JP2009272548A

JP2009272548A - Substrate treatment apparatus

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Publication number: JP2009272548A
Application number: JP2008123584A
Authority: JP
Inventors: 弘明 ▲高▼橋; Hiroaki Takahashi; Toyohide Hayashi; 豊秀林
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-05-09
Filing date: 2008-05-09
Publication date: 2009-11-19
Anticipated expiration: 2028-05-09
Also published as: JP5112946B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus capable of shortening a time required for predispensing and reducing the consumption of a first fluid which is heated or cooled. <P>SOLUTION: An upstream end of a sulfuric acid feeding pipe 14 connected to an SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture) nozzle 4 is branch-connected to a circulation pipe 22 in a treatment liquid cabinet 2. In the treatment liquid cabinet 2, a first pipe joint 30 is provided in the sulfuric acid feeding pipe 14. At an end of a nozzle arm 10 in a treatment chamber 1, a second pipe joint 31 is provided in the sulfuric acid feeding pipe 14 so that the joint is disposed in proximity to the SPM nozzle 4. Between the first and second pipe joints 30 and 31, the circulation pipe 22 and the sulfuric acid feeding pipe 14 constitute a double pipe structure with the sulfuric acid feeding pipe 14 inserted into the circulation pipe 22. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、基板に処理流体を用いた処理を施す基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing using a processing fluid on a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, glass substrates for plasma displays, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, A photomask substrate or the like is included.

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して処理液を用いた処理が行われる。
たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給するノズルとを備えている。スピンチャックによって基板が回転されつつ、その回転している基板の表面に対してノズルから処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液を用いた処理が施される。 In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a process using a processing liquid is performed on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel.
For example, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one may be used. The single-wafer type substrate processing apparatus includes a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a nozzle that supplies a processing liquid to the surface of the substrate held by the spin chuck. While the substrate is rotated by the spin chuck, the processing liquid is supplied from the nozzle to the surface of the rotating substrate, whereby the surface of the substrate is processed using the processing liquid.

このような枚葉式の基板処理装置の中には、ノズルに対して、所定の高温に加熱された処理液が供給されるものがある。ノズルに高温の処理液が供給される構成は、たとえば、本願出願人の先願に係る下記特許文献１に開示されている。
下記特許文献１に開示された装置では、図４に示すように、処理に用いられる処理液は、タンク１０１に貯留されている。処理室１００内に配置された処理液ノズル１０２には、タンク１０１から延びた処理液供給配管１０３が接続されている。処理液供給配管１０３の途中部には、タンク１０１側から順に、ポンプ１０４、温度調節ユニット１０５、フィルタ１０６および処理液バルブ１０７が介装されている。温度調節ユニット１０５は、タンク１０１から処理液ノズル１０２に向けて送られる処理液の温度を、所定の高温に加熱するためのものである。フィルタ１０６は、処理液ノズル１０２に向けて送られる高温の処理液中の異物を除去するためのものである。また、処理液供給配管１０３には、フィルタ１０６と処理液バルブ１０７との間の分岐接続部分Ｋにおいて、帰還路１０８が分岐接続されている。帰還路１０８の先端は、タンク１０１に接続されており、帰還路１０８の途中部には、帰還バルブ１０９が介装されている。 Among such single-wafer type substrate processing apparatuses, there are those in which a processing liquid heated to a predetermined high temperature is supplied to a nozzle. A configuration in which a high-temperature processing liquid is supplied to the nozzle is disclosed in, for example, the following Patent Document 1 according to the prior application of the present applicant.
In the apparatus disclosed in Patent Document 1 below, as shown in FIG. 4, the processing liquid used for processing is stored in a tank 101. A processing liquid supply pipe 103 extending from the tank 101 is connected to the processing liquid nozzle 102 disposed in the processing chamber 100. A pump 104, a temperature adjustment unit 105, a filter 106, and a processing liquid valve 107 are provided in the middle of the processing liquid supply pipe 103 in order from the tank 101 side. The temperature adjustment unit 105 is for heating the temperature of the processing liquid sent from the tank 101 toward the processing liquid nozzle 102 to a predetermined high temperature. The filter 106 is for removing foreign substances in the high temperature processing liquid sent toward the processing liquid nozzle 102. In addition, a return path 108 is branchedly connected to the processing liquid supply pipe 103 at a branch connection portion K between the filter 106 and the processing liquid valve 107. The tip of the return path 108 is connected to the tank 101, and a return valve 109 is interposed in the middle of the return path 108.

装置の運転中は、ポンプ１０４および温度調節ユニット１０５が常に駆動されており、処理室１００内で高温の処理液による処理を基板の表面に施すべき時には、帰還バルブ１０９が閉じられ、処理液バルブ１０７が開かれて、処理液供給配管１０３を流通する高温の処理液が処理液ノズル１０２へと供給される。一方、基板の処理を行わない時（基板の表面に高温の処理液の供給を行わない時）には、処理液バルブ１０７が閉じられ、帰還バルブ１０９が開かれて、処理液供給配管１０３を流通する高温の処理液が分岐接続部分Ｋから帰還路１０８を通してタンク１０１に帰還される。これにより、ウエハＷの処理を行わない時には、タンク１０１、処理液供給配管１０３および帰還路１０８からなる循環路を高温の処理液が循環している。こうして高温の処理液を循環させておくことによって、処理液バルブ１０７の開成後速やかに、所定の高温に加熱された処理液を処理液ノズル１０２に供給することができる。
特開２００２−２０６９５７号公報 During the operation of the apparatus, the pump 104 and the temperature adjustment unit 105 are always driven. When processing with a high-temperature processing liquid is to be performed on the surface of the substrate in the processing chamber 100, the feedback valve 109 is closed and the processing liquid valve is closed. 107 is opened, and the high-temperature processing liquid flowing through the processing liquid supply pipe 103 is supplied to the processing liquid nozzle 102. On the other hand, when the substrate is not processed (when the high-temperature processing liquid is not supplied to the surface of the substrate), the processing liquid valve 107 is closed and the feedback valve 109 is opened, and the processing liquid supply pipe 103 is connected. The circulating high-temperature processing liquid is returned from the branch connection portion K to the tank 101 through the return path 108. Thus, when the wafer W is not processed, the high-temperature processing liquid is circulated through the circulation path including the tank 101, the processing liquid supply pipe 103, and the return path 108. By circulating the high temperature processing liquid in this way, the processing liquid heated to a predetermined high temperature can be supplied to the processing liquid nozzle 102 immediately after the processing liquid valve 107 is opened.
JP 2002-206957 A

処理液バルブ１０７が閉じられている間、処理液供給配管１０３における処理液バルブ１０７より下流側（処理液ノズル１０２側）には処理液が流入しないから、処理液バルブ１０７と処理液ノズル１０２の先端との間に処理液が残った状態になる。この状態で放置されると、処理液バルブ１０７と処理液ノズル１０２との間に残った処理液の液温が時間の経過に伴って低下し、次の基板の処理時に、その温度低下した処理液が基板に供給されてしまう。 While the processing liquid valve 107 is closed, the processing liquid does not flow into the processing liquid supply pipe 103 downstream of the processing liquid valve 107 (processing liquid nozzle 102 side). The processing solution remains between the tip. If left in this state, the temperature of the processing liquid remaining between the processing liquid valve 107 and the processing liquid nozzle 102 decreases with the passage of time, and the processing in which the temperature has decreased during the next substrate processing. The liquid is supplied to the substrate.

そこで、温度低下した処理液が次の基板の処理に用いられるのを防止するために、処理対象の基板への処理液の供給に先立って、処理液バルブ１０７を開いて、処理液バルブ１０７と処理液ノズル１０２との間に残っている処理液を、処理液ノズル１０２から基板の存在していない空間に向けて吐出させるプリディスペンスが行われる。プリディスペンスによって処理液ノズル１０２から吐出される温度低下した処理液は、その化学的性質が変質していて、基板の処理に再利用できないために廃棄せざるを得ない。 Therefore, in order to prevent the processing liquid whose temperature has been lowered from being used for processing the next substrate, the processing liquid valve 107 is opened prior to supplying the processing liquid to the substrate to be processed. Pre-dispensing is performed in which the processing liquid remaining between the processing liquid nozzle 102 is discharged from the processing liquid nozzle 102 toward a space where no substrate exists. The processing liquid having a lowered temperature discharged from the processing liquid nozzle 102 by pre-dispensing has to be discarded because its chemical properties have changed and it cannot be reused for processing the substrate.

しかしながら、このプリディスペンスが行われると、プリディスペンスに要する時間分だけ処理のスループットが低下し、また、プリディスペンスで廃棄される分だけ処理液の消費量が増大する。
そこで、この発明の目的は、プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第１流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供することである。 However, when this pre-dispensing is performed, the processing throughput is reduced by the time required for the pre-dispensing, and the consumption of the processing liquid is increased by the amount discarded by the pre-dispensing.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can shorten the time required for pre-dispensing and reduce the consumption of the first fluid to be heated or cooled.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）に第１流体を吐出するためのノズル（４）と、加熱または冷却された前記第１流体が流通する第１配管（２２）と、前記第１配管内に挿通されるとともに、前記第１配管の管壁を貫通して前記ノズルに接続されており、加熱または冷却された前記第１流体が流通する第２配管（１４）とを含む、基板処理装置である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is characterized in that a nozzle (4) for discharging a first fluid to a substrate (W) and a first pipe through which the heated or cooled first fluid flows. (22) and a second pipe that is inserted into the first pipe and is connected to the nozzle through the pipe wall of the first pipe and through which the heated or cooled first fluid flows. (14).

