM吐出工程では、ウエハWに対して高温のSPMが供給され、ウエハWから流下または飛散するSPMがカップ4に受け取られるから、カップ4から廃液配管72を通して高濃度廃液導入管73に流れ込む廃液は、ほぼ高温のSPMのみからなる高濃度廃液(SPMを高濃度に含む廃液)である。したがって、SPM吐出工程では、高濃度廃液導入管73から希釈タンク8に高濃度廃液が導入され、その導入された高濃度廃液が、希釈タンク8に貯留されている液体(冷却水)に混入されることになる。また、その希釈タンク8に貯留されている液体に、希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に供給される冷却水が大流量で混入される。これにより、希釈タンク8に導入される高濃度廃液は、希釈タンク8に貯留されている液体および希釈タンク用冷却水配管82から供給される冷却水によって希釈および冷却される。そして、十分に希釈および冷却された廃液(高濃度廃液と多量の冷却水との混合液)は、希釈タンク8内に突出した希釈廃液オーバフロー配管83の上端を超えると、希釈廃液オーバフロー配管83に流入して廃液ユーティリティラインへと排出される。
When the SPM discharge process is started, the waste
In the SPM discharge process, high-temperature SPM is supplied to the wafer W, and SPM that flows down or scatters from the wafer W is received by the cup 4, so that the waste liquid flowing from the cup 4 into the high-concentration waste
SPM吐出工程が終了すると(ステップT3のYES)、廃液切替バルブ75が制御されて、廃液配管72を流れてくる廃液の導入先が気液分離タンク9に切り替えられる(ステップT4)。また、SPM吐出工程の終了後は、希釈廃液温度センサ84による検出温度(希釈タンク8に貯留されている液体の液温)が予め定める供給停止温度(たとえば40℃)以下に低下したか否かが繰り返し調べられる(ステップT5)。そして、希釈廃液温度センサ84による検出温度が供給停止温度以下に低下すると、希釈タンク用冷却水バルブ81が閉じられて(ステップT6)、それ以降は、SPM吐出工程が再び実施されるまで、希釈タンク用冷却水配管82から希釈タンク8に微小流量で冷却水が供給される。
When the SPM discharge process is completed (YES in step T3), the waste
このようにして、SPM吐出工程時にカップ4から排出される高濃度廃液は、希釈タンク8で十分に希釈および冷却されることにより、十分に希釈および冷却された廃液となって、希釈タンク8から希釈廃液オーバフロー配管83を通して排出される。従来の基板処理装置では、SPMの高濃度廃液を希釈および冷却するためにアスピレータユニットを付設する必要があったのに対し、この基板処理装置では、十分に希釈および冷却された廃液が希釈タンク8から排出されるので、そのようなアスピレータユニットが不要であり、その分だけイニシャルコストおよびフットプリントを低減させることができる。
In this way, the high concentration waste liquid discharged from the cup 4 during the SPM discharge process is sufficiently diluted and cooled in the
なお、希釈廃液温度センサ84による検出温度を常に監視して、希釈廃液温度センサ84による検出温度が第1温度(たとえば40℃)に達した場合には、希釈タンク用冷却水バルブ81を開成して希釈タンク8内に冷却水を大量に注いで廃液の温度を低下させるのが好ましい。さらには、万が一、冷却水配管82に関連する供給系統の不具合などにより温度低下が十分に行われない場合(異常時)に備えて、希釈廃液温度センサ84による検出温度が上記第1温度よりも高い第2温度(たとえば80℃)を超えた場合には、基板処理装置の稼働を即停止させるようにすることが好ましい。こうすることにより、何らかの原因で十分に希釈および冷却されていない廃液が希釈タンク8から排出されることを確実に防止することができ、この基板処理装置の安全性をさらに高めることができる。
The temperature detected by the diluted waste
図6は、リンス工程以降に生じる廃液の処理について説明するためのフローチャートである。気液分離タンク用冷却水バルブ91はスローリーク機能付きのバルブであって、気液分離タンク用冷却水バルブ91が閉じられている間も気液分離タンク用冷却水配管92から気液分離タンク9に冷却水が所定の微小流量で供給されているから、リンス工程の開始時点で、気液分離タンク9内には、ほぼ冷却水のみを含む液体が所定高さまで貯留されている。
FIG. 6 is a flowchart for explaining processing of waste liquid generated after the rinsing step. The gas-liquid separation tank