なお、括弧内の数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１配管および第２配管は、第１配管内に第２配管が挿通されることにより二重配管構造を形成している。第１配管には、加熱または冷却された第１流体が流通する。これにより、第２配管は、第１配管と二重配管構造をなす部分において、第１配管を流通する第１流体により加熱または冷却される。そのため、第２配管内で第１流体が滞留しても、第２配管における第１配管と二重配管構造をなす部分では、その滞留する第１流体の温度が流通時の温度（第１配管を流通する第１流体の温度）に保たれる。そして、第２配管は、処理室内において第１配管の管壁を貫通し、その先端がノズルに接続されている。そのため、第２配管が外気に露出しているのは、第２配管における第１配管の管壁を貫通した部分とノズルとの間の比較的短い配管長の部分であり、この部分においてのみ、第２配管内で第１流体が滞留したときに第１流体の温度が変化する。したがって、第１流体の滞留による温度変化を生じるのは、少量の第１流体であるので、次の基板の処理の開始に際しては、プリディスペンスが必要でないか、プリディスペンスを行うとしても、その少量の第１流体を廃棄すればよい。よって、プリディスペンスに要する時間の短縮および第１流体の消費量の低減を図ることができる。 The numbers in parentheses indicate corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this configuration, the first pipe and the second pipe form a double pipe structure by inserting the second pipe into the first pipe. A heated or cooled first fluid flows through the first pipe. As a result, the second pipe is heated or cooled by the first fluid flowing through the first pipe in a portion forming a double pipe structure with the first pipe. Therefore, even if the first fluid stays in the second pipe, in the portion of the second pipe that forms a double pipe structure with the first pipe, the temperature of the staying first fluid is the temperature at the time of circulation (first pipe). The temperature of the first fluid flowing through the fluid). And the 2nd piping penetrates the pipe wall of the 1st piping in a processing room, and the tip is connected to the nozzle. Therefore, the second pipe is exposed to the outside air in a portion of the second pipe having a relatively short pipe length between the nozzle and the portion of the second pipe penetrating the pipe wall of the first pipe. When the first fluid stays in the second pipe, the temperature of the first fluid changes. Therefore, since it is a small amount of the first fluid that causes the temperature change due to the retention of the first fluid, it is not necessary to pre-dispense at the start of the processing of the next substrate, or even if pre-dispensing is performed, the small amount thereof. The first fluid may be discarded. Therefore, it is possible to shorten the time required for pre-dispensing and reduce the consumption of the first fluid.

前記第１配管は、往路管（３３）と、復路管（３４）と、前記往路管および前記復路管とを接続する配管継手（３１）とを備えていてもよい。この場合、前記第２配管は、前記配管継手の壁を貫通して前記ノズルに接続されてもよい。
請求項２に記載の発明は、前記ノズルに接続されており、前記第１流体と種類の異なる第２流体が流通する第３配管（１５）をさらに含み、前記ノズルは、前記第１流体と前記第２流体との混合流体を吐出する、請求項１に記載の基板処理装置である。 The first pipe may include an outward pipe (33), a return pipe (34), and a pipe joint (31) that connects the forward pipe and the return pipe. In this case, the second pipe may be connected to the nozzle through the wall of the pipe joint.
The invention according to claim 2 further includes a third pipe (15) connected to the nozzle and through which a second fluid of a different type from the first fluid flows, wherein the nozzle is connected to the first fluid. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a mixed fluid with the second fluid is discharged.

この構成によれば、ノズル内で第１流体と第２流体とが混合され、その混合流体がノズルから吐出される。したがって、混合直後の新鮮な混合流体を、ノズルから吐出させることができる。
請求項３に記載のように、前記第１流体は、硫酸であり、前記第２流体は、過酸化水素水であってもよい。この構成によれば、ノズルの内部において、硫酸と過酸化水素水とが混合されて硫酸と過酸化水素水とが反応し、多量のペルオキソ一硫酸（Ｈ₂ＳＯ₅）を含む硫酸過酸化水素水（ＳＰＭ）が作成される。そして、基板の表面にノズルの吐出口を向けることにより、その作成直後の硫酸過酸化水素水、つまりペルオキソ一硫酸の減衰がほとんど生じていない硫酸過酸化水素水を基板の表面に供給することができる。これにより、ペルオキソ一硫酸の強酸化力により、基板の表面からレジストを良好に除去することができる。 According to this configuration, the first fluid and the second fluid are mixed in the nozzle, and the mixed fluid is discharged from the nozzle. Therefore, the fresh mixed fluid immediately after mixing can be discharged from the nozzle.
The first fluid may be sulfuric acid, and the second fluid may be hydrogen peroxide solution. According to this configuration, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed in the nozzle so that the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution react with each other, and the hydrogen peroxide sulfate containing a large amount of peroxomonosulfuric acid (H ₂ SO ₅ ). Water (SPM) is created. Then, by directing the nozzle outlet to the surface of the substrate, it is possible to supply the sulfuric acid hydrogen peroxide solution immediately after its creation, that is, the sulfuric acid hydrogen peroxide solution in which peroxomonosulfuric acid is hardly attenuated to the surface of the substrate. it can. Thereby, the resist can be satisfactorily removed from the surface of the substrate by the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid.

請求項４記載の発明は、前記第１流体を貯留するタンク（１３）と、前記第１配管の途中部に介装されて、前記第１配管を流通する第１流体を加熱または冷却して、当該第１流体の温度を調節するための温度調節ユニット（２４）とをさらに含み、前記第１配管は、上流端および下流端が前記タンクに接続され、前記タンクとともに前記第１流体の循環路を構成し、前記第２配管は、上流端が前記第１配管の途中部に分岐接続されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to a fourth aspect of the present invention, the tank (13) that stores the first fluid and the first fluid that is interposed in the middle of the first pipe and flows through the first pipe is heated or cooled. And a temperature adjusting unit (24) for adjusting the temperature of the first fluid, wherein the first pipe has an upstream end and a downstream end connected to the tank, and the first fluid is circulated together with the tank. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a path is configured, and the second pipe has an upstream end branched and connected to an intermediate portion of the first pipe.

この構成によれば、タンクおよび第１配管によって構成される循環路を、第１流体が循環する。この循環路において、第１流体は、温度調節ユニットにより加熱または冷却される。そして、第２配管は、第１配管の途中部に分岐接続されている。したがって、第１配管を流通する加熱または冷却された第１流体を、第２配管に供給することができ、第２配管を通してノズルに供給することができる。 According to this structure, the 1st fluid circulates through the circulation path comprised by a tank and 1st piping. In this circulation path, the first fluid is heated or cooled by the temperature adjustment unit. The second pipe is branched and connected to the middle part of the first pipe. Therefore, the heated or cooled first fluid flowing through the first pipe can be supplied to the second pipe, and can be supplied to the nozzle through the second pipe.

そのため、第２配管に供給される第１流体を加熱または冷却するために、それ専用の温度調節ユニットを設ける必要がない。したがって、第２配管に供給される第１流体の加熱または冷却専用の温度調節ユニットを設ける構成と比較して、装置のコストダウンを図ることもできる。
請求項５記載の発明は、前記第１流体の流通先を、前記第１配管における前記第２配管の分岐接続部分（Ｊ）よりも下流側の下流側部分（２７）と前記第２配管とに切り替えるための切替機構（２６，２８）をさらに含む、請求項４に記載の基板処理装置である。 Therefore, it is not necessary to provide a dedicated temperature adjustment unit for heating or cooling the first fluid supplied to the second pipe. Therefore, the cost of the apparatus can be reduced as compared with a configuration in which a temperature adjustment unit dedicated to heating or cooling the first fluid supplied to the second pipe is provided.
The invention according to claim 5 is characterized in that the flow destination of the first fluid is the downstream side portion (27) downstream of the branch connection portion (J) of the second piping in the first piping and the second piping. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a switching mechanism (26, 28) for switching between the two.

この構成によれば、切替機構によって、第１流体の流通先が第１配管における第２配管の分岐接続部分よりも下流側の下流側部分（以下、この項において単に「下流側部分」という。）と第２配管とに切り替えられる。第１流体の流通先が下流側部分であるときには、循環路を第１流体が循環し、第１流体は第２配管に供給されない。一方、第１流体の流通先が第２配管であるときには、第１流体が第２配管に供給され、ノズルから第１流体が吐出される。 According to this configuration, the switching mechanism causes the flow destination of the first fluid to be a downstream portion on the downstream side of the branch connection portion of the second piping in the first piping (hereinafter, simply referred to as “downstream portion” in this section). ) And the second pipe. When the distribution destination of the first fluid is the downstream portion, the first fluid circulates in the circulation path, and the first fluid is not supplied to the second pipe. On the other hand, when the distribution destination of the first fluid is the second pipe, the first fluid is supplied to the second pipe, and the first fluid is discharged from the nozzle.

請求項６記載の発明は、前記切替機構は、前記下流側部分に介装された第１バルブ（２６）と、前記第２配管に介装された第２バルブ（２８）とを含む、請求項５に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１バルブを閉じ、第２バルブを開くことにより、第１流体の流通先を第２配管とすることができる。一方、第１バルブを開き、第２バルブを閉じることにより、第１流体の流通先を下流側部分とすることができる。 The invention according to claim 6 is characterized in that the switching mechanism includes a first valve (26) interposed in the downstream portion and a second valve (28) interposed in the second pipe. Item 6. The substrate processing apparatus according to Item 5.
According to this configuration, by closing the first valve and opening the second valve, the distribution destination of the first fluid can be the second pipe. On the other hand, by opening the first valve and closing the second valve, the flow destination of the first fluid can be the downstream portion.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であって、ウエハＷの表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを除去するためのレジスト除去処理を実施するための処理室１と、この処理室１と別置され、処理室１に処理液（硫酸および過酸化水素水）を供給するための処理液キャビネット２とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is a single-wafer type apparatus that processes semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as “wafers”) W, which is an example of a substrate, one by one, and implants impurities into the surface of the wafer W. After the processing, a processing chamber 1 for performing a resist removing process for removing unnecessary resist from the surface of the wafer W is separated from the processing chamber 1, and a processing liquid (sulfuric acid and And a treatment liquid cabinet 2 for supplying (hydrogen peroxide solution).

処理室１は、隔壁で区画されており、その内部に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面（上面）に向けて、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）を吐出するための硫酸過水ノズル４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の中央部にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給するためのＤＩＷノズル５と、スピンチャック３の周囲を取り囲み、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭやＤＩＷを受け取るための容器状のカップ６とが収容されている。カップ６の底部には、ＳＰＭおよびＤＩＷを廃液するためのカップ内廃液配管１８が接続されている。カップ内廃液配管１８の先端は、廃液設備（図示せず）に接続されている。カップ内廃液配管１８の途中部には、カップ内廃液配管１８内を流通するＳＰＭを冷却するための図示しない冷却ユニットが介装されており、この冷却ユニットにより、廃液が高温になることが防止されている。 The processing chamber 1 is partitioned by a partition wall, and a spin chuck 3 for rotating the wafer W while holding the wafer W substantially horizontally therein, and a surface (upper surface) of the wafer W held by the spin chuck 3. In addition, a sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 for discharging SPM (sulfuric acid / hydrogen peroxide mixture) and a rinsing liquid at the center of the surface of the wafer W held by the spin chuck 3 A DIW nozzle 5 for supplying DIW (deionized water) and a container-shaped cup 6 for receiving SPM and DIW which surround the spin chuck 3 and flow down or scatter from the wafer W are accommodated. Yes. An in-cup waste liquid pipe 18 for draining SPM and DIW is connected to the bottom of the cup 6. The tip of the in-cup waste liquid pipe 18 is connected to a waste liquid facility (not shown). A cooling unit (not shown) for cooling the SPM flowing through the in-cup waste liquid pipe 18 is interposed in the middle of the in-cup waste liquid pipe 18, and this cooling unit prevents the waste liquid from becoming high temperature. Has been.

スピンチャック３は、モータ７と、このモータ７の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材９とを備えている。これにより、スピンチャック３は、複数個の挟持部材９によってウエハＷを挟持した状態で、モータ７の回転駆動力によってスピンベース８を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース８とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。 The spin chuck 3 is provided at substantially equal intervals at a plurality of locations around the motor 7, a disc-shaped spin base 8 that is rotated around the vertical axis by the rotational driving force of the motor 7, and the periphery of the spin base 8. And a plurality of clamping members 9 for clamping W in a substantially horizontal posture. As a result, the spin chuck 3 keeps the wafer W in a substantially horizontal posture by rotating the spin base 8 by the rotational driving force of the motor 7 in a state where the wafer W is held by the plurality of holding members 9. In this state, it can be rotated around the vertical axis together with the spin base 8.

なお、スピンチャック３としては、このような構成のものに限らず、たとえば、真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。このバキュームチャックは、ウエハＷの下面を真空吸着することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持することができる。そして、バキュームチャックは、ウエハＷを保持した状態で、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる
硫酸過水ノズル４は、スピンチャック３の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム１０の先端部に取り付けられている。ノズルアーム１０の基端部は、カップ６の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸１１の上端部に支持されている。アーム支持軸１１には、モータ（図示せず）を含むノズル駆動機構１２が結合されている。ノズル駆動機構１２からアーム支持軸１１に回転力を入力して、アーム支持軸１１を回動させることにより、スピンチャック３の上方でノズルアーム１０を揺動させることができる。 The spin chuck 3 is not limited to such a configuration, and for example, a vacuum suction type vacuum chuck may be employed. The vacuum chuck can hold the wafer W in a substantially horizontal posture by vacuum-sucking the lower surface of the wafer W. The vacuum chuck can rotate while maintaining the wafer W in a substantially horizontal position by rotating around the substantially vertical axis while holding the wafer W. 3 is attached to the tip of a nozzle arm 10 that extends substantially horizontally above 3. The base end portion of the nozzle arm 10 is supported by the upper end portion of the arm support shaft 11 that extends substantially vertically on the side of the cup 6. A nozzle drive mechanism 12 including a motor (not shown) is coupled to the arm support shaft 11. By inputting rotational force from the nozzle drive mechanism 12 to the arm support shaft 11 and rotating the arm support shaft 11, the nozzle arm 10 can be swung over the spin chuck 3.

硫酸過水ノズル４には、処理液キャビネット２に収容された硫酸タンク１３に溜められた第１流体としての硫酸（たとえば９６〜９８ｗｔ％の濃硫酸）が供給される硫酸供給配管（第２配管）１４と、処理液キャビネット２に収容された過酸化水素水供給源（たとえば過酸化水素水タンク）からの第２流体としての過酸化水素水が供給される過酸化水素水供給配管（第３配管）１５とが接続されている。過酸化水素水供給配管１５の途中部には、過酸化水素水供給配管１５を開閉するための過酸化水素水バルブ１６が介装されている。 A sulfuric acid supply pipe (second pipe) to which sulfuric acid (for example, 96-98 wt% concentrated sulfuric acid) as a first fluid stored in a sulfuric acid tank 13 accommodated in the processing liquid cabinet 2 is supplied to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4. ) 14 and a hydrogen peroxide solution supply pipe (third solution) supplied with hydrogen peroxide solution as a second fluid from a hydrogen peroxide solution supply source (for example, a hydrogen peroxide solution tank) accommodated in the processing liquid cabinet 2. (Pipe) 15 is connected. A hydrogen peroxide solution valve 16 for opening and closing the hydrogen peroxide solution supply pipe 15 is interposed in the middle of the hydrogen peroxide solution supply pipe 15.

硫酸供給配管１４に供給される硫酸は、処理液キャビネット２内において、レジスト除去処理に適した所定の高温（約１８０℃）に加熱されている。一方、過酸化水素水供給配管１５に供給される過酸化水素水は、常温（約２５℃）の液温を有している。硫酸供給配管１４に供給される硫酸と、過酸化水素水供給配管１５に供給される過酸化水素水との流量比（重量比）はたとえば１：０．２５となっている。 The sulfuric acid supplied to the sulfuric acid supply pipe 14 is heated to a predetermined high temperature (about 180 ° C.) suitable for resist removal processing in the processing liquid cabinet 2. On the other hand, the hydrogen peroxide solution supplied to the hydrogen peroxide solution supply pipe 15 has a liquid temperature of room temperature (about 25 ° C.). The flow rate ratio (weight ratio) between the sulfuric acid supplied to the sulfuric acid supply pipe 14 and the hydrogen peroxide solution supplied to the hydrogen peroxide solution supply pipe 15 is, for example, 1: 0.25.

ＤＩＷノズル５には、ＤＩＷバルブ１７を介して、約６０℃以上に加熱されたＤＩＷ（温水）が供給されるようになっている。
硫酸過水ノズル４の退避位置（図１に破線で図示）には、有底容器からなるプリディスペンスポッド２０がその開口を上方に向けた状態で配置されている。プリディスペンスの際には、硫酸過水ノズル４を退避位置に位置させた状態で、硫酸過水ノズル４からプリディスペンスポッド２０に向けて硫酸を吐出させることにより、硫酸供給配管１４に残って温度低下した硫酸を排除する。硫酸過水ノズル４から吐出された硫酸は、プリディスペンスポッド２０により受け止められる。プリディスペンスポッド２０の底部には、プリディスペンス用廃液配管２１が接続されており、このプリディスペンス用廃液配管２１は、廃液を処理するための廃液設備へと延びている。プリディスペンスポッド２０により受け止められた硫酸は、プリディスペンス用廃液配管２１を通って廃液設備へと供給される。 The DIW nozzle 5 is supplied with DIW (hot water) heated to about 60 ° C. or more via a DIW valve 17.
At the retreat position of the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 (shown by a broken line in FIG. 1), a pre-dispens pod 20 made of a bottomed container is disposed with its opening facing upward. During pre-dispensing, sulfuric acid is discharged from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 toward the pre-dispensing pod 20 in a state where the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is located at the retracted position, so that the temperature remaining in the sulfuric acid supply pipe 14 remains. Eliminate reduced sulfuric acid. The sulfuric acid discharged from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is received by the pre-dispens pod 20. A pre-dispensing waste liquid pipe 21 is connected to the bottom of the pre-dispense pod 20, and the pre-dispensing waste liquid pipe 21 extends to a waste liquid facility for processing the waste liquid. The sulfuric acid received by the pre-dispense pod 20 is supplied to the waste liquid facility through the pre-dispensing waste liquid pipe 21.