SPM吐出工程が終了し、これに引き続いてリンス工程が開始されると、廃液切替バルブ75が制御されて、廃液配管72を流れてくる廃液の導入先が気液分離タンク9に切り替えられる(ステップE1)。また、気液分離タンク用冷却水バルブ91が開かれて(ステップE2)、気液分離タンク用冷却水配管92から気液分離タンク9に所定の大流量で冷却水が供給される。
When the SPM discharge process is completed and the rinsing process is started subsequently, the waste
リンス工程では、ウエハWに対して純水が供給され、ウエハWに付着しているSPMを洗い流した純水がカップ4に受け取られるから、カップ4から廃液配管72を通して一般廃液導入管74に流れ込む廃液は、微量のSPMを含む純水からなる低濃度廃液である。したがって、リンス工程では、一般廃液導入管74から気液分離タンク9に低濃度廃液が導入され、その導入された低濃度廃液が、気液分離タンク9に貯留されている液体(冷却水)に混入されることになる。また、その気液分離タンク9に貯留されている液体に、気液分離タンク用冷却水配管92から気液分離タンク9に供給される冷却水が大流量で混入される。これにより、気液分離タンク9に導入される低濃度廃液は、気液分離タンク9に貯留されている液体および気液分離タンク用冷却水配管92から新たに供給される冷却水によってさらに希釈される。そして、その希釈された廃液は、気液分離タンク9内に突出した一般廃液オーバフロー配管93の上端を超えると、一般廃液オーバフロー配管93に流入して廃液ユーティリティラインへと排出される。
In the rinsing process, pure water is supplied to the wafer W, and pure water from which the SPM adhering to the wafer W has been washed off is received by the cup 4, so that it flows from the cup 4 into the general waste
リンス工程の終了後は、一般廃液温度センサ95による検出温度(気液分離タンク9に貯留されている液体の液温)が予め定める供給停止温度(たとえば40℃)以下に低下したか否かが繰り返し調べられる(ステップE3)。そして、一般廃液温度センサ95による検出温度が供給停止温度以下に低下すると、気液分離タンク用冷却水バルブ91が閉じられて(ステップE4)、それ以降は、リンス工程が再び実施されるまで、気液分離タンク用冷却水配管92から気液分離タンク9に微小流量で冷却水が供給される。
After completion of the rinsing process, whether or not the temperature detected by the general waste liquid temperature sensor 95 (the liquid temperature of the liquid stored in the gas-liquid separation tank 9) has dropped below a predetermined supply stop temperature (for example, 40 ° C.). It is repeatedly examined (step E3). When the temperature detected by the general waste
このように、気液分離タンク9に導入される廃液は、リンス工程時以降にカップ4から排出される低濃度廃液であり、SPMをほとんど含まないから、希釈タンク8に比べて大型の気液分離タンク9を耐薬液性および耐熱性に優れたPFA材料で構成しなくてもよい。これにより、PFA製の気液分離タンクを採用している従来装置に比べて、装置のコストを大幅に低減させることができる。 As described above, the waste liquid introduced into the gas-liquid separation tank 9 is a low-concentration waste liquid discharged from the cup 4 after the rinsing process and contains almost no SPM. The separation tank 9 may not be made of a PFA material having excellent chemical resistance and heat resistance. Thereby, compared with the conventional apparatus which employ | adopted the gas-liquid separation tank made from PFA, the cost of an apparatus can be reduced significantly.