処理液キャビネット２は隔壁で区画されており、その内部には、硫酸過水ノズル４に供給すべき硫酸を溜めておくための硫酸タンク１３が収容されている。硫酸タンク１３には、硫酸が循環する循環配管（第１配管）２２の上流端および下流端が接続されている。循環配管２２は、硫酸タンク１３から、処理室１内のノズルアーム１０における硫酸過水ノズル４の近接位置を経由して、硫酸タンク１３へと再び戻っている。この循環配管２２は、硫酸タンク１３と処理室１内に配置された第１配管継手３０とを接続する第１循環配管３２と、第１配管継手３０とノズルアーム１０内における硫酸過水ノズル４に近接して配置された第２配管継手３１とを接続する第２循環配管（往路管）３３と、第２配管継手３１と硫酸タンク１３とを接続する第３循環配管（復路管）３４とを備えている。 The treatment liquid cabinet 2 is partitioned by a partition, and a sulfuric acid tank 13 for storing sulfuric acid to be supplied to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is accommodated therein. The sulfuric acid tank 13 is connected to an upstream end and a downstream end of a circulation pipe (first pipe) 22 through which sulfuric acid circulates. The circulation pipe 22 returns again from the sulfuric acid tank 13 to the sulfuric acid tank 13 via the proximity position of the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 in the nozzle arm 10 in the processing chamber 1. The circulation pipe 22 includes a first circulation pipe 32 that connects the sulfuric acid tank 13 and the first pipe joint 30 disposed in the processing chamber 1, and the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 in the first pipe joint 30 and the nozzle arm 10. A second circulation pipe (outward pipe) 33 that connects the second pipe joint 31 disposed close to the first pipe, and a third circulation pipe (return pipe) 34 that connects the second pipe joint 31 and the sulfuric acid tank 13. It has.

第１循環配管３２の途中部には、硫酸タンク１３側から順に、硫酸タンク１３に溜められている硫酸を汲み出すためのポンプ２３と、このポンプ２３の作用により循環配管２２中を流通する硫酸を、レジスト除去処理に適した所定の高温（たとえば１８０℃）に加熱するための温度調節ユニット２４と、循環配管２２中を流通する硫酸中に含まれている比較的小さな異物を捕捉して除去するためのフィルタ２５と、循環配管２２中を流通する硫酸を、硫酸タンク１３へと戻すために循環配管２２を開閉するための帰還バルブ（第１バルブ）２６とが介装されている。硫酸供給配管１４の上流端は、循環配管２２のフィルタ２５と帰還バルブ２６との間に分岐して接続されている。すなわち、循環配管２２における硫酸供給配管１４の分岐接続部分（以下、「分岐接続部分」という）Ｊよりも下流側の下流側部分（以下、「下流側部分」という）２７に帰還バルブ２６が介装されている。 In the middle of the first circulation pipe 32, a pump 23 for pumping out the sulfuric acid stored in the sulfuric acid tank 13 in order from the sulfuric acid tank 13 side, and sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 by the action of the pump 23. Is heated to a predetermined high temperature (for example, 180 ° C.) suitable for resist removal processing, and relatively small foreign matters contained in sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 are captured and removed. And a return valve (first valve) 26 for opening and closing the circulation pipe 22 in order to return the sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 to the sulfuric acid tank 13. The upstream end of the sulfuric acid supply pipe 14 is branched and connected between the filter 25 of the circulation pipe 22 and the feedback valve 26. That is, the feedback valve 26 is interposed in a downstream portion (hereinafter referred to as “downstream portion”) 27 downstream of the branch connection portion (hereinafter referred to as “branch connection portion”) J of the sulfuric acid supply pipe 14 in the circulation piping 22. It is disguised.

第３循環配管３４は、ノズルアーム１０内を、先端部から基端部まで延びている。また、第３循環配管３４の上流端は、ノズルアーム１０内の第２配管継手３１に接続され、第３循環配管３４の下流端は、処理液キャビネット２内の硫酸タンク１３に接続されている。
硫酸供給配管１４は、第１配管継手３０および第２配管継手３１を通って、その下流端が硫酸過水ノズル４に接続されている。具体的には、硫酸供給配管１４は、処理室１内において、ノズルアーム１０内を当該ノズルアーム１０の沿う方向に沿って、当該ノズルアーム１０の基端部から先端部まで延びている。また、処理液キャビネット２内において、硫酸供給配管１４の途中部に、分岐接続部分Ｊと第１配管継手３０との間に、硫酸供給配管１４を開閉するための硫酸バルブ（第２バルブ）２８が介装されている。 The third circulation pipe 34 extends from the distal end portion to the proximal end portion in the nozzle arm 10. The upstream end of the third circulation pipe 34 is connected to the second pipe joint 31 in the nozzle arm 10, and the downstream end of the third circulation pipe 34 is connected to the sulfuric acid tank 13 in the processing liquid cabinet 2. .
The sulfuric acid supply pipe 14 passes through the first pipe joint 30 and the second pipe joint 31, and its downstream end is connected to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4. Specifically, the sulfuric acid supply pipe 14 extends from the proximal end portion to the distal end portion of the nozzle arm 10 in the processing chamber 1 along the direction along the nozzle arm 10 in the nozzle arm 10. In the treatment liquid cabinet 2, a sulfuric acid valve (second valve) 28 for opening and closing the sulfuric acid supply pipe 14 between the branch connection portion J and the first pipe joint 30 is provided in the middle of the sulfuric acid supply pipe 14. Is intervening.

第１および第２配管継手３０，３１の間において、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。硫酸供給配管１４における循環配管２２（第２循環配管３３）と二重配管構造をなす部分（以下、「二重配管部分」という）１４ａと、第２循環配管３３とは、処理室１内において、ノズルアーム１０内を、当該ノズルアーム１０の沿う方向に沿って、当該ノズルアーム１０の基端部から先端部まで延びている。 Between the first and second pipe joints 30 and 31, the circulation pipe 22 and the sulfuric acid supply pipe 14 form a double pipe structure by the sulfuric acid supply pipe 14 being inserted into the circulation pipe 22. The sulfuric acid supply pipe 14 has a circulation pipe 22 (second circulation pipe 33) and a part (hereinafter referred to as “double pipe part”) 14 a that forms a double pipe structure and the second circulation pipe 33 in the processing chamber 1. The nozzle arm 10 extends from the proximal end portion to the distal end portion of the nozzle arm 10 along the direction along the nozzle arm 10.

第１配管継手３０は、第１循環配管３２と第２循環配管３３とを液密状態で接続している。第１配管継手３０は、耐薬液性および耐熱性に優れたＰＦＡ（perfluoro−alkylvinyl−ether−tetrafluoro−ethlene−copolymer）を用いて形成されている。
図２は、図１の切断面線II−IIから見た二重配管構造の断面図である。第１および第２配管継手３０，３１の間において、円筒状の第２循環配管３３（循環配管２２）の内部に、円筒状の硫酸供給配管１４（二重配管部分１４ａ）が同軸に挿通されている。硫酸供給配管１４が二重配管構造の内管をなしており、第２循環配管３３が二重配管構造の外管をなしている。したがって、第２循環配管３３において、第２循環配管３３の管壁と硫酸供給配管１４の管壁とによって、硫酸が流通する流路が区画されている。この第２循環配管３３中の硫酸は、硫酸供給配管１４の管壁を介して、硫酸供給配管１４中の硫酸と熱交換することができる。 The first pipe joint 30 connects the first circulation pipe 32 and the second circulation pipe 33 in a liquid-tight state. The first pipe joint 30 is formed using PFA (perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer) excellent in chemical resistance and heat resistance.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the double piping structure as seen from the section line II-II in FIG. Between the first and second pipe joints 30, 31, the cylindrical sulfuric acid supply pipe 14 (double pipe portion 14a) is coaxially inserted into the cylindrical second circulation pipe 33 (circulation pipe 22). ing. The sulfuric acid supply pipe 14 forms an inner pipe having a double pipe structure, and the second circulation pipe 33 forms an outer pipe having a double pipe structure. Therefore, in the second circulation pipe 33, a flow path through which sulfuric acid flows is partitioned by the pipe wall of the second circulation pipe 33 and the pipe wall of the sulfuric acid supply pipe 14. The sulfuric acid in the second circulation pipe 33 can exchange heat with the sulfuric acid in the sulfuric acid supply pipe 14 via the pipe wall of the sulfuric acid supply pipe 14.

図３は、ノズルアーム１０および硫酸過水ノズル４の構成を示す図解的な断面図である。第２配管継手３１は、ＰＦＡを用いて形成されており、第２循環配管３３と第３循環配管３４とを液密状態で接続している。この第２配管継手３１内には、硫酸が流通するための継手内流路６０がほぼＵ字状に形成されている。この継手内流路６０は、第２配管継手３１の上面の２箇所に開口して、導入口６１および導出口６２を形成している。導入口６１には、第２循環配管３３の下流端が接続されている。導出口６２には、第３循環配管３４の上流端が接続されている。このため、第２循環配管３３から導入口６１に導入された硫酸は、第２配管継手３１の継手内流路６０を流通して、導入口６１から第３循環配管３４へと導出される。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing configurations of the nozzle arm 10 and the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4. The second pipe joint 31 is formed using PFA, and connects the second circulation pipe 33 and the third circulation pipe 34 in a liquid-tight state. In the second pipe joint 31, an in-joint flow path 60 through which sulfuric acid flows is formed in a substantially U shape. This in-joint flow path 60 opens at two places on the upper surface of the second pipe joint 31 to form an inlet 61 and a outlet 62. A downstream end of the second circulation pipe 33 is connected to the introduction port 61. The upstream end of the third circulation pipe 34 is connected to the outlet 62. Therefore, the sulfuric acid introduced from the second circulation pipe 33 to the introduction port 61 flows through the in-joint flow path 60 of the second pipe joint 31 and is led out from the introduction port 61 to the third circulation pipe 34.

硫酸供給配管１４は、第２循環配管３３内を挿通して第２配管継手３１に達するとともに、この第２配管継手３１内で継手内流路６０を区画する第２配管継手３１の壁を貫通して、その下流端が硫酸過水ノズル４に接続されている。そのため、硫酸供給配管１４が外気に露出しているのは、第２配管継手３１と硫酸過水ノズル４とを接続する硫酸供給配管１４の接続部分（以下「接続部分」という）１４ｂである。第２配管継手３１が硫酸過水ノズル４に近接して配置されているために、接続部分１４ｂの配管長は比較的短い。 The sulfuric acid supply pipe 14 passes through the second circulation pipe 33 and reaches the second pipe joint 31, and penetrates the wall of the second pipe joint 31 that defines the joint flow path 60 in the second pipe joint 31. The downstream end thereof is connected to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4. Therefore, the sulfuric acid supply pipe 14 is exposed to the outside air at a connection portion (hereinafter referred to as “connection portion”) 14 b of the sulfuric acid supply pipe 14 that connects the second pipe joint 31 and the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4. Since the second pipe joint 31 is disposed close to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4, the pipe length of the connection portion 14b is relatively short.

硫酸過水ノズル４は、ＳＰＭを連続流の状態で吐出する、いわゆるストレートノズルの構成を有している。硫酸過水ノズル４は、ケーシング３６を備え、このケーシング３６の先端にＳＰＭを外部空間３７に向けて吐出するための吐出口３８を有している。
より具体的に説明すると、ケーシング３６は、円筒形状の第１円筒管３９と、第１円筒管３９よりも小径でかつ第１円筒管３９と同軸の円筒形状の第２円筒管４０と、第１円筒管３９の上流側端部に接続されて、過酸化水素水を導入するための過酸化水素水導入管４２と、第１円筒管３９に第２円筒管４０を液密状態で接続するための第３配管継手４３と、第１円筒管３９に供給配管１４を液密状態で接続するための第４配管継手４４とを備えている。第３配管継手４３および第４配管継手４４は、ＰＴＦＥ（poly tetra-fluoro ethylene）を用いて形成されている。 The sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 has a so-called straight nozzle configuration that discharges SPM in a continuous flow state. The sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 includes a casing 36, and has a discharge port 38 for discharging SPM toward the external space 37 at the tip of the casing 36.
More specifically, the casing 36 includes a cylindrical first cylindrical tube 39, a second cylindrical tube 40 having a smaller diameter than the first cylindrical tube 39 and coaxial with the first cylindrical tube 39, and a first cylindrical tube 39. The second cylindrical tube 40 is connected to the first cylindrical tube 39 in a liquid-tight state, and is connected to the upstream end of the first cylindrical tube 39 to introduce the hydrogen peroxide solution. And a fourth pipe joint 44 for connecting the supply pipe 14 to the first cylindrical pipe 39 in a liquid-tight state. The third pipe joint 43 and the fourth pipe joint 44 are formed using PTFE (polytetra-fluoroethylene).

第１円筒管３９は、たとえば、ＰＦＡを用いて形成されている。第１円筒管３９の内部には第１混合室４５が形成されている。第１混合室４５では、次に述べる硫酸導入路４１からの硫酸と、過酸化水素水導入管４２からの過酸化水素水とが混合される。
第２円筒管４０は、たとえばＰＦＡを用いて形成されている。第２円筒管４０の内部には、第１混合室４５に連通し、第１混合室４５からのＳＰＭが混合されつつ流通する第２混合室４６が形成されている。その第２混合室４６の先端が、吐出口３８として開口している。第２円筒管４０の内径が第１円筒管３９の内径よりも小径にされているので、第２混合室４６の流路断面は、第１混合室４５の流路断面よりも小面積となっている。 The first cylindrical tube 39 is formed using, for example, PFA. A first mixing chamber 45 is formed inside the first cylindrical tube 39. In the first mixing chamber 45, sulfuric acid from the sulfuric acid introduction path 41 described below and hydrogen peroxide solution from the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42 are mixed.
The second cylindrical tube 40 is formed using, for example, PFA. Inside the second cylindrical tube 40, a second mixing chamber 46 is formed which communicates with the first mixing chamber 45 and through which SPM from the first mixing chamber 45 is mixed. The tip of the second mixing chamber 46 opens as a discharge port 38. Since the inner diameter of the second cylindrical tube 40 is smaller than the inner diameter of the first cylindrical tube 39, the flow passage cross section of the second mixing chamber 46 is smaller than the flow passage cross section of the first mixing chamber 45. ing.

第４配管継手４４には、第１混合室４５に連通し、第１円筒管３９の上流端（図３に示す上端）から、第１円筒管３９が延びる方向に延びる円筒状の硫酸導入室５２と、第１円筒管３９が延びる方向とほぼ直交する方向に延びた硫酸導入路４１とが形成されている。硫酸導入路４１は、硫酸導入室５２の上流側端部付近の内壁に開口して連通口４８を形成している。硫酸導入路４１はまた、第４配管継手４４の外周面に開口して、硫酸を導入するための硫酸ポート４９を形成している。硫酸導入路４１の硫酸ポート４９には、硫酸供給配管１４の下流端が接続されている。 The fourth pipe joint 44 communicates with the first mixing chamber 45 and has a cylindrical sulfuric acid introduction chamber extending from the upstream end (the upper end shown in FIG. 3) of the first cylindrical tube 39 in the direction in which the first cylindrical tube 39 extends. 52 and a sulfuric acid introduction passage 41 extending in a direction substantially perpendicular to the direction in which the first cylindrical tube 39 extends. The sulfuric acid introduction path 41 opens to the inner wall near the upstream end of the sulfuric acid introduction chamber 52 to form a communication port 48. The sulfuric acid introduction path 41 also opens to the outer peripheral surface of the fourth pipe joint 44 to form a sulfuric acid port 49 for introducing sulfuric acid. The downstream end of the sulfuric acid supply pipe 14 is connected to the sulfuric acid port 49 of the sulfuric acid introduction path 41.

過酸化水素水導入管４２は、第１円筒管３９が延びる方向に沿って延びている。第４配管継手４４には、過酸化水素水導入管４２の内外面（図３で示す上下面）を貫通して形成されている。過酸化水素水導入管４２の下流端は、硫酸導入路４１の連通口４８よりも下流側で開口して開口５０を形成している。過酸化水素水導入管４２の反対側の後端は、過酸化水素水を導入するための過酸化水素水ポート５１を形成している。過酸化水素水導入管４２の過酸化水素水ポート５１に過酸化水素水供給配管１５の下流端が接続されている。 The hydrogen peroxide solution introduction pipe 42 extends along the direction in which the first cylindrical pipe 39 extends. The fourth pipe joint 44 is formed through the inner and outer surfaces (upper and lower surfaces shown in FIG. 3) of the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42. The downstream end of the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42 is opened downstream from the communication port 48 of the sulfuric acid introduction path 41 to form an opening 50. A rear end on the opposite side of the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42 forms a hydrogen peroxide solution port 51 for introducing the hydrogen peroxide solution. The downstream end of the hydrogen peroxide solution supply pipe 15 is connected to the hydrogen peroxide solution port 51 of the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42.