なお、リンス工程時以降にカップ4から排出される低濃度廃液も希釈タンク8に導入して、希釈タンク8から希釈廃液オーバフロー配管83を通して排出することも考えられるが、そのためには、希釈タンク8を気液分離タンク9と同等のサイズに形成する必要がある。PFA製の希釈タンク8が大型になると、装置のイニシャルコストが大幅にアップするので、リンス工程時以降にカップ4から排出される低濃度廃液をも希釈タンク8に導入することは望ましいとは言えない。
Note that low-concentration waste liquid discharged from the cup 4 after the rinsing step may be introduced into the
また、この実施形態では、気液分離タンク9に液体が溜められていて、気液分離タンク9に導入される廃液は、気液分離タンク9でさらに希釈された廃液となって、気液分離タンク9から一般廃液オーバフロー配管93を通して排出される。これによって、たとえ気液分離タンク9にSPMの高濃度廃液が流れ込んでも、その高濃度廃液を十分に希釈および冷却して排出することができる。
In this embodiment, the liquid is stored in the gas-liquid separation tank 9, and the waste liquid introduced into the gas-liquid separation tank 9 becomes the waste liquid further diluted in the gas-liquid separation tank 9. It is discharged from the tank 9 through a general waste
さらに、一般廃液温度センサ95による検出温度を常に監視して、一般廃液温度センサ95による検出温度が第1温度(たとえば40℃)に達した場合には、気液分離タンク用冷却水バルブ91を開成して気液分離タンク9内に冷却水を大量に注いで廃液の温度を低下させるのが好ましい。さらには、万が一、冷却水配管92に関連する供給系統の不具合などにより温度低下が十分に行われない場合(異常時)に備えて、一般廃液温度センサ95による検出温度が上記第1温度よりも高い第2温度(たとえば80℃)を超えた場合には、基板処理装置の稼働を即停止させるようにしてもよい。こうすることにより、何らかの原因で十分に希釈および冷却されていない廃液が気液分離タンク9から排出されることを確実に防止することができ、この基板処理装置の安全性をさらに高めることができる。
Further, the temperature detected by the general waste
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、スピンチャック2としては、ウエハWの下面を真空吸着することにより、ウエハWをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWを回転させることができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が採用されてもよい。
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form. For example, as the
また、ウエハWの表面から不要になったレジスト膜を剥離するレジスト剥離処理を例にとったが、処理対象となる基板は、ウエハWに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気/光ディスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
さらに、基板に対する処理は、レジスト剥離処理以外の処理であってもよく、その処理に用いる処理液も、SPMに限らず、2種以上の処理液の化学反応によって生成されるSPM以外の混合液であってもよい。2種以上の処理液の化学反応によって生成される混合液は、ノズル3から一度吐出されたものを回収して再利用することができない。したがって、そのような混合液が処理液として用いられる場合に、処理液配管5内などに滞留している混合液を窒素ガスで押し出して、その混合液を基板に供給して処理に寄与させることにより、混合液(処理液)の無駄を低減させることができるという効果が顕著に発揮される。また、DIW(脱イオン化された純水)ならびにオゾン水、イオン水、炭酸水および磁気水などの機能水は、単液であっても、劣化しやすいために再利用できないので、このような単液が処理液として用いられる場合にも、処理液の無駄を低減させることができるという効果が顕著に発揮される。さらに、処理液として、処理に適した一定温度に温度調節された温調液が用いられてもよい。
Further, the resist stripping process for stripping the resist film that is no longer necessary from the surface of the wafer W is taken as an example. Other types of substrates such as glass substrates for photomasks, glass substrates for photomasks, and substrates for magnetic / optical disks may be used.
Further, the processing for the substrate may be processing other than resist stripping processing, and the processing liquid used for the processing is not limited to SPM, but a mixed liquid other than SPM generated by a chemical reaction of two or more processing liquids. It may be. The liquid mixture generated by the chemical reaction of two or more kinds of treatment liquids cannot be recovered and reused once discharged from the
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.
2 スピンチャック
3 ノズル
4 カップ
5 処理液配管
61 ミキシングバルブ
64 窒素ガス配管
100 制御装置
613 窒素ガスポート
641 窒素ガスバルブ
W ウエハ
2 Spin
Claims (5)
この処理液吐出工程の末期に、上記ノズルに処理液を供給するための処理液配管に気体を供給して、その処理液配管内の処理液を上記ノズルから押し出す処理液押出工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 A processing liquid discharge step for discharging a processing liquid for processing the substrate from the nozzle;
A treatment liquid extrusion step of supplying gas to the treatment liquid pipe for supplying the treatment liquid to the nozzle and pushing out the treatment liquid in the treatment liquid pipe from the nozzle at the end of the treatment liquid discharge process; A substrate processing method.
このノズルに供給される処理液が流通する処理液配管と、
この処理液配管内に気体を供給する気体供給手段と、
上記処理液配管から上記ノズルへの処理液の供給が停止された後、上記気体供給手段を制御して上記処理液配管内に上記気体を供給させる気体供給制御手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。 A nozzle for discharging a processing liquid for processing the substrate;
A processing liquid pipe through which the processing liquid supplied to the nozzle flows;
A gas supply means for supplying gas into the processing liquid pipe;
Gas supply control means for controlling the gas supply means to supply the gas into the treatment liquid pipe after supply of the treatment liquid from the treatment liquid pipe to the nozzle is stopped. Substrate processing equipment.
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