この過酸化水素水導入管４２は、第１円筒管３９（ケーシング３６）に対し、第１円筒管３９が延びる方向（流通方向）に沿ってスライド可能に取り付けられている。これにより、開口５０の位置を、第１円筒管３９が延びる方向に関して調整することができる。
装置運転中は、ポンプ２３および温度調節ユニット２４が常に駆動されており、レジスト除去処理を行わない時（ウエハＷの表面への硫酸の供給を行わない時）には、帰還バルブ２６が開かれるとともに硫酸バルブ２８が閉じられている。これにより、循環配管２２における分岐接続部分Ｊよりも上流側の上流側部分２９を流通する硫酸の流通先を、下流側部分２７とすることができる。これにより、レジスト除去処理を行わないときには、硫酸タンク１３および循環配管２２からなる循環路を硫酸が循環し、硫酸は硫酸供給配管１４に供給されない。こうして硫酸を循環させておくことによって、硫酸を所定の高温（たとえば１８０℃）に加熱して、その加熱された硫酸を硫酸タンク１３に溜めておくことができる。このとき、循環配管２２には、加熱された硫酸が流通する。これにより、硫酸供給配管１４は、内管１４ａにおいて、循環配管２２を流通する硫酸により加熱される。そのため、硫酸供給配管１４内で硫酸が滞留しても、二重配管部分１４ａでは、その滞留する硫酸の温度が流通時の高温（たとえば１８０℃）に保たれる。 The hydrogen peroxide solution introduction pipe 42 is attached to the first cylindrical pipe 39 (casing 36) so as to be slidable along the direction in which the first cylindrical pipe 39 extends (flow direction). Thereby, the position of the opening 50 can be adjusted with respect to the direction in which the first cylindrical tube 39 extends.
During the operation of the apparatus, the pump 23 and the temperature adjustment unit 24 are always driven, and when the resist removal process is not performed (when the sulfuric acid is not supplied to the surface of the wafer W), the feedback valve 26 is opened. At the same time, the sulfuric acid valve 28 is closed. Thereby, the flow destination of sulfuric acid flowing through the upstream portion 29 upstream of the branch connection portion J in the circulation pipe 22 can be the downstream portion 27. Thus, when the resist removal process is not performed, sulfuric acid circulates in the circulation path including the sulfuric acid tank 13 and the circulation pipe 22, and sulfuric acid is not supplied to the sulfuric acid supply pipe 14. By circulating the sulfuric acid in this way, the sulfuric acid can be heated to a predetermined high temperature (for example, 180 ° C.) and the heated sulfuric acid can be stored in the sulfuric acid tank 13. At this time, heated sulfuric acid flows through the circulation pipe 22. As a result, the sulfuric acid supply pipe 14 is heated by the sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 in the inner pipe 14a. Therefore, even if sulfuric acid stays in the sulfuric acid supply pipe 14, the temperature of the staying sulfuric acid is kept at a high temperature (for example, 180 ° C.) during circulation in the double pipe portion 14a.

そして、帰還バルブ２６が閉じられるとともに硫酸バルブ２８が開かれることにより、循環配管２２における分岐接続部分Ｊよりも上流側の上流側部分２９を流通する硫酸の流通先を、硫酸供給配管１４とすることができる。つまり、循環配管２２を流通する高温の硫酸を、硫酸供給配管１４に供給することができ、硫酸供給配管１４を通して硫酸過水ノズル４に供給することができる。 Then, when the return valve 26 is closed and the sulfuric acid valve 28 is opened, the sulfuric acid supply pipe 14 is the distribution destination of sulfuric acid flowing through the upstream portion 29 upstream of the branch connection portion J in the circulation pipe 22. be able to. That is, high-temperature sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 can be supplied to the sulfuric acid supply pipe 14 and can be supplied to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 through the sulfuric acid supply pipe 14.

レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット（図示せず）によって、処理室１にイオン注入処理後のウエハＷが搬入されてくる。このウエハＷの表面にはレジストが存在している。
ウエハＷは、その表面を上方に向けて、スピンチャック３に保持される。ウエハＷがスピンチャック３に保持されると、モータ７が駆動されて、スピンチャック３の回転が開始される。スピンチャック３の回転に伴って、スピンチャック３に保持されたウエハＷも回転される。ウエハＷの回転速度は、たとえば１０００ｒｐｍ程度に設定されている。 In the resist removal process, the wafer W after the ion implantation process is carried into the processing chamber 1 by a transfer robot (not shown). A resist is present on the surface of the wafer W.
The wafer W is held by the spin chuck 3 with its surface facing upward. When the wafer W is held on the spin chuck 3, the motor 7 is driven to start the rotation of the spin chuck 3. As the spin chuck 3 rotates, the wafer W held on the spin chuck 3 is also rotated. The rotation speed of the wafer W is set to about 1000 rpm, for example.

ウエハＷの回転開始後、ノズル駆動機構１２が制御されて、硫酸過水ノズル４がスピンチャック３の側方に設定された待機位置からスピンチャック３に保持されているウエハＷの上方に移動される。
また、長時間にわたって硫酸過水処理が行われていないときは、硫酸供給配管１４の接続部分１４ｂに残った硫酸が温度低下しているおそれがある。このため、硫酸過水処理の開始に際して、硫酸バルブ２８が開かれるとともに帰還バルブ２６が閉じられて、退避位置に位置する硫酸過水ノズル４からプリディスペンスポッド２０に向けて接続部分１４ｂに残っていた少量の硫酸が吐出される（プリディスペンス）。プリディスペンスポッド２０に流入した硫酸は、プリディスペンス用廃液配管２１を通って廃液設備へと導かれる。予め設定されたプリディスペンス時間が終了すると、硫酸バルブ２８が閉じられるとともに帰還バルブ２６が開かれて、硫酸過水ノズル４からの硫酸の吐出が停止されて、プリディスペンスが終了する。 After the rotation of the wafer W is started, the nozzle driving mechanism 12 is controlled to move the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 from the standby position set on the side of the spin chuck 3 to above the wafer W held on the spin chuck 3. The
Further, when the sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment is not performed for a long time, the temperature of the sulfuric acid remaining in the connecting portion 14b of the sulfuric acid supply pipe 14 may be lowered. For this reason, at the start of the sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment, the sulfuric acid valve 28 is opened and the return valve 26 is closed, so that the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 located at the retracted position is left in the connecting portion 14b toward the pre-dispensing pod 20. A small amount of sulfuric acid is discharged (pre-dispensing). The sulfuric acid that has flowed into the pre-dispense pod 20 is led to the waste liquid facility through the pre-dispensing waste liquid pipe 21. When the preset pre-dispensing time is finished, the sulfuric acid valve 28 is closed and the feedback valve 26 is opened, the discharge of sulfuric acid from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is stopped, and the pre-dispensing is finished.

硫酸供給配管１４内で硫酸が滞留したときに硫酸の温度が低下するのは、外気に露出している接続部分１４ｂにおいてのみである。この接続部分１４ｂの配管長が比較的短いので、硫酸の滞留による温度低下を生じるのは少量の硫酸である。したがって、プリディスペンスの際には、その少量の硫酸を廃棄すればよい。このため、プリディスペンス時間は、比較的短く設定されている。 The sulfuric acid temperature decreases only when the sulfuric acid stays in the sulfuric acid supply pipe 14 only at the connection portion 14b exposed to the outside air. Since the pipe length of the connecting portion 14b is relatively short, it is a small amount of sulfuric acid that causes a temperature drop due to the retention of sulfuric acid. Therefore, when pre-dispensing, the small amount of sulfuric acid may be discarded. For this reason, the pre-dispensing time is set to be relatively short.

プリディスペンス時間が経過すると、硫酸バルブ２８が閉じられるとともに帰還バルブ２６が開かれて、硫酸過水ノズル４からの硫酸の吐出が停止される。その後、ノズル駆動機構１２が制御されて、硫酸過水ノズル４が、スピンチャック３の側方に設定された待機位置からスピンチャック３に保持されているウエハＷの上方に移動される。
硫酸過水ノズル４がウエハＷの上方に到達すると、帰還バルブ２６が閉じられるとともに、硫酸バルブ２８および過酸化水素水バルブ１６が開かれる。硫酸バルブ２８および過酸化水素水バルブ１６が開かれると、硫酸および過酸化水素水が硫酸過水ノズル４に流入する。 When the pre-dispensing time has elapsed, the sulfuric acid valve 28 is closed and the feedback valve 26 is opened, and the discharge of sulfuric acid from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is stopped. Thereafter, the nozzle drive mechanism 12 is controlled, and the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is moved above the wafer W held by the spin chuck 3 from a standby position set on the side of the spin chuck 3.
When the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 reaches above the wafer W, the feedback valve 26 is closed, and the sulfuric acid valve 28 and the hydrogen peroxide solution valve 16 are opened. When the sulfuric acid valve 28 and the hydrogen peroxide solution valve 16 are opened, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution flow into the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4.

具体的には、帰還バルブ２６が閉じられるとともに硫酸バルブ２８が開かれると、循環配管２２を流通する高温の硫酸が、硫酸供給配管１４を通して、硫酸ポート４９に付与される。この高温の硫酸は、硫酸導入路４１を通して、連通口４８から第１混合室４５へと供給される。
過酸化水素水バルブ１６が開かれると、図示しない過酸化水素水供給源からの過酸化水素水が、過酸化水素水供給配管１５を通して、過酸化水素水ポート５１に付与される。この過酸化水素水は、過酸化水素水導入管４２を通して、開口５０から第１混合室４５へと供給される。 Specifically, when the feedback valve 26 is closed and the sulfuric acid valve 28 is opened, high-temperature sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 is given to the sulfuric acid port 49 through the sulfuric acid supply pipe 14. This high-temperature sulfuric acid is supplied from the communication port 48 to the first mixing chamber 45 through the sulfuric acid introduction path 41.
When the hydrogen peroxide solution valve 16 is opened, hydrogen peroxide solution from a hydrogen peroxide solution supply source (not shown) is applied to the hydrogen peroxide solution port 51 through the hydrogen peroxide solution supply pipe 15. The hydrogen peroxide solution is supplied from the opening 50 to the first mixing chamber 45 through the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42.

前述のように、硫酸供給配管１４に供給される硫酸と、過酸化水素水供給配管１５に供給される過酸化水素水との流量比が１：０．２５であるため、第１混合室４５には比較的大流量の硫酸と、比較的小流量の過酸化水素水とが供給される。
開口５０が連通口４８よりも下流側に位置している。このため、第１混合室４５を流通する比較的大流量の硫酸に、比較的小流量の過酸化水素水が流入されるようになる。過酸化水素水導入管４２が、第１円筒管３９と同方向に延びているため、開口５０からの過酸化水素水は、第１混合室４５における硫酸の流れ方向に沿って流入される。硫酸の流れ方向に沿って流入した過酸化水素水は、硫酸と広範囲で接触する。そのため、硫酸と過酸化水素水との混合が促進される。また、硫酸の流れ方向に沿って過酸化水素水が流入されるために、第１混合室４５内の硫酸の流れを阻害することなく、硫酸と過酸化水素水とをスムーズに混合させることができる。 As described above, since the flow rate ratio between the sulfuric acid supplied to the sulfuric acid supply pipe 14 and the hydrogen peroxide solution supplied to the hydrogen peroxide supply pipe 15 is 1: 0.25, the first mixing chamber 45 Is supplied with a relatively large flow rate of sulfuric acid and a relatively small flow rate of hydrogen peroxide.
The opening 50 is located downstream of the communication port 48. For this reason, a relatively small flow rate of hydrogen peroxide water flows into the relatively large flow rate of sulfuric acid flowing through the first mixing chamber 45. Since the hydrogen peroxide solution introduction pipe 42 extends in the same direction as the first cylindrical tube 39, the hydrogen peroxide solution from the opening 50 flows in along the flow direction of sulfuric acid in the first mixing chamber 45. The hydrogen peroxide solution that has flowed in along the flow direction of sulfuric acid makes extensive contact with sulfuric acid. Therefore, mixing of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is promoted. Further, since the hydrogen peroxide solution is introduced along the flow direction of sulfuric acid, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution can be smoothly mixed without hindering the flow of sulfuric acid in the first mixing chamber 45. it can.

第１混合室４５では、硫酸と過酸化水素水との混合時に沸騰が生じる。そのため、第１混合室４５はその流路断面が比較的大きくされている。すなわち、沸騰に伴う大きな気泡は第１混合室４５内で生じ、第２混合室４６に大きな気泡が持ち込まれることがほとんどない。
硫酸過水ノズル４の内部に流入した硫酸および過酸化水素水が、混合されることによって、硫酸と過酸化水素水とが反応し、多量のペルオキソ一硫酸（Ｈ₂ＳＯ₅）を含む約１９０〜２００℃のＳＰＭが作成される。このＳＰＭが硫酸過水ノズル４から回転中のウエハＷの表面に向けて吐出される（硫酸過水処理）。その作成直後のＳＰＭ、つまりペルオキソ一硫酸の減衰がほとんど生じていないＳＰＭがウエハの表面に供給される。 In the first mixing chamber 45, boiling occurs when the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution are mixed. Therefore, the first mixing chamber 45 has a relatively large channel cross section. That is, large bubbles accompanying boiling are generated in the first mixing chamber 45, and large bubbles are hardly brought into the second mixing chamber 46.
The sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution that have flowed into the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 are mixed, whereby the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution react with each other, and about 190 containing a large amount of peroxomonosulfuric acid (H ₂ SO ₅ ). An SPM of ~ 200 ° C is created. This SPM is discharged from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 toward the surface of the rotating wafer W (sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment). The SPM immediately after the production, that is, the SPM in which peroxomonosulfuric acid is hardly attenuated is supplied to the surface of the wafer.

この硫酸過水処理では、ノズル駆動機構１２が制御されて、ノズルアーム１０が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、硫酸過水ノズル４からのＳＰＭが導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの表面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの表面の全域に拡がる。したがって、ウエハＷの表面の全域に、ＳＰＭがむらなく供給される。ＳＰＭがウエハＷの表面に供給されると、レジストにＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力が作用し、ウエハＷの表面から、レジストが除去される。ＳＰＭ供給位置の往復移動が所定回数行われると、硫酸バルブ２８および過酸化水素水バルブ１６が閉じられ、ウエハＷへのＳＰＭの供給が停止されて、硫酸過水ノズル４がスピンチャック３の側方の退避位置に戻される。 In this sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment, the nozzle drive mechanism 12 is controlled to swing the nozzle arm 10 within a predetermined angle range. As a result, the supply position on the surface of the wafer W from which the SPM from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is guided is within a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W, and a circle intersecting the rotation direction of the wafer W Reciprocates while drawing an arcuate trajectory. Further, the SPM supplied to the surface of the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W. Therefore, the SPM is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W. When the SPM is supplied to the surface of the wafer W, the strong oxidizing power of peroxomonosulfuric acid contained in the SPM acts on the resist, and the resist is removed from the surface of the wafer W. When the reciprocating movement of the SPM supply position is performed a predetermined number of times, the sulfuric acid valve 28 and the hydrogen peroxide water valve 16 are closed, the supply of SPM to the wafer W is stopped, and the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 is moved to the spin chuck 3 side. Is returned to the retracted position.

次に、ウエハＷの回転が継続されたまま、ＤＩＷバルブ１７が開かれる。これにより、回転中のウエハＷの表面の中央部に向けてＤＩＷノズル５から約６０℃以上に加熱されたＤＩＷが吐出される（リンス処理）。ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの表面の全域に拡がり、ウエハＷの表面に付着している硫酸がＤＩＷによって洗い流される。約６０℃以上に加熱されたＤＩＷを用いてＳＰＭが洗い流されるので、硫黄成分を含めてＳＰＭを、ウエハＷの表面から除去することができる。 Next, the DIW valve 17 is opened while the rotation of the wafer W is continued. Thereby, DIW heated to about 60 ° C. or more is discharged from the DIW nozzle 5 toward the center of the surface of the rotating wafer W (rinsing process). The DIW supplied onto the surface of the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W, and sulfuric acid adhering to the surface of the wafer W is washed away by the DIW. Since the SPM is washed away using DIW heated to about 60 ° C. or higher, the SPM including the sulfur component can be removed from the surface of the wafer W.

この温水リンス処理の開始から所定時間が経過すると、モータ７が駆動されて、ウエハＷの回転速度が所定の高回転速度（たとえば、１５００〜２５００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷが完全に除去される（スピンドライ処理）。
以上のようにこの実施形態によれば、循環配管２２および硫酸供給配管１４は、循環配管２２内に硫酸供給配管１４が挿通されることにより二重配管構造を形成している。循環配管２２には、加熱された硫酸が流通する。これにより、硫酸供給配管１４は、内管１４ａにおいて、循環配管２２を流通する硫酸により加熱される。そのため、硫酸供給配管１４内で硫酸が滞留しても、二重配管部分１４ａでは、その滞留する硫酸の温度が流通時の高温に保たれる。そして、硫酸供給配管１４は、処理室１内において循環配管２２の管壁を貫通し、その先端が硫酸過水ノズル４に接続されている。そのため、硫酸供給配管１４が外気に露出しているのは、比較的短い配管長の接続部分１４ｂであり、この接続部分１４ｂにおいてのみ、硫酸供給配管１４内で硫酸が滞留したときに硫酸の温度が低下する。したがって、硫酸の滞留による温度低下を生じるのは、少量の硫酸であるので、次のウエハＷの処理の開始に際してプリディスペンスを行うとしても、その少量の硫酸を廃棄すればよい。よって、プリディスペンスに要する時間の短縮および硫酸の消費量の低減を図ることができる。 When a predetermined time elapses from the start of the hot water rinsing process, the motor 7 is driven to increase the rotation speed of the wafer W to a predetermined high rotation speed (for example, 1500 to 2500 rpm) and adhere to the wafer W. DIW is completely removed (spin dry process).
As described above, according to this embodiment, the circulation pipe 22 and the sulfuric acid supply pipe 14 form a double pipe structure by the sulfuric acid supply pipe 14 being inserted into the circulation pipe 22. Heated sulfuric acid flows through the circulation pipe 22. As a result, the sulfuric acid supply pipe 14 is heated by the sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 in the inner pipe 14a. Therefore, even if sulfuric acid stays in the sulfuric acid supply pipe 14, the temperature of the sulfuric acid staying at the double pipe portion 14a is maintained at a high temperature during circulation. The sulfuric acid supply pipe 14 penetrates the pipe wall of the circulation pipe 22 in the processing chamber 1, and the tip thereof is connected to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4. Therefore, the sulfuric acid supply pipe 14 is exposed to the outside air at a connection portion 14b having a relatively short pipe length, and the sulfuric acid temperature when sulfuric acid stays in the sulfuric acid supply pipe 14 only at this connection portion 14b. Decreases. Accordingly, since a small amount of sulfuric acid causes a temperature drop due to the retention of sulfuric acid, even if pre-dispensing is performed at the start of processing of the next wafer W, the small amount of sulfuric acid may be discarded. Therefore, the time required for pre-dispensing can be shortened and the consumption of sulfuric acid can be reduced.

また、硫酸タンク１３および循環配管２２によって構成される循環路を、硫酸が循環する。この循環路において、硫酸は、温度調節ユニット２４により加熱される。そして、硫酸供給配管１４は、循環配管２２の途中部に分岐接続されている。したがって、循環配管２２を流通する加熱された硫酸を、硫酸供給配管１４に供給することができ、硫酸供給配管１４を通して硫酸過水ノズル４に供給することができる。 Further, sulfuric acid circulates in a circulation path constituted by the sulfuric acid tank 13 and the circulation pipe 22. In this circulation path, the sulfuric acid is heated by the temperature adjustment unit 24. The sulfuric acid supply pipe 14 is branched and connected to the middle part of the circulation pipe 22. Therefore, the heated sulfuric acid flowing through the circulation pipe 22 can be supplied to the sulfuric acid supply pipe 14, and can be supplied to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 through the sulfuric acid supply pipe 14.

そのため、硫酸供給配管１４に供給される硫酸を加熱するために、それ専用の温度調節ユニットを設ける必要がない。したがって、硫酸供給配管１４に供給される硫酸の加熱専用の温度調節ユニットを設ける構成と比較して、基板処理装置のコストダウンを図ることもできる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。 Therefore, it is not necessary to provide a dedicated temperature control unit for heating the sulfuric acid supplied to the sulfuric acid supply pipe 14. Therefore, the cost of the substrate processing apparatus can be reduced as compared with a configuration in which a temperature control unit dedicated to heating sulfuric acid supplied to the sulfuric acid supply pipe 14 is provided.
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention can also be implemented with another form.

前述の説明では、硫酸供給配管１４が第２配管継手３１の壁を貫通して、硫酸過水ノズル４に接続された構成を例に挙げて説明したが、硫酸供給配管１４を、循環配管２２の管壁を貫通させて、硫酸過水ノズル４に接続させる構成であってもよい。
また、プリディスペンスの際に硫酸過水ノズル４から、硫酸だけでなく、硫酸および過酸化水素水の混合液であるＳＰＭを吐出させる構成であってもよい。とくに構造上、硫酸だけを硫酸過水ノズル４から吐出させることが困難である場合には、硫酸過水ノズル４からＳＰＭが吐出されることにより、プリディスペンスが行われる。 In the above description, the configuration in which the sulfuric acid supply pipe 14 passes through the wall of the second pipe joint 31 and is connected to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 has been described as an example. The pipe wall may be penetrated and connected to the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4.
In addition, not only sulfuric acid but also SPM that is a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution may be discharged from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 during pre-dispensing. In particular, when it is difficult to discharge only sulfuric acid from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4 due to the structure, pre-dispensing is performed by discharging SPM from the sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle 4.

さらに、レジスト除去処理だけでなく、ウエハＷに対してその他の洗浄処理を施す基板処理装置にも、本発明を適用することができる。この場合、第１配管および第２配管を流通する第１流体として、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（Buffered HF：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）および燐酸などの薬液や、純水、炭酸水および磁気水などのリンス液を例示することができる。むろん、第１流体は、液体に限らず、フッ素蒸気やオゾンガスなどの処理ガスや、窒素ガスを含む不活性ガスなどの乾燥ガスなどの気体が含まれるのは言うまでもない。 Furthermore, the present invention can be applied not only to the resist removal process but also to a substrate processing apparatus that performs other cleaning processes on the wafer W. In this case, SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixture), SC2 (hydrochloric acid hydrogen peroxide solution mixture), hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid (Buffered HF) are used as the first fluid flowing through the first pipe and the second pipe. Examples thereof include chemical solutions such as acid and ammonium fluoride) and phosphoric acid, and rinsing liquids such as pure water, carbonated water, and magnetic water. Needless to say, the first fluid is not limited to liquid, but may include gas such as processing gas such as fluorine vapor and ozone gas, and dry gas such as inert gas including nitrogen gas.

また、第１流体として薬液を用いる場合には、プリディスペンスによって処理液供給配管から排出された処理液を再利用する構成が基板処理装置に採用されていてもよい。この場合、プリディスペンスポッド２０の底部には、液回収管が接続されており、この液回収管は、薬液を回収して再度ウエハＷの処理に利用するための回収機構へと延びるようになっていてもよい。 Moreover, when using a chemical | medical solution as a 1st fluid, the structure which reuses the process liquid discharged | emitted from the process liquid supply piping by pre-dispensing may be employ | adopted for the substrate processing apparatus. In this case, a liquid recovery pipe is connected to the bottom of the pre-dispensing pod 20, and this liquid recovery pipe extends to a recovery mechanism for recovering the chemical liquid and reusing it for processing the wafer W. It may be.

さらに、第１および第２配管を流通する第１流体が、加熱ではなく、冷却されていてもよい。この場合、第２配管中の第１流体が、第１配管中の第１流体によって所定の低温に保温される。
さらにまた、接続部分１４ｂの配管長が短く、第１流体の滞留により温度変化を生じる第１流体が少量である場合には、プリディスペンスを省略することもできる。この場合に、プリディスペンスに要する時間の短縮および第１流体の消費量の低減を、より一層図ることができる。 Furthermore, the 1st fluid which distribute | circulates 1st and 2nd piping may be cooled instead of heating. In this case, the first fluid in the second pipe is kept at a predetermined low temperature by the first fluid in the first pipe.
Furthermore, when the pipe length of the connection portion 14b is short and the amount of the first fluid that changes in temperature due to the retention of the first fluid is small, the pre-dispensing can be omitted. In this case, the time required for pre-dispensing can be further shortened and the consumption of the first fluid can be further reduced.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows notionally the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１の切断面線II−IIから見た二重配管構造の断面図である。It is sectional drawing of the double piping structure seen from the cut surface line II-II of FIG. 図１に示すノズルアームおよび硫酸過水ノズルの構成を示す図解的な断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing configurations of a nozzle arm and a sulfuric acid / hydrogen peroxide nozzle shown in FIG. 1. 従来の基板処理装置の構成を説明するための図解図であるIt is an illustration for demonstrating the structure of the conventional substrate processing apparatus.

Explanation of symbols

１処理室
４硫酸過水ノズル（ノズル）
１３硫酸タンク（タンク）
１４硫酸供給配管（第２配管）
１５過酸化水素水供給配管（第３配管）
２２循環配管（第１配管）
２４温度調節ユニット
２６帰還バルブ（第１バルブ）
２７下流側部分
２８硫酸バルブ（第２バルブ）
３１第２配管継手
３３第２循環配管（往路管）
３４第３循環配管（復路管）
Ｊ分岐接続部分
Ｗウエハ（基板） 1 Treatment chamber 4 Sulfuric acid super water nozzle (nozzle)
13 Sulfuric acid tank (tank)
14 Sulfuric acid supply piping (second piping)
15 Hydrogen peroxide water supply pipe (third pipe)
22 Circulation piping (first piping)
24 Temperature control unit 26 Feedback valve (first valve)
27 Downstream portion 28 Sulfuric acid valve (second valve)
31 Second piping joint 33 Second circulation piping (outward piping)
34 Third circulation pipe (return pipe)
J Branch connection W Wafer (substrate)

Claims

A nozzle for discharging the first fluid to the substrate;
A first pipe through which the heated or cooled first fluid flows;
And a second pipe that is inserted into the first pipe and is connected to the nozzle through the pipe wall of the first pipe and through which the heated or cooled first fluid flows. Processing equipment.

A third pipe connected to the nozzle and through which a second fluid of a different type from the first fluid flows;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzle discharges a mixed fluid of the first fluid and the second fluid.

The first fluid is sulfuric acid;
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second fluid is a hydrogen peroxide solution.

A tank for storing the first fluid;
A temperature adjusting unit interposed in the middle of the first pipe for heating or cooling the first fluid flowing through the first pipe to adjust the temperature of the first fluid;
The first pipe has an upstream end and a downstream end connected to the tank, and constitutes a circulation path of the first fluid together with the tank.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an upstream end of the second pipe is branched and connected to a middle portion of the first pipe.

The switching mechanism for switching the distribution | circulation destination of the said 1st piping to the downstream part downstream of the branch connection part of the said 2nd piping in the said 1st piping, and the said 2nd piping is further included in Claim 4. The substrate processing apparatus as described.

The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the switching mechanism includes a first valve interposed in the downstream portion and a second valve interposed in the second pipe.